TW201332160A - 半導體用封裝及半導體發光裝置 - Google Patents
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Abstract
用以收容半導體元件的半導體用封裝是具備：墊部，其係具有搭載半導體元件的搭載面；電極部，其係由搭載面的法線方向來看，與墊部空出間隙來排列配置，且具有與半導體元件電性連接的連接面；及充填樹脂，其係使搭載面及連接面露出的狀態下，固定墊部及電極部，在墊部形成有朝向電極部突出的墊部側突出部，墊部之形成有墊部側突出部的側的部分與電極部之間的間隙係以充填樹脂所充填。
Description
本發明是有關半導體用封裝及半導體發光裝置。
以往，有用以收容LED等的發光元件、照度感測器、CMOS或CCD等影像感測器元件等的半導體元件之半導體用封裝為人所知。
例如，專利文獻1的半導體用封裝的構成是具備：搭載半導體元件的基台、及與半導體元件電性連接的導線架、及將基台與導線架一體固定的樹脂。
[專利文獻1]日本特開2002-252373號公報
可是，在半導體用封裝搭載半導體元件時，或將半導體用封裝安裝於半導體基板時，或切斷半導體用封裝的導線架時，對半導體用封裝的一部分施加應力。例如，在半導體用封裝搭載半導體元件時，推壓力會從搭載半導體元件的方向對半導體用封裝作用，應力會集中於成為保持半導體用封裝的支點之半導體用封裝的兩端部(基台與導線架的連接部)。其結果，會有在基台與導線架的連接部發
生龜裂的問題產生。
在專利文獻1所記載的半導體用封裝是充填樹脂會介於基台與導線架之間，導線架之與基台對向的部分會形成平面視直線狀。因此一旦應力集中於半導體用封裝的兩端部，則應力會沿著導線架之與基台對向的部分傳達。藉此，會有龜裂沿著前述導線架之與基台對向的部分和充填樹脂的界面發生的情形。
本發明是有鑑於如此的情事而研發者，其目的是在於提供一種可抑制在半導體用封裝發生龜裂的半導體用封裝及半導體發光裝置。
為了達成上述的目的，本發明採用以下者。
(1)本發明之一形態的半導體用封裝，係用以收容半導體元件的半導體用封裝，其特徵係具備：墊部，其係具有搭載前述半導體元件的搭載面；電極部，其係由前述搭載面的法線方向來看，與前述墊部空出間隙來排列配置，且具有與前述半導體元件電性連接的連接面；及充填樹脂，其係使前述搭載面及前述連接面露出的狀態下，固定前述墊部及前述電極部，在前述墊部形成有朝向前述電極部突出的墊部側突出部，前述墊部之形成有前述墊部側突出部的側的部分與前
述電極部之間的前述間隙係以前述充填樹脂所充填。
(2)上述(1)的形態的半導體用封裝，亦可在前述電極部形成有朝向前述墊部突出的電極部側突出部。
(3)上述(2)的形態的半導體用封裝，亦可由前述搭載面的法線方向來看，前述墊部側突出部與前述電極部側突出部係於與前述墊部側突出部的突出方向正交的方向彼此空出前述間隙而鄰接配置。
(4)上述(2)或(3)的形態的半導體用封裝，亦可在前述墊部形成有複數的前述墊部側突出部，由前述搭載面的法線方向來看，在鄰接的2個前述墊部側突出部之間配置有前述電極部側突出部。
(5)上述(4)的形態的半導體用封裝，亦可在前述墊部形成有朝向前述電極部而突出的方向的長度彼此相等的2個前述墊部側突出部，前述2個的墊部側突出部之中，一方的前述墊部側突出部係被形成於前述墊部與前述電極部對向的部分的一端部，另一方的前述墊部側突出部係被形成於前述墊部與前述電極部對向的部分的另一端部。
(6)上述(4)或(5)的形態的半導體用封裝，亦可前述複數的墊部側突出部之朝向前述電極部突出的方向的長度係比前述電極部側突出部之朝向前述墊部突出的方向的長度更長。
(7)上述(4)的形態的半導體用封裝，亦可在前述墊部形成有朝向前述電極部突出的方向的長度彼此不同的2個前述墊部側突出部，前述2個的墊部側突出部之中，一方
的前述墊部側突出部係被形成於前述墊部與前述電極部對向的部分的一端部，另一方的前述墊部側突出部係被形成於前述墊部與前述電極部對向的部分的另一端部。
(8)上述(2)~(7)的任一形態的半導體用封裝，亦可前述墊部側突出部、前述電極部側突出部的至少一方的前端部的至少一部分係由前述搭載面的法線方向來看為曲線形狀。
(9)上述(1)~(8)的任一形態的半導體用封裝，亦可在前述搭載面的周圍設有將從被搭載於前述搭載面的前述半導體元件射出的光予以朝向前述搭載面的上方反射的反射面。
(10)上述(9)的形態的半導體用封裝，亦可前述搭載面與前述連接面係配置於彼此不同的高度，前述墊部之形成有前述墊部側突出部的側的部分係突出至前述連接面的高度。
(11)上述(1)~(10)的任一形態的半導體用封裝，亦可與前述墊部的前述搭載面相反側的面係從前述充填樹脂露出。
(12)上述(1)~(11)的任一形態的半導體用封裝，亦可前述充填樹脂係由尼龍、液晶聚合物、矽樹脂、環氧樹脂所構成的群來選擇的至少1種以上。
(13)本發明的別的形態的半導體發光裝置，係包含：如申請專利範圍第1~12項中的任一項所記載之半導體用封裝；
被搭載於前述搭載面的半導體元件；及密封前述半導體元件的密封樹脂。
若根據本發明，則可提供一種能夠抑制在半導體用封裝發生龜裂之半導體用封裝及半導體發光裝置。
以下，一面參照圖面，一面說明本發明的實施形態，但本發明並非限於以下的實施形態。
另外，在以下的所有圖面中，為了容易看圖面，而使各構成要素的尺寸或比率等適當不同。並且，在以下的說明及圖面中，對於相同或相當的要素附上同一符號，省略重複的說明。
