TW201311856A - 用於封裝電子組件之熱密封覆蓋膜 - Google Patents

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Abstract

本文描述一種用於熱密封至用於攜帶電子組件之承載帶上之覆蓋膜。該覆蓋膜包含聚酯基層；安置於該基層之第一表面上之第一抗靜電層；包含第一中間層及第二中間層之中間雙層結構，該第一中間層係安置於該基層之與該第一抗靜電層相對之第二表面上，該第二中間層係安置於與該基層相對之該第一中間層上；與該第一中間層相對安置於該第二中間層上之第二抗靜電層；及安置於該第二抗靜電層上之熱密封層。在一個例示性態樣中，該第一中間層包含聚乙烯且該第二中間層包含聚(乙酸乙烯酯)共聚物及聚(苯乙烯-丁二烯)共聚物。在另一個例示性態樣中，該第二抗靜電層包含存於聚丙烯酸酯黏合劑中之碳奈米管。

Description

用於封裝電子組件之熱密封覆蓋膜
本發明係關於一種用於電子組件封裝應用之熱密封覆蓋膜發明。特定言之，覆蓋帶可熱密封至承載帶上以有助於小型電子組件之儲存、運輸及安裝。
隨著電子設備小型化，電子組件之儲存、處置及運輸變得愈加重要。一般而言，電子組件在承載帶中運輸至裝配位置，該承載帶中形成有複數個壓紋凹穴以容納電子組件。可沿著承載帶邊緣連續熱密封覆蓋膜，以將電子組件密封於承載帶之凹穴內。習知可熱密封之覆蓋膜一般由熱塑性襯底材料(例如雙軸拉伸之聚酯膜)組成。
電子組件在電子設備或次總成(其隨後將用於建構電子設備)之裝配期間安裝於印刷電路板(PCB)或其他基板上。在此裝配製程期間，自承載帶上移除覆蓋膜以曝露存在於承載帶凹穴內之電子組件。藉由自動精密置放機將組件自凹穴中提起且安裝於所裝配之PCB或基板上。
覆蓋膜必須充分黏著至承載帶上以使電子組件在儲存及運輸期間保持於承載帶之凹穴中，但亦必須可經由施加中等剝落力來移除。因此，承載帶之剝離黏著力為覆蓋膜之一個關鍵性質。若將覆蓋膜自承載帶移除之力(例如剝落強度)過低，則存在覆蓋膜在運輸期間將自經填充之承載帶上脫落且電子組件將自凹穴掉落之可能性。相反地，剝落強度過高亦不合需要，因為在移除覆蓋膜時，承載帶可 能振動，且此振動會引起電子組件自承載帶中之凹穴中跳出。因此，極需要將覆蓋膜之剝落強度維持在經限定之狹窄範圍內。過大之覆蓋膜剝落強度的批間偏差會引起其難以與自動精密置放機一起使用。
在移除期間覆蓋膜黏著劑表現之方式同樣重要。重要的是在剝離後黏著劑的分佈均勻。不均勻黏著劑島狀物、黏著劑剝落物及自由黏著劑碎片會成為電子設備裝配製程之污染物，且會干擾電子組件安裝至PCB或其他基板上。覆蓋膜自承載帶剝離之機制可歸類為界面剝離型機制(亦即承載帶與覆蓋膜黏著劑之間的黏著失效)、轉移型(亦即覆蓋膜黏著劑與覆蓋膜之底層結構之間的黏著失效引起黏著劑層轉移至承載帶，及剝離後黏著劑分裂於覆蓋膜與承載帶之間的內聚失效)。
此外，當使兩個材料彼此分離時，諸如當覆蓋膜自承載帶上剝掉或移除時或當承載帶自運輸線軸退繞時，會產生靜電放電事件。靜電放電事件會損壞存在於承載帶凹穴中之敏感性組件且因此不合需要。因此，需要提供具有抗靜電層之承載膜。
承載膜之其他重要性質包括膜之強度及可撓性以使其不會在移除期間斷開，且包括較低霧度(亦即小於約30%)及較高透明度(亦即大於約75%)以便承載帶凹穴內之組件在自承載帶中移除之前易於被察看。
本發明之目標為開發一種熱密封覆蓋膜或條帶，其具有 穩定剝落性質，包括足夠剝落強度、均勻黏著劑轉移，且其中剝離期間之失效機制為界面型機制。此外，覆蓋膜應具有良好的抗靜電效能，應不污染容納於承載帶凹穴內之電子組件且具有透明外觀(亦即高透射率及低霧度)。
