TW201310025A - 減少檢測時基板邊緣效應的方法與裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種減少檢測時由施加基板偏壓引起造成影像變化或扭曲的基板邊緣效應的裝置與方法。本發明利用具有邊緣效應消除器的邊緣板以使得當利用帶電粒子束檢視基板時可獲得在基板邊緣處無扭曲的影像。

Description

減少檢測時基板邊緣效應的方法與裝置

  本發明是有關於一種帶電粒子束檢測系統，特別是有關於一種當檢視接近基板邊緣的一位置時可以減少檢測影像變化的裝置與方法。

     製造例如邏輯或記憶體元件等半導體元件時包含以各種半導體製程設備對基板或晶圓進行製程。當元件特徵尺寸連續自45奈米縮小至16奈米，使用帶電粒子束檢測設備於製程步驟中儘可能及早檢測出元件中異常狀況則顯得益加重要。第一圖顯示一傳統帶電粒子束檢測設備100，其包含一帶電粒子束發射器110、聚光鏡（condenser lens）112、孔徑114、一鏡內偵測器120、物鏡(objective lens) 130、一置於ㄧX-Y平台270以承載一基板160的基板承載盤（機械式或電子式）總成170。影像的形成是透過射出帶電粒子束102至基板160的表面，並偵測自基板160的表面放射出的背向散射與二次帶電粒子。詳細的影像形成過程是透過帶電粒子束發射器110射出主帶電粒子束102，經聚光鏡112匯聚並通過孔徑114。接著物鏡130將主帶電粒子束102聚焦至基板160的表面，而二次帶電粒子則自基板160的表面射至鏡內偵測器120。物鏡130包含磁極靴（pole-piece）132、偏轉器136及電極138。

     為了要進行低能量檢測，於承載基板160的承載盤與物鏡130之間施加一減速偏壓。由於基板並非置於無電場的區域，其材質、形狀及偏壓可改變基板160與物鏡130之間的空間電場分佈。一般而言，空間電場與中心粒子束大致成軸向對稱，換言之，即與檢測設備總成的中心軸102成軸向對稱。這是帶電粒子束聚焦形成圓形小點的必要條件。一般而言，對基板的檢測掃瞄分成兩部分，一是運用偏轉器做局部的掃瞄，一是倚仗承載盤的移動做全面的檢測。不過當基板160的邊緣周邊部分因承載盤移動而接近中心軸102時，空間電場分佈會因基板160上的偏壓、材料的不連續性及基板160與基板承載盤總成170外的形狀而明顯成為非軸向對稱。非軸向對稱分佈的電場會使入射主帶電粒子束偏移並造成所得影像自預期位置、比例與焦點改變，即為已知的影像偏移、扭曲及失焦。第二A圖與第二B圖顯示一承載基板160的傳統承載盤總成170，其中承載盤總成170具有一周邊凸出區域172以圍住基板160。一環繞承載盤總成170且可能為非等距之小間隙174，此間隙設計為裝設基板時之位置精確容許度。因此，此間隙會導致不均勻電場且此間隙造成的邊緣電場效應會扭曲主粒子束。為了解決邊緣效應問題，Mankos 等人於美國專利US 6,903,338中提出一種消除邊緣效應的方法，如第二B圖所示，其中間隙174增大以容納一嵌入環180且於檢視基板邊緣時根據間隙174的尺寸施加一電壓以減少邊緣效應。儘管如此，Mankos提出的增大間隙與嵌入及偏壓環180的先前技術實則難以實施。嵌入環180的高度、形狀與平坦度太難藉由加工與組裝控制，且小間隙內自平台270與晶圓160需要額外隔離，其中不論是主帶電粒子束或二次帶電粒子束會引附於隔離處，絕緣的效果與充電效應可能引發製程設備的更嚴重問題。本發明提供另一裝置與方法以於圖案化基板檢測時減少基板邊緣效應。

　　 本發明揭露一種減少基板邊緣效應的方法，該方法包含以一帶電粒子束擷取基板之一圖案化表面之一中央影像與一周邊影像，以及施加一電壓至基板與圍繞該基板的一邊緣板，其中該電壓係根據該中央影像與該周邊影像之間的一差異決定。