圖1是表示本發明的第1實施形態的半導體發光裝置1的模式圖。圖1A是半導體發光裝置1的立體圖，圖1B是半導體發光裝置1的平面圖，圖1C是半導體發光裝置1的底面圖。
另外，在以下的說明中，設定XYZ正交座標系，一面參照此XYZ正交座標系，一面說明有關各構件的位置關係。而且，將水平面內的所定方向設為X軸方向，在水平面內將與X軸方向正交的方向設為Y軸方向，將分
別與X軸方向及Y軸方向正交的方向(亦即鉛直方向)設為Z軸方向。圖是在水平面內將長方體形狀的半導體發光裝置1的短邊方向設為X方向，將半導體發光裝置1的長邊方向設為Y方向，將半導體元件20的搭載面11a的法線方向設為Z方向來圖示。
如圖1A~圖1C所示般，半導體發光裝置1的構成是具備半導體用封裝10、半導體元件20及密封樹脂30。半導體發光裝置1是長方體形狀，構成射出光至上方。例如，半導體發光裝置1是被適用於液晶顯示裝置的背光光源、照明領域等的燈單元。
另外，半導體發光裝置1的形狀並非限於長方體形狀，亦可採用對角落部賦予圓弧(R)或形成平面視橢圓形狀等各種的形狀。
半導體用封裝10是用以收容半導體元件20者。半導體用封裝10的構成是具備墊部11、電極部12及充填樹脂13。例如，半導體元件20為使用LED等的發光元件、照度感測器、CMOS或CCD等的影像感測器元件等各種的半導體元件。
墊部11是具有搭載半導體元件20的搭載面11a。墊部11是成為搭載半導體元件20的基台。在搭載面11a是連接有被連接至半導體元件20的連接線22的一端。例如，墊部11是由鐵(Fe)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)等的金屬、或含該等金屬中至少1個金屬的合金所構成。
圖2A~圖2C是表示本發明的第1實施形態的半導體用封裝10的模式圖。圖2A是半導體用封裝10的平面圖，圖2B是沿著圖2A的A-A線的剖面圖，圖2C是沿著圖2A的B-B線的剖面圖。
如圖2A所示般，電極部12是由搭載面11a的法線方向(+Z方向)來看，與墊部11空出間隙40來排列配置。電極部12是在半導體用封裝10的長邊方向在墊部11的一方側(+Y方向側)配置1個。電極部12是具有與半導體元件20電性連接的連接面12a。在連接面12a是連接有被連接至半導體元件20的連接線21的一端(參照圖1A)。
充填樹脂13是使搭載面11a及連接面12a露出於上方的狀態下，固定墊部11與電極部12。充填樹脂13是以墊部11與電極部12不會導通的方式使墊部11與電極部12僅所定間隔離開的狀態下絕緣而固定者。
充填樹脂13是長方體形狀，在露出搭載面11a及連接面12a的部分開鑿長穴，該長穴是在Y方向具有長邊。例如，充填樹脂13是藉由射出機來射出樹脂材料至以樹脂能夠覆蓋除了墊部11之半導體元件20的搭載面11a或電極部12的連接面12a的部分之方式設置的模框內。藉此，充填樹脂13是被形成埋設墊部11及電極部12的一部分。
作為充填樹脂13的形成材料是使用耐熱性佳的樹脂材料。例如，作為充填樹脂13的形成材料是使用由尼龍
(nylon)(含脂肪族骨格的聚醯胺)、液晶聚合物、矽樹脂、環氧樹脂所構成的群來選擇的至少1種以上的樹脂材料。
另外，充填樹脂13的形狀並非限於長方體形狀，亦可採用對角落部賦予圓弧(R)或形成平面視橢圓形狀等各種的形狀。
在墊部11是形成有朝向電極部12突出的墊部側突出部111。另一方面，在電極部12是形成有朝向墊部11突出的電極部側突出部121。
本實施形態中，在墊部11是形成有2個的墊部側突出部111。由搭載面11a的法線方向(+Z方向)來看，在相鄰的2個的墊部側突出部111之間是配置有1個的電極部側突出部121。由半導體發光裝置1的短邊方向(X方向)來看，配置成2個的墊部側突出部111的前端部與電極部側突出部121的前端部會彼此重疊。
在與電極部12之形有電極部側突出部121的側相反的側是形成有從電極部12本體延伸出於Y方向的2個腳部122。該等腳部122的一部分是貫通充填樹脂13的一部分來露出至外部。例如，腳部122是具有將半導體發光裝置1搭載於未圖示的半導體基板時的連接端子之機能。
如圖2B、圖2C所示般，墊部11的搭載面11a與電極部12的連接面12a是被配置於彼此不同的高度。在本實施形態中，搭載面11a是被配置於比連接面12a更低的位置。墊部11之形成有墊部側突出部111的側的部分是突出至連接面12a的高度。
墊部11是具有：包圍搭載面11a的周圍的側壁部11b、及被形成於側壁部11b的外緣部的水平緣部11c。側壁部11b是在搭載面11a的全周緣形成環狀。例如，在側壁部11b的表面是被施以金、銀、鋁、鎳等的金屬材料之電鍍處理。藉此，側壁部11b的表面是具有作為將從半導體元件20射出的光予以朝向搭載面11a的上方反射的反射面之機能。水平緣部11c是被配置於與連接面12a同高度。墊部11的形狀是藉由搭載面11a及側壁部11b來形成凹狀。
如此，墊部11是搭載半導體元件20的部分會被形成凹狀。
例如，作為將墊部11形成凹狀的方法，可舉對成為墊部11的搭載面11a的部分實施拉深加工的方法。
在與墊部11的搭載面11a相反側的面11d(以下稱為墊部11的背面11d)是從充填樹脂13露出。墊部11的背面11d是與充填樹脂13的背面13a表現出面一致。
圖3是表示本實施形態的半導體用封裝10的墊部11的墊部側突出部111所被形成的側的部分的擴大圖。
