TW201324536A - 顯示面板及含有其的顯示裝置 - Google Patents

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Jeong-Ju Go
Byeong-Do Kwak
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Jung-Seob Kim
Yong-Wan Park
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Abstract

揭露一種顯示面板及一種含有其的顯示裝置。所述顯示面板包含：基板；以及形成於所述基板上之各向異性導電膜。此處，所述各向異性導電膜包含導電粒子，所述導電粒子包括顆粒核心材料以及形成於所述顆粒核心材料之表面上之導電層，且所述顆粒核心材料之模數B與所述基板之模數（A）之比（B/A）可小於約1。

Description

顯示面板及含有其的顯示裝置
本發明是關於一種顯示面板及一種含有其的顯示裝置。更特定言之，本發明是關於一種顯示面板，所述顯示面板包含各向異性導電膜以及基板，且可在各向異性導電膜受到壓縮的情況下防止導電性劣化且防止導電粒子自各向異性導電膜逸出，且本發明亦是關於一種含有所述顯示面板之顯示裝置。
隨著在液晶顯示器(liquid crystal displays；LCD)、電漿顯示面板(plasma display panel；PDP)、有機發光顯示器(organic light emitting display；OLED)及其類似者之電子封裝中出現電路之間的微小間隙以及高連接密度之趨勢增長，對能夠同時連接以狹窄間隔配置之眾多電極之技術的需要增長。特定言之，在LCD封裝中，導電黏著劑用於可撓性印刷電路(flexible printed circuit；FPC)線路與玻璃顯示器之間的機械連接以及電連接。
導電黏著劑可分類為各向同性導電黏著劑及各向異性導電膜(anisotropic conductive film；ACF)。大多數各向異性導電膜包含分散於熱固性或熱塑性絕緣樹脂中之單分散性(mono-dispersive)導電粒子。導電粒子包含單分散性聚合物粒子(下文中稱為核心材料)，所述粒子包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、胺基樹脂及其類似者。日本專利公開第S49-057019A號揭露一種藉由以下方式製備著 色胺基樹脂交聯粒子之方法：經由胺基化合物與甲醛之間的反應而形成初始縮合物作為胺基樹脂前驅物，接著對所得產物進行染色、乳化且固化。藉由此方法，在核心材料上塗佈導電材料。一般而言，無電電鍍(electroless plating)用作用於塗佈金屬材料(Ni及Au)之製程。為了執行無電電鍍，對聚合物粒子預處理以使其適用於電鍍之製程是重要的。預處理製程由蝕刻、調節、敏化、活化、預沉澱製程及其類似者所組成。
當將包含導電粒子之各向異性導電膜塗覆至玻璃基板及商用PCB並壓縮於玻璃基板及商用PCB上時，不存在特定問題，所述導電粒子包括核心材料，諸如，聚苯乙烯樹脂、聚(甲基)丙烯酸酯樹脂、胺基樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂及其類似者。在此製程中，具有高強度之聚合物材料就硬度及變形而言是有利的，但伴有電阻增大及其他問題，諸如，粒子破裂或裂化。此外，在諸如丙烯酸樹脂或聚胺基甲酸酯樹脂之相對軟且可變形之聚合物材料用於製備複合聚合物粒子時，雖然有良好的初始導電性，但存在導電粒子容易變形且過度變形的問題，以致導電粒子在受到熱壓縮之情況下遭受塑性變形，進而導致電阻增大。
最近，隨著可撓性顯示器之發展，已研究各種材料，包含玻璃基板、熱或UV可固化材料、極低強度之材料及其類似者，且需要與所述材料對應之核心材料之發展。在此狀況下，隨著更低模數(modulus)之基板用作下基板，各向異性導電膜之壓縮伴有一些問題，諸如，電短路、導電 粒子自導電膜移動至下基板中及類似問題。因此，需要能夠解決此等問題之技術。
本發明之一個態樣提供一種顯示面板，其包含：基板；以及形成於基板上之各向異性導電膜。此處，各向異性導電膜包含導電粒子，所述導電粒子包括顆粒核心材料以及形成於顆粒核心材料之表面上之導電層，且顆粒核心材料之模數B與基板之模數(A)之比(B/A)可小於約1。
基板可包含選自以下各者之至少一者：玻璃、聚矽氧、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
顆粒核心材料可具有範圍為約0.1兆帕至約1.0吉帕之模數。
基板可具有範圍為約0.1兆帕至約75吉帕之模數。
基板可為玻璃基板，且模數比(B/A)之範圍可為約0.15×10-5至約0.01。
基板可為聚矽氧基板，其具有範圍為約0.1兆帕至約15兆帕之模數。
顆粒核心材料可包含聚矽氧樹脂。
