TW201331722A

TW201331722A - 液浸構件、液浸曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體

Info

Publication number: TW201331722A
Application number: TW101143652A
Authority: TW
Inventors: 佐藤真路
Original assignee: 尼康股份有限公司
Priority date: 2011-11-25
Filing date: 2012-11-22
Publication date: 2013-08-01
Also published as: US20130135594A1; WO2013077467A1

Abstract

本發明之液浸構件，於液浸曝光裝置內配置在具有曝光用光射出之射出面的光學構件周圍之至少一部分。具備：第1構件，係配置在光學構件周圍之至少一部分，具有與射出面對向之物體可對向之第1下面，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間中之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間；第2構件，相對光路配置在第1構件外側，具有物體可對向之第2下面，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間；以及第3構件，用以限制第1液體從第1空間往第2液浸空間之移動。

Description

液浸構件、液浸曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體

本發明係關於液浸構件、液浸曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式及記錄媒體

本申請案基於2011年11月25日申請之美國暫時專利第61/563,679號、及2012年11月20日申請之美國專利申請第13/682,426號主張其優先權，並將其內容援用於此。

於微影製程使用之曝光裝置，有一種例如下述專利文獻中所揭示之透過液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。

先行技術文獻

[專利文獻1]美國專利公開第2009/0046261號說明書

然而，上述液浸曝光裝置，例如當液體從既定空間流出時，即有可能發生曝光不良之情形。其結果，有可能產生不良元件。

本發明之各態樣，其目的在提供一種能抑制曝光不良之發生的液浸構件、液浸曝光裝置及曝光方法。又，本發明之另一目的在提供一種能抑制不良元件之產生的元件製

造方法、程式及記錄媒體。

本發明第1態樣，提供一種液浸構件，係於液浸曝光裝置內配置在具有曝光用光射出之射出面的光學構件周圍之至少一部分，具備：第1構件，係配置在光學構件周圍之至少一部分，具有與射出面對向之物體可對向之第1下面，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間中之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間；第2構件，相對光路配置在第1構件外側，具有物體可對向之第2下面，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間；以及第3構件，用以限制第1液體從第1空間往第2液浸空間之移動。

本發明第2態樣，提供一種液浸構件，係於液浸曝光裝置內配置在具有曝光用光射出之射出面的光學構件周圍之至少一部分，具備：第1構件，配置在光學構件周圍之至少一部分，具有與射出面對向之物體可對向之第1下面，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間中之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間；第2構件，相對光路配置在第1構件之外側，具有物體可對向之第2下面，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間；以及第2構件，用以將從第1空間往第2液浸空間之第1液體加以細分。

本發明第3態樣，提供一種液浸構件，係於液浸曝光裝置內配置在具有曝光用光射出之射出面的光學構件周圍之至少一部分，具備：第1構件，係配置在光學構件周圍之至少一部分，具有與射出面對向之物體可對向之第1下面，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間中之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間；第2構件，相對光路配置在第1構件之外側，具有物體可對向之第2下面，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間；以及第3構件，具有吸引從第1空間往第2液浸空間之第1液體的吸引口。

本發明第4態樣，提供一種液浸構件，係於液浸曝光裝置內配置在具有曝光用光射出之射出面的光學構件周圍之至少一部分，具備：第1構件，係配置在光學構件周圍之至少一部分，具有與射出面對向之物體可對向之第1下面，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間中之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間；第2構件，相對光路配置在第1構件之外側，具有物體可對向之第2下面，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間；以及第3構件，捕捉從第1空間往第2液浸空間之第1液體。

本發明第5態樣，提供一種液浸構件，係於液浸曝光裝置內配置在具有曝光用光射出之射出面的光學構件周圍之至少一部分，具備：第1構件，係配置在光學構件周圍之至少一部分，具有與射出面對向之物體可對向之第1下面，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間中之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間；第2構件，相對光路配置在第1構件之外側，具有物體可對向之第2下面，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間；以及第3構件，用以將來自第1空間之第1液體往第2液浸空間引導之導件。

本發明第6態樣，提供一種液浸構件，係於液浸曝光裝置內配置在具有曝光用光射出之射出面的光學構件周圍之至少一部分，具備：第1構件，係配置在光學構件周圍之至少一部分，具有與射出面對向之物體可對向之第1下面，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間中之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間；以及第1回收口，係以物體之上面對向之方式配置於第1構件，用以回收第1液體；該第1下面，包含配置在第1回收口周圍之至少一部分、物體之上面透過第1間隙對向的第1區域與相對第1回收口配置在第1區域外側、物體之上面透過較第1間隙小之第2間隙對向的第2區域。

本發明第7態樣，提供一種液浸構件，係於液浸曝光裝置內配置在具有曝光用光射出之射出面的光學構件周圍之至少一部分，具備：第1構件，係配置在光學構件周圍之至少一部分，具有與射出面對向之物體可對向之第1下面，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間中之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間；第2構件，相對光路配置在第1構件之外側，具有物體可對向之第2下面，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間；以及第2回收口，以物體之上面對向之方式配置於第2構件，用以回收第1液體及第2液體中之一方或兩方；第2下面，包含配置在第2回收口周圍之至少一部分、物體之上面透過第3間隙對向的第3區域與相對第2回收口配置在第3區域外側、物體之上面透過較第3間隙小之第4間隙對向的第4區域。

本發明第8態樣，提供一種液浸曝光裝置，係透過例如第1液體以曝光用光使基板曝光，其具備第1至第7態樣中任一態樣之液浸構件。

本發明第9態樣，提供一種元件製造方法，包含：使用第8態樣之液浸曝光裝置使基板曝光的動作，以及使曝光後之基板顯影的動作。

本發明第10態樣，提供一種曝光方法，係於液浸曝光裝置內，透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中之第1液體，以曝光用光使基板曝光，包含：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於該第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及限制第1液體從第1空間往第2液浸空間之移動的動作。

本發明第11態樣，提供一種曝光方法，係於液浸曝光裝置內，透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中之第1液體，以曝光用光使基板曝光，包含：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，以第3構件加以細分的動作。

本發明第12態樣，提供一種曝光方法，係於液浸曝光裝置內，透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中之第1液體，以曝光用光使基板曝光，包含：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，從第3構件具有之吸引口加以吸引的動作。

本發明第13態樣，提供一種曝光方法，係於液浸曝光裝置內，透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中之第1液體，以曝光用光使基板曝光，包含：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，以第3構件加以捕捉的動作。

本發明第14態樣，提供一種曝光方法，係於液浸曝光裝置內，透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中之第1液體，以曝光用光使基板曝光，包含：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將來自第1空間之第1液體，以導件引導向第2液浸空間的動作。

本發明第15態樣，提供一種曝光方法，係於液浸曝光裝置內，透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中之第1液體，以曝光用光使基板曝光，包含：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；從以物體之上面對向之方式配置於第1構件之第1回收口回收第1液體的動作；以及透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；第1下面，包含配置在第1回收口周圍之至少一部分、物體之上面透過第1間隙對向的第1區域與相對第1回收口配置在第1區域外側、物體之上面透過較第1間隙小之第2間隙對向的第2區域。

本發明第16態樣，提供一種曝光方法，係於液浸曝光裝置內，透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中之第1液體，以曝光用光使基板曝光，包含：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；從以物體之上面對向之方式配置在第2構件之第2回收口，回收第1液體及第2液體中之一方或兩方的動作；以及透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；第2下面，包含配置在第2回收口周圍之至少一部分、物體之上面透過第3間隙對向的第3區域與相對第2回收口配置在第3區域外側、物體之上面透過較第3間隙小之第4間隙對向的第4區域。

本發明第17態樣，提供一種元件製造方法，包含；使用第10至16態樣中任一態樣之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。

本發明第18態樣，提供一種程式，係例如使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中充滿之第1液體，以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置的控制，其使電腦實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及限制第1液體從第1空間往第2液浸空間之移動的動作。

本發明第19態樣，提供一種程式，係例如使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中充滿之第1液體，以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置的控制，其使電腦實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，以第3構件加以細分的動作。

本發明第20態樣，提供一種程式，係例如使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中充滿之第1液體，以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置的控制，其使電腦實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，從第3構件具有之吸引口加以吸引的動作。

本發明第21態樣，提供一種程式，係例如使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中充滿之第1液體，以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置的控制，其使電腦實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，以第3構件加以捕捉的動作。

本發明第22態樣，提供一種程式，係例如使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中充滿之第1液體，以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置的控制，其使電腦實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將來自第1空間之第1液體，以導件引導向第2液浸空間的動作。

本發明第23態樣，提供一種程式，係例如使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中充滿之第1液體，以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置的控制，其使電腦實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；從以物體之上面對向之方式配置於第1構件之第1回收口回收第1液體的動作；以及透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；第1下面，包含配置在第1回收口周圍之至少一部分、物體之上面透過第1間隙對向的第1區域與相對第1回收口配置在第1區域外側、物體之上面透過較第1間隙小之第2間隙對向的第2區域。

本發明第24態樣，提供一種程式，係例如使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之曝光用光之光路中充滿之第1液體，以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置的控制，其使電腦實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；從以物體之上面對向之方式配置在第2構件之第2回收口，回收第1液體及第2液體中之一方或兩方的動作；以及透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；第2下面，包含配置在第2回收口周圍之至少一部分、物體之上面透過第3間隙對向的第3區域與相對第2回收口配置在第3區域外側、物體之上面透過較第3間隙小之第4間隙對向的第4區域。

本發明第25態樣，提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有例如第18至24態樣中任一態樣之程式。

根據本發明之態樣，能抑制曝光不良之發生。此外，根據本發明之態樣，能抑制產生不良元件。

以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。

<第1實施形態>

首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。於本實施形態，形成有將曝光用光EL之光路之至少一部分以液體LQ加以充滿之液浸空間LS1。液浸空間係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS1之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。

又，本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。

圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動之光罩載台1、可保持基板P移動之基板載台2P、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件及測量器移動之測量載台2C、以曝光用光EL照明光罩M之照明系IL、將被曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P之投影光學系PL、形成液浸空間之液浸構件3、控制曝光裝置EX全體之動作之控制裝置4、以及連接於控制裝置4用以儲存與曝光相關之各種資訊之記憶裝置5。記憶裝置5，包含例如RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置5安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。

於本實施形態，藉由液浸構件3形成液浸空間LS1、與液浸空間LS2(LS2A、LS2B)。液浸空間LS1係以曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成。液浸空間LS2(LS2A、LS2B)配置在液浸空間LS1周圍之一部分。本實施形態中，液浸構件3包含形成液浸空間LS1之第1構件31、與形成液浸空間LS2(LS2A、LS2B)之第2構件32(32A、32B)。

又，曝光裝置EX，具備用以形成至少配置投影光學系PL、液浸構件3、基板載台2P及測量載台2C之內部空間CS的腔室裝置CH。腔室裝置CH具有控制內部空間CS之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度)之環境控制裝置。

光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。

基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。

照明系IL對既定照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均一照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F₂雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。

光罩載台1能在保持光罩M之狀態下，在包含照明區域IR之基座構件6之導引面6G上移動。光罩載台1係藉由例如美國專利第6452292號說明書所揭示之包含平面馬達之驅動系統之作動而移動。平面馬達具有配置在光罩載台1之可動子與配置在基座構件6之固定子。於本實施形態，本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統之作動，在導引面6G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。

投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態之投影光學系PL係投影倍率例如為1/4、1/5或1/8等之縮小系。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。

投影光學系PL具有朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL之射出面7。射出面7係配置在投影光學系PL之複數個光學元件中、最靠近投影光學系PL像面之終端光學元件8。投影區域PR包含從射出面7射出之曝光用光EL可照射到之位置。又，本實施形態中，投影區域PR包含與射出面7對向之位置。本實施形態中，射出面7朝向-Z方向、與XY平面平行。此外，朝向-Z方向之射出面7可以是凸面、亦可以是凹面。終端光學元件8之光軸與Z軸平行。本實施形態中，從射出面7射出之曝光用光EL往-Z方向行進。

基板載台2P能在保持基板P之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件9之引導面9G上移動。基板載台2P係藉由例如美國專利第6452292號說明書所揭示之包含平面馬達之驅動系統之作動而移動。平面馬達具有配置在基板載台2P之可動子、與配置在基座構件9之固定子。於本實施形態，基板載台2P可藉由驅動系統之作動，於引導面9G 上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，使基板載台2P移動之驅動系統可以不是平面馬達。例如，驅動系統可包含線性馬達。

基板載台2P具有將基板P保持為可釋放之基板保持部10。基板保持部10保持基板P之下面(背面)以使基板P之上面(表面)朝向+Z方向。本實施形態中，被保持於基板保持部10之基板P之上面與配置在該基板P周圍之基板載台2P之上面11P，係配置在同一平面內(同面高)。上面11P是平坦的。本實施形態中，被保持於基板保持部10之基板P之上面及基板載台2P之上面11P，與XY平面大致平行。

又，被保持於基板保持部10之基板P之上面與基板載台2P之上面11P可以不適配置在同一平面內，基板P之上面及基板載台2P之上面11P之至少一方與XY平面可以是非平行。此外，上面11P可以不是平坦的。例如，上面11P可包含曲面。

又，本實施形態中，基板載台2P具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、及美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等所揭示之將覆蓋構件T保持成可釋放之覆蓋構件保持部12。覆蓋構件保持部12保持覆蓋構件T之下面。本實施形態中，基板載台2P之上面11P，包含被保持於覆蓋構件保持部12之覆蓋構件T之上面。

又，覆蓋構件T可以不是可釋放的。此場合，可省略覆蓋構件保持部12。此外，基板載台2P之上面11P，可包含搭載於基板載台2P之感測器、測量構件等之表面。

測量載台2C，能在搭載有測量曝光用光EL之測量構件及測量器之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件9之引導面9G上移動。測量載台2C，係藉由例如美國專利第6452292號說明書所揭示之包含平面馬達之驅動系統之作動而移動。平面馬達具有配置在測量載台2C之可動子、與配置在基座構件9之固定子。於本實施形態，測量載台2C可藉由驅動系統之作動，在引導面9G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。此外，使測量載台2C移動之驅動系統可以不是平面馬達。例如，驅動系統可包含線性馬達。

本實施形態中，測量載台2C之上面11C與XY平面大致平行。

本實施形態中，光罩載台1、基板載台2P及測量載台2C之位置，係以測量系統13加以測量。測量系統13包含干涉儀系統及編碼器系統之一方或兩方。干涉儀系統，包含對光罩載台1之測量鏡(mirror)照射測量光以測量該光罩載台1之位置的單元、與對基板載台2P之測量鏡及測量載台2C之測量鏡照射測量光以測量該基板載台2P及測量載台2C之位置的單元。編碼器系統，具有例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書所揭示之編碼器讀頭，此編碼器讀頭具有射出測量光之照射裝置及接收測量光之受光裝置，對配置在基板載台2P之標尺構件所具有之格子(標尺、格子線)照射來自照射裝置之測量光，並以受光裝置接收經由該格子之測量光，以測量該格子之位置。

實施基板P之曝光處理時或實施既定測量處理時，控制裝置4根據測量系統13之測量結果，實施光罩載台1(光罩M)、基板載台2P(基板P)及測量載台2C(測量構件)之位置控制。

接著，說明本實施形態之液浸構件3。圖2係顯示本實施形態之液浸構件3之一例、與YZ平面平行的側視剖面圖，圖3係從下側(-Z側)觀察液浸構件3的圖，圖4係圖2之部分擴大的圖。

