TW201328866A - 硬質基板積層體之加工方法 - Google Patents

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Hiroyuki Kurimura
Toshiyuki Ibayashi
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Denki Kagaku Kogyo Kk
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Abstract

本發明之課題係提供在藉由蝕刻對玻璃基板等之硬質基板積層體進行外形加工之際，良好地抑制因蝕刻液引起的表面層之浸蝕、且更有效地對玻璃基板等之硬質基板積層體進行加工的方法。本發明之解決手段係一種硬質基板積層體之加工方法，其包含：準備硬質基板積層體的步驟，前述硬質基板積層體係以接著劑使2片以上之硬質基板彼此貼合而成，且進行預定的倒角處理，其中硬質基板中的至少1片係於基板表面具備由金屬層、樹脂層、二氧化矽層、有機矽酸鹽層、及透明電極層所組成之群組中的任意1種或2種以上；進行蝕刻的步驟，其係利用蝕刻液對已進行倒角的硬質基板積層體進行20~120秒的蝕刻。又，在進行蝕刻的步驟中，亦可利用蝕刻液進行15~40分鐘的蝕刻。

Description

硬質基板積層體之加工方法
本發明係關於一種硬質基板積層體之加工方法。
於所謂電視、筆記型電腦、汽車導航系統、電算機、行動電話、電子記事本、及PDA(個人數位助理(Personal Digital Assistant))的各種電子機器的顯示裝置一般係使用液晶顯示器(LCD)、有機EL顯示器(OELD)、電致發光顯示器(ELD)、場效發射顯示器(FED)、及電漿顯示器(PDP)等之顯示元件。而且，為了保護顯示元件，一般係設置與顯示元件對向之保護用之板玻璃製品。
這種板玻璃製品係將板玻璃加工為適合各顯示裝置的大小及形狀而成者，但是為了符合市場上所要求的價格水準，正冀求以高的生產效率來加工大量的板玻璃產品。
因此，特開2009-256125號公報(專利文獻1)提出了一種提高板玻璃製品之生產效率的方法。具體而言，已提出了一種板玻璃之加工方法，其特徵在於：將多個素材板玻璃(1)堆疊，並且藉由介於各材料板玻璃(1)之間的可剝離之固著材(2)將各材料板玻璃(1)一體地固著，從而形成材料玻璃塊(A)，並在面方向上分割該材料玻璃塊(A)而形成小面積之分割玻璃塊(B)，至少加工該分割玻璃塊(B)的外周而形成平面視製品形狀的製品玻璃塊(C)，在對該製品玻璃塊(C)實施端面加工後，將該製品玻璃塊(C)個別分離(申請專利範圍第1項)。且記載如下：據此，由於在在將多個素材板玻璃堆疊的狀態下，實施分割、外形加工、及端面加工，因此能以較少的步驟獲得 多個板玻璃製品，富有生產性(段落0007)。
而且，關於如此積層體之外周加工，特開2000-169166號公報(專利文獻2)已記載藉由進行化學蝕刻，其係將含有5~20重量%之HF、15~30重量%之H2SO4的混酸的水溶液做為蝕刻液，不需要多大的勞力及時間，可不傷害玻璃表面而輕易地進行加工(申請專利範圍第1及5項、段落0008、0009、0037)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2009-256125號公報
[專利文獻2]特開2000-169166號公報
[發明概要]
以往以來，藉由蝕刻進行玻璃基板等之硬質基板積層體的外形加工時，使用的蝕刻液中添加氟化銨等之緩衝劑做為pH安定劑。可是，添加緩衝劑時，雖有使蝕刻液之pH安定化的優點，但有鹼之浸透變快的缺點。因此，例如，於玻璃基板之端部區域形成有配線用等之金屬圖案或印刷形成的情形，對該金屬圖案或印刷浸透蝕刻液，而有讓金屬圖案和印刷惡化的可能。
相對於此，專利文獻2因未置入氟化銨等之緩衝劑，而無需對此擔心，但如上述，因使用氫氟酸及硫酸之混酸做為蝕刻液，降低酸的濃度而使蝕刻液的使用不會發生危險。
然而，如此降低蝕刻液之氫氟酸濃度時，相對地需要 長時間蝕刻，但在玻璃基板之端部區域形成有配線用等之金屬圖案或印刷的情形，經由長時間的蝕刻，蝕刻液容易浸透該金屬圖案或印刷，有提高金屬圖案或印刷劣化的可能性。
如此，關於為了解決玻璃基板等之硬質基板積層體之外形加工用的蝕刻處理中的各種問題的最適蝕刻時間，尚未被討論，亦期望進一步開發適合其之蝕刻液之成分的開發。
因此，本發明係以提供下列方法為課題，其係藉由蝕刻進行玻璃基板等之硬質基板積層體之外形加工之際，良好地抑制因蝕刻液引起之對表面層之浸蝕，且更有效地加工玻璃基板等之硬質基板積層體的方法。
本發明者們為了解決上述課題而悉心研究的結果，可提供如下的加工方法：發現改良藉由蝕刻進行玻璃基板等之硬質基板積層體之外形加工之際的蝕刻條件，良好地抑制因蝕刻液引起之對表面層之浸蝕，且更有效地加工玻璃基板等之硬質基板積層體的方法。
根據上述見解為基礎而完成的本發明之一態樣，係一種硬質基板積層體之加工方法，其包括：準備硬質基板積層體的步驟，前述硬質基板積層體係以接著劑使2片以上之硬質基板彼此貼合而成，且進行預定的倒角處理，其中前述硬質基板中的至少1片係於基板表面具備由金屬層、樹脂層、二氧化矽層、有機矽酸鹽層、及透明電極層所組成之群組中的任意1種或2種以上；及，進行蝕刻的步驟，其係利用蝕刻液對前述已進行倒角處理的硬質基板積層 體進行20~120秒的蝕刻。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之一實施形態中，於前述蝕刻步驟中，蝕刻液之氫氟酸濃度為30質量%以上，蝕刻液溫度為18~30℃。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之另一實施形態中，於前述蝕刻步驟中，蝕刻液之氫氟酸濃度為49~55質量%，蝕刻時間為20~60秒。
