TW201303068A - 汽相沉積裝置、汽相沉積方法及製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

汽相沉積裝置、汽相沉積方法及製造有機發光顯示裝置之方法 Download PDF

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Abstract

本發明揭露一種汽相沉積裝置、一種有效率地執行沉積製程以於基板上形成具有改善特性之薄膜的方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法。汽相沉積裝置包含具有排氣口之反應室；設置於反應室中之平台，其包含欲設置基板之安裝面；包含至少一注入開口之注入部分，氣體係藉由該注入開口而以平行於其上欲形成薄膜之基板表面的方向注入；以及遠離基板設置以面對基板之電漿產生器。

Description

汽相沉積裝置、汽相沉積方法及製造有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年7月13日向韓國智慧財產局提出，申請號為10-2011-0069489之韓國專利申請案之優先權效益，其全部內容納於此處作為參考。

本發明之態樣係有關於一種汽相沉積裝置、汽相沉積方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法。
半導體裝置、顯示裝置、以及其他電子裝置包含複數個薄膜。複數個薄膜可根據各種不同方法形成，其中之一為汽相沉積法。

在汽相沉積法中，至少使用一種氣體以形成薄膜。汽相沉積法之範例包含化學汽相沉積(chemical vapor deposition, CVD)、原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)等。

相較於其他顯示裝置，有機發光顯示裝置具有較大的視角、較佳的對比特質、以及較快的反應速度，因此已被視為下一代的顯示裝置而獲得注目。

有機發光顯示裝置包含中間層，其包含有機發射層，位於相對配置之第一電極與第二電極之間，且更包含至少一薄膜。沉積製程可用於形成有機發光顯示裝置中之薄膜。

當有機發光顯示裝置已發展為更大且具有更高的解析度時，將難以沉積具有所需特質的大尺寸薄膜。此外，在形成此薄膜的製程中欲增加效率仍有所限制。
本發明之態樣係有關於一種汽相沉積裝置、有效率地執行沉積製程且改善沉積薄膜之特質的方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法。

根據本發明之一態樣，其係提供一種汽相沉積裝置用以於基板上形成薄膜，汽相沉積裝置包含具有排氣口之反應室；設置於反應室中之平台，其包含其上欲設置基板之安裝面；具有至少一注入口之注入部分，氣體係以基板欲形成薄膜之表面的方向而透過至少一注入口注入；以及遠離基板設置以面對基板之電漿產生器。

電漿產生器可包含反應氣體係由此注入之供應部分；第一電漿電極；與第一電漿電極分離之第二電漿電極；以及出口。

電漿可於第一電漿電極與第二電漿電極之間產生且透過電漿產生器之出口朝向基板釋放。

電漿產生器可包含複數個模組。每一複數個模組可包含：反應氣體由此注入之供應部分；第一電漿電極；與第一電漿電極分離之第二電漿電極；以及出口。

電漿產生器可與基板平行設置。
電漿產生器可與基板具有相同尺寸以對應至基板，或大於基板。

汽相沉積裝置可更包含遮罩，其具有狹縫以於基板上沉積具有所需圖樣的薄膜。

平台可包含複數個基板欲分別設置於其上的複數個安裝面。

複數個安裝面可彼此平行設置。

複數個安裝面可分別位於平台之第一表面上及平台相反於第一表面之第二表面上。
複數個電漿產生器可設置以對應於設置於複數個安裝面上的複數個基板。

汽相沉積裝置可更包含一驅動器以驅動平台與電漿產生器，且其係配置以於反應室中移動安裝於平台上之基板及電漿產生器。

驅動器可移動平台與電漿產生器，從而以垂直於基板欲沉積薄膜之表面的方向移動安裝於平台上之基板。

驅動器可配置以製造一往復運動。

驅動器可配置以同時地或同步地移動平台與電漿產生器。

驅動器可包含第一驅動器以移動平台；以及第二驅動器以移動電漿產生器。

安裝面可設置以平行於重力作用之方向。

注入部分可較平台遠離地面而設置。

排氣口可連接至泵(pump)。

注入部分之至少一注入口可為注入來源氣體之出口。

注入部分之至少一注入口可為反應氣體供應至電漿產生器之出口。
排氣口可較基板接近地面而設置。

注入部分可包含複數個注入口，其係以垂直於基板其上欲形成薄膜之表面的方向彼此遠離設置，是以可於基板上執行沉積製程數次。

根據本發明之另一實施例，其係提供一種於基板上形成薄膜之汽相沉積方法，汽相沉積方法包含：於設置在反應室中平台之安裝面上安裝基板；以平行於其上欲沉積薄膜之基板之表面的方向，透過注入部分朝向介於基板與設置以面對基板的電漿產生器之間的空間注入來源氣體；藉由使用反應室之排氣孔以執行排氣製程；藉由使用電漿產生器產生電漿以朝向基板釋放電漿；以及藉由使用反應室之排氣孔以執行另排氣製程。

該電漿產生器可包含：供應部分；第一電漿電極；與第一電漿電極分離之第二電漿電極；以及出口。反應氣體可透過供應部分而供應至電漿產生器、可透過第一電漿電極與第二電漿電極轉變為電漿、且可接著透過電漿產生器之出口朝向基板釋放。

反應氣體可透過注入部分供應至電漿產生器、透過電漿產生器轉變為電漿、且接著朝向基板釋放。
注入部分可包含一個注入口，且來源氣體與反應氣體可依序透過注入口而注入。

注入部分可包含複數個注入口，且來源氣體與反應氣體可透過不同之注入口而注入。
排氣製程可使用泵(pump)而執行。

基板之安裝可包含於基板上設置遮罩，其中遮罩具有狹縫以於基板上沉積具有所需圖樣之薄膜。

當安裝於平台上之基板以垂直於基板其上欲沉積薄膜之表面的方向於反應室中移動時可執行沉積製程。

平台可包含複數個安裝面。於平台上安裝基板之過程中，複數個基板可分別安裝於平台之複數個安裝面上。
複數個電漿產生器可設置以對應於複數個基板。

根據本發明之另一實施例，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，其中至少包含第一電極、具有有機發射層之中間層、以及第二電極之薄膜係形成於基板上，其中薄膜之形成包含於設置在反應室中平台的安裝面上安裝基板；以平行於其上欲沉積薄膜之基板之表面的方向，透過注入部分朝向介於基板與設置以面對基板的電漿產生器之間的空間注入來源氣體；藉由使用反應室之排氣孔以執行排氣製程；藉由使用電漿產生器產生電漿以朝向基板釋放該電漿；以及藉由使用反應室之排氣孔以執行另一排氣製程。

薄膜之形成可包含於第二電極上形成封裝層。

薄膜之形成可包含形成絕緣層。

薄膜之形成可包含形成導電層。
下文中將參考附圖更完整地描述本發明之例式性實施例。

第1圖係為根據本發明一實施例之汽相沉積裝置100之剖面示意圖。請參閱第1圖，汽相沉積裝置100包含反應室110、平台120、注入部分130、以及電漿產生器180。

反應室110包含位於其底部之排氣口111 (如開口、洞口等)。排氣口111係為氣體排出之出口，且可連接至泵以協助排除氣體。

雖然並未顯示，泵係用以控制施加至反應室110之壓力而使壓力維持恆定。加熱單元(圖未示)可設置於反應室110之內側或外側以加熱反應室110之內部，從而增進沉積製程之效率。

平台120係設置於反應室110中。平台120包含安裝面121。安裝面121係位於平行於重力作用之方向，亦即安裝面121係垂直於地面。為此平台120係垂直於地面設置。
基板101係設置於平台120上。具體而言，基板101係安裝於平台120之安裝面121上。

固定單元(圖未示)可用以將安裝之基板101固定至安裝面121上。任一各種不同之構件，例如夾具、加壓件、與貼附材料，均可用作為固定單元。

電漿產生器180係設置以面對基板101，如第2圖所示。具體而言，基板101與電漿產生器180係彼此遠離而設置以於其間形成空間。電漿產生器180可平行基板101而設置。此外，電漿產生器180可與基板101具有相同尺寸以對應至基板101或大於基板101。

電漿產生器180之形狀並不限於此處所顯現之形狀。換句話說，電漿產生器180可具有任一各種不同形狀，以使電漿產生器180可接收反應氣體、自反應氣體產生電漿、且朝向基板101釋放電漿。

根據一實施例之電漿產生器180則係具體繪示於第3圖中。請參閱第3圖，電漿產生器180包含複數個模組180a、180b、180c、180d、以及180e。模組180a包含第一電漿電極181、第二電漿電極182、供應部分183、以及出口185。其餘模組180b、180c、180d、以及180e係與模組180a相同且於此處將不再贅述。第3圖中繪示複數個模組180a、180b、180c、180d、以及180e係彼此相互分離而設置，但本發明不限於此，且複數個模組180a、180b、180c、180d、以及180e可相互整合為一單元。

當反應氣體藉由供應部分183而注入電漿產生器180時，電漿產生於第一電漿電極181與第二電漿電極182之間的空間184中，且接著透過出口185朝向基板101釋放。

請再度參閱第1圖，注入部分130係連接於反應室110。至少一氣體係藉由注入部分130朝向基板101注入。具體而言，注入部分130包含第一注入口(或開口) 131以及第二注入口132。氣體係透過第一注入口131與第二注入口132以平行於基板101之表面的方向注入。換句話說，氣體係藉由第一注入口131與第二注入口132以平行於重力作用的方向注入。

詳細地說，來源氣體S係透過第一注入口131而注入。由於電漿狀態之反應氣體係透過電漿產生器180而注入，第二注入口132可不需形成。然而，本發明之態樣並不限於此，且反應氣體可藉由第二注入口132注入而非電漿產生器180之供應部分183。亦即，反應氣體可藉由第二注入口132注入、於電漿產生器180中轉換為電漿形式、且接著朝向基板101注入。另一方面，若第二注入口132並未形成，則來源氣體S可透過第一注入口131注入，可使用來源氣體S執行合適的製程(例如預先指定之製程)，且接著反應氣體可透過第一注入口131而注入。
第一注入口131與第二注入口132的形狀並無限制。舉例而言，第一注入口131與第二注入口132可各為對應至第一基板101之寬度的點狀或線狀。
根據本實施例之汽相沉積裝置100之操作係於下文中簡要地描述。

基板101係安裝於平台120之安裝面上121。接著，來源氣體S係透過注入部分130之第一注入口131注入。在此情形下，來源氣體S可朝向基板101與電漿產生器180之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，電漿產生器180係控制為不操作。
具體而言，來源氣體S可包含鋁(Al)原子。

來源氣體S係吸附於基板101上。接著，使用排氣口111執行排氣製程以於基板101上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。亦即，形成鋁原子的單層或多層。

接著，透過電漿產生器180之供應部分183注入反應氣體。而後於介於第一電漿電極181與第二電漿電極182之間的空間184產生電漿。電漿係透過出口185朝向基板101釋放。