根據本發明之一個例示性態樣，一種覆蓋膜，其用於熱密封至具有攜帶電子組件之凹穴之承載帶上。該覆蓋膜包含聚酯基層；安置於該基層之第一表面上之第一抗靜電層；包含第一中間層及第二中間層之中間雙層結構，該第一中間層係安置於該基層之與該第一抗靜電層相對之第二表面上、該第二中間層係與該基層相對地安置於該第一中間層上；與該第一中間層相對安置於該第二中間層上之第二抗靜電層；及安置於該第二抗靜電層上之熱密封層。在一個例示性態樣中，該第一中間層包含聚乙烯且該第二中間層包含聚(乙酸乙烯酯)共聚物及聚(苯乙烯-丁二烯)共聚物。在另一個例示性態樣中，第二抗靜電層包含存於聚丙烯酸酯黏合劑中之碳奈米管。
本文所揭示之熱密封覆蓋膜具有極佳靜電耗散效能、良好光學效能、良好機械效能以及對於聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯或其類似物(其為用於電子承載帶中之常見基板材料)之基板表面極佳的熱密封效能。本發明之熱密封覆蓋膜具有許多優點，諸如膜兩側之永久抗靜電效能，有助於在電子承載帶自其承載線軸上退繞時及在覆蓋膜自承載帶上移除時提供靜電放電保護。例示性覆蓋膜亦具有高光透射率及低霧度，以允許觀察容納於承載帶凹穴內之電 子組件而不必自承載帶上移去覆蓋膜。覆蓋膜亦提供穩定黏著及移除效能，從而允許其與自動精密置放機一起使用。最後，例示性覆蓋膜之熱密封層在自承載帶上移除時乾淨利落地自覆蓋膜上分離，以在承載膜上提供均勻且可預測之表面。
例示性覆蓋膜可經由熱黏結過程黏結至市售有凹穴之承載帶上。當例示性覆蓋膜自承載帶上移除時，覆蓋膜經歷第二抗靜電層與第二中間層之間的界面失效。此移除機制允許熱密封層及第二抗靜電層在覆蓋膜自承載帶上分離時均勻地轉移至承載帶上。
本發明之上述概要並不意欲描述本發明之每一所示實施例或每一實施方式。以下[圖式簡單說明]及[實施方式]更特定地例示了此等實施例。
現將參看例示本發明之特定實施例的以下圖式更詳細地描述本發明。
在以下[實施方式]中，參考形成本發明之一部分的隨附圖式，且在[實施方式]中以舉例方式展示了可實踐本發明之特定實施例。因此，以下[實施方式]不以限定之意義來理解且本發明之範疇由隨附申請專利範圍界定。
圖1為本發明之覆蓋膜10之示意性橫截面圖。覆蓋膜包括基層14，其為覆蓋膜之總機械強度提供主要貢獻。基層14具有兩個通常平行平坦之主要表面。基層可選自雙軸拉伸之聚酯、聚烯烴或耐綸(nylon)。基層可具有約10微米至 約30微米、或更佳約12微米至約20微米之厚度。另外，基層可具有不低於85%之光透射率及不低於50 MPa之拉伸強度。
第一抗靜電層12可形成於基層14之一個主要表面上。基層可經抗靜電塗層塗佈，該抗靜電塗層形成具有約0.001微米至約0.5微米、且更佳在0.01微米與0.1微米之間的乾燥膜厚度之第一抗靜電層。較厚之第一抗靜電層可在自承載帶密封及移除覆蓋膜時產生碎片問題，而過薄之層不能提供足夠的抗靜電效能。第一抗靜電層亦將具有約1×106歐姆/平方(ohm/square)至約1×1012歐姆/平方、較佳在約1×109歐姆/平方與約1×1012歐姆/平方之間的表面電阻率。第一抗靜電層之抗靜電塗層可藉由凹版塗佈法或其他習知低黏度塗佈法塗佈在基層14上。第一抗靜電塗層之抗靜電塗層可包含導電聚合物塗層，諸如加成型陽離子抗靜電塗層或聚合物接枝型陽離子抗靜電劑塗層。例示性適合之導電聚合物包括(但不限於)聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、基於聚醚醯胺或基於聚酯醯胺之固有抗靜電聚合物或其類似物，或其組合。或者，第一抗靜電塗層之抗靜電塗層可包含分散於溶劑懸浮型聚合黏合劑之中或黏合至以不含溶劑之形式或以溶劑分散液形式供給之聚合黏合劑的導電填充劑或鹽。例示性導電填充劑包括金屬氧化物、碳奈米管或其他導電粒子。例示性導電鹽可為四價銨鹽。
