TW201332006A - 製造半導體元件的方法 - Google Patents

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Kun-Tack Lee
Yong-Sun Ko
Hong-Jin Kim
Sang-Won Bae
Si-Gyung Ahn
Jun-Youl Yang
Sol Han
Bo-Yun Kim
Myung-Ki Hong
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Abstract

一種製造半導體元件的方法，包括形成包括第一金屬的第一層，形成包括第二金屬的第二層，第二層與第一層相鄰，研磨第一層與第二層的頂表面，以及使用清洗溶液清洗第一層與第二層。清洗溶液可包括蝕刻第一層與第二層的蝕刻溶液以及抑制第二層被過度蝕刻的抑制劑。

Description

製造半導體元件的方法 【相關申請案之交叉參考】
本案主張2012年1月18日向韓國智財局申請之韓國專利申請案第10-2012-0005899號之優先權，所述韓國專利申請案之全部內容以引用方式併入本文。
實施例大體上是有關於一種製造半導體元件的方法，且特別是有關於一種製造具有金屬圖案的半導體元件的方法。
隨著半導體元件的積集度的日益增加，在金屬圖案之間的間隔(interval)已逐漸地縮小。舉例來說，在金屬線之間、在接觸窗(contact)之間以及在插塞(plug)之間的間隔已縮小。
實施例是針對一種製造半導體元件的方法，包括形成包括第一金屬的第一層，形成包括第二金屬的第二層，第二層與第 一層相鄰，研磨第一層與第二層的頂表面，以及使用清洗溶液清洗第一層與第二層。清洗溶液可包括蝕刻第一層與第二層的蝕刻溶液以及抑制第二層被過度蝕刻的抑制劑。
蝕刻溶液可包括硫酸、磷酸或過氧化氫中至少一種溶液。抑制劑可包括氮化合物。
氮化合物可包括以下化合物中至少一種化合物：磷酸銨(ammonium phosphate)、硫酸銨(ammonium sulfate)、硝酸銨(ammonium nitrate)、硼酸銨(ammonium borate)、過硫酸銨(ammonium persulfate)、檸檬酸銨(ammonium citrate)、草酸銨(ammonium oxalate)、甲酸銨(ammonium formate)、碳酸銨(ammonium carbonate)、2-(N,N-二乙基胺基)甲基丙烯酸乙酯(2-(N,N-diethylamino)ethyl methacrylate)、2-(N,N-二甲基胺基)丙烯酸乙酯(2-(N,N-dimethylamino)ethyl acrylate)、2-丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨(2-acryloxyethyltrimethyl ammonium chloride)、2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨(2-methacryloxyethyltrimethylammonium chloride)、4,4’-二胺基-3,3’-二硝基二苯醚(4,4’-diamino-3,3’-dinitrodiphenyl ether)、4-乙烯基吡啶(4-vinylpyridine)、幾丁質(chitin)、幾丁聚醣(chitosan)、二烯丙基二甲基氯化銨(diallyldimethylammonium chloride)、甲基丙烯醯膽鹼甲基硫酸鹽(methacryloylcholine methyl sulfate)、N-十二烷基甲基丙烯醯胺(N-dodecylmethacrylamide)、聚(2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)(poly(2-dimethylaminoethyl methacrylate))、聚(2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基溴化銨)(poly(2-methacryloxyethyltrimethylammonium bromide))、聚(2-乙烯基-1-甲基溴化吡啶)(poly(2-vinyl-1-methylpyridinium bromide))、聚(2-乙烯基吡啶N-氧化物)(poly(2-vinylpyridine N-oxide))、聚(2-乙烯基吡啶)(poly(2-vinylpyridine))、聚(3-氯-2-羥丙基-2-甲基丙烯醯氧乙基二甲基氯化銨)(poly(3-chloro-2-hydroxypropyl-2-methacryloxyethyldimethyl ammonium chloride))、聚對氨基苯乙烯(poly(4-aminostyrene))、聚(4-乙烯基吡啶N-氧化物)(poly(4-vinylpyridine N-oxide))、聚(4-乙烯基吡啶)(poly(4-vinylpyridine))、聚丙烯胺(poly(allylamine))、端胺基聚丙烯胺氯化氫(amine terminated poly(allylamine hydrochloride))、聚(丁二烯/丙烯腈)(poly(butadiene/acrylonitrile))、聚(二烯丙基二甲基氯化銨)(poly(diallyldimethylammonium chloride))、聚(乙二醇)雙2-胺基乙基)(poly(ethylene