CN106294054A - 一种内存噪声测量方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种内存噪声测量方法及系统，该方法包括：将两根飞线分别与探头相连，将探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境；在测试环境下，利用测试工具确定内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点；利用两根飞线分别将VDD信号测试点对应的VDD信号和VSS信号测试点对应的VSS信号引出至探头，并经探头输出至测量仪器；利用测量仪器根据输入的VDD信号和VSS信号，生成内存的噪声测量结果。由于可以直接获取被测量内存的VDD信号和VSS信号，并生成相应的噪声测量结果，故本方案能够准确测量内存噪声。

Description

一种内存噪声测量方法及系统

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，特别涉及一种内存噪声测量方法及系统。

背景技术

随着计算机、服务器等的内存速率越来越高，内存传输速率不断提升。目前，内存的传输速率可以达到6.4Gbps。但是，内存传输速率的不断提升会造成内存噪声的显著增高。如今不少厂商对内存噪声的要求越来越严格，故内存噪声的测量变得尤为必要。

目前，可以从待测量内存的Boardfile(电路图)文档中确定出待测信号，并对待测信号进行测量。

由于需要从Boardfile文档中确定出待测信号，故现有实现方式的准确率不高。

发明内容

本发明提供了一种内存噪声测量方法及系统，能够准确测量内存噪声。

为了达到上述目的，本发明是通过如下技术方案实现的：

一方面，本发明提供了一种内存噪声测量方法，将两根飞线分别与探头相连，将所述探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境，还包括：

在所述测试环境下，利用测试工具确定所述内存的VDD(器件内部的工作电压)信号测试点和VSS(电路公共接地端电压)信号测试点；

利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头；

利用所述探头将所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器；

利用所述测量仪器根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。

进一步地，所述搭建被测量内存的测试环境，包括：确定测试环境所需的被测量内存、CPU、主板及供电模块；将所述内存、所述CPU分别安装于所述主板上，并通过所述供电模块对所述主板进行供电。

进一步地，所述测量仪器为示波器；

所述噪声测量结果包括：所述内存的Pk-Pk值；

在所述生成所述内存的噪声测量结果之后，进一步包括：利用所述示波器判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。

进一步地，所述测试工具为万用表；

所述利用测试工具确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点，包括：根据所述内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存的VSS信号测试点。

进一步地，所述将两根飞线分别与探头相连，包括：分别将所述两根飞线的一端通过探针插入到所述探头中；

在所述利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头之前，进一步包括：将所述两根飞线中的未与所述探头相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。

另一方面，本发明提供了一种内存噪声测量系统，包括：

两根飞线、探头、测量仪器、包括被测量内存的测试环境、测试工具，其中，

所述两根飞线分别与所述探头相连；

所述探头与所述测量仪器相连；

所述测试工具，用于在所述测试环境下，确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点；

所述两根飞线，用于分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头；

所述探头，用于将引入的所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器；

所述测量仪器，用于根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。

进一步地，所述测试环境包括：被测量内存、CPU、主板及供电模块，其中，

所述内存、所述CPU分别安装于所述主板上；

所述供电模块用于对所述主板进行供电。

进一步地，所述测量仪器为示波器；

所述噪声测量结果包括：所述内存的Pk-Pk值；

所述示波器还用于判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。

进一步地，所述测试工具为万用表；

该内存噪声测量系统还包括：确定模块，用于根据所述内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存的VSS信号测试点。

进一步地，所述两根飞线分别与所述探头相连，包括：分别将所述两根飞线的一端通过探针插入到所述探头中；

该内存噪声测量系统还包括：处理模块，用于将所述两根飞线中的未与所述探头相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。

进一步地，所述测量仪器包括：带宽1GHz、采样率20GS/s的示波器；

所述示波器的配置参数包括：Resolution：1GS/s，200us/div；Offset：1.22V；触发方式：上升沿触发；Trigger level：中心位置以上10～30mV左右；Measure：Max、Min、Mean和Pk-Pk；Annotation：Pk-Pk；为保证测试样本数，acqs：1000以上；探头带宽：500MHz。

进一步地，所述探头包括：单端带宽500MHz 50Ω的有源探头。

本发明提供了一种内存噪声测量方法及系统，将两根飞线分别与探头相连，将探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境；在测试环境下，利用测试工具确定内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点；利用两根飞线分别将VDD信号测试点对应的VDD信号和VSS信号测试点对应的VSS信号引出至探头，并经探头输出至测量仪器；利用测量仪器根据输入的VDD信号和VSS信号，生成内存的噪声测量结果。由于可以直接获取被测量内存的VDD信号和VSS信号，并生成相应的噪声测量结果，故本发明能够准确测量内存噪声。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例提供的一种内存噪声测量方法的流程图；