中間雙層結構16可與第一抗靜電層12相對鄰近於基層14之第二主要表面安置。中間雙層結構包含第一中間層16a 及第二中間層16b。中間雙層結構可藉由共擠出及吹氣成形製程製成。中間雙層結構可具有約30微米至約50微米之厚度。
覆蓋膜10之第一中間層16a相對柔軟且可包含聚烯烴膜。特定言之，第一中間層可為線性低密度聚乙烯(LLDPE)或低密度聚乙烯膜。在一個例示性態樣中，LDPE膜可具有100,000以上之重量平均分子量，及1公克/10分鐘至100公克/10分鐘、較佳約2公克/10分鐘至10公克/10分鐘之熔融指數(190℃，2.16公斤，ASTM D1238)。中間雙層結構之第一中間層可具有約10微米至約50微米、較佳約20微米至約30微米之厚度。
第二中間層16b可包含乙酸乙烯酯共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物或其摻合物。中間雙層結構之第二中間層可具有約5微米至約20微米、較佳約8微米至約15微米之厚度。
適合之乙酸乙烯酯共聚物可為乙酸乙烯酯與烯烴單體之間的共聚物。在一個例示性態樣中，乙酸乙烯酯共聚物具有至少10%、且更佳20%以上之乙酸乙烯酯(VA)衍生單元之莫耳百分比。在另一態樣中，例示性聚烯烴單體為乙烯。適合之乙酸乙烯酯共聚物具有1公克/10分鐘至100公克/10分鐘之熔融指數(190℃，2.16公斤，ASTM D1238)。
可適用於中間層之適合之苯乙烯-丁二烯共聚物較佳為嵌段共聚物，其中苯乙烯衍生單元佔共聚物全部單元之60莫耳%以上，且更佳為佔70莫耳%以上。適合之苯乙烯-丁二烯共聚物較佳具有較佳約40,000至約300,000、且更佳約 50,000至約150,000之重量平均分子量，以及較佳為1至2之分子量分佈。
根據一些實施例，第二中間層可為藉由將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物摻合擠出而形成之聚合物摻雜物(polymer alloy)。在一個例示性態樣中，中間雙層結構16將包含25%至55%之乙酸乙烯酯共聚物及45%至75%之苯乙烯-丁二烯共聚物。
在一個例示性態樣中，中間雙層結構16可直接形成於基層表面上或層壓至基層表面上。
在一個替代性態樣中，可使用黏著劑將中間雙層結構16黏合至基層表面上。可將薄的可固化黏著劑層置於基層與中間雙層結構之間。可利用施加中等壓力及熱量於將各層層壓在一起。所得黏著劑層通常將具有在約0.5微米與約5微米厚度之間、更佳在約1微米與約2微米之間的厚度。黏著劑需要提供足夠固持強度以使中間雙層結構可靠地黏附至基層，但過厚之黏著劑層會引起覆蓋膜之外觀美觀性降低。將中間雙層結構16黏合至基層16之例示性黏著劑可為可固化之聚胺基甲酸酯型黏著劑。
第二抗靜電層18係與基層14相對鄰近於中間雙層結構16之第二中間層16a安置。第二抗靜電層可包含存於聚合黏合劑中之碳奈米管。可藉由凹版滾塗方法或其他習知液體塗佈方法將碳奈米管及聚合黏合劑之水性溶液塗覆至中間雙層結構之第二中間層之表面上。乾燥後，第二抗靜電層18之所得厚度可為約0.1微米至約1微米、更佳在約0.2微米 與約0.6微米之間。以第二抗靜電層之總乾燥塗層重量計，第二抗靜電層之碳奈米管組成為在聚合物黏合劑中約0.5重量%至約3重量%(亦即聚合物黏合劑含量為約97重量%至約99.5重量%)。
