KR20200113133A - 백색 발광 모듈 - Google Patents

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KR20200113133A
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김초희
박미혜
윤정은
최성우
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 백색 발광 모듈은, 제1 백색 광을 방출하는 제1 발광 패키지 및 제2 백색 광을 방출하는 제2 발광 패키지를 포함하는 백색 발광 모듈에 있어서, 상기 제1 발광 패키지는 제1 발광 소자 및 상기 제1 발광 소자로부터 방출하는 광을 필터링하여 상기 제1 백색 광의 색온도를 낮추는 필터부를 포함할 수 있다. 상기 제2 발광 패키지는 제2 및 제3 발광 소자들을 포함하되, 상기 제1 백색 광의 색온도는 약 1,500K 내지 3,000K이고, 상기 제2 백색 광의 색온도는 약 3,000 내지 10,000K이다.

Description

백색 발광 모듈{WHITE LIGHT EMITTING MODULE}
본 발명은 백색 발광 모듈에 관한 것이다.
발광다이오드(Light emitting diode)와 같은 발광 소자는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자이다. 발광 소자에서, 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광 소자는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있다. 발광 패키지는 발광 소자를 발광 장치에 사용하기 적합한 상태로 구현한 것이다.
최근에는, 백색 조명(white lighting) 분야에서, 인간의 생체리듬과 각막, 망막 손상 등을 고려한 인간 친화적인 LED 조명 장치와 이에 사용될 수 있는 백색 발광장치가 요구되고 있다.
발명이 해결하고자 하는 과제는 인간 친화적인 조명을 위한 백색 광을 제공하는데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 백색 발광 모듈은, 제1 백색 광을 방출하는 제1 발광 패키지 및 제2 백색 광을 방출하는 제2 발광 패키지를 포함하는 백색 발광 모듈에 있어서, 상기 제1 발광 패키지는 제1 발광 소자 및 상기 제1 발광 소자로부터 방출하는 광을 필터링하여 상기 제1 백색 광의 색온도를 낮추는 필터부를 포함하고, 상기 제2 발광 패키지는 제2 및 제3 발광 소자들을 포함하되, 상기 제1 백색 광의 색온도는 1,500K 내지 3,000K이고, 상기 제2 백색 광의 색온도는 3,000 내지 10,000K이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 제1 백색 광을 방출하는 제1 발광 패키지 및 제2 백색 광을 방출하는 제2 발광 패키지를 포함하는 백색 발광 모듈에 있어서, 상기 제1 백색 광은 1,500K 내지 3,000K의 색온도를 갖고, 상기 제2 백색 광은 3,000K 내지 10,000K의 색온도를 갖되, 기준 광의 황색 광의 강도에 대한 상기 발광 모듈로부터 방출되는 황색 광의 강도는 1,500K 내지 3,000K에서 50% 이내이고, 3,000K 내지 10,000K에서 50% 이상이다.
상기 백색 광을 방출하는 백색 발광 패키지에 있어서, 발광 소자, 상기 발광 소자를 둘러싸고, 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장의 적어도 일부를 변환시키는 파장 변환부 및 상기 광을 필터링하여 색온도를 낮추는 필터부를 포함하되, 기준 광의 황색 광의 강도에 대한 상기 발광 소자로부터 방출되는 황색 광의 강도가 50% 이내이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 멜라토닌 분비 억제 효과를 나타내는 MDEF (Melanopic daylight equivalent factor) 지수값이 상대적으로 낮아멜라토닌 분비를 증가시키는 제1 발광 패키지 및 상대적으로 높은 MDEF 지수값을 가져 멜라토닌 분비를 억제하는 제2 발광 패키지를 포함하는 발광 모듈을 제공함으로써, 보다 인간 친화적인 조명을 위한 백색 광을 제공할 수 있다. 일 예로, 제1 발광 패키지는 사용자가 보다 편안하게 휴식을 취할 수 있어, 저녁 또는 밤에 사용되기 적합한 조명일 수 있고, 제2 발광 패키지는 사용자의 활동성이 보다 증가할 수 있어 아침 또는 낮에 사용되기 적합한 조명일 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 모듈의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 제1 및 제2 발광 패키지들을 간략히 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 제1 발광 패키지를 보여주는 도면이다.
도 4는 필터부를 포함하는 경우의 스펙트럼을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 제1 발광 패키지의 스펙트럼을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 2의 제2 발광 패키지를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 제2 발광 패키지의 스펙트럼을 보여주는 도면이다.
도 8a은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈로부터 구현할 수 있는 색온도들에 따른 강도를 나타내는 스펙트럼이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈로부터 구현할 수 있는 색온도들에 따른 강도를 나타내는 스펙트럼이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈로부터 구현할 수 있는 파장에 따른 피크 강도를 나타내는 스펙트럼이다.
도 9b는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 모듈의 CIE 색도도(chromaticity diagram)의 x값에 따른 피크 파장의 비를 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈을 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 모듈(1)의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 발광 모듈(1)은 전원부(10), 구동 신호 제어부(20), 제1 및 제2 발광 패키지 구동부들(32,34), 제1 및 제2 발광 패키지들(40,50)을 포함할 수 있다. 발광 모듈(1)은 백색 발광 모듈일 수 있다. 제1 발광 패키지(40)는 제1 백색 광(도 2의 WL1)을 방출하고, 제2 발광 패키지(50)는 제2 백색 광(도 2의 WL2)을 방출하며, 발광 모듈(1)은 제1 백색 광(WL1)과 제2 백색 광(WL2)이 혼합된 제3 백색 광(도 2의 WL3)을 방출될 수 있다.
제1 발광 패키지(40)의 색온도는 제2 발광 패키지(50)의 색온도보다 낮을 수 있다. 제1 발광 패키지(40)는 Cool 조명이라 볼 수 있고, 제2 발광 패키지(50)는 Warm 조명이라 볼 수 있다. 일 예로, 제1 발광 패키지(40)는 저녁 또는 밤에 사용되기 적합할 수 있고, 제2 발광 패키지(50)는 아침 또는 낮에 사용되기 적합할 수 있다.
전원부(10)는 제1 및 제2 발광 패키지들(40,50)에 전력을 공급할 수 있다. 일 예로, 전원부(10)는 구동 신호 제어부(20), 제1 및 제2 발광 패키지 구동부들(32,34)을 통해 제1 및 제2 발광 패키지들(40,50) 중 적어도 일부에 전력을 공급할 수 있다. 전원부(10)는 전원(미도시) 및 전원 공급 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 전원(미도시)은 교류 전원(예를 들어, 220V-60Hz)일 수 있다. 전원 공급 회로(미도시)는 교류 전원을 전파 정류하는 정류 회로(예를 들어, 다이오드-브릿지 회로) 및 정류 회로의 출력을 일부 시구간에서 보상하는 보상 회로(예를 들어, 밸리-필(Valley-fill) 회로) 등을 포함할 수 있다.
구동 신호 제어부(20)는 제1 및 제2 발광 패키지 구동부들(32,34)을 통해 제1 및 제2 발광 패키지들(40,50)을 각각 제어할 수 있다. 구동 신호 제어부(20)는 스위치(switch) 모듈을 포함할 수 있다. 일 예로, 구동 신호 제어부(20)는 제1 및 제2 발광 패키지들(40,50) 각각에 인가되는 구동 전류들의 비를 제어할 수 있다.
