CN111540734B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光装置。发光装置包含有一基板及一发光组件。发光组件包含有一第一发光二极管封装结构及一第二发光二极管封装结构。发光组件能产生一混合光源，混合光源的光谱具有一混合光源光谱偏离指标。第一发光二极管封装结构能产生一第一光源。第一光源的白光光谱具有一第一光谱偏离指标。第二发光二极管封装结构能产生一第二光源。第二光源的白光光谱具有一第二光谱偏离指标。第一光源与第二光源于波长为460至500纳米之间时第一光谱波偏离指标及第二光谱波偏离指标的和值介于‑0.3至0.3，两者差值至少大于0.2。据此，确保发光装置的混合光源与一目标光源具有一致性的光谱，且符合合格规范的光源。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，尤其涉及一种由至少两种不同白光光谱的封装体结构组成的发光装置。
背景技术
现有的发光装置是由发光二极管作为光源；其中，发光二极管所使用的宽波芯片(CQ)具有不同的多个量子阱(QUANTUM WELL，QW)，而不同的量子阱之间的禁带宽度(ENERGYBAND GAP，EG)也会有所不同。当电子电动复合时，在不同的禁带宽度复合的能量会产生差异，导致尽管多个芯片是同一批产生的，但每个芯片的光谱彼此之间仍会有差异，制造者为确保产品(发光装置)所发出的光线的光谱具有一致性，且其光谱指标都符合合格规范，因此制造者只会挑选能符合合格规范的芯片进行投料以生产出合格的发光二极管，再将多个发光二极管制造成发光装置；也就是说，发光装置内每个发光二极管都具有一致性的白光光谱。但此方式也导致芯片使用率偏低，造成整体制造成本增加。
本发明人认为上述缺陷可改善，特潜心研究并配合科学原理的运用，提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光装置。
本发明实施例公开一种发光装置，对应白光光谱预设有一规范光谱，所述发光装置包括：一发光组件，能产生一混合光源，所述混合光源对应白光光谱具有一混合光源光谱，所述混合光源光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一混合光源光谱偏离指标；其中，所述发光组件包含有：一第一发光二极管封装结构，具有一第一芯片及覆盖所述第一芯片的一第一封装体，所述第一芯片配合所述第一封装体能产生一第一光源，所述第一光源于白光光谱中具有一第一光谱，所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第一光谱偏离指标；一第二发光二极管封装结构，具有一第二芯片及覆盖所述第二芯片的一第二封装体，所述第二芯片配合所述第二封装体能产生一第二光源，所述第二光源的白光光谱不同于所述第一光源，且所述第二光源于白光光谱中具有一第二光谱，所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第二光谱偏离指标；其中，所述第一光源与所述第二光源混合成所述混合光源；其中，所述第一光源与所述第二光源于波长为460至500纳米之间时满足：一第一条件：所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一和值介于-0.3至0.3；及一第二条件：于相同波长时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一差值至少大于0.2；其中，于波长为460至500纳米之间时，所述第一光谱波偏离指标的绝对值及所述第二光谱波偏离指标的绝对值分别不小于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值。
本发明实施例也公开一种发光装置，对应白光光谱预设有一规范光谱，所述发光装置包括：一发光组件，能产生一混合光源，所述混合光源于白光光谱上具有一混合光源光谱，所述发光组件包含有：一第一发光二极管封装结构，具有一第一芯片及覆盖所述第一芯片的一第一封装体，所述第一芯片配合所述第一封装体能产生一第一光源，所述第一光源于白光光谱中具有一第一光谱，所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光对应的所述波长的强度谱定义为一第一光谱偏离指标；一第二发光二极管封装结构，具有一第二芯片及覆盖所述第二芯片的一第二封装体，所述第二芯片配合所述第二封装体能产生一第二光源，所述第二光源与所述第一光源的白光光谱不同，且所述第二光源于白光光谱中具有一第二光谱，所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第二光谱偏离指标；其中，所述第一光源及所述第二光源满足：一第一条件：于波长440至660纳米之间定义有至少一光谱范围；于所述至少一光谱范围且于相同波长时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标之间具有一差值，所述差值至少大于0.05。
本发明实施例也公开一种发光装置，对应白光光谱预设有一规范光谱，所述发光装置包括：一发光组件，能产生一混合光源，所述混合光源对应白光光谱具有一混合光源光谱，所述混合光源光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一混合光源光谱偏离指标；其中，所述发光组件包含有：一第一发光二极管封装结构，具有一第一芯片及覆盖所述第一芯片的一第一封装体，所述第一芯片配合所述第一封装体能产生一第一光源，所述第一光源于白光光谱中具有一第一光谱，所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第一光谱偏离指标；一第二发光二极管封装结构，具有一第二芯片及覆盖所述第二芯片的一第二封装体，所述第二芯片配合所述第二封装体能产生一第二光源，所述第二光源的白光光谱不同于所述第一光源，且所述第二光源于白光光谱中具有一第二光谱，所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第二光谱偏离指标；其中，所述第一光源与所述第二光源混合成所述混合光源；其中，所述第一光源与所述第二光源于波长为460至500纳米之间时满足：一第一条件：所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一和值介于-0.3至0.3；及一第二条件：于相同波长时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一差值至少大于0.2；其中，所述第一光谱的波长的强度大于所述规范光谱对应的所述波长的强度，所述第二光谱的波长的强度小于所述规范光谱对应的的所述波长的强度。
