TWI617019B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

有機發光顯示裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI617019B
TWI617019B TW102131807A TW102131807A TWI617019B TW I617019 B TWI617019 B TW I617019B TW 102131807 A TW102131807 A TW 102131807A TW 102131807 A TW102131807 A TW 102131807A TW I617019 B TWI617019 B TW I617019B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
auxiliary layer
organic light
auxiliary
layer
Prior art date
Application number
TW102131807A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201421669A (zh
Inventor
崔俊呼
政镇九
金星民
Original Assignee
三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星顯示器有限公司 filed Critical 三星顯示器有限公司
Publication of TW201421669A publication Critical patent/TW201421669A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI617019B publication Critical patent/TWI617019B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses

Abstract

一種有機發光顯示裝置包括薄膜電晶體、第一絕緣層、第一電極、第二絕緣層、有機發光層、第二電極、在第二電極上之第一區域中且具有第一邊緣之第一輔助層、在第二電極上之第二區域中且具有與第一輔助層之第一邊緣接觸之第二邊緣之第三電極、及至少在第一區域上且具有大於第一輔助層之折射率之第二輔助層。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案係主張2012年11月29日於韓國智慧財產局提出申請之韓國專利申請案第10-2012-0137338號的優先權效益，該申請案之整體內容係併於此做為參考。
本發明之實施例係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
有機發光顯示裝置，為電性地激發有機化合物之自發光的顯示裝置，因為有機發光顯示裝置可在低電壓下驅動，可以輕易地做得很薄、且可具有例如寬視角、快速響應速度的優點等，其係先前所指出的液晶顯示器(LCD)裝置中的問題，因此作為下一代顯示裝置而備受關注。
本發明之實施例係針對一種有機發光顯示裝置，其包括基板、形成於基板上之薄膜電晶體、覆蓋薄膜電晶體之第一絕緣層、在第一絕緣 層上形成且電性地與薄膜電晶體連接之第一電極、形成在第一絕緣層上以覆蓋第一電極且具有開口暴露第一電極之一部份之第二絕緣層、形成在第二絕緣層之一部份上及第一電極上之有機發光層、形成在第二絕緣層及有機發光層上之第二電極、形成在第二電極上之第一區域中且具有第一邊緣之第一輔助層、形成在第二區域上且具有第二邊緣之第三電極，第二區域係在第二電極上之第一電極以外之區域，第二邊緣之側表面接觸第一輔助層之第一邊緣之側表面、以及形成於至少第一區域上且具有高於第一輔助層之折射率之第二輔助層。
第二輔助層可設置在第二電極上之第一區域中，其中第一輔助層覆蓋第二輔助層。
第二輔助層可設置在第一輔助層上之第一區域中。
第二輔助層可設置到第三電極上之第二區域上。
第二輔助層可包括選自N4,N4'-二苯基-N4,N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺及N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺中之具有折射率之至少一材料。
第一輔助層可包括選自8-羥基奎林鋰及2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯並基-[D]咪唑之中至少一材料。
第一輔助層及第二輔助層都可設置在第二電極上之第一區域中，且第一輔助層之材料及具有高於第一輔助層之折射率之材料可彼此混合以形成一層。
第二輔助層可形成使得光透射是可能的。
第二輔助層可具有大於第一輔助層之厚度。
第二輔助層可具有相對於綠光之波長之大約1.8至2.0之折 射率。
第二輔助層可具有相對於藍光之波長之大約1.9至2.5之折射率。
第二電極可形成使得光透射是可能的。
第二電極可包括銀。
第二電極可包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅，或氧化銦(In2O3)。
第三電極可具有大於第二電極之厚度。
裝置可進一步包括透射區域及相鄰於透射區域且其中發生發光之像素區域。透射區域及像素區域位在第一區域中，第一電極可與像素區域重疊，及第一電極位於覆蓋薄膜電晶體。
第一輔助層可形成使得光透射是可能的。
第三電極及第一輔助層之間之附著力可能小於第三電極及第二電極之間之附著力。
第三電極可包括鎂。
本發明之實施例亦針對一種有機發光顯示裝置，其包括複數個像素，各像素包括薄膜電晶體、電性地連接於薄膜電晶體之第一電極、覆蓋像素之第二電極、及插設於第一電極及第二電極之間之有機發光層；位在以對應於像素之至少其中之一之複數個第一輔助層；位在像素之間且相鄰於各第一輔助層之第三電極，其電性地連接於該第二電極；以及堆疊在至少第一輔助層之上且具有高於第一輔助層之折射率之第二輔助層。
第二輔助層可設置於第二電極及第一輔助層之間。
第二輔助層可位於第一輔助層之上以覆蓋第一輔助層。
第二輔助層可設置在第一輔助層之上以覆蓋至第三電極上。
第二輔助層可包括選自N4,N4'-二苯基-N4,N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺及N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺中之具有折射率之至少一材料。
第一輔助層可包括選自8-羥基奎林鋰及2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯並基-[D]咪唑之中至少一材料。
第一輔助層及第二輔助層都可設置在第二電極上，且第一輔助層之材料及具有高於第一輔助層之折射率之材料彼此混合以形成一層。
第二輔助層可形成使得光透射是可能的。
第二輔助層可具有大於第一輔助層之厚度。
第二輔助層可具有相對於綠光之波長之大約1.8至2.0之折射率。
第二輔助層可具有相對於藍光之波長之大約1.9至2.5之折射率。
第三電極及第一輔助層之間之附著力可能小於第三電極及第二電極之間之附著力。
本發明之實施例亦針對一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包括形成相對位於基板上之複數個像素中之複數個薄膜電晶體；形成電性地連接於各薄膜電晶體之複數個有機發光二極體，其係個別地位在 該複數個像素中，且包括第一電極、有機發光層，及第二電極；形成位在以對應像素之至少其中之一之複數個第一輔助層；藉由沉積金屬在像素上形成相鄰於各第一輔助層且電性地連接於第二電極之第三電極；以及形成堆疊在第一輔助層上且具有高於第一輔助層之折射率之第二輔助層。
在第二輔助層之形成中，具有高於第一輔助層之折射率之材 料可使用具有對應於像素之至少其中之一之圖樣之開口之遮罩而沉積在第二電極上。
在第二輔助層之形成中，具有高於第一輔助層之折射率之材 料可沉積在整個基板上以覆蓋第一輔助層及第三電極。
在第一輔助層及第二輔助層之形成中，第二輔助層之材料及 第一輔助層之材料可藉由使用具有有對應於像素之至少其中之一之圖樣之開口之遮罩而共同蒸鍍以形成在第二電極上。
第一輔助層之形成可使用具有有對應於第一輔助層之圖樣之開口之遮罩而執行。
第一輔助層之形成可藉由使用對應於第一輔助層之施體膜之雷射轉印而執行。
第三電極之形成可包括在第一輔助層上及相鄰於第一輔助層之區域內沉積金屬。
1‧‧‧基板
2‧‧‧有機發光顯示裝置
21‧‧‧有機發光單元
211‧‧‧緩衝層
212‧‧‧半導體主動層
213‧‧‧閘極絕緣層
214‧‧‧閘極電極
215‧‧‧層間絕緣層
216‧‧‧源極電極
217‧‧‧汲極電極
218‧‧‧第一絕緣層
219‧‧‧第二絕緣層
219a‧‧‧開口
220‧‧‧有機層
221‧‧‧第一電極
221a‧‧‧第一第一電極
221b‧‧‧第二第一電極
221c‧‧‧第三第一電極
222‧‧‧第二電極
223‧‧‧第三電極
223a‧‧‧第三邊緣
223’‧‧‧薄膜
224‧‧‧第一輔助層
224a‧‧‧第一邊緣
225‧‧‧第二輔助層
225a‧‧‧第二邊緣
23‧‧‧封裝基板
24‧‧‧封裝材料
25‧‧‧空間
26‧‧‧封裝膜
3‧‧‧遮罩
31‧‧‧開口
Cst‧‧‧電容
D1‧‧‧第一資料電路線
D2‧‧‧第二資料電路線
D3‧‧‧第三資料電路線
