TW201325352A - 配線基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

[課題]當製造藉由使用曝光裝置的光微影法形成配線圖案所構成的配線基板時，防止曝光裝置中之遮罩圖案的靜電破壞，並且有效地進行遮罩圖案的除塵降低製品不良的比例，以低成本製造配線基板。[解決手段]在曝光台上設置已配置感光性阻劑的基板，並且以與曝光台對向的方式，配置在絕緣性的透明基材上描繪既定圖案所構成的遮罩圖案，透過遮罩圖案對感光性阻劑進行曝光處理，在感光性阻劑形成圖案的潛像。接下來，使除塵滾輪對遮罩圖案接觸及旋轉來進行遮罩圖案的清潔，在遮罩圖案及除塵滾輪接觸的狀態下，由離子化裝置對遮罩圖案及除塵滾輪照射離子，進行遮罩圖案及除塵滾輪的除電。

Description

配線基板之製造方法

本發明係關於配線基板之製造方法。

在已塗布光阻等感光材料的基板表面利用曝光裝置曝光烙上既定圖案，之後在基板上形成圖案的光微影法在各種領域被廣泛地應用。

上述的曝光裝置，具有：曝光台，係設置已配設感光性阻劑的基板；遮罩圖案，係以與此曝光台對向的方式被支架(holder)挾持；及光源，係挾持此遮罩圖案地配設在與曝光台相反的側。

又，若在遮罩圖案上有塵埃存在，則曝光時，此塵埃對已設置在曝光台上的基板造成影子，因此會對基板形成未曝光部分。其結果，不能精度良好地進行基板的曝光，如此製得的配線基板成為不良品，產生製造良率降低的問題。因此，上述曝光裝置，一般而言，設有用於將已附著在遮罩圖案上的塵埃除去的除塵裝置。

作為除塵裝置，過去，使用黏著橡膠滾輪(除塵滾輪)或黏著膠帶滾輪等，藉由使這些滾輪與遮罩圖案接觸，進行遮罩圖案的除塵。

然而，使用上述黏著橡膠滾輪或黏著膠帶滾輪的情況，在其使用過程中因與遮罩圖案接觸時的摩擦而會帶電，因此若在除塵後將這些滾輪從遮罩圖案剝離，則遮罩圖案會成為剝離帶電。一般而言，遮罩圖案，通常在絕緣性的透明基材上描繪既定的、例如金屬的圖案，因 此若產生如上述的剝離帶電，便有圖案會發生靜電破壞，遮罩圖案會破損的問題。

在專利文獻1，揭露配設除電刷及集塵機，在將遮罩圖案上的靜電以除電刷除去後，以黏著膠帶滾輪及集塵機除去塵埃。然而，專利文獻1記載的方法，係使除電刷只作用於遮罩圖案，而不使除電刷作用於黏著膠帶滾輪，因此黏著膠帶滾輪處在已帶電的狀態，如上述，不能解決當將黏著膠帶滾輪從遮罩圖案剝離時產生剝離帶電，對已被描繪的圖案產生靜電破壞的問題。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1 日本特開2008-216433號

本發明的目的在於當藉由使用曝光裝置的光微影法製造配線基板時，防止曝光裝置中之遮罩圖案的靜電破壞，並且有效地進行遮罩圖案的除塵降低製品不良的比例，以低成本製造配線基板。

為了達成上述目的，本發明係關於一種配線基板之製造方法，其特徵為具備：在曝光台上設置已配置感光性阻劑的基板，並且以與前述曝光台對向的方式，配置已在絕緣性的透明基材上描繪既定圖案的遮罩圖案，透過前述遮罩圖案對前述感光性阻劑進行曝光處理，藉以在前述感光性阻劑形成前述圖案的潛像的製程； 使具有黏著表面的除塵滾輪對前述遮罩圖案接觸並旋轉來進行前述遮罩圖案的清潔的製程；及在前述遮罩圖案及前述除塵滾輪接觸的狀態下，由離子化裝置對前述遮罩圖案及前述除塵滾輪照射離子，進行前述遮罩圖案及前述除塵滾輪的除電的製程。