聚矽氧樹脂可包含選自以下各者之至少一者：聚烷基矽氧烷、聚芳基矽氧烷、聚烷芳基矽氧烷以及聚矽氧橡膠。
顆粒核心材料可更包含選自以下各者之至少一者：苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、丁二烯橡膠、異平橡膠(isoprene rubber)、氯平橡膠(chloroprene rubber)、新平橡膠 (neoprene rubber)、乙烯-丙烯-二烯三元共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯(SEPS)嵌段共聚物、丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)、氫化腈橡膠(HNBR)以及氟化橡膠。
顆粒核心材料可具有範圍為約2微米至約20微米之平均粒子大小。
導電層可包含導電聚合物層以及金屬層中之至少一者。
導電層可藉由在導電聚合物層上堆疊金屬層而形成。
導電聚合物層可包含聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩及其衍生物中之至少一者。
導電聚合物層可具有範圍為約1奈米至約500奈米之厚度。
金屬層可包括以下各者中之至少一者：Ni、Au、Ag、Cu、Zn、Cr、Al、Co、Sn、Pt以及Pd。
金屬層可具有範圍為約10奈米至約300奈米之厚度。
金屬層可具有單層或多層結構。
本發明之另一態樣提供一種含有如上所述之顯示面板之顯示裝置。
將參考附圖來更詳細描述本發明之例示性實施例。
如本文中所使用，術語「模數」指儲存模數，且可意謂以約0.01赫茲至100赫茲之頻率、高達約16N之恆定負載以及約0.1微米至約240微米之應變幅度(strain amplitude)在彎曲模式中量測之值。
在本發明之一個態樣中，一種顯示面板包含：基板；以及形成於基板上之各向異性導電膜。此處，各向異性導電膜包含導電粒子，所述導電粒子各自包括：顆粒(particulate)核心材料；以及形成於顆粒核心材料之表面上之導電層，其中顆粒核心材料之模數B與基板之模數(A)之比(B/A)可小於約1。
在習知顯示面板中，在驅動器IC之凸塊壓縮各向異性導電膜時，各向異性導電膜中所含有之導電粒子可能自各向異性導電膜移動至基板中，或驅動器IC之凸塊可能不能令人滿意地連接至基板之電極。此等問題在應用可撓性基板時變得嚴重。
相反，根據本發明之顯示面板可包含各向異性導電膜，其包含導電粒子，所述導電粒子能夠防止如上所述之導電粒子逸出及連接問題。可藉由將顆粒核心材料之模數調整為小於基板之模數來獲得此等有利效應。
在模數比為1或1以上時，會存在問題，諸如，在基板上之各向異性導電膜受到驅動器IC之凸塊壓縮的情況下，導電粒子自各向異性導電膜逸出或導電性劣化。較佳地，模數之範圍可為約0.4至小於1。
圖1為根據本發明之一例示性實施例之顯示面板的側視圖。
參看圖1，顯示面板100可包含：基板10，其上形成有電極9；以及各向異性導電膜5，其堆疊於基板10上且 包含導電粒子4。
圖2及圖3分別展示在具有凸塊8之驅動器IC 20壓縮在上面之前及之後的根據例示性實施例之顯示面板。參看圖2及圖3，在壓縮具有凸塊8之驅動器IC 20時，有可能防止驅動器IC 20之凸塊8與基板10之導電粒子4之間之導電連接過量或不足。換言之，根據本發明之導電粒子可將諸如電短路的故障降至最少，藉此實現所要的顯示裝置，所述電短路可引起驅動器IC之凸塊之間、或凸塊與基板之其他電極(非待由驅動器IC連接之基板之電極)之間的異常連接。參看圖3，與圖2相比，導電粒子未自各向異性導電膜逸出，且密集分佈於基板(或電極)與驅動器IC之凸塊之間。
基板
基板可包含玻璃基板以及可撓性基板。具體言之，基板可包含選自以下各者之至少一者：玻璃、聚矽氧(silicone)、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂(諸如，聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)及其類似者)、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
基板可具有範圍為約0.1兆帕至約75吉帕之模數。
在一些實施例中，基板可為聚矽氧基板，其具有範圍為約0.1兆帕至約15兆帕之模數。可自聚矽氧樹脂製備聚矽氧基板。
在其他實施例中，基板可為玻璃基板，其具有範圍為 約65吉帕至約75吉帕之模數。
無關於基板之種類，顆粒核心材料之模數B與基板之模數(A)之比(B/A)可小於約1。
在一些實施例中，基板可為玻璃基板。在此狀況下，模數比可小於約1，較佳約0.15×10-5至約0.01。
在其他實施例中，基板可為可撓性基板，其包含聚矽氧基板。在此狀況下，模數比可小於約1，較佳約0.4至小於1。
基板可具有範圍為約30微米至約200微米之厚度。
基板可具有電極，所述電極形成於基板之表面上以連接至驅動器IC以及凸塊。