具體而言，反應氣體可包含氧(O)原子。反應氣體之電漿係吸附於基板101之上表面(與面對平台120之面相反的表面)。接著，使用排氣口111執行排氣製程以於基板101上形成反應氣體之單原子層或多原子層。換句話說，形成氧原子的單層或多層。
因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於基板101上。換言之形成AlxOy鋁氧層，其中x與y可根據製程條件而調整。在本實施例中，描述形成AlxOy鋁氧層之製程僅為便於解釋，而非為限制本發明之態樣。亦即本發明可應用於任何其他各種層的製程，例如絕緣層與傳導層。

在本實施例中，來源氣體S係透過注入部分130以平行於基板101之上表面的方向注入。具體地說，基板101係垂直於地面而設置，亦即重力作用之方向。由於來源氣體S透過注入部分130供應，故當來源氣體S吸附於基板101上時可能降低基板101上不必要的吸附量。相似地，其可能降低由電漿產生器180所產生之電漿量以中止基板101上不必要的吸附。
換句話說，吸附於基板101上過多的成分或該成分不平整的隆起會因重力而掉落，從而降低來源氣體S與反應氣體的過量。藉由使用基板101下方之排氣口111 (例如排氣口111可較基板101更接近地面而設置)以執行排氣製程，可輕易地移除此些過量。因此，來源氣體S係透過注入部分130之第一注入口131而注入，執行排氣製程無需使用額外的清潔氣體執行清潔製程，反應氣體透過電漿產生器180注入，且再度執行排氣製程而無需執行清潔製程，進而完成沉積製程。

具體而言，在本實施例中，電漿產生器180係設置以面對基板101。電漿產生器180係與注入來源氣體S之注入部分130分別設置。因此使用來源氣體S之製程與使用反應氣體之製程可個別(獨立)執行，從而輕易地形成不包含雜質之薄膜。

此外，由於電漿產生器180與基板101係彼此相互遠離而設置，且來源氣體S係透過注入部分130由電漿產生器180與基板101其間的空間注入，因此電漿產生器180可用為導件以阻絕不想要的雜質。為此，電漿產生器180可形成以與基板101具有相同尺寸或大於基板101。
因此，可大幅地增加形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，由於可輕易地避免或阻絕不想要的成分吸附於基板101上且無需使用清潔製程，因此可消除當使用清潔氣體時所產生的清潔氣體雜質與欲形成於基板101上之薄膜同時沉積。是以，其可能形成在物理性質與化學性質上獲得改善而具有均勻特性的薄膜。

第4圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置200的剖面示意圖。第5圖係為第4圖之汽相沉積裝置200以箭頭A所指示之方向所見之平面圖。

請參閱第4圖與第5圖，汽相沉積裝置200包含反應室210、平台220、注入部分230、遮罩240、以及電漿產生器280。

反應室210包含位於其底部之排氣口211。排氣口211係為排除氣體之出口，且可連接至泵(圖未示)以協助排除氣體。

雖然並未顯示，泵可用以控制施加至反應室210之壓力而維持壓力恆定。加熱單元(圖未示)可設置於反應室210之外側或內側以加熱反應室210之內部，進而增進沉積製程之效率。

平台220係設置於反應室210中。平台220包含安裝面221。安裝面221係位於重力作用的平行方向。亦即安裝面221係垂直於地面。為此平台220係垂直於地面而設置。

基板201係設置於平台220上。具體而言，基板201係安裝於平台220之安裝面221上。

固定單元(圖未示)可用以將安裝之基板201固定至安裝面221上。任一各種不同構件，例如夾具、加壓件、以及貼附材料，可用作為固定單元。
電漿產生器280係設置以面對基板201。具體而言，基板201與電漿產生器280係彼此遠離而設置以於其間形成空間。電漿產生器280可平行基板201而設置。此外，電漿產生器280可與基板201具有相同尺寸以對應至基板201或大於基板201。

遮罩240係設置於基板201上。請參閱第5圖，遮罩240包含複數個各自具有合適形狀(例如預定形狀)的狹縫240a。每一複數個狹縫具有對應至欲形成於基板201上之個別薄膜圖樣的形狀。
第5圖總共繪示了6個狹縫240a，但本發明之態樣不限於此。狹縫240a之總數與形狀係取決於欲形成於基板201上之圖樣的總數與形狀。舉例而言，遮罩240可為具有單一狹縫240a之單一開口遮罩。
電漿產生器280之形狀並不限於此處所顯現之形狀。換句話說，電漿產生器280可具有任一各種不同形狀，以使電漿產生器280可接收反應氣體、自反應氣體產生電漿、且朝向基板201釋放電漿。舉例而言，電漿產生器280與第3圖之電漿產生器180可具有相同形狀。
注入部分230係連接於反應室210。至少一氣體係藉由注入部分230朝向基板201注入。具體而言，注入部分230包含第一注入口(或開口) 231以及第二注入口232。氣體係透過第一注入口231與第二注入口232以平行於基板201之表面的方向注入。換句話說，氣體係藉由第一注入口231與第二注入口232以平行於重力作用的方向注入。

詳細地說，來源氣體S係透過第一注入口231而注入。由於電漿狀態之反應氣體係透過電漿產生器280而注入故第二注入口232可不需形成。然而，本發明之態樣並不限於此，且反應氣體可藉由第二注入口232注入而非電漿產生器280之供應部分(圖未示)。亦即，反應氣體可藉由第二注入口232注入、於電漿產生器280中轉換為電漿形式、且接著朝向基板201注入。
第一注入口231與第二注入口232的形狀並無限制。舉例而言，第一注入口231與第二注入口232可各為對應至基板201之寬度的點狀或線狀。
根據本實施例之汽相沉積裝置200之操作係於下文中簡要地描述。

基板201係安裝於平台220之安裝面221上。遮罩240係設置於基板201上，其具有狹縫240a對應至欲形成於基板201上之薄膜的圖樣。
接著，來源氣體S係透過注入部分230之第一注入口231注入。在此情形下，來源氣體S可朝向基板201與電漿產生器280之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，電漿產生器280係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於基板201上。具體而言，來源氣體S係吸附於基板201之上表面對應至狹縫240a的區域。接著，使用排氣口211執行排氣製程以於基板101對應至狹縫240a的區域上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過電漿產生器280之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過電漿產生器280之出口朝向基板201釋放。

反應氣體之電漿係吸附於基板201對應至狹縫240a的區域上。接著，使用排氣口211執行排氣製程以於基板201上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於基板201上。

在本實施例中，來源氣體S係透過注入部分230以平行於基板201之上表面的方向注入。具體地說，基板201係垂直於地面而設置，亦即重力作用之方向。由於來源氣體S透過注入部分230供應，故當來源氣體S吸附於基板201上時可能降低基板201上不必要的吸附量。相似地，其可能降低由電漿產生器280所產生之電漿量以中止基板201上不必要的吸附。

換句話說，吸附於基板201上過多的成分或該成分不平整的隆起會因重力而掉落，從而降低來源氣體S與反應氣體的過量。藉由使用基板201下方之排氣口211以執行排氣製程，可輕易地移除此些過量。因此，來源氣體S係透過注入部分230之第一注入口231而注入，執行排氣製程無需使用額外的清潔氣體執行清潔製程，反應氣體透過電漿產生器280注入，且再度執行排氣製程而無需執行清潔製程，進而完成沉積製程。

具體而言，在本實施例中，電漿產生器280係設置以面對基板201。電漿產生器280係與注入來源氣體S之注入部分230分別設置。因此使用來源氣體S之製程與使用反應氣體之製程可獨立執行，從而輕易地形成不包含雜質之薄膜。

此外，由於電漿產生器280與基板201係彼此相互遠離而設置，且來源氣體S係透過注入部分230由電漿產生器280與基板201其間的空間注入，因此電漿產生器280可用為導件以阻絕不想要的雜質。為此，電漿產生器280可形成以與基板201具有相同尺寸或大於基板201。
又，在本實施例中，遮罩240係設置於基板201上以協助於基板201上形成薄膜之圖樣。
因此，可大幅地增加形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，由於可輕易地避免或阻絕不想要的成分吸附於基板201上且無需使用清潔製程，因此可消除當使用清潔氣體時所產生的清潔氣體雜質與欲形成於基板201上之薄膜同時沉積。是以，其可能形成在物理性質與化學性質上獲得改善而具有均勻特性的薄膜。

第6圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置300的剖面示意圖。參閱第6圖，汽相沉積裝置300包含反應室310、平台320、注入部分330、第一電漿產生器381、以及第二電漿產生器382。
反應室310包含位於其底部之排氣口311。排氣口311係為排除氣體之出口，且可連接至泵(圖未示)以協助排除氣體。

雖然並未顯示，泵可用以控制施加至反應室310之壓力而維持壓力恆定。加熱單元(圖未示)可設置於反應室310之外側或內側以加熱反應室310之內部，進而增進沉積製程之效率。

平台320包含第一安裝面321與第二安裝面322。第一安裝面321與第二安裝面322係以平行於重力作用之方向放置。換句話說，第一安裝面321與第二安裝面322係垂直地面設置。為此，平台320係垂直地面設置。

第一基板301與第二基板302係設置於平台320上。具體而言，第一基板301與第二基板302分別設置於平台320之第一安裝面321與第二安裝面322上。
第一安裝面321與第二安裝面322係彼此平行設置。

固定單元(圖未示)可用以分別將安裝之第一基板301與第二基板302固定至第一安裝面321與第二安裝面322上。任一各種不同構件，例如夾具、加壓件、以及貼附材料，可用作為固定單元。

第一電漿產生器381與第二電漿產生器382係設置以面對第一基板301與第二基板302。具體而言，第一電漿產生器381與第二電漿產生器382係個別設置以面對第一基板301與第二基板302。

第一基板301與第一電漿產生器381係彼此遠離而設置以於其間形成空間，且第二基板302與第二電漿產生器382係彼此遠離而設置以於其間形成空間。第一電漿產生器381與第二電漿產生器382可個別平行於第一基板301與第二基板302而設置。此外，第一電漿產生器381可與第一基板301具有相同尺寸以對應至第一基板301或大於第一基板301，且第二電漿產生器382可與第二基板302具有相同尺寸以對應至第二基板302或大於第二基板302。第一電漿產生器381與第二電漿產生器382之形狀並無限制。換句話說，第一電漿產生器381與第二電漿產生器382可具有任一各種不同形狀，以使其可接收反應氣體、自反應氣體產生電漿、且分別朝向第一基板301與第二基板302釋放電漿。第一電漿產生器381與第二電漿產生器382係如前述實施例所述故在此不再重述。

注入部分330係連接於反應室310。至少一氣體係藉由注入部分330朝向基板301注入。具體而言，注入部分330包含第一注入口331以及第二注入口332。氣體係透過第一注入口331與第二注入口332以平行於第一基板301與第二基板302之表面的方向注入。換句話說，氣體係藉由第一注入口331與第二注入口332以平行於重力作用的方向注入。
詳細地說，來源氣體S係透過第一注入口331而注入。由於電漿狀態之反應氣體係透過第一電漿產生器381與第二電漿產生器382而注入故第二注入口332可不需形成。然而，本發明之態樣並不限於此，且反應氣體可藉由第二注入口332注入而非第一電漿產生器381與第二電漿產生器382之供應部分(圖未示)。