glycol)bis2-aminoethyl))、聚(氫溴化L-離胺酸)(poly(L-lysine hydrobromide))、聚(N-甲基乙烯基胺)(poly(N-methylvinylamine))、聚(N-乙烯基吡咯烷酮)(poly(N-vinylpyrrolidone))、四元聚(N-乙烯基吡咯烷酮/2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)硫酸二甲酯(poly(N-vinylpyrrolidone/2-dimethylaminoethyl methacrylate)dimethyl sulfate quaternary)、聚乙烯胺氯化氫(poly(vinylamine)hydrochloride)、聚苯胺(polyaniline)或聚乙烯亞胺 (polyethylenimine)。
所述方法可更包括物理清洗具有經研磨的頂表面的第一層與第二層。
可使用噴塗法(spraying method)、超音波法(ultrasonic method)或擦洗法(scrubbing method)中至少一種方法進行物理清洗，其中可使用稀釋的氫氟酸、稀釋的氨水或去離子水中至少一種溶液。
使用清洗溶液清洗第一層與第二層可包括噴塗清洗溶液。
使用清洗溶液清洗第一層與第二層可更包括使用超音波物理清洗第一層與第二層，超音波的使用與清洗溶液的使用同時進行。
第一層可包括鈦/氮化鈦層。第二層可包括鎢層。蝕刻溶液可包括硫酸與過氧化氫。抑制劑可包括磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨中至少一種化合物。
形成第一層與第二層可包括在下結構(lower structure)中形成凹槽(recess)，以共形的(conformal)方式在下結構上形成第一層，以及形成第二層以填滿形成有第一層的凹槽。
研磨第一層與第二層的頂表面可暴露出下結構的頂表面。
使用清洗溶液清洗第一層與第二層可移除在形成凹槽以及研磨第一層與第二層的期間所產生的研磨副產物。
清洗溶液可提供相當於或高於第二層的蝕刻速率之第一層的蝕刻速率。
清洗溶液可提供從約1至約20的範圍內之第一層的蝕刻速率對第二層的蝕刻速率之比率。
實施例亦是針對一種製造半導體元件的方法，所述方法包括以下步驟。在下結構上共形地形成包括第一金屬的第一層，所述下結構包括凹槽。在第一層上形成包括第二金屬的第二層且填滿凹槽，第二金屬與第一金屬不同。進行研磨以形成產物表面結構(resultant surface structure)，所述產物表面結構包括下結構的被暴露的頂表面以及在凹槽中的第一層與第二層的被暴露的頂表面。用蝕刻第一層與第二層的溶液處理產物表面結構，所述溶液包括防止第二層被過度蝕刻的抑制劑。
所述溶液可包括硫酸、磷酸或過氧化氫中至少一種溶液。抑制劑可包括以下化合物中至少一種化合物：磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨、2-(N,N-二乙基胺基)甲基丙烯酸乙酯、2-(N,N-二甲基胺基)丙烯酸乙酯、2-丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、4,4’-二胺基-3,3’-二硝基二苯醚、4-乙烯基吡啶、幾丁質、幾丁聚醣、二烯丙基二甲基氯化銨、甲基丙烯醯膽鹼甲基硫酸鹽、N-十二烷基甲基丙烯醯胺、聚(2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)、聚(2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基溴化銨)、聚(2-乙烯基-1-甲基溴化吡啶)、聚(2-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(2-乙烯基吡啶)、 聚(3-氯-2-羥丙基-2-甲基丙烯醯氧乙基二甲基氯化銨)、聚對氨基苯乙烯、聚(4-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚丙烯胺、端胺基聚丙烯胺氯化氫、聚(丁二烯/丙烯腈)、聚(二烯丙基二甲基氯化銨)、聚(乙二醇)雙2-胺基乙基)、聚(氫溴化L-離胺酸)、聚(N-甲基乙烯基胺)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮)、四元聚(N-乙烯基吡咯烷酮/2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)硫酸二甲酯、聚乙烯胺氯化氫、聚苯胺或聚乙烯亞胺。
第一層可包括作為第一金屬的鈦或氮化鈦。第二層可包括作為第二金屬的鎢。所述溶液可包括硫酸與過氧化氫。抑制劑可包括磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨中至少一種化合物。
所述方法可更包括使用噴塗法、超音波法或擦洗法中至少一種方法對產物表面結構進行物理清洗。可使用稀釋的氫氟酸、稀釋的氨水或去離子水中至少一種溶液來完成產物表面結構的物理清洗。產物表面結構的物理清洗可在使用清洗溶液進行產物結構的清洗之前、期間或之後中之至少一種時間點完成。
所述溶液可提供相當於或高於第二層的蝕刻速率之第一層的蝕刻速率。
所述溶液可提供從約1至約20的範圍內之第一層的蝕刻速率對第二層的蝕刻速率之比率。
100‧‧‧下結構
102‧‧‧凹槽
110‧‧‧第一層
120‧‧‧第二層
300‧‧‧記憶卡
310‧‧‧記憶體元件
320、414‧‧‧記憶體控制器
322‧‧‧靜態隨機存取記憶體
324、430‧‧‧中央處理單元
326‧‧‧主機介面