　　 本發明同時揭露一種於檢測時可減少基板邊緣效應的系統，該系統包含一以一帶電粒子束做為一探針的檢測設備、一具有一圍繞基板的邊緣板之基板承載元件及一施加電壓至基板與邊緣板之間的裝置，其中該電壓係由基板之一圖案化表面之目標位置的一中央影像與ㄧ周邊影像之一差異決定，其中該中央影像與該周邊影像係由相同該檢測設備擷取。

　　 本發明更揭露一種於檢測時可減少基板邊緣效應的方法，該方法包含以一帶電粒子束預先掃描或照射基板之一表面以達成一定程度的表面帶電量後、以該帶電粒子束擷取基板表面的一中央影像、以該帶電粒子束擷取基板表面的一周邊影像、根據該中央影像與該周邊影像之間的一差異決定一邊緣板與該基板之間的電壓以及施加該電壓於圍繞該基板的該邊緣板。

藉由本發明之說明、範例及實施例進行之以下敘述及伴隨之圖示將更能彰顯本發明的其他優點。

     本發明多個實施例將以具備參考標號的所附圖示完全敘述，其中顯示本發明一些實施例。於圖示中，層與區域的厚度可能被放大以使圖示更清楚。

     在此將敘述本發明詳細實施例，不過在此揭露的特定的結構與功能細節僅為代表以描述本發明實施例。本發明可以許多替換形式實施例實施，而不應被解釋為受限於此處所述實施例。舉例來說，本發明主要應用於半導體元件製造所用的晶圓基板。不過基板亦可為有邊緣場效應的方形或圓形光罩基板。

     因此本發明實施例可有各種修改與替換形式，實施例係以圖示顯示且在此將詳細描述。但應了解的是並不以所揭露的形式限制本發明實施例，相反的本發明實施例係可涵蓋所有落入本發明範圍的修改、等效及替換內容。圖示敘述中的相似數字代表相似元件。

     一般帶電粒子束檢測設備包含一自帶電粒子源射出的主帶電粒子束，主帶電粒子束通過一或更多聚光鏡、一孔徑、一物鏡、一鏡內偏轉器，並被會聚成一探測粒子束並掃描一由置於一可動平台之承載盤承載之基板的表面。主帶電粒子束照射至基板的表面產生由偵測器收集的二次帶電粒子束，並經處理以形成掃描區域的影像。

     為了進行低能量檢測並減少基板表面圖案或元件的幅射損傷，基板被施加相對於接地之最後物鏡（0伏特）的負偏壓至–V伏特使主帶電粒子束承受一遲滯力以減少當粒子束運動至基板表面的衝擊能量。在此例中，基板係在一電場區域中；因此基板表面上的空間電場分佈對於主帶電粒子束的聚焦與降落位置而言非常關鍵。當主帶電粒子束射至基板之內側位置時，沿帶電粒子束路徑的等位線在基板與物鏡之磁極靴之間大致呈現軸對稱分布。以電場E方面而言，僅有一垂直分量Ez由磁極靴指向基板表面。不過當主帶電粒子束射至接近基板之邊緣位置時，基板表面上的空間電場分佈因材質、結構或基板表面變化變得明顯軸向不對稱，除了垂直分量Ez之外，尚有足以引起影像偏移、扭曲及失焦的側向分量Ez。

     除了造成接近基板邊緣軸向不對稱場分佈的材質與結構因素之外，基板的表面帶電的情況將使邊緣效應更加惡化。為了使某些電性缺陷更加明顯，例如斷路或短路，通常需要將在檢測前先以帶電粒子束預先照射基板，將基板上的電性調整為正或負電荷。根據Zhao等人於美國專利申請案US 20080296496中揭露基板表面可被充電至相對於基板偏壓的負或正電位。此種調節基板表面電性的處理可能使邊緣效應惡化並擴大邊緣效應影響的區域，因此本發明亦可用於消除或極小化這些因表面帶電程度導致的不利影響。

     對於第三A圖中所示廣泛使用的平面基板承載板270，由於無周邊凸出區域以提升外側邊緣下降的電場，使得基板160遭遇更嚴重的邊緣效應。因此於本發明一實施例中，如第三B圖所示，建構一邊緣板200以包圍基板160的周邊。後續更多實施例將基於此基本結構。