熱密封層20係藉由凹版滾塗方法或其他習知之液體塗佈方法與第二中間層16b相對地塗佈於第二抗靜電層上。熱密封層係提供於中間層之與基層相對之表面上。此熱密封層可由選自聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯或其共聚物之材料組成，且該材料具有30℃至100℃之玻璃轉移溫度及至少90℃之熱活化溫度。
在一個例示性態樣中，最終覆蓋膜將具有低霧度(亦即小於約30%或更佳在10%與約30%之間)且具有高透明度(亦即大於約75%或更佳在75%與約85%之間)，以使承載帶凹穴內之組件在自承載帶中移除之前可易於被察看。熱密封層之厚度應為約0.01微米至約10微米，更佳在約0.1微米與約1微米之間。
本文所揭示之熱密封膜具有極佳靜電耗散效能、良好光學效能、良好機械效能以及對於聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯或其類似物(其為用於電子承載帶中之常見基板材料)之基板表面極佳的熱密封效能。本發明之熱密封覆蓋膜具有許多優點，諸如膜兩側之永久抗靜電效能，以有助於在電子承載帶自其承載線軸上退繞時及在覆蓋膜自承載帶上移除時提供靜電放電保護。例示性覆蓋膜亦具有高光透射率及低霧度，以允許觀察容納於承載帶凹穴內之電子組件 而不必自承載帶上移去覆蓋膜。覆蓋膜亦提供穩定黏著及移除效能，從而允許其與自動精密置放機一起使用。最後，例示性覆蓋膜之熱密封層在自承載帶上移除時乾淨利落地自覆蓋膜上分離，以在承載膜上提供均勻且可預測之表面。
實例 測試方法：
表面電阻率：根據ANSI ESD S11.11「Surface Resistance Measurement of Static Dissipative Planer Materials」測試方法表徵覆蓋膜之靜電放電(ESD)行為。同心環電極用於量測覆蓋膜之表面電阻。使用可購自TREK,Inc.(Tokyo,Japan))之Trek 152型電阻計量測電阻。
將電極置放於欲量測之表面上。選擇適當測試電壓(亦即10 V或100 V)。按下測試按鈕，且自LCD顯示器讀取表面電阻率之量測值。表面電阻率之單位為歐姆/平方。
光透射率及霧度：利用可獲自Murakami Color Research Laboratory(Tokyo,Japan)之霧度計HM-150根據ASTM標準D-1003「Standard Test Method for Haze and Luminous Transmittance of Transparent Plastics」量測覆蓋膜之光透射率及霧度性質。將一件欲量測之材料放置於霧度計中且量測結果。
180°剝離黏著力：藉由使用習知熱密封機將例示性覆蓋膜之原始樣品與一小捲覆蓋帶黏合來產生例示性覆蓋膜與3MTM導電聚碳酸酯載體3000(可購自3M Company(Austin, TX,U.S.A.))之剝離黏著力之初始值。密封溫度為160℃。施加1.5巴之密封壓力持續50毫秒。覆蓋膜/承載帶複合物之5.4 mm寬×200 mm長的樣品用於各剝離黏著力測試。使用180°剝離以300毫米/分鐘移除覆蓋膜，且藉由可購自V-Tek,Inc.(Mankato,MN,U.S.A.)之PT-45剝落力測試器量測剝落力。測試五個樣品，且計算平均初始剝落強度。
材料：