328‧‧‧錯誤校正碼
330‧‧‧記憶體介面
400‧‧‧資訊處理系統
410‧‧‧記憶體系統
412‧‧‧記憶體
420‧‧‧數據機
440‧‧‧隨機存取記憶體
450‧‧‧使用者介面
460‧‧‧系統匯流排
CAP‧‧‧電容器
INS‧‧‧絕緣層
S1000、S1100、S1200、S1300、S2000、S2100、S2200、S2300、S2400、S2500‧‧‧步驟
SUB‧‧‧基板
TR‧‧‧電晶體
所屬領域的技術人員藉由參照所附圖式而詳細描述的例示性實施例，將使本發明的特徵更顯而易見：圖1至圖5是根據例示性實施例所繪示之一種製造半導體元件的方法的各階段的剖視圖。
圖6是繪示圖5的清洗製程的流程圖。
圖7是根據其他實施例所繪示之一種製造半導體元件的方法的流程圖。
圖8A與圖8B是藉由根據例示性實施例的方法所製造之半導體元件的晶圓良率的示意圖。
圖9A與圖9B是藉由習知方法所製造之半導體元件的晶圓產率的示意圖。
圖10是繪示鎢層的蝕刻量與形成在鎢層中的空隙(void)或縫隙(seam)尺寸之間的關係圖。
圖11A為繪示包括根據例示性實施例之半導體元件的記憶卡的方塊圖。
圖11B為繪示包括根據例示性實施例之半導體元件的資訊處理系統的方塊圖。
應注意，這些圖式意欲說明在特定例示性實施例中所用的方法、結構及/或材料的一般特性，以及對以下提出的書面描述進行補充。然而，這些圖式並未按比例來繪示，並不能準確地反映任何給定的實施例的精確結構或性能特性，且不應理解為是對例示性實施例所含的數值或屬性的範圍的界定或限定。舉例來說，為 了清楚起見，分子、層、區域及/或結構元件的相對厚度與定位可能會縮小或放大。在不同的圖式中使用相似或相同的參考數字是意欲表示存在著相似或相同的元件或特徵。
現將參看附圖所示的例示性實施例來更充分地描述本例示性實施例。然而，本例示性實施例可以多種不同形式體現且不應理解為僅限於本文中所述之實施例；而是提供的這些實施例使本揭示將是徹底的和完全的，且將充分地傳達例示性實施例的概念給所屬領域具有通常知識者。
應瞭解，當一元件被稱作「連接」或「耦接」至另一元件時，其可直接連接或耦合至另一元件或可存在介入元件(intervening element)。反之，當一元件被稱作「直接連接」或「直接耦接」至另一元件時，並不存在介入元件。在全文中相同參考數字表示相同元件。如本文所使用，術語「及/或」包括相關聯之所列出項目中之一或多者的任何以及所有組合。用以描述元件或層之間的關係的其他詞語應以相同方式來解釋(例如，「在...之間」對「直接在...之間」、「鄰近於」對「直接鄰近於」、「在...上」對「直接在...上」)。
應瞭解，儘管本文使用術語「第一」、「第二」等來描述各種元件、組件、區域、層及/或區段(section)，但此等元件、組件、區域、層及/或區段不應受此等術語限制。此等術語僅用以使 一元件、組件、區域、層或區段與另一元件、組件、區域、層或區段區別。因此，在不脫離例示性實施例之教示的情況下，可將以下論述的第一元件、組件、區域、層或區段稱為第二元件、組件、區域、層或區段。
空間相對術語(諸如「在...之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及其類似術語)在本文中可用以描述一元件或特徵與另一元件或特徵的關係，如諸圖中所說明。應理解，除諸圖中所描繪之定向之外，空間相對術語亦意欲涵蓋處於使用中或操作中之裝置之不同定向。舉例來說，若將諸圖中的裝置翻轉，則描述為在其他元件或特徵「下方」或「在...之下」之元件將定向於所述其他元件或特徵「上方」。因此，例示性術語「下方」可涵蓋上方與下方兩種定向。裝置可以其他方式來定向(旋轉90°或在其他定向)且相應地解譯本文中所使用之空間相對的描述語。
本文所使用之術語僅出於描述特定實施例之目的並不意欲限制例示性實施例。如本文所使用，除非上下文另有清楚指示，否則單數形式「一」及「所述」意欲亦包括複數形式。應更瞭解，當在本文中使用術語「包括」時，其指定所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或添加。
本文中參照例示性實施例之理想化實施例(與中間結構)的剖面示意圖來描述例示性實施例。因而，可預期由於(例如)製造技術及/或容限(tolerances)而產生的圖解之形狀的變化。因 此，不應將例示性實施例解釋為限於本文中所說明之區域的特定形狀，而應包括由於(例如)製造而產生的形狀之誤差。舉例來說，圖解為矩形之植入區域通常在其邊緣處可具有圓形或彎曲特徵及/或植入濃度梯度，而不是自植入區域至非植入區域突然改變。同樣地，藉由植入而形成之內埋區域(buried region)可在介於內埋區域與藉以進行植入之表面之間的區域中產生一些植入。因此，諸圖中所說明之區域本質上為示意性的且所述區域之形狀不意欲說明裝置之區域的實際形狀，以及不意欲限制例示性實施例之範疇。
除非另有定義，否則本文使用的所有術語(包括技術與科學術語)的意義，皆與例示性實施例所屬領域中具通常技術者一般理解的意義相同。應進一步理解，術語意義的解釋，諸如通用字典中所定義的術語，應與其相關領域的脈絡中的意義一致，且除非本文明確定義，否則不會以理想化或過度正式的意義加以解釋。
圖1至圖5是根據例示性實施例所繪示之一種製造半導體元件的方法的各階段的剖視圖。圖6是繪示圖5的清洗製程的流程圖。
請參照圖1，可在下結構100中形成凹槽102。
根據一些態樣，下結構100可為基板SUB。根據其他態樣，下結構100可包括設置在基板SUB上的圖案結構(pattern structure)(諸如電晶體TR、電容器CAP或金屬圖案)以及覆蓋 圖案結構的絕緣層INS。
