TW201320410A - 發光光源及其顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種發光光源，包括藍光二極體晶片、紅光二極體晶片以及波長轉換材料。藍光二極體晶片發出第一光線，紅光二極體晶片發出第二光線，其中第二光線的峰值強度與第一光線的峰值強度之比值落在0.36~0.56。波長轉換材料配置於藍光二極體晶片或紅光二極體晶片的周邊，其中波長轉換材料可發出第三光線，且第三光線的波長介於第一光線的波長以及第二光線的波長之間。

Description

發光光源及其顯示面板
本發明是有關於一種發光光源以及具有此發光光源的顯示器。
在色度學上常以白光作為分解顏色與重現顏色的參考。在彩色電視系統中，攝影端和顯像端都應選擇一個基準白光，以作為傳輸彩色影像的參考白光。若是顯示器所顯示的白光不等於基準白光，則顯示器所顯示的影像容易產生色偏的問題。現行的彩色電視廣播標準(Colour Television Broadcast Standard)和彩色電視接收機白場色溫及其寬容度標準(Colour TV receiver-Colour Temperature of White Point-Reference White and it’s Tolerance)中，規定D65白場色溫作為分解、傳送與重現彩色電視訊號的基準白光。D65的色座標CIEx為0.313，且CIEy為0.329。就非自行發光的顯示器而言，選擇適當的白光作為背光模組，可以增加顯示器的色彩表現度以符合美國國家電視系統委員會(National Television System Committee,NTSC)所訂定之的標準(以下簡稱NTSC標準)。
隨著半導體科技的進步，現今的發光二極體已具備了高亮度的輸出，加上發光二極體具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點，因此發光二極體已廣泛地應用在顯示器方面的領域。一般常見的白光發光二極體裝置，係包括了藍光發光二極體以及不同顏色及比例的螢光材料，其中螢光材料被部分藍光激發後而放射出不同於藍光的色光。螢光材料放射出的非藍光色光和剩餘藍光混光後可以達到白光，而成為目前最常應用於白光的技術。針對白光發光二極體裝置，目前已經有發展出多種螢光材料來與特定波長的單一種發光二極體搭配。然而，以現行的單種發光二極體晶片搭雙色螢光粉的技術而言，其色彩表現不夠理想。
本發明提供一種發光光源以及具有此發光光源的顯示面板，其可發出適當的基準白色光源以提供良好的色彩表現。
本發明提出一種發光光源，包括藍光二極體晶片、紅光二極體晶片以及波長轉換材料。藍光二極體晶片發出第一光線，紅光二極體晶片發出第二光線，其中第二光線的峰值強度與第一光線的峰值強度之比值落在0.36~0.56。波長轉換材料配置於藍光二極體晶片或紅光二極體晶片的周邊，其中波長轉換材料可發出第三光線，且第三光線的波長介於第一光線的波長以及第二光線的波長之間。
在本發明一實施例中，上述發光光源更包括驅動源。驅動源輸出電氣訊號以驅動藍光二極體晶片以及紅光二極體晶片。
在本發明一實施例中，上述第一光線、第二光線以及第三光線合成白光光線。
在本發明一實施例中，上述藍光二極體晶片的發光面積大於紅光二極體晶片的發光面積。
在本發明一實施例中，上述波長轉換材料為綠光螢光粉、黃光螢光粉或上述之組合。
在本發明一實施例中，上述波長轉換材料的材質包括矽酸鹽螢光材料、β-SiAlON、氮氧化物螢光材料、釔鋁石榴石螢光材料、氮化物螢光材料、硫化物螢光材料、CaSc2O4或上述之組合。
在本發明一實施例中，上述白光光線的NTSC色飽合度大於90%。
在本發明一實施例中，上述發光光源更包括封裝膠體，覆蓋住藍光二極體晶片以及紅光二極體晶片。
在本發明一實施例中，上述波長轉換材料摻雜於封裝膠體中。
在本發明一實施例中，上述波長轉換材料塗佈於藍光二極體晶片的周邊。
在本發明一實施例中，上述波長轉換材料塗佈於藍光二極體晶片的發光面。
在本發明一實施例中，上述紅光二極體晶片與藍光二極體晶片係串聯在一起或是並聯在一起。
在本發明一實施例中，上述第二光線的峰值強度與該第一光線的峰值強度之比值落在0.46~0.56。
在本發明一實施例中，上述第二光線的峰值強度與該第一光線的峰值強度之比值落在0.36~0.44。