제1 발광 패키지 구동부(32)는 제1 발광 패키지(40)를 구동할 수 있다. 제1 발광 패키지 구동부(32)는 구동 신호 제어부(20)를 통해 인가된 전류를 제1 발광 패키지(40)에 공급할 수 있다. 제2 발광 패키지 구동부(34)는 제2 발광 패키지(50)를 구동할 수 있다. 제2 발광 패키지 구동부(34)는 구동 신호 제어부(20)를 통해 인가된 전류를 제2 발광 패키지(50)에 공급할 수 있다.
제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 1,500K 내지 3,000K일 수 있다. 일 예로, 제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 1,500K일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 2,200K일 수 있다. 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 3,000K 내지 10,000K일 수 있다. 일 예로, 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 10,000K일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 6,500K일 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 제1 및 제2 발광 패키지들(40,50)을 간략히 나타내는 도면이다. 제1 및 제2 발광 패키지들(40,50)은 패키지 기판(P) 상에 실장될 수 있다. 패키지 기판(P)은 일 예로, 인쇄 회로 기판(PCB: Printed circuit board)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 3은 도 2의 제1 발광 패키지(40)를 보여주는 도면이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 발광 패키지(40)는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)일 수 있다. 제1 발광 패키지(40)는 제1 발광 소자(410), 제1 하우징(430), 및 제1 파장 변환부(450)를 포함할 수 있다.
제1 발광 소자(410)는 발광 다이오드 칩일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 발광 소자(410)는 제1 와이어들(412)을 통해, 패키지 기판(P) 상의 전극부(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 달리, 제1 발광 소자(410)는 패키지 기판(P) 상에 플립 칩 본딩 방식으로 실장될 수 있다.
제1 발광 소자(410)는 일 예로, 제1 피크 파장의 제1 광(L1)을 방출할 수 있다. 제1 피크 파장은 445㎚∼455㎚일 수 있다. 제1 광(L1)은 청색 광일 수 있다. 이하, 제1 광(L1)은 제1 청색광(L1)과 혼용될 수 있다. 바람직하게, 제1 발광 소자(410)는 일 예로, 450㎚ 피크 파장의 제1 광(L1)을 방출할 수 있다. 이와 달리, 제1 발광 소자(410)는 430㎚ 피크 파장의 제1 광(L1)을 방출할 수 있다.
제1 하우징(430)은 제1 발광 소자(410)를 둘러싸도록 제공될 수 있다. 제1 하우징(430)은 일 예로, 캐비티(cavity,C) 형상을 가질 수 있다.
제1 파장 변환부(450)가 제1 하우징(430)의 캐비티(C) 내를 채울 수 있다. 제1 파장 변환부(450)는 제1 발광 소자(410)를 덮도록 제공될 수 있다. 제1 파장 변환부(450)는 제1 파장 변환 물질(445), 제1 투광성 수지(448), 및 필터부(446)를 포함할 수 있다.
제1 파장 변환부(450)는 제1 발광 소자(410)로부터 방출된 제1 광(L1)의 적어도 일부를 다른 파장으로 변환할 수 있다. 일 예로, 제1 발광 소자(410)가 방출한 청색 광의 적어도 일부를 황색 및/또는 적색 및 녹색으로 변환하여, 제1 백색 광(WL1)을 방출하는 발광 패키지(40)를 제공할 수 있다.
제1 파장 변환 물질(445)은 제1 투광성 수지(448) 내에 함유될 수 있다. 제1 파장 변환 물질(445)은 제3 파장 변환 물질(442)과 제4 파장 변환 물질(444)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제3 파장 변환 물질(442)은 제4 피크 파장의 광을 방출할 수 있다 제4 피크 파장은 약 520㎚∼560㎚일 수 있다. 제4 파장 변환 물질(444)은 600㎚∼645㎚의 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 제3 파장 변환 물질(442)는, 예를 들어, (Ga, Gd, Y,)2Al5O12:Ce, La3Si6Ni:Ce, Eu-doped (Sr, Ca, Ba)Si2O2N2:Eu, (Sr, Ba)Si2O4:Eu 및 그 조합 으로부터 선택된 적어도 하나의 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 제4 파장 변환 물질(444)은 예를 들어, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, CaAlSiN3:Eu, KxSiFy:Mn4+(2≤x≤3, 4≤y≤7)(이하, KSF라고도 함)및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적색 형광체를 포함할 수 있다.
제1 투광성 수지(448)는 에폭시, 실리콘(silicone), 변형 실리콘, 우레탄 수지, 옥세탄 수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
필터부(446)는 제1 발광 패키지(40)에서 제1 파장 변환부(450)를 통해 방출되는 광에서 특정 파장을 필터링하는 필터 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 필터부(446)는 네오디뮴(Nd, Neodymium)을 포함할 수 있다. 필터부(446)는 제1 광(L1)으로부터 황색 파장 성분을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 필터부(446)는 제1 광(L1)으로부터 제3 피크 파장의 빛을 흡수하고, 제3 피크 파장은 530nm 내지 590nm일 수 있다. 제3 피크 파장은 예를 들어, 570nm 내지 590nm일 수 있다.
즉, 제1 발광 소자(410)로부터 방출되는 제1 광(L1)은 제1 파장 변환부(450)를 통해 변환되고, 제1 발광 패키지(40)는 제1 백색 광(WL1)을 방출할 수 있다. 제1 백색 광(WL1)은 제1 광(L1)의 일부 및 제1 파장 변환부(450)를 통과한 제1 광(L1)의 다른 일부를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 백색 광(WL1)은 제1 광(L1)의 어느 일부, 제1 파장 변환 물질(445)로 인해 변환된 제1 광(L1)의 다른 일부, 및 필터부(446)를 통과한 제1 광(L1)의 또 다른 일부 등이 혼합된 개념일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 4는 필터부(446)를 포함하는 경우의 스펙트럼을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, T1 내지 T6는 필터부(446)를 포함하는 경우의 스펙트럼들이고, T1_a 내지 T6_a는 비교예들로서, 필터부를 포함하지 않는 경우의 스펙트럼들이다. 일 예로, T1은 3,000K, T2는 2700K, T3는 2300K, T4는 1900K, T5는 1700K 및 T6는 1500K일 수 있다. T1_a 내지 T6_a는 T1 내지 T6와 각각 동일한 온도일 수 있다. T1 내지 T6, T1_a 내지 T6_a을 각각 비교하면, 각 경우에서 필터부(446)를 포함하는 경우의 황색 파장 성분(일 예로, 550nm 내지 600nm)이 흡수되어 스펙트럼의 강도들이 낮아진 것을 확인할 수 있다(도 4의 FP 참조).
도 5는 도 3의 제1 발광 패키지(40)의 스펙트럼을 보여주는 도면이다. 도 5의 ⓐ는 본 발명의 제1 발광 패키지(40)의 스펙트럼이고, P1은 비교예에 따른 스펙트럼이며, MS는 멜라토닌 분비 억제의 파장별 영향도(MDEF sensitivity)를 나타낸다. 일 예로, ⓐ의 색온도는 1,500K이고, P1의 색온도는 2,700K일 수 있다. 도 6a를 참조하면, P1에 비해 ⓐ의 낮은 MDEF 지수값을 갖고, 멜라토닌 분비를 증가시킨다는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 제1 발광 패키지(40)로 인해 사용자는 보다 편안하게 휴식을 취할 수 있고, 저녁 또는 밤에 사용되기 적합한 조명일 수 있다.
도 6은 도 2의 제2 발광 패키지(50)를 보여주는 도면이다. 다시 도 2 및 도 6을 참조하면, 제2 발광 패키지(50)는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)일 수 있다. 제2 발광 패키지(50)는 제2 발광 소자(510), 제3 발광 소자(520), 제2 하우징(530), 및 제2 파장 변환부(550)를 포함할 수 있다.