本實施形態中，液浸構件3配置在終端光學元件8之周圍至少一部分。此外，本實施形態中，液浸構件3係配置在通過終端光學元件8與配置在投影區域PR之物體之間之液體LQ之曝光用光EL之光路K之周圍至少一部分。

本實施形態中，所謂光路K之周圍，包含光路K之周方向空間(區域)。換言之，光路K之周圍，包含圍繞光路K之環狀空間(區域)。本實施形態中，光路K之周圍之部分空間係指圍繞光路K之環狀空間之部分空間。此外，光路K周圍之空間，亦指投影光學系PL之光軸(終端光學元件8之光軸AX)之周圍。光路K周圍之部分空間，亦可以是延伸於光軸AX之周方向之環狀空間之一部分。

本實施形態中，可配置在投影區域PR之物體，包含與射出面7對向之物體。本實施形態中，該物體包含基板載台2P(覆蓋構件T)、保持於基板載台2P(基板保持部10)之基板P以及測量載台2C中之至少一者。於基板P之曝光中，以照射於基板P之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS1。於基板P照射到曝光用光EL時，則以僅包含投影區域PR之基板P之表面一部分區域被液體LQ覆蓋之方式形成液浸空間LS1。

以下之說明中，與射出面7對向之物體係設為基板P。此外，如上所述，與射出面7對向之物體可以是基板載台2P及測量載台2C中之至少一方，亦可以是與基板P、基板載台2P及測量載台2C不同之其他物體。

本實施形態中，液浸構件3具備：配置在終端光學元件8之周圍至少一部分、具有基板P(物體)可對向之下面14、在包含射出面7側之光路K之空間SPk及下面14側之空間SP1之至少一部分形成液體LQ之液浸空間LS1的第1構件31，相對光路K(終端光學元件8之光軸AX)配置在第1構件31之外側、具有基板P(物體)可對向之下面15、在下面15側之空間SP2之至少一部分形成液體LQ之液浸空間LS2的第2構件32，以及將從空間SP1朝向液浸空間LS2之液體LQ加以細分的第3構件33。

本實施形態中，空間SPk包含射出面7與基板P上面之間之空間。空間SP1包含下面14與基板P上面之間之空間。空間SP2包含下面15與基板P上面之間之空間。

本實施形態中，第1構件31係配置在終端光學元件8周圍之至少一部分。此外，第1構件31係配置在從射出面7射出之曝光用光EL之光路K周圍之至少一部分。本實施形態中，第1構件31具有至少一部分與終端光學元件8之側面8F對向之內面313。又，本實施形態中，第1構件31 具有至少一部分與第2構件32對向之外面314。第2構件32之至少一部分與外面314對向。外面314則與下面14之外緣連結。

本實施形態中，第1構件31為環狀構件。本實施形態中，第1構件31之一部分係配置在終端光學元件8之周圍。又，本實施形態中，第1構件31之一部分係配置在終端光學元件8與基板P之間之曝光用光EL之光路K周圍。

又，第1構件31可以不是環狀構件。例如第1構件31可以是配置在終端光學元件8及光路K周圍之一部分。此外，第1構件31亦可以不是配置在終端光學元件8周圍之至少一部分。例如，第1構件31可以是配置在射出面7與基板P之間之光路K周圍之至少一部分，而不是配置在終端光學元件8之周圍。再者，第1構件31可以不是配置在射出面7與基板P之間之光路K周圍之至少一部分。例如，第1構件31可以是配置在終端光學元件8周圍之至少一部分，而不配置在射出面7與物體之間之光路K之周圍。

終端光學元件8能在與基板P之間保持液體LQ。基板P對向之射出面7，能在與基板P之間保持液體LQ。又，第1構件31能在與基板P之間保持液體LQ。基板P對向之下面14，能在與基板P之間保持液體LQ。液浸空間LS1係由被保持在終端光學元件8及第1構件31與基板P之間之液體LQ形成。藉由在一側之射出面7及下面14與另一側之基板P之上面之間保持液體LQ，即能以終端光學元件8與基板P之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式，形成液浸空間LS1。

第1構件31係以光路K被液體LQ充滿之方式，於射出面7側之空間SPk形成液體LQ之液浸空間LS1。又，本實施形態中，第1構件31係於下面14側之空間SP1之至少一部分形成液體LQ之液浸空間LS1。

例如，於基板P之曝光中，第1構件31係以照射於基板P之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS1。於基板P照射曝光用光EL時，以包含投影區域PR之基板P表面之部分區域被液體LQ覆蓋之方式形成液浸空間LS1。

本實施形態中，液浸空間LS1之液體LQ之界面(彎月面、邊緣)LG1之至少一部分係形成在下面14與基板P之上面之間。亦即，本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。液浸空間LS1之外側(界面LG1之外側)為氣體空間。

本實施形態中，第1構件31包含至少一部分被配置成與射出面7對向之對向部311、與至少一部分被配置成與終端光學元件8之側面8F對向之本體部312。側面8F配置在射出面7之周圍。從側面8F不會射出曝光用光EL。本實施形態中，側面8F於相對光路K之放射方向，係朝外側向上方傾斜。又，相對光路K之放射方向，包含相對終端光學元件8之光軸AX的放射方向，包含與Z軸垂直之方向。

本實施形態中，第1構件31具有至少一部分與射出面7對向之上面19。上面19配置於對向部311。此外，第1構件31具有射出面7面向之孔(開口)20。從射出面7射出之曝光用光EL，可通過開口20照射於基板P。上面19配置在開口20上端之周圍。下面14配置在開口20之下端周圍。開口20係形成為將上面19與下面14連結。此外，本實施形態中，上面19可與光軸AX大致垂直、亦可以是相對與光軸AX垂直之面傾斜。上面19，可以是例如於相對光軸AX之放射方向，朝外側向上方傾斜。

第2構件32相對光路K配置在第1構件31外側。本實施形態中，第1構件31與第2構件32是不同的構件。第2構件32係配置在第1構件31周圍之一部分。第2構件32被配置成至少一部分與第1構件31之外面314對向。本實施形態中，第2構件32具有至少一部分與外面314對向之內面323、與外面324。

本實施形態中，第2構件32係配置在第1構件31之外面314所面向之環狀空間之一部分。換言之，第2構件32，係在光路K(第1構件31)周圍空間之一部分被配置成與第1構件31之外面314對向。

第2構件32能在與基板P之間保持液體LQ。基板P對向之下面15，能在與基板P之間保持液體LQ。液浸空間LS2係由被保持在第2構件32與基板P之間之液體LQ形成。藉由在一側之下面15與另一側之基板P之上面之間保持液體LQ，於液浸空間LS1周圍之一部分形成液浸空間LS2。本實施形態中，液浸空間LS2係形成在液浸空間LS1之界面LG1面向之環狀空間之一部分。換言之，液浸空間LS2係在光路K(液浸空間LS1)周圍之空間之一部分形成為與液浸空間LS1之界面LG1對向。

本實施形態中，第2構件32在第1構件31周圍之空間配置有二個。以下之說明中，將二個第2構件32中之一第2構件32適當的稱為第2構件32A、將另一第2構件32適當的稱為第2構件32B。又，將第2構件32A之下面15適當的稱為下面15A、並將第2構件32B之下面15適當的稱為下面15B。此外，將形成在第2構件32A之下面15A與基板P(物體)之上面之間之空間SP2適當的稱為空間SP2A、並將形成在第2構件32B之下面15B與基板P上面之間之空間SP2適當的稱為空間SP2B。

本實施形態中，第2構件32A係相對光路K配置在第2構件32B之相反側。本實施形態中，第2構件32A係配置在第1構件31之+Y側。第2構件32B係配置在第1構件31之-Y側。

本實施形態中，液浸空間LS1係藉由第1構件31形成。液浸空間LS1形成在空間SPk及空間SP1之至少一部分。液浸空間LS2A係藉由第2構件32A形成。液浸空間LS2A形成在空間SP2A之至少一部分。液浸空間LS2B係藉由第2構件32B形成。液浸空間LS2B形成在空間SP2B之至少一部分。

本實施形態中，第1構件31與第2構件32A係分離配置。第1構件31與第2構件32B分離配置。第2構件32A與第2構件32B分離配置。本實施形態中，液浸空間LS1與液浸空間LS2A係實質上分離形成。本實施形態中，液浸空間LS1與液浸空間LS2B係實質上分離形成。本實施形態中，液浸空間LS2A與液浸空間LS2B係實質上分離形成。例如，在與液浸構件3對向之物體為靜止之情形時，液浸空間LS1、液浸空間LS2A、液浸空間LS2B是彼此分離形成。

本實施形態中，液浸空間LS2(LS2A、LS2B)較液浸空間LS1小。本實施形態中，液浸空間LS2A與液浸空間LS2B其大小大致相等。又，液浸空間之大小，包含形成液浸空間之液體之體積。又，液浸空間之大小，包含形成液浸空間之液體之重量。又，液浸空間之大小，包含例如液浸空間在與基板P表面(上面)平行之面內(XY平面內)的面積。又，液浸空間之大小，包含液浸空間在例如與基板P表面(上面)平行之面內(XY平面內)之既定方向(例如X軸方向、或Y軸方向)之尺寸。本實施形態中，在與基板P表面(上面)平行之面內(XY平面內)，液浸空間LS2(LS2A、LS2B)較液浸空間LS1小。當然，液浸空間LS2A可以較液浸空間LS2B大、亦可以較小。

第3構件33係與第1構件31及第2構件32不同之構件。第3構件33具有基板P之上面可對向之下面16。第3構件33在與基板P之間不保持液體LQ。又，第3構件33，具有至少一部分與外面314對向之內面333與至少一部分與內面323對向之外面334。

第3構件33配置在第1構件31與第2構件32之間。第3構件33配置在液浸空間LS1與液浸空間LS2之間。第 3構件33係配置成與存在於第1構件31與第2構件32之間(空間SP1與空間SP2之間)之液體LQ接觸。

本實施形態中，第3構件33之下面16被配置在較第1構件31之下面14更接近基板P之位置。亦即，下面16與基板P上面之距離較下面14與基板P之上面間之距離短。換言之，下面16較下面14配置在下方(-Z側)。

又，本實施形態中，第3構件33之下面16被配置在較第2構件32之下面15接近基板P之位置。亦即，下面16與基板P上面間之距離較下面15與基板P上面間之距離短。換言之，於Z軸方向，下面16較下面15配置在下方(-Z側)。亦即，本實施形態中，下面14、下面15及下面16中，下面16係配置在最下方。

本實施形態中，於Z軸方向，第1構件31之下面14係配置在與第2構件32之下面15大致相同位置(高度)。換言之，下面14與基板P上面間之距離與下面15與基板P上面間之距離大致相等。又，第2構件32之下面15可以是配置在較第1構件31之下面14更下方(-Z側)處、或上方(+Z側)處。

本實施形態中，下面14之至少一部分與XY平面大致平行。此外，本實施形態中，下面15之至少一部分與XY平面大致平行。又，本實施形態中，下面16之至少一部分與XY平面大致平行。

又，下面14之至少一部分可以是相對XY平面傾斜、亦可以包含曲面。下面15之至少一部分可以是相對XY平面傾斜、亦可以包含曲面。下面16之至少一部分可以是相對XY平面傾斜、亦可以包含曲面。

本實施形態中，於Z軸方向之下面14之位置(高度)與下面15A之位置(高度)不同。例如圖4所示，下面15A可以是配置在較下面14低之位置、亦可以配置在較下面14高之位置。亦即，下面14與物體表面間之距離可以較下面15A與物體表面間之距離大、或小。此外，下面15B可以是配置在較下面14低之位置、亦可以是配置在較高之位置。

又，下面14之高度與下面15A之高度可大致相等。此外，下面14之高度與下面15B之高度可大致相等。又，下面14之高度與下面15A之高度與下面15B之高度可大致相等。亦即，下面14與物體表面間之距離、下面15A與物體表面間之距離、下面15B與物體表面間之距離可大致相等。

本實施形態，在與基板P(物體)之上面大致平行之XY平面內，下面14之外形為大致四角形。此外，如圖3等所示，本實施形態中，外形為四角形之下面14之角(頂點)帶有圓弧。本實施形態中，下面14之角，相對光路K分別配置在+Y側、-Y側、+X側及-X側。

本實施形態中，於XY平面內，下面15A係沿下面14之+Y側之角配置。下面15B則係沿下面14之-Y側之角配置。

本實施形態中，第3構件33於第1構件31周圍之空間中配置有二個。以下之說明中，將二個第3構件33中之一第3構件33適當的稱為第3構件33A，將另一第3構件 33適當的稱為第3構件33B。此外，將第3構件33A之下面16適當的稱為下面16A，將第3構件33B之下面16適當的稱為下面16B。

本實施形態中，第3構件33A係相對光路K配置在第3構件33B之相反側。本實施形態中，第3構件33A係配置在第1構件31之+Y側。第3構件33B配置在第1構件31之-Y側。本實施形態中，第3構件33A配置在第1構件31與第2構件32A之間。第3構件33B配置在第1構件31與第2構件32B之間。

本實施形態，於XY平面內，下面16A在下面14之+Y側角與下面15A之間，沿下面14之+Y側之角配置。下面15B在下面14之-Y側之角與下面15B之間，沿下面14之-Y側之角配置。

本實施形態中，第3構件33包含多孔構件。本實施形態中，第3構件33包含例如鈦製的多孔構件。多孔構件33例如可以燒結法形成。

本實施形態中，第3構件33表面之至少一部分對液體LQ為撥液性。本實施形態中，第3構件33表面對液體LQ之接觸角例如較90度大。第3構件33表面對液體LQ之接觸角，例如可以是100度以上、亦可以是110度以上。

本實施形態中，於第3構件33表面之至少一部分塗有(coating)含氟之撥液性材料。亦即，於第3構件33表面之至少一部分配置有含撥液性材料之膜。撥液性材料，可以是例如PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯、Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(polyetheretherketone)、或鐵氟龍(登錄商標)。此外，第3構件33亦可以含氟之撥液性材料形成。

又，第3構件33之表面亦可以對液體LQ為親液性。例如，第3構件33表面對液體LQ之接觸角可以較90度小、可以是80度以下、亦可以是70度以下。

本實施形態中，第3構件33被支承於第2構件32。本實施形態中，第3構件33之至少一部分連接於第2構件32之內面323。又，亦可以第3構件33是配置在第1構件31與第2構件32之間之方式，支承於第1構件31。此外，倚亦可將第3構件33以配置在第1構件31與第2構件32之間之方式，支承於與第1構件31及第2構件32不同之構件

本實施形態中，曝光裝置EX具備支承第1構件31及第2構件32之支承構件(未圖示)。本實施形態中，第1構件31及第2構件32係支承於一個支承構件(框構件)。又，亦可將支承構件連接於支承投影光學系PL之支承機構。此外，支承構件可以是相對支承投影光學系PL之支承機構分離。又，支承第1構件31之支承構件與支承第2構件32之支承構件可以是不同構件。

本實施形態中，第1構件31具有配置成基板P(物體)之上面與之對向、可回收(吸引)液體LQ之液體回收部21。

本實施形態中，本體部312具有於下端形成有開口22之內部空間23R。第1構件31具備配置於開口22之多孔構件24。開口22係形成為面向空間SP1。多孔構件24配置成面向空間SP1。多孔構件24具有液體LQ可流通之複數個孔(openings或pores)。多孔構件24包含例如網眼篩(mesh filter)。網眼篩係多數個小孔形成為網眼狀之多孔構件。

