CN111540733B - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包含一第一芯片、一第二芯片、及一封装体。第一芯片于宽波段蓝光光谱具有一第一主波及一第一肩波，第一主波具有一第一主波峰值强度，第一肩波具有一第一肩波峰值强度，第一肩波峰值强度除以第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比。第二芯片于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，第二主波具有一第二主波峰值强度，第二肩波具有一第二肩波峰值强度，第二肩波峰值强度除以第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比。第一芯片与第二芯片满足：第一主波峰值强度与第二主波峰值强度的差值不大于2.5纳米，及第一强度比与第二强度比的差值大于0.1。据此，能提升制造时的芯片使用率，以减少制造成本。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
现有的发光二极管包含有多个宽波芯片(CQ)。其中，宽波芯片具有不同的多个量子阱(Quantum well，QW)，而不同的量子阱之间的禁带宽度(Energy band gap，Eg)也会有所不同。当电子电动复合时，在不同的禁带宽度复合的能量会产生差异，导致尽管多个芯片是同一批产生的，但每个芯片的光谱彼此之间仍会有差异。制造者为确保产品(发光二极管)具有一致性的光谱(例如：避免同色异谱)以及保证全光谱的指标都是符合合格规范。因此，制造者只会挑选能符合合格规范的芯片进行投料，以制造出产品，但也导致芯片使用率偏低，而造成整体制造成本增加。
本发明人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管封装结构。
本发明实施例公开一种发光二极管封装结构，所述发光二极管封装结构包括：一第一芯片，于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；一第二芯片，其宽波段蓝光光谱与所述第一芯片不同，且所述第二芯片于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；以及一封装体，覆盖所述第一芯片及所述第二芯片；其中，所述第一芯片与所述第二芯片所产生的光混合后能通过所述封装体转换产生一光束；其中，所述第一芯片与所述第二芯片满足：一第一条件：所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值不大于2.5纳米而判定为相似；及一第二条件：所述第一强度比与所述第二强度比的差值大于0.1而判定为不相似；其中，所述光束的半波宽介于所述第一芯片及所述第二芯片的半波宽之间。
本发明实施例也公开一种发光二极管封装结构，所述发光二极管封装结构包括：一第一芯片，于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；一第二芯片，其宽波段蓝光光谱与所述第一芯片不同，且所述第二芯片于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；以及一封装体，覆盖所述第一芯片及所述第二芯片；其中，所述第一芯片与所述第二芯片所产生的光混合后能通过所述封装体转换产生一光束；其中，所述第一芯片与所述第二芯片满足：一第一条件：所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值大于2.5纳米而判定为不相似；及一第二条件：所述第一强度比与所述第二强度比的差值不大于0.2而判定为相似；其中，所述光束的半波宽至少大于所述第一芯片的半波宽或所述第二芯片的半波宽。
本发明实施例也公开一种发光二极管封装结构，所述发光二极管封装结构包括：一第一芯片，于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波的强度除以所述第一主波的强度的比值定义为一第一强度比；一第二芯片，其宽波段蓝光光谱与所述第一芯片不同，且所述第二芯片于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；以及一封装体，覆盖所述第一芯片及所述第二芯片；其中，所述第一芯片与所述第二芯片所产生的光混合后能通过所述封装体转换产生一光束；其中，所述第一芯片与所述第二芯片满足：一第一条件：所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值大于2.5纳米而判定为不相似；及一第二条件：所述第一强度比与所述第二强度比的差值大于0.1而判定为不相似；其中，所述光束的半波宽至少大于所述第一芯片的半波宽或所述第二芯片的半波宽。