제2 발광 소자(510)는 발광 다이오드 칩일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제2 발광 소자(510)는 제2 와이어들(512)을 통해, 패키지 기판(P) 상의 전극부(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 달리, 제2 발광 소자(510)는 패키지 기판(P) 상에 플립 칩 본딩 방식으로 실장될 수 있다.
제3 발광 소자(520)는 발광 다이오드 칩일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제3 발광 소자(520)는 제3 와이어들(522)을 통해, 패키지 기판(P) 상의 전극부(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 달리, 제3 발광 소자(520)는 패키지 기판(P) 상에 플립 칩 본딩 방식으로 실장될 수 있다.
제2 발광 소자(510)는 일 예로, 445㎚∼455㎚ 피크 파장의 제2 광(L2)을 방출할 수 있다. 제2 광(L2)은 청색 광일 수 있다. 이하, 제2 광(L2)은 제2 청색광(L2)과 혼용될 수 있다. 바람직하게, 제2 발광 소자(510)는 일 예로, 450㎚ 피크 파장의 제2 광(L2)을 방출할 수 있다.
제3 발광 소자(520)는 제2 피크 파장의 제3 광(L3)을 방출할 수 있다. 제2 피크 파장은 일 예로, 465㎚∼495㎚일 수 있다. 이하, 제3 광(L3)은 제3 청색광(L3)과 혼용될 수 있다. 제3 광(L3)은 청색 광이되, 시안(cyan) 빛을 띠는 청색 광일 수 있다. 바람직하게, 제3 발광 소자(520)는 일 예로, 480㎚ 피크 파장의 제3 광(L3)을 방출할 수 있다. 제3 발광 소자(520)의 제3 청색 광이 제2 발광 소자(510)의 제2 청색 광보다 장파장이므로, 발광 효율 증대를 위해 제3 발광 소자(520)의 면적이 제2 발광 소자(510)의 면적보다 클 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제2 하우징(530)은 제2 발광 소자(510) 및 제3 발광 소자(520)를 둘러싸도록 제공될 수 있다. 제2 하우징(530)은 일 예로, 캐비티(cavity,) 형상을 가질 수 있다.
제2 파장 변환부(550)가 제2 하우징(530)의 캐비티(C) 내를 채울 수 있다. 제2 파장 변환부(550)는 제2 발광 소자(510) 및 제3 발광 소자(520)를 덮도록 제공될 수 있다. 제2 파장 변환부(550)는 제2 파장 변환 물질(545), 및 제2 투광성 수지(548)를 포함할 수 있다. 제2 파장 변환부(550)는 제2 발광 소자(510) 및 제3 발광 소자(520)로부터 방출된 제2 광(L2) 및 제3 광(L3)들의 적어도 일부를 다른 파장으로 변환할 수 있다. 일 예로, 제2 발광 소자(510) 및 제3 발광 소자(520)가 방출한 청색광들의 적어도 일부를 황색 및/또는 적색 및 녹색으로 변환하여, 제2 백색 광(WL2)을 방출하는 제2 발광 패키지(50)를 제공할 수 있다.
제2 파장 변환 물질(545)은 제2 투광성 수지(548) 내에 함유될 수 있다. 제2 파장 변환 물질(545)은 제5 파장 변환 물질(542)과 제6 파장 변환 물질(544)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제5 파장 변환 물질(542)은 520㎚∼560㎚의 피크 파장의 광을 방출할 수 있고, 제6 파장 변환 물질(544)은 600㎚∼645㎚의 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 제5 파장 변환 물질(542)는, 예를 들어, Ga-Y3Al5O12(이하, YAG라고도 함) Al5Lu3O12, Y3Al5O12, Y3Al5Lu3O12 및 그 조합으로부터 선택된 적어도 하나의 형광체를 포함할 수 있다. 제6 파장 변환 물질(544)은 예를 들어, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, CaAlSiN3:Eu, KxSiFy:Mn4+(2≤x≤3, 4≤y≤7)(이하, KSF라고도 함)및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적색 형광체를 포함할 수 있다.
제2 투광성 수지(548)는 에폭시, 실리콘(silicone), 변형 실리콘, 우레탄 수지, 옥세탄 수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
즉, 제2 발광 소자(510)로부터 방출되는 제2 광(L2) 및 제3 발광 소자(520)로부터 방출되는 제3 광(L3)은 제2 파장 변환부(550)를 통해 변환되고, 제2 발광 패키지(50)는 제2 백색 광(WL2)을 방출할 수 있다. 제2 백색 광(WL2)은 제2 광(L2)의 일부 및 제2 파장 변환부(550)를 통과한 제2 광(L2)의 다른 일부, 제3 광(L3)의 일부 및 제2 파장 변환부(550)를 통과한 제3 광(L3)의 다른 일부를 포함할 수 있다. 일 예로, 제2 백색 광(WL2)은 제2 광(L2)의 어느 일부, 제2 파장 변환 물질(545)로 인해 변환된 제2 광(L2)의 다른 일부, 제3 광(L3)의 어느 일부, 제2 파장 변환 물질(545)로 인해 변환된 제3 광(L2)의 다른 일부 등이 혼합된 개념일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제2 발광 패키지(50)는 제2 광(L2)과 함께 상대적으로 소프트한(soft) 제3 광(L3)을 채용함으로써 BLH(blue light hazard)를 감소시킬 수 있다. 또한, 제2 및 제3 광들(L2, L3)의 세기 비율을 조절함으로써 BLH를 감소시킬 수 있다.
도 7은 도 6의 제2 발광 패키지(50)의 스펙트럼을 보여주는 도면이다. 도 7의 ⓑ는 본 발명의 제2 발광 패키지(50)의 스펙트럼이고, P2은 비교예에 따른 스펙트럼이며, MS는 멜라토닌 분비 억제의 파장별 영향도(MDEF sensitivity)를 나타낸다. 일 예로, ⓑ의 색온도는 10,000K이고, P2의 색온도는 6,500K일 수 있다. 도 7을 참조하면, P2에 비해 ⓑ의 MDEF 지수값이 높으며, 멜라토닌 분비를 억제시킬 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 제2 발광 패키지(50)로 인해 사용자의 활동성이 보다 증가할 수 있고, 아침 또는 낮에 사용되기 적합한 조명일 수 있다. 또한, P2는 청색 대역에서 단일 피크(single peak)를 갖는 반면에, 본 발명의 제2 발광 패키지(50)는 청색 대역에서 듀얼 피크(dual peak)를 가질 수 있다.
도 8a은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈로부터 구현할 수 있는 색온도들에 따른 강도를 나타내는 스펙트럼이다. 도 8a의 데이터는 일 예로, 제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 1,500K이고, 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 10,000K인 경우 획득된 제3 백색 광(WL3)의 스펙트럼 데이터일 수 있다.
도 8a의 실시예들(A0-A10)은 구동 전류 제어부(20)로 제1 발광 패키지(40)와 제2 발광 패키지(50)에 인가되는 구동 전류의 비를 제어한 실시예들일 수 있다. 제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 1,500K이고, 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 10,000K이므로, 구동 전류의 비(1,500K:10,000K)를 제어하여 1,500K 내지 10,000K 내의 다양한 색온도들을 구현할 수 있다.