液體回收部21，包含以基板P(物體)之上面與之對向之方式配置之多孔構件24之下面42之至少一部分。本實施形態中，多孔構件24為板片狀構件。多孔構件24，具有面向空間SP1之下面42、面向內部空間23R之上面25、與形成為將上面25與下面42加以連結之複數個孔。液體回收部21可透過多孔構件24之孔回收下面42對向之基板P(物體)上之液體LQ(空間SP1之液體LQ)。本實施形態中，多孔構件24之複數個孔可發揮作為回收空間SP1之液體LQ之回收口23的功能。本實施形態中，下面42之功能在於作為配置有回收液體LQ之回收口23的回收面。經由多孔構件24之孔(回收口23)回收之液體LQ流過內部空間(回收流路)23R。

本實施形態中，經由多孔構件24實質上僅回收液體LQ，氣體之回收則受到限制。控制裝置4調整多孔構件24之下面42側之壓力(空間SP1之壓力)與上面25側之壓力(回收流路23R之壓力)之差，以使空間SP1之液體LQ通過多孔構件24之孔流入回收流路23R，氣體則無法通過。又，透過多孔構件僅回收液體之一技術例，已揭露於例如美國專利第7292313號說明書等。

又，亦可透過多孔構件24回收(吸引)液體LQ及氣體之雙方。

又，本實施形態中，第1構件31包含配置成基板P之上面與之對向、與液體回收部21相鄰之平坦部26S。

本實施形態中，平坦部26S包含與多孔構件22之下面42相鄰配置之下面26。下面26之至少一部分是平坦的。下面26無法使液體LQ流通，而能在與基板P之間保持液體LQ。

又，本實施形態中，第1構件31具有相對光路K配置在下面42外側之傾斜面43。傾斜面43相對光路K在下面42之外側配置成面向空間SP1。傾斜面43於相對光路K(光軸AX)之放射方向，朝外側向上方傾斜。

本實施形態中，第1構件31之下面14，包含下面26、多孔構件24之下面42、以及傾斜面43。

本實施形態中，下面26及下面42對液體LQ為親液性。本實施形態中，下面26及下面42對液體LQ之接觸角例如為90度以下。又，下面26及下面42對液體LQ之接觸角，可以是例如80度以下、或70度以下。本實施形態中，下面26及下面42包含例如鈦之表面。

本實施形態中，傾斜面43對液體LQ為撥液性。本實施形態中，傾斜面43對液體LQ之接觸角，例如較90度大。又，傾斜面43對液體LQ之接觸角，可以是100度以上、亦可以是110度以上。本實施形態中，傾斜面43包含例如含氟之撥液性材料之膜。撥液性之材料，例如可以是PFA(過氟烷基化物，Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯，Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(聚醚醚酮，polyetheretherketone)、亦可以是鐵氟龍(登錄商標)。

本實施形態中，液體回收部21之至少一部分係配置在第1構件31之周緣部36。本實施形態中，周緣部36包含多孔構件24之下面42。又，本實施形態中，周緣部36包含傾斜面43。本實施形態中，第1構件31之邊緣41包含周緣部36之邊緣。又，第1構件31之邊緣41包含下面14之邊緣。下面14之邊緣包含多孔構件24之下面42之邊緣。此外，下面14之邊緣包含傾斜面43之邊緣。

本實施形態中，下面26配置在較下面42接近光路K之位置。本實施形態中，下面42配置在下面26周圍之至少一部分。本實施形態，係在開口20之下端周圍配置下面26。於下面26之周圍配置下面42。

本實施形態中，第1構件31具備配置成基板P(物體)之上面與之對向、可供應液體LQ之供應口27。供應口27係以面向空間SP1之方式，配置在第1構件31之下面14之至少一部分。本實施形態中，供應口27可對空間SP1供應液體LQ。又，亦可不設置供應口27。

本實施形態中，供應口27係配置在下面26。於供應口27之周圍配置下面26。本實施形態中，供應口27在光路K(開口20)周圍配置有複數個。

於相對光路K之放射方向，液體回收部21配置在供應口27之外側。本實施形態中，供應口27係與液體回收部 21相鄰配置。供應口27沿多孔構件24之下面42內側之邊緣配置有複數個。

又，第1構件31具備可供應液體LQ之供應口28。供應口28係以面向射出面7面向之空間SPk之方式，配置在第1構件31之內面313之至少一部分。本實施形態中，供應口28可對空間SPk供應液體LQ。空間SPk包含射出面7與上面19之間之空間。本實施形態中，供應口28在光路K(空間SPk)周圍配置有複數個。又，亦可將供應口28配置成與終端光學元件8之側面8F對向。

供應口28經由形成在第1構件31內部之供應流路28R與能供應液體LQ之液體供應裝置28S連接。液體供應裝置28S可供應潔淨且温度經調整之液體LQ。供應口28將來自液體供應裝置28S之液體LQ供應至空間SPk。從供應口28供應至空間SPk之液體LQ之至少一部分，經由開口20流至空間SP1。

供應口27透過形成在第1構件31內部之供應流路27R與能供應液體LQ之液體供應裝置27S連接。液體供應裝置27S可供應潔淨且温度經調整之液體LQ。供應口27將來自液體供應裝置27S之液體LQ供應至空間SP1。

空間SP1之液體LQ之至少一部分從多孔構件24之孔加以回收。如上所述，本實施形態中，多孔構件24之孔之功能係作為可回收空間SP1之液體LQ之回收口23。回收口23透過形成在第1構件31內部之回收流路23R與能回收(吸引)液體LQ之液體回收裝置23C連接。液體回收裝置 23C例如包含真空系統，能回收(吸引)液體LQ。

液體供應裝置27S、液體供應裝置28S及液體回收裝置23C係由控制裝置4加以控制。本實施形態中，係與從供應口28之液體LQ之供應並行，實施從回收口23之液體LQ之回收，據以在一側之終端光學元件8及第1構件31、與另一側之基板P之間以液體LQ形成液浸空間LS1。又，本實施形態中，液體LQ從供應口28之供應與液體LQ從回收口23之回收，係與液體LQ從供應口27之供應並行實施。本實施形態中，液浸空間LS1由從供應口28供應之液體LQ形成。又，本實施形態中，液浸空間LS1由從供應口27供應之液體LQ形成。

第2構件32(32A、32B)具備可供應液體LQ之供應口50。本實施形態中，基板P(物體)之上面可對向於供應口50。供應口50係以面向空間SP2之方式，配置在第2構件32之下面15之至少一部分。本實施形態中，供應口50能對空間SP2供應液體LQ。

第2構件32具備能回收流體之流體回收部51。流體包含液體及氣體之至少一方。本實施形態中，基板P(物體)之上面可對向於流體回收部51。流體回收部51係以面向空間SP2之方式，配置在第2構件32之下面15之至少一部分。本實施形態中，流體回收部51能回收空間SP2之液體LQ。此外，流體回收部51能回收空間SP2之氣體。本實施形態中，流體回收部51包含在下面15之至少一部分配置成面向空間SP2之回收口52。

本實施形態中，於相對光路K之放射方向，流體回收部51(回收口52)之至少一部分係配置在第1構件31之外側。本實施形態中，流體回收部51(回收口52)之至少一部分配置在第1構件31與供應口50之間。

本實施形態中，流體回收部51(回收口52)之至少一部分係相對第1構件31配置在供應口50之外側。本實施形態中，於相對光路K之放射方向，流體回收部51(回收口52)之至少一部分係配置在供應口50之外側。

於本實施形態，流體回收部51(回收口52)係設置成圍繞供應口50。

本實施形態中，供應口50為狹縫狀。在第1構件31與供應口50之間之回收口52係與供應口50大致平行之狹縫狀。相對第1構件31位於供應口50外側之回收口52，係與供應口50大致平行之狹縫狀。

又，回收口52可在供應口50之周圍配置複數個。亦即，複數個回收口52可在供應口50之周圍離散的配置。

供應口50透過形成在第2構件32內部之供應流路50R與能供應液體LQ之液體供應裝置50S連接。液體供應裝置50S可供應潔淨且温度經調整之液體LQ。供應口50將來自液體供應裝置50S之液體LQ供應至空間SP2。

空間SP2之液體LQ之至少一部分係從流體回收部51(回收口52)加以回收。第2構件32之流體回收部51(回收口52)，可回收來自第1構件31與物體間之空間SP1之液體LQ。

回收口52透過形成在第2構件32內部之回收流路52R與能回收(吸引)液體LQ之液體回收裝置52C連接。液體回收裝置52C包含例如真空系統，能回收(吸引)液體LQ。又，回收口52亦能回收空間SP2之氣體。

液體供應裝置50S及液體回收裝置52C係由控制裝置4加以控制。於本實施形態，藉由從供應口50供應液體LQ，據以在一側之第2構件32與另一側之基板P之間以液體LQ形成液浸空間LS2。亦即，本實施形態中，液浸空間LS2係由從供應口50供應之液體LQ形成。本實施形態中，與液體LQ從供應口50之供應並行，實施液體LQ從回收口52之回收，據以形成液浸空間LS2。

圖5係從下方觀察第1構件31、第2構件32(32A)、第3構件33(33A)、液浸空間LS1之一部分、以及液浸空間LS2(LS2A)的示意圖。

本實施形態中，第2構件32A與第2構件32B，實質上為相同構造。又，第3構件33A與第3構件33B，實質上亦為相同構造。以下之說明中，主要係針對配置在第1構件31之+Y側之第2構件32(32A)、第3構件33(33A)及液浸空間LS2(LS2A)加以說明。

本實施形態中，液浸構件3具備將液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分，誘導至光路K周圍之部分空間之誘導空間A的誘導部40。

本實施形態中，誘導部40包含將液體LQ往誘導空間A1誘導之誘導部40A、與將液體LQ往誘導空間A2誘導之誘導部40B。誘導空間A1與誘導空間A2是分離的。本實施形態中，誘導空間A1係相對光路K配置在誘導空間A2之相反側。本實施形態中，誘導空間A1係在光路K周圍之空間SP1中、相對光路K位於+Y側之部分空間。誘導空間A2係在光路K周圍之空間SP1中、相對光路K位於-Y側之部分空間。

本實施形態中，液浸空間LS2(LS2A、LS2B)與誘導空間A(A1、A2)相鄰形成。液浸空間LS2A與誘導空間A1相鄰形成。液浸空間LS2B則與誘導空間A2相鄰形成。

本實施形態中，誘導部40A與誘導部40B，實質上為相同構造。以下之說明中，針對與第2構件32A形成之液浸空間LS2A相鄰之誘導空間A(A1)、及將液體LQ往該誘導空間A(A1)誘導之誘導部40(40A)加以說明。

本實施形態中，誘導部40之至少一部分係配置於第1構件31。

本實施形態中，誘導空間A，包含第1構件31之下面14與和下面14對向之物體(基板P等)之上面之間之空間SP1中的部分空間(部分)。誘導空間A，亦可不包含第1構件31之下面14與和下面14對向之物體(基板P等)之上面之間之空間SP1的部分空間(部分)。

本實施形態中，誘導空間A，包含下面14之部分(區域)B與基板P之間之空間。誘導空間A係與部分B相鄰之空間。本實施形態中，誘導空間A，包含第1構件31之周緣部36之一部分與基板P之間之空間。

第1構件31之周緣部36包含下面14之周緣部。誘導空間A，包含設定在下面14之周緣部36之一部分之部分B與基板P之間之空間。

又，誘導空間A，可以不是下面14之周緣部36之一部分與基板P(物體)之間之空間。例如，誘導空間A可以是下面14之周緣部36之內側區域之一部分與基板P(物體)間之空間。例如，誘導空間A亦可以是下面14中央部之一部分與基板P(物體)間之空間。亦即，下面14之部分B可設定是與下面14之周緣部36不同之區域。例如，部分B可設定是周緣部36之內側、亦可以設定是下面14之例如中央部。

本實施形態中，誘導空間A係被規定在液浸構件32所形成之液浸空間LS2與光路K之間。本實施形態中，液浸構件32之至少一部分係與誘導空間A相鄰配置。液浸構件32，係在相對光路K於誘導空間A(部分B)之外側，配置在誘導空間A之近旁而與誘導空間A(部分B)相鄰。誘導空間A係形成為包含例如將光路K與液浸空間LS2(液浸構件32)加以連結之假想線。誘導空間A，亦可以不包含第1構件31之下面14與和下面14對向之物體(基板P等)之上面間之空間SP1之部分空間(部分)。

又，誘導空間A可以包含下面14與基板P(物體)間之空間SP1之外側空間。例如，誘導空間A可以包含液浸構件32之下面15與基板P(物體)之上面間之空間SP2之至少一部分。此外，誘導空間A亦可包含第1構件31之外面314 與第2構件32之內面323間之間隙之下方空間。

本實施形態中，誘導部40之至少一部分係配置在第1構件31。本實施形態中，誘導部40之至少一部分係配置在基板P(物體)可對向之第1構件31之下面14。誘導部40可將下面14與基板P(物體)間之液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分，誘導至誘導空間A。

本實施形態中，誘導部40包含例如第1構件31之邊緣41。液浸構件31之邊緣41，可將液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分誘導至誘導空間A。

液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分被液浸構件31之邊緣41誘導而流向誘導空間A。

又，本實施形態中，誘導部40包含例如液體回收部21之至少一部分。本實施形態中，誘導部40包含例如多孔構件24之下面42之至少一部分。多孔構件24之下面42可將液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分，誘導至誘導空間A。

液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分被多孔構件24之下面42誘導而流向誘導空間A。

又，本實施形態中，誘導部40包含例如液體回收部21與平坦部26S之交界43。本實施形態中，交界43包含下面42與下面26之交界。

本實施形態中，下面42之狀態(表面狀態)與下面26之狀態(表面狀態)是不同的。下面42配置在多孔構件24之孔之下端周圍。下面42具有凹凸。又，下面42與下面26對液體LQ之接觸角可以是不同的。例如，下面42對液體LQ之接觸角，可以較下面26之接觸角小。此外，下面42對液體LQ之接觸角，可以較下面26之接觸角大。又，下面42對液體LQ之接觸角與下面26對液體LQ之接觸角可以是相等的。

交界43可將液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分誘導至誘導空間A。又，下面42與下面26之高度可以是不同的。亦即，交界43可包含段差。

液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分被交界43誘導而流向誘導空間A。

本實施形態中，誘導空間A包含液體回收部21之至少一部分與基板P(物體)間之空間。本實施形態中，部分B包含多孔構件24之下面42之部分區域，誘導空間A包含多孔構件24之下面24之至少一部分與物體間之空間。

本實施形態中，邊緣41之至少一部分係朝向誘導空間A延伸成線狀。例如，圖5中，邊緣41之部分41A、41B係朝向誘導空間A延伸成線狀。

又，本實施形態中，多孔構件24之下面42之至少一部分，朝向誘導空間A延伸成帶狀。例如，圖5中，下面42之部分42A、42B係朝向誘導空間A延伸成帶狀。

又，本實施形態中，交界43之至少一部分係朝向誘導空間A延伸成線狀。例如，圖5中，交界43之部分43A、43B係朝向誘導空間A延伸成線狀。

本實施形態中，邊緣41之部分41A，在與基板P(物體) 之上面大致平行的面內(XY平面內)，配置成從通過空間SP2之軸J之+X側朝向誘導空間A延伸。又，邊緣41之部分41B，在與基板P(物體)之上面大致平行的面內(XY平面內)，配置成從通過空間SP2之軸J之-X側朝向誘導空間A延伸。