凹槽102的形狀可為沿特定方向延伸的像線條的形狀或像孔洞的形狀，凹槽102可穿過絕緣層INS，以暴露出下結構100的圖案結構的頂表面。
請參照圖2，可形成第一層110，以共形地覆蓋設置有凹槽102的下結構100。第一層110可形成為不填滿凹槽102。
根據例示性實施例，第一層110可包括第一金屬。舉例來說，第一層110可包括金屬或金屬化合物。舉例來說，第一層110可包括由以下族群中選出的至少一種金屬：鈦(Ti)、鉭(Ta)、銣(Rb)、氮化鈦(TiN)以及氮化鉭(TaN)。
請參照圖3，可在下結構100上形成第二層120，以完全填滿設置有第一層110的凹槽102。
在例示性實施例中，第二層120可包括第二金屬。舉例來說，第二層120可包括由以下族群中選出的至少一種金屬：鎢(W)、鋁(Al)以及銅(Cu)。
請參照圖4，第一層110與第二層120的頂表面可被研磨，以暴露出下結構100的頂表面。可使用化學機械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)製程進行第一層110與第二層120的研磨。
在下文中，將簡單地描述如何使用CMP製程研磨第一層110與第二層120。舉例來說，第一層110與第二層120的頂表面可使用推的且旋轉的研磨墊(polishing pad)進行機械式研磨，且 可使用供應於其上的研磨化合物進行化學式研磨。當下結構100的頂表面暴露出時，可在此時終止CMP製程。
在CMP製程期間，第一金屬與第二金屬可能分別自第一層110與第二層120部分地漂移(drift away)，從而作為在後續的製程中導致製程失敗的潛在因素。另外，第一金屬與第二金屬的漂偏移部分以及經研磨的下結構100可能與研磨化合物進行化學反應而產生研磨副產物，研磨副產物可能作為導致製程失敗的另一潛在因素。
請參照圖5與圖6，在CMP製程之後可進行清洗製程，以移除第一金屬與第二金屬的漂移部分與殘餘物。
根據例示性實施例，在清洗製程中所供應的清洗溶液可包括蝕刻第一層110與第二層120的蝕刻溶液，以及抑制第二層120被過度蝕刻的抑制劑。
蝕刻溶液可包括由以下族群中選出的至少一種溶液：硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)以及過氧化氫(H2O2)。可選擇蝕刻溶液以蝕刻第一層110的第一金屬與第二層120的第二金屬。根據一些態樣，可選擇蝕刻溶液以蝕刻下結構100。
抑制劑可包括能夠選擇性抑制第二金屬被蝕刻溶液蝕刻的材料。在例示性實施例中，抑制劑可包括氮化合物。舉例來說，氮化合物可包括以下化合物中至少一種化合物：磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨、2-(N,N-二乙基胺基)甲基丙烯酸乙酯、2-(N,N-二甲基胺基)丙 烯酸乙酯、2-丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、4,4’-二胺基-3,3’-二硝基二苯醚、4-乙烯基吡啶、幾丁質、幾丁聚醣、二烯丙基二甲基氯化銨、甲基丙烯醯膽鹼甲基硫酸鹽、N-十二烷基甲基丙烯醯胺、聚(2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)、聚(2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基溴化銨)、聚(2-乙烯基-1-甲基溴化吡啶)、聚(2-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(2-乙烯基吡啶)、聚(3-氯-2-羥丙基-2-甲基丙烯醯氧乙基二甲基氯化銨)、聚對氨基苯乙烯、聚(4-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚丙烯胺、聚丙烯胺氯化氫、端胺基聚(丁二烯/丙烯腈)、聚(二烯丙基二甲基氯化銨)、聚(乙二醇)雙2-胺基乙基)、聚(氫溴化L-離胺酸)、聚(N-甲基乙烯基胺)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮)、四元聚(N-乙烯基吡咯烷酮/2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)硫酸二甲酯、聚乙烯胺氯化氫、聚苯胺或聚乙烯亞胺。可使用以上所列舉出的氮化合物的材料中之一者或組合進行清洗製程。
由於清洗製程，第一金屬與第二金屬的漂移部分以及研磨副產物可從第一層110與第二層120移除。
根據一些態樣，第一層110與第二層120的頂表面可在清洗製程期間被清洗溶液蝕刻。在例示性實施例中，第一層110與第二層120對於將用在清洗溶液中的蝕刻溶液可具有相同的蝕刻速率，但由於存在抑制第二層120被蝕刻的抑制劑，因此蝕刻第一層110可比蝕刻第二層120快速。如此一來，第一層110的頂表面可以是實質上低於第二層120的頂表面。在其他實施例中， 當第一層110的蝕刻速率(關於將用在清洗溶液中的蝕刻溶液)比第二層120的蝕刻速率快時，則蝕刻第一層110可比蝕刻第二層120快速。在其他實施例中，就將用在清洗溶液中的蝕刻溶液的蝕刻速率來說，當第一層110的蝕刻速率小於第二層120的蝕刻速率時，則第一層110與第二層120的蝕刻可以實質上相同的方式進行。
在例示性實施例中，清洗溶液的使用可容許第一層110的蝕刻速率實質上相當於或大於第二層120的蝕刻速率。舉例來說，在清洗製程中，第一層110的蝕刻速率對第二層120的蝕刻速率之比率可從約1至約100的範圍內。在其他實施例中，第一層110的蝕刻速率對第二層120的蝕刻速率之比率可從約1至約20的範圍內。
