TWI549284B

TWI549284B - 有機發光顯示裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI549284B
Application number: TW100135464A
Authority: TW
Inventors: 李周炫; 朴炳熙; 鄭鎮九; 崔俊呼; 金星民
Original assignee: 三星顯示器有限公司
Priority date: 2010-10-28
Filing date: 2011-09-30
Publication date: 2016-09-11
Also published as: TW201230322A; KR101397110B1; KR20120044876A

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法

相關申請案的相互參照

本申請案依35U.S.C §119之規定主張稍早於2010年10月28日向韓國智慧財產局提出之申請案，案號為10-2010-0106022，以及稍早於2011年5月31日向韓國智慧財產局提出之申請案，案號為10-2011-0052386，且被給予案名：「有機發光顯示裝置及其製造方法」之優先權效益。

本發明係有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法，更確切地說，是有關於一種透明有機發光顯示裝置及其製造方法。

由於寬廣的視角、高對比度、快速的反應速度、及低功率消耗，有機發光顯示裝置已廣泛地應用於個人可攜式裝置，包含MP3播放器、手機、電視、等等。為了使有機發光顯示裝置呈現透明，已有企圖在座落於薄膜電晶體或有機電致發光裝置(organic EL)以外的地方形成透光區域。在此情況下，當沉積陰極時需使用精細金屬遮罩以執行圖樣化製程，因此使用不透明金屬材料所製成的陰極並不會形成於透光區域中。

然而，由於在沉積陰極的製程中精細金屬遮罩需移動數次，形成透光區域時可能發生位置錯誤，且造成透光區域的變形。

本發明提供一種透明有機發光顯示裝置，其對於外部光線具有高透光率，以及製造該透明有機發光顯示裝置之方法。

本發明亦提供一種有機發光顯示裝置，其中可輕易地圖樣化陰極，以及製造該有機發光顯示裝置之方法。

根據本發明之一態樣，其係提供一種有機發光顯示裝置，其包含基板、配置於基板上的複數個像素，其中每一像素包含發射光線之第一區域及傳輸光線的第二區域，第一區域包括包含至少一薄膜電晶體之像素電路單元及電性連接至像素電路單元且圖樣化以具有一島型的第一電極，每一像素之第一電極係於每一複數個像素中相互分離。其中每一像素更包含配置以覆蓋第一電極之第一有機層、配置於第一有機層上並圖樣化以對應第一有機層且包含發射層(EML)之複數個第二有機層、配置於第二有機層上以覆蓋第二有機層之第三有機層、配置於第三有機層上且包含圖樣化以對應第一電極之第一部分的第一輔助層、以及於第一輔助層上圖樣化以對應第一部分之第二電極。

第一輔助層可包含配置於連接至第一部分之第二區域中的第二部分。有機發光顯示裝置也可包含配置於第一輔助層上，且圖樣化以對應第一輔助層之第二部分之第二輔助層。此處，第二電極可更設置於第二輔助層上，且設置於第二輔助層上之第二電極相較於圖樣化以對應第一輔助層之第一部分的第二電極具有較小厚度。第三有機層可更配置於第二區域中。第一有機層可更配置於第二區域中。第一輔助層可包含連接至第一部分且配置於第二區域中的第一有機層上之第二部分。有機發光顯示裝置亦可包含於第一輔助層上圖樣化且對應於第一輔助層之第二部分之第二輔助層。第一有機層可包含選自由電洞傳輸層(HTL)與電洞注入層(HIL)所組成群組中之一層。第三有機層可包含選自由電子注入層(EIL)與電子傳輸層(ETL)所組成群組中之一層。第一電極可與像素電路單元重疊。每一複數個像素之第一區域可包含電路部位與發射部位，且其中像素電路單元係配置於電路部位中，且其中第一電極係配置於發射部位中。每一複數個像素之電路部位與發射部位可相互鄰接。有機發光顯示裝置也可包含覆蓋第一電極二端之絕緣層，其係配置於第一有機層與第一電極之二端之間。第二電極可包含鎂(Mg)。第二電極可更沉積於第二區域上，且沉積於第二區域上之第二電極相較於圖樣化以對應第一輔助層之第一部分的第二電極具有較小厚度。