軸J，包含通過空間SP2之假想軸(假想線)。通過空間SP2之軸J，通過液浸空間LS2。軸J，在XY平面內，將光路K與空間SP2(液浸空間LS2)加以連結。軸J，將例如光路K與在X軸方向之空間SP2(液浸空間LS2)之中心加以連結。本實施形態中，軸J與Y軸大致平行。

本實施形態中，在與基板P(物體)大致平行之面內(XY平面內)，在與軸J垂直之方向(X軸方向)之部分41A與部分41B間之間隔，越接近誘導空間A越小。

此外，本實施形態中，部分41A與部分41B間之間隔，隨著從光路K離開而漸小。

本實施形態中，下面42之部分42A，在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，係配置成從軸J之+X側朝向誘導空間A延伸。下面42之部分42B，在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，係配置成從軸J之-X側朝向誘導空間A延伸。

本實施形態中，在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，在與軸J垂直之方向(X軸方向)之部分42A與部分42B間之間隔，越接近誘導空間A越小。

又，本實施形態中，部分42A與部分42B間之間隔，隨著離開光路K而漸小。

本實施形態中，交界43之部分43A在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，被配置成從軸J之+X側向誘導空間A延伸。交界43之部分43B在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，被配置成從軸J之-X側向誘導空間A延伸。

本實施形態中，在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，在與軸J垂直之方向(X軸方向)之部分43A與部分43B間之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。

又，本實施形態中，部分43A與部分43B間之間隔，隨著離開光路K而漸小。

又，本實施形態中，於相對光路K之放射方向，流體回收部51(回收口52)之至少一部分係配置在部分B之外側。

本實施形態中，軸J通過供應口50。又，本實施形態中，軸J通過液浸構件31與供應口50之間之流體回收部51(回收口52)。又，本實施形態中，軸J通過相對液浸構件31在供應口50外側之流體回收部51(回收口52)。

本實施形態中，下面15被配置成圍繞部分B之一部分。又，本實施形態中，下面16被配置成圍繞部分B之一部分。

接著，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX使基板P曝光之方法。

控制裝置4，實施將曝光前之基板P搬入(裝載)基板保持部10之處理。控制裝置4，為將曝光前之基板P搬入(裝載)基板保持部10，使基板載台2P移動至離開液浸構件3之基板更換位置。又，例如曝光後之基板P被保持在基板保持部10之情形時，在實施將該曝光後之基板P從基板保持部10搬出(卸載)之處理後，再實施將曝光前之基板P搬入(裝載)基板保持部10之處理。

基板更換位置係可實施基板P之更換處理之位置。基板P之更換處理包含使用搬送裝置將保持於基板保持部10之曝光後之基板P從基板保持部10搬出(卸載)之處理、以及將曝光前之基板P搬入(裝載)基板保持部10之處理中的至少一方。控制裝置4使基板載台2P移動離開液浸構件3之基板更換位置，實施基板P之更換處理。

在基板載台2P從液浸構件3離開之期間中至少一部分，控制裝置4將測量載台2C相對液浸構件3配置於既定位置，在終端光學元件8及第1液浸構件31與測量載台2C之間保持液體LQ，以形成液浸空間LS1。亦即，控制裝置4在使終端光學元件8及液浸構件31與測量載台2C對向之狀態下，以液浸構件31在終端光學元件8之射出面7側形成液體LQ之液浸空間LS1。

控制裝置4，與液體LQ從供應口28之供應並行，實施液體LQ從回收口23之回收。據此，即形成液浸空間LS1。又，於本實施形態，控制裝置4，係與液體LQ從供應口28之供應及液體LQ從回收口23之回收並行，實施液體LQ從供應口27之供應。

藉由從供應口27供應液體LQ，例如界面LG1之形狀被調整。例如，藉由從供應口27之液體LQ之供應，在終端光學元件8及液浸構件31與物體之間形成有液浸空間LS1之狀態下，在XY平面內物體移動之情形下之界面LG1之形狀即被調整。

又，在形成有液浸空間LS1之狀態下，從供應口27之每單位時間之液體供應量可以是一定的，亦可以有變化。此外，從複數個供應口27各個之每單位時間之液體供應量可以相等、亦可以不同。例如，在形成有液浸空間LS1之狀態下，可依據物體(基板P)在XY平面內之移動方向，控制成從複數個供應口27各個之每單位時間之液體供應量不同。

又，在藉由液體LQ從供應口28之供應及液體LQ從回收口23之回收以形成有液浸空間LS1之狀態下，可停止從供應口27之液體LQ之供應。此外，亦可以沒有供應口27。

又，控制裝置4以液浸構件32(32A、32B)在液浸空間LS1周圍之一部分形成液體LQ之液浸空間LS2(LS2A、LS2B)。藉由從供應口50供應之液體LQ，形成液浸空間LS2(LS2A、LS2B)。

又，在基板載台2P從液浸構件3離開之期間中之至少一部分，視需要，實施使用搭載於測量載台2C之測量構件(測量器)的測量處理。實施使用測量構件(測量器)之測量處理時，控制裝置4使終端光學元件8及液浸構件31與測量載台2C對向，形成一將終端光學元件8與測量構件之間之光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS1。控制裝置4透過投影光學系PL及液體LQ對測量構件照射曝光用光EL，以實施使用測量構件之測量處理。該測量處理之結果被反映至基板P之曝光處理。

在曝光前之基板P被裝載於基板保持部10，結束使用測量構件(測量器)之測量處理後，控制裝置4將基板載台2P移動至投影區域PR，以在終端光學元件8及液浸構件31與基板載台2P(基板P)之間形成液體LQ之液浸空間LS1。

又，在基板載台2P從基板更換位置往投影區域PR(曝光位置)移動之期間，可使用例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書所揭露之包含編碼器系統、對準系統以及表面位置檢測系統的檢測系統，來檢測基板P(基板載台2P)之位置資訊。

本實施形態中，如美國專利申請公開第2006/0023186號說明書、美國專利申請公開第2007/0127006號說明書等之揭示，控制裝置4，可在使基板載台2P之上面與測量載台2C之上面接近或接觸之狀態下，一邊使終端光學元件8及液浸構件31與基板載台2P及測量載台2C中之至少一方對向，一邊相對終端光學元件8及液浸構件3使基板載台2P及測量載台2C於XY平面內移動，以在終端光學元件8及液浸構件31與基板載台2P及測量載台2C中之至少一方之間持續形成液體LQ之液浸空間LS1。

據此，在抑制液體LQ漏出之同時，液浸空間LS1從形成在終端光學元件8及液浸構件31與測量載台2C之間之狀態，變化至在終端光學元件8及液浸構件31與基板載台2P之間形成之狀態。又，控制裝置4亦能使液浸空間LS1從在終端光學元件8及液浸構件31與基板載台2P之間形成之狀態，變化為在終端光學元件8及液浸構件31與測量載台2C之間形成之狀態。

以下之說明中，將在使基板載台2P之上面11P與測量載台2C之上面11C接近或接觸之狀態，相對終端光學元件8及液浸構件3，使基板載台2P與測量載台2C在XY平面內同步移動之動作，適當的稱為並排移動動作。

在終端光學元件8及液浸構件31與基板載台2P(基板P)之間形成液體LQ之液浸空間LS1，在液浸空間LS1周圍之一部分形成液浸空間LS2後，控制裝置4開始基板P之曝光處理。

實施基板P之曝光處理時，控制裝置4使終端光學元件8及液浸構件3與基板載台2P對向，以終端光學元件8與基板P之間之光路K被液體LQ充滿之方式，以液浸構件31在終端光學元件8之射出面7側形成液體LQ之液浸空間LS1。控制裝置4控制從照明系IL射出曝光用光EL。照明系IL以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL經由投影光學系PL及液體LQ照射於基板P。據此，基板P即透過液浸空間LS1之液體LQ被曝光用光EL曝光，光罩M之圖案之像被投影於基板P。

本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案之像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)。本實施形態中，以基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置4使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS1之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。

於本實施形態，曝光對象區域之照射區域於基板P上配置有複數個成矩陣狀。基板P之曝光中，於基板P上形成終端光學元件8之射出面7側之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS1。控制裝置4，透過液浸空間LS1之液體LQ以曝光用光EL依序使保持於基板保持部10之基板P之複數個照射區域曝光。基板P之複數個照射區域，藉由通過液體LQ之曝光用光EL而曝光。

例如為使基板P之第1照射區域曝光，控制裝置4使基板P(第1照射區域)相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS1之液體LQ對照射區域S1照射曝光用光EL。據此，光罩M之圖案之像即被投影於基板P之第1照射區域，該第1照射區域即因從射出面7射出之曝光用光EL而曝光。第1照射區域之曝光結束後，控制裝置4為開始其次之第2照射區域之曝光，在形成有液浸空間LS1之狀態下，使基板P於XY平面內之既定方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸方向傾斜之方向等)移動，使第2照射區域移至曝光開始位置。之後，控制裝置4即開始第2照射區域之曝光。

控制裝置4，反覆進行一邊相對投影區域PR使照射區域移動於Y軸方向一邊使該照射區域曝光的動作、與在該照射區域之曝光結束後使其次之照射區域移動至曝光開始位置的動作，一邊使基板P之複數個照射區域依序曝光。

以下之說明中，將為使照射區域曝光而相對終端光學元件8使基板P移動於Y軸方向之動作，適當的稱為掃描移動動作。又，將對一照射區域之曝光結束後為使其次之照射區域曝光，為使其次之照射區域配置於曝光開始位置而相對終端光學元件8使基板P移動之動作，適當的稱為步進移動動作。

本實施形態，在掃描移動動作中，亦於液浸空間LS1周圍之一部分持續形成液浸空間LS2。又，本實施形態，在步進移動動作中，亦於液浸空間LS1周圍之一部分持續形成液浸空間LS2。

控制裝置4根據基板P上之複數個照射區域之曝光條件移動基板P(基板載台2P)。複數個照射區域之曝光條件，例如係以稱為曝光配方(recipe)之曝光控制資訊加以規定。曝光控制資訊儲存於記憶裝置5。控制裝置4根據該記憶裝置5儲存之曝光條件，一邊以既定移動條件移動基板P、一邊使複數個照射區域依序曝光。基板P(物體)之移動條件，包含移動速度、移動距離及相對光路K(第1液浸空間LS1)之移動軌跡中之至少一種。

如上所述，本實施形態中，設有將形成液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分誘導至誘導空間A之誘導部40。因此，在形成有液浸空間LS1之狀態下基板P等之物體在與軸J平行之Y軸方向移動之情形時，液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分會被誘導至誘導空間A。

例如圖5所示，物體往+Y方向移動之情形時，由於該物體之移動，形成液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分會於空間SP1中流動。由於物體往+Y方向之移動而流動之形成液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分，因誘導部40而於例如箭頭R1、R2所示方向流動，被誘導至與液浸空間LS2(LS2A)相鄰之誘導空間A(A1)。

例如，形成液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分，因誘導部40中之例如部分41A、部分42A及部分43A之至少一部分而往箭頭R1所示方向流動，被誘導至誘導空間A。又，形成液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分，因誘導部40中之例如部分41B、部分42B及部分43B之至少一部分而往箭頭R2所示方向流動，被誘導至誘導空間A1。

又，誘導部40在物體往與+Y方向不同之方向移動之情形時，亦能將液體LQ誘導至誘導空間A(A1)。亦即，在物體往包含+Y方向成分之方向移動之情形時，誘導部40可將液體LQ誘導至誘導空間A(A1)。例如，在物體一邊往+Y方向移動同時往+X方向移動之情形時，誘導部40可將液體LQ誘導至誘導空間A(A1)。此外，在物體一邊往+Y方向移動同時往-X方向移動之情形時，誘導部40可將液體LQ誘導至誘導空間A(A1)。如以上所述，誘導部40可將因包含往+Y方向之物體移動而流動之形成液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分，誘導至誘導空間A。

同樣的，在物體往-Y方向移動之情形、或往包含-Y方向成分之方向移動之情形時，誘導部40可將形成液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分，誘導至與液浸空間LS2(LS2B)相鄰之誘導空間A(A2)。

於曝光裝置EX之既定動作中，在形成有液浸空間LS1之狀態下物體以既定移動條件移動之情形時，液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分有可能流出至空間SP1之外側。

例如，於曝光裝置E之並列(scrum)移動動作中，第1液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分有可能流出至空間SP1之外側。

例如，於曝光裝置EX之掃描移動動作中，第1液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分有可能流出至空間SP1之外側。

此外，於曝光裝置EX之步進移動動作中，第1液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分有可能流出至空間SP1之外側。

例如，於並列移動動作、掃描移動動作及步進移動動作之至少一種既定動作中，物體有可能在不滿足可於第1液浸構件31與物體之間維持液體LQ之第1液浸空間LS1 之既定容許條件的條件下，往Y軸方向移動。

例如，於既定動作中，物體有可能於Y軸方向移動較能在第1液浸構件31與物體之間維持液體LQ之第1液浸空間LS1之既定容許距離長的距離。

又，於既定動作中，物體有可能於Y軸方向以較能在第1液浸構件31與物體之間維持液體LQ之第1液浸空間LS1之既定容許速度快的速度移動。

圖6係以示意方式顯示基板P等之物體在以不滿足能在第1構件31與物體之間維持液體LQ之液浸空間LS1之既定容許條件的條件下，移動於Y軸方向之狀態之一例的圖。

如圖6所示，例如物體在不滿足容許條件的條件下移動於Y軸方向之情形時，液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分即有可能流出至空間SP1之外側。

本實施形態中，物體往+Y方向移動之情形時，液浸空間LS1之液體LQ會被誘導部40誘導至誘導空間A(A1)。因此，物體在不滿足容許條件之條件下往+Y方向移動之情形時，液浸空間LS1之液體LQ被集中至誘導空間A(A1)後，從該誘導空間A(A1)流出至空間SP1外側之可能性高。亦即，空間SP1之液體LQ之至少一部分經由誘導空間A(A1)從空間SP1流出之可能性高。換言之，物體往+Y方向移動之情形時，液浸空間LS1之液體LQ在被集中至誘導空間A(A1)後，流出至誘導空間A(A1)之+Y側的可能性高。

於本實施形態，以和誘導空間A(A1)相鄰之方式，藉由液浸構件32(32A)形成液體LQ之液浸空間LS2(LS2A)。於本實施形態，液浸構件32(32A)係在曝光裝置EX之既定動作中物體移動之Y軸方向與液浸構件31相鄰配置。液浸空間LS2(LS2A)，在誘導空間A(A1)之+Y側與誘導空間A(A1)相鄰配置。

因此，經由誘導空間A(A1)從空間SP1流出之液體LQ會朝向液浸空間LS2移動。據此，流出至空間SP1外側之液體LQ即受液浸空間LS2抑制往空間SP2外側之流出。

亦即，本實施形態中，液浸空間LS2可擋住以回收口23無法完全回收而從空間SP1洩漏之液體LQ之流出。例如，流出至空間SP1外側之液體LQ會在空間SP2與液浸空間LS2之液體LQ成為一體。此外，流出至空間SP1外側之液體LQ，例如被從液浸構件31與供應口50之間之回收口52回收。回收口52將來自空間SP1之液體LQ與液浸空間LS2之液體LQ一起加以回收。