本發明再提出一種顯示器，包括顯示面板以及光源。顯示面板具有彩色濾光層。光源提供顯示面板顯示光線。光源包括藍光二極體晶片、紅光二極體晶片以及波長轉換材料。藍光二極體晶片發出第一光線。紅光二極體晶片發出第二光線，其中第二光線的峰值強度與第一光線的峰值強度之比值落在0.36~0.56。波長轉換材料配置於藍光二極體晶片或紅光二極體晶片的周邊，且波長轉換材料可被激發而發出第三光線，其中第一光線、第二光線以及第三光線合成顯示光線，而顯示光線經過彩色濾光層之後，於CIE 1931色座標上的x座標數值以及y座標數值分別為CIEx以及CIEy，其中CIEx落在0.265~0.328，且CIEy落在0.273~0.344。
在本發明一實施例中，上述顯示光線經過彩色濾光層之後，於CIE 1931色座標上的x座標數值以及y座標數值分別為CIEx以及CIEy，其中CIEx落在0.298~0.328，且CIEy落在0.314~0.344。
在本發明一實施例中，上述顯示光線經過彩色濾光層之後，於CIE 1931色座標上的x座標數值以及y座標數值分別為CIEx以及CIEy，其中CIEx落在0.265~0.295，且CIEy落在0.273~0.303。
在本發明一實施例中，上述發光光源之第二光線的峰值強度與第一光線的峰值強度之比值落在0.46~0.56。
在本發明一實施例中，上述發光光源之第二光線的峰值強度與第一光線的峰值強度之比值落在0.36~0.44。
基於上述，本發明之發光光源之藍光二極體晶片以及紅光二極體晶片僅需一組驅動源即可以同時被驅動，而使驅動電路的設計簡化。本發明之發光光源中藍光二極體晶片以及紅光二極體晶片的發光峰值強度更具有適當比值，使得具有此發光光源的顯示面板能夠發出適當的白光光源。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A繪示為本發明一實施例之發光光源，其中上圖是根據本發明一實施例之發光光源之剖面示意圖，而下圖則是根據本發明一實施例之發光光源之上視示意圖。請參照圖1A，本實施例之發光光源100a包括藍光二極體晶片130、紅光二極體晶片140以及波長轉換材料150。根據本實施例，發光光源100a更包括承載器110以及模塑結構(molding structure)120。藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140是設置在承載器110上。在此，承載器110更包括第一極導電結構110a以及第二極導電極結構110b。藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140是設置在第二極導電結構110b上，但本發明不以此為限。必須一提的是為了清楚地表示晶片與導電結構的配置關係，圖1A下圖省略波長轉換材料150的繪示。
根據本實施例，承載器110例如是導線架，其由第一極導電結構110a以及第二極導電結構110b所構成。在其他實施例中，承載器110可以是任何已知形式之承載器，例如電路板或是其他基板結構。設置在承載器110上之藍光二極體晶片130是與承載器110中的導電結構(例如電極接墊或是導電層)電性連接。在本實施例中，藍光二極體晶片130是以打焊線之形式與承載器110中的導電結構電性連接。然，本發明不限於此。根據其他實施例，藍光二極體晶片130也可以利用其他種電性連接方式(例如是導電凸塊)來與承載器110中的導電結構電性連接。
根據本實施例，模塑結構120包覆住承載器110。模塑結構120可以藉由射出成型的方式來製作。特別是，模塑結構120中具有容納空間120S，且上述之藍光二極體光源晶片130是設置在模塑結構120的容納空間120S內。然，根據另一實施例，也可以不設置有模塑結構120，也就是藍光二極體晶片130是單純地設置在承載器110上。另外，模塑結構120在本實施例是以杯狀的外型為例，在其他實施例中模塑結構120可以具有其他的形態。
根據本實施例，發光光源100a更包括封裝膠體170。封裝膠體170覆蓋住藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140。所述之封裝膠體170可包括矽膠(silicone)、環氧樹脂(epoxy)或是其他的透明膠體材料。在本實施例中，封裝膠體170是填於模塑結構120的容納空間120S內，以覆蓋藍光二極體晶片130。根據本實施例，封裝膠體170之上表面與模塑結構120的上表面共平面。然，本發明不限於此。根據其他實施例，封裝膠體170之上表面可以凸出模塑結構120的上表面或是相對模塑結構120的上表面凹入。根據另一實施例，若是省略模塑結構120之設置，則可以直接將封裝膠體170以點膠的方式形成在藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140上。