본 실시예들(A0-A10)에 따른 제3 백색 광의 스펙트럼의 강도를 측정하여 아래의 표 1로 나타내었다. 이하 표 1에 나타낸 B는 상술한 제1 청색광(L1) 및 제2 청색광(L2)과 동일한 파장 대역의 스펙트럼 강도이고, SB는 상술한 제3 청색광(L3)과 동일한 파장 대역의 스펙트럼 강도이다. G1은 약 520nm 내지 약 540nm, G2는 약 540nm 내지 약 560nm, Y는 약 570nm 내지 약 590nm의 파장 대역의 스펙트럼 강도들을 의미할 수 있다. 바람직하게, B는 450nm, SB는 480nm, G1은 530nm, G2는 550nm, Y는 580nm의 피크 파장을 갖는 각 파장 대역의 스펙트럼 강도들을 의미할 수 있다. 이하 각 스펙트럼 강도는 B를 기준으로 작성한 상대 세기로서, B의 값을 1로 변환하였을 때의 기준으로 한 세기일 수 있다.
구동 전류비 B SB B+SB G1 G2 Y Y(ref) Y(Y/Y(ref))
10:0 (A0) 1 0.29 1.29 0.57 1.71 1.36 5.67 24%
9:1 (A1) 1 0.74 1.74 0.45 0.94 0.81 2.61 31%
8:2 (A2) 1 0.88 1.88 0.43 0.71 0.63 1.66 38%
7:3 (A3) 1 0.96 1.96 0.41 0.62 0.57 1.30 44%
6:4 (A4) 1 1.00 2.00 0.40 0.53 0.52 1.02 51%
5:5 (A5) 1 1.03 2.03 0.39 0.49 0.48 0.81 59%
4:6 (A6) 1 1.04 2.04 0.39 0.46 0.46 0.69 67%
3:7 (A7) 1 1.06 2.06 0.38 0.44 0.45 0.59 76%
2:8 (A8) 1 1.07 2.07 0.38 0.42 0.43 0.50 86%
1:9 (A9) 1 1.08 2.08 0.38 0.4 0.42 0.44 96%
0:10 (A10) 1 1.09 2.09 0.38 0.39 0.42 0.39 109%
또한, 본 실시예들(A0-A10)에 따른 제3 백색 광의 광 특성들을 아래의 [표 2]로 나타내었다. 도8에 도시된 제3 백색 광의 스펙트럼은 아래 표2과 같은 광특성과 인간중심지수(Human Centric index)을 나타낸다. 광특성으로는 색온도(correlated color temperature, CCT), 연색지수(color rendering index, CRI) 및 동일 CCT의 기준광원으로부터의 직선거리 (Du’v’)을 측정하였으며, 인간중심지수로는 MDEF (Melanopic daylight equivalent factor)를 측정하였다.
구동 전류비 CCT CRI Du'v' MDEF
10:0 (A0) 1510 86 -0.012 0.23
9:1 (A1) 1843 78 -0.024 0.43
8:2 (A2) 2236 75 -0.031 0.60
7:3 (A3) 2734 76 -0.033 0.73
6:4 (A4) 3396 76 -0.032 0.85
5:5 (A5) 4248 78 -0.029 0.94
4:6 (A6) 5240 80 -0.024 1.03
3:7 (A7) 6308 82 -0.018 1.10
2:8 (A8) 7425 84 -0.013 1.16
1:9 (A9) 8596 85 -0.007 1.22
0:10 (A10) 9828 85 -0.003 1.27
[표 1]을 참조하면, 본 실시예들(A0-A10)에 따른 제3 백색 광의 스펙트럼의 황색 광의 강도(Y)를 확인할 수 있다. 또한, 각각의 색온도에 따른 기준 광(Reference light)의 황색 광의 강도(Y(Ref))를 확인할 수 있다. 이하, 설명의 편의 상 기준 광(Reference light)의 황색 광을 기준 황색 광(Y(Ref))라 지칭한다. [표 1] 및 [표 2]를 참조하면, 발광 모듈이 약 1,500K 내지 약 3,000K의 범위 내의 색온도를 갖는 경우(A0~A3) 기준 황색 광의 강도에 대한 본 실시예에 따른 황색 광의 강도의 비(Y/Y(Ref))가 50%이내인 것을 확인할 수 있다. 즉, 약 1,500K 내지 약 3,000K의 범위 내에서 발광 모듈이 보다 황색 성분이 적은 백색광을 방출한다는 것을 알 수 있다. 상술한 제1 발광 패키지(40)의 필터부(446)로 인해 이러한 백색 광을 방출할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 보다 인간 친화적인 조명을 위한 백색 광을 제공할 수 있다.
본 실시예들(A0-A10)에 따른 제3 백색 광은 제1 피크 파장에 대한 제2 피크 파장의 상대 세기(SB/B)가 약 0.2 내지 1.1일 수 있다. 상기 제3 백색 광은 제1 피크 파장에 대한 제2 피크 파장의 상대 세기(Y/B)가 약 0.4 내지 1.4일 수 있다. 상기 제3 백색 광은 제1 피크 파장에 대한 4 피크 파장의 상대 세기(G1/B 및 G2/B)가 약 0.3 내지 1.8일 수 있다.
상술한 기준 황색 광의 강도에 대한 본 실시예에 따른 황색 광의 강도의 비(Y/Y(Ref))는, 필터부(446)를 포함하는 제1 발광 패키지(40) 및 필터부를 포함하지 않는 제2 발광 패키지(50)를 포함하는 발광 모듈(1)을 이용하여 얻은 결과이므로, 제1 발광 패키지(40)만을 포함하는 경우 또한 이러한 특성을 만족할 수 있음은 자명하다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈로부터 구현할 수 있는 색온도들에 따른 강도를 나타내는 스펙트럼이다. 도 8b는 일 예로, 제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 2,200K이고, 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 6,500K일 수 있다.
도 8b의 실시예들(B0-B10)은 구동 전류 제어부(20)로 제1 발광 패키지(40)와 제2 발광 패키지(50)에 인가되는 구동 전류의 비를 제어한 실시예들일 수 있다. 제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 2,200K이고, 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 6,500K이므로, 구동 전류의 비(2,200K:6,500K)를 제어하여 2,200K 내지 6,500K 내의 다양한 색온도들을 구현할 수 있다.
본 실시예들(B0-B10)에 따른 제3 백색 광의 스펙트럼의 강도를 측정하여 아래의 [표 3]로 나타내었다. 이하 [표 3]에 나타낸 B는 상술한 제1 청색광(L1) 및 제2 청색광(L2)과 동일한 파장 대역의 스펙트럼 강도이고, SB는 상술한 제3 청색광(L3)과 동일한 파장 대역의 스펙트럼 강도이다. G1은 약 520nm 내지 약 540nm, G2는 약 540nm 내지 약 560nm, Y는 약 570nm 내지 약 590nm의 파장 대역의 스펙트럼 강도들을 의미할 수 있다. 바람직하게, B는 450nm, SB는 480nm, G1은 530nm, G2는 550nm, Y는 580nm의 파장 대역의 스펙트럼 강도들을 의미할 수 있다. 이하 스펙트럼 강도들은 B를 기준으로 작성한 상대 강도들이다.