本发明实施例也公开一种发光二极管封装结构，所述发光二极管封装结构包括：一第一芯片，于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；一第二芯片，其宽波段蓝光光谱与所述第一芯片不同，且所述第二芯片于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；以及一封装体，覆盖所述第一芯片及所述第二芯片；其中，所述第一芯片与所述第二芯片所产生的光混合后能通过所述封装体转换产生一光束；其中，所述第一芯片与所述第二芯片至少满足：一第一条件：所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值大于2.5纳米而判定为不相似；或一第二条件：所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，所述差值根据一判定原则而判定不相似。
综上所述，本发明的发光二极管封装结构产生的所述光束，能通过满足第一条件与所述第二条件的两个不符合规范的芯片(也就是所述第一芯片及所述第二芯片)相互配组的技术手段，可以使所述光束具有一致性的光谱，并且保证其全光谱的指标都是符合合格规范；据此，能提升制造时的芯片使用率，以减少制造成本。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的立体示意图。
图2为本发明第一实施例的第一芯片的光、第二芯片的光、及光束对应宽波段蓝光光谱的示意图。
图3为本发明第二实施例的第一芯片的光、第二芯片的光、及光束对应宽波段蓝光光谱的示意图。
图4为本发明第三实施例的第一芯片的光、第二芯片的光、及光束对应宽波段蓝光光谱的示意图。
图5为本发明第四实施例的第一芯片的光、第二芯片的光、及光束对应宽波段蓝光光谱的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
本发明公开了一种发光二极管封装结构1000。图1至图5为基于本发明构思的多种实施例。首先，以下先说明本发明的发明构思。请参照图1，图1为本发明的发光二极管封装结构1000的剖面示意图。所述发光二极管封装结构1000包含有一基板200、设置于该基板200的一第一芯片110、设置于该基板200的一第二芯片120、覆盖所述第一芯片110及所述第二芯片120的一封装体130、以及设置于所述基板200上的侧墙。所述第一芯片110、所述第二芯片120、及所述封装体130合称为发光组件100。其中，所述第一芯片110与所述第二芯片120所产生的光分别对应一宽波段蓝光光谱，且所述第一芯片110与所述第二芯片120对应的宽波段蓝光光谱彼此不同。换个角度说，任何由两个相同宽波段蓝光光谱的芯片所组成的发光二极管发装结构，并非本发明所指的发光二极管封装结构1000。
所述第一芯片110于所述宽波段蓝光光谱上具有一第一主波MW1及一第一肩波SW1，所述第一主波MW1具有一第一主波峰值强度MP1。所述第一肩波SW1具有低于所述第一主波峰值强度MP1的一第一肩波峰值强度SP1。所述第一肩波峰值强度SP1的强度除以所述第一主波峰值强度MP1的比值定义为一第一强度比。需说明的是，本发明其他未绘示的实施例中，所述第一肩波SW1的所述第一肩坡峰值SP1也可以替换为所述第一肩波SW1的反曲点。
所述第二芯片120于所述宽波段蓝光光谱上具有一第二主波MW2及一第二肩波SW2，所述第二主波MW2具有一第二主波峰值强度MP2。所述第二肩波SW2具有低于所述第二主波峰值强度MP2的一第二肩波峰值强度SP2。所述第二肩波峰值强度SP2的强度除以所述第二主波峰值强度MP2的比值定义为一第二强度比。需说明的是，本发明其他未绘示的实施例中，所述第二肩波SW2的所述第二肩坡峰值SP2也可以替换为所述第二肩波SW2的反曲点。
进一步地说，所述第一芯片110的强度与所述第二芯片120的强度于宽波段蓝光光谱上归一化后，其两者波形不同而具有差异，且所述差异至少为：所述第一强度比不同于所述第二强度比或所述第一主波峰值强度MP1不同于所述第二主波峰值强度MP2。
所述第一芯片110与所述第二芯片120的光混合后通过所述封装体130的荧光粉产生一光束；其中，所述光束于宽波段蓝光光谱上具有一光束主波MWL及一光束肩波SWL，所述光束主波MWL具有一光束主波峰值强度MPL，所述光束肩波SWL具有低于所述光束主波峰值强度MPL的一光束肩波峰值强度SPL，所述光束肩波峰值强度SPL的强度除以所述光束主波峰值强度MPL的比值定义为一光束强度比。需说明的是，本发明其他未绘示的实施例中，所述光束肩波SWL的所述光束肩波峰值强度SPL也可以替换为所述光束肩波SWL的反曲点。
为了确保所述光束能具有一致性的光谱，并且保证所述光束的全光谱的指标符合合格规范。因此，所述第一芯片110及所述第二芯片120必须至少满足一第一条件或一第二条件。
所述第一条件为：所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2的差值大于2.5纳米而判定为不相似。所述第二条件为：所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值根据一判定原则而判定为不相似。