本發明於另一態樣為一種硬質基板積層體之加工方法，其包括：準備硬質基板積層體的步驟，前述硬質基板積層體係以接著劑使2片以上之硬質基板彼此貼合而成，且進行預定的倒角處理，其中前述硬質基板中的至少1片係於基板表面具備由金屬層、樹脂層、二氧化矽層、有機矽酸鹽層、及透明電極層所組成之群組中的任意1種或2種以上；及，進行蝕刻的步驟，其係利用蝕刻液對前述已進行倒角處理的硬質基板積層體進行超過2分鐘且40分鐘以下的蝕刻。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之另一實施形態，於前述蝕刻步驟中，蝕刻液之氫氟酸濃度為30質量%以下，蝕刻液溫度為18~30℃。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之另一實施形態，於前述蝕刻步驟中，蝕刻液之氫氟酸濃度為3~20質量%，蝕刻時間為10~40分鐘。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之另一實施形態，前述蝕刻液所含的緩衝劑之濃度為10質量%以下。
本於發明之硬質基板積層體之加工方法之另一實施形態，對進行前述倒角的硬質基板積層體形成於貫通厚度方 向的凹口。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之又另一實施形態，於準備前述2片以上之硬質基板彼此以接著劑貼合的硬質基板積層體的步驟，前述硬質基板積層體係將2片以上之硬質基板彼此以接著劑貼合後，於厚度方向切斷分割而形成。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之又另一實施形態，前述硬質基板為透光性基板，使前述2片以上之硬質基板彼此貼合的接著劑為光硬化性接著劑， 前述2片以上之硬質基板彼此藉由前述光硬化性接著劑的接著，係藉由照射量10~5000mJ/cm2之光照射而使前述接著劑硬化下進行。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之又另一實施形態，於前述蝕刻步驟中，其係在利用緊固夾具於厚度方向按壓前述積層體之前述兩表面的整個面使其固定的狀態下，將前述已貼合的硬質基板積層體浸漬於前述蝕刻液進行蝕刻。
於本發明之硬質基板積層體之加工方法之又另一實施形態，前述硬質基板係以板玻璃所形成。
依據本發明，可提供藉由蝕刻進行玻璃基板等之硬質基板積層體之外形加工之際，良好地抑制由於蝕刻液對表面層之浸蝕，且更有效地加工玻璃基板等之硬質基板積層體的方法。
[用以實施發明的形態]
以下，關於本發明之實施形態，一邊參照圖式一邊詳細說明。
<1．透光性硬質基板積層體10之準備>
於本實施形態雖未限定，但使用透光性硬質基板做為硬質基板。圖1係進行切斷加工或外形加工前之大尺寸的透光性硬質基板積層體10之模式圖。構成大尺寸的透光性硬質基板積層體10的透光性硬質基板11係於基板表面具備由金屬層、樹脂層、二氧化矽層、有機矽酸鹽層、及透明電極層所組成之群組中的任意1種或2種以上，例如，可舉例板玻璃(強化板玻璃、素材板玻璃、附透明導電膜的玻璃基板、形成電極或電路的玻璃基板等)、藍寶石基板、石英基板、塑膠基板、氟化鎂基板等。一片大尺寸的透光性硬質基板11之大小並未特別限制，但典型為具有10000~250000mm2左右的面積，且具有0.1~2mm左右的厚度。每片經積層的大尺寸透光性硬質基板11一般為相同大小。大尺寸的透光性硬質基板積層體10積層有2片以上的透光性硬質基板11。若大尺寸之透光性硬質基板積層體10之整體厚度過薄，則機械強度會變弱，為了加工而將利用接著劑固定於支承臺的透光性硬質基板積層體10予以剝離時容易破裂，因此雖取決於透光性硬質基板11之材質，但較佳為使5片以上(基板11之合計厚度為0.52mm以上)，更佳為使10~30片左右(基板11之合計厚度為1.5~66mm左右)之透光性硬質基板11經由光硬化性接著劑而積層。
雖未限定，但可在各透光性硬質基板11之表面附加用於發揮板狀製品的功能之一的預定的印刷圖案或電鍍圖案。做為印刷圖案之示例，可列舉行動電話之顯示畫面的設 計，做為電鍍圖案之示例，可列舉Al或AlNd等之金屬配線圖案、施加鍍鉻圖案的旋轉編碼器(rotary encoder)。
關於透光性硬質基板11之積層，例如可藉由下列方式實施，使於一個或兩個之貼合面上塗布有光硬化性接著劑的各透光性硬質基板11彼此貼合後，照射用以使夾在兩透光性硬質基板11間而擴展的接著劑硬化的光。以所需之次數反復進行該處理，藉此可製作積層有所需片數的透光性硬質基板11的透光性硬質基板積層體10。光照射係於每積層1片透光性硬質基板11時實施為宜，只要光能到達接著劑即可，亦可於積層複數片後統一實施。此時若光照射量過強，則透光性硬質基板積層體之剝離性或外觀容易經時劣化，反之若光照射量過弱，則接著劑之硬化變的不充分。再者，光照射量過多時，硬化的接著劑之層未能均一，而有產生不均之虞。如此不均為原因，於後述之蝕刻步驟中蝕刻液會進入基板間，而有使基板剝離或基板上形成的金屬圖案或印刷塗料之腐蝕產生的情形。由此等觀點，每次使透光性硬質基板貼合而照射用以硬化接著劑的光的照射量較佳為10~5000mJ/cm2，更佳為30~3000mJ/cm2，又更佳為100~1500mJ/cm2又更佳。照射時間係0.1~200秒為較佳，0.1~100秒為更佳。
就光硬化性接著劑而言，可使用周知之任意者，並未特別限制，例如，較佳為如WO2008/018252記載之含有(A)多官能(甲基)丙烯酸酯、(B)單官能(甲基)丙烯酸酯、及(C)光聚合起始劑的接著性組成物。