구동 전류비 B SB B+SB G1 G2 Y Y(ref) Y(Y/Y(ref))
10:0 (B0) 0.33 0.07 0.40 0.22 0.51 0.25 0.76 33%
9:1 (B1) 0.42 0.19 0.61 0.25 0.52 0.28 0.79 35%
8:2 (B2) 0.52 0.31 0.83 0.28 0.54 0.32 0.82 39%
7:3 (B3) 0.63 0.45 1.08 0.31 0.56 0.36 0.85 42%
6:4 (B4) 0.74 0.59 1.33 0.35 0.58 0.40 0.88 45%
5:5 (B5) 0.87 0.75 1.62 0.39 0.60 0.45 0.92 49%
4:6 (B6) 1.00 0.92 1.92 0.43 0.62 0.50 0.95 53%
3:7 (B7) 1.15 1.11 2.26 0.48 0.65 0.55 0.98 56%
2:8 (B8) 1.31 1.32 2.63 0.53 0.68 0.61 1.00 61%
1:9 (B9) 1.49 1.54 3.03 0.59 0.71 0.68 1.03 66%
0:10 (B10) 1.69 1.79 3.48 0.65 0.74 0.76 1.06 72%
또한, 본 실시예들(B0-B10)에 따른 백색 광의 광 특성들을 아래의 [표 4]로 나타내었다.
구동 전류비 CCT CRI Du'v' MDEF
10:0 (B0) 2325 88 -0.010 0.42
9:1 (B1) 2511 88 -0.014 0.50
8:2 (B2) 2724 87 -0.018 0.57
7:3 (B3) 2971 86 -0.020 0.65
6:4 (B4) 3259 85 -0.022 0.72
5:5 (B5) 3600 84 -0.023 0.79
4:6 (B6) 4000 84 -0.023 0.86
3:7 (B7) 4468 83 -0.023 0.92
2:8 (B8) 5007 83 -0.022 0.98
1:9 (B9) 5619 82 -0.020 1.04
0:10 (B10) 6308 82 -0.018 1.10
[표 3]을 참조하면, 본 실시예들(B0-B10)에 따른 백색 광의 스펙트럼의 황색 광의 강도(Y)를 확인할 수 있다. 또한, 각각의 색온도에 기준 황색 광(Y(Ref))의 강도를 확인할 수 있다. [표 3] 및 [표 4]를 참조하면, 발광 모듈이 약 1,500K 내지 약 3,000K의 범위 내의 색온도를 갖는 경우(B0~B3) 기준 황색 광의 강도에 대한 본 실시예에 따른 황색 광의 강도의 비(Y/Y(Ref))가 50%이내인 것을 확인할 수 있다. 또한, 발광 모듈이 약 3,000K 내지 약 10,000K의 범위 내의 색온도를 갖는 경우(B4~BA10) 기준 황색 광의 강도에 대한 본 실시예에 따른 황색 광의 강도의 비(Y/Y(Ref))가 50%이상인 것을 확인할 수 있다. 즉, 약 1,500K 내지 약 3,000K의 범위 내에서 발광 모듈이 보다 황색 성분이 적은 백색광을 방출한다는 것을 알 수 있다. 상술한 제1 발광 패키지(40)의 필터부(446)로 인해 이러한 백색 광을 방출할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 보다 인간 친화적인 조명을 위한 백색 광을 제공할 수 있다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈로부터 구현할 수 있는 파장에 따른 피크 강도를 나타내는 스펙트럼이다. 이 때, 제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 2,200K이고, 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 4,000K인 경우 획득된 제3 백색 광(WL3)의 스펙트럼 데이터일 수 있다.
도 9a의 실시예들(C0-C10)은 구동 전류 제어부(20)로 제1 발광 패키지(40)와 제2 발광 패키지(50)에 인가되는 구동 전류의 비를 제어한 실시예들일 수 있다. 제1 발광 패키지(40)의 색온도는 약 2,200K이고, 제2 발광 패키지(50)의 색온도는 약 4,000K이므로, 구동 전류의 비(2,200K:4,000K)를 제어하여 2,200K 내지 4,000K 내의 다양한 색온도들을 구현할 수 있다.
표 5는 실시예들 및 비교예들의 발광 모듈의 CIE 색도도의 x값에 따른 피크 파장의 비의 관계식을 얻기 위한 제1 발광 패키지(40)의 색온도, 제2 발광 패키지(50)의 색온도, 및 구동 전류비를 나타낸다. 비교예들의 경우, 제2 발광 패키지(50)의 제3 발광 소자(520)는 제2 발광 소자(510)과 실질적으로 동일한 피크 파장을 가질 수 있다. 실시예들에 따르면, 제1 백색광의 온도는 2,000K 내지 4,000K이고, 상기 제2 백색광의 색온도는 4,000K 내지 7,000K일 수 있다.
실시예 B 실시예 C 실시예 D 비교예 E 비교예 F
제1 발광 패키지(40)의 색온도 2,200K 2,200K 4,000K 2,200K 2,200K
제2 발광 패키지(50)의 색 온도 6,500K 4,000K 6,500K 6,500K 4,000K
구동 전류비 10:0 (B0) 10:0 (C0) 10:0 (D0) 10:0 (E0) 10:0 (F0)
9:1 (B1) 9:1 (C1) 9:1 (D1) 9:1 (E1) 9:1 (F1)
8:2 (B2) 8:2 (C2) 8:2 (D2) 8:2 (E2) 8:2 (F2)
7:3 (B3) 7:3 (C3) 7:3 (D3) 7:3 (E3) 7:3 (F3)
6:4 (B4) 6:4 (C4) 6:4 (D4) 6:4 (E4) 6:4 (F4)
5:5 (B5) 5:5 (C5) 5:5 (D5) 5:5 (E5) 5:5 (F5)
4:6 (B6) 4:6 (C6) 4:6 (D6) 4:6 (E6) 4:6 (F6)
3:7 (B7) 3:7 (C7) 3:7 (D7) 3:7 (E7) 3:7 (F7)
2:8 (B8) 2:8 (C8) 2:8 (D8) 2:8 (E8) 2:8 (F8)
1:9 (B9) 1:9 (C9) 1:9 (D9) 1:9 (E9) 1:9 (F9)
0:10 (B10) 0:10 (C10) 0:10 (D10) 0:10 (E10) 0:10 (F10)
도 9b는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 모듈의 CIE 색도도(chromaticity diagram)의 x값에 따른 피크 파장의 비를 나타내는 그래프이다. 이 때, 피크 파장의 비는 상기 제3 백색 광의 상기 제1 피크 파장에 대한 상기 제2 피크 파장의 값이다.
표 6은 도 9b의 그래프로부터 CIE 색도도의 x값에 따른 피크 파장의 비의 관계식을 계산한 결과이다.
CIE 색도도의 x값에 따른 피크 파장의 비의 관계식
실시예 B y=-31.994x2+20.169x-1.7907
실시예 C y=-41.575x2+24.575x-1.6662
실시예 D y=-25.445x2-14.508x+3.4637
비교예 E y=7.9445x2-5.7131x+1.2957
도 9b, 표 5, 및 표 6를 참조하면, 실시예 B(B0~B10), 실시예 C(C0~C10), 실시예 D(D0~D10), 비교예 E, 및 비교예 F의 경우, CIE 색도도의 x값에 따른 피크 파장의 비의 관계식은 2차 다항식일 수 있다.
비교예 E 및 비교예 F의 경우, CIE 색도도의 x값에 따른 피크 파장의 비의 값 중 적어도 일부가 제1 관계식(A100) 및 제2 관계식(A200)의 외부에 위치할 수 있다. 제1 관계식(A100) 및 제2 관계식(A200)은 1차 다항식일 수 있다. 제1 관계식(A100)은 -7x+3.5에 해당할 수 있다. 제2 관계식(A200)은 -12x+6.6에 해당할 수 있다.