在圖3中，符號CL是沿著半導體用封裝10的Y方向的中心線。符號L是墊部側突出部111之朝向電極部12突出的方向的長度(與墊部側突出部111從墊部11朝向電極部12突出的Y方向平行的長度)。另外，在圖3中，基於方便起見，僅圖示墊部11及電極部12，省略半導體用封裝10的其他構成要素的圖示。
如圖3所示般，在墊部11是形成有朝向電極部12突出的方向的長度L彼此相等的2個墊部側突出部111。2個的墊部側突出部111之中，一方的墊部側突出部111(圖中上側的墊部側突出部111)是被形成於墊部11與電極部12對向的部分的一端部(-X方向側的端部)。另一方的墊部側突出部111(圖中下側的墊部側突出部111)是被形成於墊部11與電極部12對向的部分的另一端部(+X方向側的端部)。
在電極部12是形成有朝向墊部11突出的1個電極部側突出部121。電極部側突出部121是被形成於電極部12與墊部11對向的部分的中央部。電極部側突出部121是前端部會被配置於2個的墊部側突出部111之間。在本實施形態中，由搭載面11a的法線方向來看，墊部側突出部111與電極部側突出部121會在與墊部側突出部111的突出方向正交的方向(X方向)彼此空出間隙40而鄰接形成。換言之，由X方向來看，配置成2個的墊部側突出部111的前端部與電極部側突出部121的前端部會彼此重疊。在本實施形態中，墊部11與電極部12的連接部對於中心線CL是形成線對稱。
圖4是比較例的半導體用封裝的墊部1011與電極部1012的連接部的擴大圖。另外，在圖4中，基於方便起見，僅圖示墊部1011及電極部1012，省略半導體用封裝的其他構成要素的圖示。
如圖4所示般，在比較例中，墊部1011與電極部
1012之間的間隙1040是以未圖示的充填樹脂來充填。墊部1011之與電極部1012的側的部分1011a及電極部1012之與墊部1011對向的側的部分1012a是分別形成平面視直線狀。
可是，在半導體用封裝搭載半導體元件時，推壓力會從搭載半導體元件的方向對半導體用封裝作用，應力會集中於成為保持半導體用封裝的支點之半導體用封裝的兩端部(墊部1011與電極部1012的連接部)。其結果，會有在墊部1011與電極部1012的連接部發生龜裂的問題產生。
例如，在比較例的半導體用封裝是充填樹脂會介於墊部1011與電極部1012之間的間隙1040，且墊部1011之與電極部1012對向的側的部分1011a及電極部1012之與墊部1011對向的側的部分1012a是分別形成平面視直線狀。因此，一旦應力集中於半導體用封裝的兩端部，則應力會沿著墊部1011之與電極部1012對向的側的部分1011a及電極部1012之與墊部1011對向的側的部分1012a來傳達。
藉此，會有龜裂沿著該等墊部1011之與電極部1012對向的側的部分1011a和充填樹脂的界面及電極部1012之與墊部1011對向的側的部分1012a和充填樹脂的界面發生的情形。
龜裂是容易沿著墊部1011與充填樹脂的界面及電極部1012與充填樹脂的界面形成。由於龜裂是從充填樹脂的短邊方向一端側(-X方向側)朝向短邊方向另一端側(+X
方向側)直線性地形成，因此像比較例的半導體用封裝那樣，一旦墊部1011與充填樹脂的界面及電極部1012與充填樹脂的界面皆被形成直線狀，則龜裂會容易沿著充填樹脂的短邊方向形成。
相對的，像本實施形態的半導體用封裝10那樣，若墊部11與充填樹脂13的界面及電極部12與充填樹脂13的界面對於充填樹脂13的短邊方向(X方向)蛇行形成，則龜裂不易沿著充填樹脂13的短邊方向形成。並且，在本實施形態的半導體用封裝10是墊部側突出部111及電極部側突出部121會沿著充填樹脂13的短邊方向來彼此空出間隙40鄰接形成。因此，即使在充填樹脂13的一部分發生龜裂，龜裂成長於充填樹脂13的短邊方向，還是可藉由配置於其成長方向之剛性高的墊部11或電極部12來抑制龜裂的成長，在充填樹脂13的短邊方向全體形成龜裂的情形會被抑制。
如此，若根據本實施形態的半導體用封裝10，則在半導體元件20的搭載時等即使應力加諸於半導體用封裝10，龜裂也不易形成於半導體用封裝10。因此，可提供一種良品率高的半導體用封裝10。
並且，若根據本實施形態的半導體用封裝10，則亦可取得其次般的效果。
在本實施形態的半導體用封裝10中，彼此具有同長度L的2個墊部側突出部111會被形成於墊部11與電極部12對向的部分的兩端部。因此，可提高墊部11與電極
部12的連接部的強度平衡。
並且，包圍搭載面11a的周圍的側壁部11b的表面是被施以金屬材料的電鍍處理。因此，可使從半導體元件20斜斜地射出的光朝向搭載面11a的上方反射。
假若為搭載面配置於與連接面同高度的構成，則從半導體元件20斜斜地射出的光是藉由充填樹脂13來朝向搭載面11a的上方反射，但長期間使用時，充填樹脂13會因劣化而變色，有可能光的取出效率變差。
相對於此，在本實施形態中是搭載面11a會被配置於比連接面12a更低的位置，因此從半導體元件20斜斜地射出的光是藉由被施以金屬材料的電鍍處理的側壁部11b來朝向搭載面11a的上方反射，但因為側壁部11b被施以電鍍處理，所以可抑制長時間使用時的變色。因此，可效率佳地取出從半導體元件20射出的光。
由於墊部11的背面11d會從充填樹脂13露出，因此在半導體元件20的驅動中發生的熱會經由墊部11來放熱至外部。因此，可抑制在半導體元件20發生的熱關在充填樹脂13內。因此，可將在半導體元件20產生的熱予以效率佳地放熱至外部。