就(A)多官能(甲基)丙烯酸酯而言，可使用於寡聚物/聚合物末端或側鏈具有2個以上(甲基)丙烯醯基化的 多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物、或具有2個以上之(甲基)丙烯醯基的多官能(甲基)丙烯酸酯單體。例如，就多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物而言，可舉例1,2-聚丁二烯末端(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯(例如，日本曹達公司製「TE-2000」、「TEA-1000」)、其氫化物(例如，日本曹達公司製「TEAI-1000」)、1,4-聚丁二烯末端(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯(例如，大阪有機化學公司製「BAC-45」)、聚異戊二烯末端(甲基)丙烯酸酯、聚酯系(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯(例如，日本合成化學公司製「UV-2000B」、「UV-3000B」、「UV-7000B」、根上工業公司製「KHP-11」、「KHP-17」)、聚醚系(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯(例如，日本合成化學公司製「UV-3700B」、「UV-6100B」)、或雙酚A型環氧(甲基)丙烯酸酯等。此等中以聚酯系(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯為較佳。
此處，(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯係經由使多元醇化合物(以下，以X表示)與有機聚異氰酸酯化合物(以下，以Y表示)與(甲基)丙烯酸羥酯(以下，以Z表示)反應(例如，加成聚合反應)而獲得之(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。
就多元醇化合物(X)而言，可舉例乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、聚丙二醇、丁二醇、1,4-丁二醇、聚丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2,4-二乙基-1,5-戊二醇、2,2-丁基乙基-1,3-丙二醇、新戊二醇、環己烷二甲醇、氫化雙酚A、聚己內酯、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、聚三羥甲基丙烷、季戊四醇、聚季戊 四醇、山梨糖醇、甘露糖醇、甘油、聚甘油、聚伸丁二醇等之多元醇；具有聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、環氧乙烷/環氧丙烷之嵌段或無規共聚合之至少1種構造的聚醚多元醇；該多元醇或聚醚多元醇與順丁烯二酸酐、順丁烯二酸、反丁烯二酸、衣康酸酐、衣康酸、己二酸、異鈦酸等之多元酸之縮合物的聚酯多元醇；己內酯改質聚四亞甲基多元醇等之己內酯改質多元醇；聚烯烴系多元醇、聚碳酸酯系多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇、氫化聚丁二烯多元醇、氫化聚異戊二烯多元醇等之聚二烯系多元醇；聚二甲基矽氧烷多元醇等之矽氧烷多元醇等。此等中以聚醚多元醇及/或聚酯多元醇為更佳。
就有機聚異氰酸酯化合物(Y)而言，雖無需特別限定，可使用例如芳香族系、脂肪族系、環式脂肪族系、脂環式系等之聚異氰酸酯，其中以甲苯二異氰酸酯(TDI)、二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯(H-MDI)、聚苯基甲烷聚異氰酸酯(Crude MDI)、改質二苯基甲烷二異氰酸酯(改質MDI)、氫化茬基二異氰酸酯(H-XDI)、茬基二異氰酸酯(XDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HMDI)、三甲基六亞甲基二異氰酸酯(TMXDI)、四甲基茬基二異氰酸酯(m-TMXDI)、異佛酮二異氰酸酯(IPDI)、降莰烯二異氰酸酯(NBDI)、1,3-雙(異氰酸基甲基)環己烷(H6XDI)等之聚異氰酸酯或此等聚異氰酸酯之三聚物化合物，此等聚異氰酸酯與多元醇之反應生成物等為適合使用的。此等中，較佳者為氫化茬基二異氰酸酯(H-XDI)及/或異佛酮二異氰酸酯(IPDI)。
就(甲基)丙烯酸羥酯(Z)而言，例如，(甲基)丙 烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、酞酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-2-羥基丙酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、己內酯改質(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等。此等中以由(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯組成之群組中之1種以上為較佳。
多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物之重量平均分子量係7000~60000為較佳，13000~40000為更佳。於第1實施例，重量平均分子量係以下述之條件，使用做為溶劑之四氫呋喃，使用GPC系統(Tosoh公司製SC-8010)，市售之標準聚苯乙烯，作成標準曲線而求得。
流速：1.0ml/min