D‧‧‧資料電路線
M1、M2、M3‧‧‧材料
P‧‧‧像素
PA‧‧‧像素區域
PC‧‧‧像素電路單元
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
S‧‧‧掃描電路線
T1‧‧‧第一薄膜電晶體
T2‧‧‧第二薄膜電晶體
TA‧‧‧透射區域
TR‧‧‧薄膜電晶體
t1‧‧‧第一厚度
t2‧‧‧第二厚度
V‧‧‧Vdd電路線
V1‧‧‧Vdd電路線
V2‧‧‧Vdd電路線
OLED‧‧‧有機發光二極體
藉由參考附圖詳細說明例示性實施例，上述及其他特徵及優點將而變得更加明顯。其中：第1圖為根據實施例描繪之有機發光顯示裝置之剖面圖； 第2圖為根據另一實施例描繪之有機發光顯示裝置之剖面圖；第3圖為描繪第1圖或第2圖中有機發光顯示單元之剖面圖；第4圖至第7圖為連續地描繪製造第3圖中有機發光顯示單元之方法之剖面圖；第8圖為根據實施例描繪之有機發光顯示單元之平面圖；第9圖為根據另一實施例描繪之有機發光顯示單元之平面圖；第10圖為根據另一實施例描繪之有機發光顯示單元之平面圖；第11圖為根據第3圖之另一實施例描繪之有機發光顯示單元之剖面圖；第12圖為根據另一實施例描繪之有機發光顯示單元之剖面圖；第13圖至第16圖為連續地描繪製造第12圖中有機發光顯示單元之方法之剖面圖；第17圖為根據第12圖之另一實施例描繪之有機發光顯示單元之剖面圖；第18圖為根據另一實施例描繪之有機發光顯示單元之剖面圖；第19圖為根據另一實施例描繪之有機發光顯示單元之平面 圖；第20圖為第19圖之一個像素之剖面圖；第21圖為根據另一實施例描繪之有機發光顯示單元之平面圖；以及第22圖為說明在第三電極根據實施例形成的情況下，第二電極之最大壓降示意圖。
現在，將參考附圖詳細說明例示性實施例。如此處所用術語”及/或(and/or)”包括任何及全部所列相關物品之組合。當表達式如”至少其中之一(at least one of)”在列出之元件之前，其修飾所有列出之元件且並非修飾列出之個別元件。
第1圖為根據實施例描繪之有機發光顯示裝置之剖面圖。
參考第1圖，根據實施例之有機發光顯示裝置包括形成在基板1上有機發光單元21及封裝有機發光單元21之封裝基板23。
封裝基板23由透明構件形成以從有機發光單元21顯示影像及避免外部空氣及水氣進入有機發光單元21。
基板1與封裝基板23之邊緣藉由封裝材料24封裝在基板1及封裝基板23之間的封裝空間25而彼此耦合。吸濕劑、充填物或類似物可位在空間25之中。
如第2圖所繪示，封裝膜26作為薄膜可形成在有機發光單元21上替代封裝基板23以便保護有機發光單元21抵抗外部空氣。舉例 來說，封裝膜26可具有層狀結構，其係由例如氧化矽或氮化矽之無機材料形及如環氧化合物或聚亞醯氨之有機材料交替地形成。另外，封裝膜26可具有包括低熔點玻璃如氧化錫(SnO)之結構。同時，此僅為例子且實施例不在此限，且因此可使用任何封裝結構在透明薄膜上。
第3圖為描繪第1圖或第2圖中有機發光顯示單元21之剖面圖。第3圖描繪包括複數個像素的有機發光顯示單元之一像素。
根據第3圖中之實施例，緩衝層211形成於基板1之第一表面上，及薄膜電晶體TR形成在緩衝層211上。
雖然第3圖中僅繪出一個薄膜電晶體TR，像素可進一步包括至少另一個薄膜電晶體及電容以構成像素電路。
半導體主動層212形成在緩衝層211上。
緩衝層211可避免雜質穿過及使表面平坦化，及可由各種其他可表現此功能的材料形成。舉例來說，緩衝層211可由無機材料如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦；有機材料如聚亞醯氨、聚酯、或丙烯醯基；或其之層疊物所形成。緩衝層211並非必要之組件，必要時可不形成。
半導體主動層212可由多晶矽形成。然而實施例不在此限，且半導體主動層212可由氧化半導體形成。舉例來說，半導體主動層212可為鎵銦鋅氧化物G-I-Z-O層[(In2O3a(Ga2O3b(ZnO)c層]，其中a、b、c可個別地為滿足a0,b0，及c0之實數。
閘極絕緣層213形成在緩衝層211上以覆蓋半導體主動層212，且閘極電極214形成在閘極絕緣層213上。
層間絕緣層215形成在閘極絕緣層213上以覆蓋閘極電極 214，且源極電極216及汲極電極217形成在層間絕緣層215上以透過接觸孔接觸半導體主動層212。
上述薄膜電晶體TR之結構不在此限，且薄膜電晶體可具有任何其他各種結構。舉例來說，薄膜電晶體TR可形成以具有頂部閘極結構或閘極電極214設置在半導體主動層之下之底部閘極結構，且可具有任何其他可用之結構。
像素電極(未繪出)包括可連同薄膜電晶體形成之電容。
第一絕緣層218形成以覆蓋包括薄膜電晶體TR的像素電極。 第一絕緣層218可具有其中頂表面為平坦的單層結構或多層結構。第一絕緣層218可由無機材料及/或有機材料形成。
如第3圖所繪，電性地連接包括薄膜電晶體TR之像素電路的第一電極221係形成在第一絕緣層218上。第一電極221形成在各像素中之獨立島狀之中。
第二絕緣層219形成於第一絕緣層218上以覆蓋第一電極221之邊緣。開口219a形成在第二絕緣層219中以便暴露第一電極221邊緣以外之中心部份。
有機層220形成在第一電極221上透過開口219a暴露，且第二電極222形成以覆蓋有機層220，從而完成有機發光二極體(OLED)。
有機層220可為低分子量有機層或高分子量有機層。當有機層220為低分子量有機層，電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及類似物，可依單層或多層結構堆疊形成有機層220。低分子有機層可由真空沉積形成。此時，發光層EML獨立地形成於各紅色、綠色及藍色像素中，以及電洞注入層HIL、 電洞傳輸層HTL、電子傳輸層ETL及電子注入層EIL為共用層，可共同地應用於紅色、綠色及藍色像素中。
電洞注入層可由，例如說，包括銅鈦菁或4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(4,4',4"-tri(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)之鈦菁化合物、4,4',4"-三(3-甲基苯胺基)三苯胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、1,3,5-三[4-(3-甲基苯基苯胺基)苯基]甲苯(1,3,5-tris[4-(3-methylphenylphenylamino)phenyl]benzene,m-MTDAPB)或類似物所形成，其係為星放射型胺(starburst-type amine)。
例如說，電洞傳輸層MTL可由N,N'-二(3-甲基苯)-N,N'-二苯-[1,1-二苯基]-4,4'-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine,TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl benzidine,α-NPD)或類似物形成。
例如說，電子注入層EIL可由氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)、或8-羥基奎林鋰(Liq)所形成。
電子傳輸層由例如三(8-羥基喹啉)鋁(luminum tris(8-hydroxyquinoline),Alq3)製成。
發光層可包括主體材料及參雜材料。主體材料可包括例如，(8-羥基-喹啉)鋁((8-hydroxy-quinolinato)aluminum,Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,AND)、3-三級丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)、4,4'-雙 (2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl,DPVBi)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl,p-DMDPVBi)、三級(9,9-二芳基芴)(tert(9,9-diarylfluorene)s,TDAF)、2-(9,9'-旋環雙芴-2-基)-9,9'-旋環雙芴(2-(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,BSDF)、2,7-雙(9,9'-旋環雙芴-2-基)-9,9'-旋環雙芴(2,7-bis(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,TSDF)、雙(9,9-二芳基芴)(bis(9,9-diarylfluorene)s,BDAF)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(三級-丁基)苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-di-(tert-butyl)phenyl,p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene,mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(1,3,5-tris(carbazol-9-yl)benzene,tCP)