TW201316342A - 記憶體參數的測試方法及其測試設備 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種記憶體電源性能參數的測試設備與測試方法。測試設備包括主電路板、連接器與測試模組，該連接器與該測試模組設置於該主電路板上，該測試模組經由該連接器與主電路板電連接，該主電路板、該連接器與測試模組配合用於測試待測試的記憶體的電源性能參數。該連接器包括若干連接端，該若干連接端中包括至少一第一電源端，該至少一電源端用於連接對應該記憶體的至少一電源引腳，該測試模組用於測試該記憶體對應該至少一第一電源端的電源性能參數。

Description

記憶體參數的測試方法及其測試設備
本發明係關於一種用於測試中央處理器參數的測試方法及其測試設備。
通常，記憶體以及其他具有資料存儲功能的集成晶片正常工作的性能參數，如電壓、電流、功率等標稱值，均標示在廠家提供的該晶片的資料庫(Database)中。然而，標示在資料庫中的性能參數的標稱值往往與記憶體實際工作時的所展現的工作性能參數有一定出入，尤其是記憶體電源性能參數，例如輸入電流或者輸入功率，其往往標定的是記憶體工作時的最大參數，例如最大輸入功率或者輸入電流。若直接採用所列性能參數的標稱值，則在後續採用該記憶體進行電路板設計時，則不能完全利用記憶體的資源，造成資源的浪費。再或者技術人員為了防止後續設計出的電路板能夠可靠地工作，則保守地按照比標稱值小較多的性能參數進行設計，有可能與該記憶體配合的電路模組或者記憶體本身會出現工作不穩定的情形，導致該後續設計出的電路板的準確性與可靠性較差。
因此，為合理的設計具備該等記憶體的電路板，通常會對該電路板的電壓與電流輸入端進行測量，以測量值估算該記憶體的功耗。然而，由於電路板上設置有眾多的電路及佈線，測量值實際體現的是這個電路板的總體功耗，而不能準確的體現記憶體的實際功耗，且該總功耗也無法準確地瞭解到該等記憶體所涉及到的不同工作狀態時的電壓或電流的情況。因此，此種測試方法仍然存在無法準確、可靠地獲得晶片各性能參數的實際值，導致電路的準確性與可靠性不高。
有鑑於此，提供一種可提高記憶體電源性能參數測試的準確性與可靠性的測試設備。
進一步，提供一種測試方法。
一種測試設備，其包括一主電路板、一連接器與一測試模組，該連接器與該測試模組設置於該主電路板上，該測試模組經由該連接器與主電路板電連接，該主電路板、該連接器與測試模組配合用於測試一待測試的記憶體的電源性能參數，該連接器包括若干連接端，該若干連接端中包括至少一第一電源端，該至少一電源端用於連接對應該記憶體的至少一電源引腳，該測試模組用於測試該記憶體對應該至少一第一電源端的電源性能參數。
一種測試方法，以用於測試一記憶體的電源性能參數，包括以下步驟：
提供一測試設備；
將該記憶體與該測試設備連接；
提供一電源信號至該測試設備與該記憶體；及
該測試設備測試該記憶體的電源性能參數。
相較於先前技術，在電路設計之前，通過將測試設備對記憶體不同工作狀態的性能參數進行測試，充分瞭解該記憶體的各個性能參數，從而有效提高後續電路設計的準確性與可靠性。
下面結合附圖對本發明記憶體參數測試方法及其測試設備作詳細說明。
請參閱圖1，其為本發明記憶體參數測試設備一實施方式的結構示意圖。其中，電源10為該測試設備20提供電源信號。該測試設備20包括一主電路板200、一連接器300以及一測試模組400。主電路板200、連接器300以及測試模組400相互配合用於測試一待測試的記憶體50的電源性能參數。需要說明的是，本實施方式所述的電源性能參數指的是記憶體50的電源引腳501接收的電壓值、電流至或者功率值等代表驅動性能的參數。
主電路板200能夠類比不同型號的記憶體在實際工作中可能需要實現的功能，例如資料信號的存儲以及讀取。在本實施例中，該主電路板200可利用一電腦主機的主板實現，當該主電路板200為一主板時，該主板向該記憶體50輸出需要存儲的資料信號，並且自記憶體50中讀取已被存儲的資料信號，即該主電路板200與該記憶體50進行資料通信。
連接器300設置於主電路板200上，並且與主電路板200電連接，用於連接該待測的該記憶體50，以使該記憶體50與主電路板200經由該連接器300實現電連接，以接收主電路板200輸出的資料信號。同時，電源10提供的工作電壓經過該主電路板200處理後，再經由該連接器300提供至該記憶體50，以驅動該記憶體50工作。
