TW201508900A - 有機發光顯示設備及製造彼之方法 - Google Patents

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Seong-Min Kim
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Abstract

一種有機發光顯示設備，包括複數個畫素、複數個第一電極、複數個第二電極、一中間層、一第三電極、一輔助層、及一第四電極。各畫素係包括一第一區域在一第一方向上發射光以及一第二區域在一與該第一方向相反之第二方向上發射光。該等第一電極係分別設置於各該等畫素之第一區域中。該等第二電極係分別設置於各該等畫素之第二區域中。該中間層係位於該複數個第一電極與該複數個第二電極上、並包括一有機發射層。該第三電極係位於該中間層上並於該第一與第二區域中。該第四電極係在該第一區域中並接觸該第三電極。

Description

有機發光顯示設備及製造彼之方法 【優先權聲明】
本申請案主張2013年8月16日於韓國智慧財產局提出申請之第10-2013-0097318號韓國專利申請案之優先權，發明名稱為「有機發光顯示設備及製造彼之方法」，其揭露全文併於此以供參考。
實施態樣係關於一種有機發光顯示設備及製造彼之方法。
有機發光顯示(OLED)設備對於解決液晶顯示設備帶有之缺陷而言係受到注目。OLED裝置可在低電壓驅動、可容易地形成為薄的、具有寬廣的視角、具有快速的應答速度(response speed)等。不同於液晶顯示設備，有機發光顯示設備係允許有一雙重發射型顯示設備。
一種有機發光顯示設備，可包括複數個畫素、複數個第一電極、複數個第二電極、一中間層、一第三電極、一輔助層、及一第四電極。各該複數個畫素可包括一第一區域在一第一 方向上發射光以及一第二區域在一與該第一方向相反之第二方向上發射光。該複數個第一電極可分別設置於各該複數個畫素之第一區域中。該複數個第二電極可分別設置於各該複數個畫素之第二區域中。該中間層可位於該複數個第一電極與該複數個第二電極上，並可包括一有機發射層。該第三電極可位於該中間層上並於該第一區域與該第二區域中。該輔助層可在該第二區域中且不在該第一區域中。該第四電極可在該第一區域中並接觸該第三電極。該第四電極不需要在該第二區域中。該第四電極亦可在該第二區域中，且該第四電極於該第二區域中之一部分的厚度可較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。該第四電極於該第二區域中之部分可位於該輔助層上。
各該複數個畫素可更包括一第三區域，其中可至少 設置有一配線(wiring)電性連接至該第一電極與該第二電極之至少一者，該輔助層不需要配置於該第三區域中，且該第四電極亦可配置於該第三區域中。各該複數個畫素可更包括一第三區域，其中可至少設置有一配線電性連接至該第一電極與該第二電極之至少一者，且該輔助層亦可配置於該第三區域中。該第四電極亦可在該第二區域與該第三區域中，且該第四電極於該第二區域與該第三區域中之部分的厚度可較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。該第四電極於該第二區域與該第三區域中之部分可形成於該輔助層上。
各該複數個畫素可更包括一第四區域，外部光係通 過其在該有機發光顯示設備之厚度方向上透射，且該輔助層亦可在該第四區域中。該第四電極不需要在該第四區域中。該第四電極亦可在該第二區域與該第四區域中，且該第四電極於該第二區域與該第四區域中之部分的厚度可較該第四電極於該第一區域中之部分的厚度為薄。該第四電極於該第二區域與該第四區域中之部分可位於該輔助層上。該第四電極之厚度可較該第三電極之厚度為厚。
該第四電極對該第三電極之附著力可較對該輔助層 之附著力為強。該輔助層可包括N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine)、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺(N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole)、m-MTDATA[4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺(m-MTDATA[4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine])、α-NPD(N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺)(α-NPD(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine))、或TPD[4,4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]聯苯] (TPD[4,4'-Bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]biphenyl])。該第四電極可包括鎂(Mg)。
提供一種製造有機發光顯示設備之方法並可包括以下。可定義複數個畫素，各畫素包括一第一區域在一第一方向上發射光以及一第二區域在一與該第一方向相反之第二方向上發射光。可形成複數個第一電極，分別設置於各該複數個畫素之第一區域中。可形成複數個第二電極，分別設置於各該複數個畫素之第二區域中。可形成一中間層，其位於該複數個第一電極與該複數個第二電極上並可包括一有機發射層。可形成一第三電極於該中間層上，在該第一區域與該第二區域中，其係藉由沉積一金屬於該中間層上而進行。可形成一輔助層於該第三電極上，在該第二區域中且不在該第一區域中。可形成一第四電極於該第三電極上，在該第一區域中並接觸該第三電極，其係藉由沉積一金屬於該第三電極上而進行。
形成該第四電極可包括同時沉積一合適的金屬於該第一區域與該第二區域中俾使該第四電極不在該第二區域中。形成該第四電極可包括同時沉積一合適的金屬於該第一區域與該第二區域中俾使該第四電極亦在該第二區域中，且該第四電極於該第二區域中之一部分的厚度可較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。形成該第四電極可包括形成該第四電極至少在該第二區域中而在該輔助層上。