第一注入口331與第二注入口332的形狀並無限制。舉例而言，第一注入口331與第二注入口332可各為對應至第一基板301之寬度的點狀或線狀。

根據本實施例之汽相沉積裝置300之操作係於下文中簡要地描述。

第一基板301與第二基板302係分別安裝於平台320之第一安裝面321與第二安裝面322上。接著，來源氣體S係透過注入部份330之第一注入口331注入。在此情形下，來源氣體S可朝向第一基板301與第一電漿產生器381之間的空間注入，以及朝向第二基板302與第二電漿產生器382之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，第一電漿產生器381與第二電漿產生器382係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於第一基板301與第二基板302之上表面上。接著，使用排氣口311執行排氣製程以於第一基板301與第二基板302上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過第一電漿產生器381與第二電漿產生器382之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過第一電漿產生器381與第二電漿產生器382之出口朝向第一基板301與第二基板302釋放。

因此，反應氣體之電漿係吸附於第一基板301與第二基板302上。接著，使用排氣口311執行排氣製程以於第一基板301與第二基板302上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於第一基板301與第二基板302上。
在本實施例中，來源氣體S係透過注入部分330以平行於第一基板301與第二基板302之上表面的方向注入。具體地說，第一基板301與第二基板302係垂直於地面而設置，亦即重力作用之方向。因此，當藉由注入部分330供應之來源氣體S吸附於第一基板301與第二基板302上時可能降低第一基板301與第二基板302上不必要的吸附量。相似地，其可能降低由第一電漿產生器381與第二電漿產生器382所產生之電漿量以中止第一基板301與第二基板302上不必要的吸附。

換句話說，吸附於第一基板301與第二基板302上過多的成分或該成分不平整的隆起會因重力而掉落，從而降低來源氣體S與反應氣體的過量。藉由使用第一基板301與第二基板302下方之排氣口311以執行排氣製程，可輕易地移除此些過量。因此，來源氣體S係透過注入部分330之第一注入口331而注入，執行排氣製程無需使用額外的清潔氣體執行清潔製程，反應氣體透過第一電漿產生器381與第二電漿產生器382注入，且再度執行排氣製程而無需執行清潔製程，進而完成沉積製程。
具體而言，在本實施例中，第一電漿產生器381與第二電漿產生器382係設置以分別面對第一基板301與第二基板302。第一電漿產生器381與第二電漿產生器382係與注入來源氣體S之注入部分330分別設置。因此使用來源氣體S之製程與使用反應氣體之製程可獨立執行，從而輕易地形成不包含雜質之薄膜。

此外，由於第一電漿產生器381與第二電漿產生器382係與第一基板301與第二基板302彼此相互遠離而設置，且來源氣體S係透過注入部份330由第一電漿產生器381與第一基板301其間的空間注入，以及第二電漿產生器382與第二基板302其間的空間注入。因此第一電漿產生器381與第二電漿產生器382可用為導件以阻絕不想要的雜質。為此，第一電漿產生器381與第二電漿產生器382可形成以與第一基板301與第二基板302具有相同尺寸或大於第一基板301與第二基板302。
因此，可大幅地增加形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，由於可輕易地避免或阻絕不想要的成分吸附於第一基板301與第二基板302上且無需使用清潔製程，因此可消除當使用清潔氣體時所產生的清潔氣體雜質與欲形成於第一基板301與第二基板302上之薄膜同時沉積。是以，其可能形成在物理性質與化學性質上獲得改善而具有均勻特性的薄膜。

又，在本實施例中，第一安裝面321與第二安裝面322係分別形成於平台320的兩表面上，且第一基板301與第二基板302係共同或同時安裝於平台320上。因此，可增進沉積製程之效率。此外，由於第一基板301與第二基板302係分別設置於平台320之兩表面上以相互平行，因此第一基板301與第二基板302欲形成薄膜於其上之表面將不會相互面對設置。是以，於第一基板301上執行之沉積製程與第二基板302上執行之沉積製程將不會相互干擾。據此，其可能於第一基板301與第二基板302上皆形成具有均勻且改善之性質的薄膜。

第7圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置400的剖面示意圖。參閱第7圖，汽相沉積裝置400包含反應室410、平台420、注入部分430、第一遮罩441、第二遮罩442、第一電漿產生器481、以及第二電漿產生器482。

反應室410包含位於其底部之排氣口411。排氣口411係為排除氣體之出口，且可連接至泵(圖未示)以協助排除氣體。

雖然並未顯示，泵可用以控制施加至反應室410之壓力而維持壓力恆定。加熱單元(圖未示)可設置於反應室410之外側或內側以加熱反應室410之內部，進而增進沉積製程之效率。

平台420包含第一安裝面421與第二安裝面422。第一安裝面421與第二安裝面422係以平行於重力作用之方向放置。換句話說，第一安裝面421與第二安裝面422係垂直地面設置。為此，平台420係垂直地面設置。

第一基板401與第二基板402係設置於平台420上。具體而言，第一基板401與第二基板402分別設置於平台420之第一安裝面421與第二安裝面422上。

第一安裝面421與第二安裝面422係彼此平行設置。

固定單元(圖未示)可用以分別將安裝之第一基板401與第二基板402固定至第一安裝面421與第二安裝面422上。任一各種不同構件，例如夾具、加壓件、以及貼附材料，可用作為固定單元。

第一遮罩441與第二遮罩442係設置於第一基板401與第二基板402上。具體而言，第一遮罩441與第二遮罩442可分別設置於第一基板401與第二基板402上。

雖然並未顯示，如前述實施例，每一第一遮罩441與第二遮罩442包含狹縫。各個狹縫具有對應至分別欲形成於第一基板401與第二基板402上之薄膜的圖樣之形狀。

第一電漿產生器481與第二電漿產生器482係設置以面對第一基板401與第二基板402。具體而言，第一電漿產生器481與第二電漿產生器482係個別設置以分別面對第一基板401與第二基板402。

第一基板401與第一電漿產生器481係彼此遠離而設置以於其間形成空間，且第二基板402與第二電漿產生器482係彼此遠離而設置以於其間形成空間。第一電漿產生器481與第二電漿產生器482可分別平行於第一基板401與第二基板402而設置。此外，第一電漿產生器481可與第一基板401具有相同尺寸以對應至第一基板401或大於第一基板401，且第二電漿產生器482可與第二基板402具有相同尺寸以對應至第二基板402或大於第二基板402。

第一電漿產生器481與第二電漿產生器482之形狀並無限制。換句話說，第一電漿產生器481與第二電漿產生器482可具有任一各種不同形狀，以使其可接收反應氣體、自反應氣體產生電漿、且分別朝向第一基板401與第二基板402釋放電漿。第一電漿產生器481與第二電漿產生器482係如前述實施例所述故在此不再重述。

注入部分430係連接於反應室410。至少一氣體係藉由注入部分430朝向基板401注入。具體而言，注入部分430包含第一注入口431以及第二注入口432。氣體係透過第一注入口431與第二注入口432以平行於基板401之表面的方向注入。換句話說，氣體係藉由第一注入口431與第二注入口432以平行於重力作用的方向注入。

詳細地說，來源氣體S係透過第一注入口431而注入。由於電漿狀態之反應氣體係透過第一電漿產生器481與第二電漿產生器482而注入故第二注入口432可不需形成。然而，本發明之態樣並不限於此，且反應氣體可藉由第二注入口432注入而非第一電漿產生器481與第二電漿產生器482之供應部分(圖未示)。

第一注入口431與第二注入口432的形狀並無限制。舉例而言，第一注入口431與第二注入口432可各為對應至第一基板401之寬度的點狀或線狀。

根據本實施例之汽相沉積裝置400之操作係於下文中簡要地描述。

第一基板401與第二基板402係分別安裝於平台420之第一安裝面421與第二安裝面422上。包含對應至欲沉積於第一基板401上之薄膜圖樣之狹縫(圖未示)之第一遮罩441係設置於第一基板401上。包含對應至欲沉積於第二基板402上之薄膜圖樣之狹縫(圖未示)之第二遮罩442係設置於第二基板402上。

接著，來源氣體S透過注入部分430之第一注入口431而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向第一基板401與第一電漿產生器481之間的空間注入，以及朝向第二基板402與第二電漿產生器482之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，第一電漿產生器481與第二電漿產生器482係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於第一基板401與第二基板402之上表面上。具體而言，來源氣體S係吸附於第一基板401與第二基板402上對應至狹縫的區域。接著，使用排氣口411執行排氣製程以於第一基板401與第二基板402對應至狹縫的區域上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過第一電漿產生器481與第二電漿產生器482之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過第一電漿產生器481與第二電漿產生器482之出口朝向第一基板401與第二基板402釋放。

反應氣體之電漿係吸附於第一基板401與第二基板402上對應至狹縫之區域上。接著，使用排氣口411執行排氣製程以於第一基板401與第二基板402上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於第一基板401與第二基板402上。
在本實施例中，來源氣體S係透過注入部分430以平行於第一基板401與第二基板402之上表面的方向注入。具體地說，第一基板401與第二基板402係垂直於地面而設置，亦即重力作用之方向。因此，當藉由注入部分430供應之來源氣體S吸附於第一基板401與第二基板402上時可能降低第一基板401與第二基板402上不必要的吸附量。相似地，其可能降低由第一電漿產生器481與第二電漿產生器482所產生之電漿量以中止第一基板401與第二基板402上不必要的吸附。
換句話說，吸附於第一基板401與第二基板402上過多的成分或該成分不平整的隆起會因重力而掉落，從而降低來源氣體S與反應氣體的過量。藉由使用第一基板401與第二基板402下方之排氣口411以執行排氣製程，可輕易地移除此些過量。因此，來源氣體S係透過注入部分430之第一注入口431而注入，執行排氣製程無需使用額外的清潔氣體執行清潔製程，反應氣體透過第一電漿產生器481與第二電漿產生器482注入，且再度執行排氣製程而無需執行清潔製程，進而完成沉積製程。

具體而言，在本實施例中，第一電漿產生器481與第二電漿產生器482係設置以分別面對第一基板401與第二基板402。第一電漿產生器481與第二電漿產生器482係與注入來源氣體S之注入部分430分別設置。因此使用來源氣體S之製程與使用反應氣體之製程可獨立執行，從而輕易地形成不包含雜質之薄膜。

此外，由於第一電漿產生器481與第二電漿產生器482係與第一基板401與第二基板402彼此相互遠離而設置，且來源氣體S係透過注入部分430而由第一電漿產生器481與第一基板401其間的空間注入，以及第二電漿產生器482與第二基板402其間的空間注入。因此第一電漿產生器481與第二電漿產生器482可用為導件以阻絕不想要的雜質。為此，第一電漿產生器481與第二電漿產生器482可形成以與第一基板401與第二基板402具有相同尺寸或大於第一基板401與第二基板402。