详细地说，当所述第一芯片110与所述第二芯片120不满足所述第一条件时，所述第一芯片110与所述第二芯片120会满足所述第二条件，其中，所述第二条件的所述判定原则为：所述差值大于0.1判定为不相似；所述光束强度比位于所述第一强度比与所述第二强度比之间，并且所述光束的半波宽介于所述第一芯片110与所述第二芯片120的半波宽之间。
当所述第一芯片110与所述第二芯片120满足所述第一条件时，所述第一芯片110与所述第二芯片120进一步地需满足一进阶条件。所述进阶条件可以是：所述差值不大于0.2，使所述光束的半波宽至少大于所述第一芯片110的半波宽或所述第二芯片120的半波宽。所述进阶条件也可以是：所述差值大于0.1，使所述光束主波峰值强度MPL介于所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2之间，使所述光束的半波宽至少大于所述第一芯片110的半波宽或所述第二芯片120的半波宽。
基于上述发明构思，本发明的第一芯片110及第二芯片120配合所述第一条件及所述第二条件能具有诸多实施例，以下提供为四个可行的实施例做说明。
[第一实施例]
参阅图1及图2所示，本发明的第一实施例提供了一种发光二极管封装结构1000，所述发光二极管封装结构1000包含有一第一芯片110、一第二芯片120、以及覆盖所述第一芯片110及所述第二芯片120的一封装体130。所述第一芯片110与所述第二芯片120通过所述封装体130的荧光粉能产生一光束。为了确保所述光束能具有一致性的光谱，并且保证所述光束的全光谱的指标符合合格规范。因此，所述第一芯片110及所述第二芯片120必须同时满足一第一条件及一第二条件。
所述第一条件为：所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2的差值不大于2.5纳米而判定为相似。所述第二条件为：所述第一强度比与所述第二强度比的差值大于0.1而判定为不相似。
换个角度说，所述第一芯片110的所述第一主波峰值强度MP1与所述第二芯片120的所述第二主波峰值强度MP2必须为相似，也就是满足所述第一条件，而所述第一芯片110的所述第一强度比与所述第二芯片120的所述第二强度比必须为不相似，也就是满足所述第二条件。
当所述第一芯片110及所述第二芯片120满足所述第一条件及所述第二条件时，所述光束的波形的半波宽FML介于所述第一芯片110及所述第二芯片120的半波宽FM1、FM2之间。
为了方便说明，以下将举一例子进行说明，但本发明不受限于此例子所载。参阅图2所示，图中所示的图表所示波形为满足所述第一条件及所述第二条件的所述第一芯片110产生的光、所述第二芯片120产生的光、以及由前述第一芯片110及第二芯片120所混和产生的所述光束所对应的宽波段蓝光光谱，图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度(％)。
于图2的图表能明显知道，所述光束的波形的半波宽FML介于所述第一芯片110及所述第二芯片120的半波宽FM1、FM2之间，且波长位于380纳米至450纳米之间时，所述第一芯片110的波形与所述第二芯片120的波形相似，且所述第一芯片110的所述第一主波峰值强度MP1及所述第二芯片120的所述第二主波峰值强度MP2大致为443纳米。也就是说，所述光束(由所述第一芯片110及所述第二芯片120混合的光)的波形也会相似于所述第一芯片110及所述第二芯片120，且所述光束主波峰值强度MPL也为443纳米。
波长位于445纳米至475纳米之间，所述第一芯片110的所述第一肩波SW1及所述第二芯片120的所述第二肩波SW2位于此区段；也就是说，所述第一肩波SW1的所述第一肩波峰值强度SP1与所述第二肩波SW2的所述第二肩波峰值强度SP2会介于445纳米至475纳米之间。所述第一肩波SW1的强度与所述第二肩波SW2的强度各介于30％至90％之间，所述光束肩波峰值强度SPL的强度介于所述第一肩波峰值强度SP1的强度与所述第二肩波峰值强度SP2的强度之间。
根据图2所示，所述第一肩波峰值强度SP1的强度大致为59％，所述第一主波峰值强度MP1的强度为100％；因此，所述第一强度比为0.59。所述第二肩波峰值强度SP2的强度大致为77％，所述第二主波峰值强度MP2的强度为100％；因此，所述第二强度比为0.77。所述第一强度比与所述第二强度比的差值为0.18，也就是说，所述差值大于0.1。因此，根据所述第二条件，所述第一强度比与所述二强度比是不相似。其中，所述第一强度比与所述第二强度比各介于30％至90％之间，也就是介于0.3至0.9之间。进一步地，波长于460纳米时，所述第一肩波峰值强度SP1的强度与所述第二肩波峰值强度SP2的差值为最大并且大致为15％。
波长位于475纳米之后，所述第一芯片110的波形逐渐与所述第二芯片120的波形一致。也就是说，所述光束的波形也会与所述第一芯片110及所述第二芯片120一致。
