TW201318942A - 製造平面顯示器之裝置 - Google Patents

製造平面顯示器之裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201318942A
TW201318942A TW101141229A TW101141229A TW201318942A TW 201318942 A TW201318942 A TW 201318942A TW 101141229 A TW101141229 A TW 101141229A TW 101141229 A TW101141229 A TW 101141229A TW 201318942 A TW201318942 A TW 201318942A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
region
chamber
processing
along
Prior art date
Application number
TW101141229A
Other languages
English (en)
Inventor
Hyoung-Bae Lee
Whang-Sin Cho
Woo-Jung Ahn
Ki-Chul Song
Original Assignee
Snu Precision Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Snu Precision Co Ltd filed Critical Snu Precision Co Ltd
Publication of TW201318942A publication Critical patent/TW201318942A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Abstract

本發明揭示一種用於製造平面顯示器之裝置，該裝置包括複數個處理室、一轉移室、一加載室與一去載室。該等複數個處理室利用內部空間形成，其中可處理至少兩基材。該轉移室沿著一第一方向配置在該等複數個處理室之間，且包括一自動轉運機，當沿著一垂直於該第一方向的第二方向直線往復運動時，可供應一未處理過的基材至該處理室或從該處理室排放一處理過的基材。該加載室耦合至該轉移室的一側且調適供應給該轉移室的基材。該去載室耦合至該轉移室的另一側，且適應從該轉移室排放的基材。當沿著該第二方向直線往復運動時，該自動轉運機控制連續供應給該處理室或從該處理室排放的基材。

Description

製造平面顯示器之裝置
本發明有關一種用於製造平面顯示器之裝置，且更特別係，有關一種用於製造一有機薄膜可沉積於一有機發光顯示器器件平面上之平面顯示器之裝置。
在製造一平面顯示器(Flat Panel Display，FPD)的處理中，基材處理過程(諸如，一用於沉積薄膜在基材的沈積處理、一光微影處理、一蝕刻處理、洗滌、乾燥、或用於移除於處理過程中所產生殘留物的類似清潔處理、各種不同表面處理過程等)重複多次。該等處理之每一者可在一處理室(Process Chamber，PM)執行。
此一處理室連同一轉移室構成一叢集。在一般的叢集中，複數個處理室連接至一轉移室。即是，該叢集典型包括：處理室，其中執行基材處理過程；及轉移室，透過該轉移室，處理過基材從處理室轉移。
同時，有一用於有機發光顯示器(Orgahic Light Emitting Display，OLED)器件的平面，作為平面之一者，可以具有前面結構的一習知叢集加以製造。有機發光顯示器器件為一自我發光顯示器，此為利用當電流在螢光或磷光有機薄膜中流動，而電子與電洞組合在一有機層時發光的原理。隨著最近智慧型手機的廣泛流行，使用以低功率操作的平面有機發光顯示器器件已增 加。因此，改善有機發光顯示器器件平面的生產力的需要已成長。
當製造有機發光顯示器器件之平面時，在基材上沉積有機薄膜之沈積處理為必要的。為了執行沈積處理，轉移基材至腔室之程序、排列一光罩與基材之程序等必須預先實施。不過，當轉移基材及排列光罩時，一習知的製造裝置不可能執行沈積處理。換句話說，存在問題為整個處理時間增加，因為沈積處理從轉移基材與排列光罩處理分開執行。
因此，本發明想要解決先前的問題，且本發明之一態樣是要提供一種用於製造平面顯示器之裝置，其中一處理室調適兩基材，且如此當另一基材歷經一沈積處理時，一基材可轉移且排列，藉此減少沉積一有機薄膜在基材上的整個處理時間。