連接器300包括有多個連接端（部分示出），分別與待測的記憶體50的引腳相對應。當該記憶體50插接在該連接器300處時，該連接器300的引腳功能與該記憶體50的引腳功能對應保持一致。該多個連接端中包括與該記憶體50的至少一電源引腳501（如：Vcc）相對應的至少一第一電源端301，該至少一第一電源端301用於接收該主電路板200處理後的電壓信號，並將該電壓信號提供至該記憶體50的電源引腳501。
在本實施方式中，連接器300為一記憶體插槽，該多個連接端為設置在該記憶體插槽的接觸引腳。
該測試模組400與該連接器300連接，該測試模組400用於測試通過該連接器300與該主電路板200電連接並且進行資料通信的記憶體50的電源性能參數。
在本實施方式中，測試模組400測試當該記憶體50分別處於不同工作狀態時，例如處於不同負載狀態時，載入至記憶體50的該至少一電源引腳501對應的該至少一第一電源端301上的電壓值與電流值。
測試模組400包括至少一測試端401。該至少一測試端401分別與連接器300該至少一第一電源端301電連接，以及記憶體50的電源引腳501電連接。即，每一對同時與第一電源端301及其對應的電源引腳501連接的該測試端401之間處於電連接狀態。該至少一測試端401的數目與設置位置均與連接器300的多個連接端以及記憶體50的多個引腳相對應，連接器300通過測試模組400的該至少一測試端401與記憶體50電連接，進行資料通信。
在本實施例中，該測試模組400包括一連接引腳部(未示出)及一連接插槽部（未示出），該連接引腳部包括多個連接引腳，該多個連接引腳插接在該連接器300中以實現與該連接器300的各連接端電連接，該多個連接引腳包括該至少一測試端401。該連接插槽部與該連接引腳部相對設置，該待測的記憶體50插接在該連接插槽部，則該記憶體50的各引腳經由該連接插槽部與該連接引腳部的連接引腳對應電連接，進而實現與該連接器300的相應連接端的電連接。其中，該記憶體的至少一電源引腳經由該至少一測試端401連接於該至少一第一電源端301。
下面舉例說明記憶體50、測試模組400及連接器300之間的引腳關係。若記憶體50具有72個引腳，其包括3個電源引腳501(Vcc)、32個資料引腳、12個位址引腳以及其他25個功能引腳。對應地，連接器300設置有72個連接端，包括與該3個電源引腳對應的3個電源端、與該32個資料引腳對應的32個資料端、及與12個位址引腳對、25個功能引腳應的該37個連接端，其中，該電源端對應該第一電源端301。同時，測試模組400相應具有至少3個測試端401，並且該至少3個測試端401分別與電源引腳501以及第一電源端301電連接。
再如：不同類型的記憶體50還可能包括接收不同驅動電壓的電源引腳501，例如，目前DDR3記憶體上具有VTT、VDDQ分別接收0.75V/0.675與1.5/1.35V電壓的電源引腳501時，則連接器300對應設置有多個第一電源端301。同時，測試模組400也對應設置有多個測試端401。
在本實施例中，該測試模組400為一積體電路，該積體電路可通過插接的方式與該連接器300電連接，同時，記憶體50也通過插接的方式與測試模組400連接。
請一併參閱圖2，其為測試模組400的方框示意圖。
測試模組400進一步包括至少一個採樣單元410、處理單元430以及顯示單元450。該至少一採樣單元410分別連接至至少一測試端401，通過採樣該至少一測試端401上的電壓與電流來確定載入至與相應測試端401相連的電源引腳501上的電壓值與電流值。
採樣單元410用於採集記憶體50的電源性能參數。具體地，該至少一採樣單元410與該至少一測試端401電連接，當測試模組啟動工作後，該採樣單元410則通過與其電連接的測試端401進行採樣，即對記憶體50的電源引腳501的電壓值與電流值進行採樣，並且將採樣結果輸出至處理單元430。在本實施方式中，採樣單元410可以電阻採樣等方式自電源引腳501獲得記憶體50的電源性能參數。在本發明其他實施方式中，也可以採用其他方式來獲得記憶體50的電源性能參數，並不以此為限。
處理單元430用於對採樣單元410的採樣結果進行處理，並且將處理結果輸出至顯示單元450。例如將採樣單元410採樣的電流值以及對應的電壓值進行運算而獲得功率參數，例如對電流值與電壓值進行求積運算。
顯示單元450用於對採樣單元410的採樣結果進行顯示。顯示單元450可以採用液晶顯示模組來實現。
應當可以理解，採樣單元410、處理單元430以及顯示單元450還可以採用主電路板200上具有相同功能的電路模組來實現。
