KR20060058856A - 고분자-금속 복합입자 시스템 및 이를 이용한 이방 도전성필름 - Google Patents

고분자-금속 복합입자 시스템 및 이를 이용한 이방 도전성필름 Download PDF

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Abstract

본 발명의 고분자-금속 복합입자 시스템은 (A) 금속입자 또는 고분자입자 표면에 금속층이 피복된 도전성 미립자; 및 (B) 상기 금속과 화학적 친화력을 가지는 관능기를 표면에 도입한 고분자 입자로 이루어지고, 상기 도전성 미립자와 고분자 입자가 상호 흡착된 것을 특징으로 한다. 본 발명의 고분자-금속 복합입자 시스템을 이방 도전성 필름에 적용할 경우, 매우 높은 접속 신뢰성을 나타낸다.
고분자-금속 복합입자, 이방 도전성 필름, 도전성 미립자, 화학적 흡착 작용, 표면개질, 접속 신뢰성

Description

고분자-금속 복합입자 시스템 및 이를 이용한 이방 도전성 필름{Polymer Bead-Conductive Metal Particle Complex System and Anisotropic Conductive Film Using the Same}
제1도는 본 발명의 고분자-금속 복합입자 시스템이 형성되는 것을 나타내는 개략도이다.
제2(a)도는 실시예 1A의 고분자-금속 복합입자 시스템에 대한 전자현미경 사진이다.
제2(b)도는 실시예 1B의 고분자-금속 복합입자 시스템에 대한 전자현미경 사진이다.
제2(c)도는 실시예 1C의 고분자-금속 복합입자 시스템에 대한 전자 현미경 사진이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 도전성 금속 2 : 고분자 입자
3 : 금속입자의 표면활성 기재 4 : 표면 개질용 고분자 입자
5 : 관능기
발명의 분야
본 발명은 이방 도전성 필름 등에 함유되는 고분자-금속 복합입자 시스템에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 표면 개질용 고분자 입자에 금속과 화학적 친화력을 갖는 관능기를 도입하고, 도전성 미립자와 화학적인 방법으로 부착함으로써, 선택적인 표면 흡착 및 흡착밀도 제어가 가능한 고분자-금속 복합입자 시스템에 관한 것이다.
발명의 배경
일반적으로 액정 디스플레이 기능은 그 기술이 발달함에 따라, 디스플레이의 고해상도 및 칼라화가 진행되어 픽셀 피치(pixel pitch)가 감소되고 기판 위에 인쇄된 리드(lead) 수가 증가되고 있는 추세이다. 이러한 기술적 요구에 따라, LCD 패널(panel)과 구동 집적회로(driver IC) 및 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB)을 접속하는 LCD 패키징(packaging) 기술도 발전해 오고 있는데, 회로가 점점 미세화 되면서 이에 따른 패키징 기술도 여러 방법으로 발달하고 있으며, 이 중 이방전도성 필름(anisotropic conductive film, ACF)으로 접속시키는 패키징법이 많 이 채용되고 있다.
최근 들어, 이방전도성 필름을 이용한 접속 기술이 파인 피치(fine-pitch)화 되고, IC 범프(bump)의 면적이 미세화 되어 감에 따라 이방전도성 필름 중에 함유되는 도전입자의 입경을 작게 할 필요가 있고, 또한 접속 신뢰성을 향상시키기 위해서 도전입자의 배합량을 증가시키기 위한 연구가 계속 되고 있으며, 이를 해결하기 위한 공지의 기술로는 도전입자의 표면을 절연층으로 피복한 절연코트입자를 사용하는 방법 등이 제시되어 있다.
도전 입자의 표면을 절연층으로 피복한 절연 코트 입자의 제조 방법으로는, 화학적 방법, 물리/화학적 방법 및 물리/기계적 방법이 있다.
이중, 종래에 소개된 화학적 방법으로서는 일본특허공개 소62-076215에 소개된 계면중합법, in-situ 중합법, 액중경화피복법 등이 있으며, 물리/화학적 방법으로서는, 역시 상기 특허에서 소개된 coacervation 법, 계면 침전법 등이 있다.
물리적 기계적 제법으로서는 대표적인 예로, 일본특허공개 평 2001-195921에서 명시된, 하이브리다이저(hybridizer)와 같은 기계/물리적 복합화 설비를 채용하는 방법 등이 소개되어 있다.