根據本發明之一態樣，提供一種用於製造平面顯示器之裝置，該裝置包括：複數個處理室，利用內部空間形成，其中可處理至少兩基材；一轉移室，沿著一第一方向配置在複數個處理室之間，且包括一自動轉運機，當沿著垂直於第一方向的一第二方向直線往復運動時，供應一未處理過的基材至處理室或從處理室排放一處理過的基材；一加載室，耦合至轉移室的一側且調適供應給轉移室的基材；及一去載室，耦合至轉移室的另 一側，且調適從轉移室排放的基材，當沿著第二方向直線往復運動時，自動轉運機可控制連續供應給處理室或從處理室排放的基材，且在處理室中，一基材歷經處理氣體的沈積且同時轉移另一基材且沿著第二方向排列。
處理室可包括：一主體構件，該主體構件具有一內部空間，該內部空間包括一第一區域與一第二區域，該第二區域與該第一區域相鄰，且在一側開啟以與轉移室溝通；支撐單元，分別安裝在第一區域與第二區域以支撐及排列轉移給該主體構件的一基材；一沈積源，配置在該主體構件的內部空間，且噴灑處理氣體在一基材上；一驅動單元，驅動該沈積源沿著第二方向直線往復運動；及一控制器，控制驅動單元以驅動該沈積源在第一區域與第二區域之間的往復運動。
控制器可控制驅動單元，以當沿著第一區域的第二方向從第一區域的一最初位置移動沈積源時，重複處理一基材之程序，且當沿著第二區域的第二方向使沈積源移向第二區域，及返回最初位置時，重複處理另一基材之程序，且在第一區域的基材與第二區域的基材全部處理之後，自動轉運機可從第一區域與第二區域排放處理過基材，且供應新基材至第一區域與第二區域。
控制器可控制驅動單元，以當沈積源沿著第二方向連續移至第一區域與第二區域時，重複處理第一區域的基材與第二區域的基材之程序，且當沈積源沿著第二方 向連續移至第二區域與第一區域時，重複處理第二區域的基材與第一區域的基材之程序，且在第一區域的基材處理之後，當要處理第二區域的基材時，自動轉運機從第一區域排放處理過基材，且供應一新基材至第一區域，且然後在第二區域的基材處理之後，當要處理第一區域的基材時，從第二區域排放處理過基材及供應一新基材至第二區域。
自動轉運機可經由轉移室從加載室供應一基材至複數個處理室中的一第一處理室，經由轉移室排放及供應在第一處理室完全處理的基材至複數個處理室中的第二處理室，且經由轉移室從第二處理室至去載室排放在第二處理室完全處理的基材。
沈積源可包括一或多個蒸發源，該等蒸發源分別對應一或多個同時沉積的材料。
沈積源可採複數個配置且沿著第二方向隔開。
複數個處理室可彼此隔開，且沿著第二方向配置在轉移室的一側邊。
轉移室可包括兩自動轉運機，且自動轉運機沿著第一方向彼此隔開，且配置沿者第二方向直線往復運動。
以下，將參考附圖詳細描述用於製造根據本發明的平面顯示器之裝置的示範性具體實施例。
圖1為示意說明用於製造根據一示範性具體實施例的平面顯示器之裝置的平面圖；圖2為顯示用於製造圖1的平面顯示器之裝置中的處理室之內部的側視圖；圖3顯示用於製造圖1的平面顯示器之裝置中的處理室之外部；圖4a至4g顯示當在用於製造圖1的平面顯示器之裝置中處理時，基材轉移的連續處理；及圖5示意顯示在用於製造圖1的平面顯示器之裝置中的處理室之另一範例。
請即參考圖1至5，一種用於製造根據一具體實施例的平面之裝置(100)(其中執行有關一有機發光顯示器器件的平面之一有機薄膜的沈積處理)包括一處理室(110)、一轉移室(120)、一加載室(130)與一去載室(140)。
處理室(110)為使用供處理至少兩基材(10)的內部空間形成，且如此處理基材(10)。在處理室(110)中，一用於製造有機發光顯示器器件所需的有機薄膜為沉積在基材(10)上。
轉移室(120)連接複數個處理室(110)，且沿著一第一方向L1安置在複數個處理室(110)之間。轉移室(120)包括一自動轉運機(123)，用以當沿著垂直於第一方向 L1的一第二方向L2往復運動時，供應一未處理過的基材(10)至處理室(110)或從處理室(110)排放一處理過的基材(10)。轉移室(120)可維持真空。此轉移室(120)將稍後描述。
加載室(130)耦合至轉移室(120)的一側，且調適待供應給轉移室(120)的未處理過的基材(10)。加載室(130)的內部空間調適複數個基材(10)，其中在處理室(110)中待執行的一處理程序尚未運用，且在加載室(130)中待命。