在例示性實施例中，第一層110可用作阻障層，同時第二層120可用作可與下結構100電性連接的插塞、接觸窗及/或線條。
根據例示性實施例，如上所述，包括彼此不同金屬的層的頂表面可被研磨與清洗，以移除金屬的殘留物與研磨副產物。如此一來，可能可避免由於金屬的殘留物與研磨副產物所導致的製程失敗。
在例示性實施例中，清洗溶液可噴塗在第一層110與第二層120的經研磨的頂表面上(在步驟S1100中)。在噴塗清洗溶液期間，可藉由被噴塗的清洗溶液的機械能，使第一金屬與第二 金屬以及研磨副產物(其可為弱附著於第一層110與第二層120)從第一層110與第二層120分離。另外，第一金屬與第二金屬的漂移部分以及研磨副產物可藉由清洗溶液進行化學性移除。
在其他實施例中，在使用清洗溶液進行第一層110與第二層120的清洗製程之前，可進一步對經研磨的第一層110與第二層120進行物理清洗製程(在步驟S1000中)。在步驟S1000中的物理清洗製程可藉由噴塗法、超音波法以及擦洗法中至少一種方法進行，其中使用稀釋的氫氟酸(HF)、稀釋的氨水或去離子水中至少一種溶液。使用去離子水可有助於防止靜電發生。
在其他實施例中，在使用清洗溶液進行第一層110與第二層120的清洗製程之後，可進一步對經研磨的第一層110與第二層120進行物理清洗製程(在步驟S1200中)。在步驟S1200中的物理清洗製程可藉由噴塗法、超音波法以及擦洗法中至少一種方法進行，其中使用稀釋的氫氟酸(HF)、稀釋的氨水或去離子水中至少一種溶液。
在其他實施例中，在使用清洗溶液進行第一層110與第二層120的清洗製程之前及之後，可進一步對經研磨的第一層110與第二層120進行物理清洗製程(在步驟S1000與步驟S1200中)。在步驟S1000與步驟S1200中的物理清洗製程可藉由噴塗法、超音波法以及擦洗法中至少一種方法進行，其中使用稀釋的氫氟酸(HF)、稀釋的氨水或去離子水中至少一種溶液。
在清洗製程之後，可乾燥第一層110與第二層120以用 於後續製程(在步驟S1300中)。
圖7是根據其他實施例所繪示之一種製造半導體元件的方法的流程圖。
請參照圖7，可形成第一層以包括第一金屬(在步驟S2000中)。在例示性實施例中，第一層可包括金屬或金屬化合物。舉例來說，第一層可包括由以下族群中選出的至少一種：鈦(Ti)、鉭(Ta)、銣(Rb)、氮化鈦(TiN)以及氮化鉭(TaN)。
可形成與第一層相鄰的第二層，以包括第二金屬(在步驟S2100中)。在例示性實施例中，第二層可包括金屬。舉例來說，第二層可包括由以下族群中選出的至少一種金屬：鎢(W)、鋁(Al)以及銅(Cu)。
可使用CMP製程研磨第一層與第二層的頂表面(在步驟S2200中)。在CMP製程期間，第一金屬與第二金屬可分別自第一層與第二層部分地漂移，從而作為在後續的製程中導致製程失敗的潛在因素。另外，第一金屬與第二金屬的漂移部分可與研磨化合物進行化學反應而產生研磨副產物。
可對經研磨的第一層與第二層進行清洗製程，以移除第一金屬與第二金屬的漂移部分(在步驟S2400中)。
在例示性實施例中，在清洗製程中所供應的清洗溶液可包括蝕刻第一層與第二層的蝕刻溶液以及抑制第二層被過度蝕刻的抑制劑。
蝕刻溶液可包括由以下族群中選出的至少一種溶液：硫 酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)以及過氧化氫(H2O2)。可選擇蝕刻溶液以蝕刻第一層的第一金屬與第二層的第二金屬。
抑制劑可包括氮化合物。舉例來說，氮化合物可包括以下化合物中至少一種化合物：磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨、2-(N,N-二乙基胺基)甲基丙烯酸乙酯、2-(N,N-二甲基胺基)丙烯酸乙酯、2-丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、4,4’-二胺基-3,3’-二硝基二苯醚、4-乙烯基吡啶、幾丁質、幾丁聚醣、二烯丙基二甲基氯化銨、甲基丙烯醯膽鹼甲基硫酸鹽、N-十二烷基甲基丙烯醯胺、聚(2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)、聚(2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基溴化銨)、聚(2-乙烯基-1-甲基溴化吡啶)、聚(2-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(2-乙烯基吡啶)、聚(3-氯-2-羥丙基-2-甲基丙烯醯氧乙基二甲基氯化銨)、聚對氨基苯乙烯、聚(4-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚丙烯胺、聚丙烯胺氯化氫、端胺基聚(丁二烯/丙烯腈)、聚(二烯丙基二甲基氯化銨)、聚(乙二醇)雙2-胺基乙基)、聚(氫溴化L-離胺酸)、聚(N-甲基乙烯基胺)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮)、四元聚(N-乙烯基吡咯烷酮/2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)硫酸二甲酯、聚乙烯胺氯化氫、聚苯胺或聚乙烯亞胺。可使用以上所列舉出的氮化合物的材料中之一者或組合進行清洗製程。
由於清洗製程，第一金屬與第二金屬的漂移部分以及研磨副產物可從第一層與第二層移除。