各向異性導電膜
各向異性導電膜可包含導電粒子。
圖4為根據一例示性實施例的包含導電粒子之各向異性導電膜的示意性側視圖。參看圖4，各向異性導電膜5可包含：基質(matrix)6；以及基質6中所含有之導電粒子4。
導電粒子可包含：顆粒核心材料；以及導電層，其形成於顆粒核心材料之表面上且包含導電聚合物層以及金屬層中之至少一者。
顆粒核心材料可具有範圍為約0.1兆帕至約1.0吉帕之模數。在此範圍內，有可能在各向異性導電膜被驅動器IC之凸塊壓縮至基板上的情況下，防止導電粒子自各向異性導電膜逸出或導電性劣化。
顆粒核心材料可為單分散性的。換言之，顆粒核心材料中所包含之粒子可具有均一粒子大小分佈。均一粒子大小分佈確保優良之導電性。
顆粒核心材料可具有範圍為約2微米至約20微米、較佳約2微米至約7微米之平均粒子大小。在此範圍內，導電粒子可維持其功能，而不在鄰近電極之間產生短路。
顆粒核心材料可包含粒子，所述粒子包括聚矽氧樹脂。
聚矽氧樹脂允許導電粒子有效壓縮至基板上。此外，聚矽氧樹脂允許導電粒子與基板之間的模數比經由導電粒子之間的連接來適當控制，以使得導電層可在受到壓縮的情況下適當連接，藉此防止導電性劣化以及防止由導電粒子自導電膜逸出引起的其他潛在故障。
聚矽氧樹脂可包含選自以下各者之至少一者：聚烷基矽氧烷(包含聚二甲基矽氧烷)、聚芳基矽氧烷、聚烷芳基矽氧烷以及聚矽氧橡膠。
除聚矽氧樹脂外，顆粒核心材料可更包含選自由以下各者組成之族群的至少一者：苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、丁二烯橡膠、異平橡膠、氯平橡膠、新平橡膠、乙烯-丙烯-二烯三元共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯(SEPS)嵌段共聚物、丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)、氫化腈橡膠(HNBR)以及氟化橡膠。
顆粒核心材料可具有球形形狀，但不限於此。
為了將導電性賦予顆粒核心材料，可在顆粒核心材料上形成導電層。具體言之，導電層可包含選自導電聚合物層以及金屬層之至少一者。
圖5至圖7為根據本發明之例示性實施例之導電粒子的示意性側視圖。
如圖5所示，導電粒子4可包含：顆粒核心材料1；以及形成於顆粒核心材料1上之導電聚合物層2。
如圖6所示，導電粒子4可包含：顆粒核心材料1；以及形成於顆粒核心材料1上之金屬層3。
或者，可藉由順序堆疊導電聚合物層以及金屬層而形成導電層。具體言之，參看圖7，導電粒子4可包含：顆粒核心材料1；以及形成於顆粒核心材料1上之導電聚合物層2；以及形成於導電聚合物層2上之金屬層3。
導電聚合物層可包含聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩及其衍生物中之至少一者。
導電聚合物層可具有範圍為約1奈米至約500奈米、較佳約10奈米至約200奈米之厚度。在此範圍內，導電聚合物層可賦予導電性且可應用於各向異性導電膜。
金屬層可包括選自以下各者之至少一者：Ni、Au、Ag、Cu、Zn、Cr、Al、Co、Sn、Pt以及Pd。
金屬層可具有範圍為約10奈米至約300奈米、較佳約80奈米至約200奈米之厚度。在此範圍內，金屬層可賦予導電性且可應用於各向異性導電膜。
導電聚合物層或金屬層可具有單層結構或多層結 構，所述多層結構具有不同組份的兩個或兩個以上層。特定言之，在金屬層包括不同金屬材料(例如，Ni/Au合金之單層結構或連續多層結構)時，有可能改良顆粒核心材料之表面上之金屬材料的可塗佈性、穩定性以及導電性。
導電粒子可具有球形形狀，但不限於此。
可藉由任何典型方法來製造導電粒子。舉例而言，一種用於製造導電粒子之方法可包含：(a)由含聚矽氧樹脂之組成物形成顆粒核心材料；以及(b)在顆粒核心材料之表面上形成包括導電聚合物層以及金屬層中之至少一者的導電層。
步驟(a)可指經由形成精細粒子之典型方法(諸如，懸浮聚合、沉澱聚合、分散聚合、晶種聚合、多階晶種聚合或直接形成，但不限於此)形成單分散性交聯顆粒核心材料之製程。此外，直接形成可意謂未在溶液中執行之形成製程。
步驟(b)可指藉由以下方式在顆粒核心材料之表面上形成導電聚合物層之製程：將顆粒核心材料與分散穩定劑一起分散於分散溶劑中，以及添加導電聚合物之單體及其引發劑並使導電聚合物之單體與引發劑反應。
在步驟(b)中，分散穩定劑用以使顆粒核心材料於分散溶劑中之分散穩定，且可包含聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯醇以及離子或非離子表面活性劑，所述分散穩定劑具有於水或醇中的可分散特性且可單獨使用或組合使用。分散溶劑之實例可包含水、醇溶劑及其類似者，且引發劑之實 例包含APS((NH4)2S2O8)、KSP(K2S2O8)、FeCl3及其類似者。