又，本發明係關於一種曝光裝置，其特徵為具備：曝光台，係用於設置被曝光體；遮罩圖案，係在已與前述曝光台對向配置的絕緣性的透明基材上描繪既定圖案；光源，係透過前述遮罩圖案照射前述曝光台；除塵滾輪，係具有與前述遮罩圖案接觸而將前述遮罩圖案表面除塵的黏著表面；除塵滾輪驅動手段，係將前述除塵滾輪與前述遮罩圖案接觸並使其在前述遮罩圖案的表面轉動；及離子化裝置，係在前述遮罩圖案及前述除塵滾輪接觸的狀態下，利用離子照射進行前述遮罩圖案及前述除塵滾輪的除電。

根據本發明，便可使用具有離子化裝置的曝光裝置，依需要形成導體層，並將已配設感光性阻劑的基板設置在曝光裝置內的曝光台上，從已對向地配置的遮罩圖案對基板進行曝光處理，並且使除塵滾輪對遮罩圖案接觸及旋轉，進行遮罩圖案的除塵。據此，能極力防止由已附著在遮罩圖案上的塵埃對已配設在基板上的感光性阻劑形成影子，能抑制因未曝光部分存在所造成的製品良率降低。

又，在遮罩圖案與除塵滾輪接觸的狀態下，從離子化裝置對它們照射離子，進行遮罩圖案及除塵滾輪的除電。據此，在遮罩圖案之由除塵滾輪所造成的除塵結束後，防止將除塵滾輪從遮罩圖案剝離時之遮罩圖案的剝離帶電，能防止已被描繪的圖案的靜電破壞，能防止遮罩圖案的破損。

依此方式根據本發明，便能抑制製品良率降低，進一步地能防止遮罩圖案的破損，因此能降低藉由使用曝光裝置的光微影法來製造配線基板時的製造成本。

又，在本發明的一例中，能由胺基甲酸酯製造上述除塵滾輪。胺基甲酸酯具有比現在泛用的除塵滾輪的構成材料之矽酮高的導電性。據此，即使是在如上述的與遮罩圖案接觸時，仍能抑制除塵滾輪本身的帶電，能進一步確實地抑制如上述的遮罩圖案的破損。

如以上說明般，根據本發明，當藉由使用曝光裝置的光微影法來製造配線基板時，能防止曝光裝置中之遮罩圖案的靜電破壞，並且有效地進行遮罩圖案的除塵降低製品不良的比例，以低成本製造配線基板。

[用於實施發明的形態] (配線基板)

最初，針對要依本發明的方法製造的配線基板的構成說明。但是，以下所示的配線基板只是例示而已，只要是在芯層的第1主面上至少積層第1導體層及第1樹脂絕緣層，並且在最表面形成第1防焊阻劑層，前述至 少第1導體層從已形成在此第1防焊阻劑層的第1開口部露出，前述芯層之在與前述第1主面相對的第2主面上至少積層第2導體層及第2樹脂絕緣層，並且在最表面形成有第2防焊阻劑層的話，便沒有特別的限制。又，即使是在不具有芯基板2的配線基板方面，仍能適用。

第1及2圖，係本實施形態中之配線基板的平面圖，第1圖係顯示從上側看配線基板的情況的狀態，第2圖係顯示從下側看第1圖所示之配線基板的情況的狀態。又，第3圖係將第1圖及第2圖所示之配線基板沿I-I線切割的情況的剖面的一部分放大顯示的圖。

第1~3圖所示之配線基板1，係在以耐熱性樹脂板(例如雙馬來亞醯胺-三嗪樹脂板)、或纖維強化樹脂板(例如玻璃纖維強化環氧樹脂)等所構成的板狀芯2的兩表面，利用鍍Cu分別形成構成形成為既定圖案的金屬配線7a的芯導體層M1、M11(亦簡稱為導體層)。這些芯導體層M1、M11係以披覆板狀芯2的大部分表面的面導體圖案形成，作為電源層或接地層使用者。

另一方面，在板狀芯2，利用鑽孔機(drill)等形成已被穿設的貫通孔(through hole)12，在其內壁面形成有使芯導體層M1、M11彼此導通的貫通孔導體30。又，貫通孔12係利用環氧樹脂等的樹脂製埋穴材31填充。

又，在芯導體層M1、M11的上層，分別形成以熱硬化性樹脂組成物6所構成的第1通路層(增建層(build-up layer)：絕緣層)V1、V11。進一步地，在其表面，利用鍍Cu分別形成構成形成為既定圖案的金屬配線7b的第1 導體層M2、M12。又，芯導體層M1、M11及第1導體層M2、M12係分別利用通路(via)34予以層間連接。同樣地，在第1導體層M2、M12的上層，分別形成使用熱硬化性樹脂組成物6的第2通路層(增建層(build-up layer)：絕緣層)V2、V12。