     請參考第四A圖與第四B圖所示，顯示主帶電粒子束於基板160中央部分與邊緣部份的移動是如何的不同。第四A圖所示來自磁極靴132且為0V電壓的中央主帶電粒子束102將垂直轟擊偏壓為–V的基板160的中央部分或是離基板160邊緣很遠的部份，其主要承受一軸向對稱電場，E_z10 (105A) 且 E_r=0（未圖示）。不過當檢視基板的邊緣部份時，中央主帶電粒子束102將遭遇一軸向非對稱電場。透鏡磁極靴與基板之間的等位線將順著基板160截面形狀（假設基板具導電性）高低而變化，沿中心軸側向電場分量E_r（106B）已不再為可忽略。如第四B圖所示，沿中心軸移動的主帶電粒子束102將承受一離軸偏向力，並被偏移導致遠離基板160上的目標位置。邊緣效應也會改變軸向電場分量E_z。如第四圖所示，鄰近基板邊緣的E_z105B與基板中央處的E_z105A也會不同。若差異明顯夠大，鄰近基板邊緣的影像對焦會與基板中央處的影像對焦不同。第四C圖顯示另一種情況，在檢測取像前於基板表面以帶電粒子束預先慢撒帶電（flooded）至帶正電壓+u的情況。若在同一平面上表面帶電電位高於周遭，則扭曲與偏移現象將呈現相反效應。因此影像之扭曲可包括伸長或收縮。請參考第四C圖所示，當基板160上的電壓為-V+u且高於邊緣板200的電壓-V，主帶電粒子束102將被偏向內側。上述為由基板邊緣引起的額外水平分量所造成的影像扭曲或偏移，還有另ㄧ邊緣效應的作用會因為基板中央與邊緣部份之電場軸向分量的改變而引起影像失焦。

     兩個手段可用來改變邊緣場分布，包含使用一導體板與施加一偏壓至此導體板。導體板提高接近基板邊緣的等位線使其近似於基板內側位置的等位線高度，使得沿平行基板表面方向的電壓梯度或電場側向分量被極小化至大體上為零。

     由於環繞基板任何一處之導體板至基板表面的高度與基板至導體板的間隙難以精確控制至相同，所以沿角方向至邊緣相同距離位置的電場不會相同。於一實施例中，可根據觀察影像所量測得之位置偏移、比例及/或對焦改變等差異，於各位置施加一不同的偏壓以進一步補償各處因邊緣效應而導致的電場變化。

     請再參考第五A圖、第五B圖與第五C圖，雖然在此以位置偏移距離來顯示基板邊緣部份不對稱場之作用情形，但可理解的是，亦可應用至其他的自影像比較之可量測參數，例如影像縮放參數與對焦（電流或電壓）參數之變量。在本發明中，設置一邊緣板200圍繞基板160以平緩基板160邊緣的電場變化。在第五A圖中，當基板160為圓形時邊緣板200則為環形板，且被設置於鄰近基板160邊緣並環繞基板160。若基板160為方形，例如光罩，則邊緣板200可為方形框輪廓。不過如第五B圖所示，基板160與邊緣板200之間的間隙處電場分布仍會有下降的變化。當主帶電粒子束102因為承載盤移動而靠近基板160邊緣時，仍會因下降的電場分布而偏向，檢測影像仍會有影像扭曲、比例或失焦等與邊緣效應範圍相關的問題。

     如第五C圖所示，本發明一實施例提出一邊緣效應消除器210。邊緣效應消除器210調整增加偏壓ΔV於平台偏壓（-V）之上。此步驟調節鄰近基板160邊緣周邊位置的電場等位線以補償基板160表面與邊緣板200的高度變化，以及因帶電效應造成的邊緣板200與基板160表面之間的電壓差。基板表面上相對較平坦的等位線分布於檢測時可產生無扭曲或無失焦的檢測影像。

於另ㄧ實施例中，若基板表面電壓隨不同製程步驟變化，或甚至經表面漫撒過程（flood process）預先帶電，可根據基板表面帶電狀態施加ㄧ可變偏壓於導體板以改變邊緣電場分布。圍繞基板的導體板的存在與偏壓將不會改變基板中央或內側部分的電場分布均勻度，但會改變鄰近基板邊緣周邊部分的電場分布，因此根據粒子束照射位置藉由適當地對導體邊緣板施加偏壓可將電場分布或等位線平坦化。由於物鏡之磁極靴與基板表面間的軸對稱場改善的緣故，使照射邊緣位置的中央主帶電粒子束被推向外側或內側的程度減少。