波長轉換材料150配置於藍光二極體晶片130或紅光二極體晶片140的周邊。本實施例中，波長轉換材料150為可發出光線的材料，即受到激發後能產生光線，且其光線的波長介於紅光與藍光之間。舉例而言，波長轉換材料150例如是綠光螢光粉，其材質包括矽酸鹽螢光材料、β-SiAlON、氮氧化物螢光材料、釔鋁石榴石螢光材料、氮化物螢光材料、硫化物螢光材料、CaSc2O4或上述之組合。於另一實施例中，波長轉換材料150亦可為多種顏色螢光粉的混合。舉例而言，波長轉換材料150可為綠光螢光粉與黃光螢光粉之混合。換言之，波長轉換材料150不限定為於單一種類或單一顏色的材料。在本實施例中，波長轉換材料150是摻雜於封裝膠體170中。亦即，波長轉換材料150例如是先與構成封裝膠體170之膠體溶液混合之後，才將上述混合溶液填入模塑結構120之容納空間120S內。因此，本實施例之波長轉換材料150可以為均勻分散於封裝膠體170中，如圖1A所示。換言之，波長轉換材料150設置於藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140的周邊。然而，本發明不受限於此。
舉例而言，圖1B是本發明另一實施例之發光光源100b的剖面示意圖與上視示意圖。請參考圖1B，根據此實施例，分佈於封裝膠體170內之波長轉換材料150可以為靠近晶片表面地分佈(conformal coating)於封裝膠體170中。換言之，波長轉換材料150主要吸收的是藍光二極體晶片130所發出的光線，且波長轉換材料150可以減少吸收紅光二極體晶片140所發出之光線的機率。然而，波長轉換材料150亦可完全被藍光二極體晶片130照射。如此一來，本實施例之發光光源100b可以發出均勻的色光。於圖1B之實施例中，選用可被藍光激發的波長轉換材料150時，波長轉換材料150設置於藍光二極體晶片130的表面。然，本發明不限於此。舉例而言，當波長轉換材料150可被紅光激發時，則可將其設置於紅光二極體晶片140的表面。
圖1C是本發明另一實施例之發光光源100c的剖面示意圖與上視示意圖。請參考圖1C，分佈於封裝膠體170內之波長轉換材料150可以為遠離晶片地分佈於封裝膠體170中(remote phosphor)。也就是說，波長轉換材料150是塗佈於藍光二極體晶片130的發光面上方，而不接觸於藍光發光二極體晶片130。如此一來，本實施例之發光光源100c可具有好的發光效率。於圖1C之實施例中，波長轉換材料150設置於發光光源100c之發光面上，且為全面地分布。然而，於其他實施例中，波長轉換材料150可局部地設置於發光面。舉例而言，選用可被藍光激發的波長轉換材料150時，波長轉換材料150可僅設置於對應於藍光發光二極體晶片130上方之發光面。亦即波長轉換材料僅與藍光發光二極體晶片於垂直投影方向具有重疊面積，而不與紅光二極體晶片140於垂直投影方向具有重疊面積。
請再參考圖1A，根據本實施例，發光光源100a更包括驅動源180。驅動源180與承載器110上的導電結構電性連接，且藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140也都電性連接於導電結構。因此，驅動源180輸出電氣訊號可藉由承載器110上的導電結構來傳遞以驅動藍光二極體晶片130以及紅光二極體晶片140並發出光線。
在本實例中，藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140是以串聯方式連接。具體而言，承載器110上的第一極導電結構110a以焊線160與藍光二極體晶片130的第一極B1連接，而藍光二極體晶片130的第二極B2以焊線160與紅光二極體晶片140的第一極R1連接，且紅光二極體晶片140的第二極R2與承載器110上的第二極導電結構110b連接以形成串聯連接。因此，僅需以一組驅動源180就可以同時驅動藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140。如此一來，不需要多組驅動源就可以同時驅動藍光二極體晶片130與紅光二極體晶片140，更可以減少發光光源裝置所耗費的成本。此外，串聯的連接方式適於應用在低電流高電壓的驅動電路中。