本實施形態中，液浸空間LS2較液浸空間LS1小。因此，在物體以不滿足可於空間SP1維持液體LQ之液浸空間LS1之既定容許條件的條件下移動於Y軸方向之場合，亦能抑制液浸空間LS2之液體LQ從空間SP2流出之情形。

本實施形態中，在空間SP1(誘導空間A)與空間SP2之間配置有第3構件33(33A)。從空間SP1朝向空間SP2之液浸空間LS2之液體LQ會碰到第3構件33。據此，液體LQ從空間SP1朝向空間SP2(液浸空間LS2)之流動(移動)受到限制。例如，從空間SP1流出之液體LQ在空間SP1與空間 SP2(液浸空間SP2)之間被細分。例如，從空間SP1流出之液體LQ之滴DL1，因碰到第3構件33而被分割為複數個滴DL2。例如，從空間SP1流出之重量(或尺寸)W1之滴DL1，因碰到第3構件33而變化為較重量(尺寸)W1小之重量(尺寸)W2之滴DL2。如以上所述，本實施形態中，從空間SP1朝向空間SP2移動之液體LQ之滴DL1之重量(尺寸)因第3構件33而變小。

又，亦可由第3構件33吸收來自空間SP1之液體LQ(滴DL1)之至少一部分，以限制液體LQ從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之移動。例如，可由第3構件33吸收來自空間SP1之液體LQ(滴DL1)之至少一部分，以減小從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ(滴)之重量(尺寸)。例如，在第3構件33包含多孔構件之場合，可藉由第3構件33與液體LQ(滴)之接觸，減小從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ(滴)之重量(質量)。此外，在第3構件33不包含多孔構件之場合，亦能將液體LQ(滴)加以細分、或吸引液體LQ(滴)之至少一部分。

又，亦可由第3構件33捕捉來自空間SP1之液體LQ(滴)之至少一部分，據以限制液體LQ從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之移動。例如，可由第3構件33捕捉來自空間SP1之液體LQ(滴DL1)之至少一部分，以減小從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ(滴)之重量(尺寸)。本實施形態中，第3構件33係配置在能與來自空間SP1之液體LQ(滴)接觸之位置。因此，第3構件33可捕捉從空間 SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ(滴)之至少一部分。又，第3構件33亦可捕捉從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ(滴)之全部。

液體LQ從空間SP1移動至液浸空間LS2而被取至該液浸空間LS2之情形時，在被取入至液浸空間LS2之前(一體化之前)，先減小液體LQ(滴)之重量(尺寸)。藉由此動作，即能抑制例如當該液體LQ進入液浸空間LS2時，該液浸空間LS2之形狀變化。此外，在與液浸空間LS2一體化之前，先減小來自空間SP1之液體LQ(滴)之重量(尺寸)。藉由此動作，來自空間SP1之液體LQ即能與液浸空間LS2之液體LQ順暢的一體化。

例如，當重量(尺寸)大的液體LQ(滴)碰到液浸空間LS2時，有可能發生液浸空間LS2之界面LG2之形狀變化、或液浸空間LS2之液體LQ之至少一部分從空間SP2流出之情形。於本實施形態，由於縮小了碰到液浸空間LS2之液體LQ(滴)，因此能在例如抑制液浸空間LS2之形狀變化、或液浸空間LS2之液體LQ之至少一部分從空間SP2流出之同時，將來自該空間SP1之液體LQ與液浸空間LS2之液體LQ一起從回收口52回收。

又，亦可不藉由第3構件33來細分液體LQ。例如，可以來自空間SP1之液體LQ之高度變低之方式，限制液體LQ之流動。

又，第3構件33可以不是多孔構件。例如，無需以第3構件33進行液體LQ之吸收之情形時，第3構件33可以不是多孔構件。

此外，第3構件33之下面可以是傾斜的。例如，可於相對光軸AX之放射方向，朝外側向下方傾斜。例如，可如圖4所示，第3構件33之下面可傾斜成其高度朝+Y軸方向漸漸變低。此場合，第3構件33亦可不是多孔構件。

又，當第3構件33為多孔構件之情形時，為使多孔構件乾燥，可於多孔構件設置加熱裝置，亦可作成能於多孔構件連接吸引裝置(真空裝置)。

本實施形態中，下面14之周緣部36包含傾斜面43。亦即，在周緣部36之下面14(傾斜面43)與基板P(物體)之上面間之距離，較在周緣部36內側中央部之下面14(26、42)與基板P(物體)之上面間之距離大。因此，來自空間SP1之液體LQ，不致被捕捉在下面14之周緣部36與基板P(物體)之上面之間，而能從空間SP1往空間SP2移動。例如圖7之示意圖所示，當下面14與基板P(物體)之上面的距離較短時，即有可能發生在液浸空間LS1之外側，液體LQ被捕捉在下面14之周緣部36與基板P(物體)之上面之間的現象(停留現象)。又，液體LQ被捕捉在下面14與基板P(物體)之上面之間的現象，亦被稱為架橋(bridge)現象。本實施形態中，由於在下面14之周緣部36設置傾斜面43，加大了下面14之周緣部36與基板P(物體)之上面間之距離，因此能抑制架橋現象之發生。

又，於本實施形態，由於傾斜面43對液體LQ為撥液性，因此架橋現象之發生受到抑制。

以上，針對基板P(物體)往+Y方向移動之情形時第3構件33A及液體LQ之狀態做了說明。基板P(物體)往-Y方向移動之情形時，藉由第3構件33限制了液體LQ從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之流動(移動)，通過第3構件33B與基板P(物體)間之間隙之液體LQ從第2構件32B之回收口52加以回收。針對第3構件33B及基板P(物體)往-Y方向移動時之液體LQ之狀態則省略說明。

如以上之說明，本實施形態中，由於設置了第3構件33，因此在液體LQ從空間SP1流出之情形時，能將朝向空間SP2之液體LQ加以細分、或減少朝向空間SP2之液體LQ之量、及/或降低朝向空間SP2之液體LQ之高度。因此，能將以回收口23無法完全回收而從空間SP1漏出之液體LQ，從回收口52更為確實的加以回收。由是之故，液體LQ流出至空間SP2外側之情形受到抑制，液體LQ殘留在與液浸構件3對向之物體(基板P等)上面的情形受到抑制。因此，能抑制曝光不良之發生、及產生不良元件。

又，本實施形態中，第1構件31與第2構件32可以是一體的。亦即，第1構件31之至少一部分與第2構件32可以是連結的。此外，亦可設置調整一體之第1構件31及第2構件32之温度的温度調整裝置。又，第1構件31與第3構件33可以是一體的。亦即，第1構件31之至少一部分與第3構件33可以是連結的。此外，亦可設置調整一體之第1構件31及第3構件33之温度的温度調整裝置。

<第2實施形態>

接著，說明第2實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖8係顯示第2實施形態之液浸構件3002之一例的側視圖。圖8中，液浸構件3002包含第1構件31、第2構件32、以及配置在第1構件31與第2構件32之間之第3構件3302。本實施形態中，第3構件3302與第1構件31是分離的。又，第3構件3302與第2構件32是分離的。

圖9係從下方觀察第3構件3302之一部分的圖。如圖9所示，第3構件3302具有在相對軸J與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)從通過空間SP2之軸J之+X側往空間SP2延伸之部分33A、與從軸J之-X側往空間SP2延伸之部分33B。

本實施形態中，在與基板P(物體)大致平行之面內(XY平面內)，於與軸J垂直方向(X軸方向)之部分33A與部分33B之間隔，隨著接近空間SP2而漸小。

又，本實施形態中，部分33A與部分33B之間隔，隨著離開光路K而漸小。

本實施形態中，第3構件3302表面之至少一部分對液體LQ為撥液性。本實施形態中，第3構件3302表面對液體LQ之接觸角，例如大於90度。第3構件3302表面對液體LQ之接觸角，例如可以是100度以上、亦可以是110度以上。

本實施形態中，於第3構件3302表面之至少一部分，塗有含氟之撥液性材料。亦即，於第3構件3302表面之至少一部分，配置有包含撥液性材料之膜。撥液性之材料，例如可以是PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(polyetheretherketone)、亦可以是鐵氟龍(登錄商標)。此外，第3構件3302亦可是由含氟之撥液性材料形成。

第3構件3302係配置在從空間SP1流出之液體LQ(滴DL1)可接觸到之位置。第3構件3302限制液體LQ從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之移動。例如，從空間SP1往空間SP2之液體LQ(滴DL1)，因接觸第3構件3302之至少一部分而被細分。又，從空間SP1往空間SP2之液體LQ(滴DL1)，因與第3構件3302之至少一部分接觸，而被捕捉於該第3構件3302。

又，本實施形態中，第3構件3302將從空間SP1流出之液體LQ引導向空間SP2(液浸空間LS2)。本實施形態中，部分33A具有面向空間SP1之內面33AN。又，部分33B具有面向空間SP1之內面33BN。從空間SP1流入內面33AN之-Y側端部與內面33BN之-Y側端部之間之開口33KN之液體LQ(滴DL1)之至少一部分，被內面33AN、33BN引導而能移動至空間SP2(液浸空間LS2)。又，亦可將從空間SP1流出之液體LQ(滴DL1)之至少一部分，以基板P(物體)之上面可對向之第3構件3302之下面33D加以引導而移動至空間SP2(液浸空間LS2)。

又，本實施形態中，第3構件3302可以是多孔構件。

又，本實施形態中，第1構件31與第2構件32可以是一體的。亦即，第1構件31之至少一部分與第2構件32可以是連結的。此外，亦可設置調整一體之第1構件31及第2構件32之温度的温度調整裝置。

<第3實施形態>

接著，說明第3實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖10係顯示第3實施形態之液浸構件3003之一例的圖。圖10中，第3構件3303具有吸引來自空間SP1之液體LQ(滴DL1)之至少一部分的吸引口60。吸引口60吸引從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ。藉由第3構件3303，限制液體LQ從空間SP1往空間SP2之移動。

吸引口60係以基板P(物體)之上面可對向之方式，配置在第3構件3303之下面。吸引口60透過形成在第3構件3303內部之流路60R與液體吸引裝置連接。液體吸引裝置可將吸引口連接於真空系統。藉由液體吸引裝置之作動，從空間SP1流出、接觸吸引口60之液體LQ之至少一部分即被從吸引口60吸引。據此，從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ之重量(尺寸)即變小。

又，如圖11所示，亦可由第2構件3303B具備可吸引流體(液體LQ及氣體中之一方或兩方)之多孔構件61。圖11所示例中，多孔構件61之孔具有可吸引流體(液體LQ及氣體中之一方或兩方)之吸引口60B之功能。第3構件3303B 具有面向基板P(物體)上面之開口33K。多孔構件61配置於開口33K。液體吸引裝置使形成在第3構件3303B、多孔構件61之上面面向之內部空間60RB成為負壓。據此，存在於基板P之上面對向之多孔構件61下面側之液體LQ之至少一部分，即從多孔構件61之孔(吸引口60B)加以回收。

本實施形態中，第1構件31之至少一部分與第3構件3303(3303B)可以是連結的(可以是一體的)。又，第2構件32之至少一部分與第3構件3303(3303B)可以是連結的(可以是一體的)。又，亦可設置調整一體之第1構件31及第3構件3303(3303B)之温度的温度調整裝置。此外，亦可設置調整一體之第2構件32及第3構件3303(3303B)之温度的温度調整裝置。

又，上述各實施形態中，第3構件(3302、3303、3303B)可以是可動的。例如，第3構件(3302、3303、3303B)可以是可動於Z方向。

<第4實施形態>

接著，說明第4實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖12係顯示第4實施形態之液浸構件之一例的圖。圖12中，液浸構件3004具有將從空間SP1流出之液體LQ引導向空間SP2(液浸空間LS2)之導件3304。

本實施形態中，導件3304被支承於第2構件3204。又，本實施形態中，液浸空間LS2於XY平面內之形狀為實質圓形。

導件3304被配置成在第1構件31與第2構件3204之間，與從空間SP1流出之液體LQ接觸。

本實施形態中，基板P(物體)之上面可對向之導件3304之下面，配置在較第1構件31之下面14接近基板P(物體)之位置。又，導件3304之下面，配置在較第2構件3204之下面1504接近基板P(物體)之位置。

導件3304，具有在相對軸J與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)從通過空間SP2之軸J之+X側向空間SP2延伸之部分33E、與從軸J之-X側向空間SP2延伸之部分33F。

本實施形態中，在與基板P(物體)大致平行之面內(XY平面內)，在與軸J垂直之方向(X軸方向)之部分33E與部分33F之間隔，隨著接近空間SP2而漸小。

又，本實施形態中，部分33E與部分33F之間隔，隨著離開光路K而漸小。

本實施形態中，導件330表面之至少一部分對液體LQ為撥液性。本實施形態中，導件3304表面對液體LQ之接觸角，例如大於90度。導件3304表面對液體LQ之接觸角，例如可以是100度以上、亦可以是110度以上。

本實施形態中，於導件3304表面之至少一部分，塗有含氟之撥液性材料。亦即，於導件3304表面之至少一部分，配置有含撥液性材料之膜。撥液性之材料，可以是例如PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(polyetheretherketone)、亦可以是鐵氟龍(登錄商標)。又，導件3304可以含氟之撥液性材料形成。

導件3304配置在來自空間SP1之液體LQ可接觸到之位置。從空間SP1流出之液體LQ，藉由與導件3304之至少一部分之接觸，而被引導向空間SP2(液浸空間SL2)。

本實施形態中，部分33E具有面向空間SP1之內面33EN。又，部分33F具有面向空間SP1之內面33FN。從空間SP1流入內面33EN之-Y側端部與內面33FN之-Y側端部之開口之液體LQ之至少一部分，可被內面33EN、33FN引導而移動至空間SP2(液浸空間LS2)。又，亦可將來自空間SP1之液體LQ之至少一部分，以導件3304之下面加以引導而移動至空間SP2(液浸空間LS2)。

又，從空間SP1流出之液體LQ，有可能因導件3304而限制了往空間SP2(液浸空間LS2)之移動。例如，從空間SP1往空間SP2之液體LQ有可能因導件3304而被細分。此外，從空間SP1往空間SP2之液體LQ有可能因與導件3304之至少一部分接觸，而被捕捉於該導件3304。

又，本實施形態中，導件3304可以是多孔構件。

又，亦可如圖13所示，於導件3304B之下面形成有槽62。槽62，包含形成在部分33E下面之部分62E、與形成在部分33F下面之部分62F。本實施形態中，槽62(62E、62F)係狹縫狀。來自空間SP1之液體LQ之至少一部分，被槽62引導而移動至空間SP2(液浸空間LS2)。

又，上述各實施形態中，第1構件31可以是可動的。例如，第1構件31可以是於Z方向可動。

<第5實施形態>

接著，說明第5實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖14係顯示第5實施形態之第1構件3105之下面1405之一例的圖。本實施形態中，下面1405，包含配置用以回收液體LQ之回收口23之多孔構件2405的下面4205、與相對光路K在下面4205之外側配置成面向空間SP1而於相對光路K之放射方向朝外側向上方傾斜之傾斜面4305。