又，由於充填樹脂13為使用由尼龍、液晶聚合物、矽樹脂、環氧樹脂所構成的群來選擇的至少1種以上的樹脂材料，因此可提供一種耐熱性佳的半導體用封裝10。
又，若根據本實施形態的半導體發光裝置1，則由於具備前述半導體用封裝10，因此可提供一種能夠抑制在
半導體用封裝10發生龜裂的半導體發光裝置1。
圖5是表示對應於圖1A之本發明的第2實施形態的半導體發光裝置2的立體圖。本實施形態的半導體發光裝置2是更換半導體用封裝10而具備半導體用封裝10A的點與上述的第1實施形態的半導體發光裝置1不同。其他的點是與上述的構成同樣，因此對與圖1A同樣的要素附上相同的符號，省略詳細的說明。
如圖5所示般，半導體發光裝置2的構成是具備半導體用封裝10A、半導體元件20及密封樹脂30。
半導體用封裝10A的構成是具備墊部11A、電極部12A及充填樹脂13A。
圖6是表示對應於圖2A之本實施形態的半導體用封裝10A的平面圖。另外，在圖6中，符號CP是平面視之半導體用封裝10A的中心點。
如圖6所示般，電極部12A是由搭載面11Aa的法線方向(+Z方向)來看，與墊部11A空出間隙40來排列配置。電極部12A是在半導體用封裝10A的長邊方向，於墊部11A的兩側(+Y方向側、-Y方向側)各配置1個，合計配置2個。電極部12是具有與半導體元件20電性連接的連接面12Aa。
回到圖5，在被配置於+Y方向側的電極部12A的連接面12Aa是連接有被連接至半導體元件20的連接線21
的一端。另一方面，在被配置於-Y方向側的電極部12A的連接面12Aa是連接有被連接至半導體元件20的連接線22的一端。
充填樹脂13A是使搭載面11Aa及連接面12Aa露出於上方的狀態下，固定墊部11A及電極部12A。
在墊部11A是形成有朝向電極部12突出的2個墊部側突出部111A，112A。另一方面，在電極部12A是形成有朝向墊部11A突出的1個電極部側突出部121A。
由搭載面11Aa的法線方向(+Z方向)來看，在墊部側突出部111A與墊部側突出部112A之間是配置有電極部側突出部121A。由半導體發光裝置1的短邊方向(X方向)來看，配置成墊部側突出部111A的前端部與電極部側突出部121A的前端部會彼此重疊，墊部側突出部112A的前端部與電極部側突出部121A的前端部會彼此重疊。
在與電極部12A之形成有電極部側突出部121A的側相反的側是形成有從電極部12A本體延伸出於Y方向的腳部122A。墊部側突出部112A的前端部及腳部122A的一部分是貫通充填樹脂13的一部分來露出至外部。例如，墊部側突出部112A及腳部122A是具有作為將半導體發光裝置2搭載於半導體基板時的連接端子之機能。在本實施形態中，墊部11A與電極部12A的連接部對於中心點CP是形成點對稱。
圖7是對應於圖3之墊部11A的墊部側突出部111A，112A所被形成的側的部分的擴大圖。在圖7中，
符號CL是沿著半導體用封裝10A的Y方向的中心線。符號L1是墊部側突出部111A之朝向電極部12A突出的方向的長度(與墊部側突出部111A從墊部11A朝向電極部12A突出的Y方向平行的長度)。符號L2是墊部側突出部112A之朝向電極部12A突出的方向的長度(與墊部側突出部112A從墊部11A朝向電極部12A突出的Y方向平行的長度)。另外，在圖7中，基於方便起見，僅圖示墊部11A及電極部12A，省略半導體用封裝10A的其他構成要素的圖示。
如圖7所示般，在墊部11A是形成有朝向電極部12A突出的方向的長度彼此不同的2個墊部側突出部111A，112A。在此，2個的墊部側突出部之中，朝向電極部12A突出的方向的長度相對短者設為第1墊部側突出部111A，將朝向電極部12A突出的方向的長度相對長者設為第2墊部側突出部112A。
回到圖6，在半導體用封裝10A的+Y方向側的連接部，第1墊部側突出部111A是被形成於墊部11A與電極部12A對向的部分的一端部(-X方向側的端部)。第2墊部側突出部112A是被形成於墊部11A與電極部12A對向的部分的另一端部(+X方向側的端部)。另一方面，在半導體用封裝10A的-Y方向側的連接部，第1墊部側突出部111A是被形成於墊部11A與電極部12A對向的部分的一端部(+X方向側的端部)。第2墊部側突出部112A是被形成於墊部11A與電極部12A對向的部分的另一端部(-X
方向側的端部)。
在電極部12A是形成有朝向墊部11A突出的1個電極部側突出部121A。電極部側突出部121A是前端部會被配置於第1墊部側突出部111A與第2墊部側突出部112A之間。在本實施形態中，由X方向來看，配置成第1墊部側突出部111A的前端部與電極部側突出部121A的前端部會彼此重疊，且第2墊部側突出部112A的前端部與電極部側突出部121A的前端部會彼此重疊。另外，在本實施形態中，墊部11A與電極部12A的連接部對於中心線CL是未形成線對稱。
若根據本實施形態的半導體用封裝10A，則墊部11A與電極部12A的連接部對於圖7所示的中心線CL不會成為線對稱，在-X方向側及+X方向側形成非對稱。因此，相較於墊部11A與電極部12A的連接部對於中心線在-X方向側及+X方向側形成對稱的構成，在射出形成充填樹脂13時所被形成的熔合線的位置容易偏離中心線CL。若熔合線的位置沿著中心線CL形成，則半導體用封裝10A的充填樹脂13的厚度薄，因此強度差。
然而，在本實施形態中，只要根據墊部11A與電極部12A的連接部的非對稱性來調整形成有熔合線的部分，便可增大此連接部全體接合強度。例如，在本實施形態中藉由使形成有熔合線的部分自中心線CL挪開，半導體用封裝10A的充填樹脂13的厚度會變厚，因此可增大強度。