综上所述，本发明的其中一有益效果在于，本发明的发光装置的混合光源为不同白光光谱的第一光源及第二光源混合形成，使所述发光装置能使用具有不同白光光谱的多个发光二极管封装结构(也就是所述第一、二发光二极管封装结构)仍能与一目标光源具有一致性的光谱，且符合合格规范的光源，据此，能提升制造时的芯片使用率，以减少制造成本。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明的发光装置的平面示意图。
图2为本发明第一实施例的第一光源、第二光源、及黑体辐射线的白光光谱示意图。
图3为本发明第一实施例的第一光源、第二光源、及混合光源的光谱偏离指标示意图。
图4为本发明第一实施例的混合光源、目标光源、及黑体辐射线的白光光谱示意图。
图5为本发明第一实施例的第一芯片及第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱示意图。
图6为本发明第二实施例的第一光源、第二光源、及黑体辐射线的白光光谱示意图。
图7为本发明第二实施例的第一光源、第二光源、及混合光源的光谱偏离指标示意图。
图8为本发明第二实施例的混合光源、目标光源、及黑体辐射线的白光光谱示意图。
图9为本发明第二实施例的第一芯片及第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱示意图。
图10为本发明第三实施例的第一光源、第二光源、及黑体辐射线的白光光谱示意图。
图11为本发明第三实施例的第一光源、第二光源、及混合光源的光谱偏离指标示意图。
图12为本发明第三实施例的混合光源、目标光源、及黑体辐射线的白光光谱示意图。
图13为本发明第三实施例的第一芯片及第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱示意图。
图14为本发明的第一光源、第二光源、及目标光源的色温示意图。
图15为本发明第四实施例的第一光源、第二光源、及目标光源的光谱偏离指标示意图。
图16为本发明第四实施例的第一光源、第二光源、目标光源、及黑体辐射线的白光光谱示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
本发明公开了一种发光装置1000。图1至图13为所述发光装置1000的技术特征所实施的多种实施例。请参照图1，所述发光装置1000包含有一基板100及设置于所述基板100的一发光组件200。所述发光装置1000预设有一目标光源，所述发光装置1000对应白光光谱具有一规范光谱。进一步地说，所述目标光源为制作所述发光装置1000时最终欲发出的光源，而所述规范光谱为对应所述目标光源的规范。所述发光组件200能发出一混合光源(也就是所述发光装置1000最终产生的光源)，所述混合光源是由两个不同白光光谱的光源所混合而成，并且符合所述目标光源的白光光谱。换个角度说，任何由不是由两个或两个以上的不同白光光谱的光源混合而发出最终光源(混合光源)的发光装置，并非本发明所指的发光装置1000。
配合参阅图1所示，所述发光组件200包含有一第一发光二极管封装结构210及一第二发光二极管封装结构220。所述第一发光二极管封装结构210具有一第一基板、设置于所述第一基板的一第一芯片211、覆盖所述第一芯片211的一第一封装体212、及围绕所述第一封装体212的一第一侧壁。所述第二发光二极管封装结构220具有一第一基板、设置于所述第二基板上的一第二芯片221、覆盖所述第二芯片221的一第二封装体222、及围绕所述第二封装体222的一第二侧壁。
所述第一芯片211配合所述第一封装体212能产生一第一光源，所述第一光源于白光光谱中具有一第一光谱。所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第一光谱偏离指标。
所述第二光源的白光光谱不同于所述第一光源，且所述第二光源于白光光谱中具有一第二光谱。所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第二光谱偏离指标。
具体来说，所述第一光源与所述第二光源混合成所述混合光源。所述混合光源对应白光光谱具有一混合光源光谱，所述混合光源光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一混合光源光谱偏离指标。
为了确保所述混合光源能与所述目标光源具有一致性的光谱，并且保证所述混合光源的全光谱的指标符合合格规范。因此，所述第一光源及所述第二光源必须于波长为460至500纳米之间时满足一第一条件及一第二条件。
所述第一条件为：所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一和值介于-0.3至0.3。
所述第二条件为：于相同波长时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一差值至少大于0.2。
详细地说，当所述第一光源与所述第二光源满足所述第一条件及所述第二条件时，所述第一光谱波偏离指标的绝对值及所述第二光谱波偏离指标的绝对值于波长为460至500纳米之间分别不小于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值，且所述混合光源光谱偏离指标介于0.4至-0.2之间。此外，于白光光谱的450至500纳米波段范围中，所述第一光谱的所述波长的强度大于所述规范光谱对应的所述波长的强度，所述第二光谱的所述波长的强度小于所述规范光谱对应的所述波长的强度。
基于上述发光装置1000的技术特征，本发明的第一光源及第二光源配合所述第一条件及所述第二条件能产生诸多实施例，以下提供为两个可行的实施例做说明，也就是第一实施例及第二实施例。
[第一实施例]
参阅图1至图5所示，本发明的第一实施例提供了一种发光装置1000，所述发光装置1000对应白光光谱预设有所述规范光谱。所述发光装置1000包含有所述第一发光二极管封装结构210及所述第二发光二极管封装结构220。所述第一发光二极管封装结构210能产生所述第一光源A，所述第二发光二极管封装结构220能产生所述第二光源I，所述第一光源A及所述第二光源I能混合成所述混合光源AI。
需说明的是，为了方便说明本发明的所述发光装置1000的技术特征，所述目标光源K所对应的所述规范光谱以黑体辐射为例子进行说明，但本发明不受限于此例所载。举例来说，设计者根据需求调整所述目标光源K时，所述规范光谱根据所述目标光源调整为对应特定光线辐射的规范的光谱。
为了确保由所述第一光源A及所述第二光源I所混合的所述混合光源AI能与所述目标光源K具有一致性的光谱，并且保证为所述混合光源AI的全光谱的指标符合合格规范，因此所述第一光源A及所述第二光源I于波长为460纳米至500纳米之间并且满足所述第一条件及所述第二条件。
参阅图2所示，图中所示的图表为所述第一光源A的所述第一光谱的波形、所述第二光源I的所述第二光谱的波形、所述混合光源AI的所述混合光源光谱的波形、及所述规范光谱的波形(黑体辐射线)。也就是说，此图表为所述第一光源A、所述第二光源I、及所述混合光源AI的白光光谱及所述规范光谱。图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。