各該複數個畫素可更包括一第三區域，其中至少設 置有一配線電性連接至該第一電極與該第二電極之至少一者。形成該輔助層可包括形成該輔助層不在該第三區域中，且形成該第四電極可包括同時沉積一合適的金屬於該第一區域與該第三區域中俾使該第四電極在該第三區域中。各該複數個畫素可更包括一第三區域，其中至少設置有一配線電性連接至該第一電極與該第二電極之至少一者。形成該輔助層可包括形成該輔助層使其亦在該第三區域中。
形成該第四電極可包括同時沉積一合適的金屬於該 第一區域至該第三區域中俾使該第四電極亦在該第二區域與該第三區域中，且該第四電極於該第二區域與該第三區域中之部分的厚度可較該第四電極於該第一區域中之部分的厚度為薄。形成該第四電極可包括形成該第四電極至少在該第二區域與該第三區域中而在該輔助層上。各該複數個畫素可更包括一第四區域，外部光係通過其在該有機發光顯示設備之厚度方向上透射。形成該輔助層可包括形成該輔助層使其亦在該第四區域中。
形成該第四電極可包括同時沉積一合適的金屬於該 第一區域、該第二區域、與該第四區域中俾使該第四電極不在該第四區域中。形成該第四電極可包括同時沉積一合適的金屬於該第一區域、該第二區域、與該第四區域中俾使該第四電極亦在該第二區域與該第四區域中，且該第四電極於該第二區域與該第四區域中之部分的厚度可較該第四電極於該第一區域中之部分的厚度為薄。形成該第四電極可包括形成該第四電極至少在該第二區 域與該第四區域中而在該輔助層上。
該第四電極之厚度可較該第三電極之厚度為厚。該第四電極對該第三電極之附著力可較對該輔助層之附著力為強。該輔助層包括N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、m-MTDATA[4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、α-NPD(N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺)、或TPD[4,4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]聯苯]。該第四電極可包括鎂(Mg)。
1‧‧‧基材
2‧‧‧顯示單元
21‧‧‧有機發射部件
23‧‧‧密封基材
24‧‧‧密封構件
25‧‧‧空間
26‧‧‧薄膜封裝層
31‧‧‧第一區域
32‧‧‧第二區域
33‧‧‧第三區域
34‧‧‧第四區域
211‧‧‧緩衝層
213‧‧‧閘極絕緣層
215‧‧‧層間絕緣層
218‧‧‧第一絕緣層
219‧‧‧第二絕緣層
220‧‧‧中間層
221‧‧‧第一電極
222‧‧‧第二電極
223‧‧‧第三電極
224‧‧‧第四電極
224a、224b、224c、224d‧‧‧部分
225‧‧‧加蓋層
230‧‧‧輔助層
341‧‧‧透射窗
2121、2122‧‧‧半導體主動層
2141、2142‧‧‧閘極電極
2143‧‧‧第一配線
2161、2162‧‧‧源極電極
2171、2172‧‧‧汲極電極
2173‧‧‧第二配線
Cst‧‧‧電容器
D‧‧‧資料線
E1‧‧‧第一OLED
E2‧‧‧第二OLED
P、P'‧‧‧畫素
PC‧‧‧畫素電路單元
S‧‧‧掃瞄線
t1、t2、t3、t4‧‧‧厚度
T1‧‧‧第一TFT
T2‧‧‧第二TFT
T3‧‧‧第一發射TFT
T4‧‧‧第二發射TFT
TR1‧‧‧第一薄膜電晶體
TR2‧‧‧第二薄膜電晶體
V‧‧‧Vdd線
藉由參考所附圖式詳細地說明例示性實施態樣，將使特徵對本領域技藝人士變得顯著，其中：第1圖係描繪一有機發光顯示設備之示意性截面圖；第2圖係描繪一有機發光顯示設備之示意性截面圖；第3圖係描繪第1圖或第2圖之有機發光顯示設備之有機發射部件中一畫素的俯視圖；第4圖係描繪第3圖之沿I-I的截面圖；第5圖係描繪一畫素電路單元之電路圖；第6圖係描繪第3圖之沿I-I的截面圖；第7圖係描繪第3圖之沿I-I的截面圖；第8圖係描繪第3圖之沿I-I的截面圖； 第9圖係描繪第1圖或第2圖之有機發光顯示設備之有機發射部件中一畫素的俯視圖；第10圖係描繪第9圖之沿II-II的截面圖；第11圖係描繪第9圖之沿II-II的截面圖；第12圖係描繪第9圖之沿II-II的截面圖；以及第13圖係描繪第4圖之修改實例之截面圖。
現在將詳細地參考實施態樣，其實例係描繪於所附圖式中，其中全文中相似的參考符號係指稱相似的元件。在此方面，本實施態樣可具有不同形式且不應被解釋為受限於本文中的說明。因此，實施態樣僅參考圖式說明以解釋本說明書之態樣。雖然本文中可使用「第一」、「第二」等用語以說明各種組件(component)，然該等組件不應被該等用語所限制。此等用語僅用於區分一組件與另一組件。如本文中所使用，除非內文清楚地指出相反，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」係意欲同樣包括複數形式。本文中所用用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」係詳述所稱特徵或組件之存在，但並非排除一或多個其他特徵或組件之存在或添加。
將理解，當一層、區域、或組件被指稱為「形成於(formed on)」另一層、區域、或組件之「上」時，其可直接地或間接地形成於該另一層、區域、或組件上。亦即，舉例而言，可存在有中介層、區域、或組件。為了便於解釋，可誇大圖式中元 件之尺寸。由於圖式中組件之尺寸及厚度係為了便於解釋而隨意地繪示，以下實施態樣係不受限於此。如本文中所使用，用語「及/或」係包括表列關聯項目之一者或多者之任何及所有組合。當表達式如「之至少一者(at least one of)」加在一列元件之後時，係修飾該列元件之整體而非修飾該列元件之個體。