在第2通路層V2及V12上，分別形成有具有金屬端子墊10、17的第2導體層M3、M13。這些第1導體層M2、M12及第2導體層M3、M13係分別利用通路34予以層間連接。通路34具有：通路導體34s，係設在通路孔34h及其內周面；通路墊(via pad)34p，係以與通路導體34s導通的方式設在底面側；及通路地(via land)341，係在與通路墊34p相反的側從通路導體34h的開口周緣向外伸出。

依以上方式，在板狀芯2的第1主面MP1上，係依序積層芯導體層M1、第1通路層V1、第1導體層M2、第2通路層V2及第2導體層M3，形成第1配線積層部L1。又，在板狀芯2的第2主面MP2上係依序積層芯導體層M11、第1通路層V11、第1導體層M12、第2通路層V12及第2導體層M13，形成第2配線積層部L2。然後，在第1主表面CP1上形成有複數個金屬端子墊10，在第2主表面CP2上形成有複數個金屬端子墊17。

又，金屬端子墊10，係透過之後形成的焊料凸塊覆晶連接未圖示的半導體元件用的墊(FC墊)，構成半導體元件搭載區域。如第1圖所示，金屬端子墊10，係在配線基板1的略中央部中形成。配列成矩形狀。

又，金屬端子墊17，係作為將配線基板1連接母板用的背面地(LGA墊)利用者，涵蓋配線基板1的整體背面地配列成矩形狀。

進一步地，在第1主表面CP1上形成有具有開口部8a的防焊阻劑層8，在已於開口部8a露出的金屬端子墊10上，形成有含Sn基底層10a，該含Sn基底層10a係利用無電解鍍Sn或電解鍍Sn等鍍敷法形成。又，在基底層10a上，形成在印刷焊料膏後，藉由進行回流(reflow)所製得的焊料凸塊11。

又，上述焊料膏，可為包含用於除去氧化膜的助熔劑(flux)者，亦可為不包含該助熔劑者。在後者的情況下，如以下說明，為了將已形成在基底膜10a表面的氧化膜除去，而另外使用用於除去氧化膜的助熔劑處理基底膜10a，將已形成在其表面的氧化膜除去是較佳的。

又，焊料凸塊11，能由例如Sn-Pb、Sn-Ag及Sn-Ag-Cu等構成。

又，可從第1~3圖清楚看出，本實施形態的配線基板1呈現矩形的略板形狀，其大小，能作成例如約35 mm×約35 mm×約1 mm。

(配線基板之製造方法)

接著，就第1~3圖所示之配線基板之製造方法說明。第4圖係顯示在本實施形態使用的曝光裝置的概略構成的圖，第5圖係用於說明第4圖所示之曝光裝置的動作的圖，第6~15圖係本實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。又，以下所示的製程圖，係相當於第3 圖、以在沿配線基板的I-I線切割的情況的剖面觀察的情況之依序製程為中心而顯示者。

第4圖所示之曝光裝置50具有：曝光台51，係用於配置依需要形成導電層並且已配設感光性阻劑的基板；及遮罩圖案52，係以與此曝光台51對向的方式設置。又，雖未特別圖示，但遮罩圖案52係在絕緣性的透明基材上形成由金屬(例如鉻)所構成的既定圖案所構成。

又，具有用於進行遮罩圖案52的除塵的除塵滾輪53及離子化裝置54。除塵滾輪53及離子化裝置54，係設置在為了利用未圖示的搬送系統予以搬出的搬出載具55。

又，在曝光裝置50的前後，係配設有：搬入部，係用於將從外部運進來的配線基板1導入曝光裝置50內；及排出部，係用於將曝光後的配線基板1從曝光裝置50搬出到外部。

在搬入部，配設有：搬入載具56；吸附墊57，係設在此搬入載具的下面；及搬送滾輪58，係用於搬送配線基板。同樣地，在搬出部，配設有：上述搬出載具55；吸附墊57，係設在此搬出載具的下面；及搬送滾輪58，係用於搬送配線基板。