又，在本實施例中，第一遮罩441與第二遮罩442係設置於第一基板401與第二基板402上以協助於第一基板401與第二基板402上形成薄膜圖樣。

因此，可大幅地增加形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，由於可輕易地避免或阻絕不想要的成分吸附於第一基板401與第二基板402上且無需使用清潔製程，因此可消除當使用清潔氣體時所產生的清潔氣體雜質與欲形成於第一基板401與第二基板402上之薄膜同時沉積。是以，其可能形成在物理性質與化學性質上獲得改善而具有均勻特性的薄膜。

又，在本實施例中，第一安裝面421與第二安裝面422係分別形成於平台420的兩表面上，且第一基板401與第二基板402係共同或同時安裝於平台420上。因此，可增進沉積製程之效率。此外，由於第一基板401與第二基板402係分別設置於平台420之兩表面上以相互平行，因此第一基板401與第二基板402欲形成薄膜於其上之表面將不會相互面對設置。是以，於第一基板401上執行之沉積製程與第二基板402上執行之沉積製程將不會相互干擾。據此，其可能於第一基板401與第二基板402上皆形成具有均勻且改善特性的薄膜。

第8圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置500的剖面示意圖。參閱第8圖，汽相沉積裝置500包含反應室510、平台520、注入部分530、第一驅動器551、第二驅動器552、以及電漿產生器580。

反應室510包含位於其底部之排氣口511。排氣口511係為排除氣體之出口，且可連接至泵(圖未示)以協助排除氣體。

雖然並未顯示，泵可用以控制施加至反應室510之壓力而維持壓力恆定。加熱單元(圖未示)可設置於反應室510之外側或內側以加熱反應室510之內部，進而增進沉積製程之效率。
平台520係設置於反應室510中。平台520包含安裝面521。安裝面521係以平行於重力作用之方向放置。換句話說，安裝面521係垂直地面設置。為此，平台520係垂直地面設置。

基板501係設置於平台520上。具體而言，基板501設置於平台520之安裝面521上。

固定單元(圖未示)可用以分別將安裝之基板501固定至安裝面521上。任一各種不同構件，例如夾具、加壓件、以及貼附材料，可用作為固定單元。

電漿產生器580係設置以面對基板501。具體而言，基板501與電漿產生器580係彼此遠離設置以於其間形成空間。電漿產生器580可平行基板501設置。此外，電漿產生器580可具有與基板501相同之形狀以對應至基板501或大於基板501。

電漿產生器580之形狀並無限制。換句話說，電漿產生器580可具有任一各種不同形狀，以使電漿產生器580可接收反應氣體、自反應氣體產生電漿、且朝向基板501釋放電漿。電漿產生器580之結構係如前述實施例所述故在此不再重述。

第一驅動器551與第二驅動器552係分別連接至平台520與電漿產生器580。具體而言，第一驅動器551係連接至平台520，且第二驅動器552係連接至電漿產生器580。第8圖繪示二個分離之驅動器，亦即第一驅動器551與第二驅動器552，但本發明之態樣並不限於此。換句話說，可使用任一驅動器以同時或同步移動平台520與電漿產生器580。

請參閱第8圖，第一驅動器551以箭頭M所指示之方向或其相反之方向移動平台520。換句話說，第一驅動器551以X軸之方向移動平台520。因此，基板501可以垂直於其上欲形成薄膜之基板501的表面之方向移動。

第二驅動器552以箭頭M所指示之方向或其相反之方向移動電漿產生器580。換句話說，第二驅動器552以X軸之方向移動電漿產生器580。因此，電漿產生器580可以垂直於其上欲形成薄膜之基板501的表面之方向移動。

在此情形下，控制第一驅動器551與第二驅動器552以於基板501與電漿驅動器580之間維持固定空間。

注入部分530係連接於反應室510。至少一氣體係藉由注入部分530朝向基板501注入。具體而言，注入部分530包含第一注入口531、第二注入口532、第三注入口533、第四注入口534、第五注入口535、以及第六注入口536。

第一注入口531至第六注入口536係以基板501移動之方向配置。換句話說，第一注入口531至第六注入口536係以X軸方向彼此分離配置。

第一注入口531至第六注入口536之形狀並無限制。舉例而言，其各可為對應至基板501之寬度的點狀或線狀。

具體而言，氣體係透過第一注入口531至第六注入口536以平行於基板501之表平面之方向注入。亦即，氣體係透過第一注入口531至第六注入口536以平行於重力作用之方向注入。

詳細地說，來源氣體S係依序地或同時地透過第一注入口531、第三注入口533、與第五注入口535注入。由於電漿狀態之反應氣體係透過電漿產生器580而注入故第二注入口532、第四注入口534、與第六注入口536可不需形成。然而，本發明之態樣並不限於此，且反應氣體可藉由第二注入口532、第四注入口534、與第六注入口536注入而非電漿產生器580之供應部分(圖未示)。亦即，反應氣體可藉由第二注入口532、第四注入口534、與第六注入口536注入，於電漿產生器580中轉換為電漿型態，且接著朝向基板501注入。

根據本實施例之汽相沉積裝置500之操作係於下文中簡要地描述。

基板501係安裝於平台520之安裝面521上。接著，來源氣體S透過注入部分530之第一注入口531而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向基板501與電漿產生器580之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，電漿產生器580係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於基板501上。接著，使用排氣口511執行排氣製程以於基板501上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過電漿產生器580之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過電漿產生器580之出口朝向基板501釋放。

因此，反應氣體之電漿係吸附於基板501上。接著，使用排氣口511執行排氣製程以於基板501上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於基板501上。
接著，平台520與電漿產生器580係使用第一驅動器551與第二驅動器552沿著X軸方向移動，亦即箭頭M所指示之方向。因此，基板501與電漿產生器580之空間係維持固定，即使在基板501與電漿產生器580移動之後。

接著，來源氣體S透過注入部分530之第三注入口533而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向基板501與電漿產生器580之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，電漿產生器580係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於基板501上。接著，使用排氣口511執行排氣製程以於基板501上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過電漿產生器580之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過電漿產生器580之出口朝向基板501釋放。
因此，反應氣體之電漿係吸附於基板501上。接著，使用排氣口511執行排氣製程以於基板501上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係進一步形成於薄膜上，亦即位於在驅動第一驅動器551與第二驅動器552之前，藉由使用第一注入口531與電漿產生器580而形成於基板501上的來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層之上。

接著，平台520與電漿產生器580係使用第一驅動器551與第二驅動器552沿著X軸方向移動，亦即箭頭M所指示之方向。

接著，薄膜係藉由使用第五注入口535與電漿產生器580以先前使用第一注入口531與電漿產生器580形成薄膜的相同方法，額外地形成於基板501上。
因此，其可能在反應室510中於基板501上形成所需厚度的薄膜。換句話說，可根據所需薄膜之厚度而控制平台520與電漿產生器580之移動。

在本實施例中，來源氣體S係透過注入部分530以平行於基板501之上表面的方向注入。具體而言，基板501係垂直於地面設置，亦即重力作用之方向。由於來源氣體S透過注入部分530而供應，當來源氣體S吸附於基板501上時，其可能降低基板501上不必要的吸附量。相似的，其可能降低由電漿產生器580所產生之電漿量以中止基板501上不必要的吸附。

換句話說，吸附於基板501上過多的成分或該成分不平整的隆起會因重力而掉落，從而降低來源氣體S與反應氣體的過量。藉由使用基板501下方之排氣口511以執行排氣製程，可輕易地移除此些過量。因此，來源氣體S係透過注入部分530之第一注入口531而注入，執行排氣製程無需使用額外的清潔氣體執行清潔製程，反應氣體透過電漿產生器580注入，且再度執行排氣製程而無需執行清潔製程，進而完成沉積製程。

具體而言，在本實施例中，電漿產生器580係設置以面對基板501。電漿產生器580係與注入來源氣體S之注入部分530分別設置。因此使用來源氣體S之製程與使用反應氣體之製程可獨立執行，從而輕易地形成不包含雜質之薄膜。

此外，由於電漿產生器580係與基板501彼此相互遠離而設置，且來源氣體S係透過注入部份530而由電漿產生器580與基板501其間的空間注入，因此電漿產生器580可用為導件以阻絕不想要的雜質。為此，電漿產生器580可形成以與基板501具有相同尺寸或大於基板501。舉例而言，當來源氣體S透第三注入口533注入時，若透過第一注入口531注入以與基板501反應之來源氣體S沒有透過排氣口511完全排除，則會產生過多之雜質氣體且吸附於基板501上。在此情形下，使用透過第三注入口533注入之來源氣體S的製程可能會受到過多之雜質氣體的影響，進而降低將形成於基板501上薄膜的性質。然而，根據本實施例，來源氣體S係藉由第三注入口533而朝向基板501與電漿產生器580之間的空間注入。因此，電漿產生器580可避免或阻隔來源氣體S與此過多的雜質氣體混和。

因此，可大幅地增加形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，由於可輕易地避免或阻絕不想要的成分吸附於基板501上且無需使用清潔製程，因此可消除當使用清潔氣體時所產生的清潔氣體雜質與欲形成於基板501上之薄膜同時沉積。是以，其可能形成在物理性質與化學性質上獲得改善而具有均勻特性的薄膜。

又，在本實施例中，沉積製程係於平台520與電漿產生器580使用第一驅動器551與第二驅動器552移動時執行。且複數個沉積製程係使用第一注入口531、第三注入口533、第五注入口535、以及電漿產生器580而依序執行。因此其可能大幅地降低形成所需厚度之薄膜所需的時間，進而增加沉積製程之效率。

第9圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置600的剖面示意圖。參閱第9圖，汽相沉積裝置600包含反應室610、平台620、注入部分630、遮罩640、第一驅動器651、第二驅動器652、以及電漿產生器680。

反應室610包含位於其底部之排氣口611。排氣口611係為排除氣體之出口，且可連接至泵(圖未示)以協助排除氣體。

雖然並未顯示，泵可用以控制施加至反應室610之壓力而維持壓力恆定。加熱單元(圖未示)可設置於反應室610之外側或內側以加熱反應室610之內部，進而增進沉積製程之效率。

平台620係設置於反應室610中。平台620包含安裝面621。安裝面621係以平行於重力作用之方向放置。亦即，安裝面621係垂直地面。為此，平台620係垂直地面設置。

基板601係設置於平台620上。具體而言，基板601設置於平台620之安裝面621上。

固定單元(圖未示)可用以將安裝之基板601固定至安裝面621上。任一各種不同構件，例如夾具、加壓件、以及貼附材料，可用作為固定單元。
遮罩640係設置於基板601上。遮罩640包含以適當圖樣(例如預定圖樣)形成之狹縫(圖未示)。每一狹縫具有分別對應到欲形成於基板601上薄膜圖樣之形狀。