並且，若將形成有熔合線的部分配置成平面視重疊於前述連接部中未形成有間隙40的部分(第2墊部側突出部112A)，則相較於將形成有熔合線的部分配置成平面視重疊於前述連接部中形成有間隙40的部分(第1墊部側突出部111A與電極部12A的連接部分)之構成，可增大前述連接部全體接合強度。
而且，第2墊部側突出部112A會穿透充填樹脂13的一部分，不成為途中形成有間隙40的構成。亦即，由半導體用封裝10A的短邊方向(X方向)來看，成為無間隙40的部分的構成。因此，當應力集中於半導體用封裝10A的兩端部時，可更確實地抑制此應力沿著間隙40的部分傳達。
因此，可提供一種能夠抑制在半導體用封裝10A發生龜裂的半導體用封裝10A。
圖8是表示對應於圖1A之本發明的第3實施形態的半導體發光裝置3的立體圖。本實施形態的半導體發光裝置3是更換半導體用封裝10而具備半導體用封裝10B的點與上述第1實施形態的半導體發光裝置1不同。其他的點是與上述的構成同樣，因此對與圖1A同樣的要素附上相同的符號，省略詳細的說明。
如圖8所示般，半導體發光裝置3的構成是具備半導體用封裝10B、半導體元件20及密封樹脂30。
半導體用封裝10B的構成是具備墊部11B、電極部12B及充填樹脂13B。
圖9是表示對應於圖2A之本實施形態的半導體用封裝10B的平面圖。
如圖9所示般，電極部12B是由搭載面11Ba的法線方向(+Z方向)來看，與墊部11B空出間隙40來排列配置。電極部12B是在半導體用封裝10B的長邊方向，於墊部11B的兩側(+Y方向側、-Y方向側)各配置1個，合計配置2個。電極部12B是具有與半導體元件20電性連接的連接面12Ba。
回到圖8，在被配置於+Y方向側的電極部12B的連接面12Ba是連接有被連接至半導體元件20的連接線21的一端。另一方面，在被配置於-Y方向側的電極部12B的連接面12Ba是連接有被連接至半導體元件20的連接線22的一端。
充填樹脂13B是使搭載面11Ba及連接面12Ba露出於上方的狀態下，固定墊部11B及電極部12B。
在墊部11B是形成有朝向電極部12B突出的2個墊部側突出部111B。另一方面，在電極部12B是形成有朝向墊部11B突出的1個電極部側突出部121B。由搭載面11Ba的法線方向(+Z方向)來看，在2個的墊部側突出部111B之間是配置有電極部側突出部121B(電極部12B)。
在與電極部12B之形成有電極部側突出部121B的側相反的側是形成有從電極部12B本體延伸出於Y方向的
腳部122B。墊部側突出部111B的前端部與腳部122B是貫通充填樹脂13的一部分而露出至外部。例如，腳部122B是具有作為將半導體發光裝置3搭載於半導體基板時的連接端子之機能。
圖10是表示對應於圖3之半導體用封裝10B的墊部11B的墊部側突出部111B所被形成的側的部分的擴大圖。在圖10中，符號CL是沿著半導體用封裝10B的Y方向的中心線。符號L3是墊部側突出部111B之朝向電極部12B突出的方向的長度(與墊部側突出部111B從墊部11B朝向電極部12B突出的Y方向平行的長度)。符號L4是電極部側突出部121B之朝向墊部11B突出的方向的長度(與電極部側突出部121B從電極部12B朝向墊部11B突出的Y方向平行的長度)。另外，在圖10中，基於方便起見，僅圖示墊部11B及電極部12B，省略半導體用封裝10B的其他構成要素的圖示。
如圖10所示般，在墊部11B是形成有朝向電極部12B突出的方向的長度彼此相等的2個墊部側突出部111B。2個的墊部側突出部111B之中，一方的墊部側突出部111B(圖中上側的墊部側突出部111B)是被形成於墊部11B與電極部12B對向的部分的一端部(-X方向側的端部)。另一方的墊部側突出部111B(圖中下側的墊部側突出部111B)是被形成於墊部11B與電極部12B對向的部分的另一端部(+X方向側的端部)。
在電極部12B是形成有朝向墊部11B突出的1個電
極部側突出部121B。電極部側突出部121B是被形成於電極部12B與墊部11B對向的部分的中央部。電極部側突出部121B是全體被配置於2個的墊部側突出部111B之間。在本實施形態中，2個的墊部側突出部之朝向電極部12B突出的方向的長度L3是形成比電極部側突出部121B之朝向墊部11B突出的方向的長度L4更長(L3>L4)。在本實施形態中，墊部11B與電極部12B的連接部對於中心線CL是形成線對稱。
若根據本實施形態的半導體用封裝10B，則2個的墊部側突出部111B會穿透充填樹脂13B的一部分，不成為途中形成有間隙40的構成。亦即，由半導體用封裝10B的短邊方向(-X方向及+X方向的雙方向)來看，成為無間隙40的部分的構成。因此，當應力集中於半導體用封裝10B的兩端部時，可更確實地抑制此應力沿著間隙40的部分傳達。
圖11是表示對應於圖1A之本發明的第4實施形態的半導體發光裝置4的立體圖。本實施形態的半導體發光裝置4是更換半導體用封裝10而具備半導體用封裝10C的點與上述第1實施形態的半導體發光裝置1不同。其他的點是與上述的構成同樣，因此對與圖1A同樣的要素附上相同的符號，省略詳細的說明。
如圖11所示般，半導體發光裝置4的構成是具備半
導體用封裝10C、半導體元件20及密封樹脂30。
半導體用封裝10C的構成是具備墊部11C、電極部12及充填樹脂13C。
