TW201327798A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，係形成於基板上，且每一像素具有發出可見光之發光區域及透射外部光之透射區域；像素電路部分，設置於複數個像素之每一發光區域；第一電極，係設置於每一發光區域且係電性連接至像素電路部分；中間層，係形成於第一電極上，且包含有機發射層；第二電極，係形成於中間層上；以及覆蓋層，係設置於第二電極上，且包含對應發光區域之第一覆蓋層及對應透射區域之第二覆蓋層。因此，可改善有機發光顯示裝置之電特性及影像品質。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年12月23日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2011-0141719之優先權及效益，其全部內容納於此處作為參考。
下面敘述為有關於一種有關於有機發光顯示裝置及其製造方法。
平板顯示裝置係為薄且可攜式之顯示裝置。於平板顯示裝置中，有機發光顯示裝置係為具有廣視角、良好對比及高回應速度之自發光顯示裝置。因此，有機發光顯示裝置係被視(注意)為下一代之顯示裝置。
有機發光顯示裝置包含中間層、第一電極、以及第二電極。中間層包含有機發射層，且當施加電壓於第一電極及第二電極時，有機發射層產生可見光。
在此，由於設置於第二電極上之密封構件或其他雜質，第二電極可能受污染或損壞。
因此，改善有機發光顯示裝置之影像品質及電特性係為困難。
本發明之實施例之態樣係針對改善電特性及/或影像品質之有機發光顯示裝置，以及製造該有機發光顯示裝置之方法。
根據本發明之一實施例，其係提供有機發光顯示裝置，其包含：基板；形成於基板上之複數個像素，且每一像素具有發出可見光之發光區域以及透射外部光之透射區域；設置於複數個像素之每一發光區域之像素電路部分；設置於每一發光區域且電性連接至像素電路部分之第一電極；形成於第一電極上且包含有機發射層之中間層；形成於中間層上之第二電極；以及設置於第二電極上且包含對應發光區域之第一覆蓋層及對應透射區域之第二覆蓋層之覆蓋層。
覆蓋層可為可透光。
第一覆蓋層與第二覆蓋層可具有不同厚度。
第二覆蓋層可較第一覆蓋層為薄。
第二覆蓋層可包含複數個子覆蓋層。
第一覆蓋層與第二覆蓋層於至少第一方向及與第一方向正交之第二方向(或於至少一區域)可相互分開。
第一覆蓋層與第二覆蓋層可包含相同材料。
第一覆蓋層與第二覆蓋層可包含不同材料。
覆蓋層可包含8-羥基喹啉鋰(8-quinolinolato lithium, Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4’-二胺(N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)
biphenyl-4,4’-diamine)、N(二苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺(N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-
(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-
fluorene-2-amine)、或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯-[D]咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)
phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole)。
第二電極可為可透光。
覆蓋層可形成於第一區域之第二電極上並具有第一邊緣，有機發光顯示裝置可更包含形成於第一區域除外之第二區域之第二電極上(或於第一區域除外之第二電極之整個頂部表面區域)之第三電極，且具有第二邊緣，覆蓋層之第一邊緣之側表面與第三電極之第二邊緣之側表面相互接觸。
第三電極可較第二電極為厚。
介於第三電極與覆蓋層之間之接著力可較介於第三電極與第二電極之間之接著力為弱。
第三電極可包含鎂(Mg)。
覆蓋層之所有邊緣與第三電極之邊緣可相互接觸。
根據本發明之另一實施例，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置包含複數個像素，每一像素包含發出可見光之發光區域以及透射外部光之透射區域，該方法包含：形成位於基板上之複數個像素電路部分以分別對應複數個像素；形成設置於每一像素之發光區域且電性連接至與其對應之像素電路部分之其中之一之第一電極；形成位於第一電極上之中間層，該中間層包含有機發射層；形成位於中間層上之第二電極；以及形成位於第二電極上之覆蓋層，其中該覆蓋層包含對應發光區域之第一覆蓋層及對應透射區域之第二覆蓋層。
第一覆蓋層與第二覆蓋層可分開形成。
第一覆蓋層與第二覆蓋層可利用遮罩形成。
覆蓋層可形成於位於第二電極上之第一區域且具有第一邊緣，該方法可更包含形成位於第二電極上第一區域除外之第二區域之第三電極且其具有第二邊緣，且覆蓋層之第一邊緣之側表面與第三電極之第二邊緣之側表面係形成以互相接觸。
第三電極之形成可包含利用覆蓋層之圖樣以圖樣化第三電極。