根據本發明之另一態樣，其係提供一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包含將基板分隔為分別具有發射光線之第一區域與傳輸外部光線的第二區域的複數個像素；形成複數個像素電路單元，其係分別配置於複數個像素之第一區域中，且分別包含一個或多個薄膜電晶體；形成複數個第一電極，其係分別配置於複數個像素之第一區域中、且分別電性連接至複數個像素電路單元、並圖樣化以具有於每一複數個像素中相互分離之一島型；形成第一有機層以覆蓋第一電極；形成複數個第二有機層於第一有機層上，複數個第二有機層係圖樣化以對應第一有機層且包含發射層；形成第三有機層於第二有機層上以覆蓋第二有機層；形成第一輔助層於第三有機層上，第一輔助層包含圖樣化以對應於第一電極之第一部分；以及藉由於第一區域及第二區域中沉積金屬以形成第二電極，第二電極係於第一輔助層上圖樣化以對應於第一部分。

形成第一輔助層亦可包含形成第二部分，其係配置於第二區域中且連接至第一部分。該方法亦可包含形成第二輔助層，其係介於形成第一輔助層與形成第二電極之間，其中第二輔助層可於第一輔助層上圖樣化以對應第一輔助層之第二部分。第三有機層可配置於第一區域中及第二區域中。第一有機層可配置於第一區域中及第二區域中。第一輔助層亦可包含配置於第二區域中之第一有機層上且連接至第一部分之第二部分。該方法亦可包含形成第二輔助層，其係介於形成第一輔助層與形成第二電極之間，其中第二輔助層係於第一輔助層上圖樣化以對應於第一輔助層之第二部分。金屬可包含鎂。第一有機層可包含電洞傳輸層(HTL)或電洞注入層(HIL)。第三有機層可包含電子注入層(EIL)或電子傳輸層(ETL)。第一電極可與像素電路單元重疊。每一複數個像素之第一區域可包含電路部位與發射部位，像素電路單元係配置於電路部位中，第一電極係配置於發射部位中。每一複數個像素之電路部位與發射部位可相互鄰接。該方法亦可包含形成絕緣層，其係介於形成第一電極與形成第一有機層之間，其中絕緣層覆蓋第一電極之二端且可配置於第一有機層與第一電極之二端之間。