이러한 종래의 방법들은 도입되는 표면 연속 수지층의 두께 균일도가 낮고, 금속 층과 표면 절연층이 서로 단순 물리적 결합에 의해 복합화 되어 있기 때문에, 실제 적용에 있어서는 가공성, 접속 신뢰성 등에 문제를 야기하는 문제점이 있다.
흡착에 의한 표면 개질은 계면효과가 지배적인 영향을 미치는 부식, 연마, 콜로이드 안정화, 마이크로 전자공학, 광화학 및 전기 화학 공정, 생물학적 계면 등에 매우 중요한 기술로 알려져 있다.
따라서 표면에 특정 관능기를 도입하여 금속과 관능기간의 화학적 인력을 이용하여 고정시킬 경우에는 원하는 입자를 선택적으로 흡착할 수 있으며 균일한 피복효과를 부여할 수 있다. 또한 관능기와 금속간의 인력이 존재하는 조건에서는 두 가지 입자의 결합이 용매 등에 의해서도 해리되지 않으며, 보다 강력한 복합 입자를 제공한다는 점에서 주목을 받고 있다.
이러한 화학적 흡착을 통해서 입자표면에 자발적으로 균일한 층을 형성하는 시스템의 구체적인 예로는 실리콘에 대한 클로로실란, 금속 산화물에 대한 카르복실산, 금에 대한 유기 황(organosulfur) 등이 있다.
특히 유기 황 유도체와 금속 사이에는 매우 강한 인력이 존재하고, 따라서 티올(thiol-; -SH)기를 포함한 물질은 금속 표면에 자발적으로 방향성 있는 균일한 층을 형성하는 것으로 알려져 왔다.
금 기판에 흡착된 티올기의 유용성은 금이 상대적으로 불활성인 금속으로 외부 오염에 저항성이 매우 강하며, 다른 관능기의 존재여부와 상관없이 티올기와 강한 선택적(specific) 인력을 보인다는 점에서 특징을 가지고 있다.
Macromolecules 1988, vol 21, pp.1202-1208 에서는 상기의 인력을 고분자를 포함한 시스템으로 확장하였다. 상기 고분자 재료는 한 말단에 티올(thiol-)기를 포함한 폴리스티렌 (PS-SH)과 스티렌-페닐렌 설파이드 블록공중합체 (PS-PPS)를 사용한다. 용액 상에서 상기의 개질된 폴리스티렌은 금 기판에 흡착하여 균일한 필름을 형성하는 것으로 보고되었다.
따라서 본 발명자는 단순 화학적 방법 및 기계/물리적 방법에 의한 복합화로 인한 상기의 문제점을 해결하기 위하여, 화학적 흡착력을 이용한 입자-입자 표면흡착 기술에 의한 미립자의 복합화 방법을 선택함으로써, 선택적 흡착, 또는 단층 흡착이 가능하며, 금속입자 또는 고분자 입자의 표면 개질에 효과적으로 활용될 수 있는 복합입자를 개발하기에 이른 것이다.
본 발명의 목적은 우수한 선택적 표면 흡착력을 가진 고분자-금속 복합입자 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 흡착 밀도 제어가 가능한 고분자-금속 복합입자 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 금속입자 또는 고분자 입자의 표면 개질 기능이 우수한 고분자-금속 복합입자 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 입자간 응집 현상을 방지할 수 있는 고분자-금속 복합입자 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 단층(mono-layer) 흡착 효과를 얻을 수 있는 고분자-금속 복합입자 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 고분자-금속 복합입자 시스템을 이용함으로써 접속 신뢰성이 우수한 이방 도전성 필름을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
발명의 요약
본 발명의 입자간 상호 화학적 흡착 방법을 포함하는 고분자-금속 복합입자의 시스템은 (A) 금속입자 또는 고분자입자 표면에 금속층이 피복된 도전성 미립자; 및 (B) 상기 금속과 화학적 친화력을 가지는 관능기를 표면에 도입한 고분자 입자로 이루어지고, 상기 도전성 미립자와 고분자 입자가 상호 흡착된 것을 특징으로 한다.
