CN107475667A - 一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法 - Google Patents

一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107475667A
CN107475667A CN201710703678.XA CN201710703678A CN107475667A CN 107475667 A CN107475667 A CN 107475667A CN 201710703678 A CN201710703678 A CN 201710703678A CN 107475667 A CN107475667 A CN 107475667A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dlc
dlc film
magnetron sputtering
film
hydrophobic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710703678.XA
Other languages
English (en)
Inventor
陈立
吴德生
朱得菊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Truly Opto Electronics Ltd
Original Assignee
Truly Opto Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Truly Opto Electronics Ltd filed Critical Truly Opto Electronics Ltd
Priority to CN201710703678.XA priority Critical patent/CN107475667A/zh
Publication of CN107475667A publication Critical patent/CN107475667A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0605—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供了一种高疏水类金刚石薄膜，包括：掺杂F的DLC薄膜层。与现有技术相比，本发明提供的高疏水类金刚石薄膜膜层较薄，只有10nm左右，同时含有F元素掺杂，F的掺杂，在DLC薄膜表面形成低表面能的‑CF和‑CF2基团，降低DLC的表面能，可提高表面疏水性，能够提高DLC的疏水性；使这种薄膜具有较好的水滴角，具有高疏水性和防指纹效果。本发明还提供了一种高疏水类金刚石薄膜的制备方法。

Description

一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及类金刚石薄膜技术领域，尤其涉及一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法。
背景技术
类金刚石碳基(Diamond-like carbon，DLC)薄膜主要是由金刚石结构的SP3杂化碳原子和石墨结构的SP2杂化碳原子相互混杂的三维网络构成，是一种亚稳态长程无序的非晶材料，具有一系列优异的性能，如高硬度、高耐磨性、高热导率、高电阻率、良好的光学透明性，可广泛用于电子、光学、机械、热学、声学、医学领域。
非晶碳基薄膜一般分为含氢碳膜(a-CH)和不含氢碳膜(a-C)两类。含氢碳膜由于膜层中含有大量的C-H键，具有优异的光学性能，其透明度和透射率高，而反折射率低，在光学产品，如手机、穿戴设备、车载及工业产品盖板中大量应用。
DLC薄膜作为电子产品的盖板使用，其表面性能直接影响使用过程中的舒适度，如疏水防指纹，常规含氢DLC的表面水滴接触角只有70°左右，且表面粗糙，动摩擦系数较高，容易粘指纹。因此，目前市场上急需一种高疏水性的DLC膜，以提高DLC膜的防指纹效果。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法，本发明提供的类金刚石薄膜具有较好的疏水性。
本发明提供了一种高疏水类金刚石薄膜，包括：
掺杂F的DLC薄膜层。
优选的，还包括SiO2过渡层和含氢DLC过渡层；
所述SiO2过渡层表面设置有含氢DLC过渡层；
所述含氢DLC过渡层表面设置有掺杂F的DLC薄膜层。