設定溫度：40℃管柱構成：Tosoh公司製「TSK guardcolumn MP(×L)」6.0mmID×4.0cm 1管，及Tosoh公司製「TSK-GELMULTIPOREHXL-M」7.8mmID×30.0cm(理論段數16,000段)2管，共計3管(整體之理論段數32,000段)， 樣品注入量：100μl(試料液濃度1mg/ml)
送液壓力：39kg/cm2
偵測器：RI偵測器
就2官能(甲基)丙烯酸酯單體而言，可舉例1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、 1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、2-乙基-2-丁基-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改質三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、硬脂酸改質季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基二乙氧基苯基)丙烷、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基丙氧基苯基)丙烷、或2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基四乙氧基苯基)丙烷等。就3官能(甲基)丙烯酸酯單體而言，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、異氰尿酸參[(甲基)丙烯醯氧基乙酯]等。就4官能以上之(甲基)丙烯酸酯單體而言，可舉例二羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、或二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
多官能(甲基)丙烯酸酯之中，於效果較大的點而言，以含有多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物及/或2官能(甲基)丙烯酸酯單體者為較佳，併用多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物與2官能(甲基)丙烯酸酯單體者為更佳。併用多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物與2官能(甲基)丙烯酸酯單體時之含有比例，於多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物與2官能(甲基)丙烯酸酯單體之合計100質量份中，以質量比計，多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物：2官能(甲基)丙烯酸酯單體=10~90：90~10為較佳，25~75：75~25為更佳，40~65：60~35為最佳。
(A)多官能(甲基)丙烯酸酯係以疏水性者為較佳。疏水性之多官能(甲基)丙烯酸酯係指不具有羥基的(甲基)丙烯酸酯。於水溶性的情形，切削加工時，由於組成物之硬化體膨潤而產生位置偏移，因恐有加工精度差而為不佳。即使為親水性，只要此組成物之硬化體不會因水引起顯著膨潤或一部分溶解，亦可使用。
(B)就單官能(甲基)丙烯酸酯單體而言，可舉例(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異降莰酯、甲氧基化環十二碳三烯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、己內酯改質(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二乙基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯、甲基(甲基)丙烯酸乙氧基羰酯、酚環氧乙烷改質(甲基)丙烯酸酯、酚(環氧乙烷2莫耳改質)(甲基)丙烯酸酯、酚(環氧乙烷4莫耳改質)(甲基)丙烯酸酯、對異丙苯基酚環氧乙烷改質(甲基)丙烯酸酯、壬酚環氧乙烷改質(甲基)丙烯酸酯、壬酚(環氧乙烷4莫耳改質)(甲基)丙烯 酸酯、壬酚(環氧乙烷8莫耳改質)(甲基)丙烯酸酯、壬酚(環氧丙烷2.5莫耳改質)(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質酞酸(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質琥珀酸(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、ω-羧基-聚己內酯單(甲基)丙烯酸酯、酞酸單羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸二聚物、β-(甲基)丙烯醯基氧基乙基氫化琥珀酸酯、N-(甲基)丙烯醯基氧基烷基六氫酞醯亞胺、(甲基)丙烯酸2-(1,2-環己烷羧醯亞胺)乙酯、乙氧基乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
單官能(甲基)丙烯酸酯之中，由效果較大的點而言，以由酚環氧乙烷2莫耳改質(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-(1,2-環己烷羧醯亞胺)乙酯及(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯組成之群組中的1種以上為較佳。併用酚環氧乙烷2莫耳改質(甲基)丙烯酸酯與(甲基)丙烯酸2-(1,2-環己烷羧醯亞胺)乙酯及/或(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯者為更佳。