발명의 구체예에 대한 상세한 설명
제1도는 본 발명의 고분자-금속 복합입자 시스템이 형성되는 것을 나타내는 개략도이다. 도1에 나타난 바와 같이, 도전성 금속(1)으로 코팅된 구형의 고분자 입자(2)와 말단기를 강한 화학적 친화력을 가진 관능기(5)로 치환한 유기 고분자 입자(4)는 화학적으로 흡착하여 고분자-금속 복합입자 시스템을 형성한다.
이하, 본 발명의 내용을 하기에 상세히 설명한다.
(A) 도전성 미립자
본 발명에 있어서 도전성 미립자는 고분자입자 표면에 금속층이 피복된 입자 (A1)를 사용하거나, 또는 순수한 금속입자(A2)를 사용할 수 있다.
상기 도전성 미립자는 통상의 것을 사용할 수 있으며, 예컨대 금, 은, 니켈 또는 구리 등과 같은 전도성 금속이 사용된다.
고분자입자 표면에 금속층이 피복된 입자는 본 발명의 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 제조할 수 있다.
본 발명의 도전성 입자의 크기는 제한이 없다. 도전성 미립자(A)의 표면에 개질용 고분자 입자(B)를 흡착시키고자 할 경우, 상대적으로 직경이 큰 도전성 미립자를 선택하며, 반대로 개질용 고분자 입자(B)의 표면에 도전성 미립자(A)를 흡착시키고자 할 경우, 상대적으로 직경이 작은 도전성 미립자를 선택하여 설계할 수 있다.
본 발명의 하나의 구체예에서는 금(Au) 또는 니켈/금(Ni/Au)으로 도금된 직경이 약 5 ㎛의 폴리스티렌 입자를 도전성 미립자로 사용한다.
(B) 관능기를 표면에 도입한 고분자 입자
본 발명에 있어서, 상기 관능기를 표면에 도입한 고분자 입자는 도전성 미립자의 표면을 개질하는 개질용 고분자 입자로서, 도1에 나타난 바와 같이 고분자 입자(4)의 표면에 관능기(5)가 도입된 구조를 갖는다.
상기 고분자 입자(4)는 화학적으로 안정한 재질의 것으로 예컨대, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 아크릴-스티렌 공중합체, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등의 비닐계 중합체들이 사용될 수 있으며, 특정 종류로 한정되지 않는다.
상기 고분자 입자(4)는 통상의 방법으로 제조할 수 있으며, 예컨대, 질소 분위기에서 개시제, 탈이온수 및 단량체를 혼입한 후, 강염기를 처리하여 무유화 중합하여 제조된다.
본 발명에 있어서, 상기 고분자 입자(4)의 크기는 제한이 없으나, 구형의 균일한 크기분포를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 하나의 구체예에서는 0.5 내지 0.6 ㎛직경의 균일한 분포를 갖는 폴리스티렌 입자를 사용한다.
고분자 입자의 직경은 개시제 농도, 계면활성제 농도, 교반속도 및 반응온도 등에 의해 조절할 수 있으며 본 발명이 속한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자로부터 용이하게 실시될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 고분자 입자(4)의 제조시 가교제를 첨가하여 가교된 구조의 것을 사용할 수 있다. 가교 고분자를 사용할 경우, 내용제성이 증가하여 고분자-금속 복합입자의 제조시 입자의 형성이 유지된다.
상기 고분자 입자(4) 표면에는 금속과 강한 인력을 가지는 관능기(5)가 도입된다.
금, 은, 니켈, 구리 등과 같은 전도성 금속은 말단의 티올(-SH)기와 화학적 친화력을 가지며 티올(thiol-)기를 포함한 고분자 입자는 강한 친핵성, 라디칼 포획능력 및 금속이온과의 결합력 등의 다양한 특성을 갖는다.
그러나 티올(thiol-)기는 라디칼 연쇄 이동(radical chain transfer activity) 때문에 직접 고분자 입자에 도입하는 것은 어렵다. 따라서 이소티오우로늄 염(isothiouronium salt), 에폭사이드 (epoxide) 및 티오아세테이트(thiolacetate) 등의 다른 관능기를 먼저 도입한 후, 고분자 입자 표면에서 티올(thiol-)기로 전환시키거나 고분자 입자 존재 하에서 축합 반응을 통해 도입하는 방법이 바람직하다.