參考所附圖式，其展示本發明之例示性實施例，將更清楚地說明本發明。在此，詞彙”且/或”包含相關條列項目之一或更多之任何或所有組合。例如”至少其一”之敘述當位於一系列之元件前時，形容整個系列之元件，而非形容系列中之個別元件。
第1圖係為根據本發明之一實施例之有機發光顯示裝置2之剖視圖。
請參閱第1圖，有機發光顯示裝置2包含基板1、形成於基板1上之有機發光單元21、以及封裝有機發光單元21之封裝基板23。
封裝基板23包含透明材料使得藉由有機發光單元21產生之可見光因此可透射，且防止外部之空氣及水進入有機發光單元21。
基板1及封裝基板23利用密封構件24耦接以封裝介於基板1與封裝基板23之間之空間25。空間25可包含吸水材料或填料。
第2圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示裝置2之剖視圖。如第2圖所示，薄的封裝層26可形成於有機發光單元21上而非第1圖之封裝基板23，以保護有機發光單元21不受外部空氣侵入。封裝層26可具有由氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、或其相似物形成之無機層及由環氧樹脂(epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)或其相似物形成之有機層於內交替堆疊之結構，但不以此為限。可使用任何薄透明層之封裝結構。
第3圖係為第1圖之有機發光單元21之平面圖，且第4圖係為第3圖之像素之剖視圖。
請參閱第3圖及第4圖，有機發光單元21係分隔為透射外部光之透射區域TA及鄰接透射區域TA之複數個發光區域PA。
如第3圖所示，於每一發光區域PA，包含像素電路部分PC及複數個傳導線，例如掃描線S、資料線D、以及邏輯供電電壓線(Vdd line)V，係電性連接至像素電路部分PC。雖然第3圖未顯示，但根據像素電路部分PC之配置，可包含掃描線S、資料線D、以及邏輯供電電壓線V之外之傳導線。
第3圖中，像素電路部分PC可包含連接至掃描線S及資料線D之至少一薄膜電晶體，薄膜電晶體連接至邏輯供電電壓線V或其相似物、以及電容器。像素電路部分PC之薄膜電晶體可包含開關電晶體及驅動電晶體。而且，像素電路部分PC之薄膜電晶體可為p型或n型電晶體，且像素電路部分PC之電容器的數量可變動。
請參閱第3圖，掃描線S與第一電極221重疊。然而，本發明之實施例不以此為限，且該複數個傳導線，例如掃描線S、資料線D、以及邏輯供電電壓線V之至少其一，可設置與第一電極221重疊，而且，根據情況，所有該複數傳導線，例如掃描線S、資料線D、以及邏輯供電電壓線V，可與第一電極221重疊或可設置緊鄰於第一電極221。
請參閱第4圖，緩衝層211係形成於基板1上，且薄膜電晶體TR1係形成於緩衝層211上。
雖然第4圖僅顯示一薄膜電晶體TR1，但本發明之實施例不以此為限，如上所說明，每一像素可包含複數個電晶體及至少一電容器。
半導體主動層212係形成於緩衝層211上。
緩衝層211預防雜質侵入基板1，且提供更平坦之表面於基板1上。緩衝層211可由可達成這些功能之任何材料形成。舉例而言，緩衝層211可包含無機材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化鋁(aluminum oxide)、氮化鋁(aluminum nitride)、氧化鈦(titanium oxide)或氮化鈦(titanium nitride)，或有機材料，例如聚亞醯胺、聚酯(polyester)或壓克力(acryl)，且可由這些材料之堆疊結構形成。然而，緩衝層211非為必要元件且適當時可省略。
半導體主動層212可由多晶矽形成，但不以此為限，且可由氧化物半導體形成。舉例而言，半導體主動層212可為氧化銦鎵鋅(G-I-Z-O)層[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c層](其中a、b及c分別滿足a≧0，b≧0，c＞0)。
閘極絕緣層213係形成於緩衝層211上以覆蓋半導體主動層212，且閘極電極214係形成於閘極絕緣層213上。
介層絕緣層215係形成以覆蓋閘極電極214。源極電極216及汲極電極217係形成於介層絕緣層215上以電性連接至半導體主動層212。
薄膜電晶體TR1不以上述說明之結構為限，且可適用於其他薄膜電晶體結構。舉例而言，上述說明之薄膜電晶體TR1具有頂部閘極結構，但薄膜電晶體TR1也可具有設置閘極電極214於半導體主動層212下之底部閘極結構。此外，也可使用其他薄膜電晶體結構。
鈍化層218係形成於介層絕緣層215上以覆蓋包含薄膜電晶體TR1之像素電路部分PC。鈍化層218可為單一絕緣層或具有平面化之上表面之複數個絕緣層。鈍化層218可由無機以及/或有機材料形成。
電性連接至薄膜電晶體TR1之第一電極221係形成於鈍化層218上。第一電極221係於每一像素形成獨立島狀之形式。
像素定義層219係形成於鈍化層218上以覆蓋第一電極221之邊緣。開口219a係形成於像素定義層219以暴露除邊緣外之第一電極221之中央部分。
包含有機發射層之中間層220係形成於第一電極221之暴露之中央部分上，且第二電極222係形成於中間層220上以覆蓋中間層220，而完成有機發光元件EL之製造。