图2是本发明一实施例提供的另一种内存噪声测量方法的流程图；

图3是本发明一实施例提供的一种用于测量内存噪声的测量系统的结构示意图；

图4是本发明一实施例提供的一种内存噪声测量结果的示意图；

图5是本发明一实施例提供的一种内存噪声测量系统的示意图；

图6是本发明一实施例提供的另一种内存噪声测量系统的示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例提供了一种内存噪声测量方法，可以包括以下步骤：

步骤101：将两根飞线分别与探头相连，将所述探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境。

步骤102：在所述测试环境下，利用测试工具确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点。

步骤103：利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头。

步骤104：利用所述探头将所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器。

步骤105：利用所述测量仪器根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。

本发明实施例提供了一种内存噪声测量方法，将两根飞线分别与探头相连，将探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境；在测试环境下，利用测试工具确定内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点；利用两根飞线分别将VDD信号测试点对应的VDD信号和VSS信号测试点对应的VSS信号引出至探头，并经探头输出至测量仪器；利用测量仪器根据输入的VDD信号和VSS信号，生成内存的噪声测量结果。由于可以直接获取被测量内存的VDD信号和VSS信号，并生成相应的噪声测量结果，故本发明实施例能够准确测量内存噪声。

在本发明的一个实施例中，为了能够避免引入干扰噪声，两根飞线的长度应尽量短。这一实现方式有益于提高测试结果的准确性。

在本发明的一个实施例中，为了能够直接反映内存在工作过程中的噪声情况，故所述搭建被测量内存的测试环境包括：确定测试环境所需的被测量内存、CPU、主板及供电模块；将所述内存、所述CPU分别安装于所述主板上，并通过所述供电模块对所述主板进行供电。

详细地，可以搭建被测量内存的测试环境，并在该测试环境下直接在线测试内存噪声信号，这一实现方式能够真实的测试到内存工作时VDD Noise。

在本发明的一个实施例中，为了说明一种噪声测试结果分析方式，所以，所述测量仪器为示波器；

所述噪声测量结果包括：所述内存的Pk-Pk值；

在所述生成所述内存的噪声测量结果之后，进一步包括：利用所述示波器判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。

详细地，示波器通过测量内存在工作过程中的噪声情况，可以生成相应的测试结果，其中，该测试结果可以包括最大值、最小值、平均值、Pk-Pk值等。根据预先确定的内存噪声标准，如SPEC(Software Requirement Specification，软件规格说明书)，可以对比判断测试结果与SPEC相比是否符合标准。例如，可以判断DDR(全称是DDR SDRAM，Double DataRate SDRAM，双倍速率SDRAM)4的VDD噪声的Pk-Pk值是否小于60mV，若小于说明该被测试内存符合要求，否则可以进行异常处理，如进行记录或报警提醒等。

在本发明的一个实施例中，为了说明一种确定被测量内存的信号测试点的实现方式，所以，所述测试工具为万用表；

所述利用测试工具确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点，包括：根据所述内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存的VSS信号测试点。

详细地，可以利用万用表以直接确定出内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点，以便于后续实时测定两者间的工作电压。这一实现方式可以直接、快速、准确的确定出信号测试点，而无需通过Boardfile文档以寻找待测VDD信号。

在本发明的一个实施例中，为了能够准确测量信号测试点处的测试信号，所以，所述将两根飞线分别与探头相连，包括：分别将所述两根飞线的一端通过探针插入到所述探头中；

在所述利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头之前，进一步包括：将所述两根飞线中的未与所述探头相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。

详细地，在确定出两个测试点之后，可以将两根飞线分别焊接在两个测试点处，并将两根飞线的另一端通过探针插入到探头中以与探头相连。这一实现方式可以通过飞线和探头，以将测试点处的测试信号引出至与探头相连的测量仪器。

如图2所示，本发明一个实施例提供了另一种内存噪声测量方法，该方法以DDR4内存VDD Noise的测试方法为例，具体包括以下步骤：

步骤201：将被测量内存、CPU分别安装于主板上，并通过供电模块对主板进行供电，以搭建被测量内存的测试环境。

目前，计算机、服务器等的内存速率越来越高，基于差分信号技术的DDR4内存，其传输速率可达到6.4Gbps。但是，随着内存工作频率的提升，内存工作电压随着低功耗的要求而越来越低，故对内存稳定工作电压的要求也越来越高。因此，精确测量VDD噪声Noise变得尤为必要。