圖12A~圖12C是表示對應於圖2A~圖2C之本實施形態的半導體用封裝10C的模式圖。圖12A是表示對應於圖2A之本實施形態的半導體用封裝10C的平面圖。圖12B是沿著圖12A的C-C線的剖面圖，圖12C是沿著圖12A的D-D線的剖面圖。
如圖12A~圖12C所示般，在墊部11C的搭載面11Ca的周圍是形成有反射面11CR。反射面11CR是將從半導體元件20射出的光予以朝向搭載面11Ca的上方反射。例如，反射面11CR是在墊部11C的側壁部11Cb突出至斜上方的部分的內壁面。另外，亦可在此內壁面實施金、銀、鋁、鎳等的金屬材料之電鍍處理。
若根據本實施形態的半導體用封裝10C，則由於在搭載面11Ca的周圍形成有反射面11CR，因此可將從半導體元件20射出於斜方向的光予以朝向搭載面11Ca的上方反射。所以，可效率佳地取出從半導體元件20射出的光。
圖13A是表示對應於圖2A之本發明的半導體用封裝的第1變形例的平面圖。另外，在圖13A中，符號CL1是沿著半導體用封裝10D的Y方向的中心線。符號CL2是沿著半導體用封裝10D的X方向的中心線。
如圖13A所示般，本變形例的半導體用封裝10D的構成是具備墊部11D、電極部12及充填樹脂13D。
在上述的第1實施形態的半導體用封裝10中，電極部12在半導體用封裝10的長邊方向僅1個被配置於墊部11的一方側(+Y方向側)。
相對的，在本變形例的半導體用封裝10D中，電極部12是在半導體用封裝10D的長邊方向，於墊部11D的兩側(+Y方向側、-Y方向側)各配置1個，合計配置2個。並且，墊部11D與電極部12的連接部對於中心線CL1是形成線對稱，加上墊部11D與電極部12的連接部對於中心線CL2也是形成線對稱。
在本變形例的半導體用封裝10D中也可抑制在半導體用封裝10D發生龜裂。
圖13B是表示對應於圖6之本發明的半導體用封裝的第2變形例的平面圖。另外，在圖13B中，符號CP是平面視之半導體用封裝10E的中心點。符號CL2是沿著半導體用封裝10E的X方向的中心線。
如圖13B所示般，本變形例的半導體用封裝10E的構成是具備墊部11E、電極部12A，12E及充填樹脂13E。
在上述的第2實施形態的半導體用封裝10A中，墊部11A與電極部12A的連接部對於中心點CP是形成點對
稱。
相對的，在本變形例的半導體用封裝10E中，墊部11E與電極部12A，12E的連接部對於中心點CP是形成點對稱。然而，墊部11E與電極部12A，12E的連接部對於中心線CL2是形成線對稱。
在本變形例的半導體用封裝10E中也可抑制在半導體用封裝10E發生龜裂。
圖13C是表示對應於圖6之本發明的半導體用封裝的第3變形例的平面圖。
如圖13C所示般，本變形例的半導體用封裝10F的構成是具備墊部11F、電極部12，12A及充填樹脂13F。半導體用封裝10F是具備第1實施形態的電極部12及第2實施形態的電極部12A的2個電極部。
在本變形例的半導體用封裝10F中也可抑制在半導體用封裝10F發生龜裂。
圖14A是對應於圖6之本發明的半導體用封裝的第4變形例的平面圖。
如圖14A所示般，本變形例的半導體用封裝10G的構成是具備墊部11G、電極部12A及充填樹脂13G。半導體用封裝10G是在第2實施形態的半導體用封裝適用反
射面者。
在本變形例中，在墊部11G的搭載面11Ga的周圍是形成有反射面11GR。反射面11GR是將從半導體元件20射出的光予以朝向搭載面11Ga的上方反射。
在本變形例的半導體用封裝10G中也可效率佳地取出從半導體元件20射出的光。
圖14B是表示對應於圖9之本發明的半導體用封裝的第5變形例的平面圖。
如圖14B所示般，本變形例的半導體用封裝10H的構成是具備墊部11H、電極部12B及充填樹脂13H。半導體用封裝10H是在第3實施形態的半導體用封裝適用反射面者。
在本變形例中，在墊部11H的搭載面11Ha的周圍是形成有反射面11HR。反射面11HR是將從半導體元件20射出的光予以朝向搭載面11Ha的上方反射。
在本變形例的半導體用封裝10H中也可效率佳地取出從半導體元件20射出的光。
圖15A是表示本發明的半導體用封裝的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的第1變形例的平面圖。圖15A是對應於圖3之本變形例的墊部的墊部側突出部所被
形成的側的部分的擴大圖。另外，在圖15A中，符號CL是沿著半導體用封裝的Y方向的中心線。
如圖15A所示般，在墊部11J是形成朝向電極部12突出的2個墊部側突出部111J。在電極部12J是形成有朝向墊部11突出的1個電極部側突出部121J。電極部側突出部121J是被形成於電極部12J與墊部11J對向的部分的中央部。在本變形例中，墊部11J與電極部12J的連接部對於中心線CL是形成線對稱。
在上述的第1實施形態的電極部12中，電極部側突出部121的前端部是具有平面視直角的角部。
相對的，在本變形例的電極部12J中，電極部側突出部121J的前端部是具有平面視曲線形狀。
在本變形例的構成中也可抑制在半導體用封裝發生龜裂。而且，若根據本變形例的構成，則當應力集中於半導體用封裝的兩端部時，此應力會沿著電極部側突出部121J的曲線形狀的前端部傳達，因此可抑制應力集中於此前端部的一部分。所以，可抑制在電極部側突出部121J的前端部的一部分發生龜裂。
圖15B是表示本發明的半導體用封裝的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的第2變形例的平面圖。圖15B是對應於圖3之本變形例的墊部的墊部側突出部所被形成的側的部分的擴大圖。另外，在圖15B中，符號CL