電漿產生器680係設置以面對基板601。具體而言，基板601與電漿產生器680係彼此遠離設置以於其間形成空間。電漿產生器680可平行基板601設置。此外，電漿產生器680可具有與基板601相同之尺寸以對應至基板601或大於基板601。

電漿產生器680之形狀並無限制。換句話說，電漿產生器680可具有任一各種不同形狀，以使電漿產生器680可接收反應氣體、自反應氣體產生電漿、且朝向基板601釋放電漿。電漿產生器680之結構係如前述實施例所述故在此不再重述。

第一驅動器651與第二驅動器652係連接至平台620與電漿產生器680。具體而言，第一驅動器651係連接至平台620，且第二驅動器652係連接至電漿產生器680。第9圖繪示二個分離之驅動器，亦即第一驅動器651與第二驅動器652，但本發明之態樣並不限於此。換句話說，可使用任一驅動器以同時或同步移動平台620與電漿產生器680。
請參閱第9圖，第一驅動器651以箭頭M所指示之方向或其相反之方向移動平台620。換句話說，第一驅動器651以X軸之方向移動平台620。因此，基板601可以垂直於其上欲形成薄膜之基板601的表面之方向移動。

第二驅動器652以箭頭M所指示之方向或其相反之方向移動電漿產生器680。換句話說，第二驅動器652以X軸之方向移動電漿產生器680。因此，電漿產生器680可以垂直於其上欲形成薄膜之基板601的表面之方向移動。

在此情形下，控制第一驅動器651與第二驅動器652以於基板601與電漿驅動器680之間維持固定空間。

注入部分630係連接於反應室610。至少一氣體係藉由注入部分630朝向基板601注入。具體而言，注入部分630包含第一注入口631、第二注入口632、第三注入口633、第四注入口634、第五注入口635、以及第六注入口636。

第一注入口631至第六注入口636係以基板601移動之方向配置。換句話說，第一注入口631至第六注入口636係以X軸方向彼此分離配置。

第一注入口631至第六注入口636之形狀並無限制。舉例而言，其各可為對應至基板601之寬度的點狀或線狀。

具體而言，氣體係透過第一注入口631至第六注入口636以平行於基板601之表平面之方向注入。亦即，氣體係透過第一注入口631至第六注入口636以平行於重力作用之方向注入。
詳細地說，來源氣體S係依序地或同時地透過第一注入口631、第三注入口633、與第五注入口635注入。由於電漿狀態之反應氣體係透過電漿產生器680而注入故第二注入口632、第四注入口634、與第六注入口636可不需形成。然而，本發明之態樣並不限於此，且反應氣體可藉由第二注入口632、第四注入口634、與第六注入口636注入而非電漿產生器680之供應部分(圖未示)。亦即，反應氣體可藉由第二注入口632、第四注入口634、與第六注入口636注入，於電漿產生器680中轉換為電漿型態，且接著朝向基板601注入。
根據本實施例之汽相沉積裝置600之操作係於下文中簡要地描述。

基板601係安裝於平台620之安裝面621上。具有對應至欲形成於基板601上之薄膜圖樣的狹縫之遮罩640係設置於基板601上。

接著，來源氣體S透過注入部分630之第一注入口631而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向基板601與電漿產生器680之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，電漿產生器680係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於基板601上。具體而言，來源氣體S係吸附於基板601上對應至狹縫的區域。接著，使用排氣口611執行排氣製程以於基板601上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過電漿產生器680之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過電漿產生器680之出口朝向基板601釋放。
反應氣體之電漿係吸附於基板601對應至狹縫之區域上。接著，使用排氣口611執行排氣製程以於基板601上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於基板601上。
接著，平台620與電漿產生器680係使用第一驅動器651與第二驅動器652沿著X軸方向移動，亦即箭頭M所指示之方向。因此，基板601與電漿產生器680之空間係維持固定，即使在基板601與電漿產生器680移動之後。

接著，來源氣體S透過注入部分630之第三注入口633而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向基板601與電漿產生器680之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，電漿產生器680係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於基板601上。接著，使用排氣口611執行排氣製程以於基板601上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。
接著，透過電漿產生器680之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過電漿產生器680之出口朝向基板601釋放。

因此，反應氣體之電漿係吸附於基板601上。接著，使用排氣口611執行排氣製程以於基板601上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於薄膜上，亦即位於在驅動第一驅動器651與第二驅動器652之前，藉由使用第一注入口631與電漿產生器680而形成於基板601上的來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層之上。

接著，平台620與電漿產生器680係使用第一驅動器651與第二驅動器652沿著X軸方向移動，亦即箭頭M所指示之方向。

接著，薄膜係藉由使用第五注入口635與電漿產生器680以先前使用第一注入口631與電漿產生器680形成薄膜的相同方法，額外地形成於基板601上。

因此，其可能在反應室610中於基板601上形成所需厚度的薄膜。換句話說，可根據所需薄膜之厚度而控制平台620與電漿產生器680之移動。
在本實施例中，來源氣體S係透過注入部分630以平行於基板601之上表面的方向注入。具體而言，基板601係垂直於地面設置，亦即重力作用之方向。由於來源氣體S透過注入部分630而供應，當來源氣體S吸附於基板601上時，其可能降低基板601上不必要的吸附量。相似的，其可能降低由電漿產生器680所產生之電漿量以中止基板601上不必要的吸附。

換句話說，吸附於基板601上過多的成分或該成分不平整的隆起會因重力而掉落，從而降低來源氣體S與反應氣體的過量。藉由使用基板601下方之排氣口611以執行排氣製程，可輕易地移除此些過量。因此，來源氣體S係透過注入部分630之第一注入口631而注入，執行排氣製程無需使用額外的清潔氣體執行清潔製程，反應氣體透過電漿產生器680注入，且再度執行排氣製程而無需執行清潔製程，進而完成沉積製程。

具體而言，在本實施例中，電漿產生器680係設置以面對基板601。電漿產生器680係與注入來源氣體S之注入部分630分別設置。因此使用來源氣體S之製程與使用反應氣體之製程可獨立執行，從而輕易地形成不包含雜質之薄膜。

此外，由於電漿產生器680係與基板601彼此相互遠離而設置，且來源氣體S係透過注入部份630而由電漿產生器680與基板601其間的空間注入，因此電漿產生器680可用為導件以阻絕不想要的雜質。為此，電漿產生器680可形成以與基板601具有相同尺寸或大於基板601。舉例而言，當來源氣體S透第三注入口633注入時，若透過第一注入口631注入以與基板601反應之來源氣體S沒有透過排氣口611完全排除，則會產生過多之雜質氣體且吸附於基板601上。在此情形下，使用透過第三注入口633注入之來源氣體S的製程可能會受到過多之雜質氣體的影響，進而降低將形成於基板601上薄膜的性質。然而，根據本實施例，來源氣體S係藉由第三注入口633而朝向基板601與電漿產生器680之間的空間注入。因此，電漿產生器680可避免或阻隔來源氣體S與此過多的雜質氣體混和。

因此，可大幅地增加形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，由於可輕易地避免或阻絕不想要的成分吸附於基板601上且無需使用清潔製程，因此可消除當使用清潔氣體時所產生的清潔氣體雜質與欲形成於基板601上之薄膜同時沉積。是以，其可能形成在物理性質與化學性質上獲得改善而具有均勻特性的薄膜。

又，在本實施例中，沉積製程係於平台620與電漿產生器680使用第一驅動器651與第二驅動器652移動時執行。且複數個沉積製程係使用第一注入口631、第三注入口633、第五注入口635、以及電漿產生器680而依序執行。因此其可能大幅地降低形成所需厚度之薄膜所需的時間，進而增加沉積製程之效率。
此外，在本實施例中，遮罩640係設置於基板601上以協助於基板601上形成薄膜圖樣。

第10圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置700的剖面示意圖。參閱第10圖，汽相沉積裝置700包含反應室710、平台720、注入部分730、第一驅動器751、第二驅動器752、第三驅動器753、第一電漿產生器781、以及第二電漿產生器782。

反應室710包含位於其底部之排氣口711。排氣口711係為排除氣體之出口，且可連接至泵(圖未示)以協助排除氣體。
雖然並未顯示，泵可用以控制施加至反應室710之壓力而維持壓力恆定。加熱單元(圖未示)可設置於反應室710之外側或內側以加熱反應室710之內部，進而增進沉積製程之效率。
平台720包含第一安裝面721與第二安裝面722。第一安裝面721與第二安裝面722係以平行於重力作用之方向放置。換句話說，第一安裝面721與第二安裝面722係垂直地面配置。為此，平台720係垂直地面設置。

第一基板701與第二基板702係設置於平台720上。具體而言，第一基板701與第二基板702分別安裝於平台720之第一安裝面721與第二安裝面722上。

第一安裝面721與第二安裝面722係相互平行配置。

固定單元(圖未示)可用以分別將已安裝之第一基板701與第二基板702固定至第一安裝面721與第二安裝面722上。任一各種不同構件，例如夾具、加壓件、以及貼附材料，可用作為固定單元。

第一基板701與第一電漿產生器781係彼此分離而設置以於其間形成空間，且第二基板702與第二電漿產生器782係彼此分離而設置以於其間形成空間。第一電漿產生器781與第二電漿產生器782可分別平行於第一基板701與第二基板702而設置。此外，第一電漿產生器781可具有與第一基板701相同之尺寸以對應至第一基板701或大於第一基板701。第二電漿產生器782可具有與第二基板702相同之尺寸以對應至第二基板702或大於第二基板702。
第一電漿產生器781與第二電漿產生器782之形狀並無限制。換句話說，第一電漿產生器781與第二電漿產生器782可具有任一各種不同形狀，以使其可接收反應氣體、自反應氣體產生電漿、且朝向第一基板701與第二基板702釋放電漿。第一電漿產生器781與第二電漿產生器782之結構係如前述實施例所述故在此不再詳細敘述。

第一驅動器751至第三驅動器753係分別連接至平台720以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782。具體而言，第一驅動器751係連接至平台720，第二驅動器752係連接至第一電漿產生器781，而第三驅動器753係連接至第二電漿產生器782。

第10圖繪示三個分離之驅動器，亦即第一驅動器751至第三驅動器753，但本發明之態樣並不限於此。換句話說，可使用任一驅動器以同時或同步移動平台720以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782。

請參閱第10圖，第一驅動器751以箭頭M所指示之方向或其相反之方向移動平台720。換句話說，第一驅動器751以X軸之方向移動平台720。因此，第一基板701與第二基板702可以垂直於其上欲形成薄膜之第一基板701與第二基板702的表面之方向移動。

第二驅動器752與第三驅動器753以箭頭M所指示之方向或其相反之方向分別移動第一電漿產生器781與第二電漿產生器782。換句話說，第二驅動器752與第三驅動器753以X軸之方向分別移動第一電漿產生器781與第二電漿產生器782。因此，第一電漿產生器781與第二電漿產生器782可以垂直於其上欲形成薄膜之第一基板701與第二基板702的表面之方向移動。