第1圖係描繪一有機發光顯示設備之示意性截面 圖。參考第1圖，有機發光顯示設備可包括一顯示單元2於一基材1上。顯示單元2可包括一位於基材1上之有機發射部件21，以及一密封有機發射部件21之密封基材23。密封基材23可阻擋空氣及濕度穿透至有機發射部件21中。密封基材23可包括一透明構件從而使一由有機發射部件21產生之影像通過。基材1與密封基材23可藉由一密封構件24在其邊緣結合從而密封在基材1與密封基材23間的一空間25。一吸收劑、一填充材料等可在空間25中。如第2圖所示，可藉由形成一薄膜封裝層26於有機發射部件21上取代密封基材23而自空氣保護有機發射部件21。薄膜封裝層26可包括複數個無機層或一無機層與一有機層之組合。
薄膜封裝層26之有機層可包括一聚合物且可為一單一層或一由以下任一者所形成之層堆疊，例如：聚對酞酸乙二酯(PET)、聚醯亞胺、聚碳酸酯(PC)、環氧化物、聚乙烯、及聚丙烯酸酯(PAR)。有機層可包括PAR，且詳細而言，可包括一聚合單體組合物，其包括二丙烯酸酯系單體與三丙烯酸酯系單體。單體組合物可更包括一單丙烯酸酯系單體。又，單體組合物可更 包括，例如，一合適的光起始劑，如三甲基苯甲醯基聯苯膦氧化物(trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide，TPO)等。
薄膜封裝層26之無機層可為一單一層或一包括金屬 氧化物或金屬氮化物之堆疊層。無機層可包括氮化矽(SiNx)、氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、及氧化鈦(TiO2)之任一者。薄膜封裝層26之暴露於外部的頂層可包括一無機層以防止水分或空氣侵入一有機發光裝置(OLED)中。
薄膜封裝層26可包括至少一三明治結構，其中至少 一有機層係插入於至少二無機層之間。薄膜封裝層26可包括至少一三明治結構，其中至少一無機層係插入於至少二有機層之間。 薄膜封裝層26可包括一三明治結構其中至少一有機層係插入於至少二無機層之間以及一三明治結構其中至少一無機層係插入於至少二有機層之間。薄膜封裝層26可包括一第一無機層、一第一有機層、及一第二無機層，自有機發射部件21之頂部部分依序設置。 薄膜封裝層26可包括一第一無機層、一第一有機層、一第二無機層、一第二有機層、及一第三有機層，自有機發射部件21之頂部部分依序設置。薄膜封裝層26可包括一第一無機層、一第一有機層、一第二無機層、一第二有機層、一第三無機層、一第三有機層、及一第四無機層，自有機發射部件21之頂部部分依序設置。
一包括氟化鋰(LiF)之鹵化金屬層可額外地被包括 在有機發射部件21與第一無機層之間。當第一無機層係在一濺鍍方法或一電漿沉積方法中形成時，鹵化金屬層可防止有機發射部 件21受到破壞。第一有機層可小於第二無機層，以及第二有機層亦可小於第三無機層。第一有機層可完全地藉由第二無機層覆蓋，以及第二有機層亦可完全地藉由第三無機層覆蓋。
第1圖或第2圖之有機發射部件21可包括複數個畫 素，以及第3圖係描繪該複數個畫素之一畫素P的俯視圖。畫素P包括設置為與彼此相鄰之一第一區域31及一第二區域32，以及一第三區域33，其圍繞著第一區域31與第二區域32配置。第一區域31可為一底部發射區域，以及第二區域32可為一頂部發射區域。第三區域33可為電性連接至第一區域31與第二區域32的配線所通過之一區域。如第3圖所示，第三區域並非必要圍繞著第一區域31與第二區域32配置，且例如，當配線係經布置以橫跨第一區域31及/或第二區域32時，第三區域33不需要做為一分離區域(separate region)存在。
第3圖所示畫素P可為，例如，一單一次畫素(sub-pixel)，其中第一區域31與第二區域32發射一單一顏色的光。舉例而言，第3圖所示畫素P可為一單一次畫素，其中第一區域31與第二區域32分別發射不同顏色的光。畫素P可為，例如，一單一次畫素，其中第一區域31與第二區域32發射一單一顏色的光。畫素P可為一次畫素，發射例如紅、綠、及藍色之任一者的光。第1圖或第2圖之有機發射部件21除第3圖所示畫素P之外可更包括複數個次畫素，其發射紅、綠、及藍色之其他顏色的光。畫素P可為一次畫素，發射例如紅、綠、藍、及白色之任一者的光。第1圖 或第2圖之有機發射部件21除第3圖所示畫素P之外可更包括複數個次畫素，發射紅、綠、藍、及白色之其他顏色的光。發射紅、綠、藍、及/或白色之光的次畫素可藉由混合該等光而形成一發射白色光之單一畫素。在此情形中，可應用一顏色轉換層或一濾色片，轉換各畫素之白色光成為一預定顏色之光。紅、綠、藍、及/或白色係例示性的，且可使用其他顏色及/或組合及/或數量。舉例而言，除了紅、綠、藍、及/或白色的組合之外，可採用能夠發射白色光之其他各種顏色的任一組合。
第4圖係描繪第3圖之沿I-I的截面圖。參考第4圖，第一區域31係在一朝向基材1之第一方向上發射一第一影像，以及第二區域32係在一與第一方向相反之第二方向上發射一第二影像。第一及第二OLED係分別在第一區域31與第二區域32中。第一與第二OLED可在一畫素電路中分別電性連接至第一與第二薄膜電晶體(TFT)TR1與TR2。用於第一區域31之一第一畫素電路單元可自一發光路徑排除，但設置於第二區域中，從而防止第一影像在發射效率及亮度上的降低。由於第二區域32在一與基板1相反之方向上發射第二影像，電性連接至第一區域31中之第一OLED的第一畫素單元電路及一電性連接至第二區域中32中之第二OLED的第二畫素單元可配置於第二區域32中。舉例而言，第一畫素電路單元與第二畫素電路單元可為獨立的畫素電路單元，且在此情形中，第一影像與第二影像可為個別的影像而非相同影像。可提供一單一畫素電路單元電性連接至第一區域31中之第一OLED與第 二區域中之第二OLED。此畫素電路單元可配置於第二區域32中，從而防止第一影像在發射效率及亮度上的降低。
第5圖係描繪一單一畫素電路單元PC之電路圖。參考 第5圖，一掃瞄線S、一資料線D、及一作為驅動電源之Vdd線V係電性連接至畫素電路單元PC。除了掃瞄線S、資料線D、及Vdd線V之外，根據畫素電路單元PC之組態可更包括各種導線。畫素電路單元PC可包括一第一TFT T1連接至掃瞄線S及資料線D、一第二TFT T2連接至第一TFT T1及Vdd線V、以及一電容器Cst連接至第一TFT T1與第二TFT T2。第一TFT T1之一閘極電極可連接至掃瞄線S並接受一掃瞄訊號，第一TFT T1之一第一電極係連接至資料線D，以及第一TFT T1之一第二電極可連接至電容器Cst與第二TFT T2之一閘極電極。第二TFT T2之一第一電極可連接至Vdd線V與電容器Cst，以及第二TFT T2之一第二電極可連接至一第一發射TFT T3與一第二發射TFT T4之第一電極。在此情形中，第一TFT T1可為一開關電晶體，且第二TFT T2可為一驅動電晶體。第一發射TFT T3之一第二電極可電性連接至一設置於第一區域31中之第一OLED E1，且第二發射TFT T4之一第二電極可電性連接至一設置於第二區域32中之第二OLED E2。第一發射TFT T3與第二發射TFT T4之閘極電極可分別電性連接至個別的發光訊號線。
