TW201309479A - 具有疏水與疏油特性之結構及其製備方法 - Google Patents

Abstract

本發明係有關於一種具有疏水與疏油特性之結構及其製備方法。本發明之具有疏水與疏油特性之結構係包括：一基材；一疏水性類鑽碳膜，係具有點狀陣列結構，且係設置於該基材上；以及一親水性類鑽碳膜，係設置於該基材上，且係配置於該疏水性類鑽碳膜之點狀陣列結構之間。

Description

具有疏水與疏油特性之結構及其製備方法

本發明係關於一種具有疏水與疏油特性之結構及其製備方法，尤指一種包含有疏水性類鑽碳膜以及親水性類鑽碳膜之具有疏水與疏油特性之結構及其製備方法。

隨著電子產業的快速發展，各種類型的電子產品已被廣泛的使用於社會大眾的日常生活中。其中，由於觸控式電子裝置具有容易操作的特性，因此使觸控面板被廣泛地運用在各種不同之電子產品上，例如液晶顯示裝置、個人數位助理、提款機或便攜式電腦等電子產品中，以做為人機互動的媒介。並且依據觸控面板偵測觸控點的物理原理可分為電阻式、電容式及波動式等觸控面板。

然而，也由於這種偵測觸控點的作動方式，讓使用者必需經常的以手指或觸控筆在觸控面板的玻璃基材表面上按壓或滑移，才能使觸控面板產生相對應的訊號傳送。因此，在使用者長時間的使用後，往往造成觸控面板的玻璃基材表面受到手指或觸控筆所產生的摩擦力或敲擊力作用，而產生刮痕及磨損，並且導致玻璃基材表面結構形成形態不一的凹槽或孔洞；或者是造成玻璃基材表面受到油污及水氣的附著，並容易讓油污及水氣嵌入於這些凹槽或孔洞內，而影響玻璃基材表面的平整性以及透光性，進而嚴重影響觸控面板的操控性能。更有甚者，若使用者敲擊或按壓觸控面板的力道過大，更容易造成玻璃基材破裂而導致觸控面板報廢的情形發生。

目前解決上述問題的方法，皆是藉由表面處理的方法來強化玻璃基材的機械性質。例如在台灣第200825202號公開專利中，主要是在玻璃基材表面被覆一層類鑽碳(diamond-like carbon，DLC)層，以藉由類鑽碳本身所擁有的高可見光/紅外線穿透性以及高機械強度等特性，用以增加玻璃基材的機械強度並維持玻璃基材的透光性。然而，由於其僅單純的在玻璃基材上設置類鑽碳層，因此在使用者長時間的使用下，此類鑽碳同樣會受到油污及水氣的附著，並且填充於類鑽碳層表面的裂痕或孔洞中，進而對觸控面板靈敏度產生嚴重干擾，而影響其操控性及耐用性。

