CN105489249A - 一种ddr3快速测量方法 - Google Patents
一种ddr3快速测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105489249A CN105489249A CN201510903515.7A CN201510903515A CN105489249A CN 105489249 A CN105489249 A CN 105489249A CN 201510903515 A CN201510903515 A CN 201510903515A CN 105489249 A CN105489249 A CN 105489249A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ddr3
- memory
- internal memory
- power supply
- abnormal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title abstract 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 52
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 13
- 235000013809 polyvinylpolypyrrolidone Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 229920000523 polyvinylpolypyrrolidone Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 10
- 238000012956 testing procedure Methods 0.000 claims description 6
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明公开了一种DDR3快速测量方法，属于服务器硬件和PC硬件测量技术领域。所述DDR3快速测量方法包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。本发明所述方法，能准确的检测出内存是否合格，具有很好的推广应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及服务器硬件和PC（PersonalComputer）硬件测量技术领域，具体提供一种DDR3(DualDataRate）快速测量方法。
背景技术
一般服务器电路板都会使用大量的内存，内存需要使用的电源很多，不论是前期的设计和后期的保护，通常在设计的过程中都会加相应的供电电路，使内存能在多路电源的情况下都能正常工作，但内存上一路电源对地阻抗发生变化时，在不知情的情况下会对板卡造成损坏。因此，有必要对内存上板卡前进行检测。现有技术性，对于内存的测试现阶段都局限在直接上电测试，但是不排除个别的板卡由于机构、电源设计、空间等等的原因，造成不必要的损伤，没有一个针对内存DDR3(DualDataRate）上电源对地情况、电源与电源之间的阻抗情况的排查设备，增大了系统由于异常内存造成的风险，给企业带来不必要的损失。
发明内容
本发明的技术任务是针对上述存在的问题，提供一种结构简单，设计合理，操作方便，能准确的检测出内存是否合格的DDR3快速测量方法。
为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：
一种DDR3快速测量方法，包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：
1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；
2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；
3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；
4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；
其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。
内存在上系统平台前，先做一次相关的阻抗测试，这样测试仪器更加直接的显示内存单体的好坏，通过仪器显示的情况将好的内存上板测试，减少主板因为内存异常造成的烧毁现象，最大程度上保护主板。即使后期当电路出现短路的时候，我们也可以判断造成短路烧毁的点不是内存造成的。
作为优选，所述测量方法主要针对短路、虚焊和冷焊造成的内存异常问题。
本发明具有以下突出的有益效果：增加外部测试点位测试，减少直接在内存测试的风险；内存上系统前可以快速排查出内存的异常，避免造成主板的损伤，能最大程度的保护主板不受损坏。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明所述的DDR3快速测量方法作进一步详细说明。
实施例
本发明所述DDR3快速测量方法，包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：
1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；
2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；
3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；
4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；
其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。测量方法主要针对短路、虚焊和冷焊造成的内存异常问题，能在内存上板卡之前快速的检测出内存存在的问题，将存在异常的不合规定的内存作为异常体，不用于上主板板卡。将正常的内存用于主板上，最大程度的避免出现烧板卡的问题。
以上所述的实施例，只是本发明较优选的具体实施方式，本领域的技术人员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本发明的保护范围内。
Claims (2)
1.一种DDR3快速测量方法，其特征在于：包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：
1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；
2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；
3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；
4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；
其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。
2.根据权利要求1所述的DDR3快速测量方法，其特征在于：所述测量方法主要针对短路、虚焊和冷焊造成的内存异常问题。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510903515.7A CN105489249A (zh) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 一种ddr3快速测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510903515.7A CN105489249A (zh) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 一种ddr3快速测量方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105489249A true CN105489249A (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=55676189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510903515.7A Pending CN105489249A (zh) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 一种ddr3快速测量方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105489249A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106294054A (zh) * | 2016-08-02 | 2017-01-04 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种内存噪声测量方法及系统 |
| US11966622B2 (en) | 2021-08-17 | 2024-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory storage device, an operation method of the memory storage device, test method and electronic device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203102256U (zh) * | 2013-03-08 | 2013-07-31 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种服务器ddr3内存插槽的信号测试治具 |
-
2015
- 2015-12-09 CN CN201510903515.7A patent/CN105489249A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203102256U (zh) * | 2013-03-08 | 2013-07-31 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种服务器ddr3内存插槽的信号测试治具 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106294054A (zh) * | 2016-08-02 | 2017-01-04 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种内存噪声测量方法及系统 |
| US11966622B2 (en) | 2021-08-17 | 2024-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory storage device, an operation method of the memory storage device, test method and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102650678B (zh) | 电量管理ic多通道校准校验的方法 | |
| CN105137163A (zh) | 金属氧化物压敏电阻型避雷器或浪涌保护器的阻性漏电流在线监测方法 | |
| WO2018012741A1 (ko) | 접지라인의 저항 및 전류 관측 시스템 | |
| CN105489249A (zh) | 一种ddr3快速测量方法 | |
| CN204008938U (zh) | 线束检测装置 | |
| CN106887253B (zh) | 一种采用测试针卡进行dram晶圆测试的方法 | |
| CN111575717A (zh) | 埋地管防腐层破损模拟试片的接入装置 | |
| CN203102256U (zh) | 一种服务器ddr3内存插槽的信号测试治具 | |
| JP7086169B2 (ja) | 充電装置のテストシステム及び方法 | |
| CN206047768U (zh) | 一种cnc断刀保护检测器 | |
| CN110161334B (zh) | 一种用于发送接收组件的老炼系统 | |
| CN105425195B (zh) | 一种高压电能表可靠性验证试验统计方法 | |
| CN103412230A (zh) | 一种高压容性设备绝缘故障检测方法 | |
| CN102507992A (zh) | 一种用于测试充电电流和下载数据的测试线 | |
| CN206348422U (zh) | 一种带电作业绝缘毯检验测试平台 | |
| CN103954871A (zh) | 一种t/r组件调试仪故障报警电路 | |
| CN105427894A (zh) | 一种ddr快速测量方法 | |
| CN104749550A (zh) | 一种单相多表位异步检定装置及其检定方法 | |
| US10096990B2 (en) | Surge voltage protection apparatus | |
| CN108107262A (zh) | 基于hva配向系统的电压测量治具 | |
| CN103033702B (zh) | 多功能手持防雷器测试仪 | |
| CN207037049U (zh) | 一种led多功能测试仪 | |
| CN217384541U (zh) | 扭矩标定装置 | |
| CN106483271A (zh) | 植物种植容器及其土壤检测装置 | |
| CN104808166B (zh) | 一种用于阻性电流测量的校准方法及其校准装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160413 |