併用酚環氧乙烷2莫耳改質(甲基)丙烯酸酯與(甲基)丙烯酸2-(1,2-環己烷羧醯亞胺)乙酯及/或(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯的情形之含有比例，於酚環氧乙烷2莫耳改質(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-(1,2-環己烷羧醯亞胺)乙酯及(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯之合計100質量份中，以質量比計，酚環氧乙烷2莫耳改質(甲基)丙烯酸酯：(甲基)丙烯酸2-(1,2-環己烷羧醯亞胺)乙酯及/或(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯 =5~80：95~20為較佳，15~60：85~40為更佳，20~40：70~60為最佳。
(B)單官能(甲基)丙烯酸酯係與(A)同樣地為疏水性者更佳。疏水性之多官能(甲基)丙烯酸酯係指不具有羥基的(甲基)丙烯酸酯。於水溶性的情形，切削加工時，由於組成物之硬化體膨潤而產生位置偏移，因恐加工精度差而為不佳。即使為親水性，只要其組成物之硬化體不會因水引起膨潤或一部分溶解，亦可使用。
(A)多官能(甲基)丙烯酸酯之使用量係(A)及(B)之合計量100質量份中，以15~95質量份為較佳，20~50質量份為較佳。若為15質量份以上，則將組成物之硬化體浸漬於溫水時，該硬化體自被著物剝離的性質(以下，簡稱為「剝離性」)得到充分促進，且組成物之硬化體可呈膜狀剝離。若為95質量份以下，則亦無初期之接著性降低之虞。
(C)光聚合起始劑係為了經由可見光線或紫外線之活性光線增感而促進樹脂組成物之光硬化者所摻混者，可使用周知之各種光聚合起始劑。具體而言，可舉例二苯甲酮或其衍生物；苯偶醯或其衍生物；蒽醌或其衍生物；安息香；安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、安息香異丁基醚、苯偶醯二甲基縮酮等之安息香衍生物；二乙氧基苯乙酮、4-第三丁基三氯苯乙酮等之苯乙酮衍生物；苯甲酸2-二甲基胺基乙酯；苯甲酸對二甲基胺基乙基酯；二苯基二硫醚；噻吨酮或其衍生物；莰醌；7,7-二甲基-2,3-二側氧基雙環[2.2.1]庚烷-1-甲酸、7,7-二甲基-2,3-二側氧基雙環[2.2.1]庚烷-1-羧基-2-溴乙基酯、7,7-二甲基-2,3-二側氧基 雙環[2.2.1]庚烷-1-羧基-2-甲基酯、7,7-二甲基-2,3-二側氧基雙環[2.2.1]庚烷-1-羧醯氯等之莰醌衍生物；2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1等之α-胺基苯烷基酮衍生物；苯甲醯二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯二苯基氧化膦、苯甲醯二乙氧基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯二甲氧基苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯二乙氧基苯基氧化膦等之醯基氧化膦衍生物、羥苯基乙酸2-[2-側氧基-2-苯基-乙醯氧基-乙氧基]-乙酯及/或羥苯基乙酸2-[2-羥基-乙氧基]-乙酯等。光聚合起始劑可組合1種或2種以上來使用。此等中，由效果較大的點而言，由苯偶醯二甲基縮酮、羥苯基乙酸2-[2-側氧基-2-苯基-乙醯氧基-乙氧基]-乙酯及羥苯基乙酸2-[2-羥基-乙氧基]-乙酯組成之群中的1種或2種以上為較佳。
(C)光聚合起始劑之含有量相對於(A)及(B)之合計100質量份，為0.1~20質量份者較佳，0.5~10質量份為更佳。若為0.1質量份以上，可確實獲得促進硬化的效果，於20質量份以下可獲得充分的硬化速度。添加1質量份以上之(C)成分時，可不依存於光照射量地實現硬化，再者，組成物之硬化體之交聯度變高，由切削加工時不產生位置偏移的點或剝離性提升的點為更佳。
光硬化性接著劑係含有不會溶解於接著劑之成分(A)、(B)及(C)的粒狀物質(D)者為較佳。據此，因硬化後之組成物可保持一定厚度，故如後述般加工精度提高。
就粒狀物質(D)之材質而言，一般使用的有機粒子、或無機粒子任一者皆可。具體而言，做為有機粒子，可舉例聚乙烯粒子、聚丙烯粒子、交聯聚(甲基)丙烯酸甲酯 粒子、交聯聚苯乙烯粒子等。做為無機粒子，可舉例玻璃、二氧化矽、氧化鋁、鈦等陶瓷粒子。此等中，以有機粒子為較佳，交聯聚苯乙烯粒子為更佳。
粒狀物質從加工精度之提高、即接著劑層12之膜厚控制的觀點來看，為球狀者較佳。由粒狀物質之雷射法的平均粒徑為50~200μm之範圍者較佳。前述粒狀物質之平均粒徑低於50μm時，於切削用工具，因使用強度差的切削部先端而使切削用工具之壽命降低，又引起切削加工效率降低，超過200μm時，接著劑之使用量變多而成本變高，故生產性差。較佳平均粒徑(D50)為70μm~150μm，更佳為80μm~120μm。粒徑分布係藉由鐳射繞射式粒度分布測定裝置來測量。
粒狀物質(D)之使用量從接著性、加工精度、剝離性之觀點來看，相對於(A)及(B)之合計量100質量份，以0.1~20質量份為較佳，0.2~10質量份為更佳，0.2~6質量份為最佳。
於光硬化性接著劑，可添加用以提升儲藏安定性之聚合抑制劑(E)。就聚合抑制劑而言，可舉例甲基對苯二酚、對苯二酚、2,2-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁基酚)、鄰苯二酚、對苯二酚單甲基醚、單第三丁基對苯二酚、2,5-二第三丁基對苯二酚、對苯醌、2,5-二苯基對苯醌、2,5-二第三丁基對苯醌、苦味酸、檸檬酸、吩噻嗪、第三丁基鄰苯二酚、2-丁基-4-羥基苯甲醚及2,6-二第三丁基對甲酚等。