接著，以第5圖說明曝光裝置50的動作。以搬送滾輪58從外部運進來的配線基板1位於搬入部，利用已設在移動式的搬入載具56的吸附墊57，將它搬入至曝光台51上。搬入載具56，若將配線基板1搬入至既定位 置，便下降，將配線基板1載置在曝光台51，解除配線基板1的吸附。搬入載具56係在解除配線基板1的吸附後，開始從曝光台51上朝搬入部移動。

進行曝光後，移動式的搬出載具55(除塵滾輪驅動手段)移動至配線基板1上面。搬出載具55下降，利用已設在搬出載具55的吸附墊57吸附配線基板1後，開始從曝光台51上朝搬出部移動。在搬出部，搬出載具55下降，藉由解除吸附墊57的吸附，配線基板1被載置於搬送滾輪58上而被搬出。

在配線基板1被搬出，曝光台51上沒有配線基板的狀態下，進行遮罩圖案52的清潔。首先，已設有除塵滾輪53及離子化裝置54的搬出載具55移動至曝光台上。此時，配線基板1未吸附在吸附墊57。接著，搬出載具55上升，除塵滾輪53接觸遮罩圖案52。已設在搬出載具55的除塵滾輪53旋轉，將附著在遮罩圖案52的塵埃除去。又，同時利用離子化裝置54，照射離子，進行遮罩圖案52及除塵滾輪53的除電。藉由一邊進行除塵、除電，一邊搬出載具移動至搬出部，來進行遮罩圖案52的清潔。之後，除塵滾輪53下降，與轉印滾輪59接觸，獲得未圖示的驅動力而旋轉，除去附著在除塵滾輪53的塵埃。

若根據本曝光裝置，則相對於搬出載具55移動至搬出部的方向，除塵滾輪53設在前，離子化裝置54設在後。換言之，對藉由除塵滾輪53進行除塵的遮罩圖案52，由離子化裝置54照射離子，進行除電。依此方式， 對遮罩圖案52，利用除塵滾輪53進行除塵後，由離子化裝置54進行除電，藉以在除塵滾輪53已接觸的地方，進行由離子化裝置54所造成的除電，能確實地防止靜電破壞。

接著，就使用如上述的曝光裝置50的配線基板1之製造方法具體地說明。最初，如第6圖所示，準備板形狀的耐熱性樹脂板(例如雙馬來亞醯胺-三嗪樹脂板)、或纖維強化樹脂板(例如玻璃纖維強化環氧樹脂)作為芯2，以鑽孔等的方法穿孔作出貫通孔12。接著，形成未圖示的作為通電路徑的無電解鍍Cu層後，在芯2的兩主面MP1及MP2中一樣地形成乾膜阻劑61。

接著，將第6圖所示之已配設乾膜阻劑61的芯(基板)2，利用如上述的操作，設置在第4圖所示之曝光裝置50的曝光台51上，從上述未圖示的光源透過遮罩圖案52將乾膜阻劑61曝光，對此乾膜阻劑61形成遮罩圖案52的圖案的潛像。

在本製程，因為是以形成芯導體層M1、M11為目的，因此遮罩圖案52的圖案係與上述芯導體層M1、M11的圖案吻合地形成。

又，在曝光裝置50中，在上述曝光處理前，進行遮罩圖案52的除塵。即，藉由使搬出載具55沿遮罩圖案52的表面驅動，來使除塵滾輪53對遮罩圖案52接觸及旋轉進行遮罩圖案52的除塵。據此，能極力防止由已附著在遮罩圖案52上的塵埃對已形成在芯2上的乾膜阻劑61形成影子，能抑制因未曝光部分存在所造成的製品良率降低。

又，在遮罩圖案52與除塵滾輪53接觸的狀態下，從離子化裝置54對它們照射離子，進行遮罩圖案52及除塵滾輪53的除電。據此，在遮罩圖案52之由除塵滾輪53所造成的除塵結束後，防止將除塵滾輪53從遮罩圖案52剝離時之遮罩圖案52的剝離帶電，能防止已被描繪之未圖示的圖案的靜電破壞，能防止遮罩圖案52的破損。

據此，能抑制配線基板的良率降低，進一步地能防止遮罩圖案的破損，因此能降低藉由使用曝光裝置50的光微影法來製造配線基板時的製造成本。

又，除塵滾輪53較佳為由胺基甲酸酯製造。胺基甲酸酯具有比現在泛用的除塵滾輪的構成材料之矽酮高的導電性。據此，即使是在與遮罩圖案52接觸時，仍能抑制除塵滾輪53本身的帶電，能更確實地抑制遮罩圖案52的破損。