在此情形下，控制第一驅動器751至第三驅動器753以於第一基板701與第一電漿產生器781之間，以及第二基板702與第二電漿產生器782之間維持固定空間。

注入部分730係連接於反應室710。至少一氣體係藉由注入部分730朝向第一基板701與第二基板702注入。具體而言，注入部分730包含第一注入口731、第二注入口732、第三注入口733、第四注入口734、第五注入口735、以及第六注入口736。

第一注入口731至第六注入口736係以第一基板701與第二基板702移動之方向配置。換句話說，第一注入口731至第六注入口736係以X軸方向彼此分離配置。

第一注入口731至第六注入口736之形狀並無限制。舉例而言，其各可為對應至第一基板701與第二基板702之寬度的點狀或線狀。

具體而言，氣體係透過第一注入口731至第六注入口736以平行於第一基板701與第二基板702之表平面之方向注入。亦即，氣體係透過第一注入口731至第六注入口736以平行於重力作用之方向注入。
來源氣體S係依序地或同時地透過第一注入口731、第三注入口733、與第五注入口735注入。由於電漿狀態之反應氣體係透過第一電漿產生器781與第二電漿產生器782而注入故第二注入口732、第四注入口734、與第六注入口736可不需形成。然而，本發明之態樣並不限於此，且反應氣體可藉由第二注入口732、第四注入口734、與第六注入口736注入而非第一電漿產生器781與第二電漿產生器782之供應部分(圖未示)。亦即，反應氣體可藉由第二注入口732、第四注入口734、與第六注入口736注入，於第一電漿產生器781與第二電漿產生器782中轉換為電漿型態，且接著朝向第一基板701與第二基板702注入。

根據本實施例之汽相沉積裝置700之操作係於下文中簡要地描述。

第一基板701與第二基板702係安裝於平台720之安裝面721、722上。接著，來源氣體S透過注入部分730之第一注入口731而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向第一基板701與第一電漿產生器781之間的空間注入，以及朝向第二基板702與第二電漿產生器782之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，第一電漿產生器781與第二電漿產生器782係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於第一基板701與第二基板702上。接著，使用排氣口711執行排氣製程以於第一基板701與第二基板702上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過第一電漿產生器781與第二電漿產生器782之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過第一電漿產生器781與第二電漿產生器782之出口朝向第一基板701與第二基板702釋放。

由此，反應氣體之電漿係吸附於第一基板701與第二基板702上。接著，使用排氣口711執行排氣製程以於第一基板701與第二基板702上形成反應氣體之單原子層或多原子層。
因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於第一基板701與第二基板702上。

接著，平台720以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782係使用第一驅動器751至第三驅動器753沿著X軸方向移動，亦即箭頭M所指示之方向。因此，第一基板701與第一電漿產生器781、以及第二基板702與第二電漿產生器782之空間係維持固定，即使在平台720以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782移動之後。

接著，來源氣體S透過注入部分730之第三注入口733而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向介於第一基板701與第一電漿產生器781之間的空間注入，以及第二基板702與第二電漿產生器782之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，第一電漿產生器781與第二電漿產生器782係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於第一基板701與第二基板702上。接著，使用排氣口711執行排氣製程以於第一基板701與第二基板702上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。
接著，透過第一電漿產生器781與第二電漿產生器782之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過第一電漿產生器781與第二電漿產生器782之出口朝向第一基板701與第二基板702釋放。

因此，反應氣體之電漿係吸附於第一基板701與第二基板702上。接著，使用排氣口711執行排氣製程以於第一基板701與第二基板702上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於薄膜上，亦即位於在驅動第一驅動器751至第三驅動器753之前，藉由使用第一注入口731以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782而形成於第一基板701與第二基板702上的來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層之上。

接著，平台720以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782係使用第一驅動器751至第三驅動器753沿著X軸方向移動，亦即箭頭M所指示之方向。

接著，薄膜係藉由使用第五注入口735以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782以先前使用第一注入口731以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782形成薄膜的相同方法，額外地形成於第一基板701與第二基板702上。

因此，其可能在反應室710中於第一基板701與第二基板702上形成所需厚度的薄膜。換句話說，可根據所需薄膜之厚度而控制平台720以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782之移動。

在本實施例中，來源氣體S係透過注入部分730以平行於第一基板701與第二基板702之上表面的方向注入。具體而言，第一基板701與第二基板702係垂直於地面設置，亦即重力作用之方向。因此，當透過注入部分730而供應之來源氣體S吸附於第一基板701與第二基板702上時，其可能降低第一基板701與第二基板702上不必要的吸附量。相似的，其可能降低由第一電漿產生器781與第二電漿產生器782所產生之電漿量以中止第一基板701與第二基板702上不必要的吸附。

換句話說，吸附於第一基板701與第二基板702上過多的成分或該成分不平整的隆起會因重力而掉落，從而降低來源氣體S與電漿的過量。藉由使用第一基板701與第二基板702下方之排氣口711以執行排氣製程，可輕易地移除此些過量。因此，來源氣體S係透過注入部分730之第一注入口731而注入，執行排氣製程無需使用額外的清潔氣體執行清潔製程，反應氣體透過第一電漿產生器781與第二電漿產生器782注入，且再度執行排氣製程而無需執行清潔製程，進而完成沉積製程。
具體而言，在本實施例中，第一電漿產生器781與第二電漿產生器782係設置以分別面對第一基板701與第二基板702。第一電漿產生器781與第二電漿產生器782係與注入來源氣體S之注入部分730分別設置。因此使用來源氣體S之製程與使用反應氣體之製程可獨立執行，從而輕易地形成不包含雜質之薄膜。

此外，由於第一電漿產生器781與第二電漿產生器782係與第一基板701與第二基板702彼此相互遠離而設置，且來源氣體S係透過注入部份730而由第一電漿產生器781與第一基板701其間的空間注入，以及第二電漿產生器782與第二基板702其間的空間注入，因此第一電漿產生器781與第二電漿產生器782可用為導件以阻絕不想要的雜質。為此，第一電漿產生器781與第二電漿產生器782可形成以與第一基板701與第二基板702具有相同尺寸或大於第一基板701與第二基板702。舉例而言，當來源氣體S透第三注入口733注入時，若透過第一注入口731注入以與第一基板701及第二基板702反應之來源氣體S沒有透過排氣口711完全排除，則會產生過多之雜質氣體且吸附於第一基板701與第二基板702上。在此情形下，使用透過第三注入口733注入之來源氣體S的製程可能會受到過多之雜質氣體的影響，進而降低將形成於第一基板701與第二基板702上薄膜的性質。然而，根據本實施例，來源氣體S係藉由第三注入口733而朝向第一基板701與第一電漿產生器781之間的空間、以及第二基板702與第二電漿產生器782之間的空間注入。因此，第一電漿產生器781與第二電漿產生器782可避免或阻隔來源氣體S與此過多的雜質氣體混和。

因此，可大幅地增加形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，由於可輕易地避免或阻絕不想要的成分吸附於第一基板701與第二基板702上且無需使用清潔製程，因此可消除當使用清潔氣體時所產生的清潔氣體雜質與欲形成於第一基板701與第二基板702上之薄膜同時沉積。是以，其可能形成在物理性質與化學性質上獲得改善而具有均勻特性的薄膜。

又，在本實施例中，沉積製程係於平台720以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782使用第一驅動器751至第三驅動器753移動時執行。且複數個沉積製程係使用第一注入口731、第三注入口733、第五注入口735、以及第一電漿產生器781與第二電漿產生器782而依序執行。因此其可能大幅地降低形成所需厚度之薄膜所需的時間，進而增加沉積製程之效率。

此外，在本實施例中，第一安裝面721與第二安裝面722係分別形成於平台720之兩面上，且第一基板701與第二基板702係同步地或同時地安裝於平台720上。因此，可增進沉積製程之效率。此外，由於第一基板701與第二基板702係設置於平台720之兩面以相互平行，因此第一基板701與第二基板702欲形成薄膜之表面並不會彼此面對設置。由此，於第一基板701上執行之沉積製程以及於第二基板702上執行之沉積製程不會相互干擾。因此，其可能於第一基板701與第二基板702上皆形成具有均勻且改善特質之薄膜。

第11圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置800的剖面示意圖。參閱第11圖，汽相沉積裝置800包含反應室810、平台820、注入部分830、第一遮罩841、第二遮罩842、第一驅動器851、第二驅動器852、第三驅動器853、第一電漿產生器881、以及第二電漿產生器882。

反應室810包含位於其底部之排氣口811。排氣口811係為排除氣體之出口，且可連接至泵(圖未示)以協助排除氣體。

雖然並未顯示，泵可用以控制施加至反應室810之壓力而維持壓力恆定。加熱單元(圖未示)可設置於反應室810之外側或內側以加熱反應室810之內部，進而增進沉積製程之效率。

平台820包含第一安裝面821與第二安裝面822。第一安裝面821與第二安裝面822係以平行於重力作用之方向放置。換句話說，第一安裝面821與第二安裝面822係垂直地面配置。為此，平台820係垂直地面設置。

第一基板801與第二基板802係設置於平台820上。具體而言，第一基板801與第二基板802分別安裝於平台820之第一安裝面821與第二安裝面822上。

第一安裝面821與第二安裝面822係相互平行配置。

固定單元(圖未示)可用以分別將安裝之第一基板801與第二基板802固定至第一安裝面821與第二安裝面822上。任一各種不同構件，例如夾具、加壓件、以及貼附材料，可用作為固定單元。

第一基板801與第一電漿產生器881係彼此分離而設置以於其間形成空間，且第二基板802與第二電漿產生器882係彼此分離而設置以於其間形成空間。第一電漿產生器881與第二電漿產生器882可分別平行於第一基板801與第二基板802而設置。此外，第一電漿產生器881可具有與第一基板801相同之尺寸以對應至第一基板801或大於第一基板801。第二電漿產生器882可具有與第二基板802相同之尺寸以對應至第二基板802或大於第二基板802。

第一遮罩841與第二遮罩842係設置於第一基板801與第二基板802之上。具體而言，第一遮罩841與第二遮罩842可分別設置於第一基板801與第二基板802之上。

雖然並未顯示，如同先前之實施例每一第一遮罩841與第二遮罩842包含狹縫。每一狹縫具有對應至分別欲形成於第一基板801與第二基板802上薄膜圖樣之形狀。

第一電漿產生器881與第二電漿產生器882之形狀並無限制。換句話說，第一電漿產生器881與第二電漿產生器882可具有任一各種不同形狀，以使其可接收反應氣體、自反應氣體產生電漿、且朝向第一基板801與第二基板802釋放電漿。第一電漿產生器881與第二電漿產生器882之結構係如前述實施例所述故在此不再詳細敘述。

第一驅動器851至第三驅動器853係分別連接至平台820以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882。具體而言，第一驅動器851係連接至平台820，第二驅動器852係連接至第一電漿產生器881，而第三驅動器853係連接至第二電漿產生器882。

第11圖繪示三個分離之驅動器，亦即第一驅動器851至第三驅動器853，但本發明之態樣並不限於此。換句話說，可使用任一驅動器以同時或同步移動平台820以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882。