聚合抑制劑(E)之使用量係相對於(A)及(B)之合計量100質量份，為0.001~3質量份為較佳，0.01~2質量份為更佳。若為0.001質量份以上，可確保儲藏安定性，若 為3質量份以下，可獲得良好的接著性，亦不存在未硬化的情況。
光硬化性接著劑亦可併用有機過氧化物等之熱聚合起始劑。
<2.透光性硬質基板積層體10之切斷加工>
接著，將大尺寸之透光性硬質基板積層體10固定於支承臺後，沿著圖1所示的切斷線13，於厚度方向切斷，而分割成所欲數目，形成由接著劑層12’貼合的複數之透光性硬質基板11’而成的透光性硬質基板積層體14。圖2中呈示由此切斷加工切出的透光性硬質基板積層體14之模式圖。分割方法並未特別限制，可個別單獨使用圓板切割器(鑽石磨盤、超硬質合金磨盤)、固定研磨粒式或游離研磨粒式線鋸切削(wire saw)、雷射光束、蝕刻(例：使用氫氟酸或硫酸等的化學蝕刻或電解蝕刻)、水注(water jet)、及電熱帶(鎳鉻合金線)等之切斷手段，或組合此等來使用，而分割為相同大小的長方體形狀。蝕刻亦可於分割後之切斷面之表面處理來使用。如此，透光性硬質基板積層體14係於準備大尺寸之透光性硬質基板積層體10後，將其分割而製作，故製造效率變佳。
<3.透光性硬質基板積層體14之外形加工(倒角)>
其次，將經分割的透光性硬質基板積層體14固定於支承臺，於支承臺上之透光性硬質基板積層體14進行所欲的外形加工。圖3呈示外徑加工線15所示的透光性硬質基板積層體14之模式圖。於此步驟，每個經分割的透光性硬質基板積層體14因可進行一體性加工而作成目的的板狀製品之形狀，有所謂特別提高板狀製品之生產速度的優點。外 形加工可藉由周知之任意手段來進行，例如，藉由旋轉磨石的研削、由超音波振動鑽孔機的開孔、由旋轉刷的研磨加工等。
<4.透光性硬質基板積層體14之端面加工>
其次，進行蝕刻做為透光性硬質基板積層體14之端面加工。蝕刻步驟係可於將如上述的大尺寸之透光性硬質基板積層體10切斷加工後接著進行，該切斷加工後另外進行切削加工，亦可之後進行。做為蝕刻液，可舉例氟化鈉、氟化鉀、氟化銨等之氟化物鹽之水溶液、氫氟酸水溶液、磷酸、磷酸銨鹽之水溶液。
蝕刻液為高濃度的情形，蝕刻步驟如下。就蝕刻步驟而言，首先，如圖4所示，氫氟酸濃度為30質量%以上，準備設有被控制於18℃~30℃之間的蝕刻液31及網台32的蝕刻槽30，於蝕刻槽30內之網台32中複數並列地設有透光性硬質基板積層體14。接著，對蝕刻槽30內之透光性硬質基板積層體14進行20~120秒之蝕刻。本發明之蝕刻步驟，如此將蝕刻液31之氫氟酸濃度於30質量%以上的高濃度下進行，且蝕刻時間於20~120秒的短時間下進行，故即使於透光性硬質基板積層體14之各基板之端部區域形成有配線用等之金屬圖案或印刷塗料等的情形，而該金屬圖案或印刷塗料等會浸透於蝕刻液，亦可良好地抑制使金屬圖案或印刷塗料等劣化者。又，蝕刻液31之濃度為49~55質量%時，蝕刻液溫度為20~27℃、蝕刻時間為20~60秒者更佳。
蝕刻液為低濃度的情形，蝕刻步驟係如下所示。做為蝕刻步驟，首先，如圖4所示，氫氟酸濃度為30質量%以 下，準備設有控制於18℃~30℃之間的蝕刻液31及網台32的蝕刻槽30，於蝕刻槽30內之網台32中設有複數並列的透光性硬質基板積層體14。接著，對蝕刻槽30內之透光性硬質基板積層體14，進行超過2分鐘且為40分鐘以下之蝕刻。本發明之蝕刻步驟係於如此將蝕刻液31之氫氟酸濃度設為30質量%以下的低濃度來進行，且蝕刻時間於超過2分鐘且40分鐘以下的長時間來進行，故將側面形狀作曲面加工下使玻璃彎曲強度安定化的同時，雖於玻璃面會有蝕刻液浸入，但因低濃度，即使長時間處理，反應速度仍慢，可不使ITO圖案缺損下來加工。又，將蝕刻液31之濃度作成3~20質量%，蝕刻液溫度為20~27℃、蝕刻時間為10~40分鐘者更佳。又，蝕刻液31之濃度作成3~10質量%、蝕刻液溫度為20~27℃、蝕刻時間為30~40分鐘者為更佳。
如此進行端面加工後之透光性硬質基板積層體20之平面模式圖示於圖5。如圖5所示，藉由上述蝕刻步驟，可同時更有效地且良好地去除透光性硬質基板積層體14之端面之邊緣部產生的碎片、裂縫、微細裂縫、或缺損等。
又，就其他實施形態而言，於進行倒角的硬質基板積層體，可於厚度方向形成貫通的凹口22(孔)及/或凹口23(凹部)。如此凹口22、23形成的部位，實施通常的毛刷研磨的端面加工的情形，難以良好地去除該部位產生的碎片、裂縫、微細裂縫、或缺損等。相對於此，依據本發明之蝕刻步驟，即使如此凹口22、23所形成的部位亦無任何問題而可良好地去除碎片、裂縫、微細裂縫、或缺損等。圖6呈示凹口22、23所形成的端面加工後之透光性硬質基 板積層體20’之平面模式圖。
又，蝕刻液31所含的緩衝劑之濃度為10質量%以下者為較佳。緩衝劑之濃度於調整蝕刻速度的點，於0.1%以上為較佳。就緩衝劑而言，可舉例氟化銨等。依此構成，因蝕刻液之鹼對基板內的浸透變慢，故透光性硬質基板積層體14之各基板之端部領域即使形成配線用等之金屬圖案或印刷塗料等，可良好地抑制該金屬圖案或印刷塗料等浸透於蝕刻液而使金屬圖案或印刷塗料等劣化的情形。
於上述之蝕刻步驟，如圖7所示，彼此貼合的透光性硬質基板積層體14，亦可以於積層體之兩表面的整個面於厚度方向按壓的緊固夾具33固定的狀態下，浸漬於蝕刻槽30內之蝕刻液31來進行蝕刻。
緊固夾具33係具備至少具有透光性硬質基板積層體14之各表面的面積以上的面積的板狀部34、螺栓部35、及螺母部36。板狀部34係各自於4個角附近具備貫通孔(圖未呈示)，於此貫通孔分別插入4個螺栓部35，且於板狀部34之外側藉由螺母部36固定。
板狀部34、螺栓部35及螺母部36之形成材料只要對蝕刻液具有耐腐蝕性即可，並未特別限定，例如，可舉例聚氯化乙烯、聚偏二氯乙烯、聚四氟乙烯等。
經緊固夾具33之螺母的鎖緊扭矩為10~40N‧m為較佳。