中間層220可包含低分子或高分子有機層。當中間層220係由低分子有機層形成，中間層220可包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、有機發射層、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、或其相似物。有機發射層形成於紅像素、綠像素、以及藍像素，且電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層為共同使用於紅像素、綠像素、以及藍像素之共同層。
電洞注入層可由酞青(phthalocyanine compound)化合物，例如銅鈦菁(copper phthalocyanine)，或星爆型胺(starburst type amine)，例如4,4’,4”-三(咔唑基)三苯胺(TCTA)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三(p-N-苯基-N-m-甲基苯)胺苯基)苯(m-MTDAPB)、或其相似物形成。
電洞傳輸層可由，例如N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺（N,N’-bis(3-methylphenyl)- N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine, TPD）、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯(N,N’-di(naphthalene-1-il-N,N’-diphenyl benzidine, α-NPD)或其相似物形成。
電子注入層可由氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(LiF)、氧化鋇(BaO)、或8-羥基喹啉鋰(Liq)組成。
電子傳輸層可利用三(8-羥基喹啉鋁)( Alq3)形成。
有機發射層可包含主體材料及摻雜材料。
有機放射發光層之主體材料可為例如三(8-羥基喹啉鋁)(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphti-2-yl)anthracene, AND)、3-三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-Tert-butyl-9,10-di(naphthi-2-yl)anthracene, TBADN)、4,4’’-二(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4’-二甲基苯基(4,4’-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4’-dimethylphenyl, DPVBi)、4,4’-二(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4’-二甲基苯基(4,4’-bisBis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4’-dimethylphenyl, p-DMDPVBi)、三(9,9-二芳基茀) (Tert(9,9-diarylfluorene)s, TDAF)、2-(9,9’-旋環雙茀-2-基)-9,9’旋環二茀(2-(9,9’-spirobifluorene-2-yl)-9,9’-spirobifluorene, BSDF)、2,7-雙(9,9’-旋環雙茀-2-基)-9,9’-旋環雙茀基(2,7-bis(9,9’-spirobifluorene-2-yl)-9,9’-spirobifluorene, TSDF)、雙(9,9’-二芳基茀)
(bis(9,9-diarylfluorene)s, BDAF)、4,4’-雙(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4’-二(叔丁基)苯(4,4’-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4’-di-(tert-butyl)phenyl, p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)( 1,3-bis(carbazole-9-yl)benzene, mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(1,3,5-tris(carbazole-9-yl)benzene, tCP)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4’,4”-tris(carbazole-9-yl)triphenylamine, TcTa)、4,4’-雙(咔唑-9-基)二苯(4,4’-bis(carbazole-9-yl)biphenyl, CBP)、4,4’-雙(咔唑-9-基)聯苯(4,4’-bis(carbazole-9-yl)biphenyl, CBDP)、4,4’-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基茀(4,4’-bis(carbazole-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene, DMFL-CBP)、4,4’-雙(咔唑-9-基)-9,9’-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(4,4’-bis(carbazole-9-yl)-9,9-bisbis