製備第二中間層之材料：在180℃下熔融混合60 kg苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(KIBTRON PB-5903)、40 kg聚(乙酸乙烯酯)(Elvax 260)及0.4 kg抗氧化劑PW-9225，形成均勻混合物。所得混合物經冷卻及粒化以供後來使用。因此，此例示性第二中間層包含約60重量%苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物及約40重量%聚(乙酸乙烯酯)。
形成中間雙層結構：所製備之第二中間層之材料與低密度聚乙烯(2420H)經共擠出且形成雙層膜。中間雙層結構或膜具有38 μm之總厚度，其中第一中間層(例如聚乙烯層)之厚度為26 μm，且第二中間層(例如SBS-乙酸乙烯酯層)之厚度為12 μm。
製備第二抗靜電層之塗層：將8 kg碳奈米管(AQUACRYLTM AQ0101)之1%水性分散液與10 kg聚丙烯酸乳液(A-1131)一起混合約5分鐘。隨後，向經混合之溶液中添加22.8 kg去離子水及200公克調平劑(Coatosil 77)，且再攪拌5分鐘。擱置混合物直至其消泡。
製備熱密封層之材料：用15 kg乙酸乙酯溶劑(可購自Shanghai Chemical Reagent Co.,Ltd.(Shanghai,China))稀釋5 kg 40重量%聚甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸丁酯共聚物於乙酸乙酯中之溶液，且攪拌5分鐘。用於此實例中之例示性聚甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸丁酯共聚物含有約60%甲基丙烯酸甲酯單元及約40%甲基丙烯酸丁酯，且具有約120,000之分子量，且分子量分佈為2.5。所得熱密封層溶液具有10%丙烯酸系樹脂固體含量。所得熱密封層材料之 玻璃轉移溫度為約80℃。
建構例示性覆蓋膜：將12 μm厚單面電暈放電處理之雙軸拉伸之聚酯薄膜用作覆蓋膜之基層。
用按3：1混合比包含多官能多元醇及異氰酸酯之聚胺基甲酸酯黏著劑(Takelac A-969V/Takenate A-5)塗佈聚酯膜之經電暈放電處理之表面。黏著劑膜經烘烤以使塗層乾燥及/或使聚胺基甲酸酯黏著劑之固化開始，且隨後層壓至中間雙層結構之第一中間層上。黏著劑經凹版滾塗以在烘烤後得到約1 μm厚度之黏著劑層。層壓後，在室溫下固化聚胺基甲酸酯黏著劑。
將第二抗靜電層塗佈溶液塗佈於中間雙層結構之第二中間層之曝露表面上，且在烘箱中乾燥以移除水(溶劑)。乾燥第二抗靜電層具有約0.4 μm之厚度且具有1×107歐姆/平方之表面電阻率。
將熱密封層溶液塗佈於第二抗靜電層表面上且在烘箱中乾燥以移除溶劑。所得乾燥熱密封黏著劑層具有約0.4 μm之厚度且具有1×109歐姆/平方之表面電阻率。
具有1% COLCOAT NR-121X-9固體含量之第一抗靜電層塗佈溶液係與中間雙層結構相對塗佈於基層(例如PET膜)之未經塗佈之表面上，且在烘箱中乾燥，得到最終熱密封覆蓋膜。所得第一抗靜電層在正常溫度及正常濕度之環境下具有約0.04 μm之乾燥膜厚度及1×1011歐姆/平方之表面電阻率。
熱密封覆蓋膜具有82%之光透射率及15%之霧度。鄰近 於第二抗靜電層之熱密封層表面上之表面電阻率為1×109歐姆/平方，且第一抗靜電層之表面電阻率為1×1011歐姆/平方。將覆蓋膜切成適當寬度且在170℃下密封於承載帶上，平均剝落力為45±3 g，其中給定樣本在約35 g至約55 g範圍內。當覆蓋膜自承載帶上剝離時，熱密封層及第二抗靜電層均勻轉移至承載帶上。因此，覆蓋膜在第二中間層表面與第二抗靜電層表面之間經歷界面失效。