1‧‧‧基板

2‧‧‧顯示單元

211‧‧‧緩衝層

212‧‧‧半導體主動層

213‧‧‧閘極絕緣層

214‧‧‧閘極電極

215‧‧‧層間絕緣層

216‧‧‧源極電極

217‧‧‧汲極電極

218‧‧‧鈍化層

219‧‧‧絕緣層

221‧‧‧第一電極

222‧‧‧第二電極

222a、230a‧‧‧第一部分

222b、230b‧‧‧第二部分

223‧‧‧有機層

223a‧‧‧第一有機層

223b‧‧‧第二有機層

223c‧‧‧第三有機層

230‧‧‧第一輔助層

235‧‧‧第二輔助層

31‧‧‧第一區域

311‧‧‧電路部位

312‧‧‧發射部位

32‧‧‧第二區域

4‧‧‧封裝基板

EL‧‧‧有機電致光裝置

P1‧‧‧第一像素

P2‧‧‧第二像素

Pr‧‧‧紅色像素

Pg‧‧‧綠色像素

Pb‧‧‧藍色像素

TR‧‧‧薄膜電晶體

t1‧‧‧第一厚度

t2‧‧‧第二厚度

藉由參考接下來的詳細說明並配合附圖，將更能理解本發明之完整評價及其許多隨之而來的優點，相似的元件符號代表相同或相似的元件，其中：第1圖係為根據本發明一實施例所繪示之有機發光顯示裝置之二相鄰像素之第一像素與第二像素；第2圖係為有機發光顯示裝置中相互鄰接之紅色像素、綠色像素、以及藍色像素之平面圖；第3圖係為第2圖中沿著線段I-I所截取之紅色像素之剖面圖；第4圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中之有機電致發光裝置之剖面圖；第5圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中之有機電致發光裝置另一範例之剖面圖；第6圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中之有機電致發光裝置另一範例之剖面圖；第7圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中之有機電致發光裝置另一範例之剖面圖；第8圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中之有機電致發光裝置另一範例之剖面圖；第9圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第4圖中之有機電致發光裝置另一範例之剖面圖；第10圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第8圖中之有機電致發光裝置另一範例之剖面圖；第11圖係為根據本發明另一實施例之有機發光顯示裝置中相互鄰接之紅色像素、綠色像素、以及藍色像素之平面圖；以及第12圖係為第11圖中沿著線段Ⅱ-Ⅱ所截取之紅色像素之剖面圖。

在下文中將藉由參考附圖闡釋本發明之例示性實施例以詳細描述本發明。在說明書中，“及/或”表示所列出的元件中之至少其一，以及所列出元件的一個或多個組合。

現請參閱第1圖，第1圖描繪了有機發光顯示裝置中的二相鄰像素：第一像素P1與第二像素P2。第1圖亦繪示了有機發光顯示裝置之剖面圖。請參閱第1圖，有機發光顯示裝置具有顯示單元2配置於基板1上之構造。在有機發光顯示裝置中，外部光線係經由穿透基板1與顯示單元2而入射。

如稍後將敘述的，由於考慮到外部光線，顯示單元2係形成為透明的，因此於第1圖中，位於影像實現這一端的使用者可見到基板1底端下的另一影像。雖然第1圖所顯示的有機發光顯示裝置係為底部發射型有機發光顯示裝置，其中顯示單元2之影像係透過基板1而實現，有機發光顯示裝置的種類並不限於此，因此有機發光顯示裝置可為頂部發射型有機發光顯示裝置，其中顯示單元2之影像係於遠離基板1的方向實現。

請參閱第1圖，每一第一像素P1與第二像素P2均包含第一區域31與第二區域32。來自顯示單元2之影像係於第一區域31中實現，且外部光線係透過第二區域32而傳輸。意即，根據本發明之有機發光顯示裝置，每一第一像素P1與第二像素P2均包含實現影像之第一區域31與傳輸外部光線之第二區域32，因此當使用者不看影像時可看見外部光線。

在此考量下，包含薄膜電晶體、電容、有機電致發光裝置(organic EL)之裝置不會形成於第二區域32中，因此得以將外部光線之透光率最大化，且將由於包含薄膜電晶體、電容、有機電致光裝置之裝置的干擾所造成傳輸外部光線的扭曲變形最小化。

現請參閱第2圖至第4圖，第2圖係為相互鄰接之紅色像素Pr、綠色像素Pg、以及藍色像素Pb之平面圖。第3圖係為第2圖中沿著線段I-I所截取之紅色像素Pr之剖面圖。而第4圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中有機電致發光裝置之剖面圖。

請參閱第2圖，每一紅色、綠色、藍色像素Pr、Pg、Pb於第一區域31中包含電路部位311與發射部位312。在本實施例中，電路部位311與發射部位312係相互重疊配置。

對外部光線透明的第二區域32係鄰接第一區域31而設置。第二區域32可與每一紅色、綠色、藍色像素Pr、Pg、Pb分隔，但是雖然未繪示，第二區域32可被配置以延伸重疊紅色、綠色、藍色像素Pr、Pg、Pb。在第二區域32延伸重疊紅色、綠色、藍色像素Pr、Pg、Pb的情形中，可增加第二區域32傳輸外部光線的面積，因此可增加整個顯示單元2的透光率。

如第3圖所示，包含薄膜電晶體TR的像素電路單元係配置於電路部位311中。請參閱第3圖，像素電路單元包含一薄膜電晶體TR，但像素電路單元之結構不限於此。像素電路單元更可包含複數個薄膜電晶體以及一個薄膜電晶體與多個儲存電容，且像素電路單元亦可包含連接至薄膜電晶體與電容的線路，例如掃描線、資料線、或Vdd線。