본 발명의 구체예에는 알칸디티올 (alkane dithiol)과 디브로모알칸(dibromoalkane)의 축합반응을 이용한다. 이 때, 디브로모알칸에 대한 알칸디티올(alkandithiol)의 몰(mole)비를 조절하면 입자표면에 도입되는 티올(thiol-)의 양을 변화시킬 수 있다. 따라서 관능기 도입을 위한 중간물질의 농도를 제어함으로써 금속입자에 흡착되는 고분자 입자의 표면밀도를 제어할 수 있으며 선택성을 부여할 수 있다.
또한 본 발명에서는 상기 축합 반응시 비이온성 계면활성제를 첨가하여 고분자 입자의 엉김현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 관능기(5)는 상기 티올(thiol-)기 외에도 카르복실기(carboxyl group, -COOH) 등이 사용될 수 있으며, 고분자 입자(4)에 관능기(5)를 도입하는 방법은 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자로부터 용이하게 실시될 수 있다.
본 발명에 있어서, 고분자-금속 복합입자는 상기의 관능기를 포함한 고분자 입자(B)를 도전성 입자(A) 표면에 화학적으로 부착시켜 제조된다. 구체적으로, 상 기 고분자 입자(B)를 용매에 분산시킨 후, 도전성 입자(A)를 투입하고, 약 35-45 ℃에서 4 시간 이상 교반하여 제조한다. 다음에 물리적 흡착이나 입자간 엉김을 제거하기 위해 고분자 입자에 대한 좋은 용매(good solvent)로 수 회 세정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 고분자-금속 복합입자는 직경이 큰 도전성 입자(A) 표면에 작은 입경의 고분자 입자(B)를 흡착시키거나 반대로 직경이 큰 고분자 입자(B)에 입경이 작은 도전성 입자(A)를 도입하는 것을 포함하며 각각 선택적으로 흡착되어 활용될 수 있다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예
실시예 1A-1E: 디브로모알칸(Dibromoalkane)에 대한 알칸디티올(Alkanedithiol) 의 몰비에 따른 입자-입자 흡착 실험
실시예 1A
(1) 관능기가 표면에 도입된 고분자 입자의 제조
탈 이온수에 평균 입경 0.5 ㎛의 폴리스티렌 입자 1.0g을 혼입하고, 1,6-디브로모헥산(dibromohexane)에 대한 1,3-프로판디티올(propanedithiol)의 몰비가 각각 1.0의 비율이 되도록 혼합하였다. 60 ℃에서 2 시간, 80 ℃에서 2 시간, 그리고 100 ℃에서 20 시간 동안 100 rpm으로 교반하면서 응축한 후, 탈 이온수로 3 회 원심 분리하여 티올(thiol-)기가 도입된 폴리스티렌 입자를 제조하였다.
입도분석기로 평균직경을 측정한 결과, 축합 반응 후 폴리스티렌 입자의 평균직경은 약 0.55 ㎛로 나타났으며, 주사전자현미경으로 관찰한 결과 2차 입자의 형성은 발견되지 않았다. 고분자 입자 내 티올(thiol-)기 도입 확인은 적외흡광분석(2550 cm-1 peak)과 자외흡광분석을 사용하였다.
(2) 고분자-금속 복합입자의 제조
상기 평균 입경 0.55 ㎛의 티올(thiol-)기가 도입된 폴리스티렌 입자 0.1 g와 입경 4.9 ㎛의 폴리스티렌 입자 표면에 니켈/금(Ni/Au)이 도금된 입자 0.05 g을 에탄올 50 ml에 넣고, 45 ℃에서 24시간동안 100 rpm으로 교반시킨 후, 폴리스티렌에 대한 좋은 용매(good solvent)인 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofurane(THF))으로 2회 세정하고 건조하였다.
실시예 1B-1E
1,6-디브로모헥산(dibromohexane)에 대한 1,3-프로판디티올(propanedithiol) 의 몰비를 각각 1.25 , 1.5 , 1.65 , 2.0 의 비율이 되도록 혼합한 것을 제외하고는 상기 실시예 1A과 동일하게 수행하여 이들을 각각 실시예 1B, 1C, 1D 및 1E로 하였다.