     再如第五C圖所示，藉由電源供應器平台被施加相對接地為–V的偏壓。為了補償邊緣區域與中央區域之間的影像差異（例如偏移），應施加由邊緣效應消除器210提供電壓為△V的額外電源供應至基板160與邊緣板200之間以調整電壓分布，使得主中央帶電粒子束102可直向轟擊基板160而不會有偏向問題。邊緣效應消除器210包含二電源，一電源連接基板160與接地以提供–V偏壓，另ㄧ電源連接基板160與邊緣板200以提供△V偏壓。△V偏壓可為正或負值以滿足各種不同的基板表面帶電狀況與邊緣板高度。設置邊緣板200與邊緣效應消除器210的主要目的是平坦化擴大的基板160上方的電位分布。

     第六A圖與第六B圖顯示一圖案化基板中自二晶方中每ㄧ晶方中相同對應位置（晶方座標中相同位置）擷取之二影像。第六A圖的影像係擷取自位於基板中央部份的晶方，而將作為無邊緣效應的參考影像。第六B圖的影像（實線圖案）係擷取自位於基板週邊部份，可說與基板中央距離為R的晶方。第六B圖中也以虛線繪製無邊緣效應的參考影像以進行比較。二影像（位置）之間因邊緣效應而有一偏移值△R。偏移方向可為朝內側或外側；換言之，△R可為正值或負值。如第六C圖所示，正值△R意謂因基板表面電壓低於導體板使影像伸長扭曲或向外偏移，而負值△R意謂因基板表面電壓高於導體板使影像壓縮扭曲或向內偏移。

     補償對應△R偏移的△V偏壓可量測並藉由實驗確定。在進行檢測前可建立一曲線圖或表。第七A圖顯示影像位置偏移△R為影像位置（x,y）或（r,q）沿已知軸向或朝邊緣間隙半徑方向的函數。影像比例與影像焦距變化亦可被量測並作為適當偏壓的指標。第七B圖顯示校正沿特定路徑因邊緣效應產生的對應位置偏移所需偏壓。此偏壓值可藉由預先研究△R遞減至0或可容許值之偏壓的實驗決定。一般而言，每ㄧ次基板放置的位置相對於邊緣板均會有些微位置偏移，因此間隙不會相同且會隨每次基板放置而改變，所以必須建立一例如表一所示的參考表以記錄在不同位置的影像變化，以及所需對應偏壓以校正這些在基板區域不同位置的差異。在表一中，影像位置係以R與q座標系統表示，但不限於R與q座標系統。數值可被視為對應位置的偏壓。基於此表，校正在任何位置因邊緣場效應產生的影像差異所需的偏壓均可從此表中尋找或藉由內插法獲得。

表一校正基板各個位置因邊緣場效應產生的影像差異所需的偏壓

     根據本發明的一實施例，本發明同時提供一獲得所有周邊區域偏壓的方法。消除檢測時邊緣效應的方法如下：（1）獲得位於基板中央部份的晶方內ㄧ參考點的一第一影像；（2）獲得位於基板週邊部份的一不同晶方內相同參考點的一第二影像；（3）比較二影像並計算以位置偏移或扭曲比例或失焦程度量測的差異量；（4）透過邊緣效應消除器調整施加邊緣板的偏壓直到每ㄧ參考點的差異量被抵銷；（5）在檢測區域上多個表定點位置重複步驟(1)至(4)；（6）儲存每ㄧ點的補償係數（電壓）至檢測設備電腦；及（7）當欲檢測的邊緣區域成像時，根據參考點製成的對照表藉由外插或內插尋找偏壓，接著施加偏壓至帶電粒子束系統。在一個更ㄧ般的檢測中，當檢測一基板時，在位置至位置之間（無論邊緣或中央）可自動施加偏壓。或於人工操作中，施加於邊緣板的偏壓量可由檢測設備的操作者決定。