做為發光裝置之有機電致發光裝置係設置於發射部位312中。有機電致發光裝置係電性連接至電路部位311之薄膜電晶體TR。

緩衝層211係形成於基板1上，且包含薄膜電晶體TR之像素電路單元係形成於緩衝層211上。緩衝層211係由透明絕緣材料製成，用於平坦化一表面以避免外來物質之滲透，並可由各種不同可以執行此功能之材料製成。舉例來說，緩衝層211可由無機材料製成，包含矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、或氮化鈦。其可由有機材料製成，包含聚酰亞胺(polyimide)，聚酯(polyester)或丙烯醯基(acryl)，或包含無機材料與有機材料之多層堆疊。緩衝層211並非必要設置之元件，因此若需要時可省略。

半導體主動層212係形成於緩衝層211上。半導體主動層212可由多晶矽形成但不限於此，因此可用氧化半導體形成。舉例來說，半導體主動層212可由鎵-銦-鋅-氧層製成((In₂O₃)_a(Ga₂O₃)_b(ZnO)_c)(其中a、b、c為實數且依序滿足a>0、b>0、c>0)。當半導體主動層212以氧化半導體形成時，可更加改善第一區域31之電路部位311之外部光線透光率，因此增加整個顯示單元2的透光率。

閘極絕緣層213係形成於緩衝層211上以覆蓋半導體主動層212，且閘極電極214係形成於閘極絕緣層213上。層間絕緣層215係形成於閘極絕緣層213上以覆蓋閘極電極214，且源極電極216與汲極電極217係形成於層間絕緣層215上，且接著分別地透過接觸孔接觸半導體主動層212。其將了解的是薄膜電晶體TR之結構不僅限於此，因此可能改變。

鈍化層218係形成以覆蓋薄膜電晶體TR。鈍化層218可為頂端表面為平坦的單層或多層絕緣層。鈍化層218可由無機材料及/或有機材料所製成。

如第3圖所示，電性連接至薄膜電晶體TR之有機電致發光裝置(於第3圖中表示為EL)之第一電極221係形成於鈍化層218上。第一電極221具有於每一像素中相互分離之一島型形狀。第一電極221可由具有高功函數之材料製成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或三氧化二銦(In₂O₃)。

當第1圖之有機發光顯示裝置為一頂端發射型有機發光顯示裝置，其中影像係於遠離基板1之方向而實現，第一電極221可更包含反射層，其可由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、或鈣(Ca)所製成。若第一電極221為反射電極，第一電極221可覆蓋像素電路單元之導電圖樣，所以可能降低由於像素電路單元之導電圖樣所散射之外部光線造成之傳輸影像之扭曲變形。

絕緣層219係形成於鈍化層218上。絕緣層219可作用為像素定義層。絕緣層219覆蓋第一電極221之二端且暴露第一電極221之中央部位。絕緣層219可覆蓋第二區域32，且絕緣層219並不需要整個覆蓋第一區域31，但絕緣層219必須覆蓋第一區域31之部分，特別是第一電極221的二端。絕緣層219可由有機絕緣材料製成，例如包含丙烯醯基樹脂(acryl-based resin)、環氧基樹脂(epoxy-based resin)、聚酰亞胺或相似物之聚合物基有機材料，且絕緣層219的上表面可為平坦的。

有機層223係形成於第一電極221暴露之中央部位上以及形成於覆蓋第一電極221二端之部分絕緣層219上。如第4圖所繪示，有機層223包含第一有機層223a、第二有機層223b、以及第三有機層223c。第一有機層223a包含電洞注入層(HIL)與電洞傳輸層(HTL)。第二有機層223b包含發射層(EML)。第三有機層223c包含電子注入層(EIL)與電子傳輸層(ETL)。第一有機層223a與第三有機層223c係為共同層且因此可共同地應用於所有像素，但第二有機層223b則依據每一像素之顏色分別沉積。