优选的，所述SiO2过渡层的厚度为5～8nm；
所述含氢DLC过渡层的厚度为3～6nm；
所述掺杂F的DLC薄膜层的厚度为2～5nm。
本发明提供了一种上述技术方案所述的高疏水类金刚石薄膜的制备方法，包括：
在基体表面，通过磁控溅射镀膜，制备得到掺杂F的DLC薄膜层，形成高疏水类金刚石薄膜。
优选的，所述磁控溅射镀膜采用的靶材为石墨靶。
优选的，所述磁控溅射镀膜采用的气体包括氩气、氢气和四氟化碳。
优选的，所述磁控溅射镀膜的真空度为3～6×10-6mTorr。
优选的，所述磁控溅射镀膜过程中石墨靶的功率为1～6KW。
优选的，所述磁控溅射镀膜过程中，氩气的流量为A，0＜A≤50sccm；
氢气的流量为B，0＜B≤10sccm；
四氟化碳的流量为45～50sccm。
优选的，所述磁控溅射镀膜气压为3.0～5.0mTorr；
磁控溅射镀膜电压为550～720V；
磁控溅射镀膜时间为15～30秒。
与现有技术相比，本发明提供的高疏水类金刚石薄膜含有F元素掺杂，F的掺杂，在DLC薄膜表面形成低表面能的-CF和-CF2基团，降低DLC的表面能，可提高表面疏水性，通过F掺杂，能够提高DLC的疏水性；使这种薄膜具有较好的水滴角，具有高疏水性和防指纹效果。
实验结果表明，本发明提供的高疏水类金刚石薄膜的水滴角在100～108°范围内，可以稳定存在，不衰减。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的高疏水类金刚石薄膜的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种高疏水类金刚石薄膜，包括：
掺杂F的DLC薄膜层。
在本发明中，所述掺杂F的DLC薄膜层的厚度优选为2～5nm，更优选为3～4nm。
在本发明中，所述高疏水类金刚石薄膜优选还包括SiO2过渡层，所述SiO2过渡层的厚度优选为5～8nm，更优选为6～7nm。
在本发明中，所述高疏水类金刚石薄膜优选还包括含氢DLC过渡层，所述含氢DLC过渡层的厚度优选为3～6nm，更优选为4～5nm。
在本发明的实施例中，所述高疏水类金刚石薄膜优选包括：
SiO2过渡层；
设置在SiO2过渡层表面的含氢DLC过渡层；
设置在含氢DLC过渡层表面的掺杂F的DLC薄膜层。
本发明提供的高疏水类金刚石薄膜可以在多种不同材质的基体上制备，如金属基体、玻璃基体、陶瓷基体等。本发明实施例提供的高疏水类金刚石薄膜的结构如图1所示，包括：
基体；
设置在基体表面的SiO2过渡层；
设置在SiO2过渡层表面的含氢DLC过渡层；
设置在含氢DLC过渡层表面的疏水F-DLC层(掺杂F的DLC薄膜层)。
氟化物本身就是一种低表面能物质，材料表面大量的F元素的存在，可使材料表面能降低，远远小于水的表面能，使水滴接触角增大，表现为疏水性。含氢DLC表面成分为C-C键和C-H键，C-C键提高表面能，使材料表面呈现亲水性，而C-H键降低表面能，可提高表面的疏水性，由于H含量较低，总体的表面能较大，表现为亲水性。
F的掺杂，在DLC薄膜表面形成低表面能的-CF和-CF2基团，降低DLC的表面能，可提高表面疏水性。因此，通过制备F掺杂的DLC，能够提高DLC的疏水性。
本发明提供了一种上述技术方案所述高疏水类金刚石薄膜的制备方法，包括：
制备掺杂F的DLC薄膜层。
在本发明中，所述高疏水类金刚石薄膜的制备方法优选还包括：
制备SiO2过渡层。
在本发明中，所述高疏水类金刚石薄膜的制备方法优选还包括：
制备含氢DLC过渡层。
在本发明中，所述高疏水类金刚石薄膜的制备方法优选具体为：
在基体表面制备SiO2过渡层；
在SiO2过渡层表面制备含氢DLC过渡层；
在含氢DLC过渡层表面制备掺杂F的DLC薄膜层。
在本发明中，所述基体、SiO2过渡层、含氢DLC过渡层和掺杂F的DLC薄膜层与上述技术方案所述基体、SiO2过渡层、含氢DLC过渡层和掺杂F的DLC薄膜层一致，在此不再赘述。
在本发明中，在基体表面制备SiO2过渡层之前优选将基体表面进行去尘、去油清洁。
在本发明中，所述SiO2过渡层的制备方法优选为：
以Si为靶材，以氩气和氧气为反应气体进行磁控溅射，制备得到SiO2过渡层。
在本发明中，所述SiO2过渡层的制备方法优选具体为：
将基体放入磁控溅射设备腔室，在真空条件下通入氩气和氧气以Si为靶材进行磁控溅射镀膜，得到SiO2过渡层。
