CN105489249A - 一种ddr3快速测量方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种DDR3快速测量方法，属于服务器硬件和PC硬件测量技术领域。所述DDR3快速测量方法包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。本发明所述方法，能准确的检测出内存是否合格，具有很好的推广应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及服务器硬件和PC（PersonalComputer）硬件测量技术领域，具体提供一种DDR3(DualDataRate）快速测量方法。
背景技术
一般服务器电路板都会使用大量的内存，内存需要使用的电源很多，不论是前期的设计和后期的保护，通常在设计的过程中都会加相应的供电电路，使内存能在多路电源的情况下都能正常工作，但内存上一路电源对地阻抗发生变化时，在不知情的情况下会对板卡造成损坏。因此，有必要对内存上板卡前进行检测。现有技术性，对于内存的测试现阶段都局限在直接上电测试，但是不排除个别的板卡由于机构、电源设计、空间等等的原因，造成不必要的损伤，没有一个针对内存DDR3(DualDataRate）上电源对地情况、电源与电源之间的阻抗情况的排查设备，增大了系统由于异常内存造成的风险，给企业带来不必要的损失。
发明内容
本发明的技术任务是针对上述存在的问题，提供一种结构简单，设计合理，操作方便，能准确的检测出内存是否合格的DDR3快速测量方法。
为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：
一种DDR3快速测量方法，包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：
1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；
2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；
3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；
4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；
其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。
内存在上系统平台前，先做一次相关的阻抗测试，这样测试仪器更加直接的显示内存单体的好坏，通过仪器显示的情况将好的内存上板测试，减少主板因为内存异常造成的烧毁现象，最大程度上保护主板。即使后期当电路出现短路的时候，我们也可以判断造成短路烧毁的点不是内存造成的。
作为优选，所述测量方法主要针对短路、虚焊和冷焊造成的内存异常问题。
本发明具有以下突出的有益效果：增加外部测试点位测试，减少直接在内存测试的风险；内存上系统前可以快速排查出内存的异常，避免造成主板的损伤，能最大程度的保护主板不受损坏。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明所述的DDR3快速测量方法作进一步详细说明。
实施例
本发明所述DDR3快速测量方法，包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：
1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；
2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；
3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；
4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；
其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。测量方法主要针对短路、虚焊和冷焊造成的内存异常问题，能在内存上板卡之前快速的检测出内存存在的问题，将存在异常的不合规定的内存作为异常体，不用于上主板板卡。将正常的内存用于主板上，最大程度的避免出现烧板卡的问题。
以上所述的实施例，只是本发明较优选的具体实施方式，本领域的技术人员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本发明的保护范围内。
Claims (2)
1.一种DDR3快速测量方法，其特征在于：包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：
1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；
2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；
3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；
4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；
其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。
2.根据权利要求1所述的DDR3快速测量方法，其特征在于：所述测量方法主要针对短路、虚焊和冷焊造成的内存异常问题。
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| CN (1) | CN105489249A (zh) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN106294054A (zh) * | 2016-08-02 | 2017-01-04 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种内存噪声测量方法及系统 |
| US11966622B2 (en) | 2021-08-17 | 2024-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory storage device, an operation method of the memory storage device, test method and electronic device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203102256U (zh) * | 2013-03-08 | 2013-07-31 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种服务器ddr3内存插槽的信号测试治具 |
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2015
- 2015-12-09 CN CN201510903515.7A patent/CN105489249A/zh active Pending
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