電洞注入層(HIL)可由酞菁化合物(phthalocyanine compound)製成，包含銅苯二甲藍(copper phthalocyanine)或4,4',4"-三(咔唑基)三苯胺(TCTA)、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三(p-N-苯基-N-m-甲基苯)胺苯基)苯(1,3,5-Tris(p-N-phenyl-N-m-tolyl)aminophenyl)benzene,m-MTDAPB)、或其相似物之爆型胺(starburst-type amine)。電洞傳輸層(HTL)可由N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine,TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl benzidine,-NPD)、或其相似物製成。電子注入層(EIL)可由氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li₂O)、氧化鋇(BaO)、或喹啉鋰(Liq)所製成。電子傳輸層可由三(8-羥基喹啉鋁)(Alq3)所製成。

發射層(EML)可包含基質材料和摻雜材料。基質材料之範例可包含三(8-羥基喹啉鋁)(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,AND)、3-三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl,DPVBi)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl,p-DMDPVBi)、三(9,9-二芳基芴)(tert(9,9-diarylfluorene),TDAF)、2-(9,9'-旋環雙芴-2-基)-9,9'旋環二芴(2-(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,BSDF)、2,7-雙(9,9'-旋環雙芴-2-基)-9,9'-旋環雙芴基(2,7-bis(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,TSDF)、雙(9,9-二芳基芴)(bis(9,9-diarylfluorene),BDAF)、4,4'-雙(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4'-二(三丁基)苯(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-di-(tert-butyl)phenyl,p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene,mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(1,3,5-tris(carbazol-9-yl)benzene,tCP)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine,TcTa)、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl,CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-2,2'- 二甲基聯苯(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl,CBDP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene,DMFL-CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9'-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorine,FL-4CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene,DPFL-CBP)、9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorine,FL-2CBP)、或其相似物。摻雜材料之範例可包含4,4'-雙[4-(二-p-甲苯基胺)苯乙烯]聯苯(4,4'-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl,DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(AND)、3-三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、或其相似物。

現請參閱第4圖，第一輔助層230係形成於絕緣層219與有機層223上。第一輔助層230可形成以完全覆蓋第一區域31與第二區域32。更詳細地說，第一輔助層可包含第一部分230a與第二部分230b。在此，第一部分230a係配置於對應第一電極221之第一區域31中，而第二部分230b係配置於第二區域32中與第一部分230a相連。如第4圖所繪示，第一輔助層230之第二部分230b係形成於有機層223並未形成之第二區域32之絕緣層219上。

第一輔助層230可包含至少一選自由鋁、銀、金、及鎂金合金其中一種材料。第一輔助層230的厚度以不降低第二區域32之透光率為原則。第一輔助層230的厚度可介於約5埃至約100埃(Å)之間，且較佳為介於約10埃至約20埃間。

在一測試中當第一輔助層230使用鎂與金以質量比9：1的比例製成且厚度為10埃時，透光率可達到99.3%。在一測試中當第一輔助層230使用鋁製成且厚度為10埃時，透光率可達到99.8%。根據測試的結果，其可了解的是雖然第一輔助層230存在於第二區域32中，但第一輔助層230並不會顯著地傷害第二區域32傳輸外部光線的功能。第一輔助層230的功能將於稍後描述。

第二輔助層235係形成於第一輔助層230上。第二輔助層235對應於第一輔助層230的第二部分230b。第二輔助層可由8-羥基喹啉鋰(8-Quinolinolato Lithium,Liq)、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺(N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine,HT01)、N(二苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine,HT211)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯-[D]咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201)、或其相似物所製成。第二輔助層235的厚度可形成以不降低第二區域32之透光率為原則。第二輔助層235之功能將於稍後描述。