去載室(140)耦合至轉移室(120)的另一側，且調適從轉移室(120)完全處理及排放的基材(10)。去載室(140)的內部空間調適複數個基材(10)，該等複數個基材是在去載室(140)待命，以在先前的處理室(110)處理之後，在下一處理室(110)中處理。
根據本發明之一具體實施例，用於製造平面顯示器之裝置(100)的處理室(110)執行有關至少兩基材(10)的處理。同時，處理室(110)提供於第一方向L1供應及排放至少兩基材(10)，使得處理氣體可沉積在一基材(10)上，且同時，另一基材(10)可沿著垂直於第一方向L1的第二方向L2加以轉移及排列。為了這個目的，處理室(110)使用至少兩開口(115)貫穿形成，該等開口之每一者為同基材(10)可通過的大小。
請即參考圖2與3，處理室(110)包括一主體構件(111)、支撐單元(112)、一沈積源(113)、驅動單元(114)、與一控制器(圖未顯示)。
主體構件(111)使用內部空間形成。內部空間包括一第一區域A、與一第二區域B，該第二區域B為相鄰第一區域A。在此，第一區域A與第二區域B可分別對應當主體構件(111)的內部空間完全垂直分成二等份的空間。如上述，主體構件(111)可在一測使用至少兩開口(115)形成。開口(115)可在從主體構件(111)底部的相同高度上平行安置。基材(10)可通過開口(115)進入及離開轉移室(120)。
支撐單元(112)支撐及排列轉移給主體構件(111)的基材(10)。在此，一支撐單元(112)安置在第一區域A，且另一支撐單元(112)安置在第二區域B。兩支撐單元(112)儘可能沿著第二方向L2彼此相鄰配置。此可藉由減少支撐單元(112)佔用的空間以減少處理室(110)的尺寸，且藉由減少驅動單元(114)操作的衝程，允許一驅動單元(114)(稍後描述)快速轉移，使沈積源(113)從第一區域A移至第二區域B。
如果在支撐單元(112)間存有較多空間、或如果存在沈積源(113)可停留一段特定時間的空間，生產成本便可能增加，因為處理室(110)的尺寸增加同此空間的大小，且處理基材所需的時間可能增加，因為基材的處 理延遲同在驅動單元(114)驅動沈積源(113)以通過此空間過程的長度。相反地，根據本發明之一示範性具體實施例，用於製造平面顯示器之裝置(100)的處理室(110)在支撐單元(112)之間沒有浪費空間，所以沈積源(113)可快速在第一區域A與第二區域B之間移動，藉此快速達成處理氣體的沈積處理。
沈積源(113)為安置在主體構件(111)的內部空間，且噴灑處理氣體在基材(10)上。例如，沈積源(113)可為一線性沈積源(113)。在此示範性具體實施例中，從沈積源(113)噴灑的處理氣體為一用來製造有機發光顯示器器件之有機材料。
請即參考圖2，一單沈積源(113)為安置在主體構件(111)的內部空間，但不受此限制。或者，如圖5所示，複數個沈積源(113)可安置在一處理室(110’)且沿著第二方向L2隔開。個別的沈積源(113)可同時噴灑處理氣體，如此增加處理室(110’)的噴灑處理氣體量，藉此縮短沈積處理所需的時間。
同時，每一沈積源(113)可包括一或多個蒸發源(113)，該等蒸發源分別調適一或多個材料以同時沉積一或多個材料在處理室(110’)的基材(10)上。從個別蒸發源(113)噴灑的材料混合構成處理氣體。
驅動單元(114)驅動沈積源(113)以沿著第二方向 L2直線往復運動。例如，驅動單元(114)可包括一線性馬達與一直線運動導引。該線性馬達提供一驅動力以使沈積源(113)直線往復運動，且沈積源(113)接受驅動力，並沿著直線運動導引在第二方向L2直線往復運動。熟諳此技者熟知此結構，所以將省略詳細描述。
該控制器控制該驅動單元(114)以驅動沈積源(113)在第一區域A與第二區域B之間的往復運動。該控制器控制該驅動單元(114)，以在一基材(10)由第一區域A的沈積源(113)處理之後，毫無停留使沈積源(113)移至第二區域B，且在另一基材(10)由第二區域B的沈積源(113)處理之後，毫無停留使沈積源(113)返回至第一區域A。因此，當沈積源(113)由驅動單元(114)在第一區域A與第二區域B之間移動時，控制器可毫無時間延遲快速處理兩基材(10)。
請即參考圖1，轉移室(120)包括自動轉運機(123)，可沿著第二方向直線往復運動及轉移基材(10)，且該自動轉運機(123)包括一轉移單元(121)與一機械臂(122)。
轉移單元(121)沿著第二方向L2直線往復運動。轉移單元(121)在加載室(130)與去載室(140)之間直線往復運動。