然而，本發明不受限於此，圖2為本發明另一實施例之發光光源100d的剖面示意圖以及上視示意圖。其構件與上述實施例相似，因此相同的元件採用相同或相似的標號，其他有關材料以及詳細的組成方式請參考前述實施例，在此不加贅述。請參考圖2，在本實施例中，其他有關發光光源的構件以及組成方式與前述實施例相同，惟其不同之處在於藍光二極體晶片130、紅光二極體晶片140以及承載器110之導電結構的電性連接方式是並聯的方式連接。具體而言，承載器110上的第一極導電結構110a與藍光二極體晶片130的第一極B1連接，藍光二極體晶片130的第二極B2與紅光二極體晶片140的第二極R2連接，藍光二極體晶片130的第一極B1與紅光二極體晶片140的第一極R1連接，且紅光二極體晶片140的第二極R2與承載器110上的第二極導電結構110b連接以形成並聯連接。此外，並聯的連接方式適於應用在高電流低電壓的驅動電路中。另外，本實施例之發光光源100d亦可使用同一組驅動源180來驅動藍光二極體晶片130以及紅光二極體晶片140。
圖3為根據本發明一實施例之發光光源100a之峰值強度與波長的關係圖。請同時參考圖1A與圖3，藍光二極體晶片130可以發出第一光線L1，且第一光線L1的發光波長為440～470 nm，此波長範圍即屬於藍色可見光之範圍。紅光二極體晶片140可以發出第二光線L2，且第二光線L2的發光波長為620~660 nm，此波長範圍即屬於紅色可見光之範圍。由圖3可知，第二光線L2的峰值強度與第一光線L1的峰值強度之比值落在0.36~0.56之間。換言之，第一光線L1的峰值強度大於第二光線L2的峰值強度。
當波長轉換材料150配置於藍光二極體晶片130的周邊，其會吸收藍光二極體晶片130所發出的第一光線L1的部分，並將部分的第一光線L1轉換成第三光線L3。以本實施例而言，第三光線L3的波長介於第一光線L1的波長以及第二光線L2的波長之間。換言之，當第一光線L1射入波長轉換材料150時，波長轉換材料150可以吸收第一光線L1的部分能量並釋放出不同波長的第三光線L3。
在本實施例中，第一光線L1未被吸收的另一部分、第二光線L2以及第三光線L3可以混合成一白光光線W，此白光光線W即為本發明之發光光源100a所提供之射出光線。值得一提的是，在本實施例中，因為第一光線L1有一部分被波長轉換材料150吸收以轉換成第三光線L3，且第一光線L1的另一部分會與第二光線L2以及第三光線L3合併以形成白光光源W，所以為了供應足夠的發光能量，第一光線L1發光強度須大於第二光線L2的發光強度，其中第二光線L2的峰值強度與第一光線L1的峰值強度之比值例如須落在0.36~0.56之間。此外，為了供應足夠的第一光線L1，藍光二極體晶片130的發光面積可選擇性地大於紅光二極體晶片140的發光面積。
藉由上述的第一光線L1、第二光線L2以及第三光線L3合併所射出的白光光線W即可作為發光光源100所提供之射出光線，而且白光光線W所呈現的NTSC色飽和度可以大於90%，因此發光光源100a其具有較佳的色彩表現。本發明之發光光源100a可以進一步應用在背光模組中以供應顯示器的顯示光線。值得一提的是，前述實施例中所提的發光光源100b、100c以及100d也都可以具有發光光源100a的發光特性，而符合NTSC色飽和度大於90%的條件且具有理想的色彩表現。
圖4是根據本發明之顯示器200的結構示意圖。請參考圖4，本實施例之顯示器200包括顯示面板102以及背光模組104。顯示面板102具有彩色濾光層103。背光模組104包括發光光源100，其例如是前述實施例所述之發光光源100a~100d中任一者或是多者所構成的，以提供顯示面板102進行顯示時所需要的白光光線W。由背光模組104射出的白光光線W經過彩色濾光層103的作用之後即為構成顯示畫面的顯示光線D。本發明之顯示器200的顯示光線D的NTSC色飽和度可以大於90%，其具有較佳的色彩表現以具有較好的顯示品質。
圖5是根據本發明之顯示器200所呈現之顯示光線D在CIE1931色座標中的示意圖。請參考圖5，一般而言，現行的顯示器(例如筆記型電腦)所要求的基準白光為色度D65，其色座標CIEx以及CIEy為(0.313，0.329)±0.015，例如落在圖5所繪示之範圍200a內。然而，由於早期的彩色電視有高輝度的需求，必需使用高色溫的顏色作為補償，所以彩色電視的慣用規範是要求基準白光的色座標CIEx以及CIEy為(0.280，0.288)±0.015，例如落在圖5所繪示之範圍200b內。