在本发明中，所述真空条件的真空度优选为3～6×10-6mTorr，更优选为4～5×10-6mTorr。在本发明中，所述氩气的流量优选为35～45sccm，更优选为40sccm；所述氧气的流量优选为2～15sccm，更优选为5～10sccm。在本发明中，所述镀膜气压优选为3～4.5mTorr，更优选为3.5～4mTorr；所述镀膜电压优选为350～450V，更优选为425V；所述镀膜时间优选为15～30秒，更优选为20～25秒。在本发明中，所述镀膜过程中Si靶功率优选为800～1200W，更优选为1000W。
在本发明中，所述含氢DLC过渡层的制备方法优选为：
以纯碳为靶材，以氩气和氢气为反应气体磁控溅射制备得到含氢DLC过渡层。
在本发明中，所述含氢DLC过渡层的制备方法具体优选为：
将上述SiO2过渡层放入磁控溅射设备腔体，在真空条件下，通入氩气和氢气以纯碳为靶材进行磁控溅射镀膜，制备得到含氢DLC过渡层。
在本发明中，所述真空条件的真空度优选为3～6×10-6mTorr，更优选为4～5×10-6mTorr；氩气的流量优选为25～35sccm，更优选为30sccm；氢气的流量优选为10～15sccm，更优选为12～13sccm。在本发明中，所述镀膜气压优选为3～4.5mTorr，更优选为3.5～4mTorr；所述镀膜电压优选为600～720V，更优选为620～700V，最优选为650～660V；所述镀膜时间优选为15～30秒，更优选为20～25秒。在本发明中，所述磁控溅射镀膜过程中碳靶的功率优选为5～8KW，更优选为6～7KW。
在本发明中，所述掺杂F的DLC薄膜层的制备方法优选为：
以石墨靶为溅射靶材，通入氩气、氢气和四氟化碳磁控溅射制备得到掺杂F的DLC薄膜层。
在本发明中，所述掺杂F的DLC薄膜层的制备方法优选具体为：
将上述含氢DLC过渡层放入磁控溅射设备腔室，以石墨靶为靶材，在真空条件下，通入氩气、氢气和四氟化碳磁控溅射镀膜，得到掺杂F的DLC薄膜层，形成高疏水类金刚石薄膜。
在本发明中，所述真空条件的真空度优选为3～6×10-6mTorr，更优选为4～5×10-6mTorr。在本发明中，所述氩气的流量优选为A，0＜A≤50sccm，更优选为10～40sccm，最优选为20～30sccm；所述氢气的流量优选为B，0＜B≤10sccm，更优选为1～8sccm，最优选为2～6sccm；所述四氟化碳的流量优选为45～50sccm，更优选为46～48sccm。在本发明中，所述氩气流量、氢气流量和四氟化碳流量的比例优选为(40～50):(2～5):(45～50)，更优选为(42～48):(3～4):(46～49)，最优选为(44～46):3.5:(47～48)；或所述氩气流量、氢气流量和四氟化碳流量的比例优选为(0～5):(0～5):(45～50)，更优选为(1～4):(1～4):(46～49)，最优选为(2～3):(2～3):(47～48)。本发明在上述氩气、氢气和四氟化碳流量的比例下制备得到的高疏水类金刚石薄膜的水滴角以及耐磨性等性能较好。
在本发明中，所述镀膜气压优选为3.0～5.0mTorr，更优选为3.5～4.5mTorr，最优选为4mTorr；所述镀膜电压优选为550～720V，更优选为580～700V；所述镀膜时间优选为15～30秒，更优选为20～25秒。在本发明中，所述磁控溅射镀膜过程中，石墨靶的功率优选为1～6KW，更优选为2～5KW。
本发明通过磁控溅射法，以石墨靶为溅射靶材，以氩气、氢气和四氟化碳为反应气体，制备得到一种具有高疏水性，防指纹的F掺杂的DLC薄膜。本发明提供的方法采用磁控溅射沉积设备，联合PVD和CVD沉积技术，以石墨靶为溅射靶材，以氩气、氢气和四氟化碳为反应气体，在电场和磁场的交互作用下，通过控制氩气、氢气和四氟化碳的含量比例，制备过程中腔体气压、靶材电压等各种工艺参数，在基材表面制备高疏水性、防指纹的F掺杂DLC薄膜。
化学沉积法制备含F的DLC薄膜，采用热源将气体分子电离成等离子，然后粒子在高温基体表面进行反应结合形成膜层，此方法所需能量高，且镀膜速率低，同时基体需要高温加热，对于有温度限制的器件不适用，特别是电子器件。而且高温镀膜容易引起膜层的热应力，膜层缺陷增多，质量降低。
本发明采用磁控溅射法制备掺杂F的DLC薄膜，在电场和磁场的共同作用下，延长等离子的运动轨迹，提高气体的离化率，在较低气体压力下也可维持放电，溅射过程中的气体压力低，靶材溅射效率高、成膜速率高。同时电场和磁场的共同将等离子引到基体表面，等离子体以一定的能量轰击基体，起到离子束辅助沉积的作用，大大的改善了膜层的致密性。此外磁控溅射法为常温镀膜，基体无需加热，适用范围广，特别适合于电子产品镀膜；同时常温镀膜，也降低了膜层的热应力，镀膜质量更高。因此，本发明采用磁控溅射法制备含F的DLC薄膜，具有膜层均匀致密、内应力小，且对基体无损伤的优点。