接著，如第7圖所示，對乾膜阻劑61施加顯影處理，形成與已被形成在乾膜阻劑61的潛像吻合的阻劑圖案62。之後，進行電解鍍Cu處理，在阻劑圖案62的非形成區域選擇性地形成鍍Cu層，並且將阻劑圖案62以藥液除去。之後，藉由將已殘存在阻劑圖案62下方的無電解鍍Cu層以快速蝕刻(quick etching)除去，如第8圖所示，來在芯2的第1主面MP1及第2主面MP2上形成芯導體M1、M11及貫通孔導體30。又，在貫通孔12內填充樹脂製埋穴材31。

接著，對芯導體層M1、M11施加粗化處理後，如第9圖所示，以披覆芯導體層M1、M11的方式層疊(laminate)樹脂膜6且使其硬化，製得絕緣層V1、V11。樹脂膜亦可依需要而含有填料(filler)。

接著，對絕緣層V1、V11(通路層)從其主表面照射雷射，以既定圖案形成通路孔34h，對包含通路孔34h的絕緣層V1及V11實施粗化處理。又，絕緣層V1及V11包含填料的情況，若依上述方式對絕緣層V1及V11施加粗化處理，則填料游離，成為殘存在絕緣層V1及V11上，因此適宜地實施水洗淨，除去已游離的填料。

接著，實施除渣處理及外形蝕刻(outline etching)洗淨通路孔34h內。又，在本實施形態，因為實施水洗淨，因此當除渣製程中之水洗淨時，能抑制上述填料的凝集。

又，在本例，在上述的由高水壓所造成的水洗淨及上述除渣處理之間，能進行吹氣(air blow)。藉此，即使是在無法以上述的水洗淨完全地除去已游離填料的情況下，仍能在吹氣中彌補完成填料的除去。

接著，將如第10圖所示，在絕緣層V1及V11的主面上，形成未圖示的通電路徑用的無電解鍍Cu層後，在此無電解鍍Cu層上一樣地形成乾膜阻劑71，具有第10圖所示之芯導體層M1、M11及貫通孔導體30，可形成乾膜阻劑72所構成的組合體(assembly)，設置在第4圖所示的曝光裝置50的曝光台51上，從未圖示的光源透過遮罩圖案52曝光乾膜阻劑71，對此乾膜阻劑71形成遮罩圖案52的圖案的潛像。

在本製程，因為是以形成第1導體層M2、M12為目的，因此遮罩圖案52的圖案係形成為與上述第1導體層M2、M12的圖案吻合。

又，如上述，在曝光裝置50中，在上述的曝光處理前，進行遮罩圖案52的除塵。具體而言，在從乾膜阻劑61的曝光完成後，到進行本製程的曝光前的任何時點進行。

遮罩圖案52的除塵，係如上述，藉由使搬出載具55沿遮罩圖案52的表面驅動，來使除塵滾輪53對遮罩圖案52接觸及旋轉進行遮罩圖案52的除塵。據此，能極力防止由已附著在遮罩圖案52上的塵埃對乾膜阻劑71形成影子，能抑制因未曝光部分存在所造成的製品良率降低。

又，在遮罩圖案52與除塵滾輪53接觸的狀態下，從離子化裝置54對它們照射離子，進行遮罩圖案52及除塵滾輪53的除電。據此，在遮罩圖案52之由除塵滾輪53所造成的除塵結束後，防止將除塵滾輪53從遮罩圖案52剝離時之遮罩圖案52的剝離帶電，能防止已被描繪之未圖示的圖案的靜電破壞，能防止遮罩圖案52的破損。

據此，能抑制配線基板的良率降低，進一步地能防止遮罩圖案的破損，因此能降低藉由使用曝光裝置50的光微影法來製造配線基板時的製造成本。

接著，如第11圖所示，對乾膜阻劑71施加顯影處理，形成與已被形成在乾膜阻劑71的潛像吻合的阻劑圖 案72。之後，進行電解鍍Cu處理，在阻劑圖案72的非形成區域選擇性地形成鍍Cu層，並且將阻劑圖案72以藥液除去。之後，藉由將已殘存在阻劑圖案72下方的無電解鍍Cu層以快速蝕刻除去，如第12圖所示，來在絕緣層V1、V11上分別形成第1導體層M1、M12。