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯基胺(4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine,TcTa)、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl,CBP)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯苯基(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl,CBDP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene,DMFL-CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorine,FL-4CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲苯基-芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene,DPFL-CBP)、9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorine,FL-2CBP)、或類似物。
參雜材料可包括如4,4'-雙[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基] 聯苯(4,4'-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl,DPAVBi)，9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naph-2-tyl)anthracene,ADN)、3-三級-丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naph-2-tyl)anthracene,TBADN)、或其類似物。
第一電極221可做為陽極及第二電極222可作為陰極，或第一電極221及第二電極222之極性可反轉。
當第一電極221當作陽極時，第一電極221可由具有高功函數之材料如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2O3)。如果第3圖之有機發光顯示裝置為其中影像係遠離基板1而顯示之頂部發光型有機發光顯示裝置，第一電極221可進一步包括由，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鐿(Yb)、或鈣(Ca)形成之反射層。
當第二電極222當作陰極時，第二電極222可由金屬形成，如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鐿(Yb)、或鈣(Ca)。如果第3圖中有機發光顯示裝置為頂部發光型有機發光顯示裝置的情況下，第二電極222可由光傳輸材料如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)而形成。在實施方案中，第二電極222可使用鋁(Al)、銀(Ag)及/或鎂(Mg)形成薄膜。舉例來說，鎂(Mg)：銀(Ag)及/或銀(Ag)可形成單層或多層結構。不像第一電極221，第二電極222係形成以使共同電壓施加於全部像素，為此，未圖樣化的共用電極形成於各像素之中。另外，第二電極222作為共用電極可以格狀圖樣被圖樣化，其中對應於發光區域以外之區域係被移除。
當第3圖中有機發光顯示裝置為頂發光型有機發光顯示裝置 的情況下，第二電極222可包括透明金屬氧化物或薄金屬層。當第二電極222形成作為共用電極時，第二電極222之表面電阻可能會提高，並導致電壓下降。因此，根據本例示性實施例，第三電極223作為輔助電極可進一步形成以電性地連接第二電極222。
此外，第二電極222之頂表面可能因為第1圖中所繪之封裝基板23而受損。此外，即便在封裝膜26如第2圖中所繪形成，當形成封裝膜26時將會容易使第二電極222受損。因此，根據本例示性實施例，第一輔助層224作為覆蓋層可形成在第二電極222上。
為了使第三電極223便於被圖樣化，用以形成第一輔助層224所用之材料可能對於形成第三電極223的材料具有差的附著力。用於形成第一輔助層224之材料可具有低折射率。在有機發光顯示裝置為頂發光型有機發光顯示裝置的情況下，當第一輔助層224形成在有機發光具有低折射率的一側，從有機發光層之發光萃取能力(extraction ability of light)可能會降低，且因此有機發光顯示裝置之光學特性可能會降低。因此，在本例示性實施例中，第二輔助層225作為高反射層可額外形成在發生發光的至少一區域中以便與第一輔助層224堆疊。
在第3圖所示之例示性實施例中，首先，第二輔助層形成在第二電極222上之第一區域R1中且具有第二邊緣225a
第一輔助層224形成在第二輔助層225之第一區域R1中以覆蓋第二輔助層225且具有第一邊緣224a。
第三電極223形成在第二電極222上之第二區域R2上且具有第三邊緣223a。第三電極223及第一輔助層224係設置以彼此平行地相鄰。
第一區域R1具有一區域，其係寬於至少一個像素中之發光 的區域，且對應於覆蓋至少一個像素中發生發光的區域。第一輔助層224及第二輔助層225形成在整個第一區域R1中，且第一區域R1之邊緣為第一輔助層224的第一邊緣224a。此處，第一邊緣224a可與第二輔助層225之第二邊緣225a相同。第二區域R2對應於第二電極222中之第一區域R1以外之區域。第三電極223係形成於整個第二區域R2中，且第二區域R2之邊緣為第三電極223之第三邊緣223a。第二區域R2為發生發光區域以外之區域。
第一輔助層224之第一邊緣224a之側表面及第三電極223之第三邊緣223a之側表面彼此接觸。此外，第二輔助層225之第二邊緣225a之側表面及第三電極223之第三邊緣223a之側表面可彼此接觸。
第三電極223可形成較第二電極222厚以便減少第二電極222之表面電阻。
同時，第二輔助層225可形成較第一輔助層224厚以便改善有機發光顯示裝置之光學特性。
此外，由於第二輔助層225及第一輔助層224覆蓋像素中發生發光之區域，第二輔助層225及第一輔助層224可形成能夠使光穿透。 第一輔助層224可形成為較第三電極223薄之薄膜，且第二輔助層225可形成較第一輔助層224厚且較第三電極223薄，但實施例不在此限。
同時，在實施例中，可選擇第三電極223及第一輔助層224之材料以使第三電極223及第一輔助層224之間附著力低於第三電極223及第二輔助層222之間附著力。
為此，第一輔助層224可包括8-羥基奎林鋰(Liq)。然而，實施例不在此限，第一輔助層224可由包括2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯並基-[D]咪唑 (2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole,LG201)之材料形成。
第三電極223可由鎂(Mg)形成。
第三電極223及第二電極222可由相同材料形成，如，鎂(Mg)。 因此，第三電極223及第二電極222之間有高附著力。然而，鎂(Mg)對於上述第一輔助層224之材料附著力較差。因此，藉由使用第三電極223及第一輔助層224之間的附著力特性可輕易圖樣化第三電極223。
如上述，第三電極223僅可在第二區域R2中形成圖樣。在形成有機發光二極體(OLED)之有機層220後，第三電極223無法使用微影製程形成圖樣，其係為廣泛用於金屬膜之一般性圖樣化方法之濕式製程。 舉例來說，若水氣及/或氧氣在濕式製程過程中穿透有機層220，將縮短有機發光二極體(OLED)之壽命。因此，第三電極223難以使用微影製程形成圖樣。根據本發明之例示性實施例，第三電極223可使用第三電極223及第一輔助層224間之附著力形成圖樣。
被選擇以易於圖樣化第三電極223之用於形成第一輔助層224之材料可能會降低有機發光層的光學特性。因此，第二輔助層225可使用具有高折射率之材料形成。
此處，第二輔助層225可由具有相對於綠光波長之折射率為約1.8至約2.0之材料及相對於藍光波長之折射率為約1.9至約2.5之材料形成。此處，綠光波長可約為500奈米(nm)至570奈米(nm)，如，約550奈米(nm)，且藍光波長約為400奈米(nm)至500奈米(nm)，如，約450奈米(nm)。
舉例來說，滿足這樣的折射率值的材料可包括N4,N4'-二苯基-N4,N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺 (N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)diphenyl-4,4'-diamine)或N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)diphenyl-4,4'-diamine)，但實施例不在此限。當包括在第二輔助層225內之材料具有相對於綠光波長小於1.8之折射率或相對於藍光波長具有小於1.9之折射率時，折射率不夠高以改善光學特性，且因此第二輔助層225並非最適合與第一輔助層224一起使用的材料。同時，不論第二輔助層225包括之材料，可能難以尋找到具有相對於綠光波長大於2.0之折射率或相對於藍光波長大於2.5之折射率之有機材料。