因此本領域亟需一種新的表面結構設計，使可同時具有疏水與疏油特性，並具有耐磨的功效。

有鑑於此，本發明提供了一種具有疏水與疏油特性之結構，其包括有：一基材；一疏水性類鑽碳膜，係具有點狀陣列結構，且係設置於該基材上；以及一親水性類鑽碳膜，係設置於該基材上，且係位於該疏水性類鑽碳膜之點狀陣列結構之間。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構包含有疏水性類鑽碳膜、以及親水性類鑽碳膜，其中疏水性類鑽碳膜具有點狀陣列結構。其中疏水性類鑽碳膜可達到疏水效果，而親水性類鑽碳膜可達到疏油及/或親水效果，因此使得本發明之結構同時具有疏水與疏油及/或親水特性。而類鑽碳膜本身具有絕佳的硬度、抗刮性，因此覆有本發明之疏水及親水性類鑽碳膜之基材可具有高硬度、抗刮性、以及疏水與疏油特質。因此，本發明之具有疏水與疏油特性之結構可改良習知玻璃基材的強化結構容易附著油污、水氣等雜質；透光性及機械強度不足；以及所設置的抗蝕刻層容易剝離等問題。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構，其表面呈現平坦狀，而非凸出點狀或凹下孔洞狀。因此可使手指觸感佳，不會有粗糙感，且由於表面平整因此不易由基材上剝落。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該基材(即，本發明之應用處)可為觸控面板、液晶顯示裝置、或其他顯示螢幕、個人數位助理、提款機或便攜式電腦等電子產品，或是車體(如汽車、機車、自行車)外殼、把手等，可避免基材本身受到手指或觸控筆所產生的摩擦力或敲擊力作用，而產生刮痕及磨損，並同時可避免受到油污及水氣的附著，保持基材表面的平整性以及透光性。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構的一種態樣中，該親水性類鑽碳膜較佳可具有複數孔洞(例如，圓形、方形或多邊形孔洞)，該疏水性類鑽碳膜較佳可位於該孔洞中，而形成點狀陣列結構。此外，疏水性類鑽碳膜之點狀陣列結構中點與點之間的間距較佳可為100 nm-500nm。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該基材係較佳可為玻璃類、陶瓷類、或高分子類。其中，陶瓷類基板較佳可為氮化鋁鍍玻璃基板。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該疏水性類鑽碳膜較佳可為氟摻雜之類鑽碳膜，且該疏水性類鑽碳膜係具有疏水特性。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該親水性類鑽碳膜較佳可為氧、氮、矽或氫摻雜之類鑽碳膜，且該親水性類鑽碳膜係具有疏油特性。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該摻雜物之含量較佳可為5%至50%之原子百分比。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該摻雜物之含量較佳可為5%至30%之原子百分比。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該疏水性類鑽碳膜或該親水性類鑽碳膜之厚度較佳可為1nm至500nm之間。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構，較佳可更包括一中間層，其可配置於該基材與該疏水性類鑽碳膜或該親水性類鑽碳膜之間。中間層可用於增加基材與親水性類鑽碳膜之間的附著性。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該中間層之材質較佳可選自由：碳化矽、氮化鋁、氮化硼、碳氫化合物、及其混合所組成之群組，最佳為碳化矽。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構中，該中間層較佳可包括5%至40%之原子百分比的矽。

本發明另提供一種具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，包括：(A)提供一基材；(B)形成一具有點狀陣列結構之疏水性類鑽碳膜於該基材上；以及(C)於該疏水性類鑽碳膜之點狀陣列結構之間形成一親水性類鑽碳膜。

本發明之製備方法所製得的具有疏水與疏油特性之結構包含有疏水性類鑽碳膜、以及親水性類鑽碳膜，此二種類鑽碳膜係以點狀陣列方式互相交錯配置，或以一預設距離(範圍)交錯配置。其中疏水性類鑽碳膜可達到疏水效果，而親水性類鑽碳膜可達到疏油效果，因此使得本發明所製得之結構同時具有疏水與疏油特性。而類鑽碳膜本身具有絕佳的硬度、抗刮性，因此覆有本發明所製得之疏水及親水性類鑽碳膜之基材可具有高硬度、抗刮性、以及疏水與疏油特質。因此，本發明所製得之具有疏水與疏油特性之結構可改良習知玻璃基材的強化結構容易附著油污、水氣等雜質；透光性及機械強度不足；以及所設置的抗蝕刻層容易剝離等問題。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其步驟(B)中該疏水性類鑽碳膜及/或親水性類鑽碳膜較佳可以物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成。其中，該物理氣相沉積法較佳可為濺鍍法或陰極電弧法；該化學氣相沉積法較佳可為電漿輔助或微波化學氣相沉積法。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該疏水性類鑽碳膜較佳可為氟摻雜之類鑽碳膜，且該疏水性類鑽碳膜係具有疏水特性。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該親水性類鑽碳膜較佳可為氧、氮、矽、或氫摻雜之類鑽碳膜，且該親水性類鑽碳膜係具有疏油特性。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該摻雜物之含量較佳可為5%至30%之原子百分比。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中，該步驟(A)與該步驟(B)之間較佳可更包括一步驟(A1)：形成一中間層於該基材之表面。其中，該中間層較佳可選自由：碳化矽、氮化鋁、氮化硼、碳氫化合物、及其混合所組成之群組。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該中間層較佳可包括5%至40%之原子百分比的矽。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該步驟(B)中，該點狀陣列結構中點與點之間的距離較佳可為100 nm-500nm。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該步驟(B)中，該點狀陣列結構之每一點之大小較佳可為400 nm-1000nm。