     請參考第八圖，本發明提供一減少一半導體基板邊緣效應的方法。首先，決定ㄧ基板中晶方的佈局資訊（包含每ㄧ晶方的尺寸與座標）（步驟S-01）。在掃描基板之前，可執行ㄧ將基板表面漫撒帶電的非必要步驟。接著藉由使用一帶電粒子束設備掃描獲得一位於基板中央之已知（參考）位置的第一影像（步驟S-02）。於此步驟中，選擇中央晶方中一圖案進行掃描。第一影像為一正常圖案作為參考之用。接著藉由使用相同帶電粒子束設備掃描邊緣晶方的圖案以獲得位於基板邊緣或邊緣晶方相同圖案的ㄧ第二影像（步驟S-03）。於此步驟中，選擇邊緣晶方中相同圖案進行掃描。接著比較二影像以計算圖案每ㄧ參考點位置偏移量（步驟S-04）。在計算影像差異之後，舉例來說，例如位置偏移，施加偏壓於邊緣板以抵銷圖案於參考點的偏移（步驟S-05）。於此步驟中，施加偏壓於邊緣板之後，再次執行步驟S-03以獲得另ㄧ影像，且再次執行步驟S-04以檢查參考點是否有任何位置偏移。然後儲存補償係數（電壓）且此係數可用於外插至此基板其他所有周邊位置（步驟S-06）。在某些情況下，此外插計算可被用作參考點因為一基板邊緣部分之每ㄧ區域可能具有不同表面輪廓。

     請參考第九圖，提出一帶電粒子束設備900，包含可射出主帶電粒子束902之一帶電粒子源910，主帶電粒子束通過一聚光鏡912、一孔徑914、一鏡內偵測器920、一物鏡930、一鏡內偏轉器936後至一基板960。基板960被主帶電粒子束902轟擊後，二次電子則自基板960表面放射至鏡內偵測器920。基板960置於一具有ㄧ邊緣板200環繞基板960的平台270上。邊緣板200上有邊緣效應消除器210以提供補償電壓以使基板邊緣的電壓分布均勻。

     在邊緣效應消除器210提供△V至邊緣板200之後，基板邊緣電位分布將更均勻或更平坦且照射至基板的主帶電粒子束不會偏向或比較不會偏向，使得掃描影像符合檢測要求。因此與傳統檢測相比，本發明的缺陷檢測可為十分精確。

     雖然本發明已藉由較佳實施例進行說明，可理解的是其他不超出本發明申請專利範圍之精神與範圍的修改與變型亦可被完成，但均被本發明所涵蓋。

100．．．傳統帶電粒子束檢測設備

102．．．帶電粒子束

105A．．．軸向對稱電場E_z

105B．．．鄰近基板邊緣的E_z

106B．．．中心軸側向電場分量E_r

110．．．帶電粒子束發射器

112．．．聚光鏡

114．．．孔徑

120．．．鏡內偵測器

130．．．物鏡

132．．．磁極靴

136．．．偏轉器

138．．．電極

160．．．基板

170．．．基板承載盤總成

172．．．周邊凸出區域

174．．．間隙

180．．．嵌入環

200．．．邊緣板

210．．．邊緣效應消除器

270．．．X-Y平台

S-01．．．決定一基板中晶方的佈局資訊(包含每一晶方的尺寸與座標)