本发明采用电子水滴接触角测试仪测试制备得到的高疏水类金刚石薄膜的水滴角，将2微升的纯净水滴在待测样品表面，测试仪通过高清镜头进行水滴成像，并自动测试水滴接触角大小。
对本发明制备得到的高疏水类金刚石薄膜的耐磨性进行测试，利用钢珠摩擦待测类金刚石薄膜，钢珠直径为3.18mm，以点接触形式接触膜层表面，载荷为7.5N，以循环往复方式进行摩擦，往复一个运动周期计数1次，统计膜层不受损的可摩擦次数表征耐磨性。
本发明以下实施例所用到的原料均为市售商品。
实施例1
将玻璃基体放入磁控溅射设备腔室，以硅为靶材进行磁控溅射镀膜，先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为40sccm，O2气流量为6sccm；磁控溅射镀膜过程中镀膜气压4mTorr，Si靶功率1000W，镀膜电压400V，镀膜时间20s，在玻璃基体表面形成厚度为7nm的SiO2过渡层。
将上述制备的SiO2过渡层放入磁控溅射设备腔室，以纯碳为靶材进行磁控溅射镀膜，首先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为30sccm，H2气流量为12sccm，磁控溅射镀膜过程中，C靶功率6KW，镀膜气压4mTorr，镀膜电压660V，镀膜时间20s，在SiO2过渡层表面形成厚度为4nm的含氢DLC过渡层。
将上述制备得到的含氢DLC过渡层放入磁控溅射设备腔室，以上述石墨靶为溅射靶材进行磁控溅射镀膜。首先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为45sccm，H2气流量为3sccm，CF4气流量为48sccm，磁控溅射镀膜过程中石墨靶功率5.5KW，镀膜气压6.8mTorr，镀膜电压720V，镀膜时间20s，在含氢DLC过渡膜表面形成厚度为2.5nm的掺杂F的DLC薄膜层，得到高疏水类金刚石薄膜。
按照上述技术方案所述的方法，对本发明实施例1制备得到的高疏水类金刚石薄膜性能进行检测，检测结果为，本发明实施例1制备得到的高疏水类金刚石薄膜水滴角100°～105°，耐摩擦64次。
实施例2
将陶瓷基体放入磁控溅射设备腔室，以硅为靶材进行磁控溅射镀膜，先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为40sccm，O2气流量为6sccm；磁控溅射镀膜过程中镀膜气压4mTorr，Si靶功率1000W，镀膜电压400V，镀膜时间20s，在陶瓷基体表面形成厚度为7nm的SiO2过渡层。
将上述制备的SiO2过渡层放入磁控溅射设备腔室，以纯碳为靶材进行磁控溅射镀膜，首先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为30sccm，H2气流量为12sccm，磁控溅射镀膜过程中，C靶功率6KW，镀膜气压4mTorr，镀膜电压660V，镀膜时间20s，在SiO2过渡层表面形成厚度为4nm的含氢DLC过渡层。
将上述制备得到的含氢DLC过渡层放入磁控溅射设备腔室，以上述石墨靶为溅射靶材进行磁控溅射镀膜。首先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为2sccm，H2气流量为3sccm，CF4气流量为46sccm，磁控溅射镀膜过程中石墨靶功率1.2KW，镀膜气压3.4mTorr，镀膜电压510V，镀膜时间20s，得到，在含氢DLC过渡膜表面形成厚度为2nm的掺杂F的DLC薄膜层，得到高疏水类金刚石薄膜。
按照上述技术方案所述的方法，对本发明实施例2制备得到的高疏水类金刚石薄膜性能进行检测，检测结果为，本发明实施例2制备得到的高疏水类金刚石薄膜水滴角101°～108°，耐摩擦52次。
实施例3
按照实施例1的方法制备得到高疏水类金刚石薄膜，与实施例1不同的是不制备含氢DLC过渡层，所述高疏水类金刚石薄膜包括：玻璃基体，设置在玻璃基体表面厚度为7nm的SiO2过渡层，设置在SiO2过渡层表面厚度为2.5nm的掺杂F的DLC薄膜层。
按照上述技术方案所述的方法，对本发明实施例3制备得到的高疏水类金刚石薄膜性能进行检测，检测结果为，本发明实施例3制备得到的高疏水类金刚石薄膜水滴角95°～102°，耐摩擦15次。
比较例1
按照实施例1的方法制备得到类金刚石薄膜，与实施例1不同的是不制备掺杂F的DLC薄膜层，所述类金刚石薄膜包括：玻璃基体，设置在玻璃基体表面厚度为7nm的SiO2过渡层，设置在SiO2过渡层表面厚度为4nm的含氢DLC过渡层。