根據本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該疏水性類鑽碳膜或該親水性類鑽碳膜之厚度較佳可為1nm-500nm。

本發明又提供一種具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，包括：(A)提供一基材；(B)形成一親水性類鑽碳膜於該基材上；(C)於該親水性類鑽碳膜之表面形成具有複數孔洞；以及(D)形成一疏水性類鑽碳膜於該親水性類鑽碳膜之複數孔洞中，且該疏水性類鑽碳膜係具有點狀陣列結構。

上述之方法所製得的疏水與疏油特性之結構，親水性類鑽碳膜係具有孔洞(例如，圓形、方形或多邊形孔洞)，該疏水性類鑽碳膜使配置於該孔洞中。此外，複數孔洞之間的間距較佳可為100 nm-500nm。由於疏水性類鑽碳膜可達到疏水效果，而親水性類鑽碳膜可達到疏油效果，因此使得本發明所製得之結構同時具有疏水與疏油特性。而類鑽碳膜本身具有絕佳的硬度、抗刮性，因此覆有本發明之疏水及親水性類鑽碳膜之基材可具有高硬度、抗刮性、以及疏水與疏油特質。因此，本發明所製得之具有疏水與疏油特性之結構可改良習知玻璃基材的強化結構容易附著油污、水氣等雜質；透光性及機械強度不足；以及所設置的抗蝕刻層容易剝離等問題。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其步驟(B)中該親水性類鑽碳膜係以物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成於該基材上；且該步驟(C)中係以一光罩於該親水性類鑽碳膜之表面形成孔洞。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該疏水性類鑽碳膜係為氟摻雜之類鑽碳膜。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其步驟(D)中該親水性類鑽碳膜係以物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成於該疏水性類鑽碳膜之孔洞。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該親水性類鑽碳膜係為氧、氮、矽或氫摻雜之類鑽碳膜。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該摻雜物之含量為5%至30%之原子百分比。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該物理氣相沉積法較佳可為濺鍍法或陰極電弧法；而該化學氣相沉積法較佳可為電漿輔助或微波化學氣相沉積法。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該步驟(A)與該步驟(B)之間較佳可更包括一步驟(A1)：形成一中間層於該基材之表面。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該中間層較佳可選自由：碳化矽、氮化鋁、氮化硼、碳氫化合物、及其混合所組成之群組。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該中間層較佳可包括5%至40%之原子百分比的矽。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該步驟(C)中，該複數孔洞之間的間距較佳可為100 nm-500nm，而孔洞大小較佳可為400 nm-1000nm。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法中，該疏水性類鑽碳膜或該親水性類鑽碳膜之厚度較佳可為1nm至500nm之間。

以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。

[實施例1]

如圖1A所示，首先，提供一基材11(例如玻璃基板或矽基板)，並以光微影法形成一圖案化光阻層3於該基材11上，其中，該圖案化光阻層3包含有以陣列形式排列的複數孔洞31，而孔洞31大小約為400 nm-1000nm，孔洞31之間的距離約為100 nm-500nm，並且該圖案化光阻層3的厚度約為1nm-500nm。接著，以物理氣相沉積法(如，濺鍍法)於該圖案化光阻層3的複數孔洞31中形成具有點狀陣列結構之疏水性類鑽碳膜12(5%至30%之原子百分比氟摻雜之類鑽碳膜)。接著，將圖案化光阻層3移除，而得到如圖1B所示的陣列形式排列的疏水性類鑽碳膜12。

接著，如圖1C所示，形成一遮罩(mask)5(可為檔板、或光阻)於該陣列形式排列的疏水性類鑽碳膜12上，並以物理氣相沉積法於該疏水性類鑽碳膜12之點狀陣列結構之間形成一親水性類鑽碳膜13(5%至30%之原子百分比氧摻雜之類鑽碳膜)。最後，移除該遮罩5，而得到本實施例之具有疏水與疏油特性之結構，如圖1D所示。

本實施例中，物理氣相沉積法可使用如濺鍍法或陰極電弧法，或是可以化學氣相沉積法代替物理氣相沉積法。親水性類鑽碳膜13可為氧摻雜之類鑽碳膜以外，亦可是氮、矽或氫摻雜之類鑽碳膜