步驟(b)可包含使用金屬觸媒在導電聚合物層之表面上沉積金屬粒子，接著對導電聚合物層之表面無電電鍍以在所述表面上形成金屬層。較佳地，Pd觸媒用作金屬觸媒。因此，Pd粒子可沉積於導電聚合物層之表面上，且經受金屬之無電電鍍，藉此在所述表面上形成金屬層。
導電粒子在各向異性導電膜中存在的量可為約1重量%至約5重量%。在此範圍內，導電粒子可維持絕緣特性，而不會使電路之間的連接效能劣化。
各向異性導電膜之基質可包含各向異性導電膜之製造中所使用的任何典型樹脂。舉例而言，各向異性導電膜之基質可包含環氧樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂及其類似者。
各向異性導電膜可具有範圍為約10微米至約40微米之厚度。
在另一態樣中，提供一種含有所述顯示面板之裝置。本發明可應用於能夠採用所述顯示面板之任何裝置。舉例而言，所述裝置可為諸如可撓性顯示裝置之顯示裝置。
接著，將參考實例來更詳細描述本發明。然而，應注意，此等實例出於說明目的而提供且不應以任何方式解釋為限制本發明之範疇。
實例1
藉由在具有如表1所列之組合物之顆粒核心材料上形成包括聚噻吩之導電聚合物層而製備粒子大小為3至4微 米之粒子。藉由Ni電鍍而將Ni塗佈在粒子之表面上達100±10奈米之厚度，且在其上塗佈Au達50±5奈米之厚度，藉此製備導電粒子。使包括導電粒子、丙烯酸共聚物、丙烯酸酯改質之胺基甲酸酯樹脂、丙烯腈丁二烯共聚物、異三聚氰酸乙烯氧化物改質之二丙烯酸酯、矽石粒子以及過氧化月桂醯之組合物固化以製備各向異性導電膜。將各向異性導電膜壓縮至表1之基板上，藉此形成所要產物，所述所要產物上形成有各向異性導電膜。
在185℃下將5兆帕之負載施加至各向異性導電膜歷時5秒鐘。量測導電性(導電率)以評估導電粒子之逸出。導電粒子之逸出導致導電率之降低。
實例2
以與實例1相同之方式製備具有各向異性導電膜之基板，不同之處在於如表1所列之顆粒核心材料之組合物及基板。
在185℃下將5兆帕之負載施加至各向異性導電膜歷時5秒鐘以量測導電性。
實例3
以與實例1相同之方式製備具有各向異性導電膜之基板，不同之處在於如表1所列之顆粒核心材料之組合物及基板。
在185℃下將20兆帕之負載施加至各向異性導電膜歷時5秒鐘以量測導電性。
對比實例1
以與實例1相同之方式製備具有各向異性導電膜之基板，不同之處在於如表1所列之顆粒核心材料之組合物及基板。
在185℃下將20兆帕之負載施加至各向異性導電膜歷時5秒鐘以量測導電性。
以0.01至100赫茲之頻率、高達約16N之恆定負載及0.1至240微米之應變幅度在彎曲模式中使用DMA 242C來量測顆粒核心材料及基板中之每一者之模數(儲存模數)。
導電性量測之結果展示於表1中。
如表1所示，實例1至3中所製備之顯示面板不遭受導電粒子自其逸出之問題，且能以某一電阻來確保導電率，藉此允許訊號經由驅動器IC與基板之下電極之間的有效連接而良好傳送。相反，對於對比實例1中所製備之各 向異性導電膜，大多數導電粒子自其逸出，進而提供極大的(infinite)電阻且因此無法確保導電率。
雖然已在本文中揭露一些實施例，但熟習此項技術者應理解，此等實施例僅以說明方式提供，且可進行各種修改、改變以及變更，而不偏離本發明之精神以及範疇。因此，本發明之範疇因僅受隨附申請專利範圍及其均等物限制。
1‧‧‧顆粒核心材料
2‧‧‧導電聚合物層
3‧‧‧金屬層
4‧‧‧導電粒子
5‧‧‧各向異性導電膜
6‧‧‧基質
8‧‧‧凸塊
9‧‧‧電極
10‧‧‧基板
20‧‧‧驅動器IC
100‧‧‧顯示面板
圖1為根據本發明之一例示性實施例之顯示面板的側視圖。
圖2為在驅動器IC壓縮在上面之前的顯示面板的概念圖。
圖3為在驅動器IC壓縮在上面之後的顯示面板的概念圖。
圖4為根據本發明之一例示性實施例的包含導電粒子之各向異性導電膜的示意性側視圖。
圖5為根據本發明之一例示性實施例之導電粒子的示意性側視圖。
圖6為根據本發明之另一例示性實施例之導電粒子的示意性側視圖。
圖7為根據本發明之再一例示性實施例之導電粒子的示意性側視圖。
4‧‧‧導電粒子
5‧‧‧各向異性導電膜
9‧‧‧電極
10‧‧‧基板
100‧‧‧顯示面板

Claims (18)

  1. 一種顯示面板，包括基板以及形成於所述基板上之各向異性導電膜，其中所述各向異性導電膜包括導電粒子，所述導電粒子包括顆粒核心材料以及形成於所述顆粒核心材料之表面上的導電層，且所述顆粒核心材料之模數B與所述基板之模數(A)之比(B/A)小於約1。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中所述基板包括選自以下各者之至少一者：玻璃、聚矽氧、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中所述顆粒核心材料具有範圍為約0.1兆帕至約1.0吉帕之模數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中所述基板具有範圍為約0.1兆帕至約75吉帕之模數。