(9-phenyl-9H-carbazole)fluorene, FL-4CBP)、4,4’-雙(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-茀(4,4’-bis(carbazole-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene, DPFL-CBP)、或9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazole)fluorene, FL-2CBP)。
有機發射層之摻雜材料可為4,4’-雙[4-(二-p-甲苯基胺)苯乙烯]聯苯(DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naph-2-tyl)anthracene, ADN) 、或3-三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)。
第一電極221可作為陽極，且第二電極222可作為陰極，但第一電極221及第二電極222之極性可交換。
當第一電極221作為陽極，第一電極221可包含具有高功率之材料，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)。而且，根據目的或設計，第一電極221可更包含由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鐿(Yb)、或鈣(Ca)形成之反射層。
當第二電極222作為陰極，第二電極可由金屬形成，例如銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鐿、或鈣。當有機發光顯示裝置2為影像形成於遠離基板1處之頂部發光型態之顯示裝置時，光線需要透射過第二電極222。因此，第二電極222可包含透明金屬氧化物，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3)。或者，第二電極222可藉由利用鋁、銀、以及/或鎂形成薄膜。舉例而言，第二電極222可於單一層結構或包含鎂：銀及/或銀之堆疊結構內形成。不同於第一電極221，第二電極222係形成以供應共同電壓於每一像素，且因此，第二電極係形成為所有像素之共同電極且不由複數圖樣形成以對應於像素。或者，第二電極222，其係為共同電極，也可圖樣化成移除對應至發光區域除外之部分之網狀。
當第二電極222係形成為共同電極時，第二電極222之表面電阻係增加，因此造成電壓降(IR壓降)。根據本發明之本實施例，為解決此問題，可更包含電性連接至第二電極222之第三電極223。
此外，因為第1圖之封裝基板23，第二電極222之上表面可能受損。並且，當形成如第2圖所示之封裝層26時，第二電極222可能於形成封裝層26時受損。此外，第二電極222可能會因為外部空氣或雜質而受損。根據本發明之本實施例，覆蓋層230可形成於第二電極222上。
覆蓋層230包含第一覆蓋層231及第二覆蓋層232。第一覆蓋層231可形成以對應發光區域PA，且第二覆蓋層232可形成以對應透射區域TA。而且，第一覆蓋層231及第二覆蓋層232可分開形成。更詳細地，第一覆蓋層231及第二覆蓋層232之厚度可不同，特別地，第二覆蓋層232之厚度可小於第一覆蓋層231之厚度。
覆蓋層230形成於第一區域R1之第二電極222上且具有第一邊緣230a。
第三電極223形成於第二區域R2第二電極222上且具有第二邊緣223a。第三電極223與覆蓋層230相鄰且位於同一階層。
第一區域R1對應於發光區域PA及透射區域TA中至少一像素，且第一區域R1之邊緣係為覆蓋層230之第一邊緣230a。第二區域R2對應第二電極222之一部分而非(或除了)第一區域R1，第三電極223係形成於整個第二區域R2上，且第二區域R2之邊緣係為第三電極223之第二邊緣223a。第二區域R2係為至少發光區域PA除外之區域。
覆蓋層230之第一邊緣230a之側表面與第三電極223之第二邊緣223a之側表面互相接觸。
第三電極223較佳可較第二電極222為厚，以減少第二電極222之表面電阻。
覆蓋層230較佳可為可透光。特別地，於透射區域TA，嚮往地，可見光盡可能不損失光學特性透射過第二覆蓋層232，且因此，第二覆蓋層232較佳可為高透射率。
並且，於發光區域PA，嚮往地，藉由中間層220產生之可見光應透過第一覆蓋層231不損失光學特性地透射。亦即，第一覆蓋層231較佳可形成以使得藉由中間層220產生之可見光透過第一覆蓋層231透射且可同時考慮影像品質，例如亮度、對比、色轉換或其相似物。