以下，將更詳細的說明第3圖中所繪製造有機發光單元21之方法。
首先，如第4圖所繪，在形成第二電極222後，使用如第5圖所繪之遮罩3形成第二輔助層225。由於第二輔助層225可由前述有機材料形成，可藉由使用遮罩3之熱蒸鍍形成第二輔助層225。開口31形成在遮罩3中對應於第二輔助層225之圖樣，及用於形成第二輔助層225之材料M2透過開口31沉積，從而形成第二輔助層225。
接著，如第6圖中所繪，第一輔助層224使用遮罩3以相同於第5圖中所繪實施例的方式形成。由於第一輔助層224可由前述有機材料形成，第一輔助層224可藉由使用遮罩3的熱蒸鍍形成。同時，實施例不在此限，且除了熱蒸鍍以外，第一輔助層可由使用施體膜之雷射轉印而形成。開口31形成於遮罩3中以對應於第一輔助層224之圖樣，且用於形成第一輔助層224之材料M1透過開口31沉積，從而形成第一輔助層224。參考第5圖及第6圖，第一輔助層224及第二輔助層225可具有相同圖樣。
接著，如第7圖中所繪，用於形成第三電極223之材料M3整個沉積在有機材料單元21上。雖然未繪於第7圖中，材料M3可使用相對於所有像素開口之開口遮罩或不使用遮罩形成。
此例中，由於用於形成第三電極223之材料M3可具有對於第一輔助層224相對差的附著力，材料M3可能不會形成於第一輔助層224之上且可能僅形成於具有相對好的附著力之第二電極222上。因此，第三電極223可不使用個別的遮罩或圖樣化製程而自然地被圖樣化。
如第8圖所繪，第一輔助層224可形成為島狀，其中一個像素P中存在一個第一輔助層224。雖然第一輔助層224具有覆蓋整個第8圖中一個像素P之面積，但實施例不在此限，且第一輔助層224可覆蓋如上述一個像素P中發生發光之區域。
此例中，第三電極223在像素P之間形成網格圖樣。
如第9圖所繪，第一輔助層224可形成為島狀，其中在複數個像素P中存在之一個第一輔助層224。此例中，第三電極223形成網格圖樣通過複數個像素P之間。
第一輔助層224可以條紋狀形成以覆蓋如第10圖中所繪依序排列之複數個像素P。此例中，第三電極223形成通過像素行之間之條紋圖樣。
如第10圖之修改的例子，雖然未在圖中繪出，第一輔助層224可以條紋狀形成以於水平方向覆蓋複數個像素P。此例中，第三電極223形成條紋圖樣通過像素列。
同時，如第11圖中所繪，當用於形成第三電極223之材料M3沉積，第三電極223可僅形成在第一輔助層224以外之區域內，且另 外，薄膜223’可形成在第一輔助層224上，薄膜223’具有較形成在第一輔助層224以外之區域內之第三電極223之第一厚度t1薄之第二厚度t2。 此因雖然在理論上，用於形成第三電極223之材料M3未形成於第一輔助層224上且僅形成於具有相對佳附著力之第二電極222上，因用於形成第三電極223之材料M3對第一輔助層224具有差的附著力，具有第二厚度t2之薄膜223’可藉由物理上稀薄地置於第一輔助層224上而形成在第一輔助層224上，材料M3係使用開口遮罩沉積而非使用於第7圖所繪之製程中使用之個別的圖樣化遮罩。
由於第二厚度t2小於第一厚度t1，第二厚度t2對第一區域R1中有機發光二極體(OLED)之亮度不會有太大的影響。
第12圖為根據另一實施例繪示之有機發光顯示裝置之有機發光單元21之剖面圖。
根據另一實施例，參考第12圖，第二輔助層225形成在第一輔助層224之上。其他構件具有與上述實施例中對應構件相同或相似的功能，因此將不覆述其細節。
首先，如第13圖中所繪，在形成第二電極222後，第一輔助層224使用如第14圖中所繪之遮罩3形成。由於第一輔助層224可由前述有機材料形成，第一輔助層224可由使用遮罩3之熱蒸鍍形成。同時，實施例不在此限，且除了熱蒸鍍以外，第一輔助層224可由使用施體膜之雷射轉印而形成。開口31形成在遮罩3中以對應於第一輔助層224之圖樣，且用於形成第一輔助層224之材料M1透過開口31沉積，從而形成第一輔助層224。
接著，如第15圖中所繪，用於形成第三電極223之材料M3整個沉積在有機發光單元21上。雖然未繪於第15圖中，材料M3可使用 相對於所有像素開口之開口遮罩或不使用遮罩形成。
此例中，由於用於形成第三電極223之材料M3對於第一輔助層224可具有相對差的附著力，材料M3可能不形成在第一輔助層224上且可能僅形成在具有相對佳附著力之第二電極222上。因此，第三電極223可不使用個別的遮罩或圖樣化製程而自然地被圖樣化。
接著，如第16圖中所繪，用於形成第二輔助層225之材料M2整個形成在有機發光單元21上。雖然未繪於第16圖中，材料M2可使用相對於所有像素開口之開口遮罩或不使用遮罩形成。用於形成第二輔助層225之材料M2可不僅形成於由有機材料形成的第一輔助層224上，也可形成在第三電極223上。
即便用於形成第二輔助層225之材料M2對於第三電極223可能具有相對差的附著力，在第16圖中所繪之製程中，材料M2使用開口遮罩替代個別的圖樣遮罩沉積，且因此材料M2之層具有小於形成在第一輔助層224上之第二輔助層225之厚度，可藉由物理性的置於第三電極223上形成。
同時，如第15圖所繪，當用於形成第三電極223之材料M3沉積，第三電極223可僅在第一輔助層224以外之區域中形成，且另外，且另外，薄膜223’可形成在第一輔助層224上，薄膜223’具有較形成在第一輔助層224以外之區域內之第三電極223之第一厚度t1薄之第二厚度t2。此例中，由於第二輔助層225使用第16圖中製程形成，第二輔助層225可形成在具有第一厚度t1之第三電極223上及具有第二厚度t2之薄膜223’上。
雖然未繪於圖中，作為另一實施例，第12圖中所繪之實施例及第3圖中所繪之實施例可合併以實現一結構，其中其中第二輔助層 225形成在如第3圖所繪之第二電極222上之第一區域R1中，第一輔助層224堆疊在第二輔助層225上，且第三電極223使用第一輔助層224圖樣化，且接著如第12圖中所繪，第二輔助層225整個再次形成。
第18圖為根據另一實施例繪示之有機發光顯示裝置之有機發光單元21之剖面圖。
參考第18圖，根據另一實施例，混合層226形成在第二電極222上之第一區域R1中，其中混合層226由用於形成第二輔助層225之材料M2及用於形成第一輔助層224之材料M1共同蒸鍍形成。
首先，如第13圖中相同的方式，在形成第二電極222後，混合層226依類似第14圖中方式使用遮罩3形成。開口31形成在遮罩3中以對應於混合層226之圖樣，且混合層226藉由透過開口31共同蒸鍍用於形成第一輔助層224之材料M1及用於形成第二輔助層225之材料M2而形成。
混合層226包括用於形成第一輔助層224之材料M1及用於形成第二輔助層225之材料M2，且因此類似於第15圖，用於形成第三電極223之材料M3，其對於第一輔助層224具有相對差的附著力可能不形成於混合層226上且僅形成於具有相對佳附著力之第二電極222上。因此，如第18圖中所繪，第三電極223可不使用個別的遮罩或圖樣化製程而自然地被圖樣化。第三電極223之第三邊緣223a之側表面形成以接觸混合層226之第四邊緣226a之側表面。根據第18圖，由於使用共同蒸鍍，不存在兩個分離之層，且存在第一輔助層及第二輔助層之混合層226。
第19圖為根據另一實施例所描繪之有機發光顯示裝置之有機發光單元21之平面圖。第20圖為描繪第19圖之一個像素之剖面圖。
參考第19圖及第20圖，根據另一例示性實施例，有機發光 單元21劃分成外部光透過其通過之透射區域TA及藉由使透射區域TA插設於其間而彼此隔開之複數個像素區域PA。
如第19圖中所繪，像素電路單元PC位在各像素區域PA中，且複數個導電電路線，如掃描電路線S、資料電路線D、及Vdd電路線V係電性地連接於像素電路單元PC。雖然未繪於第19圖中，各種其他導電電路線可根據像素電路單元PC之配置而包括除了掃描電路線S、資料電路線D、及Vdd電路線V以外之其他導線，其係為驅動電源供應器。
如第19圖中所繪，像素電路單元PC包括連接於掃描電路線S及資料電路線D之第一薄膜電晶體T1、連接於第一薄膜電晶體T1及Vdd電路線V之第二薄膜電晶體T2、及連結於第一薄膜電晶體T1及第二薄膜電晶體T2之電容Cst。此時，第一薄膜電晶體T1為開關電晶體，且第二薄膜電晶體T2為驅動電晶體。第二薄膜電晶體T2電性地連接於第一電極221。雖然第一薄膜電晶體T1及第二薄膜電晶體T2可形成作為第19圖中之p型薄膜電晶體，但實施例不在此限，且第一薄膜電晶體T1及第二薄膜電晶體T2至少其中之一可形成作為n型薄膜電晶體。薄膜電晶體之數量及電容之數量不限於第19圖之實施例中所繪示，且兩個或兩個以上之薄膜電晶體及一個或一個以上之電容可根據像素電路單元PC之配置合併。
參考第19圖，掃描電路線S係設置與第一電極221重疊。 然而，實施例不在此限，且包括電路線S、資料電路線D及Vdd電路線V之複數個導電電路線之至少其中之一可設置與第一電極221重疊，且在不同條件下，所有包括電路線S、資料電路線D及Vdd電路線V之導電電路線可設置與第一電極221重疊或設置在第一電極221一側。
在此實施例中，由於像素區域PA及透射區域TA彼此分離， 當透過透射區域TA觀察外部時，可避免因與像素電路單元PC內之元件圖樣關聯的外部光散射而發生的外部影像失真。
像素區域PA及透射區域TA形成使得透射區域TA相對於像素區域PA及透射區域TA之總面積之比率約在5%至90%之範圍內。