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中所述基板為玻璃基板，且所述模數比(B/A)之範圍為約0.15×10-5至約0.01。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中所述基板為聚矽氧基板，且所述基板之所述模數之範圍為約0.1兆帕至約15兆帕。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中所 述顆粒核心材料包括聚矽氧樹脂。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中所述聚矽氧樹脂包括選自以下各者之至少一者：聚烷基矽氧烷、聚芳基矽氧烷、聚烷芳基矽氧烷以及聚矽氧橡膠。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中所述顆粒核心材料更包括選自以下各者之至少一者：苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、丁二烯橡膠、異平橡膠、氯平橡膠、新平橡膠、乙烯-丙烯-二烯三元共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)嵌段共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯(SEPS)嵌段共聚物、丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)、氫化腈橡膠(HNBR)以及氟化橡膠。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中所述顆粒核心材料具有範圍為約2微米至約20微米之平均粒子大小。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中所述導電層包括導電聚合物層以及金屬層中之至少一者。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中所述導電層是藉由在所述導電聚合物層上堆疊所述金屬層而形成。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中所述導電聚合物層包括聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩及其衍生物中之至少一者。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中所述導電聚合物層具有範圍為約1奈米至約500奈米之厚度。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中所述金屬層包括選自以下各者之至少一者：Ni、Au、Ag、Cu、Zn、Cr、Al、Co、Sn、Pt以及Pd。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中所述金屬層具有範圍為約10奈米至約300奈米之厚度。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中所述金屬層具有單層或多層結構。
  18. 一種顯示裝置，包括如申請專利範圍第1項至第17項中任一項所述之顯示面板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003046098A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Anisotropically electroconductive adhesive film, method for the production thereof, and semiconductor devices
JP4099475B2 (ja) * 2004-04-26 2008-06-11 ジョインセット株式会社 導電性シリコンパウダーとその製造方法、並びにこれを適用した異方導電性フィルム及び導電性ペースト
KR20060058856A (ko) * 2004-11-26 2006-06-01 제일모직주식회사 고분자-금속 복합입자 시스템 및 이를 이용한 이방 도전성필름
KR100882313B1 (ko) * 2006-03-09 2009-02-10 주식회사 엘지화학 도전성 미립자 도전볼 및 그의 제조방법
JP5430093B2 (ja) * 2008-07-24 2014-02-26 デクセリアルズ株式会社 導電性粒子、異方性導電フィルム、及び接合体、並びに、接続方法

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