雖然第5圖中所有的TFTs T1至T4係表示為一P型，然 可使用其他型及其組合，且TFTs T1至T4之至少一者可形成為一N型。TFTs的數量及電容器的數量可不同，例如，不同於第5圖所示 的數量，且根據畫素電路單元可更包括二或更多個TFTs及一或更多個電容器。根據畫素電路單元PC之組態，透過資料線D輸入的影像資訊在第一發射TFT T3開啟時可藉由第一OLED E1實現，且在第二發射TFT T4開啟時可藉由第二OLED E2實現，俾使第一OLED E1與第二OLED E2發射不同的影像。頂部及底部發射可透過時間分割驅動(time division driving)實行，俾使頂部發射表面之一影像與底部發射表面之一影像不會互相反轉為鏡像影像。當然，在施加相同的資料訊號的狀態下，當相同的開關訊號施加至第一發射TFT T3與第二發射TFT T4時，例如，一經反轉的鏡像影像可顯示於頂部或底部表面。在第一OLED E1與第二OLED E2之基本組態為共享的狀態下，畫素電路單元PC可允許實現各種螢幕。
返回參考第4圖，第一TFT TR1與第二TFT TR2可設 置於基板1上，且可分別電性連接至一設置於第一區域31中之第一電極221及一設置於第二區域32中之第二電極222。第一TFT TR1與第二TFT TR2可分別為第一與第二畫素電路單元之驅動TFT。第一TFT TR1與第二TFT TR2可分別為第5圖所示之第一發射TFT T3與第二發射TFT T4。如第4圖所示，一緩衝層211可位於基材1上，且包括第一與第二TFT TR1與TR2之畫素電路單元可位於緩衝層211上。半導體主動層2121與2122可形成於緩衝層211上。
緩衝層211可包括一透明絕緣材料，其作用以防止雜 質元素之侵入並平坦化一表面，且可包括各種用於執行該等功能之材料。舉例而言，緩衝層211可包括一無機材料，如氧化矽、氮 化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等，一有機材料，如聚醯亞胺、聚酯、丙烯酸(acryl)等，或其堆疊體。緩衝層211可被省略。半導體主動層2121與2122可包括，例如，多晶矽。半導體主動層2121與2122可包括一氧化物半導體。舉例而言，一[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](G-I-Z-O)層(a、b、及c為滿足a0、b0、c0之條件的實數)可使用於半導體主動層2121與2122。一閘極絕緣層213可位於緩衝層211上以覆蓋半導體主動層2121與2122，且閘極電極2141與2142係位於閘極絕緣層213上。一層間絕緣層215可位於閘極絕緣層213上以覆蓋閘極電極2141與2142，且源極電極2161與2162及汲極電極2171與2172可位於層間絕緣層215上，以透過接觸孔分別接觸半導體主動層2121與2122。
所述第一與第二TFT TR1與TR2之結構並非強制性 的，且可適用各種型態的TFT結構。可形成一第一絕緣層218以覆蓋第一與第二TFT TR1與TR2。第一絕緣層218可包括一單一層或複數層，其中頂部表面可經平坦化。第一絕緣層218可包括一無機材料及/或一有機材料。
包括一第一配線2143與一第二配線2173之複數個配 線可設置於第三區域33中。當閘極電極2141與2142形成時可形成第一配線2143，且當源極電極2161與2162及汲極電極2171與2172形成時可形成第二配線2173。第一配線2143與第二配線2173可為各種型態之配線電性連接至畫素電路單元。如第4圖所示，電性連接至第一TFT TR1的第一OLED之第一電極221與電性連接至第二 TFT TR2的第二OLED之第二電極222可形成於第一絕緣層218上。第一與第二電極221與222可形成為一島之形狀。一第二絕緣層219可形成於第一絕緣層218上以覆蓋第一與第二電極221與222之邊緣。第二絕緣層219可包括一有機材料，如丙烯酸、聚醯亞胺等。
一包括一發射層(EML)之中間層220可形成於第一與第二電極221與222上，以及可形成一第三電極223以覆蓋中間層220，從而形成第一與第二OLED。中間層220可為一低分子量有機層或一高分子量有機層。當使用一低分子量有機層時，例如，一電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、EML、一電子傳輸層(ETL)、一電子注入層(EIL)等可堆疊為一單一或複合結構。該等低分子量有機層可在一真空沉積方法中形成。EML可為了紅、綠、及藍色之每一次畫素獨立形成，且HIL、HTL、ETL、EIL等可為了所有次畫素共同形成為一共通層。如第4圖所示，由於第一區域31與第二區域32係包括於形成一單一次畫素之畫素P中，例如，單一顏色之EML可沉積於第一區域31與第二區域32中。第一區域31與第二區域32可分別包括不同顏色之EML。HIL可包括一酞青素化合物，如銅酞青(CuPc)等，或星爆型胺(starburst-type amine)之任一者，如TCTA、m-MTDATA、及m-TDAPB。HTL可包括N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-(1,1-聯苯)-4,4’-二胺(N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-(1,1-biphenyl)-4,4’-diamine，TPD)或N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯胺(N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl benzidine，α-NPD)。