若透射區域TA相對於像素區域PA及透射區域TA之總面積之比率小於5%，可通過有機發光單元之光量是小的，且因此使用者難以見到位於使用者的相反側上的目標或影像。換言之，有機發光單元21表達作為透明可能是困難的。即便是假設透射區域TA相對於像素區域PA及透射區域TA之總面積之比率為5%左右，若外部光的強度實際是強的，使用者可以充分地識別通過顯示裝置而位於使用者的相反一側上的目標及影像，且因此使用者可以識別顯示裝置作為透明顯示裝置。此外，如下面描述的，當包含在像素電路單元PC中的薄膜電晶體形成作為透明薄膜電晶體，像是氧化物半導體及有機發光二極體(OLED)形成作為透明元件，識別作為透明顯示裝置可進一步成長。
若透射區域TA相對於像素區域PA及透射區域TA之總面積之比率大於90%，有機發光單元21之像素整合可能降低，且因此難以透過像素區域PA中發光顯示穩定影像。換言之，隨著像素區域PA之面積變小，有機層220發光亮度需要提升目的在於顯示影像。因此，若有機發光二極體處在高亮度狀態，有機發光二極體(OLED)之壽命將快速減少。
透射區域TA相對於像素區域PA及透射區域TA之總便積的比率約可在20%至70%之範圍內。
若比率小於20%，像素區域PA之面積相較於透射區域TA之面積為大，且因此使用者在透過透射區域TA觀察外部影像時會有限制。 當比率大於70%時，其可能會限制設置在像素區域PA中像素電路單元PC之設計。
第一電極221電性地連接於包括在像素區域PA內之像素電路單元PC，且像素電路單元PC與第一電極221重疊以被像素電極221覆蓋。此外，包括電路線S、資料電路線D及Vdd電路線V之導電電路線可設置以通過像素電極221。由於這些導電電路線相較於像素電路單元PC是不太會阻礙透射，所有導電電路線可根據設計條件設置以相鄰於第一電極221。
如上所述，若包括反射層之第一電極221由可反射光之導電金屬形成，第一電極221覆蓋像素電路單元PC，且可避免因像素區域PA中之像素電路單元PC造成之外部光失真，或類似問題發生。
如第20圖中描繪的，像素區域PA及透射區域TA位在第一區域R1內。
此時，由於第二輔助層225及第一輔助層224位在第一區域R1內，第二輔助層225及第一輔助層224覆蓋像素區域PA及透射區域TA。第三電極223包括在第一區域R1外之第二區域R2內。
此實施例中，由於第二輔助層225及第一輔助層224由如上述之透明有機材料形成，第二輔助層225及第一輔助層224可能不會影響透射區域TA內之光透射。第二輔助層225、第一輔助層224及第三電極223之材料及製造方法與上述實施例相同。
雖然未繪於第20圖中，透射式窗戶，從第二電極222之至少一部份移除，可形成在透射區域TA內以便進一步提升透射區域TA內之光透射。此時，透射式窗戶不限於移除第二電極222，且透射式窗戶可進一步形成於第二絕緣層219、第一絕緣層218、層間絕緣層215、閘極 絕緣層213及緩衝層211至少其中之一之中。
雖然第二輔助層225及第一輔助層224依第20圖中之順序依序形成在第二電極222上，但實施例不在此限。因此，第二輔助層225可形成在第一輔助層224以便如第12圖所繪，覆蓋第一輔助層224及第三電極223，且用於形成第二輔助層225之材料M2當形成第一輔助層224時可藉由共同蒸鍍形成混合層226，如第18圖中所繪。
第21圖顯示參考第19圖及第20圖說明之透明有機發光單元之另一例。
第21圖中描繪的實施例顯示一個像素藉由實現三個子像素即，紅色、綠色及藍色子像素以發出白色光之一例。第21圖中所繪之實施例也可包括使用紅色、綠色及藍色光以外之其他顏色光發出白光之一例。
此例中，一透射區域TA形成於三個子像素之各別的第一電極221a、221b及221c中。第一資料電路線D1至第三資料電路線D3電性地相對連接於三個子像素之第一電極221a、221b及221c。第一Vdd電路線V1電性地連接於第一第一電極221a及第二第一電極221b，且第二Vdd電路線V2電性地連接於第三第一電極221c。
這樣的結構中，由於一個大透射區域TA包括相對複數個子像素，整個顯示器之透射率可進一步提升，且可進一步降低因光散射造成的影像失真。
雖然未繪於第21圖中，從第二電極222之至少一部份移除之一個大透射式窗戶也可形成在透射區域TA中。此時，透射式窗戶不限於移除第二電極222，且透射式窗戶可進一步形成在第二絕緣層、第一絕緣層、層間絕緣層、閘極絕緣層及緩衝層至少其中之一之中。
第19圖至第21圖中所繪之實施例中，由用於形成第三電極223之材料M3形成且形成相對薄之薄膜可進一步形成在第一區域R1之第二輔助層225及第一輔助層224之上，如第11圖及第17圖中所繪。此例中，如上述，由於薄膜具有極小的厚度，薄膜對透射區域TA中之光透射，或類似的效應影響不大。
第22圖為說明在第三電極223根據實施例形成的情況下，第二電極之最大壓降示意圖。在各例中，第二電極222由鎂(Mg)：銀(Ag)/銀(Ag)形成，且第二電極222之表面電阻為20歐姆(ohm)/平方單位(sq)。
在例示性例子I中，第一輔助層224及第三電極223形成在19吋顯示裝置中以具有繪於第3圖及第7圖中之結構。此處，第三電極223以鎂(Mg)沉積為3500埃(Å)。
在例示性例子II中，第一輔助層224及第三電極223形成在40吋顯示裝置中以具有繪於第3圖及第7圖中之結構。此處，第三電極223以鎂(Mg)沉積為3500埃(Å)。
在比較性例子III中，第一輔助層224及第三電極223未形成在19吋顯示裝置中。
在比較性例子IV中，第一輔助層224及第三電極223未形成在40吋顯示裝置中。
如第22圖中所示，例示性例子I及II中第二電極222之壓降量實質上小於比較性例子III及IV中之第二電極壓降量。
以下表1顯示進一步包括第一輔助層224以外之第二輔助層225之有機發光單元21的情況下改善光學特性的效應。
在以下表1中，CE/y代表藉由在藍色有機發光二極體中之顏 色座標CIE y之劃分光學效率(dividing optical efficiency)cd/A獲得之值且代表與心理視覺特性(psycho-visual characteristic)無關之純光萃取效率。此外，在下表1中，基於比較性例子1之效率比率具有百分比(%)之單位，且當效率比率之值接近100，沒有第一輔助層224及/或第二輔助層225造成的光學損失。
比較性例子1顯示只有具有厚度660埃(Å)之輔助層形成於第二電極上之第一區域中之例子，且比較性例子2顯示只有具有厚度820埃(Å)之第一輔助層形成於第二電極上之第一區域中之例子。
根據如第3圖所繪之實施例，例示性例子1顯示具有厚度600埃(Å)之第二輔助層及具有厚度100埃(Å)之第一輔助層依序形成在第二電極上之第一區域中之例子，且根據如第12圖所繪之另一實施例，例示性例子2顯示具有厚度100埃(Å)之第一輔助層及具有厚度580埃(Å)之第二輔助層依序形成在第二電極上之第一區域中之例子。
如表1所示，在例示性例子1及例示性例子2中，CE/y之值是大的且效率比率未下降，不像比較性例子2。因此，可見藉由第二輔助層，光萃取效率提高且光學特性改善。
雖然頂發光型有機發光顯示裝置已如上所述，但實施例不在此限。實施例也可應用於其中影像朝向基板1顯示之底發光型有機發光顯示裝置或其中影像依兩個方向顯示之雙發光型有機發光顯示裝置。
透過總結與回顧，考量使用有機發光顯示裝置的大尺寸顯示裝置。在這種裝置中，覆蓋所有像素的共用電極的導線電阻可能會增加。 此外，在有機發光顯示裝置中，共用電極可能因所述共用電極之封裝部件而在使用或製造過程中受損，因此，可使用用於保護共用電極針對封裝部件的第一輔助層。然而，當形成第一輔助層的材料具有低的折射率時，有機發光顯示裝置的光學特性可能會降低。
如上所述，實施例係有關於一種有機發光顯示裝置及有機發光顯示裝置的製造方法，其可以形成為大尺寸面板，並且可以改善光學特性。實施例可以提供一種降低共用電極的導線電阻，保護共用電極，且避免降低光學特性之有機發光顯示裝置，及製造有機發光顯示裝置的方法。根據實施例，第三電極可藉由第一輔助層而不用實行個別的圖樣化製程而自然地被圖樣化。因此，可降低避免如由於第三電極圖樣化造成第二電極受損的風險。根據實施例，形成第三電極可避免第二電極的壓降。根據實施例，第一輔助層可保護第二電極。根據實施例，可藉由形成第二輔助層避免因第一輔助層造成的光學特性下降。
儘管本發明已具體地說明及參考其之例示性實施例描述，本技術領域具有通常知識者將理解的是，在不脫離如後赴申請專利範圍所定義之本發明精神與範疇之情況下可對形式或細節進行之各種修改。
1‧‧‧基板
21‧‧‧有機發光單元
211‧‧‧緩衝層
212‧‧‧半導體主動層
213‧‧‧閘極絕緣層
214‧‧‧閘極電極
215‧‧‧層間絕緣層
216‧‧‧源極電極
217‧‧‧汲極電極
218‧‧‧第一絕緣層
219‧‧‧第二絕緣層
219a‧‧‧開口
220‧‧‧有機層
221‧‧‧第一電極
222‧‧‧第二電極
223‧‧‧第三電極
223a‧‧‧第三邊緣
224‧‧‧第一輔助層
224a‧‧‧第一邊緣
225‧‧‧第二輔助層
225a‧‧‧第二邊緣
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
TR‧‧‧薄膜電晶體
OLED‧‧‧有機發光二極體