優選地，測試設備20中還預存一預定程式於主電路板中，以使得該記憶體50分別在不同的工作負荷狀態下工作，即該記憶體50可自一輕負荷工作狀態逐步過渡至一滿負荷工作狀態。其中，在滿負荷工作狀態時，記憶體的存儲空間佔用率、資料存儲讀取速度以及功耗最高(如：95%)，輕負荷工作狀態時存儲空間佔用率較低、資料存儲讀取速度以及功耗較低（如：10%）。在其他變更實施方式中，該預定程式也可以預存於測試模組400中，並不以此為限。
組裝以及測試時，將待測的該記憶體50對應與該連接器300連接。電源10提供電源信號至該主電路板200，該主電路板200在該電源10供電的作用下開始工作，並將電源10提供的電壓轉換處理為該記憶體50工作所需的電壓，通常該電壓大小等同於標稱值電壓，經由該第一電源端301輸出至該記憶體50的電源引腳501，使該記憶體50啟動工作，採樣單元410對記憶體50的電源引腳501的電壓、電流進行採樣測試。採樣單元410將其採樣結果輸出至處理單元430，處理單元430將該採樣結果進行處理後輸出至顯示單元450進行顯示。
請參閱圖3，其為本發明記憶體參數測試設備另一變更實施方式的結構示意圖。該實施方式中測試設備20與上一實施方式中的結構基本相同，其區別在於測試模組400直接邦定在該連接器300周邊的主電路板200上，通過主電路板200上的佈線實現測試模組400中連接引腳部該至少一測試端401與該連接器300至少一第一電源端301的電連接。優選地，測試模組400除與該連接器300的該至少一第一電源端301電連接的該至少一測試端401之外的其他測試端或者連接引腳處於懸空狀態。測試模組400無需設置連接插槽部，記憶體50按照引腳對應的方式直接插接於連接器300而實現電連接。在本實施例中，該測試模組400為一積體電路。可變更地，該測試模組400也可為一分立元件構成的測試電路。
請參閱圖4，其為本發明記憶體參數測試方法的流程圖。該測試方法包括有以下步驟：
S100，提供一測試設備20，具體地，將測試模組400安裝到主電路板200上完成測試設備20的組裝。
具體地，將測試模組400以引腳對應的方式與連接器300連接，測試模組400的至少一測試端401與該至少一第一電源端301電連接。
其中，測試模組400按照引腳方式直接插接於連接器300，以實現測試模組400與連接器300的電連接。
優選地，測試模組400通過主電路板200上的佈線與連接器300實現電連接。
S200，將待測試的記憶體50連接至測試設備20上。
將記憶體50按照引腳對應的方式直接插接測試設備20的測試模組400上，並且測試模組400的該至少一測試端401與電源引腳501電連接。
優選地，記憶體50按照引腳對應的方式直接插接於連接器300。
S300，供電步驟，提供一電源信號至測試設備20與記憶體50。具體地，啟動電源10，電源10提供一電源信號至主電路板200，主電路板200將該電源信號經過處理後通過連接器300輸出至測試模組400以及記憶體50中，以供主電路板200、測試模組400和記憶體50均正常工作。
S400，測試步驟，測試設備20測試該記憶體50的電源性能參數。
具體地，測試模組400分別對記憶體50的電源性能參數進行測試，即採樣單元410分別測試電源引腳501的電壓值與電流值進行測試。
優選地，使得記憶體50處於不同的工作狀態，即通過運行預存於主電路板中的一預定程式，使得該記憶體50分別在不同的工作負荷狀態下工作，即該記憶體50可自一輕負荷工作狀態逐步過渡至一滿負荷工作狀態。其中，在滿負荷工作狀態時，記憶體50的資源佔用率以及功耗最高(如：95%)，也即是記憶體50中的所有存儲單元均被啟用，輕負荷工作狀態時資源佔用率較低以及功耗較低（如： 10%），也即是記憶體50中的較少存儲單元被啟用。
當記憶體50處於正常工作的不同工作狀態時，測試模組400分別對記憶體50的電源性能參數進行測試，即採樣單元410分別測試電源引腳501的電壓值與電流值進行測試。
在本實施方式中，採樣單元410可以通過電阻採樣的方式對記憶體50電源引腳501的電壓值與電流值進行採樣，從而獲得記憶體50的電源性能參數。在本發明其他實施方式中，測試模組400也可以採用其他方式對記憶體50的電壓值與電流值進行測試，並不以此為限。
優選地，測試步驟S400還包括處理步驟(未示出)，測試模組400將採樣單元410所採樣的電流值與電壓值進行運算處理，以得每一時刻的電壓值與電流值對應的功率值。