按照上述技术方案所述的方法，对本发明比较例1制备得到的类金刚石薄膜性能进行检测，检测结果为，本发明比较例1制备得到的类金刚石薄膜水滴角65°～74°，耐摩擦40次。
由以上实施例和比较例可知，本发明采用F掺杂制备得到的类金刚石薄膜具有良好的疏水性，而且含氢DLC过渡层的设置能够提高掺杂F的DLC薄膜层和基体的结合力，不易脱落，含氢DLC过渡层的设置提高了掺杂F的DLC薄膜层的附着力同时进一步提高了类金刚石薄膜的耐磨擦性。
由以上实施例可知，本发明提供了一种高疏水类金刚石薄膜，包括：掺杂F的DLC薄膜层。与现有技术相比，本发明提供的高疏水类金刚石薄膜膜层非常薄，只有10nm左右，同时含有F的元素掺杂，F的掺杂，在DLC薄膜表面形成低表面能的-CF和-CF2基团，降低DLC的表面能，可提高表面疏水性，通过F的掺杂，能够提高DLC的疏水性；使这种薄膜具有较好的水滴角，具有高疏水性和防指纹效果。

Claims (10)

1.一种高疏水类金刚石薄膜，包括：
掺杂F的DLC薄膜层。
2.根据权利要求1所述的高疏水掺杂类金刚石薄膜，其特征在于，还包括SiO2过渡层和含氢DLC过渡层；
所述SiO2过渡层表面设置有含氢DLC过渡层；
所述含氢DLC过渡层表面设置有掺杂F的DLC薄膜层。
3.根据权利要求2所述的高疏水多元掺杂类金刚石薄膜，其特征在于，所述SiO2过渡层的厚度为5～8nm；
所述含氢DLC过渡层的厚度为3～6nm；
所述掺杂F的DLC薄膜层的厚度为2～5nm。
4.一种权利要求1所述的高疏水类金刚石薄膜的制备方法，包括：
在基体表面，通过磁控溅射镀膜，制备得到掺杂F的DLC薄膜层，形成高疏水类金刚石薄膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜采用的靶材为石墨靶。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜采用的气体包括氩气、氢气和四氟化碳。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜的真空度为3～6×10- 6mTorr。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜过程中石墨靶的功率为1～6KW。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜过程中，氩气的流量为A，0＜A≤50sccm；
氢气的流量为B，0＜B≤10sccm；
四氟化碳的流量为45～50sccm。
10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜气压为3.0～5.0mTorr；
磁控溅射镀膜电压为550～720V；
磁控溅射镀膜时间为15～30秒。
CN201710703678.XA 2017-08-16 2017-08-16 一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法 Pending CN107475667A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710703678.XA CN107475667A (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710703678.XA CN107475667A (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107475667A true CN107475667A (zh) 2017-12-15

Family

ID=60599783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710703678.XA Pending CN107475667A (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107475667A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108149193A (zh) * 2017-12-26 2018-06-12 信利光电股份有限公司 一种类金刚石碳基薄膜及其制备方法
CN109455947A (zh) * 2019-01-09 2019-03-12 福建工程学院 一种自洁、防雾、隔热镀膜玻璃及其制备方法