由图2所示的所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述第一光谱偏离指标；所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述第二光谱偏离指标。所述混合光源光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述混合光源光谱偏离指标。
也就是说，当图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为光谱偏离指标时，所述第一光源A、所述第二光源I、及所述混合光源AI相对于所述规范光谱得出对应的光谱偏离指标时会形成图3中的图表。
由图3的图表可知当波长于470纳米时，所述第一光谱偏离指标大致为-0.44，所述第二光谱偏离指标大致为0.44，也就是说，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的和值为0，而所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的差值为0.88；也就是说，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标互为相反数。
换个角度说，当波长于480纳米时，所述第一光谱偏离指标大致为-0.4，所述第二光谱偏离指标大致为0.24；所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的和值为-0.16，而所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的差值为0.64。
也就是当图3的图表所示的所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标于波长为460至500纳米之间时，两者的和值介于-0.3至0.3(也就是满足所述第一条件)；所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标于相同波长时，两者的差值至少大于0.2(也就是满足所述第二条件)。且于白光光谱的450至500纳米波段范围中，所述第一光谱的所述波长的强度大于所述规范光谱对应的所述波长的强度，所述第二光谱的所述波长的强度小于所述规范光谱对应的所述波长的强度。
当所述第一光源A与所述第二光源I满足所述第一条件及所述第二条件时，所述第一光源A及所述第二光源I于波长为460至500纳米之间的所述第一光谱波偏离指标的绝对值及所述第二光谱波偏离指标的绝对值分别不小于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值。如图3所示，当波长于470纳米时，所述混合光源AI的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值大致为0.01，所述第一光源A的所述第一光谱波偏离指标的绝对值大致为0.44，所述第二光源I的所述第二光谱波偏离指标的绝对值大致为0.44；由此可知，所述第一光谱波偏离指标的绝对值与所述第二光谱波偏离指标的绝对值都大于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值(也就是0.011)。
也就是说，如图4所示，图中所示为所述目标光源K的白光光谱的波形、所述规范光谱的波形、所述混合光源AI的所述混合光源光谱的波形。图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。由图4中的图表能明显知道，所述混合光源AI与所述目标光源K具有一致性的光谱。
换个方式说，配合参阅图5所示，所述第一发光二极管封装结构210的所述第一芯片211所产生的光(非所述第一光源A)，于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波MWA及一第一肩波SWA，所述第一主波MWA具有一第一主波峰值强度MPA，所述第一肩波SWA具有低于所述第一主波峰值强度MPA的一第一肩波峰值强度SPA。所述第一肩波峰值强度SPA除以所述第一主波峰值强度MPA的比值定义为一第一强度比。需说明的是，本发明其他未绘示的实施例中，所述第一肩波SWA的所述第一肩坡峰值SPA也可以替换为所述第一肩波SWA的反曲点。
所述第二发光二极管封装结构220的所述第二芯片221所产生的光(非所述第二光源I)，所述第二芯片221所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片211所产生的光不同，所述第二芯片221所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波MWI及一第二肩波SWI，所述第二主波MWI具有一第二主波峰值强度MPI，所述第二肩波SWI具有低于所述第二主波峰值强度MPI的一第一肩波峰值强度SPI。所述第二肩波峰值强度SPI除以所述第二主波峰值强度MPI的比值定义为一第二强度比。需说明的是，本发明其他未绘示的实施例中，所述第二肩波SWI的所述第二肩坡峰值SPI也可以替换为所述第二肩波SWI的反曲点。
具体来说，所述第一芯片211的强度与所述第二芯片221的强度于宽波段蓝光光谱上归一化后，其两者波形不同而具有差异，且所述差异至少为：所述第一强度比不同于所述第二强度比或所述第一主波峰值强度MPA不同于所述第二主波峰值强度MPI。
所述第一光源A及所述第二光源I满足所述第一条件及所述第二条件时，所述第一芯片211的所述第一主波峰值强度MPA与所述第二芯片221的所述第二主波峰值强度MPI的差值大于2.5纳米或不小于5纳米；所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
以图5所示的图表为例，图中所示的图表分别为所述第一芯片211及所述第二芯片221的光所对应的宽波段蓝光光谱，图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。其中，图表所示的波形为满足所述第一条件及所述第二条件的所述第一发光二极管封装结构210及所述第二发光二极管封装结构220所对应的第一芯片211产生的光及第二芯片221产生的光。
于图5的图表能明显知道，所述第一主波峰值强度MPA大致为435纳米，所述第二主波峰值强度MPI大致为446纳米，也就是说，所述第一主波峰值强度MPA与所述第二主波峰值强度MPI的差值为11纳米，也就是说，所述差值大于2.5纳米。