根據一些態樣，第一層與第二層的頂表面可在清洗製程期間被清洗溶液蝕刻。在例示性實施例中，第一層與第二層對於將用在清洗溶液中的蝕刻溶液可具有相同的蝕刻速率，但由於存在抑制第二層被蝕刻的抑制劑，因此蝕刻第一層可比蝕刻第二層快速。如此一來，第一層的頂表面可以是實質上低於第二層的頂表面。在其他實施例中，當第一層的蝕刻速率(對於將用在清洗溶液中的蝕刻溶液)比第二層的蝕刻速率快時，則蝕刻第一層可比蝕刻第二層快速。在其他實施例中，就將用在清洗溶液中的蝕刻溶液的蝕刻速率來說，當第一層的蝕刻速率小於第二層的蝕刻速率時，則第一層與第二層的蝕刻可以實質上相同的方式進行。
在例示性實施例中，清洗溶液的使用可容許第一層的蝕刻速率實質上相當於或大於第二層的蝕刻速率。舉例來說，在清洗製程中，第一層的蝕刻速率對第二層的蝕刻速率之比率可從約1至約100的範圍內。或者，第一層的蝕刻速率對第二層的蝕刻速率之比率可從約1至約20的範圍內。
在例示性實施例中，清洗製程可包括噴塗清洗溶液。在其他例示性實施例中，在使用清洗溶液進行清洗製程之前，可進一步進行物理清洗製程(在步驟S2300中)。在其他例示性實施例中，在使用清洗溶液進行清洗製程之後，可進一步進行物理清洗製程(在步驟S2500中)。在其他實施例中，在使用清洗溶液進行清洗製程之前及之後，可進一步進行物理清洗製程(在步驟S2300與步驟S2500中)。
在清洗製程之後，可乾燥第一層與第二層以用於後續製 程。
圖8A與圖8B是藉由根據例示性實施例的方法所製造之 半導體元件的晶圓良率的示意圖，而圖9A與圖9B是藉由習知方法所製造之半導體元件的晶圓產率的示意圖。在圖8A、圖8B、圖9A以及圖9B中，斜線區域繪示失敗的晶片。
如參照圖1至圖4所描述的，在形成下結構以及第一層 與第二層之後，研磨第一層與第二層的頂表面，以暴露出絕緣層的頂表面。第一層可包括鈦/氮化鈦，且第二層可包括鎢。
為了提供圖8A與圖8B中所繪示的晶圓，使用包含過氧 化氫、硫酸以及銨鹽的清洗溶液清洗第一層與第二層，且接著進行後續製程以形成半導體元件。銨鹽為磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨中至少一種化合物。
為了提供圖9A與圖9B中所繪示的晶圓，使用包含氫氟 酸(HF)及氫氧化銨(NH4OH)的清洗溶液清洗第一層與第二層，且接著進行後續製程以形成半導體元件。
圖8A與圖8B的晶圓之半導體元件的良率為約88.45%至 90.03%，而圖9A與圖9B的晶圓之半導體元件的良率為約60.63%至62.73%。上述結果被認為是由於以下事實：相較於圖8A與圖8B的晶圓，較多的金屬粒子與研磨副產物被留在圖9A與圖9B的晶圓上。
從上面的結果，其展示了使用根據例示性實施例的清洗 溶液可降低由於金屬粒子與研磨副產物所導致的半導體元件的失敗。
圖10是繪示鎢層的蝕刻量與形成在鎢層中的空隙或縫隙 尺寸之間的關係圖。
如參照圖1至圖4所描述的，研磨鈦/氮化鈦層與鎢層的 頂表面，以暴露出絕緣層的頂表面。使用包含硫酸、過氧化氫以及銨鹽的清洗溶液，清洗鈦/氮化鈦層與鎢層之經研磨的表面。銨鹽為磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨中至少一種化合物。
在圖10中，x-軸繪示鎢層的蝕刻量(以埃(angstrom) 為單位)，而y-軸繪示鎢層的縫隙尺寸(以奈米(nm)為單位)。
請參照圖10，使用清洗溶液使鎢層的蝕刻速率大於鈦/ 氮化鈦層的蝕刻速率，因而在清洗製程期間鎢層的頂表面相較於鈦/氮化鈦層的頂表面被蝕刻較多。因此，鎢層的頂表面被蝕刻越多，則鎢層中的縫隙尺寸會越大。
根據例示性實施例，由於上述原因，較佳以以下方式製 備清洗溶液：鈦/氮化鈦層的蝕刻速率對鎢層的蝕刻速率之比率在從約1至約100的範圍內或在從約1至約20的範圍內。
圖11A為繪示包括根據例示性實施例之半導體元件的記 憶卡的方塊圖。
請參照圖11A，根據例示性實施例之半導體元件可應用 於形成記憶卡300。記憶卡300可包括記憶體控制器320，以控制主機與記憶體元件310之間的資料交換。靜態隨機存取記憶體(static random access memory，SRAM)322可用作中央處理單元(central processing unit，CPU)324的操作記憶體(operation memory)。主機介面(host interface)326可包括至少一種與記憶卡300連接之主機的資料交換訊協定(data exchange protocol)。錯誤校正碼(error correction code，ECC)328可檢測與校正從記憶體元件310讀出的資料中所包括的至少一種錯誤。記憶體介面(memory interface)330可與記憶體元件310接合(interface)。中央處理單元324可控制例如記憶體控制器320與記憶體元件310的資料交換。
記憶卡300中的記憶體元件310可包括根據例示性實施例之半導體元件。因此，其可能可避免由於金屬粒子與研磨副產物所導致的電性失效，其可改善記憶體元件310的電性可靠度(electric reliability)。
圖11B為繪示包括根據例示性實施例之半導體元件的資訊處理系統的方塊圖。