[第二实施例]
如图3所示，其为本发明的第二实施例，本实施例类似于上述第一实施例，两个实施例的相同处则不再加以赘述，而本实施例相较于上述第一实施例的差异主要在于：
所述第一条件及所述第二条件不同于第一实施例。本实施例中的所述第一条件为：所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2的差值大于2.5纳米而判定为不相似；所述第二条件为：所述第一强度比与所述第二强度比的差值不大于0.2而判定为相似。且当所述第一芯片110及所述第二芯片120于满足所述第一条件及所述第二条件时，所述光束的半波宽FML至少大于所述第一芯片110的半波宽FM1或所述第二芯片120的半波宽FM2。
为了方便说明，以下将举一例子进行说明，但本发明不受限于此例子所载。参阅图3所示，图中所示的图表所示波形为满足所述第一条件及所述第二条件的所述第一芯片110产生的光、所述第二芯片120产生的光、以及由前述第一芯片110及第二芯片120所混和产生的所述光束所对应的宽波段蓝光光谱，图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度(％)。
于图3的图表能明显知道，所述第一芯片110及所述第二芯片120于满足所述第一条件及所述第二条件时，所述光束的半波宽FML明显大于所述第一芯片110的半波宽FM1，且所述光束肩波峰值强度SPL的波长高于所述第一肩波峰值强度SP1的波长及所述第二肩波峰值强度SP2的波长。当所述第一芯片110的所述第一主波峰值强度MP1及所述第二芯片120的所述第二主波峰值强度MP2介于430纳米至455纳米之间，所述第一主波峰值强度MP1大致为446纳米，所述第二主波峰值强度MP2大致为441纳米，所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2的差值为5纳米且大于2.5纳米。也就是说，所述第一主波MW1与所述第二主波MW2根据所述第一条件而为不相似。所述光束的所述光束主波峰值强度MPL为442纳米，也就是说，所述光束主波峰值强度MPL介于所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2之间。
所述第一肩波SW1及所述第二肩波SW2大致介于445纳米至475纳米之间，所述第一肩波SW1的所述强度及所述第二肩波SW2的所述强度介于30％至90％之间，所述第一肩波峰值强度SP1的所述强度大致为62％，所述第一主波MW1的所述第一主波峰值强度MP1的所述强度为100％；所述第二肩波峰值强度SP2的所述强度大致为69％，所述第二主波MW2的所述第二主波峰值强度MP2的所述强度为100％；也就是说，所述第一强度比为0.62，所述第二强度比为0.7，所述第一强度比及所述第二强度比的差值为0.08且不大于0.2。因此，所述第一强度比及所述第二强度比满足所述第二条件而判定相似。其中，所述第一强度比与所述第二强度比各介于30％至90％之间，也就是介于0.3至0.9之间。
[第三实施例]
如图4所示，其为本发明的第三实施例，本实施例类似于上述第一实施例，两个实施例的相同处则不再加以赘述，而本实施例相较于上述第一实施例的差异主要在于：
所述第一芯片110及所述第二芯片120满足所述第一条件及所述第二条件，而于本实施例中的所述第一条件为：所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2的差值大于2.5纳米而判定为不相似；所述第二条件为：所述第一强度比与所述第二强度比的差值大于0.1而判定为不相似。
为了方便说明，以下将举一例子进行说明，但本发明不受限于此例子所载。参阅图4所示，图中所示的图表所示波形为满足所述第一条件及所述第二条件的所述第一芯片110产生的光、所述第二芯片120产生的光、以及由前述第一芯片110及第二芯片120所混和产生的所述光束所对应的宽波段蓝光光谱，图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度(％)。
于图4的图表能明显知道，所述第一芯片110及所述第二芯片120于满足所述第一条件及所述第二条件时，所述光束的半波宽FML大于所述第二芯片120的半波宽FM2。
具体来说，所述第一芯片110的所述第一主波峰值强度MP1及所述第二芯片120的所述第二主波峰值强度MP2各介于430纳米至455纳米之间，所述第一主波峰值强度MP1大致为445纳米，所述第二主波峰值强度MP2大致为439纳米，所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2的差值大致为6纳米且大于2.5纳米。也就是说，所述第一主波MW1与所述第二主波MW2满足所述第一条件而为不相似。所述光束的所述光束主波峰值强度MPL大致为441纳米，也就是说，所述光束主波峰值强度MPL介于所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2之间。