所述第一肩波峰值强度SPA大致于0.49，所述第一主波峰值强度MPA大致于1.0；所述第二肩波峰值强度SPI大致于0.96，所述第二主波峰值强度MPI大致于1.0所述第一强度比为0.49，所述第二强度比为0.96，所述第一强度比与所述第二强度比之间的差值为0.47(也就是大于0.2)。
另外地，由图5也能明显清楚得知，所述第一主波峰值强度MPA与所述第二主波峰值强度MPI介于430纳米至455纳米之间，所述第一肩波峰值强度SPA与所述第二肩波峰值强度SPI介于445纳米至475纳米之间
[第二实施例]
如图6至图9所示，其为本发明的第二实施例，本实施例类似于上述第一实施例，两个实施例的相同处则不再加以赘述，而本实施例相较于上述第一实施例的差异主要在于：第二实施例的第二发光二极管封装结构220不同于第一实施例的第一发光二极管封装结构210。
参阅图6所示，图中所示的图表为所述第一光源D的所述第一光谱的波形、所述第二光源F的所述第二光谱的波形、由所述混合光源DF的所述混合光源光谱的波形、及所述规范光谱的波形(黑体辐射线)；也就是说，此图表为所述第一光源D、所述第二光源F、及所述混合光源DF的白光光谱及所述规范光谱。图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。
由图6所示的所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述第一光谱偏离指标；所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述第二光谱偏离指标。所述混合光源光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述混合光源光谱偏离指标。
也就是说，当图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为光谱偏离指标时，所述第一光源D、所述第二光源F及所述混合光源DF相对于所述规范光谱得出对应的光谱偏离指标时会形成图7中的图表。
图7的图表所示的所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标于波长为460至500纳米之间时，两者的和值介于-0.3至0.3(也就是满足所述第一条件)；所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标于相同波长时，两者的差值至少大于0.2(也就是满足所述第二条件)。且于白光光谱的450至500纳米波段范围中，所述第一光谱的所述波长的强度大于所述规范光谱对应的所述波长的强度，所述第二光谱的所述波长的强度小于所述规范光谱对应的所述波长的强度。
举一例来说，由图7的图表可知当波长于470纳米时，所述第一光谱偏离指标大致为-0.22，所述第二光谱偏离指标大致为0.41，也就是说，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的和值为0.19，而所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的差值为0.63。
当所述第一光源D与所述第二光源F满足所述第一条件及所述第二条件时，所述第一光源D及所述第二光源F于波长为460至500纳米之间的所述第一光谱波偏离指标的绝对值及所述第二光谱波偏离指标的绝对值分别不小于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值。如图7所示，以波长于470纳米观之，所述混合光源DF的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值大致为0.01，所述第一光源D的所述第一光谱波偏离指标的绝对值大致为0.22，所述第二光源F的所述第二光谱波偏离指标的绝对值大致为0.41；由此可知，所述第一光谱波偏离指标的绝对值与所述第二光谱波偏离指标的绝对值都大于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值(也就是0.011)。
也就是说，如图8所示，图中所示为所述目标光源K的白光光谱的波形、所述规范光谱的波形、所述混合光源DF的所述混合光源光谱的波形。图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。由图8中的图表能明显知道，所述混合光源DF与所述目标光源K具有一致性的光谱。
参阅图9所示，图中所示的图表分别为所述第一芯片211及所述第二芯片221的光所对应的宽波段蓝光光谱，图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。其中，图表所示的波形为满足所述第一条件及所述第二条件的所述第一发光二极管封装结构210及所述第二发光二极管封装结构220所对应的第一芯片211产生的光及第二芯片221产生的光。
进一步地说，当所述第一发光二极管封装结构210及所述第二发光二极管封装结构220满足所述第一条件及所述第二条件时，所述第一主波MWD的所述第一主波峰值强度MPD与所述第二主波MWF的所述第二主波峰值强度MPF的差值不大于2.5纳米；所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
于图9的图表能明显知道，所述第一主波峰值强度MPD大致为440纳米，所述第二主波峰值强度MPF大致为442纳米，也就是说，所述第一主波峰值强度MPD与所述第二主波峰值强度MPF的差值为2纳米(不大于2.5纳米)。
所述第一肩波SWD的所述第一肩波峰值强度SPD大致于0.54，所述第一主波峰值强度MPD大致于1.0；所述第二肩波SWF的所述第二肩波峰值强度SPF大致于0.9，所述第二主波峰值强度MPD大致为1.0，所述第一强度比为0.54，所述第二强度比为0.9，所述第一强度比与所述第二强度比之间的差值为0.36(也就是大于0.2)。
由此可知，本实施例的第一发光二极管封装结构与第二发光二极管封装结构满足所述第一条件及所述第二条件时，本实施例的所述第一芯片211的所述第一主波峰值强度MPD与所述第二芯片221的所述第二主波峰值强度MPF的差值不同于第一实施例，本实施例的所述第一主波峰值强度MPD与所述第二主波峰值强度MPF的差值不大于2.5纳米。
[第三实施例]
如图10至图13所示，其为本发明的第三实施例，本实施例类似于上述第一实施例，两个实施例的相同处则不再加以赘述，而本实施例相较于上述第一实施例的差异主要在于：第三实施例的第二发光二极管封装结构220不同于第一实施例的第一发光二极管封装结构210。
参阅图10所示，图中所示的图表为所述第一光源C的所述第一光谱的波形、所述第二光源G的所述第二光谱的波形、由所述混合光源CG的所述混合光源光谱的波形、及所述规范光谱的波形(黑体辐射线)；也就是说，此图表为所述第一光源C、所述第二光源G、及所述混合光源CG的白光光谱及所述规范光谱。图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。