第二電極222係形成以對應於第一輔助層230之第一部分230a。第二電極222幾乎不形成於第二輔助層235上。第二電極222可由具有低功函數之材料所製成。第二電極222可包含銀(Ag)，鎂(Mg)，鋁 (Al)，鉑(Pt)，鈀(Pd)，金(Au)，鎳(Ni)，釹(Nd)，銥(Ir)，鉻(Cr)，鋰(Li),or鈣(Ca)，特別是包含鎂或鎂合金的金屬。第一電極221可做為陽極，且第二電極222可做為陰極。顯然地，第一電極221與第二電極222的極性可以互換。最後，封裝基板4覆蓋在形成的結構上以隔絕濕氣與氧氣使顯示結構更為完整。第二電極222可藉由執行一般的真空沉積製程來形成。舉例而言，第二電極222可為藉由在真空室中利用熱蒸鍍(thermal evaporation)或濺鍍(sputtering)法沉積鎂金屬而形成的一薄膜。

在第4圖的實施例中，藉由使用精細金屬遮罩以圖樣化，第一有機層223a與第三有機層223c可被沉積以做為對應於第一電極221之第一區域31中所有像素的共同層。第二有機層223b係圖樣化以對應於每一像素，亦即第二有機層223b係藉由使用另外的精細金屬遮罩而圖樣化以對應第一電極221。並且，第一輔助層230係藉由使用開放式遮罩完整地沉積於第三有機層223c與絕緣層219上，並不需要區別第一區域31與第二區域32。此後，藉由使用精細金屬遮罩以圖樣化，第二輔助層235係沉積於有機層223並未形成之第二區域32的絕緣層219上，以做為所有像素的共同層。在此，不同於精細金屬遮罩，開放式遮罩係指具有寬闊開口且不具備精細圖樣的遮罩。

第二電極222係藉由使用開放式遮罩而沉積，且在此時，由於第一輔助層230與第二輔助層235，第二電極222可僅沉積於第一區域31的所有像素上，而無需如同相關技術般使用精細金屬遮罩。

用於形成第二電極222的金屬，特別是包含鎂或鎂合金的金屬，可輕易地沉積於第一輔助層230上，但幾乎不沉積於第二輔助層235上。對於選自由至少一鋁、銀、及鎂銀合金所組成群組之一金屬材料所製成的第二電極222，第一輔助層230具有良好的附著度。然而當第二電極222由鎂或包含鎂之合金所製成時，第二輔助層235之附著度不佳。因此當第二電極222藉由使用包含鎂或鎂合金之金屬沉積而成時，雖然藉由使用金屬與開放式遮罩於第一區域31與第二區域32的所有像素上進行沉積，金屬僅沉積於形成有第一輔助層230之第一區域31中，且幾乎不沉積於形成有第二輔助層235的第二區域32中，因此可自動獲得第二電極222的圖樣化效果。

同時，若精細金屬遮罩如同用於有機層223般用以圖樣化第二電極222時，在長時間使用下，精密金屬遮罩可能因為沉積過程的高沉積溫度而導致變型，因此可能在製程中引起如遮蔽效應(shadow effect)的不穩定因素。在此情形之下，根據此實施例，第二電極222藉由利用形成第二電極222的金屬與第一與第二輔助層230、235之間的關係，可以僅形成於暴露了第一輔助層230的第一區域31中，而無需使用精細金屬遮罩，因此得以解決上述的所有問題。

現在請參閱第5圖，第5圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中有機電致發光裝置另一範例之剖面圖。請參閱第5圖，本實施例相似於第4圖之實施例，其中第一有機層223a、第二有機層223b、第三有機層223c、第一輔助層230、以及第二電極222係依序形成於第一電極221上。此外，本實施例亦相似於第4圖之實施例，其中第一輔助層230與第二輔助層235係形成於第二區域32中。然而本實施例與第4圖之實施例不同之處在於，本實施例之第一有機層223a延伸至第二區域32中。因此本實施例之特徵在於第一有機層223a、第一輔助層230、及第二輔助層235係依序堆疊於第二區域32中。

第5圖中之本實施例之優點在於不需於第一有機層223a上各別地執行圖樣化製程。除了此特徵外，設置之元件對應於第4圖中所描述之元件具有相同或相似功能，因此在此將省略細節描述。