優選地，測試步驟S400還包括顯示步驟(未示出)，測試模組400將經過處理後的電流值、電壓值以及功率值輸出至顯示單元450進行顯示。
測試設備20通過對記憶體50處於不同工作狀態的電源性能參數進行測試，進而達到準確、完整地瞭解記憶體50的性能，以便於更加準確、可靠地後續電路設計。
當然，本發明並不局限於上述公開的實施例，本發明還可以是對上述實施例進行各種變更。本技術領域人員可以理解，只要在本發明的實質精神範圍之內，對以上實施例所作的適當改變和變化都落在本發明要求保護的範圍之內。
10．．．電源
20．．．測試設備
200．．．主電路板
300．．．連接器
301．．．第一電源端
400．．．測試模組
401．．．測試端
410．．．採樣單元
430．．．處理單元
450．．．顯示單元
50．．．記憶體
501．．．電源引腳
S100~S400．．．步驟
圖1為本發明一實施方式中記憶體參數測試設備的結構示意圖。
圖2為如圖1所示測試設備的功能方框圖。
圖3為本發明另一實施方式中記憶體參數測試設備的結構示意圖。
圖4為本發明一記憶體參數測試方法的流程圖。
10．．．電源
20．．．測試設備
200．．．主電路板
300．．．連接器
301．．．第一電源端
400．．．測試模組
401．．．測試端
50．．．記憶體
501．．．電源引腳

Claims (10)

  1. 一種測試設備，其包括一主電路板、一連接器與一測試模組，該連接器與該測試模組設置於該主電路板上，該測試模組經由該連接器與主電路板電連接，該主電路板、該連接器與測試模組配合用於測試一待測試的記憶體的電源性能參數，該連接器包括若干連接端，該若干連接端中包括至少一第一電源端，該至少一電源端用於連接對應該記憶體的至少一電源引腳，該測試模組用於測試該記憶體對應該至少一第一電源端的電源性能參數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之測試設備，其中，該測試模組包括有至少一測試端，該測試端電連接於該第一電源端，並且該至少一測試端的數目大於或等於該至少一第一電源端的數目。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之測試設備，其中，除與該至少一第一電源端相連的該至少一測試端以外，該測試模組的其他測試端處於懸空狀態。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之測試設備，其中，該測試模組的該至少一測試端與連接器的該至少一第一電源端的設置位置相對應。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之測試設備，其中，該連接器的若干連接端與該記憶體的若干引腳的功能保持一致，該測試模組插接於該連接器，該測試模組用於連接該記憶體。
  6. 如申請專利範圍第1至5項任意一項所述之測試設備，其中，該測試設備提供一預定程式使得該記憶體處於不同的工作狀態，該測試模組測試該記憶體處於不同工作狀態的電源性能參數。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之測試設備，其中，該測試設備還包括一採樣單元、一處理單元以及一顯示單元，該採樣單元用於在計時完成後自該至少一測試端採集對應該記憶體的電源性能參數，並且將採集結果輸出至該處理單元，該處理單元用於對該採集結果進行運算處理，該顯示單元用於對該採樣結果進行顯示。
  8. 一種測試方法，以用於測試一記憶體的電源性能參數，包括以下步驟：
    提供一如申請專利範圍第1項所述之測試設備；
    將該記憶體與該測試設備連接；
    提供一電源信號至該測試設備與該記憶體；及
    該測試設備測試該記憶體的電源性能參數。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之測試方法，其中，該電源性能參數包括有該記憶體至該至少一電源引腳輸入的電壓值與電流值以及將該電流值與該電壓值作運算處理後的功率值。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之測試方法，其中，該測試設備提供預定程式至該記憶體以使得該記憶體分別處於不同的工作階段，該測試設備分別測試該記憶體處於不同工作狀態的電源性能參數。
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