상기 실시예 1A-1E에서 제조된 고분자-금속 복합입자를 주사전자현미경으로 관찰하였으며, 그 결과를 도2(a)∼2(c)에 나타내었다. 도 2(a)는 실시예 1A, 도 2(b)는 실시예 1B, 도 2(c)는 실시예 1C의 결과를 나타낸 것이다. 몰비가 1.0인 실시예 1A의 경우, 약간의 입자 흡착이 발견되었으며, 몰비가 증가함에 따라 흡착된 입자의 수는 증가하는 것을 확인할 수 있었다.
몰비가 1.65인 1D 및 2.0 인 1E의 경우는 1C의 조건일 경우와 비교하여 흡착된 입자의 수가 유사하였으며, 상기 몰비에 의해 고분자 입자 표면의 관능기 도입이 포화상태에 도달한 것으로 판단된다.
실시예 2A-2E : 용매(분산매) 효과에 따른 실험
실시예 2A
디브로모알칸(dibromoalkane)에 대한 알칸디티올(alkanedithiol)의 몰비를 1.5로 하고, 분산 용매를 에탄올 50 ml 대신에 폴리스티렌에 대한 빈 용매(poor solvent)인 메탄올을 사용하여 입자-입자 흡착을 시도한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
실시예 2B-2E
분산 용매를 메탄올 대신에 폴리스티렌에 대한 빈 용매(poor solvent)인 아세톤, 아세트산, 노말-헥산 및 폴리스티렌에 대한 좋은 용매(good solvent)인 테트라하이드로퓨란(THF)을 각각 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2A와 동일하게 수행하여 이들을 각각 실시예 2B, 2C, 2D 및 2E로 하였다.
용매의 종류를 poor solvent를 사용한 실시예 2A-2D의 경우, 흡착 경향은 상기 실시예 1의 경우와 유사하게 나타났으며, 빈 용매(poor solvent)의 종류에 따른 차이는 발견되지 않았다. 반면, 좋은 용매(good solvent)인 테트라하이드로퓨란(THF)을 사용한 실시예 2E에서는 고분자입자의 표면 용해가 발생하여 초기에 사용했던 입자에 비해 입경이 변화하였고 흡착된 입자의 개수도 감소한 것으로 나타났다.
실시예 3A-3J: 가교제 영향에 따른 실험
실시예 3A
가교성 단량체인 디비닐벤젠(divinylbenzene (DVB)) 1 %가 첨가된 폴리스티렌을 개질용 고분자로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1C와 동일하게 수행하였다.
실시예 3B-3J
가교성 단량체를 각각 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9% 및 10%를 첨가한 것을 제외하고는 상기 실시예 3A와 동일하게 수행하여 이들을 각각 실시예 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, 3G, 3H, 3I 및 3J로 하였다.
상기 실시예 3A-3J에서 제조된 고분자-금속 복합입자를 주사전자현미경으로 관찰하여 입자 용해 여부를 확인하였으며, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 가교성 단량체 농도(%) 입자 용해 여부
실시예3A 1 입자용해
실시예3B 2 부분용해
실시예3C 3
실시예3D 4 입자형상유지
실시예3E 5
실시예3F 6
실시예3G 7
실시예3H 8
실시예3I 9
실시예3J 10
실시예 4: 반응시간 영향에 따른 실험
티올(thiol-)기가 도입된 폴리스티렌 입자와 니켈/금(Ni/Au)이 도금된 전도성 입자의 혼합시간을 30분 단위로 증가시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
반응시간에 따른 복합입자 형성은 4시간 이상에서 동일한 결과가 얻어졌다.
실시예 5A-5E: 교반속도 영향에 따른 실험
티올(thiol-)기가 도입된 폴리스티렌 입자와 니켈/금(Ni/Au)이 도금된 전도성 입자를 혼합 교반시, 교반속도를 각각 0, 200 , 300 , 400 및 500 rpm으로 변화시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 이들을 각각 실시예 5A, 5B, 5C 및 5D로 하였다.
교반 속도가 0 rpm인 실시예 5A경우 흡착 현상이 나타나기 시작했으며, 200, 300, 400 및 500 rpm에서는 흡착정도가 실시예 1A 와 동일하게 나타났다.
실시예 6: 온도 영향에 따른 실험
티올(thiol-)기가 도입된 폴리스티렌 입자와 니켈/금(Ni/Au)이 도금된 전도성 입자를 혼합 교반 시, 25-60 ℃의 범위 내에서 변화시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
반응온도 전 온도범위에서 흡착정도가 실시예 1A 와 동일한 결과로 나타났다.