以本實施例而言，顯示器200所呈現之顯示光線D於CIE1931色座標上的x座標數值以及y座標數值分別為CIEx以及CIEy，其中CIEx落在0.265~0.328，而CIEy落在0.273~0.344。也就是說，顯示器200所呈現之顯示光線D可以符合顯示器的要求以及彩色電視的慣用規範。
詳言之，顯示器200所呈現的顯示光線D可以透過發光光源100的設計與調整而具有不同的特性。舉例而言，發光光源100為前述實施例之發光光源100~100d任一者時，可以藉由選用適當的發光晶片使得第一光線L1的峰值強度與第二光線L2的峰值強度的比值是落在0.46~0.56之間。此時，白光光線W在經過彩色濾光層104後呈現出來的顯示光線D於CIE1931色座標上的CIEx落在0.298~0.328之間，而CIEy落在0.314~0.344之間(也就是範圍200a內)，則此顯示光線D1適合用在現行的顯示器中。
另外，發光光源100還可以藉由選用適當的發光晶片使得第一光線L1的峰值強度與第二光線L2的峰值強度的比值是落在0.36~0.44之間。如此一來，本實施例之發光光源100的白光光線W在經過彩色濾光層104後可呈現出顯示光線D，其於CIE1931色座標上的CIEx落在0.265~0.295之間，而CIEy落在0.273~0.303之間(也就是範圍200b內)，則此顯示光線D適合用在彩色電視中。
然而，在此所述有關峰值強度的比值以及色座標的範圍的說明，是為了讓此領域中具有通常知識者能具以實施，而並非用以限定本發明。
綜上所述，本發明之發光光源之藍光二極體晶片以及紅光二極體晶片可以串聯的方式連接且以同一電氣訊號驅動，因此，本發明之發光光源僅需一組驅動源即可以驅動上述的發光光源，如此一來，可以減少發光光源的製作成本。此外，本發明之發光光源之藍光二極體晶片以及紅光二極體晶片具有一適當的峰值強度比值，使得具有此發光光源的顯示面板能夠發出適當的白光光源以作為顯示光線的基準白光並具有良好的NTSC色飽合度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、100a、100b、100c、100d．．．發光光源
200．．．顯示器
120．．．主體
110a．．．第一極導電結構
110b．．．第二極導電結構
110．．．承載器
120．．．模塑結構
120S．．．容納空間
130．．．藍光二極體晶片
140．．．紅光二極體晶片
150．．．波長轉換材料
160．．．焊線
170．．．封裝膠體
180．．．驅動源
200a、200b．．．範圍
L1．．．第一光線
L2．．．第二光線
L3．．．第三光線
W．．．白光光線
D．．．顯示光線
102．．．顯示面板
103．．．彩色濾光層
104．．．背光模組
B1．．．藍光二極體晶片的第一極
B2．．．藍光二極體晶片的第二極
R1．．．紅光二極體晶片的第一極
R2．．．紅光二極體晶片的第二極
圖1A是根據本發明一實施例之發光光源之示意圖。
圖1B是根據本發明另一實施例之發光光源的示意圖。
圖1C是根據本發明另一實施例之發光光源的示意圖。
圖2是根據本發明另一實施例之發光光源的示意圖。
圖3是根據本發明一實施例之發光光源之峰值強度與波長的關係圖。
圖4是根據本發明之顯示器的結構示意圖。
圖5是根據本發明之顯示光源的色座標示意圖。
100a．．．發光光源
110a．．．第一極導電結構
110b．．．第二極導電結構
110．．．承載器
120．．．模塑結構
120S．．．容納空間
130．．．藍光二極體晶片
140．．．紅光二極體晶片
150．．．波長轉換材料
160．．．焊線
170．．．封裝膠體
180．．．驅動源
L1．．．第一光線
L2．．．第二光線
L3．．．第三光線
W．．．白光光線
B1．．．藍光二極體晶片的第一極
B2．．．藍光二極體晶片的第二極
R1．．．紅光二極體晶片的第一極
R2．．．紅光二極體晶片的第二極

Claims (19)