藉由緊固夾具33將透光性硬質基板積層體14按壓而固定下，蝕刻之際，可良好地抑制蝕刻液之對透光性硬質基板積層體14的基板間的浸入，據此可良好地抑制基板剝離、基板上形成的金屬圖案或印刷塗料之腐蝕等。
<5.板狀製品之形成>
接著，由透光性硬質基板積層體14，將彼此貼合的透光性硬質基板11’剝離，用以形成複數之板狀製品。
以上，一邊參照圖式一邊說明關於本發明之實施形態，但本發明並未受限於此實施形態，可有各種的變化。
[實施例]
為了更充分理解本發明及其優點，提供以下之實驗例。
(實驗例1) 1.光硬化性接著劑1之製作
混合以下之(A)~(E)之成分而製作光硬化性接著劑1。
以日本合成公司製「UV-3000B」(丙烯酸胺基甲酸酯，以下簡稱為「UV-3000B」，重量平均分子量18000，多元醇化合物為聚酯多元醇，有機聚異氰酸酯化合物為異佛酮二異氰酸酯，(甲基)丙烯酸羥酯為丙烯酸2-羥基乙酯)20質量份，二丙烯酸二環戊酯(日本化藥公司製「KAYARAD R-684」，以下簡稱為「R-684」，重量平均分子量18000，多元醇化合物為聚酯多元醇，有機聚異氰酸酯化合物為異佛酮二異氰酸酯，(甲基)丙烯酸羥酯為丙烯酸2-羥基乙酯))15質量份做為(A)多官能(甲基)丙烯酸酯、以丙烯酸2-(1,2-環六羧基醯亞胺)乙酯(東亞合成公司製「ARONIX M-140」，以下簡稱為「M-140」)50質量份、酚環氧乙烷2莫耳改質丙烯酸酯(東亞合成公司製「ARONIX M-101A」)15質量份做為(B)單官能(甲基)丙烯酸酯、 以苯偶醯二甲基縮酮(BASF公司製「IRGACURE651」)，以下簡稱為「BDK」)10質量份做為(C)光聚合起始劑、以平均粒徑100μm之球狀交聯聚苯乙烯粒子(Ganz化成公司製「GS-100S」)1質量份做為(D)粒狀物質、以2,2-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁基酚)(住友化學公司製「SUMILIZER MDP-S」，以下簡稱為「MDP」)0.1質量份做為(E)聚合抑制劑。
2.板玻璃積層體之製作
做為透光性硬質基板，準備10片板玻璃(寬度530mm×長度420mm×厚度0.7mm)，藉由含有交聯聚苯乙烯粒子的上述光硬化性接著劑，以表1記載之光照射量(由365mm之受光器，以積算照度計測量)，進行UV照射而使貼合，製作板玻璃之積層體。又，於各板玻璃表面之端部形成ITO圖案。具體而言，於第1片之平版玻璃上塗布26g上述光硬化性接著劑後，使第1片之板玻璃與第2片板玻璃彼此貼合，而自第2片之板玻璃表面側照射UV，使上述光硬化性接著劑硬化。UV照射時間為10秒。重複此順序，製作由10片板玻璃而成的厚度7.9mm(此厚度為合計10片板玻璃的積層體之厚度)之板玻璃積層體。
3.板玻璃積層體之切斷加工
其次，將板玻璃之積層體固定於支承臺後，藉由圓板切割器，沿著預定的切斷線於厚度方向切斷，製作經分割的板玻璃之積層體。此時，各板玻璃被分割為寬度100mm×長度50mm×厚度0.7mm(此厚度為板玻璃1片之厚度)。
4.板玻璃積層體之外形加工
其次，將經分割的板玻璃積層體固定於支承臺，於支承臺上之板玻璃積層體使用旋轉磨石來研削而實施外形加工。此時，板玻璃之邊緣部會產生碎片、裂縫、微細裂縫、及/或缺損。
5.板玻璃積層體之端面加工
如圖4所示的蝕刻槽內設置板玻璃積層體，以表1~2記載之蝕刻條件進行蝕刻。接著，將蝕刻後之板玻璃積層體放入溫水槽中，使各板玻璃於溫水剝離後，加以洗淨。
關於各板玻璃之碎片、裂縫、微細裂縫、及/或缺損之狀態(玻璃基板端面狀態)、及端部之ITO圖案之狀態，確認每一片板玻璃，此等狀態依據以下基準來評估。
玻璃基板端面狀態之評估：於使用實體顯微鏡放大倍率10倍的觀察，因蝕刻液而於基板端部有碎片、裂縫、微細裂縫、缺損者視為不良。
ITO圖案狀態之評估：於使用實體顯微鏡放大倍率10倍的觀察，因蝕刻液而於基板面內ITO圖案有浸蝕者視為不良。
上述之試驗條件及評估結果示於表1~2。又，於表1~2之「玻璃基板端面狀態」及「ITO圖案狀態」，以上述評估中的不良片數(N片)相對於投入片數(10片)，即N/10之數值表示。
強度安定化評估：做為強度安定化評估，進行3點彎曲強度評估試驗。3點彎曲強度評估試驗係如圖8所示，以ALUMINIUM製之圓棒(φ5)按壓彎曲成為評估對象的玻璃基板，測量此時之玻璃基板之破裂強度。而且，評估數中，全部之測定值為平均值之±20%的情形為OK，不為如 此之情形為NG。又，圖8所示玻璃基板係藉由外形加工或研磨，於縱向及横向，除去合計各2mm。
(實驗例2) 1.光硬化性接著劑2之製作
混合以下之(A)~(E)成分而製作光硬化性接著劑2。
使用日本合成公司製「UV-3000B」(丙烯酸胺基甲酸酯，以下簡稱為「UV-3000B」，重量平均分子量18000，多元醇化合物為聚酯多元醇，有機聚異氰酸酯化合物為異佛酮二異氰酸酯、(甲基)丙烯酸羥酯為丙烯酸2-羥基乙酯)20質量份、二丙烯酸二環戊酯(日本化藥公司製「KAYARAD R-684」，以下簡稱為「R-684」)25質量份做為(A)多官能(甲基)丙烯酸酯、使用丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯(東亞合成公司製「ARONIX M-5700」，以下簡稱為「M-5700」)35質量份，酚環氧乙烷2莫耳改質丙烯酸酯(東亞合成公司製「ARONIX M-101A」)20質量份做為(B)單官能(甲基)丙烯酸酯，使用苯偶醯二甲基縮酮(BASF公司製「IRGACURE651」)，以下簡稱為「BDK」)10質量份做為(C)光聚合起始劑、使用平均粒徑100μm之球狀交聯聚苯乙烯粒子(Ganz化成公司製「GS-100S」)1質量份做為(D)粒狀物質、使用2,2-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁基酚)(住友化學公司製「SUMILIZER MDP-S」，以下簡稱為「MDP」)0.1質量份做為(E)聚合抑制劑。