機械臂(122)為旋轉式耦合至在轉運機上的轉移單 元(121)，且於第一方向L1供應基材(10)給處理室(110)或於第一方向L1從處理室(110)排放基材(10)。在基材(10)位在機械臂(122)頂端的情況中，機械臂(122)移動昇降，以供應基材(10)給處理室(110)或從處理室(110)排放基材(10)。透過具有此結構的轉移室(120)，基材(10)可在處理室(110)同時處理、供應及排放。
當沿著第二方向L2直線往復運動時，自動轉運機(123)允許基材(10)連續供應給處理室(110)及從其排放。自動轉運機(123)經由處理室(110)的一開口(115)轉移處理過的基材(10)與未處理過的基材(10)，沿著第二方向L2直線往復運動以改變在轉移室(120)的位置，且經由另一開口(115)轉移處理過的基材(10)與未處理過的基材(10)。即是，自動轉運機(123)在轉移室(120)中重複直線往復運動，且與處理室(110)交換基材(10)。
下面，將描述藉由控制器與自動轉運機(123)處理基材(10)之方法。
根據一示範性具體實施例，該控制器控制該驅動單元(114)，以當沿著第一區域A的第二方向L2從第一區域A的一最初位置移動沈積源(113)時，重複處理一基材(10)之程序，且當沿著第二區域B的第二方向L2使沈積源(113)移向第二區域B且返回至該最初位置時，重複處理另一基材(10)之程序。在此，第一區域A的最 初位置視為相鄰第一區域A的處理室(110)之一側壁的位置，作為基材(10)的沈積在第一區域A開始的位置。
此時，在第一區域A的基材與第二區域B的基材全部處理之後，自動轉運機(123)從第一區域A與第二區域B排放處理過的基材(10)，且供應新基材至第一區域A與第二區域B。在完成基材(10)的處理之後，處理過基材(10)的排放與新基材(10)的供應會連續執行。
根據另一示範性具體實施例，該控制器控制該驅動單元(114)，以當沈積源(113)沿著第二方向L2連續移至第一區域A與第二區域B時，重複處理第一區域A的基材與第二區域B的基材之程序向，且當沈積源(113)沿著第二方向L2連續移至第二區域B與第一區域A時，重複處理第二區域B的基材與第一區域A的基材之程序。
此時，在處理第一區域A的基材之後，當第二區域B的基材待處理時，自動轉運機(123)從第一區域A排放處理過的基材(10)，且供應一新基材(10)至第一區域A，且然後在處理第二區域B的基材之後，當第一區域A的基材待處理時，從第二區域B排放處理過的基材(10)及供應一新基材(10)至第二區域B。
基材的處理與轉移為以一方法同時執行，該方法為一基材(10)為完全處理，且當另一基材(10)待處理時， 供應一新基材(10)，使得每單位時間處理的基材數目多於用於製造平面顯示器的習知裝置所提供處理室的基材數目，藉此改善生產力。
隨著此結構，用於製造根據本發明之一具體實施例的平面顯示器之裝置(100)的操作將參考圖1至5描述。如果在處理室(110)的第一區域A中的基材(10b)由沈積源(113)完全處理，如圖4a所示，安置在加載室(130)的一未處理過的基材(10a)由自動轉運機(123)轉移至處理室(110)，如圖4b所示。在第一區域A完全處理的基材(10b)由自動轉運機(123)向外排放，且待處理的基材(10a)位於第一區域A的支撐單元(112)。支撐單元(112)係與一光罩排列，使得從沈積源(113)噴灑的處理氣體可一致性沉積在基材(10)上。同時，當在第二區域B直線往復運動時，沈積源(113)可由驅動單元(114)快速移至第二區域B，及噴灑待沉積的處理氣體在基材(10)上。此外，如圖4c與4d所示，自動轉運機(123)轉移基材(10)至去載室(140)，以排放基材。
如圖4e至4g所示，當基材(10b)要在第二區域B處理時，自動轉運機(123)移至加載室(130)及轉移基材(10a)至第二區域B，排放在第二區域B完全處理的基材(10b)，輸出，及供應待處理的基材(10a)至第二區域B。即是，當在第一區域A與第二區域B之間往復運動時，沈積源(113)連續處理基材(10a)，且安置在加載室(130)的基材(10a)由自動轉運機(123)交替供應至處理 室(110)的第一區域A與第二區域B。這些操作會不斷重複。
在此示範性具體實施例中，在處理室(110)處理過的基材(10)轉移至去載室(140)，但不受此限制。或者，在一處理室(110)處理過的基材(10)轉移至及在另一處理室(110)中處理，且然後轉移至去載室(140)。