由图10所示的所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述第一光谱偏离指标；所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述第二光谱偏离指标。所述混合光源光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度得出所述混合光源光谱偏离指标。
也就是说，当图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为光谱偏离指标时，所述第一光源C、所述第二光源G及所述混合光源CG相对于所述规范光谱得出对应的光谱偏离指标时会形成图11中的图表。
图11的图表所示的所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标于波长为460至500纳米之间时，两者的和值介于-0.3至0.3(也就是满足所述第一条件)；所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标于相同波长时，两者的差值至少大于0.2(也就是满足所述第二条件)。且于白光光谱的450至500纳米波段范围中，所述第一光谱的所述波长的强度大于所述规范光谱对应的所述波长的强度，所述第二光谱的所述波长的强度小于所述规范光谱对应的所述波长的强度。
举一例来说，由图11的图表可知当波长于470纳米时，所述第一光谱偏离指标大致为-0.45，所述第二光谱偏离指标大致为0.41，也就是说，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的和值为-0.04，而所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的差值为0.86。
当所述第一光源C与所述第二光源G满足所述第一条件及所述第二条件时，所述第一光源C及所述第二光源G于波长为460至500纳米之间的所述第一光谱波偏离指标的绝对值及所述第二光谱波偏离指标的绝对值分别不小于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值。以波长于470纳米观之，所述混合光源CG的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值大致为-0.02，所述第一光源C的所述第一光谱波偏离指标的绝对值大致为0.45，所述第二光源G的所述第二光谱波偏离指标的绝对值大致为0.41；由此可知，所述第一光谱波偏离指标的绝对值与所述第二光谱波偏离指标的绝对值都大于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值(也就是0.022)。
也就是说，如图12所示，图中所示为所述目标光源K的白光光谱的波形、所述规范光谱的波形、所述混合光源CG的所述混合光源光谱的波形。图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。由图12中的图表能明显知道，所述混合光源CG与所述目标光源K具有一致性的光谱。
参阅图13所示，图中所示的图表分别为所述第一芯片211及所述第二芯片221的光所对应的宽波段蓝光光谱，图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。其中，图表所示的波形为满足所述第一条件及所述第二条件的所述第一发光二极管封装结构210及所述第二发光二极管封装结构220所对应的第一芯片211产生的光及第二芯片221产生的光。
进一步地说，当所述第一发光二极管封装结构210及所述第二发光二极管封装结构220满足所述第一条件及所述第二条件时，所述第一主波MWC的所述第一主波峰值强度MPC与所述第二主波MWG的所述第二主波峰值强度MPG的差值不小于5纳米；所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
于图13的图表能明显知道，所述第一主波峰值强度MPC大致为435纳米，所述第二主波峰值强度MPG大致为445纳米，也就是说，所述第一主波峰值强度MPC与所述第二主波峰值强度MPG的差值为10纳米(不小于5纳米)。
所述第一肩波SWC的所述第一肩波峰值强度SPC大致于0.81，所述第一主波峰值强度MPC大致于1.0；所述第二肩波SWG的所述第二肩波峰值强度SPG大致于0.28，所述第二主波峰值强度MPC大致为1.0，所述第一强度比为0.81，所述第二强度比为0.28，所述第一强度比与所述第二强度比之间的差值为0.53(也就是大于0.2)。
由此可知，本实施例的第一发光二极管封装结构与第二发光二极管封装结构满足所述第一条件及所述第二条件时，本实施例的所述第一芯片211的所述第一主波峰值强度MPC与所述第二芯片221的所述第二主波峰值强度MPG的差值不小于5纳米。
再者，由所述第一发光二极管封装结构210与所述第二发光二极管封装结构220满足所述第一条件及所述第二条件时，所述第一芯片211及所述第二芯片221于宽波段蓝光光谱中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度介于430纳米至455纳米之间，所述第一肩波峰值强度与所述第二肩波峰值强度介于445纳米至475纳米之间。
值得注意的是，本发明的所述发光装置1000也可以是由多种组合、或任一组合搭配所述目标光源K进行配组。举例来说，上述第一实施例的所述第一光源A及所述第二光源I的组合也能配合上述第二实施例的所述第一光源D及所述第二光源F，而所述第一实施例搭配所述第二实施例也能得到与所述目标光源K具有一致性的光谱。当然，上述第一实施例、第二实施例、及第三实施例于配组后与所述目标光源K具有一致性的光谱，所以上述第一实施例、第二实施例、及第三实施例之其中一种组合搭配所述目标光源K也具有一致性的光谱。也就是说，本发明的所述发光装置1000的光源也可以是多种配组方式搭配设计。
本发明另外公开了一种发光装置1000。图1、图14至图16为所述发光装置1000的技术特征所实施的多种实施例。首先，以下先说明本发明的所述发光装置1000的技术特征。请参照图1，所述发光装置1000包含有一基板100及设置于所述基板100的一发光组件200。所述发光装置1000预设有一目标光源，所述发光装置1000对应白光光谱具有一规范光谱。进一步地说，所述目标光源K为制作所述发光装置1000时最终欲发出的光源，而所述规范光谱为对应所述目标光源的规范。所述发光组件200能发出一混合光源，所述混合光源是由两个不同白光光谱的光源所混合而成，并且符合所述目标光源K的白光光谱。换个角度说，任何由不是由两个不同白光光谱的光源混合而发出最终光源(混合光源)的发光装置，并非本发明所指的发光装置1000。