本實施形態中，傾斜面4305係配置在包含下面1405之外緣之外緣區域。傾斜面4305與基板P(物體)上面之距離，較下面4205與基板P(物體)上面之距離大。

本實施形態中，第1構件310具有配置在傾斜面4305、可回收液體LQ之回收口63。

本實施形態中，傾斜面4305包含具有複數個回收口63之多孔構件64之下面。

本實施形態中，多孔構件2405係板狀構件。多孔構件2405，具有基板P(物體)之上面對向之下面4205、朝向下面4205之相反方向之上面2505、以及形成為將下面4205與上面2505加以連結之複數個孔。

本實施形態中，多孔構件64之構造與多孔構件2405之構造不同。本實施形態中，多孔構件64係以例如燒結法形成。

以下之說明中，將多孔構件2405適當的稱為網眼構件2405，將多孔構件64適當的稱為孔構件64。

本實施形態中，第1構件3105之外面314E之至少一部分，包含孔構件64之表面。本實施形態中，於外面314E之至少一部分配置回收口63。

網眼構件2405之上面2505所面對之空間2305R，與包含真空系統之液體回收裝置連接。空間SP1之液體LQ，從網眼構件2405之回收口23回收。

又，孔構件64亦與包含真空系統之流體吸引裝置連接。例如與傾斜面63接觸之液體LQ，從配置於傾斜面4305之回收口63回收。

本實施形態中，由於第1構件3105亦具有傾斜面4305，因此能抑制所謂之架橋現象之發生。又，本實施形態，於傾斜面4305配置有回收口63，因此能將例如從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ之至少一部分，從回收口63加以回收。因此，能減小從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ之大小(質量等)。此外，本實施形態中，由於傾斜面4305係由孔構件64形成，因此能限制液體LQ從空間SP1往空間SP2之移動。例如，能使從空間SP1往空間SP2之液體LQ之至少一部分變細、或加以細分。

又，本實施形態中，雖將回收口63與包含真空系統之流體吸引裝置加以連接，該流體吸引裝置將接觸傾斜面 4305之液體LQ從回收口63加以回收，但回收口63可以不是連接於流體吸引裝置。藉由將傾斜面4305以孔構件64形成，即能抑制在該傾斜面4305之架橋現象之發生。此外，即使例如在孔構件64與基板P之間暫時產生架橋現象，由於使架橋現象發生之液體LQ會被孔構件64吸收，因此不會於基板P殘留異物(汙染物)，而能消除架橋現象。又，藉由將下面1405之外緣區域以孔構件64形成，能限制液體LQ從空間SP1往空間SP2之移動。例如，能將從空間SP1往空間SP2之液體LQ之至少一部分，以該孔構件64吸收、或捕捉。

<第6實施形態>

接著，說明第6實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖15係顯示第6實施形態之第1構件3106之一部分的圖。圖15中，第1構件3106之下面1406係配置成基板P之上面與之對向，包含配置用以回收液體LQ之回收口23之下面4206、與相對光路K在下面4206之外側配置成面向空間SP1而於相對光路K之放射方向朝外側向上方傾斜之傾斜面4306。

本實施形態中，第1構件3106，具有配置於下面4206而能回收液體LQ之複數個回收口23、與配置於傾斜面4306而能回收液體LQ之複數個回收口65。

本實施形態中，傾斜面4306係配置在包含下面1406 之外緣之外緣區域。傾斜面4306與基板P(物體)上面之距離，較下面4206與基板P(物體)上面之距離大。

本實施形態中，下面4206包含具有複數個回收口23之網眼構件2406之下面。傾斜面4306包含具有複數個回收口65之網眼構件之下面。本實施形態中，具有回收口23之網眼構件2406與具有回收口65之網眼構件係一體的。於本實施形態，藉由彎折網眼構件2406，配置下面4206與傾斜面4306。

網眼構件2406之上面2506面向之空間2306R，與包含真空系統之液體回收裝置連接。空間SP1之液體LQ從網眼構件2406之回收口23、65回收。又，從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ之至少一部分，從配置於傾斜面4306之回收口65回收。因此，能限制液體LQ從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之移動。例如，能減小從空間SP1往空間SP2(液浸空間LS2)之液體LQ之大小(質量等)。又，於本實施形態，由於傾斜面4305係由網眼構件2406形成，因此能將從空間SP1往空間SP2之液體LQ之至少一部分加以捕捉、或加以細分。又，於本實施形態，亦能抑制所謂架橋現象之發生。

又，例如圖16所示，第1構件3106B之下面1406B，亦可包含具有回收口23之下面4206B、相對光路K配置在下面4206B之外側且具有回收口65之傾斜面4306B、以及相對光路K配置在傾斜面4306B之外側且不具有回收口之下面4406B。亦即，在下面1406B中、包含下面1406B之外緣之外緣區域，可不配置回收口。下面4406B與基板P上面之距離，較下面4206B與基板P上面之距離、及傾斜面4306B與基板P上面之距離大。

<第7實施形態>

接著，說明第7實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖17係顯示第7實施形態之第1構件3107之一例的圖。圖17中，第1構件3107，包含網眼構件2407、與連接在網眼構件2407之下面4207之外緣區域的孔構件66。第1構件3107之下面1407，包含網眼構件2407之下面4207與孔構件66之下面67。本實施形態中，配置在下面1407之外緣區域之回收口68，包含孔構件66之孔。

本實施形態中，網眼構件2407之下面4207與孔構件66之下面67之間形成有段差。本實施形態中，網眼構件2407之下面4207與基板P(物體)上面之距離，較孔構件66之下面67與基板P(物體)上面之距離大。

本實施形態中，網眼構件2407與孔構件67，例如係熔接的。

網眼構件2407被支承於第1構件3107之本體部3127。孔構件66被支承於網眼構件2407之至少一部分。又，孔構件66被支承於本體部3127之至少一部分。

網眼構件2407之上面2507面向空間2307R。控制裝置4，為將空間SP1之液體LQ從回收口23加以回收，使空間 2307R成為負壓。亦即，控制裝置4調整空間2307R及空間SP1中之一方或兩方之壓力，以使空間2307R之壓力較空間SP1之壓力低。本實施形態中，空間2307R之壓力以液體回收裝置加以控制。空間SP1之壓力以腔室裝置CH加以控制。

藉由使空間2307R成為負壓，空間SP1之少一部分之液體LQ，被從網眼構件2407之孔(回收口23)回收。從網眼構件2407之孔(回收口23)回收之液體LQ，流入空間2307R。又，於本實施形態，空間SP1之至少一部分之液體LQ係從孔構件66之孔(回收口68)回收。從孔構件66之孔(回收口68)回收之液體LQ，經由網眼構件2407之孔(回收口23)流入空間。

本實施形態中，接觸於網眼構件2407之下面4207(回收口23)之空間SP1之液體LQ之至少一部分，經由網眼構件2407之孔(回收口23)流入空間2307R。接觸於孔構件66之下面67(回收口68)之空間SP1之液體LQ之至少一部分，經由孔構件66之孔及網眼構件2407之孔流入空間。

如以上之說明，本實施形態中，由於亦在下面1407之外緣區域配置有回收口68，因此架橋現象之發生受到抑制。又，即使在例如孔構件66與基板P之間暫時產生架橋現象，由於引發架橋現象之液體LQ會被孔構件66吸收，因此能在不會於基板P殘留異物(汙染物)之情形下，消除架橋現象。

又，本實施形態，亦能限制液體LQ從空間SP1往空間 SP2之移動。例如，可將從空間SP1往空間SP2之液體LQ加以細分、捕捉、或吸引。亦即，可將從空間SP1往空間SP2之液體LQ，在空間SP1與空間SP2之間加以縮小。

<第8實施形態>

接著，說明第8實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖18係顯示第8實施形態之液浸構件3008之一例的圖。圖18中，液浸構件3008，具有形成空間2308R之第1構件3108與配置在第1構件3108周圍之至少一部分、形成有空間69之回收構件3308。

又，液浸構件3008，具有網眼構件2408與孔構件70。液浸構件3008之下面1408，包含網眼構件2408之下面4208及孔構件70之下面71。

網眼構件2408被支承於第1構件3108之本體部3128之至少一部分。孔構件70之至少一部分連接於網眼構件2408之下面4208之外緣區域。又，孔構件70之至少一部分被支承於本體部3128及回收構件3308。

於空間2308R連接有包含真空系統之液體回收裝置。於空間69亦連接有包含真空系統之液體回收裝置。經由網眼構件2408之孔(回收口)流入空間2308R之液體LQ，被回收至液體回收裝置。經由孔構件70之孔(回收口)流入空間69之液體LQ，被回收至液體回收裝置。

圖18所示例中，亦由於回收口配置至下面1408之外緣區域，因此架橋現象之發生受到抑制。又，即使在例如孔構件70與基板P之間暫時產生架橋現象，由於引發架橋現象之液體LQ會被孔構件70吸收，因此能在不會於基板P殘留異物(汙染物)之情形下，消除架橋現象。

又，本實施形態，亦能限制液體LQ從空間SP1往空間SP2之移動。例如，可將從空間SP1往空間SP2之液體LQ加以細分、捕捉、或吸引。亦即，可將從空間SP1往空間SP2之液體LQ，在空間SP1與空間SP2之間加以縮小。

<第9實施形態>

接著，說明第9實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖19係顯示第9實施形態之第1構件3109之一例的圖。圖19中，第1構件3109，具有網眼構件2409與至少一部分連接於網眼構件2409之上面2509之外緣區域的孔構件72。本實施形態中，孔構件72之下面73之至少一部分係與網眼構件2409之上面2509連接。孔構件72之上面之至少一部分連接於第1構件3109之本體部3129。

本實施形態中，第1構件3109之下面1409包含網眼構件2409之下面4209及孔(porus)構件72之下面73。下面1409之外緣區域包含孔構件72之下面73。本實施形態中，配置在下面1409之外緣區域之回收口，包含配置在網眼構件2409外緣外側之孔構件72之孔。本實施形態中，網眼構件2409之下面4209與配置在該網眼構件2409之下面 4209外側之孔構件72之下面73，大致成同面高(配置在同一平面內)。又，於Z軸方向之網眼構件2409之下面4209之位置(高度)與孔構件72之下面73之位置(高度)可以不同。

本實施形態中，網眼構件2409與孔構件72之至少一部分是熔接的。於本實施形態，網眼構件2409之下面4209之外緣與孔構件72之下面73之一部分熔接。於相對光路K之放射方向，於熔接部74之外側配置孔構件72之下面73。

空間SP1之液體LQ從網眼構件2409之孔及孔構件72之孔中一方或兩方回收。

又，本實施形態中，第1構件3109之外面3149之至少一部分包含孔構件72之表面。亦即，於外面3149之至少一部分配置有孔構件72之孔(回收口)。

亦由於回收口配置至下面1409之外緣區域，因此架橋現象之發生受到抑制。又，即使在例如孔構件72與基板P之間暫時產生架橋現象，由於引發架橋現象之液體LQ會被孔構件72吸收，因此能在不會於基板P殘留異物(汙染物)之情形下，消除架橋現象。

<第10實施形態>

接著，說明第10實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖20係顯示第10實施形態之第1構件3110之一例的圖。圖20中，第1構件3110之下面1410包含網眼構件2410之下面4210。此外，本實施形態中，於第1構件3110之外面315之至少一部分，配置有可回收液體LQ之回收口65J。

本實施形態中，包含下面1410之外緣之外緣區域，包含網眼構件2410之下面4210。又，本實施形態中，網眼構件2410是被彎折的。外面315包含網眼構件2410之下面(外面)。朝向外面之相反方向之網眼構件2410之內面，面向空間2310R。

本實施形態中，形成外面315之網眼構件2410之外面之上端與第1構件3110之本體部3120外面之一部分熔接。

空間SP1之液體LQ之至少一部分，從配置在形成下面1410之網眼構件2410之下面4210的回收口23J回收。又，液體LQ之至少一部分，從配置在形成外面315之網眼構件2410外面的回收口65J回收。從網眼構件2410之回收口23J、65J回收之液體LQ，流入空間2310R。

於本實施形態，由於回收口23J配置到下面1410之外緣區域，因此架橋現象之發生受到抑制。此外，本實施形態中，由於在包含外面315下端之下端區域配置有回收口65J，因此，可藉由例如配置成與下面1410之外緣及外面315之下端中之一方或兩方接觸之液體LQ，抑制架橋現象之發生。

<第11實施形態>

接著，說明第11實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖21係從下面側觀察第11實施形態之液浸構件3011的圖。圖21中，第1構件3111之下面1411之外形為橢圓形。本實施形態中，具有橢圓形狀之下面1411之長軸，與X軸大致平行。又，長軸亦可與Y軸平行。

本實施形態中，下面1411配置在從射出面7射出之曝光用光EL通過之開口20周圍，包含無法回收液體LQ之面2611與配置在面2611周圍、可回收液體LQ之回收面2111。本實施形態中，面2611為平面。回收面2111，包含具有複數個回收口23之多孔構件2411之下面4211。

本實施形態中，面2611包含第1邊H1、第2邊H2、第3邊H3與第4邊H4。

第1邊H1，配置成在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，從通過空間SP2之軸J之+X側往誘導空間A延伸。第2邊H2則係在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，從通過空間SP2之軸J之-X側往誘導空間A延伸。

本實施形態中，在與基板P(物體)大致平行之面內(XY 平面內)，與軸J垂直之方向(X軸方向)之第1邊H1與第2邊H2之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。

第3邊H3，配置成在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，從通過空間SP2之軸J之+X側往誘導空間A延伸。第4邊H4，則配置成在與基板P(物體)之上面大致平行之面內(XY平面內)，從通過空間SP2之軸J之-X側往誘導空間A延伸。

本實施形態中，在與基板P(物體)大致平行之面內(XY平面內)，與軸J垂直之方向(X軸方向)之第3邊H3與第4邊H4之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。

本實施形態中，第1邊H1與第2邊H2所夾之角度為銳角。第1邊H1與第2邊H2之間形成之角是尖的。本實施形態中，第3邊H3與第4邊H4所夾之角度為銳角。第3邊H3與第4邊H4之間形成之角是尖的。

本實施形態中，第1邊H1與第3邊H3所夾之角度為鈍角。第1邊H1與第3邊H3之間形成之角具有圓弧。本實施形態中，第2邊H2與第4邊H4所夾之角度為鈍角。第2邊H2與第4邊H4之間形成之角具有圓弧。

本實施形態中，包含下面1411之外緣之外緣區域，包含多孔構件2411之下面4211(回收面2111)。本實施形態中，在XY平面內之多孔構件2411之下面4211之外形為橢圓形。

本實施形態中，第2構件3211在第1構件3111之周圍配置有4個。本實施形態中，第2構件3211，包含相對光路K配置在+Y側之第2構件3211A、配置在-Y側之第2構件3211B、配置在+X側之第2構件3211C、與配置在-X側之第2構件3211D。本實施形態中，藉由第2構件3211形成之液浸空間LS2在XY平面內之液浸空間LS2之形狀(外形)，為大致圓形。

本實施形態中，第3構件3311，包含配置在第1構件3111與相對光路K配置在+Y側之第2構件3211A之間的第3構件3311A、與配置在第1構件3111與相對光路K配置在-Y側之第2構件3211B之間之第3構件3311B。本實施形態中，在第1構件3111與相對光路K配置在+X側之第2構件3211C之間、及在第1構件3111與相對光路K配置在-X側之第2構件3211D之間，雖未配置第3構件3311，但亦可加以配置。