EIL 可包括LiF、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)、或8-羥基喹啉鋰(8-hydroxyquinolate lithium，Liq)。 ETL包括三-(8-羥基喹啉)鋁(tris-(8-hydroxyquinolate)aluminum，Alq3)。EML可包括一主體材料(host material)及一摻雜劑材料(dopant material)。主體材料可包括Alq3、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracene，AND)、3-三級丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracene，TBADN)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-1-1'-聯苯(4,4’-bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)-1-1’-biphenyl，DPVBi)、或4,4'-雙〔2,2-二(4-甲基苯基)-乙烯-1-基〕聯苯(4,4'-bis[2,2-di(4-methylphenyl)-ethen-1-yl]biphenyl，p-DMDPVBi)。摻雜劑材料可包括4,4'-雙[4-(二-對-甲苯基胺基)苯乙烯基]聯苯(4,4'-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl，DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracene，ADN)、或TBADN。
第一與第二電極221與222可作用為一陽極電極，以 及第三電極223可作用為一陰極電極，且第一與第二電極221與222及第三電極223之極性可反之亦然。當第一與第二電極221與222作用為陽極電極時，舉例而言，第一與第二電極221與222可包括具有大的工作函數之氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)等。設置於第二區域32中在一與基材1相反之方向上發射影像的第二電極222可更包括一反射層，其包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳 (Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、Li、鐿(Yb)、鈷(Co)、釤(Sm)、及鈣(Ca)之至少一者。
當第三電極223作用為一陰極電極時，第三電極223 可包括一金屬，如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb、Co、Sm、或Ca。第三電極223可使光通過其俾使第二影像順利地發射。第三電極223可使用Mg及/或Mg合金而形成為一薄膜。第三電極223可使用Ag及/或Ag合金而形成為一薄膜。不同於第一與第二電極221與222，第三電極223可形成為一共通電極俾使一共通電壓可施加至所有畫素，且可藉由使用一開放式遮罩(open mask)的共同沉積，不對每一畫素圖案化而形成。第三電極223可設置於第一、第二與第三區域31、32與33中。
在形成第三電極223後，一輔助層230可形成於第二區域32與第三區域33中。因此，輔助層230可自第一區域31排除。輔助層230可藉由使用一遮罩執行沉積而形成於第二區域32與第三區域33中且可自第一區域31排除。對於輔助層230，可使用一材料，其對將形成於其上之材料(即，用於形成一第四電極224之材料，具體而言，Mg及/或Mg合金)係部分地結合。舉例而言，輔助層230可由一包括N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、m-MTDATA[4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、α-NPD(N,N'-雙(1-萘基)-N,N'- 二苯基[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺)、或TPD[4,4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]聯苯]之材料所形成。
在將經圖案化成設置於第二區域32與第三區域33中 而不設置於第一區域31中的輔助層230形成於第三電極223上後，可形成第四電極224。第四電極224可藉由使用一開放式遮罩，並於包括第一、第二、與第三區域31、32、與33之所有畫素上方共同地沉積一用於形成第四電極224之金屬而形成。當用於形成第四電極224之金屬係藉由一開放式遮罩共同地沉積於所有畫素上方時，舉例而言，由於第四電極224對第三電極223之附著力可較對輔助層230之附著力為強，故用於第四電極224之金屬係部分地沉積於輔助層230上，但完好地沉積於第三電極223上。
第四電極224可自動地圖案化以設置於第一區域31 中且不在第二區域32與第三區域33中。第四電極224可不使用一用於圖案化之分離遮罩而容易地圖案化。用於形成第四電極224之金屬可為，例如，Mg及/或Mg合金，其係部分地沉積於輔助層230上。用於形成第四電極224之金屬可替代地或額外地使用其他金屬，例如，選自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb、Co、Sm、及Ca之各種金屬，假使例如其對輔助層230之附著力係較對第三電極223之附著力為弱，則可應用為用於形成第四電極224之金屬。第一與第二電極221與222可包括相同金屬或相同的多種金屬、及/或可包括一或多種不同的金屬。第四電極224可於第一區域31中接觸第三電極223。