請參閱第11圖，第一驅動器851以箭頭M所指示之方向或其相反之方向移動平台820。換句話說，第一驅動器851以X軸之方向移動平台820。因此，第一基板801與第二基板802可以垂直於其上欲形成薄膜之第一基板801與第二基板802的表面之方向移動。

第二驅動器852與第三驅動器853以箭頭M所指示之方向或其相反之方向分別移動第一電漿產生器881與第二電漿產生器882。換句話說，第二驅動器852與第三驅動器853以X軸之方向分別移動第一電漿產生器881與第二電漿產生器882。因此，第一電漿產生器881與第二電漿產生器882可分別以垂直於其上欲形成薄膜之第一基板801與第二基板802的表面之方向移動。

在此情形下，控制第一驅動器851至第三驅動器853以於第一基板801與第一電漿產生器881之間，以及第二基板802與第二電漿產生器882之間維持固定空間。

注入部分830係連接於反應室810。至少一氣體係藉由注入部分830朝向第一基板801與第二基板802注入。具體而言，注入部分830包含第一注入口831、第二注入口832、第三注入口833、第四注入口834、第五注入口835、以及第六注入口836。

第一注入口831至第六注入口836係以第一基板801與第二基板802移動之方向配置。換句話說，第一注入口831至第六注入口836係以X軸方向彼此分離配置。
第一注入口831至第六注入口836之形狀並無限制。舉例而言，其各可為對應至第一基板801與第二基板802之寬度的點狀或線狀。

氣體係透過第一注入口831至第六注入口836以平行於第一基板801與第二基板802之表平面之方向注入。亦即，氣體係透過第一注入口831至第六注入口836以平行於重力作用之方向注入。

具體而言，來源氣體S係依序地或同時地透過第一注入口831、第三注入口833、與第五注入口835注入。由於電漿狀態之反應氣體係透過第一電漿產生器881與第二電漿產生器882而注入故第二注入口832、第四注入口834、與第六注入口836可不需形成。然而，本發明之態樣並不限於此，且反應氣體可藉由第二注入口832、第四注入口834、與第六注入口836注入而非第一電漿產生器881與第二電漿產生器882之供應部分(圖未示)。亦即，反應氣體可藉由第二注入口832、第四注入口834、與第六注入口836注入，於第一電漿產生器881與第二電漿產生器882中轉換為電漿型態，且接著朝向第一基板801與第二基板802注入。

根據本實施例之汽相沉積裝置800之操作係於下文中簡要地描述。

第一基板801與第二基板802係安裝於平台820之安裝面821、822上。包含對應至欲沉積於第一基板801上之薄膜圖樣的狹縫之第一遮罩841係設置於第一基板801上。包含對應至欲沉積於第二基板802上之薄膜圖樣的狹縫之第二遮罩842係設置於第二基板802上。

接著，來源氣體S透過注入部分830之第一注入口831而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向第一基板801與第一電漿產生器881之間的空間注入，以及朝向第二基板802與第二電漿產生器882之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，第一電漿產生器881與第二電漿產生器882係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於第一基板801與第二基板802上。具體而言，來源氣體S係吸附於第一基板801與第二基板802上對應至狹縫的區域。接著，使用排氣口811執行排氣製程以於第一基板801與第二基板802上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過第一電漿產生器881與第二電漿產生器882之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過第一電漿產生器881與第二電漿產生器882之出口朝向第一基板801與第二基板802釋放。

反應氣體之電漿係吸附於第一基板801與第二基板802對應至狹縫之區域上。接著，使用排氣口811執行排氣製程以於第一基板801與第二基板802對應至狹縫之區域上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於第一基板801與第二基板802對應至狹縫之區域上。

接著，平台820以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882係使用第一驅動器851至第三驅動器853沿著X軸方向移動，亦即箭頭M所指示之方向。因此，第一基板801與第一電漿產生器881、以及第二基板802與第二電漿產生器882之空間係維持固定，即使在平台820以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882移動之後。

接著，來源氣體S透過注入部分830之第三注入口833而注入。在此情形下，來源氣體S可朝向介於第一基板801與第一電漿產生器881之間的空間注入，以及第二基板802與第二電漿產生器882之間的空間注入。當來源氣體S被注入時，第一電漿產生器881與第二電漿產生器882係控制為不操作。

來源氣體S係吸附於第一基板801與第二基板802上。接著，使用排氣口811執行排氣製程以於第一基板801與第二基板802上形成來源氣體S之單原子層或多原子層。

接著，透過第一電漿產生器881與第二電漿產生器882之供應部分注入反應氣體。當反應氣體注入時，於介於第一電漿電極與第二電漿電極之間的空間產生電漿。電漿係透過第一電漿產生器881與第二電漿產生器882之出口朝向第一基板801與第二基板802釋放。

因此，反應氣體之電漿係吸附於第一基板801與第二基板802上。接著，使用排氣口811執行排氣製程以於第一基板801與第二基板802上形成反應氣體之單原子層或多原子層。

因此，來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層係形成於薄膜上，亦即位於在驅動第一驅動器851至第三驅動器853之前，藉由使用第一注入口831以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882而形成於第一基板801與第二基板802上的來源氣體S與反應氣體之單原子層或多原子層之上。

接著，平台820以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882係使用第一驅動器851至第三驅動器853沿著X軸方向移動，亦即箭頭M所指示之方向。

接著，薄膜係藉由使用第五注入口835以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882以先前使用第一注入口831以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882形成薄膜的相同方法，額外地形成於第一基板801與第二基板802上。

因此，其可能在反應室810中於第一基板801與第二基板802上形成所需厚度的薄膜。換句話說，可根據所需薄膜之厚度而控制平台820以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882之移動。

在本實施例中，來源氣體S係透過注入部分830以平行於第一基板801與第二基板802之上表面的方向注入。具體而言，第一基板801與第二基板802係垂直於地面設置，亦即重力作用之方向。因此，當透過注入部分830而供應之來源氣體S吸附於第一基板801與第二基板802上時，其可能降低第一基板801與第二基板802上不必要的吸附量。相似的，其可能降低由第一電漿產生器881與第二電漿產生器882所產生之電漿量以中止第一基板801與第二基板802上不必要的吸附。

換句話說，吸附於第一基板801與第二基板802上過多的成分或該成分不平整的隆起會因重力而掉落，從而降低來源氣體S與電漿的過量。藉由使用第一基板801與第二基板802下方之排氣口811以執行排氣製程，可輕易地移除此些過量。因此，來源氣體S係透過注入部分830之第一注入口831而注入，執行排氣製程無需使用額外的清潔氣體執行清潔製程，反應氣體透過第一電漿產生器881與第二電漿產生器882注入，且再度執行排氣製程而無需執行清潔製程，進而完成沉積製程。

具體而言，在本實施例中，第一電漿產生器881與第二電漿產生器882係設置以分別面對第一基板801與第二基板802。第一電漿產生器881與第二電漿產生器882係與注入來源氣體S之注入部分830分別設置。因此使用來源氣體S之製程與使用反應氣體之製程可獨立執行，從而輕易地形成不包含雜質之薄膜。
此外，由於第一電漿產生器881與第二電漿產生器882係與第一基板801與第二基板802彼此相互遠離而設置，且來源氣體S係透過注入部份830而由第一電漿產生器881與第一基板801其間的空間注入，以及第二電漿產生器882與第二基板802其間的空間注入。因此第一電漿產生器881與第二電漿產生器882可用為導件以阻絕不想要的雜質。為此，第一電漿產生器881與第二電漿產生器882可形成以與第一基板801與第二基板802具有相同尺寸或大於第一基板801與第二基板802。舉例而言，當來源氣體S透第三注入口833注入時，若透過第一注入口831注入以與第一基板801及第二基板802反應之來源氣體S沒有透過排氣口811完全排除，則會產生過多之雜質氣體且吸附於第一基板801與第二基板802上。在此情形下，使用透過第三注入口833注入之來源氣體S的製程可能會受到過多之雜質氣體的影響，進而降低將形成於第一基板801與第二基板802上薄膜的性質。然而，根據本實施例，來源氣體S係藉由第三注入口833而朝向第一基板801與第一電漿產生器881之間的空間、以及第二基板802與第二電漿產生器882之間的空間注入。因此，第一電漿產生器881與第二電漿產生器882可避免或阻隔來源氣體S與此過多的雜質氣體混和。

因此，可大幅地增加形成所需薄膜之沉積製程的效率。此外，由於可輕易地避免或阻絕不想要的成分吸附於第一基板801與第二基板802上且無需使用清潔製程，因此可消除當使用清潔氣體時所產生的清潔氣體雜質與欲形成於第一基板801與第二基板802上之薄膜同時沉積。是以，其可能形成在物理性質與化學性質上獲得改善而具有均勻特性的薄膜。

又，在本實施例中，沉積製程係於平台820以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882使用第一驅動器851至第三驅動器853移動時執行。且複數個沉積製程係使用第一注入口831、第三注入口833、第五注入口835、以及第一電漿產生器881與第二電漿產生器882而依序執行。因此其可能大幅地降低形成所需厚度之薄膜所需的時間，進而增加沉積製程之效率。

此外，在本實施例中，第一安裝面821與第二安裝面822係分別形成於平台820之兩面上，且第一基板801與第二基板802係同步地或同時地安裝於平台820上。因此，可增進沉積製程之效率。此外，由於第一基板801與第二基板802係設置於平台820之兩面以相互平行，因此第一基板801與第二基板802欲形成薄膜之表面並不會彼此面對設置。由此，於第一基板801上執行之沉積製程以及於第二基板802上執行之沉積製程不會相互干擾。因此，其可能於第一基板801與第二基板802上皆形成具有均勻且改善特質之薄膜。

此外，在本實施例中，第一遮罩841與第二遮罩842係設置於第一基板801與第二基板802上以協助於第一基板801與第二基板802上形成薄膜圖樣。

第12圖係為根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法所製造之有機發光顯示裝置之剖面示意圖。具體而言，第12圖繪示了使用根據本發明上述各種不同實施例之汽相沉積裝置100至800其中之一所製造之有機發光顯示裝置。

請參閱第12圖，有機發光顯示裝置10係形成於基板30上。基板30可由，舉例而言，玻璃、塑膠、或金屬形成。在基板30上，緩衝層31係形成以於基板30上提供平坦化之表面且保護基板30免於濕氣或外來物質。

薄膜電晶體(TFT) 40、電容50、以及有機發光裝置(OLED) 60係設置於緩衝層31上。薄膜電晶體40包含主動層41、閘極電極42、以及源極/汲極電極43。電容50包含第一電容電極51以及第二電容電極52。有機發光裝置60包含第一電極61、第二電極62、以及中間層63。
詳細地說，主動層41係形成以於緩衝層31上具有合適的圖樣(例如預定圖樣)。主動層41可包含p型或n型半導體材料。閘極絕緣層32係形成於主動層41上。閘極電極42係形成於閘極絕緣層32上對應至主動層41之區域。層間絕緣層33係形成而覆蓋閘極電極42，且源極/汲極電極43係設置於層間絕緣層33上以接觸主動層41的適當區域(例如預定區域)。鈍化層34係形成以覆蓋源極/汲極電極43，且額外的絕緣層(圖未示)可形成於鈍化層34上以平坦化鈍化層34。