실시예 B(B0~B10), 실시예 C(C0~C10), 및 실시예 D(D0~D10)의 경우, CIE 색도도의 x값에 따른 피크 파장의 비의 값들이 제1 관계식(A100) 및 제2 관계식(A200) 사이에 위치될 수 있고, 제1 관계식(A100) 및 제2 관계식(A200)의 외부에 외치하지 않을 수 있다. 예를 들어, 실시예 B(B0~B10), 실시예 C(C0~C10), 및 실시예 D(D0~D10)의 경우, CIE 색도도의 x값에 따른 피크 파장의 비의 관계식이 제1 관계식(A100) 및 제2 관계식(A200) 사이에 위치될 수 있다. 이에 따라, 발광 모듈(1)은 인간 친화적인 조명을 위한 백색 광을 제공할 수 있다.
CIE 색도도의 x값에 따른 제3 백색광의 피크 파장의 비의 관계식이 2차 다항식이고, 상기 2차 다항식이 -45 내지 -30의 2차 계수를 갖는 경우, 발광 모듈은 보다 인간 친화적인 조명을 위한 백색 광을 제공할 수 있다. 실시예 B(B0~B10) 및 실시예 C(C0~C10)의 경우, CIE 색도도의 x값에 따른 제3 백색광의 피크 파장의 비의 -45 내지 -30의 2차 계수를 갖는 2차 다항식에 해당할 수 있다. 따라서, 실시예 B(B0~B10) 및 실시예 C(C0~C10)에 따른 발광 모듈(1)은 보다 인간 친화적인 조명을 위한 백색 광을 제공할 수 있다.
본 발명의 개념에 따르면, 낮은 MDEF 지수값을 갖고, 멜라토닌 분비를 증가시키는 제1 발광 패키지(40) 및 높은 MDEF 지수값을 갖고, 멜라토닌 분비를 억제하는 제2 발광 패키지(50)를 포함하는 발광 모듈(1)을 제공함으로써, 보다 인간 친화적인 조명을 위한 백색 광을 제공할 수 있다. 일 예로, 제1 발광 패키지(40)는 사용자가 보다 편안하게 휴식을 취할 수 있어, 저녁 또는 밤에 사용되기 적합한 조명일 수 있고, 제2 발광 패키지(50)는 사용자의 활동성이 보다 증가할 수 있어 아침 또는 낮에 사용되기 적합한 조명일 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈(2)을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 모듈(1)과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 이하 중복되는 설명을 생략한다.
도 10의 발광 모듈(2)은 제3 발광 패키지(60)를 더 포함할 수 있다. 제3 발광 패키지(60)는 제4 발광 소자(610), 제5 발광 소자(620), 제3 하우징(630), 및 제3 파장 변환부(650)를 포함할 수 있다. 제3 발광 패키지(60)의 제4 발광 소자(610), 제5 발광 소자(620), 제3 하우징(630), 및 제3 파장 변환부(650) 각각은 상술한 제2 발광 패키지(50)의 제2 발광 소자(510), 제3 발광 소자(520), 제2 하우징(530), 및 제2 파장 변환부(550) 각각과 동일 또는 유사할 수 있다.
제3 발광 패키지(60)는 제4 백색 광(미도시)을 방출할 수 있다. 제4 백색 광의 색온도는 상술한 제1 백색 광의 색온도 및 제2 백색 광의 색온도 사이의 값일 수 있다. 제4 백색 광의 연색성은 제1 백색 광 및 제2 백색 광의 그것들보다 높을 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 제4 백색 광은 제1 백색 광 및 제2 백색 광들에 비해 다른 우수한 특성(예를 들어, LER 등)을 가질 수 있다. 이에, 특정 색온도의 빛을 방출하고자 할 때, 필요한 특성에 따라 제1 백색 광, 제2 백색 광, 및 제4 백색 광 중 선택적으로 적어도 일부를 on/off시킬 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈(3)을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 모듈(1)과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 이하 중복되는 설명을 생략한다.
제1 파장 변환부(450a)의 제3 파장 변환 물질(442a)과 제4 파장 변환 물질(444a)은 각각 필름(film) 형태로 제공될 수 있다. 제3 파장 변환 필름(442a)과 제4 파장 변환 필름(444a)은 제1 하우징(430) 및 제1 투광성 수지(448) 내에 적층될 수 있다. 제1 투광성 수지(448)는 필터부(446)만을 포함할 수 있다.
제2 파장 변환부(550a)의 제5 파장 변환 물질(542a)과 제6 파장 변환 물질(544a)은 각각 필름(film) 형태로 제공될 수 있다. 제5 파장 변환 필름(542a)과 제6 파장 변환 필름(544a)은 제2 하우징(530) 및 제2 투광성 수지(546) 내에 적층될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈(4)을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 모듈(1)과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 이하 중복되는 설명을 생략한다.
제2 발광 패키지(50b)는 제2 발광 소자(510)만을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 제2 발광 패키지(50b)는 상술한 제3 발광 소자를 포함하지 않을 수 있다. 대신에, 제2 발광 패키지(50b)는 추가 파장 변환 물질(547)을 더 포함할 수 있다. 추가 파장 변환 물질(547)은 제2 발광 소자(510)가 방출하는 제2 청색 광에 의해 여기되어 465㎚∼490㎚ 피크 파장의 제3 광을 방출할 수 있다. 일 예로, 제3 광은 480㎚ 피크 파장을 가질 수 있다.
이상에서는, 발광 모듈이 아침 또는 낮/저녁 또는 밤에 각각 사용되기 적합한 발광 패키지들을 포함하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리, 발광 모듈은 아침 또는 낮에 사용되기 적합한 발광 모듈이거나 저녁 또는 밤에 사용되기 적합한 발광 모듈일 수 있다.
일 예로, 다시 도 4를 참조하면, 도 4의 실시예들(T1-T6)은 약 1,500K의 제1 발광 패키지 및 약 3,000K의 제2 발광 패키지들로부터 획득한 제3 백색 광의 스펙트럼의 강도를 측정하여 아래의 [표 7]로 나타내었다. 이하 [표 7]에 나타낸 B는 상술한 제1 청색광(L1) 및 제2 청색광(L2)과 동일한 파장 대역의 스펙트럼 강도이고, SB는 상술한 제3 청색광(L3)과 동일한 파장 대역의 스펙트럼 강도이다. G1은 약 520nm 내지 약 540nm, G2는 약 540nm 내지 약 560nm, Y는 약 570nm 내지 약 590nm의 파장 대역의 스펙트럼 강도들을 의미할 수 있다. 바람직하게, B는 450nm, SB는 480nm, G1은 530nm, G2는 550nm, Y는 580nm의 피크 파장을 갖는 각 파장 대역의 스펙트럼 강도들을 의미할 수 있다. 이하 각 스펙트럼 강도는 B를 기준으로 작성한 상대 세기로서, B의 값을 1로 변환하였을 때의 기준으로 한 세기일 수 있다.
또한, 실시예들(T1-T6)에 따른 제3 백색 광의 광 특성들을 아래의 [표 8]로 나타내었다. [표 8]을 참조하면, MDEF 지수값이 낮아 저녁 또는 밤에 사용되기 적합한 조명일 수 있다.