請參照圖11B，資訊處理系統400可包括根據例示性實施例之半導體元件。資訊處理系統400可包括行動裝置(mobile device)或電腦。如圖所示，資訊處理系統400可包括與系統匯流排(system bus)460電性連接之記憶體系統410、數據機(modem)420、中央處理單元(CPU)430、隨機存取記憶體(random access memory，RAM)440以及使用者介面450。記憶體系統410可儲存中央處理單元(CPU)430所處理的資料以及從外部(諸如經由使用者介面450及/或數據機420)所輸入的資料。記憶體系統410可包括記憶體412與記憶體控制器414。記憶體系統410可與參照圖11所描述的記憶卡300相同。可提供資訊處理系統400作為記憶卡、固態磁碟(solid state disk，SSD)、相機影像感測器(camera image sensor)以及應用晶片組(application chip set)。舉例來說，記憶體系統410可為固態磁碟(SSD)。資訊處理系統400可以穩定且可靠地將資料儲存在記憶體系統410中。
根據例示性實施例，可能可有效地移除金屬製程所產生的金屬粒子與研磨製程的副產物。如此一來，半導體元件可具有經改善的電性可靠度。
經由總結和檢閱，由於半導體元件中的圖案間隔縮小，因此例如在金屬圖案上存在金屬粒子與研磨副產物的技術問題可能會更頻繁地發生。
實施例提供可移除金屬粒子與研磨副產物之半導體元件的製造方法。
本文已揭示了例示性實施例，且儘管使用特定術語，但僅在一般和描述性意義上且並非出於限制的目的使用並解釋所述特定術語。因此，所屬領域的技術人員將瞭解，可在不脫離如所附申請專利範圍中所陳述的本發明的精神和範疇的情況下，在形式和細節方面作各種改變。
100‧‧‧下結構
102‧‧‧凹槽
110‧‧‧第一層
120‧‧‧第二層
CAP‧‧‧電容器
INS‧‧‧絕緣層
SUB‧‧‧基板
TR‧‧‧電晶體

Claims (10)

  1. 一種製造半導體元件的方法，包括：形成包括第一金屬的第一層；形成包括第二金屬的第二層，所述第二層與所述第一層相鄰；研磨所述第一層與所述第二層的頂表面；以及使用清洗溶液清洗所述第一層與所述第二層，其中所述清洗溶液包括蝕刻所述第一層與所述第二層的蝕刻溶液以及抑制所述第二層被過度蝕刻的抑制劑。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的製造半導體元件的方法，其中所述蝕刻溶液包括硫酸、磷酸或過氧化氫中至少一種溶液，以及所述抑制劑包括氮化合物。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的製造半導體元件的方法，其中所述氮化合物包括以下化合物中至少一種化合物：磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨、2-(N,N-二乙基胺基)甲基丙烯酸乙酯、2-(N,N-二甲基胺基)丙烯酸乙酯、2-丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、4,4’-二胺基-3,3’-二硝基二苯醚、4-乙烯基吡啶、幾丁質、幾丁聚醣、二烯丙基二甲基氯化銨、甲基丙烯醯膽鹼甲基硫酸鹽、N-十二烷基甲基丙烯醯胺、聚(2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)、聚(2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基溴化銨)、聚(2-乙烯基-1- 甲基溴化吡啶)、聚(2-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(2-乙烯基吡啶)、聚(3-氯-2-羥丙基-2-甲基丙烯醯氧乙基二甲基氯化銨)、聚對氨基苯乙烯、聚(4-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚丙烯胺、端胺基聚丙烯胺氯化氫、聚(丁二烯/丙烯腈)、聚(二烯丙基二甲基氯化銨)、聚(乙二醇)雙2-胺基乙基)、聚(氫溴化L-離胺酸)、聚(N-甲基乙烯基胺)、聚(N-乙烯基吡咯烷酮)、四元聚(N-乙烯基吡咯烷酮/2-二甲基胺基甲基丙烯酸乙酯)硫酸二甲酯、聚乙烯胺氯化氫、聚苯胺或聚乙烯亞胺。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的製造半導體元件的方法，更包括物理清洗具有經研磨的頂表面的所述第一層與所述第二層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的製造半導體元件的方法，其中使用噴塗法、超音波法或擦洗法中至少一種方法進行所述物理清洗，其中使用稀釋的氫氟酸、稀釋的氨水或去離子水中至少一種溶液。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的製造半導體元件的方法，其中使用所述清洗溶液清洗所述第一層與所述第二層包括噴塗所述清洗溶液。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的製造半導體元件的方法，其中使用所述清洗溶液清洗所述第一層與所述第二層更包括使用超音波物理清洗所述第一層與所述第二層，所述超音波的使用與所述清洗溶液的使用同時進行。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的製造半導體元件的方法，其 中所述第一層包括鈦/氮化鈦層；所述第二層包括鎢層；所述蝕刻溶液包括硫酸與過氧化氫；以及所述抑制劑包括磷酸銨、硫酸銨、硝酸銨、硼酸銨、過硫酸銨、檸檬酸銨、草酸銨、甲酸銨、碳酸銨中至少一種化合物。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的製造半導體元件的方法，其中形成所述第一層與所述第二層包括：在下結構中形成凹槽；以共形的方式在所述下結構上形成所述第一層；以及形成所述第二層，以填滿形成有所述第一層的所述凹槽。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的製造半導體元件的方法，其中使用所述清洗溶液清洗所述第一層與所述第二層，移除在形成所述凹槽以及研磨所述第一層與所述第二層的期間所產生的研磨副產物。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101980668B1 (ko) 2012-11-21 2019-05-22 삼성전자주식회사 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법