第一電極61係形成於鈍化層34上。第一電極61係電性連接於源極/汲極電極43。像素定義層35係形成以覆蓋第一電極61。開口64係形成於像素定義層35中，且包含有機發光層(圖未示)之中間層63係形成於開口64所定義之區域中。第二電極62係形成於中間層63上。
封裝層70係形成於第二電極62上。封裝層70可包含有機或無機材料，且可具有有機層與無機層交錯堆疊之結構。

封裝層70可使用汽相沉積裝置100至800其中之一所形成。換句話說，封裝層可藉由將其上已形成第二電極62之基板30移動至反應室(圖未示)中且接著於基板30上執行如上所述之汽相沉積製程而形成。
然而，本發明之態樣並不限於此。舉例而言，包含於有機發光顯示裝置10中的絕緣層，例如緩衝層31、閘極絕緣層32、層間絕緣層33、鈍化層34、以及像素定義層35，可藉由使用根據本發明一實施例之汽相沉積裝置而形成。

此外，各種不同的導電薄膜，例如主動層41、閘極電極42、源極/汲極電極43、第一電極61、中間層63、以及第二電極62，可使用根據本發明一實施例之汽相沉積裝置而形成。
具有根據本發明一實施例之汽相沉積裝置及方法、以及製造有機發光顯示裝置之方法，其可能有效地執行汽相沉積製程且輕易地改善薄膜之性質。

當本發明已參考其例示性實施例具體地顯現與描述，其將為所屬技術領域之技藝人士所理解的是，任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改與變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
10．．．有機發光顯示裝置
30．．．基板
31．．．緩衝層
32．．．閘極絕緣層
33．．．層間絕緣層
34．．．鈍化層
35．．．像素定義層
40．．．薄膜電晶體
41．．．主動層
42．．．閘極電極
43．．．源極/汲極電極
50．．．電容
51．．．第一電容電極
52．．．第二電容電極
60．．．有機發光裝置
61．．．第一電極
62．．．第二電極
63．．．中間層
64．．．開口
70．．．封裝層
100、200、300、400、500、600、700、800．．．汽相沉積裝置
101、201、501、601．．．基板
110、210、310、410、510、610、710、810．．．反應室
111、211、311、411、511、611、711、811．．．排氣口
120、220、320、420、520、620、720、820．．．平台
121、221、521、621．．．安裝面
130、230、330、430、530、630、730、830．．．注入部分
131、231、331、431、531、631、731、831．．．第一注入口
132、232、332、432、532、632、732、832．．．第二注入口
180、280、580、680．．．電漿產生器
180a、180b、180c、180d、180e．．．模組
181．．．第一電漿電極
182．．．第二電漿電極
183．．．供應部分
184．．．空間
185．．．出口
240、640．．．遮罩
240a．．．狹縫
301、401、701、801．．．第一基板
302、402、702、802．．．第二基板
321、421、721、821．．．第一安裝面
322、422、722、822．．．第二安裝面
381、481、781、881．．．第一電漿產生器
382、482、782、882．．．第二電漿產生器
441、841．．．第一遮罩
442、842．．．第二遮罩
533、633、733、833．．．第三注入口
534、634、734、834．．．第四注入口
535、635、735、835．．．第五注入口
536、636、736、836．．．第六注入口
551、651、751、851．．．第一驅動器
552、652、752、852．．．第二驅動器
753、853．．．第三驅動器
A、M．．．方向
S．．．來源氣體
藉由參考附圖詳細描述其例示性實施例，將使本發明之上述與其他特徵更為顯而易知，其中：
第1 圖係為根據本發明一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第2 圖係為根據本發明一實施例之第1圖中電漿產生器之透視圖；
第3 圖係為第2圖中沿著線段III-III所獲得之剖面圖；
第4 圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第5 圖係為第4圖之汽相沉積裝置由箭頭A所示之方向所見之平面圖；
第6圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第7圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第8圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第9圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第10圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；
第11圖係為根據本發明另一實施例之汽相沉積裝置之剖面示意圖；以及
第12圖係為根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置之方法所製造之有機發光顯示裝置之剖面示意圖。
100．．．汽相沉積裝置
101．．．基板
110．．．反應室
111．．．排氣口
120．．．平台
121．．．安裝面
130．．．注入部分
131．．．第一注入口
132．．．第二注入口
180．．．電漿產生器
S．．．來源氣體

Claims (37)

  1. 一種用以於一基板上形成一薄膜之汽相沉積裝置，該汽相沉積裝置包含：
    一反應室，其具有一排氣口；
    一平台，其係設置於該反應室中，且包含一安裝面，其係為了欲安裝於其上之該基板而配置；
    一注入部分，其具有至少一注入口，一氣體係以一平行於該基板欲形成該薄膜之一表面的方向而透過該至少一注入口注入；以及
    一電漿產生器，其係遠離該基板設置以面對該基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該電漿產生器包含：
    一供應部分，一反應氣體係由此注入；
    一第一電漿電極；
    一第二電漿電極，其係與該第一電漿電極分離；以及
    一出口。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之汽相沉積裝置，其中一電漿係於該第一電漿電極與該第二電漿電極之間產生且透過該出口朝向該基板釋放。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該電漿產生器包含複數個模組，其中該複數個模組的每一個包含：
    一供應部分，一反應氣體係由此注入；
    一第一電漿電極；
    一第二電漿電極，其係與該第一電漿電極分離；以及
    一出口。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該電漿產生器係與該基板平行設置。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該電漿產生器與該基板具有相同尺寸以對應至該基板，或大於該基板。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，更包含一遮罩，其具有複數個狹縫以於該基板上沉積具有一所需圖樣的該薄膜。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該平台包含複數個該基板欲分別設置於其上的複數個該安裝面。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之汽相沉積裝置，其中該複數個安裝面係彼此平行設置。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之汽相沉積裝置，其中該複數個安裝面係分別位於該平台之一第一表面上以及該平台相反於該第一表面之一第二表面上。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之汽相沉積裝置，其中複數個該電漿產生器係設置以對應於設置於該複數個安裝面上的該複數個基板。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，更包含一驅動器以驅動該平台與該電漿產生器，且其係配置以於該反應室中移動安裝於該平台上之該基板以及該電漿產生器。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之汽相沉積裝置，其中該驅動器係配置以移動該平台與該電漿產生器，從而以一垂直於該基板欲沉積該薄膜之該表面的方向移動安裝於該平台上之該基板。
  14. .如申請專利範圍第12項所述之汽相沉積裝置，其中該驅動器係配置以製造一往復運動。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之汽相沉積裝置，其中該驅動器係配置以同時地移動該平台與該電漿產生器。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之汽相沉積裝置，其中該驅動器包含：
    一第一驅動器以移動該平台；以及
    一第二驅動器以移動該電漿產生器。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該安裝面係設置以平行於一重力作用之方向。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中相較於該平台，該注入部分係較遠離地面而設置。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該排氣口係連接至一泵(pump)。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該注入部分之該至少一注入口係為注入一來源氣體之一出口。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之汽相沉積裝置，其中該注入部分之該至少一注入口係為一反應氣體供應至該電漿產生器之一出口。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中相較於該基板設置與地面之距離，該排氣口係設置而較接近地面。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之汽相沉積裝置，其中該注入部分包含複數個該注入口，其係以一垂直於該基板其上欲形成該薄膜之該表面的方向彼此遠離設置，是以於該基板上執行一沉積製程數次。
  24. 一種於一基板上形成一薄膜之汽相沉積方法，該汽相沉積方法包含下列步驟：
    於設置在一反應室中一平台之一安裝面上安裝該基板；
    以一平行於其上欲沉積該薄膜之該基板之一表面的方向，透過一注入部分朝向介於該基板與設置以面對該基板的一電漿產生器之間的一空間注入一來源氣體；
    藉由使用該反應室之一排氣孔以執行一排氣製程；
    藉由使用該電漿產生器產生一電漿以朝向該基板釋放該電漿；以及
    藉由使用該反應室之該排氣孔以執行另一排氣製程。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之汽相沉積方法，其中該電漿產生器包含：
    一供應部分；
    一第一電漿電極；
    一第二電漿電極，其係與該第一電漿電極分離；以及
    一出口，
    其中一反應氣體係透過該供應部分而供應至該電漿產生器、透過該第一電漿電極與該第二電漿電極轉變為一電漿、且接著透過該電漿產生器之該出口朝向該基板釋放。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之汽相沉積方法，其中一反應氣體係透過該注入部分供應至該電漿產生器、透過該電漿產生器轉變為一電漿、且接著朝向該基板釋放。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之汽相沉積方法，其中該注入部分包含一注入口，且該來源氣體與該反應氣體係依序透過該注入口而注入。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之汽相沉積方法，其中該注入部分包含複數個注入口，且該來源氣體與該反應氣體係透過不同注入口而注入。
  29. 如申請專利範圍第24項所述之汽相沉積方法，其中該排氣製程係使用一泵(pump)而執行。
  30. 如申請專利範圍第24項所述之汽相沉積方法，其中該基板之安裝包含於該基板上設置一遮罩，且該遮罩具有複數個狹縫以於該基板上沉積具有一所需圖樣之該薄膜。
  31. 如申請專利範圍第24項所述之汽相沉積方法，其中當安裝於該平台上之該基板以一垂直於該基板其上欲沉積該薄膜之表面的方向於該反應室中移動時執行一沉積製程。
  32. 如申請專利範圍第24項所述之汽相沉積方法，其中該平台包含複數個該安裝面，且於該平台上安裝該基板之過程中，複數個該基板係分別安裝於該平台之該複數個安裝面上。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之汽相沉積方法，其中複數個該電漿產生器係設置以對應於該複數個基板。
  34. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該有機發光顯示裝置中一薄膜係形成於一基板上，且包含一第一電極、一第二電極、以及位於該第一電極與該第二電極之間具有一有機發射層之一中間層，該方法包含下列步驟：
    於設置在一反應室中一平台的一安裝面上安裝該基板；
    以一平行於其上欲沉積該薄膜之該基板之一表面的方向，透過一注入部分朝向介於該基板與設置以面對該基板的一電漿產生器之間的一空間注入一來源氣體；
    藉由使用該反應室之一排氣孔以執行一排氣製程；
    藉由使用該電漿產生器產生一電漿以朝向該基板釋放該電漿；以及
    藉由使用該反應室之該排氣孔以執行另一排氣製程。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之方法，其中一封裝層係形成於該第二電極上。
  36. 如申請專利範圍第34項所述之方法，其中該薄膜係形成以包含一絕緣層。
  37. 如申請專利範圍第34項所述之方法，其中該薄膜係形成以包含一導電層。
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