所述第一肩波SW1及所述第二肩波SW2大致介于445纳米至475纳米之间，所述第一肩波峰值强度SP1的所述强度及所述第二肩波峰值强度SP2的所述强度介于30％至90％之间，而所述光束肩波峰值强度SPL的强度介于所述第一肩波峰值强度SP1的强度与所述第二肩波峰值强度SP2的强度之间。所述第一肩波峰值强度SP1的所述强度大致为68％，所述第一主波峰值强度MP1的所述强度为100％；所述第二肩波峰值强度SP2的所述强度大致为52％，所述第二主波峰值强度MP2的所述强度为100％；也就是说，所述第一强度比为0.68，所述第二强度比为0.52，所述第一强度比及所述第二强度比的差值为0.16且大于0.1。因此，所述第一强度比及所述第二强度比满足所述第二条件而判定不相似。其中，所述第一强度比与所述第二强度比各介于30％至90％之间，也就是介于0.3至0.9之间。
[第四实施例]
如图5所示，其为本发明的第四实施例，本实施例类似于上述第三实施例，所述四实施例为所述第三实施例的另一例子，两个实施例的相同处则不再加以赘述，而本实施例相较于上述第三实施例的差异主要在于：
参阅图5所示，图中所示的图表所示波形为满足所述第一条件及所述第二条件的所述第一芯片110产生的光、所述第二芯片120产生的光、以及由前述第一芯片110及第二芯片120所混和产生的所述光束所对应的宽波段蓝光光谱，图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度(％)。
于图5的图表能明显知道，所述第一芯片110及所述第二芯片120于满足所述第一条件及所述第二条件时，所述光束的半波宽FML大于所述第二芯片120的半波宽FM2。
具体来说，所述第一芯片110的所述第一主波峰值强度MP1及所述第二芯片120的所述第二主波峰值强度MP2各介于430纳米至455纳米之间，所述第一主波峰值强度MP1大致为445纳米，所述第二主波峰值强度MP2大致为441纳米，所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2的差值大致为4纳米且大于2.5纳米。也就是说，所述第一主波MW1与所述第二主波MW2满足所述第一条件而为不相似。所述光束的所述光束主波峰值强度MPL大致为443纳米，也就是说，所述光束主波峰值强度MPL介于所述第一主波峰值强度MP1与所述第二主波峰值强度MP2之间。
所述第一肩波SW1及所述第二肩波SW2介于445纳米至475纳米之间，所述第一肩波SW1的所述强度及所述第二肩波SW2的所述强度介于30％至90％之间，所述第一肩波峰值强度SP1的所述强度大致为63％，所述第一主波峰值强度MP1的所述强度为100％；所述第二肩波峰值强度SP2的所述强度大致为75％，所述第二主要波峰值MP2的所述强度为100％；也就是说，所述第一强度比为0.62，所述第二强度比为0.75，所述第一强度比及所述第二强度比的差值为0.12且大于0.1。因此，所述第一强度比及所述第二强度比满足所述第二条件而判定不相似。其中，所述第一强度比与所述第二强度比各介于30％至90％之间，也就是介于0.3至0.9之间。
[本发明实施例的技术效果]
综上所述，本发明的其中一有益效果在于，本发明的发光二极管封装结构1000产生的所述光束，能通过满足第一条件与所述第二条件的两个不符合规范芯片(也就是所述第一芯片110及所述第二芯片120)相互配组的技术手段，可以使所述光束具有一致性的光谱，并且保证所述光束的全光谱的指标都是符合合格规范；据此，能提升制造时的芯片使用率，以减少制造成本。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例，并非用来局限本发明的保护范围，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的权利要求书的保护范围。

Claims (13)

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一第一芯片，于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；
一第二芯片，其宽波段蓝光光谱与所述第一芯片不同，且所述第二芯片于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；以及
一封装体，覆盖所述第一芯片及所述第二芯片；
其中，所述第一芯片与所述第二芯片所产生的光混合后能通过所述封装体转换产生一光束；
其中，所述第一芯片与所述第二芯片满足：
一第一条件：所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值不大于2.5纳米而判定为相似；及
一第二条件：所述第一强度比与所述第二强度比的差值大于0.1而判定为不相似；
其中，所述光束的半波宽介于所述第一芯片及所述第二芯片的半波宽之间。