由於第三電極223係形成為一薄膜且為一施加一共 通電壓至所有畫素之共通電極，當表面電阻增加時，例如，可能發生一電壓下降(voltage drop)現象。由於第四電極224在第一區域31中接觸第三電極223，可減少第三電極223之電壓下降現象。 第四電極224可形成以較第三電極223為厚。由於第四電極224係形成於第一區域31中，當第一區域31中之第一OLED在朝向基材1之第一方向上發射第一影像時，例如，第四電極224可作用為一反射板，且因此，第一影像之影像品質可大幅改善。
第6圖係描繪第3圖之沿I-I的截面圖。雖然使用一對 將形成於其上之材料(例如，Mg及/或Mg合金)係部分地結合的材料作為輔助層230，仍可有一少量的金屬沉積於輔助層230上。 當輔助層230係形成於第二區域32與第三區域33中，假使用於形成第四電極224之金屬係藉由使用一開放式遮罩而沉積於第一、第二、與第三區域31、32、與33中，例如，如第6圖所示第四電極224可形成於第一、第二、與第三區域31、32、與33中。在此情形中，雖然用於形成第四電極224之金屬係稍微沉積於輔助層230上，其量可非常少，且因此，第四電極224在第二區域32與第三區域33中之部分224b與224c的厚度t2與t3可較第四電極224於第一區域31中之一部分224a的厚度t1要薄得多。因此，第二影像之透射率可不因第四電極224於第二區域32中之部分224b而顯著下降。
第7圖係描繪第3圖之沿I-I的截面圖。不同於第4圖所 描繪之實施態樣，在第7圖所描繪之實施態樣中，輔助層230可自 第三區域33排除且僅形成於第二區域32中。因此，第四電極224可不僅形成於第一區域31中而亦可形成於第三區域33中。由於第四區域224可形成於第一區域31與第三區域33中，第四電極224可重疊於包括第一配線2143與第二配線2173之各種配線，且因此，第一配線2143與第二配線2173可自觀看第二影像之使用者的視野中隱藏。
第8圖係描繪第3圖之沿I-I的截面圖。不同於第6圖所 描繪之實施態樣，在第8圖所描繪之實施態樣中，輔助層230可自第三區域33排除，且僅形成於第二區域32中。因此，第四電極224可不僅形成於第一區域31中而亦可形成於第三區域33中。雖然用於形成第四電極224之金屬係稍微沉積於輔助層230上，其量可非常少，且因此，第四電極224在第二區域32中之部分224b的厚度t2可較第四電極224於第一區域31與第三區域33中之部分224a與224c的厚度t1與t3要薄得多。第二影像之透射率可不因第四電極224於第二區域32中之部分224b而顯著下降。
第9圖係描繪第1圖或第2圖之有機發光顯示設備之有機發射部件21中一畫素P'的俯視圖。畫素P'可包括可配置為與彼此相鄰之第一區域31、第二區域32、及一第四區域34，以及圍繞著第一區域31、第二區域32、與第四區域34設置之第三區域33。第一區域31可為一底部發射區域，第二區域32可為一頂部發射區域，以及第四區域34可為一外部光透射區域，外部光通過該第四區域34在有機發光顯示設備之厚度方向上透射。第三區域33可為 連接至第一區域31與第二區域32的配線所通過之一區域。如第9圖所示，第三區域33不必要圍繞著第一區域31、第二區域32、與第四區域34配置，且當例如配線係經布置以橫跨第一區域31、第二區域32、及/或第四區域34時，第三區域33不需要做為一分離區域存在。第四區域34可如第9圖所示為了每一次畫素提供，且第四區域34可為了形成一單一單元畫素之各次畫素提供，例如，各個紅、綠、及藍次畫素。第四區域34可為了各個紅、綠、藍、及白次畫素所提供。
第10圖係描繪第9圖之沿II-II的截面圖。在第10圖所 描繪之實施態樣中，輔助層230可形成於第二區域32、第三區域33、與第四區域34中且可自第一區域31排除。第四電極224可僅在第一區域31中圖案化並接觸第三電極223而不形成於第二區域32、第三區域33、與第四區域34中。因此，在外部光通過其透射之第四區域34中的外部光的透射率可不因第四電極224而降低，並可實行一透明頂部與底部發射顯示設備，其在有機發射部件21中具有改善的外部光的透射率。
第11圖係描繪第9圖之沿II-II的截面圖。不同於第10圖所描繪之實施態樣，在第11圖所描繪之實施態樣中，第四電極224係甚至形成為一薄膜於輔助層230上。因此，第四電極224係形成於第一區域31、第二區域32、第三區域33、與第四區域34中。雖然用於形成第四電極224之金屬係稍微沉積於輔助層230上，其量可非常少，且因此，第四電極224在第二區域32、第三區域33、 與第四區域34中之部分224b、224c、與224d的厚度t2、t3、與t4可較第四電極224於第一區域31中之部分224a的厚度t1要薄得多。第二影像之透射率並不需要因第四電極224於第二區域32中之部分224b而顯著下降，且外部光之透射率並不需要因第四電極224於第四區域34中之部分224d而顯著下降。輔助層230不需要形成於第三區域33中，且因此，類似第7圖與第8圖所描繪的實施態樣，第四電極224亦可形成於第三區域33中。
第12圖係描繪第9圖之沿II-II的截面圖，其係第10圖 所描繪之實施態樣之一變形。不同於第10圖所描繪之實施態樣，在第12圖所描繪之實施態樣中，第二絕緣層219更包括一透射窗341於第四區域34中。透射窗341係藉由移除第二絕緣層219之一部分而形成。形成於第四區域34中之透射窗341可改善外部光之透射率。作為一實例，第12圖顯示透射窗34僅形成於第二絕緣層219中，窗之數量及位置可改變，且一透射窗可更形成於第一絕緣層218、層間絕緣層215、閘極絕緣層213、與緩衝層211之至少一者中。如第12圖所示一透射窗結構亦可應用於第10圖與第11圖所描繪之實施態樣中。
第13圖係描繪第4圖之修改實例之截面圖。在第13圖 所描繪之實施態樣中，一加蓋層(capping layer)225係更形成為有機發射部件21之一最上層以覆蓋第四電極224與輔助層230。加蓋層225可包括一具有良好光透射性之材料。加蓋層225可包括一含有LiF之鹵化金屬。加蓋層225可應用於第6圖至第8圖及第10圖 至第12圖所描繪之實施態樣與其所有的變形實例。