舉例而言，第二覆蓋層232可較第一覆蓋層231為薄以改善透射區域TA之透光率及發光區域PA之影像品質。
覆蓋層230可形成為較第三電極223為薄之薄層，但不以此為限。
根據本發明之ㄧ實施例，介於第三電極223與覆蓋層230之間之接著力係設為較介於第三電極223與第二電極222之間之接著力為弱。
為此，覆蓋層230可由包含8-羥基喹啉鋰(Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4’-二胺、N(二苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺、或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯-[D]咪唑之材料形成。
為製造之簡單性，第一覆蓋層231及第二覆蓋層232可利用相同材料形成，但本發明之本實施例不以此為限，且第一覆蓋層231及第二覆蓋層232也可包含不同材料。
並且，第三電極223可由鎂(Mg)形成。
第三電極223之鎂(Mg)係為金屬，且因此，對於第二電極222具有良好之接著特性。然而，鎂不易接著覆蓋層230之材料。因此，第三電極223可藉由利用介於第三電極223與覆蓋層230之間之接著力簡易地圖樣化。
如上述說明，第三電極223係圖樣化以使得第三電極223僅形成於第二區域R2。然而，於形成有機發光元件EL之中間層220之後，第三電極223利用濕製程，例如常作為典型金屬層之圖樣化之方法之光刻法，可能無法圖樣化，因為當水及/或氧侵入濕製程之中間層220時，有機發光元件EL之生命週期(壽命)係急遽減少。
因此，實際上，圖樣化第三電極223係為困難。
根據本發明之本實施例，第三電極223可利用介於第三電極223與覆蓋層230之間之接著力簡易地圖樣化。以下將根據本發明之一實施例更詳細地說明製造覆蓋層230之方法。
首先，至形成第二電極222之前，製造方法係相同，接著，遮罩係用於形成覆蓋層230。覆蓋層230可由上述說明之有機材料形成，且因此，可藉由遮罩利用熱蒸發法形成。開口係形成於遮罩以對應覆蓋層230之圖樣。
在此，第一覆蓋層231及第二覆蓋層232係分開形成。亦即，第一覆蓋層231係利用具有對應至第一覆蓋層231之開口之遮罩形成，接著，第二覆蓋層232係利用具有對應至第二覆蓋層232之開口之遮罩形成。請參閱第5圖，第一覆蓋層231與第二覆蓋層232具有不同大小，且在本例中，第一覆蓋層231與第二覆蓋層232可利用不同遮罩形成。
然而，本發明之實施例不以此為限，且當第一覆蓋層231與第二覆蓋層232相似地形成，第一覆蓋層231可先利用遮罩形成，接著，遮罩可再用以形成第二覆蓋層232。
或者，第一覆蓋層231可於第二覆蓋層232形成之後形成。
接著，具有對應至所有像素之整體開口之開光罩係用以利用形成第三電極223之材料形成第三電極223。在本例中，形成第三電極223之材料，其具有對於覆蓋層230不佳之接著力，因此，無法形成於覆蓋層230上，且僅能形成於相對地具有良好接著力之第二電極222上。
因此，第三電極223係可自發地(自然地)於預期之位置圖樣化而不需額外之圖樣化作動，例如光刻法。
第5圖係為根據本發明之一實施例之第1圖之有機發光單元21之覆蓋層230之細部平面圖。如第5圖所示，覆蓋層230可形成為島狀於每一像素P。第一覆蓋層231與第二覆蓋層232係分開形成，因此，可相互間隔。然，本發明之實施例不以此為限，且第一覆蓋層231與第二覆蓋層232可相互鄰接地形成或可重疊一部分，特別是邊緣之部分。
第三電極223係排列為格狀圖樣於像素P之間。
第6圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光單元21之覆蓋層230之平面圖。於第6圖中，如第1圖之有機發光單元21之覆蓋層230之實例，覆蓋層230之第二覆蓋層232可包含子覆蓋層232A及232B。在本例中，當形成覆蓋層230時，第一覆蓋層231、子覆蓋層232A及子覆蓋層232B可相繼地形成。亦即，覆蓋層230可藉由三個作動形成。覆蓋層230也可利用單一遮罩形成。
而且，第二覆蓋層232之子覆蓋層232A與232B包含上述說明之形成覆蓋層230之材料且可由相同之材料形成。然而，本發明之本實施例不以此為限，且第二覆蓋層232之子覆蓋層232A與232B也可由不同之材料形成。
而且，根據本發明之另一實施例，如第7圖所示，第1圖之有機發光單元21之覆蓋層230可形成為島狀於複數個像素P。在本例中，第三電極223係排列為藉由介於複數個像素P之間之空間傳輸之格狀圖樣。雖然第7圖未顯示，如第6圖所示，覆蓋層230之第二覆蓋層232也可包含複數個子覆蓋層。
雖然未顯示於圖中，由於形成第三電極223之材料具有對於覆蓋層230不佳之接著力，所以當形成第三電極223時，形成第三電極223之材料可形成不僅覆蓋層230除外之區域，以及較形成於覆蓋層230除外之區域之第三電極223為薄之薄層。亦即，該材料理論上無法形成覆蓋層230上之層。此外，即使該材料僅形成為具有相對良好之接著力之第二電極222上之層，形成第三電極223之材料係不利用額外之圖樣化遮罩而利用開光罩沉積。因此，非常薄之層可於物理上不穩定狀態中形成於覆蓋層230上。
然而，因為形成可形成於覆蓋層230上之第三電極223之材料係非常薄，該材料於有機發光元件EL之亮度上不具有很大的影響。