接著，對第1導體層M2、M12施加粗化處理後，如第13圖所示，以披覆第1導體層M2、M12的方式層疊樹脂膜6且使其硬化，製得絕緣層V2、V12。此樹脂膜，如上述，亦可依需要而含有填料(filler)。

之後，對絕緣層V2、V12從其主表面照射雷射，以既定圖案形成通路孔34h，對包含通路孔34h的絕緣層V2及V12實施粗化處理。又，絕緣層V2及V12包含填料的情況，若依上述方式對絕緣層V2及V12施加粗化處理，則填料游離，成為殘存在絕緣層V2及V12上，因此與上述同樣地適宜地進行水洗淨、吹氣。接著，對通路孔34h實施除渣處理及外形蝕刻(outline etching)洗淨通路孔34h內。

之後，藉由實施與第10~11圖同樣的製程，如第14圖所示，在絕緣層V2、V12上形成第2導體層M3、M13。又，在第2導體層M3、M13上，以埋設通路孔34h內的方式分別形成阻劑層8及18。

接著，將第14圖所示之組合體設置在第4圖所示的曝光裝置50的曝光台51上，從未圖示的光源透過遮罩圖案52依序曝光阻劑層8及18，對此阻劑層8及18形成遮罩圖案52的圖案的潛像。即，曝光阻劑層8的情況， 係以使阻劑層8向上的方式配置在曝光台51上，曝光阻劑層18的情況，係以使阻劑層18向上的方式配置在曝光台51上。

在本製程，因為對阻劑層8及18形成開口8a及18a，因此遮罩圖案52的圖案係適宜地形成為與開口8a及18a的圖案吻合。

又，如上述，在曝光裝置50中，在上述的曝光處理前，進行遮罩圖案52的除塵。具體而言，在從形成第2導體層M3、M13用的乾膜阻劑的曝光完成後，到進行本製程的曝光前的任何時點進行。

遮罩圖案52的除塵，係如上述，藉由使搬出載具55沿遮罩圖案52的表面驅動，來使除塵滾輪53對遮罩圖案52接觸及旋轉進行遮罩圖案52的除塵。據此，能極力防止由已附著在遮罩圖案52上的塵埃對阻劑層8及18形成影子，能抑制因未曝光部分存在所造成的製品良率降低。

又，在遮罩圖案52與除塵滾輪53接觸的狀態下，從離子化裝置54對它們照射離子，進行遮罩圖案52及除塵滾輪53的除電。據此，在遮罩圖案52之由除塵滾輪53所造成的除塵結束後，防止將除塵滾輪53從遮罩圖案52剝離時之遮罩圖案52的剝離帶電，能防止已被描繪之未圖示的圖案的靜電破壞，能防止遮罩圖案52的破損。

據此，能抑制配線基板的良率降低，進一步地能防止遮罩圖案52的破損，因此能降低藉由使用曝光裝置50的光微影法來製造配線基板時的製造成本。

接著，如第15圖所示，對阻劑層8及18施加顯影處理，形成與已被形成在阻劑層8及18的潛像吻合的開口部8a及18a。

接著，在已於開口部8a露出的金屬端子墊10上，利用例如無電解鍍敷、電解鍍敷等的鍍敷法形成含Sn基底層10a，接著，能將焊料凸塊11，透過基底層10a，以與金屬端子墊10電性接觸的方式形成，藉以製得如第1~3圖所示之本實施形態的配線基板1。

又，形成焊料凸塊11時的焊料膏不含用於除去氧化膜的助熔劑的情況，作為形成焊料凸塊11的前處理，使用用於除去氧化膜的助熔劑處理基底膜10a，將已被形成在基底膜10a表面的氧化膜除去後，形成焊料凸塊11。但是，上述焊料膏包含上述用於除去氧化膜的助熔劑的情況，即使不進行上述的前處理，仍能藉由印刷及回流上述焊料膏來除去已被形成在基底膜10a表面的氧化膜。

又，能依需要對阻劑層8及18實施電漿處理。此電漿處理，係為了將阻劑層8及18(尤其是表面)活性化而利用電漿照射來實施者，藉此，當例如進行封裝化時，使得對密封樹脂層的濕潤性提升，使得密封樹脂層的塗布性提升。尤其是，當在配線基板與例如半導體元件等的狹小空隙填充底部填料樹脂(under-fill resin)時，因上述的濕潤性提升而使得底部填料樹脂容易在配線基板，即阻劑層8上展開，因此過去困難的注入底部填料樹脂也能容易地進行。