本實施形態中，第3構件3311具有吸引流體之吸引口75。吸引口75配置在基板P可對向之位置。本實施形態中，吸引口75為於X軸方向長之狹縫狀。又，第3構件3311可包含上述實施形態所說明知多孔構件、亦可包含導件。

本實施形態，亦能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。於本實施形態，不僅僅是相對光路K之+Y側及-Y側，在+X側及-X側之各側配置有用以形成液浸空間LS2之第2構件3211，因此在形成有液浸空間LS1之狀態下，即使例如基板P往X軸方向移動，液體LQ從空間SP1流出至+X方向及-X方向中之至少一方，亦能將來自該空間SP1之液體LQ從第2構件3211之回收口52加以回收。回收口52能將來自空間SP1之液體LQ，與液浸空間LS2之液體LQ一起加以回收。

<第12實施形態>

接著，說明第12實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖22係顯示第12實施形態之液浸構件3012之一例的圖。圖22中，液浸構件3012，包含第1構件3112、第2構件3212、以及配置在第1構件3112與第2構件3212之間之第3構件3312。

本實施形態中，與終端光學元件8之側面8F對向之第1構件3112之內面313L，包含第1區域AR1、配置在第1區域AR1上方之第2區域AR2、以及配置在第1區域AR1與第2區域AR2之間且朝向與第1區域AR1及第2區域AR2不同方向之第3區域AR3。本實施形態中，第1區域AR1與第3區域AR3之間形成有角部KD1。第3區域AR3與第2區域AR2之間形成有角部KD2。

本實施形態中，對光路K供應液體LQ之供應口28L係配置在第2區域AR2。從供應口28L供應之液體LQ在流過側面8F與內面313L間之間隙之至少一部分後，經由開口20L供應至空間SP1。

又，第1構件3112，在基板P可對向之位置具有回收口23L。本實施形態中，第1構件3112包含多孔構件24L。回收口23L包含多孔構件24L之孔。

第2構件3212，具有供應液體LQ之供應口50L、與回收液體LQ之回收口52L。第2構件3212在液浸空間LS1周圍之一部分，形成液浸空間LS2。

本實施形態中，第3構件3312被第2構件3212支承。本實施形態中，第2構件3212與第3構件3312透過連接構件76連接。本實施形態中，第3構件3312，在基板P可對向之位置具有吸引口77。

本實施形態中，液浸構件3012具有使第2構件3212移動於Z軸方向之驅動裝置78。驅動裝置78受控制裝置4控制。控制裝置4，可控制驅動裝置78使第2構件3212移動於Z軸方向，以使第2構件3212之下面15L與基板P(物體)之上面間之距離變小。此外，控制裝置4可控制驅動裝置78使第2構件3212移動於Z軸方向，以使第2構件3212之下面15L與基板P(物體)之上面間之距離變大。

又，於本實施形態，第3構件3312連接於第2構件3212。藉由第2構件3212往Z軸方向之移動，第3構件3312即以第3構件3312之下面16L與基板P(物體)上面之距離變大、或變小之方式移動。

又，第3構件3312亦可不與第2構件3212連接。此外，使第3構件3312移動於Z軸方向之驅動裝置與使第2構件3212移動於Z軸方向之驅動裝置78，可以分別設置。又，亦可藉由可移動該第3構件3312之驅動裝置，使第3構件3312與第2構件3212分開獨立的移動。又，亦可以是第2構件3212可於Z軸方向移動，而第3構件3312之位置則是固定的。又，亦可以是第3構件3312可於Z軸方向移動，而第2構件3212之位置則是固定的。

本實施形態中，第1構件3112之位置是固定的。此外，亦可設置可移動第1構件3112之驅動裝置，藉由該驅動裝置使第1構件3112移動於Z軸方向。

本實施形態中，控制裝置4係以第2構件3212及第3構件3312不會接觸基板P(物體)之方式，控制於Z軸方向之第2構件3212及第3構件3312之位置。又，本實施形態中，控制裝置4控制於Z軸方向之第2構件3212之位置，使第2構件3212之下面15L與基板P(物體)上面之距離，變得較第1構件3112之下面14L與基板P(物體)上面之距離小。

例如，在第1構件3112之下面14L與基板P(物體)上面之距離係設定為0.5~1.0mm時，控制裝置4可控制驅動裝置使第2構件3212之下面15L與基板P(物體)上面之距離成為0.1~0.2mm。

如以上之說明，本實施形態中，亦能將從空間SP1流出之液體LQ與液浸空間LS2之液體LQ一起，從第2構件3212之回收口52L加以回收，因此能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。

<第13實施形態>

接著，說明第13實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖23係顯示第13實施形態之第2構件3213之一例的圖。圖23中，第2構件3213，具備配置成基板P之上面與之對向、供應液體LQ之供應口50M與配置成基板P之上面與之對向、回收液體LQ之回收口52M。本實施形態中，供應口50M及回收口52M係配置在基板P之上面可對向之第2構件3213之下面15M。

本實施形態中，回收口52M配置在供應口50M周圍之至少一部分。於本實施形態，係藉由與液體LQ從供應口50M之供應之至少一部分並行，實施從回收口52M之回收，據以在第2構件3213與基板P(物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS2。回收口52M將來自空間SP1之液體LQ與液浸空間LS2之液體LQ一起加以回收。

本實施形態中，第2構件3213之下面15M，包含配置在回收口52M周圍之至少一部分、基板P(物體)之上面隔著間隙G3對向之區域CR3與相對回收口52M配置在區域CR3之外側、基板P(物體)之上面隔著較間隙G3小之間隙G4對向之區域CR4。

本實施形態中，區域CR3配置在回收口52M與供應口50M之間。區域CR3配置在回收口52M周圍之一部分。本實施形態中，區域CR3之端部Tb1配置在回收口52M周圍之一部分。區域CR3之端部Tb2透過連接面C5與區域CR4之端部Tb3連接。於XY平面內，區域CR4之至少一部分係配置在區域CR3之端部Tb3與供應口50M之間。區域CR4之端部Tb3與連接面C3之下端連接。區域CR4之端部Tb4配置在供應口50M周圍之至少一部分。

又，本實施形態中，第2構件3213之下面15M包含配置在回收口52M周圍之至少一部分、基板P(物體)之上面隔著間隙G5對向之區域CR5。間隙G5之尺寸較間隙G4之尺寸大。本實施形態中，區域CR5之一部分與基板P上面之距離，較區域CR3與基板P上面之距離大、區域CR5之一部分與基板P上面之距離，較區域CR3與基板P上面之距離小。本實施形態中，區域CR5於相對供應口50M中心之放射方向，朝外側向上方傾斜。

本實施形態中，區域CR3與連接面C5大致直角相交。

在形成有液浸空間LS2之狀態下，區域CR4較區域CR3配置在液浸空間LS2之中心側。又，在形成有液浸空間LS2之狀態下，區域CR4配置在較區域CR3接近供應口50M之位置。區域CR3較區域CR4配置在接近液浸空間LS2之液體LQ之界面LG2之位置。本實施形態中，液浸空間LS2之液體LQ之界面LG2，形成在區域CR3與基板P(物體)上面之間。又，液浸空間LS2之液體LQ之界面LG2亦可以是形成在回收口52M(連接於回收口52M之內部流路52RM之內面)與基板P(物體)上面之間。

於本實施形態，由於在液浸空間LS2之液體LQ之界面LG2近傍之下面15M(區域CR3)與基板P(物體)上面之距離，較配置液浸空間LS2中央部之下面15M(區域CR4)與基板P(物體)上面之距離大，因此液體LQ在區域CR3與基板P上面之間(界面LG2近傍)之速度梯度小。因此，液體LQ 在區域CR3與基板P上面之間(界面LG2近旁)之黏性小。是以，在形成有液浸空間LS2之狀態下，即使基板P(物體)在XY平面內移動，液體LQ之界面LG2之變形亦受到抑制。因此，液浸空間LS2之液體LQ從空間SP2流出、或在基板P(物體)上薄膜化之情形受到抑制。例如，在形成有液浸空間LS2之狀態下，基板P(物體)往+Y方向移動之場合，於Y軸方向之液浸空間LS2之液體LQ之變形(界面LG2之變形)即受到抑制。例如，在形成有液浸空間LS2之狀態下，基板P(物體)往Y軸方向移動之場合，於Y軸方向之下面15M與界面LG2之交點與基板P上面與界面LG2之交點的距離變大之情形即受到抑制。

如以上之說明，根據本實施形態，由於在回收口52M周圍之一部分設置了由區域CR3與區域CR4形成之段差，因此能抑制液浸空間LS2之液體LQ之界面LG2之變形，抑制液體LQ之流出。

<第14實施形態>

接著，說明第14實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖24係顯示第14實施形態之液浸構件3014之一例的圖。圖24中，液浸構件3014具有第1構件3114。本實施形態中，液浸構件3014不具有第2構件。亦即，於本實施形態，不形成液浸空間LS2。當然，液浸構件3014亦可具有第2構件、亦可形成液浸空間LS2。此外，第2構件之回收口可將來自空間SP1之液體LQ與液浸空間LS2之液體LQ一起加以回收。

第1構件3114，具有對光路K供應液體LQ之供應口28N與配置成基板P之上面與之對向、回收流體(液體LQ及氣體中之一方或兩方)之回收口22N。回收口22N配置在基板P可對向之第1構件3114之下面14N。本實施形態中，回收口22N回收液浸空間LS1之液體LQ、與該液浸空間LS1周圍之氣體的兩方。例如，由於進行從回收口22N之回收，空間CS之氣體之至少一部分會流入回收口22N。與液體LQ從供應口28N之供應並行進行從回收口22N之回收，據以形成液浸空間LS1。

本實施形態中，第1構件3114之下面14N，包含配置在回收口22N周圍之至少一部分、基板P(物體)之上面隔著間隙G1對向之區域CR1與相對回收口22N配置在區域CR1之外側、基板P(物體)之上面隔著較間隙G1小之間隙G2對向之區域CR2。

本實施形態中，區域CR1係於相對光路K之放射方向配置在供應口28N與回收口22N之間。區域CR1配置在回收口22N周圍之一部分。本實施形態中，區域CR1之端部Tb6配置在回收口22N周圍之一部分。區域CR1之端部Tb7透過連接面C3與區域CR2之端部Tb8連接。於XY平面內，區域CR2之至少一部分配置在區域CR1之端部Tb7與開口20N(供應口28N)之間。區域CR2之端部Tb8與連接面C3之下端連接。區域CR2之端部Tb9配置在開口20N周圍之至少一部分。

本實施形態中，區域CR1與連接面C3成大致直角相交。

在形成有液浸空間LS1之狀態下，區域CR2較區域CR1配置在液浸空間LS1之中心側。又，在形成有液浸空間LS1之狀態下，區域CR2較區域CR1配置在接近開口20N(供應口28N)之位置。區域CR1配置在較區域CR2接近液浸空間LS1之液體LQ之界面LG1之位置。本實施形態中，液浸空間LS1之液體LQ之界面LG1形成在區域CR1與基板P(物體)上面之間。又，亦可以是液浸空間LS1之液體LQ之界面LG1形成在回收口22N(連接於回收口22N之內部流路23RN之內面)與基板P(物體)上面之間。

於本實施形態，由於在液浸空間LS1之液體LQ之界面LG1近旁之下面14N(區域CR1)與基板P(物體)上面之距離，較配置液浸空間LS1中央部之下面14N(區域CR2)與基板P(物體)上面之距離大，因此液體LQ在區域CR1與基板P上面之間(界面LG1近旁)之速度梯度小。因此，液體LQ在區域CR1與基板P上面之間(界面LG1近旁)之黏性小。是以，即使在形成有液浸空間LS1之狀態下，於XY平面內基板P(物體)移動，液體LQ之界面LG1之變形亦受到抑制。因此，液浸空間LS1之液體LQ從空間SP1流出、或在基板P(物體)上薄膜化之情形受到抑制。例如，在形成有液浸空間LS1之狀態下，基板P(物體)往+Y方向移動之場合，於Y軸方向之液浸空間LS1之液體LQ之變形(界面LG1之變形)受到抑制。例如，在形成有液浸空間LS1之狀態下，基板P(物體)往Y軸方向移動之場合，於Y軸方向之下面14N與界面LG1之交點與基板P上面與界面LG1之交點的距離變大之情形即受到抑制。

如以上之說明，根據本實施形態，由於在回收口22N周圍之一部分設置了由區域CR1與區域CR2形成之段差，因此能抑制液浸空間LS1之液體LQ之界面LG1之變形、進而抑制液體LQ之流出。

<第15實施形態>

接著，說明第15實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖25係顯示第15實施形態之液浸構件3015之一例的圖。第15實施形態係第12實施形態之變形例。

液浸構件3015，包含第1構件3115、第2構件3212、與配置在第1構件3112與第2構件3212之間之第3構件3312。

本實施形態中，與基板P等物體對向之第1構件3115之下面14O，包含區域BR1、與相對從射出面7射出之曝光用光EL之光路K配置在區域BR1外側之區域BR2。本實施形態中，回收口23L配置在區域BR2。區域BR1配置在較區域BR2高之位置(+Z側之位置)。亦即，區域BR1與基板P上面之距離，較區域BR2與基板P上面之距離大。本實施形態中，區域BR1與基板P上面之距離，例如為0.5~1.0mm程度。區域BR2與基板P上面之距離，例如為0.1 ~0.2mm程度。區域BR1與區域BR2之間形成段差。

區域BR1與基板P之間形成充滿液浸空間LS1之液體LQ之空間SP1a。區域BR2與基板P之間形成較空間SP1a小之空間SP1b。液浸空間LS1之液體LQ與區域BR1接觸。此外，液浸空間LS1之液體LQ與區域BR2之至少一部分接觸。

於本實施形態，由於形成有從物體上面之距離較區域BR1大之區域BR1，因此，例如基板載台2P等物體之振動傳遞至第1構件3115之情形受到抑制。換言之，可緩和物體之動作對第1構件3115造成之影響。

又，本實施形態中，雖係於第12實施形態說明之液浸構件3012設置了區域BR1、BR2，但當然亦可在第1~第11、第13、第14實施形態所說明之液浸構件(3等)具有之第1構件(31等)下面設置區域BR1、BR2。例如，可如圖26所示，在第1構件3116之下面14P設置區域BR1、BR2。

又，上述各實施形態中，第2構件(32、3212、3213)可以是可動的。例如，第2構件(32、3212、3213)可以是於Z方向可動。

<第16實施形態>

接著，說明第16實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖27(A)~(H)之各個中，顯示了第1構件之下面14A~14H之外形之例。又，圖27(A)~(H)顯示了下面14A~14H 之一部分。

如圖27(A)所示，下面14A之外形，可以是橢圓形、或圓形。下面14A之邊緣，具有從軸J之+X側向誘導空間A延伸之部分411A、與從軸J之-X側向誘導空間A延伸之部分411B。XY平面內於X軸方向之部分411A與部分411B之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。本實施形態中，部分411A、411B之至少一部分是彎曲的。

圖27(B)所示之下面14B之邊緣，具有從軸J之+X側往誘導空間A延伸之部分412A、與從軸J之-X側往誘導空間A延伸之部分412B。XY平面內於X軸方向之部分412A與部分412B之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。本實施形態中，部分412A、412B係彎曲成往內側凹入。