配合参阅图1所示，所述发光组件200包含有一第一发光二极管封装结构210及一第二发光二极管封装结构220。所述第一发光二极管封装结构210具有一第一基板、设置于所述第一基板的一第一芯片211、覆盖所述第一芯片211的一第一封装体212、及围绕所述第一封装体212的一第一侧壁。所述第二发光二极管封装结构220具有一第一基板、设置于所述第二基板上的一第二芯片221、覆盖所述第二芯片221的一第二封装体222、及围绕所述第二封装体222的一第二侧壁。
所述第一芯片211配合所述第一封装体212能产生一第一光源，所述第一光源于白光光谱中具有一第一光谱。所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第一光谱偏离指标。
另外，所述第一芯片211所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比。
所述第二光源的白光光谱不同于所述第一光源，且所述第二光源于白光光谱中具有一第二光谱。所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第二光谱偏离指标。
另外，所述第二芯片221所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片211所产生的光不同，所述第二芯片221所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比。
为了确保所述混合光源能与所述目标光源具有一致性的光谱，并且保证所述混合光源的全光谱的指标符合合格规范。因此，所述第一光源及所述第二光源必须满足一第一条件。
所述第一条件为：于波长440至660纳米之间定义有至少一光谱范围；于所述至少一光谱范围且于相同波长时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标之间具有一差值，所述差值至少大于0.05。具体来说，所述至少一光谱范围为440至490纳米、500至560纳米、或600至660纳米。
当所述第一光源及所述第二光源满足一第一条件时，对应的所述第一芯片211的所述第一主波峰值强度与对应的所述第二芯片221的所述第二主波峰值强度的差值不大于5纳米，所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值小于0.4。
换个方式说，请参阅图14所示，图中所示为色度图，图中的区域OK为对应所述目标光源K的色温。本发明的所述第一光源与所述第二光源可以是分别对应区域AC及对应区域AD的光源、对应区域AA及对应区域AB的光源、对应区域AE及对应区域AF的光源、及对应区域AG及对应区域AH的光源。也就是说，所述第一光源及所述第二光源于色度图中是选择位于所述目标光源相反两侧的光源。
基于上述发光装置的技术特征，本发明的第一光源及第二光源配合所述第一条件能产生诸多实施例，以下提供为一个可行的实施例做说明。
[第四实施例]
参阅图14至图16所示，本发明的第四实施例提供了一种发光装置1000，所述发光装置1000对应白光光谱预设有所述规范光谱。所述发光装置1000包含有所述第一发光二极管封装结构210及所述第二发光二极管封装结构220。所述第一发光二极管封装结构210能产生所述第一光源G’，所述第二发光二极管封装结构220能产生所述第二光源H’。也就是说，所述第一光源G’及所述第二光源H’为图14中对应所述区域AG及所述区域AH的光源。所述第一光源G’及所述第二光源H’能混合成一混合光源。
需说明的是，为了方便说明本发明的所述发光装置的技术特征，所述目标光源所对应的所述规范光谱以黑体辐射为例子进行说明，但本发明不受限于此例所载。举例来说，设计者需求调整所述目标光源K’时，所述规范光谱根据所述目标光源调整为对应特定光线辐射的规范的光谱。
所述发光组件200’的最终光源为所述混合光源。为了确保为所述混合光源能与所述目标光源K’具有一致性的光谱，并且保证为所述混合光源的全光谱的指标符合合格规范。因此，所述第一光源G’及所述第二光源H’于波长为440纳米至660纳米之间的所述至少一光谱范围必须同时满足所述第一条件。
由图15的图表可知当所述至少一光谱范围为440至490纳米、500至560纳米、及600至660纳米时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的差值至少大于0.05。
举例来说，当波长于440纳米时，所述第一光谱偏离指标为0.25，所述第二光谱偏离指标为0.05，也就是所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的差值为0.20。
当波长于500纳米时，所述第一光谱偏离指标为-0.01，所述第二光谱偏离指标为-0.07，也就是所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的差值为0.06，且所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标于500至550纳米之间时的差值明显都至少大于0.05。
当波长于640纳米时，所述第一光谱偏离指标为0.08，所述第二光谱偏离指标为0.02，也就是所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的差值为0.06，且所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标于620至660纳米之间时的差值明显都至少大于0.05。也就是说，所述第一光源G’及所述第二光源H’满足所述第一条件。
参阅图16所示，图中所示的图表为所述第一光源G’的所述第一光谱的波形、所述第二光源H’的所述第二光谱的波形、及所述规范光谱的波形(黑体辐射线)；也就是说，此图表为所述第一光源G’、所述第二光源H’、所述目标光源K’的白光光谱及所述规范光谱，其中，所述第一光源G’及所述第二光源H’满足所述第一条件。图表的横轴为波长(纳米)，而纵轴为强度。
于图16的图表能明显知道，当所述第一光源G’及所述第二光源H’满足所述第一条件时，所述目标光源K’于白光光谱的波形会位于所述第一光源G’的所述第一光谱与所述第二芯片H’的所述第二光谱的波形之间，且所述目标光源K’、所述第一光源G’、及所述第二光源H’的波型大致相同，也就是说，由所述第一光源G’及所述第二光源H’所混合成的所述混合光源会与所述目标光源K’具有一致性的光谱。
[本发明实施例的技术效果]
综上所述，本发明的其中一有益效果在于，本发明的发光装置1000的所述混合光源能通过为不同白光光谱的所述第一光源及所述第二光源混合所形成，使所述发光装置1000能使用具有不同白光光谱的多个发光二极管封装结构(也就是所述第一、二发光二极管封装结构)仍能与所述目标光源具有一致性的光谱，且符合合格规范的光源，据此，能提升制造时的芯片使用率，以减少制造成本。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例，并非用来局限本发明的保护范围，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的权利要求书的保护范围。