2.板玻璃積層體之製作、3.板玻璃積層體之切斷加工、4.板玻璃積層體之外形加工、及5.板玻璃積層體之端面加工 與實驗例1同樣地進行。
於表3及4呈示實驗例2之試驗條件及評估結果。
蝕刻時間為短時間的情形，認為有以下傾向。實施例1-1~1-11、實施例2-1~2-11之硬質基板積層體因藉由蝕刻液進行20~120秒之蝕刻，任一者之玻璃基板端面狀態及ITO圖案狀態為不良的基板係獲得所謂10片中1片以下的良好結果。
比較例1-1~1-11、比較例2-1~2-11之硬質基板積層體因蝕刻時間並非於20~120秒之範圍內，雖任一者之玻璃基板端面狀態為不良的基板10片中2片以下，但ITO圖案狀態為不良的基板係獲得10片中4片以上之所謂非常不良的結果。
蝕刻時間為長時間的情形，認為有以下之傾向。實施例1-12~1-15、實施例2-12~2-15之硬質基板積層體，因藉由蝕刻液進行15~40分鐘之蝕刻，將任一者之玻璃之端面形狀實施曲面加工時，玻璃彎曲強度之安定化為可能，又因於低濃度處理，儘管長時間處理，獲得對ITO圖案無影響的良好結果。
比較例1-12~1-15、比較例2-12~2-15之硬質基板積層體，因蝕刻時間並非為15~40分鐘之範圍內，任一者之玻璃端面無法實施曲面加工，又因無法完全去除碎片等，獲得所謂產生玻璃彎曲強度不均之非常不佳的結果。
10‧‧‧大尺寸之透光性硬質基板積層體
11‧‧‧大尺寸之透光性硬質基板
11’‧‧‧透光性硬質基板
12‧‧‧大尺寸之接著劑層
12’‧‧‧接著劑層
13‧‧‧切斷線
14‧‧‧透光性硬質基板積層體
15‧‧‧外徑加工線
20‧‧‧透光性硬質基板積層體
20’‧‧‧透光性硬質基板積層體
22‧‧‧凹口
23‧‧‧凹口
30‧‧‧蝕刻槽
31‧‧‧蝕刻液
32‧‧‧網台
33‧‧‧緊固夾具
34‧‧‧板狀部
35‧‧‧螺栓部
36‧‧‧螺母部
圖1為進行切斷加工前之大尺寸的透光性硬質基板積層體之模式圖。
圖2為藉由切斷加工而切出的透光性硬質基板積層體 之模式圖。
圖3為外形加工線所示的透光性硬質基板積層體之模式圖。
圖4為蝕刻步驟中的蝕刻槽之模式圖。
圖5為端面加工後之透光性硬質基板積層體之平面模式圖。
圖6為另一實施形態之端面加工後之透光性硬質基板積層體之平面模式圖。
圖7為將緊固夾具設置於透光性硬質基板積層體的狀態圖。
圖8為呈示3點彎曲強度評估試驗之態樣的模式圖。
14‧‧‧透光性硬質基板積層體
30‧‧‧蝕刻槽
31‧‧‧蝕刻液
32‧‧‧網台

Claims (12)

  1. 一種硬質基板積層體之加工方法，其包括：準備硬質基板積層體的步驟，前述硬質基板積層體係以接著劑使2片以上之硬質基板彼此貼合而成，且進行預定的倒角處理，其中前述硬質基板中的至少1片係於基板表面具備選自由金屬層、樹脂層、二氧化矽層、有機矽酸鹽層、及透明電極層所組成之群組中的任意1種或2種以上；及進行蝕刻的步驟，其係利用蝕刻液對前述已進行倒角處理的硬質基板積層體進行20~120秒的蝕刻。
  2. 如申請專利範圍第1項之硬質基板積層體之加工方法，其中於前述蝕刻步驟，蝕刻液之氫氟酸濃度為30質量%以上，蝕刻液溫度為18~30℃。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之硬質基板積層體之加工方法，其中於前述蝕刻步驟，蝕刻液之氫氟酸濃度為49~55質量%，蝕刻時間為20~60秒。
  4. 一種硬質基板積層體之加工方法，其包括：準備硬質基板積層體的步驟，前述硬質基板積層體係以接著劑使2片以上之硬質基板彼此貼合，且進行預定的倒角處理，其中前述硬質基板中的至少1片係於基板表面具備選自由金屬層、樹脂層、二氧化矽層、有機矽酸鹽層、及透明電極層所組成之群組中的任意1種或2種以上；進行蝕刻的步驟，其係利用蝕刻液對前述已進行倒角處理的硬質基板積層體進行超過2分鐘且為40分鐘以下的蝕刻。
  5. 如申請專利範圍第4項之硬質基板積層體之加工方法，其中於前述蝕刻步驟中，蝕刻液之氫氟酸濃度為30質量%以下，蝕刻液溫度為18~30℃。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之硬質基板積層體之加工方法，其中於前述蝕刻步驟中，蝕刻液之氫氟酸濃度為3~20質量%，蝕刻時間為10~40分鐘。
  7. 如申請專利範圍第1或4項之硬質基板積層體之加工方法，其中前述蝕刻液所含的緩衝劑之濃度為10質量%以下。
  8. 如申請專利範圍第1或4項之硬質基板積層體之加工方法，其中前述已進行倒角處理的硬質基板積層體係形成於厚度方向貫通的凹口。
  9. 如申請專利範圍第1或4項之硬質基板積層體之加工方法，其中在以接著劑使前述2片以上之硬質基板彼此貼合之準備硬質基板積層體的步驟中，前述硬質基板積層體係以接著劑使2片以上之硬質基板彼此貼合後，於厚度方向切斷分割而形成。
  10. 如申請專利範圍第9項之硬質基板積層體之加工方法，其中前述硬質基板為透光性基板，且使前述2片以上之硬質基板彼此貼合的接著劑為光硬化性接著劑，前述2片以上之硬質基板彼此之藉由前述光硬化性接著劑的接著，係藉由照射量10~5000mJ/cm2之光照射而使前述接著劑硬化下進行。
  11. 如申請專利範圍第1或4項之硬質基板積層體之加工方法，其中於前述蝕刻步驟中，其係在利用緊固夾具於厚度方向按壓前述積層體之前述兩表面的整個面使其固定 的狀態下，將前述已貼合的硬質基板積層體浸漬於前述蝕刻液進行蝕刻。
  12. 如申請專利範圍第1或4項之硬質基板積層體之加工方法，其中前述硬質基板係以板玻璃形成。
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