根據本發明之本實施例，因為發光區域PA與透射區域TA係分開，所以當透過透射區域TA觀察外部時，可減少或預防因為與像素電路部分PC之裝置之圖樣相關之外部光線之散射產生之外部影像之失真。
發光區域PA及透射區域TA係形成以使得透射區域TA之表面面積相對於發光區域PA及透射區域TA之整體表面面積之比率係介於約5％至90％之間。
於一實施例中，若透射區域TA之表面面積相對於發光區域PA及透射區域TA之整體表面面積之比率小於5％，透過透射區域TA透射之光總量可能小，且因此，觀看者於有機發光顯示裝置2之相反側上觀看物件或影像可能有困難。亦即，有機發光單元21可能無法視為透明。然，即使透射區域TA之表面面積相對於發光區域PA及透射區域TA之整體表面面積之比率係約5％，若外部光之強度係高，使用者透過有機發光顯示裝置2可充分地辨識設置於相反側之物件或影像，且因此，使用者可視有機發光單元21為透明顯示單元。此外，當像素電路部分PC之薄膜電晶體係形成為透明薄膜電晶體，例如氧半導體，且有機發光裝置也由透明裝置形成，可增強有機發光顯示裝置2作為一透明顯示裝置之影響。
於另一實施例中，若透射區域TA之表面面積相對於發光區域PA及透射區域TA之整體表面面積之比率大於90％，有機發光單元21之像素完整性係過低且影像可能無法穩定地透過發光區域PA之發光形成。亦即，發光區域PA之表面面積愈小，自中間層220發出之光之亮度之需求愈高。因此，若有機發光裝置於高亮度模式中作動，有機發光顯示裝置2之生命週期(壽命)係急遽減少。
因此，透射區域TA之表面面積相對於發光區域PA及透射區域TA之整體表面面積之比率較佳可介於20％至70％之間之範圍。
於一實施例中，若該比率低於20%，發光區域PA之表面面積遠大於透射區域TA之表面區域，且使用者於透過透射區域TA觀看外部影像有困難。於另一實施例中，若該比率超過70%，於設計排列於發光區域PA之像素電路部分PC可能限制過多。
電性連接至像素電路部分PC之第一電極221係包含於發光區域PA，且像素電路部分PC與第一電極221重疊因此係被第一電極221覆蓋。此外，傳導線，其包含上述說明之掃描線S、資料線D、以及邏輯供電電壓線V之至少其一，可排列以相交於第一電極221。然而，因為這些傳導線阻礙透射之比率少於像素電路部分之比率，根據設計情況，所有傳導線可設置於鄰接第一電極221。
如上述說明，若第一電極221包含由導電性金屬形成之反射層，且於其上可反射光，第一電極221覆蓋像素電路部分PC且減少或預防因為像素電路部分PC於發光區域PA之外部影像之失真。
並且，根據本發明之本實施例，如第3圖及第4圖所示，發光區域PA及透射區域TA係排列於第一區域R1。覆蓋層230係設置於第一區域R1，且因此，覆蓋發光區域PA及透射區域TA。此外，第三電極223係形成於第一區域R1之外部之第二區域R2。
此外，透射視窗可藉由自透射區域TA移除第二電極222之一部分形成，而更增加透射區域TA之光透射率。在此，透射視窗不限於藉由移除第二電極222之一部分形成且也可形成於像素定義層219、鈍化層218、介層絕緣層215、閘極絕緣層213、以及緩衝層211之至少其一上。
第8圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光單元之平面圖。
請參閱第8圖，每一像素係由紅、綠及藍子像素形成而發白光。然而，白光也可藉由利用紅、綠及藍色除外之顏色產生。
在本例中，三個子像素之每一第一電極221a、221b及221c之透射區域TA係形成。第一資料線D1至第三資料線D3係電性連接至三子像素之第一電極221a、221b及221c。此外，第一邏輯供電電壓線V1係電性連接至第一電極221a及221b，且第二邏輯供電電壓線V2係電性連接至第一電極221c。
於此結構，一大的透射區域TA係包含複數個子像素，且因此，可更增加整個顯示裝置之透射率，且也可更減少因為光散射產生之影像之失真。
在此，如上述說明，一大的透射視窗也可藉由自透射區域TA移除至少一部分之第二電極形成。透射視窗不限於第二電極之移除部分而也可形成於像素定義層、鈍化層、介層絕緣層、閘極絕緣層及緩衝層之至少其一上。
於上述說明之第8圖之實施例中，覆蓋層及第三電極係也形成。亦即，覆蓋層係形成以對應透射區域及發光區域，且第三電極形成於覆蓋層周圍。而且，第一覆蓋層係形成於發光區域，且第二覆蓋層係形成於透射區域。第8圖之發光區域可視為對應至第一電極221a、221b及221c之區域。其餘細部配置係與前述實施例相同，因此省略說明。
第9圖係為展示根據覆蓋層之厚度之光透射率之曲線圖。請參閱第9圖，區域A具有大的透射率，且區域B具有較區域A為低之光透射率。
如上述說明，第一覆蓋層231及第二覆蓋層232係分開形成。
可見光透過透射區域透射，且第二覆蓋層232之透射率較佳可為高。然而，於第二覆蓋層232下之第二電極222較佳可形成以使得第二覆蓋層232之厚度充分地保護第二電極222。更詳細地，第二覆蓋層232可具有對應至區域A之厚度，亦即，約30埃(A)至60埃(A)之範圍。
於發光區域PA，影像透過藉由中間層220產生之可見光形成，且因此，第一覆蓋層231之適當之厚度係考慮可見光之亮度、對比、色轉換以決定。更詳細地，第一覆蓋層231可具有對應至區域B之厚度，亦即，約70 埃(A)至90埃(A)之範圍。