Claims (20)

1.一种发光装置，对应白光光谱预设有一规范光谱，其特征在于，所述发光装置包括：
一发光组件，能产生一混合光源，所述混合光源对应白光光谱具有一混合光源光谱，所述混合光源光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一混合光源光谱偏离指标；其中，所述发光组件包含有：
一第一发光二极管封装结构，具有一第一芯片及覆盖所述第一芯片的一第一封装体，所述第一芯片配合所述第一封装体能产生一第一光源，所述第一光源于白光光谱中具有一第一光谱，所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第一光谱偏离指标；
一第二发光二极管封装结构，具有一第二芯片及覆盖所述第二芯片的一第二封装体，所述第二芯片配合所述第二封装体能产生一第二光源，所述第二光源的白光光谱不同于所述第一光源，且所述第二光源于白光光谱中具有一第二光谱，所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第二光谱偏离指标；
其中，所述第一光源与所述第二光源混合成所述混合光源；
其中，所述第一光源与所述第二光源于波长为460至500纳米之间时满足：
一第一条件：所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一和值介于-0.3至0.3；及
一第二条件：于相同波长时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一差值大于0.2；
其中，于波长为460至500纳米之间时，所述第一光谱偏离指标的绝对值及所述第二光谱偏离指标的绝对值分别不小于1.1倍的所述混合光源光谱偏离指标的绝对值。
2.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标互为相反数。
3.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值大于2.5纳米，所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
4.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值不大于2.5纳米，所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
5.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值不小于5纳米，所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
6.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有一第一肩波峰值强度；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有一第二肩波峰值强度；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度介于430纳米至455纳米之间，所述第一肩波峰值强度与所述第二肩波峰值强度介于445纳米至475纳米之间。
7.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述规范光谱为对应黑体辐射线的规范。
8.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，于白光光谱的450至500纳米波段范围中，所述第一光谱的所述波长的强度大于所述规范光谱对应的所述波长的强度，所述第二光谱的所述波长的强度小于所述规范光谱对应的所述波长的强度。
9.依据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述混合光源光谱偏离指标于0.4至-0.3之间。
10.一种发光装置，对应白光光谱预设有一规范光谱，其特征在于，所述发光装置包括：
一发光组件，能产生一混合光源，所述混合光源于白光光谱上具有一混合光源光谱，所述发光组件包含有：
一第一发光二极管封装结构，具有一第一芯片及覆盖所述第一芯片的一第一封装体，所述第一芯片配合所述第一封装体能产生一第一光源，所述第一光源于白光光谱中具有一第一光谱，所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第一光谱偏离指标；
一第二发光二极管封装结构，具有一第二芯片及覆盖所述第二芯片的一第二封装体，所述第二芯片配合所述第二封装体能产生一第二光源，所述第二光源与所述第一光源的白光光谱不同，且所述第二光源于白光光谱中具有一第二光谱，所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第二光谱偏离指标；
其中，所述第一光源及所述第二光源满足：
一第一条件：于波长440至660纳米之间定义有至少一光谱范围；于所述至少一光谱范围且于相同波长时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标之间具有一差值，所述差值大于0.05。
11.依据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述至少一光谱范围为440至490纳米、500至560纳米、或600至660纳米。
12.依据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值不大于5纳米，所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值小于0.4。
13.依据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述规范光谱为对应黑体辐射线的规范。
14.一种发光装置，对应白光光谱预设有一规范光谱，其特征在于，所述发光装置包括：
一发光组件，能产生一混合光源，所述混合光源对应白光光谱具有一混合光源光谱，所述混合光源光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一混合光源光谱偏离指标；其中，所述发光组件包含有：
一第一发光二极管封装结构，具有一第一芯片及覆盖所述第一芯片的一第一封装体，所述第一芯片配合所述第一封装体能产生一第一光源，所述第一光源于白光光谱中具有一第一光谱，所述第一光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第一光谱偏离指标；