S-02．．．獲得一位於基板中央之已知(參考)位置的第一影像

S-03．．．獲得位於基板邊緣相同圖案的一第二影像

S-04．．．比較二影像以計算圖案每一參考點位置偏移量

S-05．．．施加偏壓於邊緣板以抵銷圖案於參考點的偏移

S-06．．．儲存補償係數(電壓)並外插至此基板其他所有周邊位置

900．．．帶電粒子束設備

902．．．主帶電粒子束

910．．．帶電粒子源

912．．．聚光鏡

914．．．孔徑

920．．．鏡內偵測器

930．．．物鏡

936．．．鏡內偏轉器936

960．．．基板

本發明的概念及優點經以下詳細說明伴隨圖示進行說明後將更易於了解領會。

第一圖為一傳統帶電粒子束檢測設備之概要圖示。

第二A圖與第二B圖為一具有一基板於其上的傳統平台概要圖示，其中平台具有一適於容納一基板的內凹區域。

第三圖與第三B圖為一具有一基板於其上的另ㄧ平台概要圖示，其中平台為平坦而無凸出周邊。

第四A圖、第四B圖與第四C圖為一主帶電粒子束照射至一基板中央與基板邊緣的概要圖示。

第五A圖、第五B圖與第五C圖為本發明一實施例中一邊緣效應消除器應用於一邊緣板以消除一基板於一帶電粒子束檢測中的邊緣效應的概要圖示。

第六A圖、第六B圖與第六C圖為擷取自一基板中央部份與邊緣部份的二掃描影像，影像位置之圖案相同而無任何針對基板邊緣之校正的概要示意圖，由此可計算偏移量。

第七A圖與第七B圖為施加至邊緣板之電壓與第六圖所示之圖案偏移量之間關係的概要示意圖。

第八圖為一顯示施加電壓至邊緣板以抵銷邊緣效應的流程圖。

第九圖為本發明一實施例中一具有一環繞基板的邊緣板及一邊緣效應消除器的帶電粒子束設備的概要示意圖。

200．．．邊緣板

210．．．邊緣效應消除器

270．．．X-Y平台

900．．．帶電粒子束設備

902．．．主帶電粒子束

910．．．帶電粒子源

912．．．聚光鏡

914．．．孔徑

920．．．鏡內偵測器

930．．．物鏡

936．．．鏡內偏轉器

960．．．基板

Claims (26)

1. 一種減少基板邊緣效應的方法，包含：
   以一帶電粒子束擷取該基板之一圖案化表面之一中央影像與一周邊影像；及
   施加一電壓至該基板與一圍繞該基板的邊緣板，其中該電壓係根據該中央影像與該周邊影像之間的一差異決定。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該邊緣板具有導電性且具有一高度與該基板表面大致相同的上表面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電壓的一極性可為正極性或負極性並與該中央影像與該周邊影像之間的一差異程度相關。
4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該電壓值與該中央影像與該周邊影像之間的該差異程度成正比。
5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該中央影像與該周邊影像之間的差異以一扭曲程度呈現並以一比例係數量測。
6. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該中央影像與該周邊影像之間的差異以一偏移程度呈現並以一偏移距離量測。
7. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該中央影像與該周邊影像之間的差異以一對焦程度呈現並以一對焦電流或電壓改變量測。
8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含一於影像擷取步驟前對該基板表面漫撒帶電（flooding）的步驟。
9. 一種於檢測時可減少基板邊緣效應的系統，該系統包含：
   
   一具有一帶電粒子束做為一探針的檢測設備；
   一具有一可圍繞基板的邊緣板之基板承載元件，該基板承載元件承載一基板；
   一施加電壓至該基板與該邊緣板之間的裝置，其中該電壓係由該基板之一圖案化表面之目標位置的一中央影像與一周邊影像之一差異決定，其中該中央影像與該周邊影像係由相同該檢測設備擷取。
   
10. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該邊緣板具有導電性且具有一高度與該基板表面大致相同的上表面。
11. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該週邊影像具有與該中央影像相比較為扭曲的圖案。
12. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該週邊影像具有與該中央影像相比較為偏移的圖案。
13. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該週邊影像具有與該中央影像相比較為失焦的圖案。
14. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該電壓係根據量測該中央影像與該周邊影像之間的一比例係數所獲得之一扭曲程度決定。
15. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該電壓係根據量測該中央影像與該周邊影像之間的一距離所獲得之一偏移程度決定。
16. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該電壓係根據量測該中央影像與該周邊影像之間的一對焦電流或電壓改變所獲得之一失焦程度決定。
17. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該電壓的一極性可為正極性或負極性並由該中央影像與該周邊影像之間的差異程度決定。
18. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該檢測設備為一帶電粒子束檢測設備。
19. 一種於檢測時可減少基板邊緣效應的方法，包含：
    以一帶電粒子束預先掃描或照射基板之一表面以達成一定程度的表面帶電；
    以該帶電粒子束擷取基板表面的一中央影像；
    以該帶電粒子束擷取基板表面的一周邊影像；
    根據該中央影像與該周邊影像之間的一差異決定一邊緣板與該基板之間的電壓；及
    施加該電壓於圍繞該基板的該邊緣板。
    
20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該表面帶電可為正電或負電。
21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該邊緣板具有導電性且具有一高度與該基板表面大致相同的上表面。
22. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該電壓的一極性為正極性或負極性並與該中央影像與該周邊影像之間的一差異的量測值相關聯。
23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該電壓值與該中央影像與該周邊影像之間的該差異的該量測值呈正比。
24. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該中央影像與該周邊影像之間的該差異係根據量測一比例係數所獲得之扭曲程度。
25. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該中央影像與該周邊影像之間的該差異係根據量測一距離所獲得之一位置偏移。
26. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該中央影像與該周邊影像之間的該差異係根據量測一對焦電流或電壓所獲得之一對焦改變。