現請參閱6圖，第6圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中有機電致發光裝置另一範例之剖面圖。請參閱第6圖，本實施例相似於第4圖之實施例，其中第一有機層223a、第二有機層223b、第三有機層223c、第一輔助層230、及第二電極222係依序形成於第一電極221上。然而本實施例不同之處在於第一輔助層230與第二輔助層235並未形成於第二區域32中，但相反的第三有機層223c延伸至第二區域32中。在此實施例中，設置之元件對應於第4圖中所描述之元件具有相同或相似功能，因此在此將省略細節描述。

請參閱第6圖，本實施例之特徵在於第三有機層223c係配置於所有第一區域31與第二區域32中。在此，第三有機層223c具有一材料而使形成第二電極222之金屬，特別是鎂或鎂合金幾乎不能沉積於其上。詳細地說，第三有機層223c可包含8-羥基喹啉鋰(Liq)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯-[D]咪唑(LG201)、或其相似物。

第一輔助層230係形成於第三有機層223c表面之一部分上。詳細地說，第一輔助層230係藉由圖樣化以對應於第一電極221而形成於第三有機層223c上。如上所述，第一輔助層包含一材料而使形成第二電極222之金屬，特別是鎂或鎂合金可輕易地沉積於其上。

現請參閱第7圖，第7圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中有機電致發光裝置另一範例之剖面圖。請參閱第7圖，本實施例相似於第4圖之實施例，其中第一有機層223a、第二有機層223b、第三有機層223c、第一輔助層230、及第二電極222係依序形成於第一電極221上。然而本實施例不同之處在於第一輔助層230與第二輔助層235並未形成於第二區域32中，但相反的第一有機層223a延伸至第二區域32中。在此實施例中，設置之元件對應於第4圖中所描述之元件具有相同或相似功能，因此在此將省略細節描述。

請參閱第7圖，本實施例之特徵在於第一有機層223a係配置於所有第一區域31與第二區域32中。在此，第一有機層223a具有一材料而使形成第二電極222之金屬，特別是鎂或鎂合金幾乎不能沉積於其上。詳細地說，第一有機層223a可包含。N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺(HT01)、N(二苯-4-基)9,9’-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)、或其相似物。

第一輔助層230係形成於第一有機層223a表面之一部分上。詳細地說，第一輔助層230係藉由圖樣化以對應第一電極221而形成於第一有機層223a上。如上所述，第一輔助層230包含一材料而使形成第二電極222之金屬，特別是鎂或鎂合金可輕易地沉積於其上。

因此，根據第6圖與第7圖之實施例，當第二電極層222藉由使用包含鎂或鎂合金之金屬而沉積形成時，雖然第二電極層222藉由使用該金屬與開放式遮罩而沉積於所有像素的第一區域31與第二區域32上，然而金屬層大部分形成於第一輔助層230上，但幾乎不附著且不形成於第一有機層223a或第三有機層223c暴露於第二區域32之表面，因此無需使用精細金屬遮罩，第二電極222便可自動獲得圖樣化的效果。

現請參閱第8圖，第8圖係為根據本發明另一實施例詳細描述第3圖中有機電致發光裝置另一範例之剖面圖。請參閱第8圖，第一有機層223a、第二有機層223b、第三有機層223c、及第二電極222係依序形成於第一電極221上。不同於第4圖之實施例，本實施例具有一結構，其中並未形成第一輔助層230與第二輔助層235，並且相似於第7圖之實施例，本實施例具有一結構，其中第一有機層223a延伸到第二區域32中。

第三有機層223c可包含一特別的摻雜材料，而使形成第二電極222的金屬，特別是鎂或鎂合金，可輕易地沉積於其上。此特別的摻雜材料可包含二鎢-四(六氫嘧啶并嘧啶)(Di-tungsten tetra(hexahydropyrimidopyrimidine))或其相似物。第一有機層223a包含一材料而使形成第二電極222之金屬，特別是鎂或鎂合金，幾乎不能沉積於其上。詳細地說，第一有機層223a可包含N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺(HT01)、N(二苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)、或其相似物。