因此，第一覆蓋層231係較第二覆蓋層232為厚。
然而，此為一例，且或者，第一覆蓋層231與第二覆蓋層232可個別形成以具有適當之厚度。更詳細地，考慮光學特性，有機發光顯示裝置2可根據中間層220之材料適當地變化，且第一覆蓋層231之適當之厚度可相應地變化。而且，可決定不同材料以形成第一覆蓋層231及第二覆蓋層232，且適當之厚度之範圍也可能因此變化。
如上述說明，藉由利用第三電極223，減少或預防第二電極222之電壓降，以改善有機發光顯示裝置2之電特性，因此改善有機發光顯示裝置2之影像品質。
而且，藉由利用覆蓋層230保護第二電極222以，例如，完全預防因為第二電極222之損壞造成之有機發光顯示裝置2之電特性及影像品質之衰退。
特別地，利用覆蓋層230，第三電極223係簡易地圖樣化，以增加製造之簡單性且預防當形成第三電極223時有機發光元件EL之損壞。
而且，覆蓋層230包含第一覆蓋層231及第二覆蓋層232，且第一覆蓋層231係形成以對應發光區域PA，且第二覆蓋層232係形成以對應透射區域TA。因此，儘可能多之可見光透過透射區域TA透射，且適當之影像係形成於發光區域PA。適合作為具有良好影像品質及透射率之透明顯示裝置之有機發光顯示裝置2可簡易地製造。
根據該有機發光顯示裝置及其製造方法，有機發光顯示裝置之電特性及影像品質可簡易地改善。
當本發明參考例示性實施例而展示且說明，對於所屬技術領域具有通常知識者將理解的是，任何未脫離如後附之申請專利範圍之本發明之精神與範疇，可對其形式及細節進行之各種變更。
1．．．基板
2．．．有機發光顯示裝置
21．．．有機發光單元
211．．．緩衝層
212．．．半導體主動層
213．．．閘極絕緣層
214．．．閘極電極
215．．．介層絕緣層
216．．．源極電極
217．．．汲極電極
218．．．鈍化層
219．．．像素定義層
219a．．．開口
220．．．中間層
221、221a、221b、221c．．．第一電極
222．．．第二電極
223．．．第三電極
223a．．．第二邊緣
23．．．封裝基板
230．．．覆蓋層
230a．．．第一邊緣
231．．．第一覆蓋層
232．．．第二覆蓋層
232A、232B．．．子覆蓋層
24．．．密封構件
25．．．空間
26．．．封裝層
D．．．資料線
D1．．．第一資料線
D2．．．第二資料線
D3．．．第三資料線
EL．．．有機發光元件
P．．．像素
PA．．．發光區域
PC．．．像素電路部分
R1．．．第一區域
R2．．．第二區域
S．．．掃描線
TA．．．透射區域
TR1．．．薄膜電晶體
V．．．邏輯供電電壓線
V1．．．第一邏輯供電電壓線
V2．．．第二邏輯供電電壓線
A、B．．．區域
本發明之上述及其他特徵與優點藉由參照附圖將變得顯而易見。
第1圖係為本發明之有機發光顯示裝置之一實施例之剖視圖。
第2圖係為本發明之有機發光顯示裝置之另一實施例之剖視圖。

第3圖係為第1圖之有機發光單元之平面圖。
第4圖係為第3圖之像素之剖視圖。
第5圖係為根據本發明之一實施例之第1圖之有機發光單元之覆蓋層之細部平面圖。
第6圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光單元之覆蓋層之平面圖。
第7圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光單元之覆蓋層之平面圖。
第8圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光單元之平面圖。
第9圖係為展示根據覆蓋層之厚度之光透射率之曲線圖。
1．．．基板
21．．．有機發光單元
211．．．緩衝層
212．．．半導體主動層
213．．．閘極絕緣層
214．．．閘極電極
215．．．介層絕緣層
216．．．源極電極
217．．．汲極電極
218．．．鈍化層
219．．．像素定義層
219a．．．開口
220．．．中間層
221．．．第一電極
222．．．第二電極
223．．．第三電極
223a．．．第二邊緣
230．．．覆蓋層
230a．．．第一邊緣
231．．．第一覆蓋層
232．．．第二覆蓋層
EL．．．有機發光元件
PA．．．發光區域
R1．．．第一區域
R2．．．第二區域
TA．．．透射區域
TR1．．．薄膜電晶體

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    一基板；
    複數個像素，位於該基板上，且每一該像素具有發出可見光之一發光區域及透射外部光之一透射區域；
    一像素電路部分，位於該複數個像素之每一該發光區域；
    一第一電極，位於每一該發光區域且係電性連接至該像素電路部分；
    一中間層，位於該第一電極上且包含一有機發射層；
    一第二電極，位於該中間層上；以及