即是，基材(10)為經由轉移室(120)從加載室(130)供應至複數個處理室(110)中的一第一處理室(110)(例如，處理室安置在轉移室的右邊)，且在第一處理室(110)完全處理的基材(10)從第一處理室(110)排放，且經由轉移室(120)供應至複數個處理室中的一第二處理室(110)(例如，處理室安置在轉移室的左邊)。然後，在第二處理室(110)完全處理的基材(10)經由轉移室(120)從第二處理室(110)排放至去載室(140)。
如上述，在用於製造根據本發明之一具體實施例平面顯示器之裝置(100)中，一旦基材(10)完全處理，沈積源(113)可毫無延遲從第一區域A移至第二區域B，且在第二區域B連續處理另一基材(10)，藉此縮短處理時間及改善生產力。
同時，如上述，在用於製造根據本發明之一具體實施例的平面顯示器之裝置(100)中，兩支撐單元(112)配置在其間留有小空間，使得可減小處理室(110)，即 使可調適兩基材(10)，藉此減少處理室(110)的製造成本。
同時，請即參考圖6，一種用於製造根據另一示範性具體實施例的平面顯示器之一裝置(200)包括複數個處理室(110)，該等複數個處理室配置在轉移室(120)的側邊，且沿著第二方向L2彼此隔開。隨著此結構，單位時間可處理更多的基材，且相較於圖1的裝置(100)的生產力，如此更加改善用於製造平面顯示器的生產力。
在有複數個處理室(110)的情況，轉移室(120)可包括如圖7所示的兩自動轉運機(123)，且自動轉運機(123)沿著第一方向L1彼此隔開，且配置沿著第二方向L2直線往復運動。
一自動轉移機(123)供應基材(10)至處理室(110a)，該處理室耦合至轉移室(120)的一側或排放來自處理室(110a)的基材(10)，且另一自動轉運機(123)供應基材(10)至處理室(110b)，該處理室耦合至轉移室(120)的另一側，或從處理室(110b)排放基材(10)。隨著此結構，可提高不僅從處理室(110)排放處理過的基材(10)且亦供應基材(10)至處理室(110)的速度。
在用於製造根據本發明之一具體實施例的平面顯示器之裝置中，基材的處理和移動為同時執行，且每單 位時間可處理更多的基材，藉此改善生產力。
同時，在用於製造根據本發明之一具體實施例的平面顯示器之裝置中，用於處理在處理室中基材的兩區域為彼此相鄰，使得可減小處理室的尺寸，藉此減少裝置的整個尺寸，且可減少轉移沈積源的距離與時間，藉此縮短整個處理時間。
此外，在用於製造根據本發明之一具體實施例的平面顯示器之裝置中，即使複數個處理室採列配置，可提供自動轉運機在處理室之間的直線往復運動，使得處理室的數目與配置之各種不同組合可根據工廠的內部架式構成。
雖然本發明的一些示範性具體實施例已顯示及描述，但熟諳此技者應明白，這些具體實施例可進行變更，不致悖離本發明的原則與精神，且本發明的範疇定義在文後申請專利範圍及其等效物。
10‧‧‧基材
10a‧‧‧基材
10b‧‧‧基材
100‧‧‧裝置
110‧‧‧處理室
110’‧‧‧處理室
110a‧‧‧處理室
110b‧‧‧處理室
111‧‧‧主體構件
112‧‧‧支撐單元
113‧‧‧沈積源
114‧‧‧驅動單元
115‧‧‧開口
120‧‧‧轉移室
121‧‧‧轉移單元
122‧‧‧機械臂
123‧‧‧自動轉運機
130‧‧‧加載室
140‧‧‧去載室
200‧‧‧裝置
本發明的上述及/或其他態樣可從下面連同附圖的示範性具體實施例的描述變得更明白，其中：圖1為示意說明用於製造根據一示範性具體實施例的平面顯示器之裝置的平面圖；圖2為顯示用於製造圖1的平面顯示器之裝置中的 處理室之內部的側視圖；圖3顯示用於製造圖1的平面顯示器之裝置中的處理室之外部；圖4a至4g顯示當在用於製造圖1的平面顯示器之裝置中處理時，基材轉移的連續處理；圖5示意顯示在用於製造圖1的平面顯示器之裝置中的處理室之另一範例；圖6為示意說明用於製造根據本發明之另一示範性具體實施例的平面顯示器之裝置的平面圖；及圖7為示意說明用於製造根據本發明之一示範性具體實施例的平面顯示器之裝置的平面圖。
10‧‧‧基材
100‧‧‧裝置
110‧‧‧處理室
120‧‧‧轉移室
121‧‧‧轉移單元
122‧‧‧機械臂
123‧‧‧自動轉運機
130‧‧‧加載室
140‧‧‧去載室

Claims (9)