Claims (38)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包括：一基板；一薄膜電晶體，形成於該基板上；一第一絕緣層，覆蓋該薄膜電晶體；一第一電極，在該第一絕緣層上形成之且電性連接該薄膜電晶體；一第二絕緣層，形成在該第一絕緣層上以覆蓋該第一電極且具有暴露該第一電極之一部份的一開口；一有機發光層，形成在該第二絕緣層之一部份及該第一電極上；一第二電極，形成在該第二絕緣層及該有機發光層上；一第一輔助層，形成在該第二電極上之一第一區域中且具有一第一邊緣；一第三電極，形成一第二區域中，該第二區域係在該第二電極上之該第一電極以外之區域，且該第三電極具有一第二邊緣，該第二邊緣之一側表面接觸該第一輔助層之該第一邊緣之一側表面；以及一第二輔助層，形成於至少該第一區域上之且具有高於該第一輔助層之一折射率；其中該第一輔助層與該第二輔助層的其中一者接觸該第二電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層係設置在該第二電極上之該第一區域中，其中該第一輔助層覆蓋該第二輔助層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層係設置在該第一輔助層上之該第一區域中。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層係設置在該第三電極上之該第二區域上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層包括選自N4,N4'-二苯基-N4,N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺及N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺中之具有一折射率之至少一材料。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一輔助層包括選自8-羥基奎林鋰及2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯並基-[D]咪唑之中至少一材料。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一輔助層及該第二輔助層都設置在該第二電極上之該第一區域中，且該第一輔助層之材料及具有高於該第一輔助層之該折射率之材料彼此混合以形成一層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層形成使得光能夠透射。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層具有大於該第一輔助層之厚度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該 第二輔助層具有相對於綠光之波長之大約1.8至大約2.0之折射率。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層具有相對於藍光之波長之大約1.9至大約2.5之折射率。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極形成使得光能夠透射。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極包括銀。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅，或氧化銦(In2O3)。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極具有大於該第二電極之厚度。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包括一透射區域及相鄰於之該透射區域且其中發光之一像素區域，其中該透射區域及該像素區域位在該第一區域中，該第一電極與該像素區域重疊，及該第一電極位於覆蓋該薄膜電晶體。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一輔助層形成使得光能夠透射。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極及該第一輔助層之間之附著力小於該第三電極及該第二電極之間之附著力。
  19. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極包括鎂。
  20. 一種有機發光顯示裝置，其包括：複數個像素，各複數個像素包括一薄膜電晶體、電性地連接於該薄膜電晶體之一第一電極、覆蓋該複數個像素之一第二電極、及插設於該第一電極及該第二電極之間之一有機發光層；複數個第一輔助層，位在以對應於該複數個像素之至少其中之一；一第三電極，位在該複數個像素之間，相鄰於各該複數個第一輔助層，且電性地連接於該第二電極；以及一第二輔助層，覆蓋該第二電極，且具有高於該複數個第一輔助層之一折射率；其中該第一輔助層與該第二輔助層的其中一者接觸該第二電極。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層係設置於該第二電極及該複數個第一輔助層之間。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層係設置於該複數個第一輔助層之上以覆蓋該複數個第一輔助層。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層係設置在該複數個第一輔助層之上以覆蓋至該第三電極上。
  24. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層包括選自N4,N4'-二苯基-N4,N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺及N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺中之具有一折射率之至少一材料。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個第一輔助層包括選自8-羥基奎林鋰及2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯並基-[D]咪唑之中至少一材料。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個第一輔助層及該第二輔助層都設置在該第二電極上，且該複數個第一輔助層之材料及具有高於該複數個第一輔助層之折射率之該材料彼此混合以形成一層。
  27. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層形成使得光能夠透射。
  28. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層具有大於該複數個第一輔助層之厚度。
  29. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層具有相對於綠光之波長之大約1.8至大約2.0之折射率。
  30. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層具有相對於藍光之波長之大約1.9至大約2.5之折射率。
  31. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三電極及該複數個第一輔助層之間之附著力小於該第三電極及該第二電極之間之附著力。
  32. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包括：形成個別地位於一基板上之複數個像素中之複數個薄膜電晶體； 形成電性地連接於各該複數個薄膜電晶體之複數個有機發光二極體，其係個別地位在該複數個像素中，且包括一第一電極、一有機發光層、及一第二電極；形成位在以對應該複數個像素之至少其中之一之複數個第一輔助層；藉由沉積一金屬在該複數個像素上形成相鄰於各該複數個第一輔助層且電性地連接於該第二電極之一第三電極；以及形成覆蓋該第二電極且具有高於該複數個第一輔助層之折射率之一第二輔助層；其中該第一輔助層與該第二輔助層的其中一者接觸該第二電極。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中，在該第二輔助層之形成中，具有高於該複數個第一輔助層之折射率之材料係使用具有對應於該複數個像素之至少其中之一之一圖樣之一開口之一遮罩而沉積在該第二電極上。
  34. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中，在該第二輔助層之形成中，具有高於該複數個第一輔助層之折射率之材料係沉積在整個該基板上以覆蓋該複數個第一輔助層及該第三電極。
  35. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中，在該複數個第一輔助層及該第二輔助層之形成中，該第二輔助層之材料及該複數個第一輔助層之材料係藉由使用具有對應於該複數個像素之至少其中之一之一圖樣之一開口之一遮罩而共同蒸鍍以形成在該第二電極上。
  36. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該複數個第一輔 助層之形成係使用具有對應於該複數個第一輔助層之一圖樣之一開口之一遮罩而執行。
  37. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該複數個第一輔助層之形成係藉由使用對應於該複數個第一輔助層之一施體膜之雷射轉印而執行。