KR102115548B1 (ko) * 2013-12-16 2020-05-26 삼성전자주식회사 유기물 세정 조성물 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법
US9472420B2 (en) 2013-12-20 2016-10-18 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal
CN105225944A (zh) * 2014-06-06 2016-01-06 北大方正集团有限公司 一种金属层去除方法
US9222018B1 (en) * 2014-07-24 2015-12-29 Air Products And Chemicals, Inc. Titanium nitride hard mask and etch residue removal
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
SG10202002601QA (en) 2014-10-17 2020-05-28 Applied Materials Inc Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10618141B2 (en) 2015-10-30 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
CN113146464A (zh) 2016-01-19 2021-07-23 应用材料公司 多孔化学机械抛光垫
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
US20190198392A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Applied Materials, Inc. Methods of etching a tungsten layer
SG11202010448TA (en) * 2018-05-07 2020-11-27 Applied Materials Inc Hydrophilic and zeta potential tunable chemical mechanical polishing pads
JP7299970B2 (ja) 2018-09-04 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良型研磨パッドのための配合物
KR102653026B1 (ko) * 2019-03-07 2024-04-01 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
CN111863712B (zh) * 2019-04-24 2024-07-16 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构和形成半导体结构的方法
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001176872A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4057803B2 (ja) * 2001-09-11 2008-03-05 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7188630B2 (en) * 2003-05-07 2007-03-13 Freescale Semiconductor, Inc. Method to passivate conductive surfaces during semiconductor processing
US20070095367A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Yaxin Wang Apparatus and method for atomic layer cleaning and polishing
CN101399199A (zh) * 2007-09-26 2009-04-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 清洗金属层、形成导电插塞及硅基液晶显示器的方法
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
US20130061876A1 (en) * 2011-09-14 2013-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor Device Surface Clean

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