  1. 一種用於製造平面顯示器之裝置，該裝置包括：複數個處理室，利用內部空間形成，其中可處理至少兩基材；一轉移室，沿著一第一方向配置在該等複數個處理室之間，且包括一自動轉運機，當沿著垂直於該第一方向的一第二方向直線往復運動時，供應一未處理過的基材至該處理室，或從該處理室排放一處理過的基材；一加載室，耦合至該轉移室的一側，且調適供應給該轉移室的基材；及一去載室，耦合至該轉移室的另一側，且調適從該轉移室排放的基材；當沿著該第二方向直線往復運動時，該自動轉運機可控制連續供應給該處理室或從該處理室排放的基材；及在該處理室中，一基材歷經處理氣體的沈積且同時另一基材沿著該第二方向轉移及排列。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於製造平面顯示器之裝置，其中該處理室包括：一主體構件，該主體構件具有一內部空間，該內部空間包含一第一區域與一第二區域，該第二區域相鄰該第一區域，且在一側開啟以與該轉移室溝通；支撐單元，分別安裝在該第一區域與該第二區域， 以支撐及排列轉移給該主體構件的基材；一沈積源，配置在該主體構件的該內部空間，且噴灑處理氣體在一基材上；一驅動單元，驅動該沈積源以沿著該第二方向直線往復運動；及一控制器，控制該驅動單元以驅動該沈積源在該第一區域與該第二區域之間的往復運動。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之用於製造平面顯示器之裝置，其中該控制器控制該驅動單元，以當沿著該第一區域的該第二方向從該第一區域的一最初位置移動該沈積源時，重複處理一基材之程序，且當沿著第二區域的該第二方向使該沈積源移向該第二區域及返回該最初位置時，重複處理另一基材之程序；及在該第一區域的基材與該第二區域的基材全部處理之後，該自動轉運機排放來自該第一區域與該第二區域的該等處理過的基材，且供應新基材至該第一區域與該第二區域。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之用於製造平面顯示器之裝置，其中該控制器控制該驅動單元，以當該沈積源沿著該第二方向連續移至該第一區域與該第二區域時，重複處理在該第一區域的基材與在該第二區域的基材之程序，且當該沈積源沿著該第二方向連續移至該第二區域與該第一區域時，重複處理在該第二區域的基材與在該第一區域的基材之程序；及 在處理該第一區域的基材之後，當要處理在該第二區域的基材時，該自動轉運機排放來自該第一區域的該等處理過的基材，且供應一新基材至該第一區域，且然後在處理該第二區域的基材之後，當要處理在該第一區域的基材時，便排放來自該第二區域的該等處理過的基材，且供應一新基材至該第二區域。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於製造平面顯示器之裝置，其中該自動轉運機經由該轉移室從該加載室至在該等複數個處理室中的一第一處理室供應一基材，經由該轉移室從該第一處理室至在該等複數個處理室中的一第二處理室排放及供應在該第一處理室完全處理的基材，且經由該轉移室從該第二處理室至該去載室排放在該第二處理室完全處理的基材。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之用於製造平面顯示器之裝置，其中該沈積源包括一或多個蒸發源，該等蒸發源分別對應一或多個同時沉積的材料。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之用於製造平面顯示器之裝置，其中該等沈積源採複數個配置，且沿著該第二方向隔開。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之用於製造平面顯示器之裝置，其中該等複數個處理室彼此隔開且沿著 該第二方向配置在該轉移室的一側邊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之用於製造平面顯示器之裝置，其中該轉移室包括兩自動轉運機；及該自動轉運機沿著該第一方向彼此隔開且配置為沿著該第二方向直線往復運動。
TW101141229A 2011-11-11 2012-11-07 製造平面顯示器之裝置 TW201318942A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110117311A KR101293024B1 (ko) 2011-11-11 2011-11-11 평판패널 제조장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201318942A true TW201318942A (zh) 2013-05-16