一第二发光二极管封装结构，具有一第二芯片及覆盖所述第二芯片的一第二封装体，所述第二芯片配合所述第二封装体能产生一第二光源，所述第二光源的白光光谱不同于所述第一光源，且所述第二光源于白光光谱中具有一第二光谱，所述第二光谱的一波长的强度减去所述规范光谱对应的所述波长的强度后除以所述规范光谱对应的所述波长的强度定义为一第二光谱偏离指标；
其中，所述第一光源与所述第二光源混合成所述混合光源；
其中，所述第一光源与所述第二光源于波长为460至500纳米之间时满足：
一第一条件：所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一和值介于-0.3至0.3；及
一第二条件：于相同波长时，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标的一差值大于0.2；
其中，所述第一光谱的波长的强度大于所述规范光谱对应的所述波长的强度，所述第二光谱的波长的强度小于所述规范光谱对应的所述波长的强度。
15.依据权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述第一光谱偏离指标与所述第二光谱偏离指标互为相反数。
16.依据权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值大于2.5纳米，所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
17.依据权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值不大于2.5纳米，所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
18.依据权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有低于所述第一主波峰值强度的一第一肩波峰值强度，所述第一肩波峰值强度除以所述第一主波峰值强度的比值定义为一第一强度比；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有低于所述第二主波峰值强度的一第二肩波峰值强度，所述第二肩波峰值强度除以所述第二主波峰值强度的比值定义为一第二强度比；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度的差值不小于5纳米，所述第一强度比与所述第二强度比之间具有一差值，且所述差值大于0.2。
19.依据权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述规范光谱为对应黑体辐射线的规范。
20.依据权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述第一芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第一主波及一第一肩波，所述第一主波具有一第一主波峰值强度，所述第一肩波具有一第一肩波峰值强度；所述第二芯片所产生的光的宽波段蓝光光谱与所述第一芯片所产生的光不同，所述第二芯片所产生的光于宽波段蓝光光谱上具有一第二主波及一第二肩波，所述第二主波具有一第二主波峰值强度，所述第二肩波具有一第二肩波峰值强度；其中，所述第一主波峰值强度与所述第二主波峰值强度介于430纳米至455纳米之间，所述第一肩波峰值强度与所述第二肩波峰值强度介于445纳米至475纳米之间。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113675180A (zh) * 2021-07-30 2021-11-19 开发晶照明（厦门）有限公司 植物照明用光源

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101206345A (zh) * 2007-12-13 2008-06-25 友达光电股份有限公司 具有互补同色光源的背光模块及其制造方法
CN102177594A (zh) * 2008-10-07 2011-09-07 欧司朗光电半导体有限公司 发光装置
CN102287632A (zh) * 2010-06-07 2011-12-21 三垦电气株式会社 照明装置和照明装置的控制方法
TW201346187A (zh) * 2012-05-09 2013-11-16 國立中央大學 發光二極體混光元件
CN104347606A (zh) * 2013-08-09 2015-02-11 启耀光电股份有限公司 发光二极管封装结构及光源模块

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019051780A1 (zh) * 2017-09-15 2019-03-21 厦门市三安光电科技有限公司 一种白光led封装结构以及白光源系统
US11244929B2 (en) * 2017-10-30 2022-02-08 Sanken Electric Co., Ltd. Light emitting device and lighting device
WO2020114894A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-11 Signify Holding B.V. Crisp white tuning
KR20200113133A (ko) * 2019-03-22 2020-10-06 삼성전자주식회사 백색 발광 모듈
US11289630B2 (en) * 2019-12-20 2022-03-29 Lumileds Llc Tunable lighting system with preferred color rendering

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101206345A (zh) * 2007-12-13 2008-06-25 友达光电股份有限公司 具有互补同色光源的背光模块及其制造方法
CN102177594A (zh) * 2008-10-07 2011-09-07 欧司朗光电半导体有限公司 发光装置
CN102287632A (zh) * 2010-06-07 2011-12-21 三垦电气株式会社 照明装置和照明装置的控制方法
TW201346187A (zh) * 2012-05-09 2013-11-16 國立中央大學 發光二極體混光元件
CN104347606A (zh) * 2013-08-09 2015-02-11 启耀光电股份有限公司 发光二极管封装结构及光源模块

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