JP6289877B2 - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
2 有機発光表示装置
3 マスク
21 有機発光部
23 密封基板
24 密封材
25 空間
26 密封フィルム
211 バッファ膜
212 半導体活性層
213 ゲート絶縁膜
214 ゲート電極
215 層間絶縁膜
216 ソース電極
217 ドレイン電極
218 第1絶縁膜
219 第2絶縁膜
219a 開口
220 有機膜
221 第1電極
222 第2電極
223 第3電極
223’ 薄膜
223a 第3エッジ
224 第1補助層
224a 第1エッジ
225 第2補助層
225a 第2エッジ
226 混合層
226a 第4エッジ
Claims (34)
- 基板と、
前記基板上に具備された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された第1電極と、
前記第1電極を覆うように、前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1電極の一部を露出させる開口を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上の一部上、及び前記第1電極上に形成された有機発光層と、
前記第2絶縁膜及び有機発光層上に形成された第2電極と、
前記第2電極上の第1領域に形成され、第1エッジを有する第1補助層と、
前記第2電極上の前記第1領域以外の領域である第2領域に形成され、前記第1補助層の第1エッジの側面と、その側面が互いに当接した第2エッジを有する第3電極と、
少なくとも前記第1領域に形成され、前記第1補助層より屈折率が高い第2補助層と、を有し、
前記第1領域は、1つのピクセル(画素)で発光が起きる面積より広い領域であり、前記第1領域全体に前記第1補助層及び第2補助層が形成され、前記第1領域のエッジは、前記第1補助層の第1エッジと同じ位置になり、
前記第2領域は、前記第1領域以外の領域であり、前記第2領域全体に前記第3電極が形成され、前記第2領域のエッジは、前記第3電極の第2エッジと同じ位置になり、
前記第1補助層は、8−キノリノラトリチウム、及び2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾールのうち少なくとも1つの第1補助層物質を含み、
前記第2補助層は、N4,N4’−ジフェニル−N4,N4’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニル−4,4’−ジアミン、及びN(ジフェニル−4−イル)9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミンのうち少なくとも1つの高屈折物質を含むことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2補助層は、前記第2電極上の前記第1領域に配置され、前記第1補助層が前記第2補助層を覆うことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、前記第1補助層上の前記第1領域に配置されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、前記第3電極上の前記第2領域まで配置されることを特徴とする請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1補助層と前記第2補助層とが、いずれも前記第2電極上の前記第1領域に配置され、このとき、前記第1補助層物質と前記高屈折物質とが混合されて1層を形成することを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、光透過自在に具備されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層の厚みは、前記第1補助層の厚みより厚いことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、緑色光の波長に対して、屈折率が1.8以上2.0以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、青色光の波長に対して、屈折率が1.9以上2.5以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2電極は、光透過自在に具備されたことを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2電極は、銀(Ag)を含むことを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2電極は、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、亜鉛酸化物(ZnO)またはインジウム酸化物(In2O3)を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3電極の厚みは、前記第2電極の厚みより厚いことを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1領域に、外光が透過可能な透過領域と、前記透過領域に隣接して発光が行われるピクセル領域とが配置され、
前記第1電極は、ピクセル領域と重畳し、
前記第1電極は、前記薄膜トランジスタを覆い隠すように位置することを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1補助層は、光透過自在に具備されたことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3電極と前記第1補助層との接着力は、前記第3電極と前記第2電極との接着力より弱いことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3電極は、Mgを含むことを特徴とする請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 複数のピクセルと、
前記各ピクセルに位置する複数の薄膜トランジスタと、
前記各ピクセルに位置し、前記各薄膜トランジスタと電気的に連結された複数の第1電極と、
前記複数のピクセルを覆う第2電極と、
前記各第1電極と前記第2電極との間に介在された有機発光層と、
前記ピクセルのうち少なくとも一つに対応するように位置する複数の第1補助層と、
前記各ピクセル間に位置し、前記各第1補助層に隣接し、前記第2電極と電気的に連結された第3電極と、
少なくとも前記第1補助層に積層され、前記第1補助層より屈折率が高い第2補助層と、を有し、
前記第1補助層は、8−キノリノラトリチウム、及び2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾールのうち少なくとも1つの第1補助層物質を含み、
前記第2補助層は、N4,N4’−ジフェニル−N4,N4’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニル−4,4’−ジアミン、及びN(ジフェニル−4−イル)9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミンのうち少なくとも1つの高屈折物質を含むことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2補助層は、前記第2電極と前記第1補助層との間に配置されることを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、前記第1補助層を覆うように、前記第1補助層上に配置されることを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、前記第3電極まで覆うように、前記第1補助層上に配置されることを特徴とする請求項20に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1補助層と前記第2補助層とがいずれも前記第2電極上に配置され、このとき、前記第1補助層物質と前記高屈折物質とが混合されて1層を形成することを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、光透過自在に具備されることを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層の厚みは、前記第1補助層の厚みより厚いことを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、緑色光の波長に対して、屈折率が1.8以上2.0以下であることを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、青色光の波長に対して、屈折率が1.9以上2.5以下であることを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3電極と前記第1補助層との接着力は、前記第3電極と前記第2電極との接着力より弱いことを特徴とする請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 基板上の複数のピクセルにそれぞれ位置する複数の薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記各薄膜トランジスタと電気的に連結され、前記複数のピクセルにそれぞれ位置し、第1電極、有機発光層、及び第2電極を含む複数の有機発光素子を形成する段階と、
前記ピクセルのうち少なくとも一つに対応するように位置する複数の第1補助層を形成する段階と、
前記複数のピクセル間に金属を蒸着し、前記各第1補助層に隣接し、前記第2電極と電気的に連結された第3電極を形成する段階と、を有し、
前記第1補助層に積層され、前記第1補助層より屈折率が高い第2補助層を形成する段階をさらに有し、
前記第1補助層は、8−キノリノラトリチウム、及び2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾールのうち少なくとも1つの第1補助層物質を含み、
前記第2補助層は、N4,N4’−ジフェニル−N4,N4’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ジフェニル−4,4’−ジアミン、及びN(ジフェニル−4−イル)9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミンのうち少なくとも1つの高屈折物質を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第2補助層を形成する段階は、前記ピクセルのうち少なくとも一つに対応するパターンの開口を有するマスクを利用して、前記第2電極上に、高屈折物質を蒸着することを特徴とする請求項28に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2補助層を形成する段階は、前記第1補助層と前記第3電極とを覆うように、高屈折物質を基板全面に蒸着することを特徴とする請求項28に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1補助層及び前記第2補助層を形成する段階は、前記ピクセルのうち少なくとも一つに対応するパターンの開口を有するマスクを利用して、前記第2電極上に、高屈折物質及び第1補助層物質を共蒸着することを特徴とする請求項28に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1補助層を形成する段階は、前記第1補助層に対応するパターンの開口を有するマスクを利用して行われることを特徴とする請求項28に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1補助層を形成する段階は、前記第1補助層に対応するドナーフィルムを利用したレーザ転写方法を利用して行われることを特徴とする請求項28に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第3電極を形成する段階は、前記第1補助層上の及び前記第1補助層に隣接した領域に前記金属を蒸着する段階を含むことを特徴とする請求項28に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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