在本实施例中，被测量内存可以为DDR4内存。为验证DDR4内存的质量是否符合标准，可以测量其VDD Noise，并与标准阈值进行对比判断。

在对被测量内存进行测试之前，首先可以搭建相应的测试环境。详细地，通过搭建被测量内存的测试环境，并在该测试环境下直接在线测试内存噪声信号，这一实现方式能够真实准确测试到内存工作时的VDD Noise。

步骤202：分别将两根飞线的一端通过探针插入到探头中以与探头相连，并将探头与示波器相连。

在本发明的一个实施例中，基于实际需求，所用两根飞线的长度应尽量短。这一实现方式能够避免引入干扰噪声，故有益于提高测试结果的准确性。

如图3所示，本发明一个实施例提供了一种用于测量内存噪声的测量系统的结构示意图。在图3中，两根飞线均与探头相连，探头与示波器相连。

步骤203：在搭建的测试环境下，利用万用表确定被测量内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点。

详细的，为了能够测量内存的VDD Noise，需要同时采集被测量内存的VDD信号测试点的测试信号和VSS信号测试点的测试信号。因此，首先需要准确确定出这两个信号测试点。

详细地，确定信号测试点的实现方式可以如下所述：根据内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用万用表，测定出内存上的与目标金手指相连通的目标焊点，其中，目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定目标焊点为内存的VDD信号测试点，并确定目标贴片电容的另一端为内存的VSS信号测试点。

可以看出，本实施例中可以利用万用表以直接确定出内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点，以便于后续实时测定两者间的工作电压，而无需通过Boardfile文档以寻找待测VDD信号。因此，这一实现方式可以直接、快速、准确的确定出信号测试点，有益于提高测试结果准确性，以及提高测试效率。

步骤204：将两根飞线中的未与探头相连的一端，分别焊接在VDD信号测试点处和VSS信号测试点处。

详细地，在确定出两个测试点之后，可以将两根飞线的未与探头相连的一端，分别焊接在两个测试点处。这一实现方式可以通过飞线和探头，以将测试点处的测试信号引出至与探头相连的测量仪器。

步骤205：利用两根飞线，分别将VDD信号测试点对应的VDD信号和VSS信号测试点对应的VSS信号引出至探头，并利用探头将VDD信号和VSS信号输出至示波器。

详细地，根据内存上的信号测试点与飞线的焊接关系，飞线与探头的连接关系及探头与示波器的连接关系，可以经飞线、探头，以将两个信号测试点处的测试信号引出并输出至示波器。示波器根据输入的测试信号，可以生成一定测试时间范围内的测试结果。

步骤206：利用示波器根据输入的VDD信号和VSS信号，生成被测量内存的Pk-Pk值。

详细地，示波器通过测量内存在工作过程中的噪声情况，如VDD信号和VSS信号，可以生成相应的测试结果，其中，该测试结果可以包括最大值、最小值、平均值、Pk-Pk值等。其中，部分测定值可以为被测试内存在一定测量时间范围内的全部实时测定值的平均值。如图4所示，本发明一个实施例提供了一种内存噪声测量结果的示意图。

由于如今不少厂商对内存VDD噪声的要求越来越严格，如要求DDR4的VDD Noise的Pk-Pk值小于60mV。因此，对于示波器生成的多种测试结果，在本发明一个实施例中，可以仅对Pk-Pk值进行评判。

此外，由图4所示内容可知，Pk-Pk值同样可以包括相应的最大值、最小值、平均值等。为保证被测量内存在任一时刻均满足标准要求，故在本发明一个实施例中，可以直接判断Pk-Pk值的最大值是否小于60mV。由于图4所示测试结果中的Pk-Pk最大值为：52.8m(V)，小于60mV，故可以确定被测量内存质量合格。

在本发明一个实施例中，可以打开Pk-Pk标示出Noise峰峰值，从而可以直观的比较VDD的Noise信号和SPEC中规定的标准阈值，以判断被测试内存是否满足要求。

步骤207：利用示波器判断Pk-Pk值是否不小于标准阈值：60mV，若是，标记被测量内存不合格，否则，标记被测量内存合格。

详细地，在生成测试结果时，示波器可以提取出其中的Pk-Pk值的相应最大值：如图4中所示的52.8m(V)，经判断，该测定值小于标准阈值：60mV，故可以记录该被测量内存质量合格。对应地，若判读结果为不小于标准阈值，则可以记录该被测量内存质量不合格，以及可以进行其他异常处理实现方式，如报警提醒等。