2.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述光束于宽波段蓝光光谱上具有一光束主波及一光束肩波，所述光束主波具有一光束主波峰值强度，所述光束肩波具有低于所述光束主波峰值强度的一光束肩波峰值强度，所述光束肩波峰值强度除以所述光束主波峰值强度的比值定义为一光束强度比，所述光束强度比位于所述第一强度比与所述第二强度比之间。
3.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一肩波峰值强度的波长与所述第二肩波峰值强度的波长介于445纳米至475纳米之间。
4.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一强度比与所述第二强度比各介于30％至90％之间。
5.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一第一芯片，于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；
一第二芯片，其宽波段蓝光光谱与所述第一芯片不同，且所述第二芯片于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；以及
一封装体，覆盖所述第一芯片及所述第二芯片；
其中，所述第一芯片与所述第二芯片所产生的光混合后能通过所述封装体转换产生一光束；
其中，所述第一芯片与所述第二芯片满足：
一第一条件：所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值大于2.5纳米而判定为不相似；及
一第二条件：所述第一强度比与所述第二强度比的差值不大于0.2而判定为相似；
其中，所述光束的半波宽至少大于所述第一芯片的半波宽或所述第二芯片的半波宽。
6.依据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述光束于宽波段蓝光光谱上具有一光束主波，所述光束主波具有一光束主波峰值强度，所述光束主波峰值强度介于所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度之间。
7.依据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述光束于宽波段蓝光光谱上具有一光束肩波，所述光束肩波具有低于所述光束主波峰值强度的一光束肩波峰值强度，所述光束肩波峰值强度高于所述第一肩波峰值强度及所述第二肩波峰值强度。
8.依据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一主波峰值强度及所述第二主波峰值强度各介于430纳米至455纳米之间。
9.依据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一强度比与所述第二强度比各介于30％至90％之间。
10.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一第一芯片，于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波的强度的比值定义为一第一强度比；
一第二芯片，其宽波段蓝光光谱与所述第一芯片不同，且所述第二芯片于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；以及
一封装体，覆盖所述第一芯片及所述第二芯片；
其中，所述第一芯片与所述第二芯片所产生的光混合后能通过所述封装体转换产生一光束；
其中，所述第一芯片与所述第二芯片满足：
一第一条件：所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值大于2.5纳米而判定为不相似；及
一第二条件：所述第一强度比与所述第二强度比的差值大于0.1而判定为不相似；
其中，所述光束的半波宽至少大于所述第一芯片的半波宽或所述第二芯片的半波宽。
11.依据权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述光束于宽波段蓝光光谱上具有一光束主波及一光束肩波，所述光束主波具有一光束主波峰值强度，所述光束肩波具有低于所述光束主波峰值强度的一光束肩波峰值强度，所述光束肩波峰值强度除以所述光束主波峰值强度的比值定义为一光束强度比，所述光束强度比位于所述第一强度比与所述第二强度比之间。
12.依据权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述光束主波峰值强度介于所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度之间。
13.依据权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度介于430纳米至455纳米之间。
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