Family

ID=48314884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101141229A TW201318942A (zh) 2011-11-11 2012-11-07 製造平面顯示器之裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2013104131A (zh)
KR (1) KR101293024B1 (zh)
CN (1) CN103107132A (zh)
TW (1) TW201318942A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI643799B (zh) * 2017-12-01 2018-12-11 瑩耀科技股份有限公司 半導體輸送系統
TWI814161B (zh) * 2021-08-06 2023-09-01 大陸商超捷半導體設備（深圳）有限公司 基材的上下料裝置及上料方法、下料方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103789732A (zh) * 2014-02-13 2014-05-14 上海和辉光电有限公司 蒸镀机以及蒸镀方法
KR102150452B1 (ko) * 2014-03-31 2020-09-01 주식회사 선익시스템 클러스터형 증착장치
JP2016117915A (ja) * 2014-12-18 2016-06-30 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着方法
JP7188973B2 (ja) * 2018-10-15 2022-12-13 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、製造システム、有機ｅｌパネルの製造システム、成膜方法、及び有機ｅｌ素子の製造方法
CN112623700A (zh) * 2020-12-04 2021-04-09 深圳市韩安特科技有限公司 显示屏维修设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW466622B (en) * 1996-09-11 2001-12-01 Hitachi Ltd Operating method of vacuum processing device and vacuum processing device
CN1163953C (zh) * 2000-12-11 2004-08-25 矽品精密工业股份有限公司 可防止溢胶的基板式半导体装置封装方法
JP4538650B2 (ja) * 2004-06-18 2010-09-08 京セラ株式会社 蒸着装置
CN101167173B (zh) * 2005-06-10 2011-06-22 应用材料股份有限公司 线性真空沉积系统
EP2098609B1 (en) * 2008-03-05 2012-08-15 Applied Materials, Inc. Coating apparatus with rotation module
TWI424784B (zh) * 2008-09-04 2014-01-21 Hitachi High Tech Corp Organic electroluminescent device manufacturing apparatus, manufacturing method thereof, film forming apparatus and film forming method
CN101667630A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 株式会社日立高新技术 有机el设备制造装置和其制造方法以及成膜装置和成膜方法
KR100980706B1 (ko) * 2008-09-19 2010-09-08 세메스 주식회사 기판 이송 장치, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이의 기판 이송 방법