圖2展示本發明之例示性覆蓋膜自組件承載帶表面上之均勻移除。在此實例中，覆蓋膜在第二抗靜電層與第二中間層之間顯示出界面黏著失效。不存在熱密封層材料之撕破或剝落，在用於電子組件承載帶之覆蓋膜中極其需要該效果。
比較實例
在比較實例中，第二導電層有效合併至第二中間層中以產生單個功能層而非兩個獨立層。
製備功能層之材料：在180℃下熔融混合67.5 kg苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(PB-5903)、37.5 kg聚(乙酸乙烯酯)(Elvax 260)、45 kg固有抗靜電聚合物(IDP：PolyNova PNC300R-M)及0.6 kg抗氧化劑A5(Jinhai Albemarle,Shanghai Jinhai Albemarle Fine Chemicals Co,Ltd.)，形成均勻混合物。所得混合物經冷卻及粒化以供後來使用。
形成中間雙層結構：所製備之功能層之材料與低密度聚乙烯(2420H)經共擠出且形成雙層膜。中間雙層結構或膜具有38 μm之總厚度，其中第一中間層(例如聚乙烯層)之 厚度為26 μm，且功能層(例如導電SBS-乙酸乙烯酯層)之厚度為12 μm。功能層之表面電阻率為1×109歐姆/平方。
製備熱密封層之材料：5 kg 40重量%聚甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸丁酯共聚物溶液，具有80℃之共聚物玻璃轉移溫度。該溶液另外經15 kg乙酸乙酯稀釋，且隨後添加2 kg甲苯。用於此比較實例中之例示性聚甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸丁酯共聚物含有約60%甲基丙烯酸甲酯單元及約40%甲基丙烯酸丁酯，且具有約120,000之分子量，且分子量分佈為2.5。隨後，將經稀釋之溶液再攪拌5分鐘。溶液中丙烯酸系熱密封層塗佈溶液之固體含量為10%。
建構比較覆蓋膜：將12 μm厚單面電暈放電處理之雙軸拉伸之聚酯薄膜用作覆蓋膜之基層。
用按3：1混合比包含多官能多元醇及異氰酸酯之聚胺基甲酸酯黏著劑(Takelac A-969V/Takenate A-5)塗佈經電暈放電處理之表面。烘烤黏著劑膜以使塗層乾燥及/或使聚胺基甲酸酯黏著劑之固化開始，且隨後層壓至中間雙層結構之第一中間層(亦即中間雙層結構之PE表面)上。黏著劑經凹版滾塗以在烘烤後得到約1 μm厚度之黏著劑層。層壓後，在室溫下固化聚胺基甲酸酯黏著劑。
將丙烯酸系熱密封層塗佈溶液塗佈於功能層之自由表面上，且在烘箱中乾燥以移除溶劑。丙烯酸系樹脂層為熱敏感黏著劑層，其具有約0.4 μm之厚度且具有1×1010歐姆/平方之表面電阻率。
將具有1% COLCOAT NR-121X-9固體含量之抗靜電層塗 佈溶液塗佈於基層(例如PET膜)之與中間雙層結構相對之未經塗佈之表面上，且在烘箱中乾燥，得到最終熱密封覆蓋膜。所得第一抗靜電層在正常溫度及正常濕度之環境下具有約0.04 μm之乾燥膜厚度及1×1011歐姆/平方之表面電阻率。
比較熱密封膜之光透射率為85%。比較熱密封膜具有10%之霧度，且熱密封材料表面上之表面電阻率為1×1010歐姆/平方。抵靠基層安置之抗靜電層之表面電阻率為1×1011歐姆/平方。
將比較實例之熱密封膜切成略微大於其所黏結至之承載帶之寬度。將覆蓋膜切成適當寬度且在170℃下密封於承載帶上，平均剝落力為52±3 g，其中給定樣本在約40 g至約64 g範圍內。當將覆蓋膜自承載帶移除時，覆蓋膜在至少一部分中經歷內聚失效，引起黏著劑不均勻轉移至承載帶及於黏著劑中形成不規則剝落及撕裂(其在電子組件裝配期間會引起碎片形成)。