雖然本文中說明了第三電極223、輔助層230、與第 四電極224係依序形成，該等不須依序執行。舉例而言，輔助層230可在形成第三電極223之前形成。在此情形中，當第三電極223係形成為相對厚時，第三電極223可在第一區域31中形成為厚的，並在形成有輔助層230之第二區域32、第三區域33、及/或第四區域34中形成為薄的，俾使第三電極223覆蓋輔助層230。在此情形中，第四電極224可包括與第三電極223相同之材料並與第三電極223形成為一體。輔助層230可具有電子注入/傳輸特性及/或電洞阻擋特性。當第一電極221與第二電極222作用為一陰極時，例如，輔助層230可具有電洞注入/傳輸特性。此實施態樣可應用於第4圖、第6圖至第8圖、及第10圖至第13圖所描繪之實施態樣與其所有的變形實例。
經由總結與檢討，為了同時地實現頂部發射與底部 發射，一底部發射部件之陰極反射電極係在一有機發射層上圖案化。然而，在此之前，頻繁地使用一用於該圖案化之精細金屬遮罩係困難的。如本文中所述，一包括金屬之第四電極可藉由不使用一單獨的圖案化遮罩之圖案化而形成，藉此極大地簡化並改善圖案化製程。第四電極可自一外部光通過其之第四區域排除，或可形成為一最小厚度，藉此改善其上形成有電極之平板的透射率。第四電極亦可減少第三電極之配線電阻。本實施態樣可容易地應用於大尺寸顯示設備。該等通用及特定的實施態樣可藉由使 用一系統、一方法、一電腦程式、或該系統、該方法、與該電腦程式之組合而實行。
本文中所述結構可藉由應用於大區域有機發光顯示 設備而更有效地被利用。舉例而言，當一大區域有機發光顯示設備形成時，具體而言，當一上電極形成時，由於使用一精細金屬遮罩以應用一圖案化製程可能為困難的，在為底部發射區域之第一區域中圖案化一反射電極係困難的。然而，當使用本文中所述結構，可使用一開放式遮罩替代精細金屬遮罩以圖案化在底部發射區域中之反射電極，可更有效地應用製程。
雖然採用特定的用語，然而該等係僅用於在一般及敘述性觀念上的詮釋，而非用於限制之目的。在一些例子中，除非有具體地指出不同，關於一特定實施態樣所述之特徵、特性、及/或元件可被單獨地使用或結合關於其他實施態樣所述之特徵、特性、及/或元件而被使用，這對本申請提出時之本領域具通常知識者而言是明顯的。因此，本領域具通常知識者將可理解，在不背離以如下申請專利範圍所述之本發明精神與範疇之情況下，可進行各式形式及細節上的變化。
1‧‧‧基材
21‧‧‧有機發射部件
31‧‧‧第一區域
32‧‧‧第二區域
33‧‧‧第三區域
211‧‧‧緩衝層
213‧‧‧閘極絕緣層
215‧‧‧層間絕緣層
218‧‧‧第一絕緣層
219‧‧‧第二絕緣層
220‧‧‧中間層
221‧‧‧第一電極
222‧‧‧第二電極
223‧‧‧第三電極
224‧‧‧第四電極
230‧‧‧輔助層
2121、2122‧‧‧半導體主動層
2141、2142‧‧‧閘極電極
2143‧‧‧第一配線
2161、2162‧‧‧源極電極
2171、2172‧‧‧汲極電極
2173‧‧‧第二配線
P‧‧‧畫素
TR1‧‧‧第一薄膜電晶體
TR2‧‧‧第二薄膜電晶體

Claims (33)

  1. 一種有機發光顯示設備，包含：複數個畫素，各畫素係包括一第一區域在一第一方向上發射光，以及一第二區域在一與該第一方向相反之第二方向上發射光；複數個第一電極，分別設置於各該複數個畫素之第一區域中；複數個第二電極，分別設置於各該複數個畫素之第二區域中；一中間層，位於該複數個第一電極與該複數個第二電極上並包括一有機發射層；一第三電極，位於該中間層上並配置於該第一區域與該第二區域中；一輔助層，於該第二區域中且未配置於該第一區域中；以及一第四電極，於該第一區域中並接觸該第三電極。
  2. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中該第四電極係不在該第二區域中。
  3. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中該第四電極亦在該第二區域中，且該第四電極於該第二區域中之一部分的厚度係較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。
  4. 如請求項3之有機發光顯示設備，其中該第四電極於該第二區域中之部分係位於該輔助層上。
  5. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中各該複數個畫素更包括一第三區域，其中至少設置有一配線(wiring)電性連接至該第一電極與該第二電極之至少一者，該輔助層係不在該第三區域中，以及該第四電極亦在該第三區域中。
  6. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中各該複數個畫素更包括一第三區域，其中至少設置有一配線電性連接至該第一電極與該第二電極之至少一者，以及該輔助層亦在該第三區域中。
  7. 如請求項6之有機發光顯示設備，其中該第四電極亦在該第二區域與該第三區域中，且該第四電極於該第二區域與該第三區域中之部分的厚度係較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。
  8. 如請求項7之有機發光顯示設備，其中該第四電極於該第二區域與該第三區域中之部分係位於該輔助層上。
  9. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中各該複數個畫素更包括一第四區域，外部光係通過其在該有機發光顯示設備之厚度方向上透射，以及 該輔助層亦在該第四區域中。
  10. 如請求項9之有機發光顯示設備，其中該第四電極係不在該第四區域中。
  11. 如請求項9之有機發光顯示設備，其中該第四電極亦在該第二區域與該第四區域中，且該第四電極於該第二區域與該第四區域中之部分的厚度係較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。
  12. 如請求項11之有機發光顯示設備，其中該第四電極於該第二區域與該第四區域中之部分係位於該輔助層上。
  13. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中該第四電極之厚度係較該第三電極之厚度為厚。