在本发明一个实施例中，示波器生成的其他测试结果，同样可以作为辅助评判指标，以评判被测量内存的质量情况，如根据最大值和最小值的差异性以评判内存工作稳定性等。

在本发明一个实施例中，针对生成的测试结果，可以根据JEDEC Standard规范的要求以分析测试结果，并判断是否满足测试需求。

如图5所示，本发明一个实施例提供了一种内存噪声测量系统，包括：

两根飞线301、探头302、测量仪器303、包括被测量内存3041的测试环境304、测试工具305，其中，

所述两根飞线301分别与所述探头302相连；

所述探头302与所述测量仪器303相连；

所述测试工具305，用于在所述测试环境304下，确定所述内存3041的VDD信号测试点和VSS信号测试点；

所述两根飞线301，用于分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头302；

所述探头302，用于将引入的所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器303；

所述测量仪器303，用于根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存3041的噪声测量结果。

在本发明的一个实施例中，基于实际需求，所用两根飞线的长度应尽量短。这一实现方式能够避免引入干扰噪声，故有益于提高测试结果的准确性。

在本发明一个实施例中，所述测试环境304包括：被测量内存3041、CPU3042、主板3043及供电模块3044，其中，

所述内存3041、所述CPU3042分别安装于所述主板3043上；

所述供电模块3044用于对所述主板3043进行供电。

在本发明一个实施例中，所述测量仪器303为示波器；

所述噪声测量结果包括：所述内存3041的Pk-Pk值；

所述示波器还用于判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。

在本发明一个实施例中，请参考图6，该内存噪声测量系统还可以包括：确定模块401；

所述测试工具305为万用表；

所述确定模块401，用于根据所述内存3041的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存3041上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存3041的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存3041的VSS信号测试点。

在本发明一个实施例中，请参考图5，该内存噪声测量系统还可以包括：处理模块402；

所述两根飞线301分别与所述探头302相连，包括：分别将所述两根飞线301的一端通过探针插入到所述探头302中；

所述处理模块402，用于将所述两根飞线301中的未与所述探头302相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。

在本发明一个实施例中，所述测量仪器303包括：带宽1GHz、采样率20GS/s的示波器；

所述示波器的配置参数包括：Resolution：1GS/s，200us/div；Offset：1.22V；触发方式：上升沿触发；Trigger level：中心位置以上10～30mV左右；Measure：Max、Min、Mean和Pk-Pk；Annotation：Pk-Pk；为保证测试样本数，acqs：1000以上；探头带宽：500MHz。

详细地，选用带宽1GHz，采样率20GHz的示波器，有益于保证足够的分辨率。

详细地，通过设置合适的示波器配置参数，可以使实时输入的Noise信号尽量居于示波器显示屏的中间位置，以方便观察测试结果。

在本发明一个实施例中，所述探头302包括：单端带宽500MHz 50Ω的有源探头。

详细地，通过使用单端带宽500MHz 50Ω的有源探头进行测试，以保证能够精确采样到内存条VDD的Noise信号。

由上所述，在本发明实施例中，可以通过金手指及万用表以准确找出VDD信号测试点和VSS信号测试点，并利用尽量短的飞线引出对应的VDD信号和VSS信号，以及利用探头将引出的信号实时输出至示波器，以便于利用示波器生成相应的测试结果。这一实现方式能够精确测量VDD噪声Noise，提高测试精确度。

上述装置内的各单元之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本发明方法实施例基于同一构思，具体内容可参见本发明方法实施例中的叙述，此处不再赘述。

综上所述，本发明的各个实施例至少具有如下有益效果：

1、本发明实施例中，将两根飞线分别与探头相连，将探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境；在测试环境下，利用测试工具确定内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点；利用两根飞线分别将VDD信号测试点对应的VDD信号和VSS信号测试点对应的VSS信号引出至探头，并经探头输出至测量仪器；利用测量仪器根据输入的VDD信号和VSS信号，生成内存的噪声测量结果。由于可以直接获取被测量内存的VDD信号和VSS信号，并生成相应的噪声测量结果，故本发明实施例能够准确测量内存噪声。

2、本发明实施例中，可以在搭建的测试环境下直接在线测试内存噪声信号，这一实现方式能够真实准确测试到内存工作时的VDD Noise。

3、本发明实施例中，可以利用万用表以直接确定出内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点，以便于后续实时测定两者间的工作电压，而无需通过Boardfile文档以寻找待测VDD信号。因此，这一实现方式可以直接、快速、准确的确定出信号测试点，有益于提高测试结果准确性，以及提高测试效率。