圖3展示密封層在其自其所黏結至之例示性組件承載帶分離時如何撕裂。因此，密封層展現密封膜之目標應用所不期望的內聚失效機制。
項目1為一種覆蓋膜，其用於熱密封至具有用於攜帶電子組件之凹穴之承載帶上，該覆蓋膜包含：聚酯基層；第一抗靜電層，其安置於該基層之第一表面上；中間雙層結構，其包含第一中間層及第二中間層，其中 該第一中間層係安置於該基層之與該第一抗靜電層相對的第二表面上且包含聚乙烯，且其中該第二中間層係與該基層相對地安置於該第一中間層上且包含聚(乙酸乙烯酯)共聚物及聚(苯乙烯-丁二烯)共聚物；第二抗靜電層，其與該第一中間層相對安置於該第二中間層上且包含存於聚丙烯酸酯黏合劑中之碳奈米管；及熱密封層，其與該第二中間層相對安置於該第二抗靜電層上。
項目2為如項目1之覆蓋膜，其中該第一抗靜電層包含抗靜電聚合物或導電聚合物。
項目3為如項目2之覆蓋膜，其中該導電聚合物係選自由以下組成之群：聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、基於聚醚醯胺或基於聚酯醯胺之固有抗靜電聚合物或其組合。
項目4為如項目2之覆蓋膜，其中該抗靜電聚合物為含有四價銨鹽之丙烯酸聚合物。
項目5為如項目1之覆蓋膜，其中該基層具有約10 μm至約30 μm之厚度。
項目6為如項目1之覆蓋膜，其中該基層具有不低於85%之光透射率及不低於50 MPa之拉伸強度。
項目7為如項目1之覆蓋膜，其中在該乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯之單元至少佔該共聚物之10莫耳%。
項目8為如項目1之覆蓋膜，其中該苯乙烯-丁二烯共聚物為嵌段共聚物。
項目9為如項目1之覆蓋膜，其中該乙酸乙烯酯共聚物佔 該第二中間層之總重量之25重量%至55重量%。
項目10為如項目1之覆蓋膜，其中該苯乙烯-丁二烯共聚物佔該第二中間層之總重量之45重量%至75重量%。
項目11為如項目1之覆蓋膜，其中該乙酸乙烯酯共聚物為乙酸乙烯酯與乙烯之共聚物。
項目12為如項目1之覆蓋膜，其中該中間雙層結構具有約30 μm至約50 μm之厚度。
項目13為如項目1之覆蓋膜，其中該第一中間層之聚乙烯具有100,000至1,000,000之重量平均分子量。
項目14為如項目1之覆蓋膜，其中該第一中間層之聚乙烯具有1公克/10分鐘至10公克/10分鐘之熔融指數。
項目15為如項目1之覆蓋膜，其中該第一中間層具有20 μm至30 μm之厚度。
項目16為如項目1之覆蓋膜，其中該熱密封層具有0.1 μm至1 μm之厚度。
項目17為如項目1之覆蓋膜，其中安置在該第二抗靜電層上之該熱密封層具有1×107歐姆/平方至1×1012歐姆/平方之表面電阻率。
項目18為如項目1之覆蓋膜，其中該熱密封層具有30℃至100℃之玻璃轉移溫度。
項目19為如項目1之覆蓋膜，其中該熱密封層包含聚(甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸丁酯)共聚物。
項目20為如項目19之覆蓋膜，其中該聚(甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸丁酯)共聚物具有約80℃之玻璃轉移溫度。
項目21為如項目19之覆蓋膜，其中該聚(甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸丁酯)共聚物包含60%甲基丙烯酸甲酯單元及40%甲基丙烯酸丁酯單元。