실시예 7: 티올(thiol-)기 이외의 관능기가 도입된 고분자 입자의 제조 및 이의 흡착 방법
(1) 카르복실기가 표면에 도입된 고분자 입자의 제조
반응기에 스티렌(St, 95중량부) 단량체와 아크릴산(Acrylic acid (AA, 5중량부))을 수용성 개시제인 과황산칼륨 (KPS, 1중량부)이 포함된 초순수에 분산시키고, 무유화 중합법으로 70 ℃에서 24시간 중합하여 직경 0.44 ㎛의 미세 입자를 얻었다. 제조된 폴리스티렌-아크릴산 공중합체 입자는 원심분리기를 이용하여 미 반응물과 기타 불순물을 제거시킨 후 48시간 동안 동결 건조하여 분말 형태로 얻었다. 고분자 입자의 카르복실기(-COOH) 도입 확인은 적외흡광분석 (C=O bond, 1720 cm-1 peak)으로 확인할 수 있었다.
(2) 고분자-금속 복합입자의 제조
티올(thiol-)기가 도입된 입자 대신 평균 입경 0.44 ㎛의 카르복실기(-COOH)가 도입된 폴리스티렌 입자를 사용하였고, 분산매는 메탄올 50 ㎖로 한 것 이외의 모든 방법은 실시예 1A와 동일하게 실시하였다.
실험 결과, 카르복실기(-COOH)를 적용하였을 경우에도 실시예 1A의 결과처럼 티올(thiol-)기를 적용했을 경우와 유사한 결과를 나타내었다. 또한, 반응 시간, 교반 속도, 온도 영향에 따른 실험을 실시한 결과, 모두 티올(thiol-)기를 도입했던 결과와 유사한 결과를 나타내었다. 상기의 실험으로부터, 카르복실기(-COOH)도, 티올(thiol-)기와 동일하게 화학적 흡착 거동을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명은 화학적 흡착력을 이용한 유기고분자-금속의 복합입자를 제조함으로써, 입자 종류별 선택적 흡착이 가능하며, 표면 흡착 밀도를 제어할 수 있고, 금 속입자 또는 고분자 입자의 표면 개질에 적용할 수 있으며, 입자간 뭉침 현상 방지, 단층(mono layer) 흡착 등의 효과를 얻을 수 있는 고분자-금속의 복합입자를 제공하는 발명의 효과를 가진다. 아울러 본 발명은 상기 고분자-금속의 복합입자를 이방 도전성 접속 구조체에 적용함으로써 매우 높은 접속 신뢰성을 나타내는 이방 도전성 필름을 제공하는 발명의 효과를 가진다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (8)

  1. (A) 고분자입자 표면에 금속층이 피복된 도전성 미립자; 및
    (B) 상기 금속과 화학적 친화력을 가지는 관능기를 표면에 도입한 고분자 입자;
    로 이루어지고, 상기 도전성 미립자와 고분자 입자가 상호 흡착된 것을 특징으로 하는 고분자-금속 복합입자 시스템.
  2. (A) 금속입자인 도전성 미립자; 및
    (B) 상기 금속과 화학적 친화력을 가지는 관능기를 표면에 도입한 고분자 입자;
    로 이루어지고, 상기 도전성 미립자와 고분자 입자가 상호 흡착된 것을 특징으로 하는 고분자-금속 복합입자 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속은 금, 은, 구리 및 니켈로 이루어진 전도성 금속으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자-금속 복합입자 시스템.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 입자는 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 아크릴-스티렌 공중합체 및 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체로 이루어진 비닐계 단량체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자-금속 복합입자 시스템.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 입자는 가교된 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자-금속 복합입자 시스템.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 관능기는 티올기(-SH), 카르복실기(-COOH)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자-금속 복합입자 시스템.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 시스템은 도전성 미립자(A) 표면에 관능화된 고분자입자(B)가 둘러싸인 형태이거나, 관능화된 고분자입자(B) 표면에 도전성 미립자(A)가 둘러싸인 것을 특징으로 하는 고분자-금속 복합입자 시스템.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자-금속 복합입자 시스템을 이용한 이방 도전성 필름.
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