4、本发明实施例中，可以通过金手指及万用表以准确找出VDD信号测试点和VSS信号测试点，并利用尽量短的飞线引出对应的VDD信号和VSS信号，以及利用探头将引出的信号实时输出至示波器，以便于利用示波器生成相应的测试结果。这一实现方式能够精确测量VDD噪声Noise，提高测试精确度。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个〃·····”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储在计算机可读取的存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质中。

最后需要说明的是：以上所述仅为本发明的较佳实施例，仅用于说明本发明的技术方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种内存噪声测量方法，其特征在于，将两根飞线分别与探头相连，将所述探头与测量仪器相连，以及搭建被测量内存的测试环境，还包括：

在所述测试环境下，利用测试工具确定所述内存的器件内部的工作电压VDD信号测试点和电路公共接地端电压VSS信号测试点；

利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头；

利用所述探头将所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器；

利用所述测量仪器根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述搭建被测量内存的测试环境，包括：确定测试环境所需的被测量内存、CPU、主板及供电模块；将所述内存、所述CPU分别安装于所述主板上，并通过所述供电模块对所述主板进行供电；

和/或，

所述测量仪器为示波器；

所述噪声测量结果包括：所述内存的Pk-Pk值；

在所述生成所述内存的噪声测量结果之后，进一步包括：利用所述示波器判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述测试工具为万用表；

所述利用测试工具确定所述内存的VDD信号测试点和VSS信号测试点，包括：根据所述内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存的VSS信号测试点。

4.根据权利要求1至3中任一所述的方法，其特征在于，

所述将两根飞线分别与探头相连，包括：分别将所述两根飞线的一端通过探针插入到所述探头中；

在所述利用所述两根飞线，分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头之前，进一步包括：将所述两根飞线中的未与所述探头相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。

5.一种内存噪声测量系统，其特征在于，包括：

两根飞线、探头、测量仪器、包括被测量内存的测试环境、测试工具，其中，

所述两根飞线分别与所述探头相连；

所述探头与所述测量仪器相连；

所述测试工具，用于在所述测试环境下，确定所述内存的器件内部的工作电压VDD信号测试点和电路公共接地端电压VSS信号测试点；

所述两根飞线，用于分别将所述VDD信号测试点对应的VDD信号和所述VSS信号测试点对应的VSS信号引出至所述探头；

所述探头，用于将引入的所述VDD信号和所述VSS信号输出至所述测量仪器；

所述测量仪器，用于根据输入的所述VDD信号和所述VSS信号，生成所述内存的噪声测量结果。

6.根据权利要求5所述的内存噪声测量系统，其特征在于，

所述测试环境包括：被测量内存、CPU、主板及供电模块，其中，

所述内存、所述CPU分别安装于所述主板上；

所述供电模块用于对所述主板进行供电；

和/或，

所述测量仪器为示波器；

所述噪声测量结果包括：所述内存的Pk-Pk值；

所述示波器还用于判断所述Pk-Pk值是否不小于预先确定的标准阈值，若是，进行异常处理。

7.根据权利要求5所述的内存噪声测量系统，其特征在于，

所述测试工具为万用表；

进一步包括：确定模块，用于根据所述内存的防呆口，确定其正面向左的第四个金手指为目标金手指；利用所述万用表，测定出所述内存上的与所述目标金手指相连通的目标焊点，其中，所述目标焊点位于目标贴片电容的一端；确定所述目标焊点为所述内存的VDD信号测试点，并确定所述目标贴片电容的另一端为所述内存的VSS信号测试点。

8.根据权利要求5所述的内存噪声测量系统，其特征在于，

所述两根飞线分别与所述探头相连，包括：分别将所述两根飞线的一端通过探针插入到所述探头中；

进一步包括：处理模块，用于将所述两根飞线中的未与所述探头相连的一端，分别焊接在所述VDD信号测试点处和所述VSS信号测试点处。

9.根据权利要求5所述的内存噪声测量系统，其特征在于，

所述测量仪器包括：带宽1GHz、采样率20GS/s的示波器；

所述示波器的配置参数包括：Resolution：1GS/s，200us/div；Offset：1.22V；触发方式：上升沿触发；Trigger level：中心位置以上10～30mV左右；Measure：Max、Min、Mean和Pk-Pk；Annotation：Pk-Pk；为保证测试样本数，acqs：1000以上；探头带宽：500MHz。

10.根据权利要求5至9中任一所述的内存噪声测量系统，其特征在于，

所述探头包括：单端带宽500MHz 50Ω的有源探头。