圖27(C)所示之下面14C之邊緣，具有從軸J之+X側往誘導空間A延伸之部分413A、與從軸J之-X側往誘導空間A延伸之部分413B。XY平面內於X軸方向之部分413A與部分413B之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。部分413A及部分413B分別為直線狀。又，下面14C包含將部分413A之前端與部分413B之前端加以連結之邊緣413S。邊緣413S為與X軸大致平行之直線狀。

圖27(D)所示之下面14D之邊緣，具有從軸J之+X側往誘導空間A延伸之部分414A、與從軸J之-X側往誘導空間A延伸之部分414B。XY平面內於X軸方向之部分414A與部分414B之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。部分414A及部分414B分別為直線狀。又，下面14D包含將部分414A之前端與部分414B之前端加以連結之邊緣414S及邊緣414T。邊緣414S與邊緣414T往不同之方向延伸。由邊緣414S與邊緣414T形成相對液浸空間LS2凹入之凹部。

圖27(E)所示之下面14E之邊緣，具有部分415A與部分415B。又，下面14E包含將部分415A之前端與部分415B之前端加以連結之邊緣415S、邊緣415T、415U、415V。由邊緣415S與邊緣415T形成相對液浸空間LS2凹入之第1凹部，由邊緣415U與邊緣415V形成第2凹部。

圖27(F)所示之下面14F之邊緣，具有從軸J之+X側往誘導空間A延伸之部分416A、與從軸J之-X側往誘導空間A延伸之部分416B。XY平面內於X軸方向之部分416A與部分416B之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。部分416A及部分416B分別為直線狀。部分416A與部分416B之間形成之角是尖的。

圖27(G)所示之下面14G之邊緣，具有從軸J之+X側往誘導空間A延伸之部分417A、與從軸J之-X側往誘導空間A延伸之部分417B。XY平面內於X軸方向之部分417A與部分417B之間隔，隨著接近誘導空間A而漸小。又，下面14G包含將部分417A之前端與部分417B之前端加以連結之邊緣417S。邊緣417S為與X軸大致平行之直線狀。

圖27(H)所示之下面14H之邊緣，包含朝向第1誘導空間A1延伸之部分Ea1及部分Ea2、朝向第2誘導空間A2延伸之部分Eb1及部分Eb2、朝向第3誘導空間A3延伸之部分Ec1及部分Ec2、以及朝向第4誘導空間A4延伸之部分Ed1及部分Ed2。

<第17實施形態>

接著，說明第17實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖28(A)~(H)之各個中，顯示了第1構件之下面26A~26H之例。如圖28(A)所示，下面26A之外形可以是八角形。如圖28(B)所示，下面26B之外形可以是六角形。如圖28(C)及圖28(D)所示，下面26C、26D之外形可以是菱形。圖28(C)所示之下面26C，於X軸方向之尺寸較於Y軸方向之尺寸大。圖28(D)所示之下面26D，於X軸方向之尺寸較於Y軸方向之尺寸小。如圖28(E)所示，下面26E之外形可以是於X軸方向長之六角形。如圖28(F)所示，下面26F之外形可以是於Y軸方向長之八角形。如圖28(G)及圖28(H)所示，下面26G、26H之外形可以是橢圓形。圖28(G)所示之下面26G，於X軸方向之尺寸較於Y軸方向之尺寸大。圖28(H)所示之下面26H，於X軸方向之尺寸較於Y軸方向之尺寸小。

<第18實施形態>

接著，說明第18實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省略其說明。

圖29(A)~(H)之各個中，顯示了液浸空間LS2在XY平面內之形狀之例。如圖29(A)所示，液浸空間LS2在XY 平面內之形狀可以是於Y軸方向長之直線狀(帶狀)。亦可如圖29(B)所示，於XY平面內，將液浸空間LS2彎曲成中央部配置在較兩端部接近第1構件31之位置。如圖29(C)所示，液浸空間LS2在XY平面內之形狀可以是於X軸方向長之直線狀(帶狀)。亦可如圖29(D)所示，與誘導空間A相鄰配置複數個液浸空間LS2。圖29(D)中，複數個液浸空間LS2之各個，於XY平面內延伸成帶狀。如圖29(E)所示，液浸空間LS2在XY平面內之形狀可以是圓形。亦可如圖29(F)所示，於XY平面內，與誘導空間A相鄰配置複數個圓形之液浸空間LS2。亦可如圖29(G)所示，於相對光路K之放射方向配置複數個液浸空間LS2。或如圖29(H)所示，於相對光路K之放射方向配置複數個液浸空間LS2，並於光路K之周方向配置複數個液浸空間LS2。

又，參照圖27等說明之下面(14A~14H等)、參照圖28等說明之下面(26A~26H等)、與參照圖29等說明之液浸空間LS2，可適當的加以組合。例如，可將圖27(A)之下面14A與圖28(B)之下面26B與圖29(C)之液浸空間LS2加以組合。

又，上述各實施形態中，於相對光路K之放射方向，回收口(52等)外側之第2構件(32等)之下面(15等)之至少一部分可相對液體LQ為撥液性。例如，該下面(15等)之至少一部分可以撥液性之膜形成。撥液性之膜可以是例如含氟之膜、亦可以是含矽之膜。例如，該下面(15等)對液體LQ之接觸角可大於90度、或大於100度、亦可大於110度。

又，上述各實施形態中，供應口(50等)與回收口(52等)之間之第2構件(32等)之下面(15等)之至少一部分，可相對液體LQ為親液性。例如，該下面(15等)之至少一部分可以親液性之膜形成。例如，該下面(15等)對液體LQ之接觸角可以小於90度、或小於80度、亦可小於70度。

又，上述各實施形態中，液浸空間LS2之液體雖係與液浸空間LS1之液體LQ為相同種類之液體，但亦可以是不同種類之液體。例如，用以形成液浸空間LS2之液體可以是黏性較用以形成液浸空間LS1之液體高之液體。又，用以形成液浸空間LS2之液體，可以是對曝光用光EL之穿透率較用以形成液浸空間LS1之液體低之液體。此外，從第2構件(32等)之供應口供應之液體之温度與從第1構件(31等)之供應口供應之液體之温度可以不同。

又，上述各實施形態中，雖係做成液浸構件具有誘導部40，但亦可不具有誘導部。

又，上述各實施形態中，雖係將液浸空間LS2做成形成在液浸空間LS1周圍之一部分之空間，但亦可形成在液浸空間LS1之周圍。換言之，液浸空間LS2可以圍繞液浸空間LS1之方式，形成為環狀。據此，可將來自誘導部(40等)之液體LQ以液浸空間LS2加以捕捉。此外，即使不設置誘導部(40等)，亦能以環狀之液浸空間LS2捕捉來自液浸空間LS1之液體LQ。

又，上述各實施形態中，可共用液體供應裝置27S、液體供應裝置28S及液體供應裝置50S之至少一部分。例如，可從液體供應裝置28S對所有供應口27、28、50供應液體LQ。或著，從液體供應裝置28S對供應口27、28供應液體LQ，從液體供應裝置50S對供應口50供應液體LQ。

又，上述各實施形態中，「相對光路K之放射方向」，可視為在投影區域PR近旁之相對投影光學系PL之光軸AX之放射方向。

又，如上所述，控制裝置4包含含CPU等之電腦系統。又，控制裝置4包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置5，例如包含RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置5安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。

又，亦可於控制裝置4連接可輸入輸入信號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等之顯示裝置。

包含記錄在記憶裝置5之程式的各種資訊，可由控制裝置4(電腦系統)加以讀取。於記憶裝置5中，儲存有使控制裝置4實施透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板之間之曝光用光之光路的第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制的程式。

又，儲存在記憶裝置5中之程式，可依上述實施形態使控制裝置4實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及限制第1液體從第1空間往第2液浸空間之移動的動作。

又，儲存在記憶裝置5中之程式，可依上述實施形態使控制裝置4實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，以第3構件加以細分的動作。

又，儲存在記憶裝置5中之程式，可依上述實施形態使控制裝置4實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，從第3構件具有之吸引口加以吸引的動作。

又，儲存在記憶裝置5中之程式，可依上述實施形態使控制裝置4實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將從第1空間往第2液浸空間之第1液體，以第3構件加以捕捉的動作。

又，儲存在記憶裝置5中之程式，可依上述實施形態使控制裝置4實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；以及將來自第1空間之第1液體，以導件引導向第2液浸空間的動作。

又，儲存在記憶裝置5中之程式，可依上述實施形態使控制裝置4實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；從以物體之上面對向之方式配置於第1構件之第1回收口回收第1液體的動作；以及透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；第1下面，包含配置在第1回收口周圍之至少一部分、物體之上面透過第1間隙對向的第1區域與相對第1回收口配置在第1區域外側、物體之上面透過較第1間隙小之第2間隙對向的第2區域。

又，儲存在記憶裝置5中之程式，可依上述實施形態使控制裝置4實施：以光學構件與基板間之曝光用光之光路被第1液體充滿之方式，藉由配置在光學構件周圍至少一部分、具有與射出面對向之基板可對向之第1下面的第1構件，於射出面側之光路空間及第1下面側之第1空間之至少一部分形成第1液體之第1液浸空間的動作；藉由相對光路配置在第1構件外側、具有基板可對向之第2下面的第2構件，於第2下面側之第2空間之至少一部分形成第2液體之第2液浸空間的動作；從以物體之上面對向之方式配置在第2構件之第2回收口，回收第1液體及第2液體中之一方或兩方的動作；以及透過第1液浸空間之第1液體使基板曝光的動作；第2下面，包含配置在第2回收口周圍之至少一部分、物體之上面透過第3間隙對向的第3區域與相對第2回收口配置在第3區域外側、物體之上面透過較第3間隙小之第4間隙對向的第4區域。

藉由將記憶裝置5中儲存之程式讀取至控制裝置4，基板載台2P、測量載台2C及液浸構件3等曝光裝置EX之各種裝置及協同働作，在形成有第1液浸空間LS1之狀態下，實施基板P之液浸曝光等的各種處理。

又，上述各實施形態中，雖然投影光學系PL之終端光學元件8之射出面7側(像面側)之光路K係被液體LQ充滿，但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號所揭示之終端光學元件8之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。

又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin(登錄商標)oil)等。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。

又，上述各實施形態之基板P，不僅僅是半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可適用顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。

又，上述各實施形態中，雖然曝光裝置EX係使光罩M基板P同步移動以對光罩M之圖案進行掃描曝光之步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複(step & repeat)方式的投影曝光裝置(步進機)。

再者，於曝光裝置EX係步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。

又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之一個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。

又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6341007號說明書、美國專利第6208407號說明書及美國專利第6262796號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝光裝置。例如，當曝光裝置EX具備二個基板載台之情形時，可配置成與射出面7對向之物體，包含一方之基板載台(2P)、該一方之基板載台(2P)之基板保持部所保持之基板、另一基板載台(2P’)、以及該另一基板載台(2P’)之基板保持部所保持之基板中之至少一種。

此外，曝光裝置EX亦可以是具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。

曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可以是液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DN晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。

又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。

上述各實施形態中，曝光裝置EX雖具備投影光學系PL，但亦可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝光用光之曝光裝置及曝光方法。

又，曝光裝置EX亦可以是例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。

上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。

半導體元件等之微元件，如圖30所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及檢査步驟206等而製造。

又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分分。

1‧‧‧光罩載台

2C‧‧‧測量載台

2P‧‧‧基板載台

3‧‧‧液浸構件

4‧‧‧控制裝置

5‧‧‧記憶裝置

6‧‧‧基座構件

6G‧‧‧導引面

7‧‧‧射出面

8‧‧‧終端光學元件

8F‧‧‧終端光學元件之側面

10‧‧‧基板保持部

13‧‧‧測量系統

14、14A~14H‧‧‧第1構件31之下面

15‧‧‧第2構件32之下面

16‧‧‧第3構件33之下面

19‧‧‧第1構件之上面

20‧‧‧第1構件之孔

21‧‧‧液體回收部

22‧‧‧開口

22N‧‧‧回收口

23、23J‧‧‧回收口

23C‧‧‧液體回收裝置

23R‧‧‧回收流路

24、2405‧‧‧多孔構件

25‧‧‧多孔構件之上面

26A~26H‧‧‧第1構件之下面

27‧‧‧供應口

27R‧‧‧供應流路

27S‧‧‧液體供應裝置

28、28N‧‧‧供應口

28R‧‧‧供應流路

28S‧‧‧液體供應裝置

31‧‧‧第1構件

32‧‧‧第2構件

33‧‧‧第3構件

33D‧‧‧第3構件3302之下面

33K‧‧‧第3構件3303B之開口

36‧‧‧第1構件31之周緣部

40(40A、40B)‧‧‧誘導部

41‧‧‧邊緣

42‧‧‧多孔構件24之下面

43‧‧‧第1構件31之傾斜面

50、50M‧‧‧供應口

50R‧‧‧供應流路

50S‧‧‧液體供應裝置

51‧‧‧流體回收部

52、52M‧‧‧回收口

52C‧‧‧液體回收裝置

52R‧‧‧回收流路

60、60B‧‧‧吸引口

61、64‧‧‧多孔構件

65、65J‧‧‧回收口

66、70、72‧‧‧孔構件

73‧‧‧孔構件72之下面

2111‧‧‧回收面

2611‧‧‧不可回收面

311‧‧‧第1構件之對向部

312‧‧‧第1構件之本體部

313‧‧‧第1構件之內面

314‧‧‧第1構件之外面

323‧‧‧第2構件32之內面

324‧‧‧第2構件32之外面

3002~3004、3008、3011、3012、3014、3015‧‧‧液浸構件

3103~3112、3114、3115‧‧‧第1構件

3120‧‧‧第1構件3110之本體部

3204、3212、3213‧‧‧第2構件

3302~3303、3311、3312‧‧‧第3構件

3304‧‧‧導件

3308‧‧‧回收構件

4305、4306‧‧‧傾斜面

AX‧‧‧光軸

CR1~CR4‧‧‧區域

EL‧‧‧曝光用光

EX‧‧‧曝光裝置

IL‧‧‧照明系

K‧‧‧光路

LG1‧‧‧界面

LQ‧‧‧液體

LS1‧‧‧液浸空間

LS2(LS2A、LS2B)‧‧‧液浸空間

M‧‧‧光罩

P‧‧‧基板

PL‧‧‧投影光學系

PR‧‧‧投影區域

SP1‧‧‧空間

SP2(SP2A)‧‧‧空間

SP2(SP2B)‧‧‧空間

SPk‧‧‧空間

圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構成圖。

圖2係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖3係從下側觀察第1實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖4係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖5係以示意方式顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖6係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖7係顯示架橋現象之一例之實施形態的示意圖。

圖8係顯示第2實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖9係從下方觀察第2實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖10係顯示第3實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖11係顯示第3實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖12係從下方觀察第4實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖13係從下方觀察第4實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖14係顯示第5實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖15係顯示第6實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖16係顯示第6實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖17係顯示第7實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖18係顯示第8實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖19係顯示第9實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖20係顯示第10實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖21係從下方觀察第11實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖22係顯示第12實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖23係顯示第13實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖24係顯示第14實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖25係顯示第15實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖26係顯示第15實施形態之液浸構件之一部分的圖。

圖27係顯示第16實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖28係顯示第17實施形態之液浸構件之例的圖。

圖29係顯示第18實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖30係用以說明微元件之一製程例的流程圖。