本實施例中，基材11可為玻璃類、陶瓷類、或高分子類。例如，基材11可為觸控面板、LCD面板、或其他顯示螢幕，或是車體(如汽車、機車、自行車)外殼、把手等。

本實施例所完成之具有疏水與疏油特性之結構表面呈現平坦狀，而非凸出點狀。因此可使手指觸感佳，不會有粗糙感，且由於表面平整因此不易由基材上剝落。

本實施例中，圖案化光阻層3的材料無特別限制，只要是一般微影法中可以使用的光組材料接可。除此之外，亦可以使用預先製作完成的金屬檔板代替圖案化光阻層3。

本實施例中，疏水性類鑽碳膜以及親水性類鑽碳膜可互相交換。詳細地說，可使疏水性類鑽碳膜係具有孔洞，該親水性類鑽碳膜係配置於該孔洞中，但此方式所作成之結構的疏水與疏油效果較不佳。

本實施例中，於圖案化光阻層3之前，可先於基材11表面形成一中間層(圖未示)。中間層可用於增加基材11與親水性類鑽碳膜13及疏水性類鑽碳膜12之間的附著性。中間層的材質可選自由：碳化矽、氮化鋁、氮化硼、碳氫化合物、及其混合所組成之群組(較佳為碳化矽)，且中間層的材質較佳可包括5%至40%之原子百分比的矽。

如圖1D所示，本實施例所製造得到的具有疏水與疏油特性之結構，其包括有：一基材11；一疏水性類鑽碳膜12，係具有點狀陣列結構，且係設置於該基材11上；以及一親水性類鑽碳膜13，係設置於該基材11上，且係配置於該疏水性類鑽碳膜12之點狀陣列結構之間。

本實施例之具有疏水與疏油特性之結構包含有疏水性類鑽碳膜12、以及親水性類鑽碳膜13，此二種類鑽碳膜係以點狀陣列搭配孔洞方式互相交錯配置。其中疏水性類鑽碳膜可達到疏水效果，而親水性類鑽碳膜可達到疏油及/或親水效果，因此使得本發明之結構同時具有疏水與疏油及/或親水特性。而類鑽碳膜本身具有絕佳的硬度、抗刮性，因此覆有本發明之疏水及親水性類鑽碳膜之基材可具有高硬度、抗刮性、以及疏水與疏油特質。因此，本發明之具有疏水與疏油特性之結構可改良習知玻璃基材的強化結構容易附著油污、水氣等雜質；透光性及機械強度不足；以及所設置的抗蝕刻層容易剝離等問題。

[實施例2]

如圖2A所示，首先，提供一基材11，並以物理氣相沉積法(如陰極電弧法)於該基材11上形成一親水性類鑽碳膜13(5%至30%之原子百分比氧摻雜之類鑽碳膜)。然後，以光微影法形成一圖案化光阻層3於該基材11上，如圖2B所示，其中，該圖案化光阻層3包含有以陣列形式排列的複數孔洞31，而孔洞31大小約為400 nm-1000nm，孔洞31之間的距離約為100 nm-500nm。接著，如圖2C所示，以蝕刻法(以氧或氯電漿)，於親水性類鑽碳膜13中形成陣列形式排列的複數孔洞131。

接著，以化學氣相沉積法於親水性類鑽碳膜13的複數孔洞131內形成具有點狀陣列結構之疏水性類鑽碳膜12(5%至30%之原子百分比氟摻雜之類鑽碳膜)，如圖2D所示。最後，將圖案化光阻層3移除後，則得到本實施例的具有疏水與疏油特性之結構，如圖2E所示。

如圖2E所示，本實施例的具有疏水與疏油特性之結構其包括有：一基材11；一疏水性類鑽碳膜12，係具有點狀陣列結構，且係設置於該基材上；以及一親水性類鑽碳膜13，係設置於該基材上，且係配置於該疏水性類鑽碳膜之點狀陣列結構之間。本實施例中，親水性類鑽碳膜13係具有孔洞131(圓形、方形或多邊形)陣列，該疏水性類鑽碳膜12係配置於該孔洞131陣列中，且該孔洞131陣列之孔洞間距為100 nm-500nm。