是沿著半導體用封裝的Y方向的中心線。
如圖15B所示般，在墊部11K是形成有朝向電極部12K突出的2個墊部側突出部111K。電極部12K之與墊部11K對向的側的部分是形成平面視直線狀。在本變形例中，墊部11K與電極部12K的連接部對於中心線CL是形成線對稱。
在本變形例的構成中亦可抑制在半導體用封裝發生龜裂。
圖15C是表示本發明的半導體用封裝的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的第3變形例的平面圖。圖15C是對應於圖3之本變形例的墊部的墊部側突出部所被形成的側的部分的擴大圖。另外，在圖15C中，符號CL是沿著半導體用封裝的Y方向的中心線。
如圖15C所示般，在墊部11L是形成有朝向電極部12L突出的2個墊部側突出部111L。在電極部12L是形成有朝向墊部11L突出的2個電極部側突出部121L。2個的墊部側突出部111L及2個的電極部側突出部121L是彼此對向。在本變形例中，墊部11L與電極部12L的連接部對於中心線CL是形成線對稱。
在本變形例的構成中亦可抑制在半導體用封裝發生龜裂。
圖16A是表示本發明的半導體用封裝的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的第4變形例的平面圖。圖16A是對應於圖3之本變形例的墊部的墊部側突出部所被形成的側的部分的擴大圖。另外，在圖16A中，符號CL是沿著半導體用封裝的Y方向的中心線。
如圖16A所示般，在墊部11M是形成有朝向電極部12M突出的1個墊部側突出部111M。墊部側突出部111M是被形成於墊部11M與電極部12M對向的部分的中央部。電極部12M之與墊部11M對向的側的部分是形成平面視直線狀。在本變形例中，墊部11M與電極部12M的連接部對於中心線CL是形成線對稱。
在本變形例的構成中亦可抑制在半導體用封裝發生龜裂。
圖16B是表示本發明的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的第5變形例的平面圖。圖16B是對應於圖3之本變形例的墊部的墊部側突出部所被形成的側的部分的擴大圖。
如圖16B所示般，在墊部11N是形成有朝向電極部12N突出的1個墊部側突出部111N。墊部側突出部111N是被形成於墊部11N與電極部12N對向的部分的-X方向側的端部。在電極部12N是形成有朝向墊部11N突出的1
個電極部側突出部121N。電極部側突出部121N是被形成於電極部12N與墊部11N對向的部分的+X方向側的端部。在本變形例中，墊部側突出部111N與電極部側突出部121N是沿著充填樹脂的短邊方向(X方向)彼此空出間隙40而鄰接形成。
在本變形例的構成中亦可抑制在半導體用封裝發生龜裂。
圖16C是表示本發明的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的第6變形例的平面圖。圖16C是對應於圖3之本變形例的墊部的墊部側突出部所被形成的側的部分的擴大圖。
如圖16C所示般，墊部11P之與電極部12P對向的側的部分是成為朝向電極部12P形成凸狀的曲線形狀。電極部12P之與墊部11P對向的側的部分是成為朝向墊部11P形成凹狀的曲線形狀。在本變形例中，墊部11P之與電極部12P對向的側的部分及電極部12P之與墊部11P對向的側的部分會沿著充填樹脂的短邊方向(X方向)來彼此空出間隙40而鄰接形成。
在本變形例的構成中亦可抑制在半導體用封裝發生龜裂。
以上，一邊參照附圖，一邊說明有關本發明的適宜的實施形態例，但當然本發明並非限於該例。在上述的例子
中所示的各構成構件的諸形狀或組合等是其一例，可在不脫離本發明的主旨範圍內根據設計要求等實施各種變更，可適當地組合使用。
1，2，3，4‧‧‧半導體發光裝置
10，10A，10B，10C，10D，10E，10F，10G，10H‧‧‧半導體用封裝
11，11A，11B，11C，11D，11E，11F，11G，11H，11J，11K，11L，11M，11N，11P‧‧‧墊部
11a，11Aa，11Ba，11Ca，11Ga，11Ha‧‧‧搭載面
11d，11Cd‧‧‧與搭載面相反側的面
11CR，11GR，11HR‧‧‧反射面
12，12A，12B，12J，12K，12L，12M，12N，12P‧‧‧電極部
12a，12Aa，12Ba‧‧‧連接面
13，13A，13B，13C，13D，13E，13F，13G，13H‧‧‧充填樹脂
20‧‧‧半導體元件
30‧‧‧密封樹脂
40‧‧‧間隙
111，111A，111B，111C，111D，111E，111F，111G，111H，111J，111K，111L，111M，111N，111P‧‧‧墊部側突出部
121，121A，121B，121C，121D，121E，121F，121G，121H，121J，121K，121L，121M，121N，121P‧‧‧電極部側突出部
L，L1，L2，L3‧‧‧墊部側突出部之朝向電極部突出的方向的長度
L4‧‧‧電極部側突出部之朝向墊部突出的方向的長度
圖1A是表示本發明的第1實施形態的半導體發光裝置的模式圖。
圖1B是表示同實施形態的半導體發光裝置的模式圖。
圖1C是表示同實施形態的半導體發光裝置的模式圖。
圖2A是表示同實施形態的半導體用封裝的模式圖。
圖2B是表示同實施形態的半導體用封裝的模式圖。