JP5260212B2 (ja) * 2008-09-25 2013-08-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置
JP5694679B2 (ja) * 2009-05-04 2015-04-01 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機物蒸着装置及び蒸着方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI643799B (zh) * 2017-12-01 2018-12-11 瑩耀科技股份有限公司 半導體輸送系統
TWI814161B (zh) * 2021-08-06 2023-09-01 大陸商超捷半導體設備（深圳）有限公司 基材的上下料裝置及上料方法、下料方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101293024B1 (ko) 2013-08-05
JP2013104131A (ja) 2013-05-30
KR20130052084A (ko) 2013-05-22
CN103107132A (zh) 2013-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201318942A (zh) 製造平面顯示器之裝置
TWI452166B (zh) 用於沉積有機材料之設備和其沉積方法
KR100637714B1 (ko) 기판 처리 장치
EP2248595B1 (en) Apparatus for depositing organic material and depositing method thereof
KR101569796B1 (ko) 기판 정렬 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 정렬 방법
JP6343143B2 (ja) 蒸着装置、薄膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法
JP5694679B2 (ja) 有機物蒸着装置及び蒸着方法
KR102238745B1 (ko) Oled 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법, 및 oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치
KR20080062212A (ko) 유기 박막 증착 장치
TW201303068A (zh) 汽相沉積裝置、汽相沉積方法及製造有機發光顯示裝置之方法
KR20090108497A (ko) 증착 장치
KR101252987B1 (ko) 증발원을 공유하는 다중 증착 시스템
JP5433920B2 (ja) 真空蒸着装置および方法
KR101268672B1 (ko) 직립장식 증착장치
KR101232089B1 (ko) 직립장식 증착장치
KR20130060520A (ko) 유기발광 표시소자 증착용 마스크의 세정장치
KR101310096B1 (ko) 기판용 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치
US10643866B2 (en) Wet etching machine and etching method using the same
KR101695388B1 (ko) 인라인 화학기상증착시스템
JP7174100B2 (ja) Ｏｌｅｄデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置
KR102351749B1 (ko) 기판세정장치
KR101608341B1 (ko) 인라인 화학기상증착시스템
KR101972210B1 (ko) 사분할 챔버 기반의 증착 장치, 다중분할 챔버 기반의 증착 시스템, 그리고 이를 이용한 증착 방법
KR101167077B1 (ko) 수직형 증착 시스템
KR20170009430A (ko) 기판 증착 시스템 및 그의 기판 이동 방법