以上，一邊舉出具體例一邊詳細地說明本發明，但本發明並不限定於上述內容，在不脫離本發明的範圍下可進行所有可能的變形及變更。

1‧‧‧配線基板

M1‧‧‧芯導體層

V1‧‧‧第1通路層

M2‧‧‧第1導體層

V2‧‧‧第2通路層

M11‧‧‧芯導體層

V11‧‧‧第1通路層

M12‧‧‧第1導體層

V12‧‧‧第2通路層

341‧‧‧通路地

34p‧‧‧通路墊

34s‧‧‧通路導體

7a、7b‧‧‧金屬配線

8、18‧‧‧防焊阻劑層

8a、18a‧‧‧開口部

50‧‧‧曝光裝置

51‧‧‧曝光台

52‧‧‧遮罩圖案

53‧‧‧除塵滾輪

54‧‧‧離子化裝置

55‧‧‧搬出載具

56‧‧‧搬入載具

57‧‧‧吸附墊

58‧‧‧搬送滾輪

59‧‧‧轉印滾輪

第1圖係實施形態中之配線基板的平面圖。

第2圖係實施形態中之配線基板的平面圖。

第3圖係將第1圖及第2圖所示之配線基板沿I-I線切割的情況的剖面的一部分放大顯示的圖。

第4圖係顯示在實施形態使用的曝光裝置的概略構成的圖。

第5圖係用於說明第4圖所示之曝光裝置的動作的圖。

第6圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第7圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第8圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第9圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第10圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第11圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第12圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第13圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第14圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

第15圖係實施形態中之配線基板之製造方法的製程圖。

1‧‧‧配線基板

50‧‧‧曝光裝置

51‧‧‧曝光台

52‧‧‧遮罩圖案

53‧‧‧除塵滾輪

54‧‧‧離子化裝置

55‧‧‧搬出載具

56‧‧‧搬入載具

57‧‧‧吸附墊

58‧‧‧搬送滾輪

59‧‧‧轉印滾輪

Claims (6)

1. 一種配線基板之製造方法，其特徵為具備：在曝光台上設置已配置感光性阻劑的基板，並且以與前述曝光台對向的方式，配置已在絕緣性的透明基材上描繪既定圖案的遮罩圖案，透過前述遮罩圖案對前述感光性阻劑進行曝光處理，藉以在前述感光性阻劑形成前述圖案的潛像的製程；使具有黏著表面的除塵滾輪對前述遮罩圖案接觸並旋轉來進行前述遮罩圖案的清潔的製程；及在前述遮罩圖案及前述除塵滾輪接觸的狀態下，由離子化裝置對前述遮罩圖案及前述除塵滾輪照射離子，進行前述遮罩圖案及前述除塵滾輪的除電的製程。
2. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其進一步包含：準備已在表面形成導體層的前述基板的製程；及進行前述曝光處理後，藉由將已形成前述圖案的潛像的感光性阻劑顯影，來使與前述圖案對應的導體層露出的製程。
3. 如申請專利範圍第2項之配線基板之製造方法，其進一步包含：對已露出的前述導體層施加鍍敷處理的製程；除去感光性阻劑的除去製程；及將已因除去感光性阻劑而露出的導體層加以蝕刻，藉以在前述基板形成配線圖案的製程。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之配線基板之製造方法，其中前述除塵滾輪包含胺基甲酸酯(urethane)。
5. 一種曝光裝置，其特徵為具備：曝光台，係用於設置被曝光體；遮罩圖案，係在已與前述曝光台對向配置的絕緣性的透明基材上描繪既定圖案；光源，係透過前述遮罩圖案照射前述曝光台；除塵滾輪，係具有與前述遮罩圖案接觸而將前述遮罩圖案表面除塵的黏著表面；除塵滾輪驅動手段，係將前述除塵滾輪與前述遮罩圖案接觸並使其在前述遮罩圖案的表面轉動；及離子化裝置，係在前述遮罩圖案及前述除塵滾輪接觸的狀態下，利用離子照射進行前述遮罩圖案及前述除塵滾輪的除電。
6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中前述除塵滾輪包含胺基甲酸酯。