  38. 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該第三電極之形成包括在該複數個第一輔助層上及相鄰於該複數個第一輔助層之一區域內沉積該金屬。
TW102131807A 2012-11-29 2013-09-04 有機發光顯示裝置及其製造方法 TWI617019B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??10-2012-0137338 2012-11-29
KR1020120137338A KR102059940B1 (ko) 2012-11-29 2012-11-29 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201421669A TW201421669A (zh) 2014-06-01
TWI617019B true TWI617019B (zh) 2018-03-01

Family

ID=49117743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102131807A TWI617019B (zh) 2012-11-29 2013-09-04 有機發光顯示裝置及其製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9231030B2 (zh)
EP (1) EP2738830A3 (zh)
JP (1) JP6289877B2 (zh)
KR (1) KR102059940B1 (zh)
CN (1) CN103855184B (zh)
TW (1) TWI617019B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11133485B2 (en) 2019-01-11 2021-09-28 Industrial Technology Research Institute Light-emitting device and electrode thereof

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102129869B1 (ko) 2012-11-06 2020-07-06 오티아이 루미오닉스 인크. 표면상에 전도성 코팅층을 침착시키는 방법
KR102081209B1 (ko) * 2013-03-26 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 및 그 유기 발광 표시 장치의 제조에 사용되는 도너 기판 및 도너 기판 세트
KR102083983B1 (ko) * 2013-05-29 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150056375A (ko) * 2013-11-15 2015-05-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2015207484A (ja) * 2014-04-22 2015-11-19 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置、および表示装置の製造方法
CN104157673B (zh) 2014-07-28 2018-06-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素单元结构、阵列结构及显示装置
US10109684B2 (en) 2014-07-28 2018-10-23 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Pixel element structure, array structure and display device
KR20160053001A (ko) 2014-10-30 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR101620092B1 (ko) * 2014-11-06 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR20160065318A (ko) 2014-11-28 2016-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102500270B1 (ko) * 2015-04-16 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170001827A (ko) 2015-06-25 2017-01-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6535545B2 (ja) 2015-08-21 2019-06-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102453921B1 (ko) * 2015-09-03 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111628101A (zh) 2015-10-26 2020-09-04 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
KR102324830B1 (ko) 2016-01-26 2021-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102562627B1 (ko) 2016-03-21 2023-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN105789479B (zh) * 2016-04-22 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled及其制备方法、以及oled显示装置
KR102570552B1 (ko) 2016-06-03 2023-08-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법
KR102581258B1 (ko) * 2016-06-10 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법
KR102473223B1 (ko) * 2016-06-30 2022-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102651858B1 (ko) 2016-07-04 2024-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널
WO2018033860A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
EP3523827B1 (en) * 2016-10-09 2023-05-10 BOE Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel, display apparatus having the same, and fabricating method thereof
CN108133948B (zh) * 2016-12-01 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及制作方法、显示面板、显示设备
KR20230117645A (ko) * 2017-04-26 2023-08-08 오티아이 루미오닉스 인크. 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을포함하는 장치
CN110832660B (zh) 2017-05-17 2023-07-28 Oti照明公司 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
CN110224003B (zh) * 2018-03-01 2023-06-09 天马日本株式会社 显示装置
US11489136B2 (en) * 2018-05-07 2022-11-01 Oti Lumionics Inc. Method for providing an auxiliary electrode and device including an auxiliary electrode
CN109638055B (zh) * 2018-12-18 2021-04-30 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、制备方法及显示装置
TWI696306B (zh) * 2019-01-25 2020-06-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