第8圖之實施例使用了一種特性，其中當第二電極以數百埃(Å)之厚度沉積時，可形成一層包含用以形成第二電極222之鎂或鎂合金的金屬層於包含特別摻雜材料的第三有機層223c上，但不附著於第一有機層223a與第二有機層223b上。包含特別摻雜材料的第三有機層223c係形成於第二電極222預定要形成於其上的一區域中，且第一有機層223a係形成於第二區域32的一部分，其上不應形成第二電極222。藉由這種方法，當第二電極222藉由使用包含鎂或鎂合金的金屬而沉積形成時，雖然藉由使用該金屬與開放式遮罩於第一區域31與第二區域32之所有像素上進行沉積，該金屬僅沉積於包含特別摻雜材料的第三有機層223c上，而幾乎不沉積於第一有機層223a暴露之表面上，因此第二電極222可自動獲得圖樣化之效果。

此時，是否會沉積第二電極222的材料係相對的。在第8圖的實施例中，相較於第一有機層223a，用於第二電極222的材料更容易沉積於包含特別摻雜材料的第三有機層223c上，且在第4圖至第7圖的實施例中，相較於第一有機層223a、第三有機層223c、與第二輔助層235，用於第二電極222的材料更容易沉積於第一輔助層230上。

因此在第4圖的實施例中，當用以形成第二電極222的金屬如同第9圖般，藉由使用開放式遮罩而沉積形成時，具有第一厚度t1之第二電極222的第一部分222a可形成於第一輔助層230的第一部分230a上，而具有第二厚度t2之第二電極222之第二部分222b可形成於第二區域32之第二輔助層235上。第二厚度t2係小於第一厚度t1，如此可降低因為第二部分222b所造成的透光率下降。

在此，第一厚度t1可以約500埃至1000埃(Å)之範圍形成。然而，第一厚度t1之範圍可根據裝置之尺寸而變化。舉例而言，在小型裝置中，第一厚度t1的範圍可在數百埃之間變化，而在大型裝置中，第一厚度t1之範圍可在數千埃之間變化。此時，當假定在第二區域32上沉積第二電極222之前的透光率為100%時，第二厚度t2的範圍可設定為讓第二電極222在第二區域32沉積之後，透光率等於或大於70%。

雖然並未繪示，在第5圖之實施例中，具有較小厚度之第二電極222可如第9圖之實施例般，形成於第二區域32的第二輔助層235上。又，在第6圖的實施例中，具有較小厚度之第二電極222可如第9圖之實施例般，形成於第二區域32的第三有機層223c上。

又，在第7圖與第8圖的實施例中，具有較小厚度之第二電極222可如第10圖之實施例般，形成於第二區域32的第一有機層223a上。

本發明之一個或多個實施例不僅可應用於第2圖與第3圖之結構，其中第一電極221重疊於包含薄膜電晶體TR的像素電路單位，本發明之一個或多個實施例亦可應用於第11圖與第12圖所繪示之結構，其中發光二極體並未與像素電路單元重疊配置。

不同於第3圖之結構，第12圖之結構中，第二輔助層235亦形成於第一區域31之電路部位311以及第二區域32中。透過這種方式，第二電極222僅形成於對應於第一區域31之部分發射部位312中。除了此特徵，設置之元件與功能與第3圖中所描述者相同，因此在此將省略細節描述。

根據本發明一個或多的實施例，將可降低用以傳輸外部光線之區域中透光率的惡化，因此使用者可輕易地透過顯示器看到外部影像。

並且，第二電極無需使用精細金屬遮罩而形成，因此可以克服因為使用精細金屬遮罩所造成之透光部分形狀的變形。最重要的是，第二電極可有效率地圖樣化因而充分的改善製造過程。

當本發明已參照例示性實施例特別地顯現與描述，其將為所屬技術領域者瞭解的是，任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。