本實施例中，疏水性類鑽碳膜以及親水性類鑽碳膜可互相交換。詳細地說，可使疏水性類鑽碳膜係具有孔洞，該親水性類鑽碳膜係配置於該孔洞中，但此方式所作成之結構的疏水與疏油效果較不佳。

[實施例3]

本實施例的具有疏水與疏油特性之結構的製作方法大致上與實施例2相同，但不同在於，本實施例於如圖2B形成圖案化光阻層3之後，形成於親水性類鑽碳膜13中的複數孔洞131需貫穿親水性類鑽碳膜13本身，如圖2C’所示。

而複數孔洞131形成之後，係如圖2D’-2E’所示，形成具有點狀陣列結構之疏水性類鑽碳膜12，接著將圖案化光阻層3移除後，則得到本實施例的具有疏水與疏油特性之結構，如圖2E’所示。

雖然，本實施例之製備步驟與實施例1之製備步驟不同，但本實施例所製得之具有疏水與疏油特性之結構係與實施例1之結構相同。

[實施例4]

如圖3所示，本實施例的具有疏水與疏油特性之結構的製作方法大致上與實施例2相同，但不同在於，本實施例於形成親水性類鑽碳膜13之前，需先於基材11表面形成一中間層14。中間層14可用於增加基材11與親水性類鑽碳膜13之間的附著性。中間層14的材質可選自由：碳化矽、氮化鋁、氮化硼、碳氫化合物、及其混合所組成之群組(較佳為碳化矽)，且中間層14的材質較佳可包括5%至40%之原子百分比的矽。

綜上所述，本發明提供了一種具有疏水與疏油特性之結構及其製備方法。本發明之具有疏水與疏油特性之結構包含有疏水性類鑽碳膜、以及親水性類鑽碳膜，此二種類鑽碳膜係以點狀陣列搭配孔洞方式互相交錯配置。其中疏水性類鑽碳膜可達到疏水效果，而親水性類鑽碳膜可達到疏油及/或親水效果，因此使得本發明之結構同時具有疏水與疏油及/或親水特性。而類鑽碳膜本身具有絕佳的硬度、抗刮性，因此覆有本發明之疏水及親水性類鑽碳膜之基材可具有高硬度、抗刮性、以及疏水與疏油特質。因此，本發明之具有疏水與疏油特性之結構可改良習知玻璃基材的強化結構容易附著油污、水氣等雜質；透光性及機械強度不足；以及所設置的抗蝕刻層容易剝離等問題。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構，其表面呈現平坦狀，而非凸出點狀或凹下孔洞狀。因此可使手指觸感佳，不會有粗糙感，且由於表面平整因此不易由基材上剝落。

本發明之具有疏水與疏油特性之結構可應用於觸控面板、液晶顯示裝置、或其他顯示螢幕、個人數位助理、提款機或便攜式電腦等電子產品，或是車體(如汽車、機車、自行車)外殼、把手等，可避免基材本身受到手指或觸控筆所產生的摩擦力或敲擊力作用，而產生刮痕及磨損，並同時可避免受到油污及水氣的附著，保持基材表面的平整性以及透光性。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

11．．．基材

12．．．疏水性類鑽碳膜

13．．．親水性類鑽碳膜

131．．．孔洞

14．．．中間層

3．．．光阻層

31．．．孔洞

5．．．遮罩

圖1A-1D係本發明實施例1之具有疏水與疏油特性之結構的製備流程圖。

圖2A-2E係本發明實施例2之具有疏水與疏油特性之結構的製備流程圖。

圖2C’-2E’係本發明實施例3之具有疏水與疏油特性之結構的製備流程圖。

圖3係本發明實施例4之具有疏水與疏油特性之結構示意圖。

11．．．基材

12．．．疏水性類鑽碳膜

13．．．親水性類鑽碳膜

Claims (28)