項目22為如項目1之覆蓋膜，其另外包含安置於該第一中間層與該基層之間的可固化黏著劑層。
項目23為如項目1之覆蓋膜，其中該第一抗靜電層具有0.01 μm至0.1 μm之厚度。
項目24為如項目1之覆蓋膜，其中該第一抗靜電層具有1×109歐姆/平方至1×1012歐姆/平方之表面電阻率。
項目25為如項目1之覆蓋膜，其中該覆蓋膜在其自其所熱密封至之該承載帶上分離時經歷該第二抗靜電層與該第二中間層之間的界面失效。
項目26為如項目25之覆蓋膜，其中該熱密封層及該第二抗靜電層在該覆蓋膜自該承載帶上分離時均勻轉移至該承載帶上。
本發明不應視為限於上文所述之特定實例，而是應理解為涵蓋如隨附申請專利範圍中完全陳述之本發明之所有態樣。在回顧本說明書後，各種變體、等同製程以及本發明可適用之多種結構對於熟習本發明所有關之技術者而言將為顯而易見的。申請專利範圍意欲涵蓋該等變體及裝置。
10‧‧‧覆蓋膜
12‧‧‧第一抗靜電層
14‧‧‧基層
16‧‧‧中間雙層結構
16a‧‧‧第一中間層
16b‧‧‧第二中間層
18‧‧‧第二抗靜電層
20‧‧‧熱密封層
圖1為本發明之熱密封覆蓋膜之橫截面圖。
圖2為展示本發明之例示性覆蓋膜自組件承載帶表面上均勻移除之相片。
圖3為展示比較覆蓋膜之熱密封層自組件承載帶表面上撕開之相片。
雖然本發明可具有各種變體及替代形式，但已以舉例方式在圖式中展示了本發明之細節且將對其進行詳細描述。然而，應瞭解，不意欲使本發明受限於所描述之特定實施例。相反，意欲覆蓋在由隨附申請專利範圍所界定之本發明範疇內的所有變體、等效形式及替代形式。
10‧‧‧覆蓋膜
12‧‧‧第一抗靜電層
14‧‧‧基層
16‧‧‧中間雙層結構
16a‧‧‧第一中間層
16b‧‧‧第二中間層
18‧‧‧第二抗靜電層
20‧‧‧熱密封層

Claims (8)

  1. 一種覆蓋膜，其用於熱密封至具有用於攜帶電子組件之凹穴之承載帶上，該覆蓋膜包含：聚酯基層；第一抗靜電層，其安置於該基層之第一表面上；中間雙層結構，其包含第一中間層及第二中間層，其中該第一中間層係安置於該基層之與該第一抗靜電層相對的第二表面上且包含聚乙烯，且其中該第二中間層係與該基層相對地安置於該第一中間層上且包含聚(乙酸乙烯酯)共聚物及聚(苯乙烯-丁二烯)共聚物；第二抗靜電層，其與該第一中間層相對地安置於該第二中間層上且包含存於聚丙烯酸酯黏合劑中之碳奈米管；及熱密封層，其與該第二中間層相對地安置於該第二抗靜電層上。
  2. 如請求項1之覆蓋膜，其中在該乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯之單元至少佔該共聚物之10莫耳%。
  3. 如請求項1之覆蓋膜，其中該苯乙烯-丁二烯共聚物為嵌段共聚物。
  4. 如請求項1之覆蓋膜，其中該苯乙烯-丁二烯共聚物佔該第二中間層之總重量之45重量%至75重量%。
  5. 如請求項1之覆蓋膜，其中該中間雙層結構具有約30 μm至約50 μm之厚度。
  6. 如請求項1之覆蓋膜，其中安置在該第二抗靜電層上之 該熱密封層具有1×107歐姆/平方至1×1012歐姆/平方之表面電阻率。
  7. 如請求項1之覆蓋膜，其中該覆蓋膜在其自其所熱密封至之該承載帶分離時經歷該第二抗靜電層與該第二中間層之間的界面失效。
  8. 如請求項7之覆蓋膜，其中該熱密封層及該第二抗靜電層在該覆蓋膜自該承載帶分離時均勻地轉移至該承載帶。
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