B SB B+SB G1 G2 Y Y(ref) Y(Y/Y(ref))
3000K (T1) 0.77 0.18 0.95 0.28 0.57 0.25 0.85 30%
2700K (T2) 0.42 0.15 0.57 0.28 0.57 0.25 0.83 31%
2300K (T3) 0.33 0.07 0.40 0.22 0.51 0.25 0.76 32%
1900K (T4) 0.18 0.05 0.23 0.16 0.40 0.22 0.68 32%
1700K (T5) 0.13 0.03 0.16 0.13 0.34 0.20 0.64 31%
1500K (T6) 0.14 0.04 0.18 0.08 0.24 0.19 0.57 33%
CCT CRI Du'v' MDEF
3000K (T1) 2978 83.4 -0.0219 0.64
2700K (T2) 2759 87.7 -0.0076 0.53
2300K (T3) 2325 88.3 -0.0103 0.42
1900K (T4) 1917 86.4 -0.0076 0.32
1700K (T5) 1736 85.6 -0.0054 0.28
1500K (T6) 1507 85.7 -0.0010 0.23
이와 달리, 약 3,000K의 제1 발광 패키지 및 약 10,000K의 제2 발광 패키지들로부터 획득한 제3 백색 광의 스펙트럼의 강도를 측정하여 아래의 [표 9]로 나타내었다. 이하, [표 9]에 나타낸 B는 상술한 제1 청색광(L1) 및 제2 청색광(L2)과 동일한 파장 대역의 스펙트럼 강도이고, SB는 상술한 제3 청색광(L3)과 동일한 파장 대역의 스펙트럼 강도이다. G1은 약 520nm 내지 약 540nm, G2는 약 540nm 내지 약 560nm, Y는 약 570nm 내지 약 590nm의 파장 대역의 스펙트럼 강도들을 의미할 수 있다. 바람직하게, B는 450nm, SB는 480nm, G1은 530nm, G2는 550nm, Y는 580nm의 피크 파장을 갖는 각 파장 대역의 스펙트럼 강도들을 의미할 수 있다. 이하 각 스펙트럼 강도는 B를 기준으로 작성한 상대 세기로서, B의 값을 1로 변환하였을 때의 기준으로 한 세기일 수 있다.
[표 10]을 참조하면, MDEF 지수값이 높아 아침 또는 밤에 사용되기 적합한 조명일 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 발광 패키지의 색온도는 약 3,000K이고, 제2 발광 패키지의 색온도는 약 10,000K이므로, 구동 전류의 비(3,000K:10,000K)를 제어하여 3,000K 내지 10,000K 내의 다양한 색온도들을 구현할 수 있다.
구동 전류비 B SB B+SB G1 G2 Y Y(ref) Y(Y/Y(ref))
10:0 1.00 0.97 1.97 0.84 0.92 1.09 1.31 83%
9:1 1.00 0.99 1.99 0.75 0.81 0.96 1.16 83%
8:2 1.00 1.00 2.00 0.68 0.74 0.86 1.02 84%
7:3 1.00 1.02 2.02 0.62 0.67 0.78 0.93 84%
6:4 1.00 1.04 2.04 0.57 0.62 0.70 0.82 85%
5:5 1.00 1.05 2.05 0.53 0.56 0.64 0.74 86%
4:6 1.00 1.06 2.06 0.49 0.52 0.58 0.66 88%
3:7 1.00 1.07 2.07 0.46 0.48 0.53 0.59 90%
2:8 1.00 1.00 1.00 1.00 1.00 1.00 1.08 93%
1:9 1.00 1.08 2.08 0.40 0.42 0.45 0.46 97%
0:10 1.00 1.09 2.09 0.38 0.39 0.42 0.40 104%
3000-10000K
구동 전류비		 CCT CRI Du’v’ MDEF Reference MDEF MDEF (%)
10:0 2907 92 -0.015 0.59 0.51 116%
9:1 3114 91 -0.016 0.65 0.55 118%
8:2 3365 90 -0.017 0.7 0.6 117%
7:3 3675 89 -0.018 0.76 0.65 117%
6:4 4060 89 -0.018 0.82 0.72 114%
5:5 4543 88 -0.017 0.89 0.79 113%
4:6 5147 88 -0.016 0.96 0.86 112%
3:7 5906 87 -0.014 1.03 0.95 108%
2:8 6871 87 -0.011 1.11 1.03 108%
1:9 8125 86 -0.007 1.19 1.12 106%
0:10 9828 85 -0.003 1.27 1.2 106%
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

Claims (17)

  1. 제1 발광 패키지에서 방출되는 제1 백색 광 및 제2 발광 패키지에서 방출되는 제2 백색 광이 혼합된 제3 백색 광을 방출하는 백색 발광 모듈에 있어서,
    상기 제1 발광 패키지는:
    제1 피크 파장을 갖는 제1 청색 광을 방출하는 제1 발광 소자; 및
    상기 제1 발광 소자를 둘러싸고 상기 제1 청색 광의 파장의 적어도 일부를 변환시켜 상기 제1 백색 광으로 변환하는 제1 파장 변환부를 포함하고,
    상기 제2 발광 패키지는:
    상기 제1 피크 파장을 갖는 제2 청색 광 및 제2 피크 파장을 갖는 제3 청색 광을 방출하는 제2 발광 소자; 및
    상기 제2 발광 소자를 둘러싸고 상기 제2 및 제3 청색 광들의 파장들의 적어도 일부를 변환시켜 상기 제2 백색 광으로 변환하는 제2 파장 변환부를 포함하되,
    상기 제1 백색 광의 색온도는 1,500K 내지 3,000K이고, 상기 제2 백색 광의 색온도는 3,000 내지 10,000K이며, 상기 제1 피크 파장은 445㎚∼455㎚이고, 상기 제2 피크 파장은 465㎚∼495㎚이되,
    상기 제3 백색 광은 상기 제1 피크 파장에 대한 상기 제2 피크 파장의 상대 세기가 0.2 내지 1.1인 백색 발광 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환부는 상기 제1 청색 광으로부터 일 대역의 파장 성분을 흡수하는 필터부를 더 포함하되,
    상기 필터부는 네오디뮴(Nd) 및 플루오린(F) 중 적어도 하나를 포함하는 백색 발광 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 일 대역의 파장 성분은 제3 피크 파장의 황색 광이고, 상기 제3 피크 파장은 570㎚∼590㎚이되,
    상기 제3 백색 광은 상기 제1 피크 파장에 대한 상기 제3 피크 파장의 상대 세기가 0.4 내지 1.4인 백색 발광 모듈.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제3 백색 광의 색온도가 1,500K 내지 3,000K일 때,
    상기 제3 백색 광은, 색온도가 동일한 기준 광에 대한 상기 제3 피크 파장의 상대 세기가 50% 이하인 백색 발광 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환부는:
    상기 제1 청색 광의 적어도 일부를 변환하여 520㎚∼560㎚의 피크 파장의 광을 방출하며, (Ga, Gd, Y,)2Al5O12:Ce, La3Si6Ni:Ce, Eu-doped (Sr, Ca, Ba)Si2O2N2:Eu, (Sr, Ba)Si2O4:Eu 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 녹색 형광체를 갖는 제3 파장변환 물질; 및
    상기 제1 청색 광의 적어도 일부를 변환하여 600㎚∼645㎚의 피크 파장의 광을 방출하며, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, CaAlSiN3:Eu, KxSiFy:Mn4+(2=x≤=3, 4≤=y≤=7) 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 적색 형광체를 갖는 제4 파장변환 물질을 포함하는 백색 발광 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 백색 광의 기준광원으로부터의 직선거리는 -0.001 내지 -0.035인 백색 발광 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 백색 광의 색온도가 3,000K 내지 10,000K일 때,
    상기 제3 백색 광은 상기 제1 피크 파장에 대한 상기 제2 피크 파장의 상대 세기가 0.9 내지 1.1인 백색 발광 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제3 백색 광은 상기 제1 피크 파장에 대한 제4 피크 파장의 상대 세기가 0.3 내지 1이고,
    상기 제4 피크 파장은 520㎚∼560㎚인 백색 발광 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 파장 변환부는,
    상기 제2 및 제3 청색 광들의 적어도 일부를 변환하여 520㎚∼560㎚의 피크 파장의 광을 방출하며, (Ga, Gd, Y,)2Al5O12:Ce, La3Si6Ni:Ce, Eu-doped (Sr, Ca, Ba)Si2O2N2:Eu, (Sr, Ba)Si2O4:Eu 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 녹색 형광체를 갖는 제5 파장변환 물질; 및
    상기 제2 및 제3 청색 광들의 적어도 일부를 변환하여 600㎚∼645㎚의 피크 파장의 광을 방출하며, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, CaAlSiN3:Eu, KxSiFy:Mn4+(2=x≤=3, 4≤=y≤=7) 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 적색 형광체를 갖는 제6 파장변환 물질을 포함하는 백색 발광 모듈.