KR20200093737A (ko) * 2019-01-28 2020-08-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN113785411B (zh) 2019-03-07 2023-04-11 Oti照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置
CN113950630A (zh) * 2019-04-18 2022-01-18 Oti照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置
JP2020181190A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置及びその製造方法
CN114097102B (zh) 2019-06-26 2023-11-03 Oti照明公司 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US20220278299A1 (en) 2019-08-09 2022-09-01 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition
KR20210082316A (ko) 2019-12-24 2021-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20210148506A (ko) * 2020-05-28 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11374073B2 (en) 2020-08-11 2022-06-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel with auxiliary electrode and manufacturing method thereof
CN112002822A (zh) * 2020-08-11 2020-11-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
KR20220031796A (ko) 2020-09-03 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20230016731A (ko) 2021-07-26 2023-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200632808A (en) * 2005-01-20 2006-09-16 Seiko Epson Corp Electrooptic device, method for producing the same, and electronic apparatus
US20080296600A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Kwack Jin-Ho Organic light emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same
US20120097990A1 (en) * 2010-10-26 2012-04-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008521165A (ja) * 2004-11-16 2008-06-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ
JP4736757B2 (ja) * 2005-12-01 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP5443679B2 (ja) * 2007-10-10 2014-03-19 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR100953658B1 (ko) * 2008-06-05 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
EP2487991A4 (en) * 2009-10-09 2013-04-03 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
KR20110058126A (ko) 2009-11-25 2011-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084195B1 (ko) * 2010-02-19 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101125569B1 (ko) 2010-02-22 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9287339B2 (en) * 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101407587B1 (ko) 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200632808A (en) * 2005-01-20 2006-09-16 Seiko Epson Corp Electrooptic device, method for producing the same, and electronic apparatus
US20080296600A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Kwack Jin-Ho Organic light emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same
US20120097990A1 (en) * 2010-10-26 2012-04-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11133485B2 (en) 2019-01-11 2021-09-28 Industrial Technology Research Institute Light-emitting device and electrode thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP6289877B2 (ja) 2018-03-07
KR20140069711A (ko) 2014-06-10
EP2738830A2 (en) 2014-06-04
TW201421669A (zh) 2014-06-01
CN103855184B (zh) 2018-04-13
US20140145156A1 (en) 2014-05-29
CN103855184A (zh) 2014-06-11
EP2738830A3 (en) 2016-08-17
US9231030B2 (en) 2016-01-05
JP2014107268A (ja) 2014-06-09
KR102059940B1 (ko) 2019-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI617019B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US11394015B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP6084781B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
TWI624036B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
TWI596752B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
TWI582981B (zh) 有機發光顯示裝置
KR102155736B1 (ko) 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI549284B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
KR102092705B1 (ko) 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI593089B (zh) 有機發光顯示設備
US8895972B2 (en) Display device and organic light emitting display device having auxiliary electrode
JP6757113B2 (ja) 有機発光表示装置
US20120168783A1 (en) Organic light emitting display device
US20150228700A1 (en) Organic light-emitting diode (oled) display