  14. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中該第四電極對該第三電極之附著力係較對該輔助層之附著力為強。
  15. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中該輔助層包括N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine)、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺(N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基) 蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole)、m-MTDATA[4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺(m-MTDATA[4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine])、α-NPD(N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺)(α-NPD(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine))、或TPD[4,4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]聯苯](TPD[4,4'-Bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]biphenyl])。
  16. 如請求項1之有機發光顯示設備，其中該第四電極包括鎂(Mg)。
  17. 一種製造有機發光顯示設備之方法，該方法包含：定義複數個畫素，各畫素係包括一第一區域在一第一方向上發射光，以及一第二區域在一與該第一方向相反之第二方向上發射光；形成複數個第一電極，分別設置於各該複數個畫素之第一區域中；形成複數個第二電極，分別設置於各該複數個畫素之第二區域中； 形成一中間層，其位於該複數個第一電極與該複數個第二電極上並包括一有機發射層；形成一第三電極於該中間層上，在該第一區域與該第二區域中，其係藉由沉積一第一金屬於該中間層上而進行；形成一輔助層於該第三電極上，在該第二區域中且不在該第一區域中；以及形成一第四電極於該第三電極上，在該第一區域中並接觸該第三電極，其係藉由沉積一第二金屬於該第三電極上而進行。
  18. 如請求項17之方法，其中形成該第四電極係包括同時沉積該第二金屬於該第一區域與該第二區域中俾使該第四電極不在該第二區域中。
  19. 如請求項17之方法，其中形成該第四電極係包括同時沉積該第二金屬於該第一區域與該第二區域中俾使該第四電極亦在該第二區域中，且該第四電極於該第二區域中之一部分的厚度係較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。
  20. 如請求項19之方法，其中形成該第四電極係包括形成該第四電極至少在該第二區域中而在該輔助層上。
  21. 如請求項17之方法，其中各該複數個畫素更包括一第三區域，其中至少設置有一配線電性連接至該第一電極與該第二電極之至少一者，形成該輔助層係包括形成該輔助層不在該第三區域中，以及 形成該第四電極係包括同時沉積該第二金屬於該第一區域與該第三區域中俾使該第四電極在該第三區域中。
  22. 如請求項17之方法，其中各該複數個畫素更包括一第三區域，其中至少設置有一配線電性連接至該第一電極與該第二電極之至少一者，以及形成該輔助層係包括形成該輔助層於該第三區域中。
  23. 如請求項22之方法，其中形成該第四電極係包括同時沉積該第二金屬於該第一區域至該第三區域中俾使該第四電極亦在該第二區域與該第三區域中，且該第四電極於該第二區域與該第三區域中之部分的厚度係較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。
  24. 如請求項23之方法，其中形成該第四電極係包括形成該第四電極至少在該第二區域與該第三區域中而在該輔助層上。
  25. 如請求項17之方法，其中各該複數個畫素更包括一第四區域，外部光係通過其在該有機發光顯示設備之厚度方向上透射，以及形成該輔助層係包括形成該輔助層於該第四區域中。
  26. 如請求項25之方法，其中形成該第四電極係包括同時沉積該第二金屬於該第一區域、該第二區域、與該第四區域中俾使該第四電極不在該第四區域中。
  27. 如請求項25之方法，其中形成該第四電極係包括同時沉積該第二金屬於該第一區域、該第二區域、與該第四區域中俾使該第四電極亦在該第二區域與該第四區域中，且該第四電極於該第二區域與該第四區域中之部分的厚度係較該第四電極於該第一區域中之一部分的厚度為薄。
  28. 如請求項27之方法，其中形成該第四電極係包括形成該第四電極至少在該第二區域與該第四區域中而在該輔助層上。
  29. 如請求項17之方法，其中該第四電極之厚度係較該第三電極之厚度為厚。
  30. 如請求項17之方法，其中該第四電極對該第三電極之附著力係較對該輔助層之附著力為強。
  31. 如請求項17之方法，其中該輔助層包括N,N'-二苯基-N,N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、m-MTDATA[4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、α-NPD(N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺)、或TPD[4,4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]聯苯]。
  32. 如請求項17之方法，其中該第四電極包括鎂(Mg)。
  33. 如請求項17之方法，其中該第一與第二電極包括相同的金屬。
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