  10. 제 1 항에 있어서,
    제4 백색 광을 방출하는 제3 발광 패키지를 더 포함하되,
    상기 제4 백색 광의 색온도는 상기 제1 백색 광의 색온도와 상기 제2 백색 광의 색온도 사이인 백색 발광 모듈.
  11. 제 1 항에 있어서,
    CIE 색도도의 x값에 따른 상기 제3 백색광의 피크 파장의 비의 관계식에서 2차 계수는 -45 내지 -30이고,
    상기 피크 파장의 비는 상기 제3 백색 광의 상기 제1 피크 파장에 대한 상기 제2 피크 파장의 값인 백색 발광 모듈
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 백색광의 온도는 2,000K 내지 4,000K이고,
    상기 제2 백색광의 색온도는 4,000K 내지 7,000K인 백색 발광 모듈.
  13. 제1 발광 패키지에서 방출되는 제1 백색 광 및 제2 발광 패키지에서 방출되는 제2 백색 광이 혼합된 제3 백색 광을 방출하는 백색 발광 모듈에 있어서,
    상기 제1 발광 패키지는:
    425㎚∼455㎚ 피크 파장의 제1 청색 광을 방출하는 제1 발광 소자;
    상기 제1 발광 소자를 둘러싸고 상기 제1 청색 광의 파장의 적어도 일부를 변환시켜 상기 제1 백색 광으로 변환하는 제1 파장 변환부; 및
    상기 제1 청색 광을 필터링하여 상기 제1 청색 광으로부터 570㎚∼590㎚ 대역을 흡수하는 필터부를 포함하고,
    상기 제2 발광 패키지는:
    상기 제1 피크 파장을 갖는 제2 청색 광 및 제2 피크 파장을 갖는 제3 청색 광을 방출하는 제2 발광 소자; 및
    상기 제2 발광 소자를 둘러싸고 상기 제2 및 제3 청색 광들의 파장들의 적어도 일부를 변환시켜 상기 제2 백색 광으로 변환하는 제2 파장 변환부를 포함하되,
    상기 제1 백색 광의 색온도는 1,500K 내지 3,000K이고, 상기 제2 백색 광의 색온도는 3,000 내지 10,000K이며, 상기 제3 백색 광의 색온도는 1,500K 내지 10,000K이되,
    상기 제3 백색광은, 상기 1,500K 내지 3,000K에서 동일 색온도의 기준 광에 대한 570㎚∼590㎚ 대역의 상대 강도는 50% 이하인 백색 발광 모듈.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 필터부는, 네오디뮴(Nd) 및 플루오린(F) 중 적어도 하나를 포함하는 백색 발광 모듈.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 필터부는 상기 제1 파장 변환부 내에 포함되는 백색 발광 모듈.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제3 백색 광의 기준광원으로부터의 직선거리는 -0.001 내지 -0.035인 백색 발광 모듈.
  17. 제 13 항에 있어서,
    제4 백색 광을 방출하는 제3 발광 패키지를 더 포함하되,
    상기 제4 백색 광의 색온도는 상기 제1 백색 광의 색온도와 상기 제2 백색 광의 색온도 사이의 값인 백색 발광 모듈.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10642087B2 (en) 2014-05-23 2020-05-05 Eyesafe, Llc Light emission reducing compounds for electronic devices
CN112640582B (zh) * 2018-08-31 2024-05-31 昕诺飞控股有限公司 一种光生成器件及照明系统
US11592701B2 (en) 2018-11-28 2023-02-28 Eyesafe Inc. Backlight unit with emission modification
US11810532B2 (en) 2018-11-28 2023-11-07 Eyesafe Inc. Systems for monitoring and regulating harmful blue light exposure from digital devices
US11126033B2 (en) 2018-11-28 2021-09-21 Eyesafe Inc. Backlight unit with emission modification
US10971660B2 (en) * 2019-08-09 2021-04-06 Eyesafe Inc. White LED light source and method of making same
CN111540734B (zh) * 2020-05-08 2021-08-24 开发晶照明（厦门）有限公司 发光装置
CN112420902A (zh) * 2020-11-26 2021-02-26 欧普照明股份有限公司 一种光源模组及包括该光源模组的照明装置
TWI801848B (zh) * 2021-04-23 2023-05-11 元太科技工業股份有限公司 反射式顯示器及其白光源

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US8643038B2 (en) 2010-03-09 2014-02-04 Cree, Inc. Warm white LEDs having high color rendering index values and related luminophoric mediums
JP2011258649A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Sanken Electric Co Ltd 照明装置及び照明装置の制御方法
TW201201876A (en) 2010-07-09 2012-01-16 Nat Univ Tsing Hua Lighting device capable of reducing the phenomenon of melatonin suppression
US8198803B2 (en) 2010-07-30 2012-06-12 Everlight Electronics Co., Ltd. Color-temperature-tunable device
US8967846B2 (en) 2012-01-20 2015-03-03 Lumencor, Inc. Solid state continuous white light source
EP2896078A4 (en) 2012-09-13 2016-05-25 3M Innovative Properties Co EFFICIENT LIGHTING SYSTEM HAVING A BROAD RANGE OF COLORS
US10838253B2 (en) * 2012-12-28 2020-11-17 Industrial Technology Research Institute Light source apparatus and display apparatus
US10485070B2 (en) * 2012-12-28 2019-11-19 Industrial Technology Research Institute Light source apparatus and display apparatus
DK2982224T3 (en) 2013-04-04 2019-01-21 Circadian Zirclight Inc LIGHTING SYSTEMS TO PROTECT CIRCADIC NEUROENDOCRINE FUNCTION
JP6262211B2 (ja) * 2013-04-15 2018-01-17 シャープ株式会社 照明装置、照明機器および表示装置
US9915775B2 (en) 2013-08-29 2018-03-13 Soraa, Inc. Circadian-friendly LED light sources
US10381527B2 (en) * 2014-02-10 2019-08-13 Consumer Lighting, Llc Enhanced color-preference LED light sources using yag, nitride, and PFS phosphors
JP6455817B2 (ja) 2014-09-12 2019-01-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
KR102443035B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
US9788387B2 (en) 2015-09-15 2017-10-10 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
WO2017131697A1 (en) 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Systems for providing tunable white light with high color rendering
KR102678905B1 (ko) 2017-02-10 2024-06-26 삼성전자주식회사 Led 조명 장치
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device

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US11251344B2 (en) 2022-02-15

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