1. 　一種具有疏水與疏油特性之結構，其包括：一基材；一疏水性類鑽碳膜，係具有點狀陣列結構，且係設置於該基材上；以及一親水性類鑽碳膜，係設置於該基材上，且係位於該疏水性類鑽碳膜之點狀陣列結構之間。
2. 如申請專利範圍第1項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該基材係為玻璃類、陶瓷類、或高分子類。
3. 如申請專利範圍第1項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該疏水性類鑽碳膜係為氟摻雜之類鑽碳膜，且該疏水性類鑽碳膜係具有疏水特性。
4. 如申請專利範圍第1項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該親水性類鑽碳膜係為氧、氮、矽或氫摻雜之類鑽碳膜，且該親水性類鑽碳膜係具有疏油特性。
5. 如申請專利範圍第4或5項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該摻雜物之含量為5%至50%之原子百分比。
6. 如申請專利範圍第6項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該摻雜物之含量為5%至30%之原子百分比。
7. 如申請專利範圍第1項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該親水性類鑽碳膜係具有複數孔洞，該疏水性類鑽碳膜係位於該孔洞中，且該疏水性類鑽碳膜之點狀陣列結構中點與點之間的間距為100 nm-500nm。
8. 如申請專利範圍第1項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該疏水性類鑽碳膜或該親水性類鑽碳膜之厚度為1nm至500nm之間。
9. 如申請專利範圍第1項之具有疏水與疏油特性之結構，更包括一中間層，係配置於該基材與該疏水性類鑽碳膜或該親水性類鑽碳膜之間。
10. 如申請專利範圍第9項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該中間層之材質係選自由：碳化矽、氮化鋁、氮化硼、碳氫化合物、及其混合所組成之群組。
11. 如申請專利範圍第10項之具有疏水與疏油特性之結構，其中，該中間層係包括5%至40%之原子百分比的矽。
12. 一種具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，包括：(A)提供一基材；(B)形成一具有點狀陣列結構之疏水性類鑽碳膜於該基材上；以及(C)於該疏水性類鑽碳膜之點狀陣列結構之間形成一親水性類鑽碳膜。
13. 如申請專利範圍第12項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其步驟(B)中該疏水性類鑽碳膜係以物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成。
14. 如申請專利範圍第12項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其步驟(C)中該親水性類鑽碳膜係以物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成。
15. 如申請專利範圍第12項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該疏水性類鑽碳膜係為氟摻雜之類鑽碳膜，且該疏水性類鑽碳膜係具有疏水特性。
16. 如申請專利範圍第12項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該親水性類鑽碳膜係為氧、氮、矽、或氫摻雜之類鑽碳膜，且該親水性類鑽碳膜係具有疏油特性。
17. 如申請專利範圍第12項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該步驟(B)中，該點狀陣列結構中點與點之間的距離為100 nm-500nm。
18. 如申請專利範圍第12項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該步驟(B)中，該點狀陣列結構之每一點之大小為400 nm-1000nm。
19. 如申請專利範圍第12項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該疏水性類鑽碳膜或該親水性類鑽碳膜之厚度為1nm-500nm。
20. 一種具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，包括：(A)提供一基材；(B)形成一親水性類鑽碳膜於該基材上；(C)於該親水性類鑽碳膜之表面形成具有複數孔洞；以及(D)形成一疏水性類鑽碳膜於該親水性類鑽碳膜之複數孔洞中，且該疏水性類鑽碳膜係具有點狀陣列結構。
21. 如申請專利範圍第20項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其步驟(B)中該親水性類鑽碳膜係以物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成於該基材上；且該步驟(C)中係以一光罩於該親水性類鑽碳膜之表面形成複數孔洞。
22. 如申請專利範圍第20項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該疏水性類鑽碳膜係為氟摻雜之類鑽碳膜，且該疏水性類鑽碳膜係具有疏水特性。
23. 如申請專利範圍第20項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其步驟(D)中該親水性類鑽碳膜係以物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成於該疏水性類鑽碳膜之孔洞。
24. 如申請專利範圍第20項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該親水性類鑽碳膜係為氧、氮、矽或氫摻雜之類鑽碳膜，且該親水性類鑽碳膜係具有疏油特性。
25. 如申請專利範圍第20項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該步驟(C)中，該複數孔洞之間的間距為100 nm-500nm。
26. 如申請專利範圍第20項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該步驟(C)中，該孔洞之大小為400 nm-1000nm。
27. 如申請專利範圍第20項之具有疏水與疏油特性之結構之製備方法，其中該疏水性類鑽碳膜或該親水性類鑽碳膜之厚度為1nm至500nm之間。
28. 一種電子產品，係包括有如申請專利範圍第1項之具有疏水與疏油特性之結構。