圖2C是表示同實施形態的半導體用封裝的模式圖。
圖3是同實施形態形成有墊部的墊部側突出部的側的部分的擴大圖。
圖4是表示比較例形成有墊部的墊部側突出部的側的部分的擴大圖。
圖5是表示本發明的第2實施形態的半導體發光裝置的立體圖。
圖6是表示同實施形態的半導體用封裝的平面圖。
圖7是同實施形態形成有墊部的墊部側突出部的側的部分的擴大圖。
圖8是表示本發明的第3實施形態的半導體發光裝置
的立體圖。
圖9是表示同實施形態的半導體用封裝的平面圖。
圖10是同實施形態形成有墊部的墊部側突出部的側的部分的擴大圖。
圖11是表示本發明的第4實施形態的半導體發光裝置的立體圖。
圖12A是表示同實施形態的半導體用封裝的模式圖。
圖12B是表示同實施形態的半導體用封裝的模式圖。
圖12C是表示同實施形態的半導體用封裝的模式圖。
圖13A是表示本發明的半導體用封裝的變形例的平面圖。
圖13B是表示本發明的半導體用封裝的變形例的平面圖。
圖13C是表示本發明的半導體用封裝的變形例的平面圖。
圖14A是表示同實施形態的半導體用封裝的變形例的平面圖。
圖14B是表示同實施形態的半導體用封裝的變形例的平面圖。
圖15A是表示本發明的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的變形例的平面圖。
圖15B是表示本發明的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的變形例的平面圖。
圖15C是表示本發明的墊部側突出部與電極部側突出部的連接部的變形例的平面圖。
圖16A是表示同實施形態的連接部的變形例的平面圖。
圖16B是表示同實施形態的連接部的變形例的平面圖。
圖16C是表示同實施形態的連接部的變形例的平面圖。
1‧‧‧半導體發光裝置
10‧‧‧半導體用封裝
11‧‧‧墊部
11a‧‧‧搭載面
12‧‧‧電極部
12a‧‧‧連接面
13‧‧‧充填樹脂
20‧‧‧半導體元件
21‧‧‧連接線
22‧‧‧連接線
30‧‧‧密封樹脂
40‧‧‧間隙
111‧‧‧墊部側突出部
121‧‧‧電極部側突出部
122‧‧‧腳部
Claims (13)
- 一種半導體用封裝，係用以收容半導體元件的半導體用封裝，其特徵係具備：墊部，其係具有搭載前述半導體元件的搭載面；電極部，其係由前述搭載面的法線方向來看，與前述墊部空出間隙來排列配置，且具有與前述半導體元件電性連接的連接面；及充填樹脂，其係使前述搭載面及前述連接面露出的狀態下，固定前述墊部及前述電極部，在前述墊部形成有朝向前述電極部突出的墊部側突出部，前述墊部之形成有前述墊部側突出部的側的部分與前述電極部之間的前述間隙係以前述充填樹脂所充填。
- 如申請專利範圍第1項之半導體用封裝，其中，在前述電極部形成有朝向前述墊部突出的電極部側突出部。
- 如申請專利範圍第2項之半導體用封裝，其中，由前述搭載面的法線方向來看，前述墊部側突出部與前述電極部側突出部係於與前述墊部側突出部的突出方向正交的方向彼此空出前述間隙而鄰接配置。
- 如申請專利範圍第2或3項之半導體用封裝，其中，在前述墊部形成有複數的前述墊部側突出部，由前述搭載面的法線方向來看，在鄰接的2個前述墊部側突出部之間配置有前述電極部側突出部。
- 如申請專利範圍第4項之半導體用封裝，其中，在 前述墊部形成有朝向前述電極部而突出的方向的長度彼此相等的2個前述墊部側突出部，前述2個的墊部側突出部之中，一方的前述墊部側突出部係被形成於前述墊部與前述電極部對向的部分的一端部，另一方的前述墊部側突出部係被形成於前述墊部與前述電極部對向的部分的另一端部。
- 如申請專利範圍第4或5項之半導體用封裝，其中，前述複數的墊部側突出部之朝向前述電極部突出的方向的長度係比前述電極部側突出部之朝向前述墊部突出的方向的長度更長。
- 如申請專利範圍第4項之半導體用封裝，其中，在前述墊部形成有朝向前述電極部突出的方向的長度彼此不同的2個前述墊部側突出部，前述2個的墊部側突出部之中，一方的前述墊部側突出部係被形成於前述墊部與前述電極部對向的部分的一端部，另一方的前述墊部側突出部係被形成於前述墊部與前述電極部對向的部分的另一端部。
- 如申請專利範圍第2~7項中的任一項所記載之半導體用封裝，其中，前述墊部側突出部、前述電極部側突出部的至少一方的前端部的至少一部分係由前述搭載面的法線方向來看為曲線形狀。
- 如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之半導體用封裝，其中，在前述搭載面的周圍設有將從被搭載於前述搭載面的前述半導體元件射出的光予以朝向前述搭載 面的上方反射的反射面。
- 如申請專利範圍第9項之半導體用封裝，其中，前述搭載面與前述連接面係配置於彼此不同的高度，前述墊部之形成有前述墊部側突出部的側的部分係突出至前述連接面的高度。
- 如申請專利範圍第1~10項中的任一項所記載之半導體用封裝，其中，與前述墊部的前述搭載面相反側的面係從前述充填樹脂露出。
- 如申請專利範圍第1~11項中的任一項所記載之半導體用封裝，其中，前述充填樹脂係由尼龍、液晶聚合物、矽樹脂、環氧樹脂所構成的群來選擇的至少1種以上。
- 一種半導體發光裝置，係包含：如申請專利範圍第1~12項中的任一項所記載之半導體用封裝；被搭載於前述搭載面的半導體元件；及密封前述半導體元件的密封樹脂。
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