    一覆蓋層，位於該第二電極上，且包含對應該發光區域之一第一覆蓋層及對應該透射區域之一第二覆蓋層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該覆蓋層係為可透光。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一覆蓋層與該第二覆蓋層具有不同厚度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二覆蓋層係較該第一覆蓋層為薄。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二覆蓋層包含複數個子覆蓋層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一覆蓋層與該第二覆蓋層於至少一第一方向及與該第一方向正交之一第二方向係相互分開。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一覆蓋層與該第二覆蓋層包含相同材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一覆蓋層與該第二覆蓋層包含不同材料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該覆蓋層包含8-羥基喹啉鋰(8-quinolinolato lithium, Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4’-二胺(N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)
    biphenyl-4,4’-diamine)、N(二苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺(N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-
    (4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene
    -2-amine)、或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯-[D]咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)
    phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole)。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極係為可透光。
  11. 如申請專利範圍 第1項所述之有機發光顯示裝置，其中：
    該覆蓋層係位於一第一區域之該第二電極上並具有一第一邊緣，且
    該有機發光顯示裝置更包含一第三電極，係位於該第一區域除外之一第二區域之該第二電極上，該第三電極具有一第二邊緣，且
    該覆蓋層之該第一邊緣之一側表面與該第三電極之該第二邊緣之一側表面相互接觸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極較該第二電極為厚。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中介於該第三電極與該覆蓋層之間之一接著力較介於該第三電極與該第二電極之間之一接著力為弱。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極包含鎂(Mg)。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該覆蓋層之所有邊緣與該第三電極之一邊緣相互接觸。
  16. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置包含複數個像素，每一該像素包含發出可見光之一發光區域以及透射外部光之一透射區域，該方法包含：
    形成複數個像素電路部分於一基板上以分別對應該複數個像素；
    形成一第一電極於該複數個像素之每一該發光區域且電性連接至與其對應之該些像素電路部分之其中之一；
    形成包含一有機發射層之一中間層於該第一電極上；
    形成一第二電極於該中間層上；以及
    形成一覆蓋層於該第二電極上，其中該覆蓋層包含對應該發光區域之一第一覆蓋層及對應該透射區域之一第二覆蓋層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一覆蓋層與該第二覆蓋層係分開形成。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一覆蓋層與該第二覆蓋層係利用一遮罩形成。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中：
    該覆蓋層係形成於在該第二電極上之一第一區域且具有一第一邊緣，
    該方法更包含形成一第三電極於該第二電極上之該第一區域除外之一第二區域且具有一第二邊緣，以及
    該覆蓋層之該第一邊緣之一側表面與該第三電極之該第二邊緣之一側表面係形成以互相接觸。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該第三電極之形成包含藉由利用該覆蓋層之一圖樣以圖樣化該第三電極。
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