  1. 一種發光光源，包括：一藍光二極體晶片，發出一第一光線；一紅光二極體晶片，發出一第二光線，其中該第二光線的峰值強度與該第一光線的峰值強度之比值落在0.36~0.56；以及一波長轉換材料，配置於該藍光二極體晶片或紅光二極體晶片的周邊，其中該波長轉換材料可發出一第三光線，且該第三光線的波長介於該第一光線的波長以及該第二光線的波長之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，更包括一驅動源，輸出一電氣訊號以驅動該藍光二極體晶片以及該紅光二極體晶片。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該第一光線、該第二光線以及該第三光線合成一白光光線。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該該藍光二極體晶片的發光面積大於該紅光二極體晶片的發光面積。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該波長轉換材料為一綠光螢光粉、一黃光螢光粉或上述之組合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其櫫該波長轉換材料的材質包括矽酸鹽螢光材料、β-SiAlON、氮氧化物螢光材料、釔鋁石榴石螢光材料、氮化物螢光材料、硫化物螢光材料、CaSc2O4或上述之組合。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該白光光線的NTSC色飽合度大於90%。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，更包括一封裝膠體，覆蓋住該藍光二極體晶片以及該紅光二極體晶片。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光光源，其中該波長轉換材料摻雜於該封裝膠體中。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該波長轉換材料塗佈於該藍光二極體晶片的周邊。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該波長轉換材料塗佈於該藍光二極體晶片的發光面。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該紅光二極體晶片與該藍光二極體晶片係串聯在一起或是並聯在一起。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該第一光線的峰值強度與該第二光線的峰值強度之比值落在0.46~0.56。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之發光光源，其中該第一光線的峰值強度與該第二光線的峰值強度之比值落在0.36~0.44。
  15. 一種顯示器，包括：一顯示面板，具有一彩色濾光層；以及一發光光源，提供該顯示面板一顯示光線，該發光光源包括：一藍光二極體晶片，發出一第一光線；一紅光二極體晶片，發出一第二光線，其中該第二光線的峰值強度與該第一光線的峰值強度之比值落在0.36~0.56；以及一波長轉換材料，配置於該藍光二極體晶片或該紅光二極體晶片的周邊，該波長轉換材料可被激發而發出一第三光線，其中該第一光線、該第二光線以及該第三光線合成該顯示光線，而該顯示光線經過該彩色濾光層之後，於CIE 1931色座標上的x座標數值以及y座標數值分別為CIEx以及CIEy，其中CIEx落在0.265~0.328，且CIEy落在0.273~0.344。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示器，其中該顯示光線經過該彩色濾光層之後，於CIE 1931色座標上的x座標數值以及y座標數值分別為CIEx以及CIEy，其中CIEx落在0.298~0.328，且CIEy落在0.314~0.344。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之顯示器，其中該顯示光線經過該彩色濾光層之後，於CIE 1931色座標上的x座標數值以及y座標數值分別為CIEx以及CIEy，其中CIEx落在0.265~0.295，且CIEy落在0.273~0.303。
  18. 如申請專利範圍第15所述之顯示器，其中該發光光源之該第一光線的峰值強度與該第二光線的峰值強度之比值落在0.46~0.56。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之顯示器，其中該發光光源之該第一光線的峰值強度與該第二光線的峰值強度之比值落在0.36~0.44。
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