CN111334777A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 深圳先进技术研究院 具有多级次微纳结构的金刚石薄膜及其制备方法和应用
CN112030145A (zh) * 2020-11-05 2020-12-04 苏州香榭轩表面工程技术咨询有限公司 一种金刚石表面改性的方法及应用
CN112941475A (zh) * 2021-01-26 2021-06-11 苏州涂冠镀膜科技有限公司 用于水处理过程的去除浮油的dlc薄膜及制备方法
CN113443838A (zh) * 2021-07-05 2021-09-28 广州市智芯禾科技有限责任公司 一种医用dlc薄膜玻璃及其制备方法
CN114874025A (zh) * 2022-03-28 2022-08-09 广州德百顺蓝钻科技有限公司 一种金刚石滤水环及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098306A (ja) * 2001-09-19 2003-04-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 反射防止フィルム
EP1854909A2 (en) * 2006-05-12 2007-11-14 Denso Corporation Coating structure and method for forming the same
CN102529214A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 宋健民 类钻碳保护装置及其相关方法
CN102953031A (zh) * 2011-08-24 2013-03-06 铼钻科技股份有限公司 具有疏水与疏油特性的结构及其制备方法
CN104870692A (zh) * 2012-12-21 2015-08-26 埃克森美孚研究工程公司 具有改进的磨耗和磨损性能的低摩擦涂层及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098306A (ja) * 2001-09-19 2003-04-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 反射防止フィルム
EP1854909A2 (en) * 2006-05-12 2007-11-14 Denso Corporation Coating structure and method for forming the same
CN102529214A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 宋健民 类钻碳保护装置及其相关方法
CN102953031A (zh) * 2011-08-24 2013-03-06 铼钻科技股份有限公司 具有疏水与疏油特性的结构及其制备方法
CN104870692A (zh) * 2012-12-21 2015-08-26 埃克森美孚研究工程公司 具有改进的磨耗和磨损性能的低摩擦涂层及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周书助: "《硬质材料与工具》", 31 August 2015, 冶金工业出版社 *
朱丽等: "不同射频输入功率下制备的氟化类金刚石碳膜疏水性研究", 《物理学报》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108149193A (zh) * 2017-12-26 2018-06-12 信利光电股份有限公司 一种类金刚石碳基薄膜及其制备方法
CN111334777A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 深圳先进技术研究院 具有多级次微纳结构的金刚石薄膜及其制备方法和应用
CN111334777B (zh) * 2018-12-18 2022-04-26 深圳先进技术研究院 具有多级次微纳结构的金刚石薄膜及其制备方法和应用
CN109455947A (zh) * 2019-01-09 2019-03-12 福建工程学院 一种自洁、防雾、隔热镀膜玻璃及其制备方法
CN112030145A (zh) * 2020-11-05 2020-12-04 苏州香榭轩表面工程技术咨询有限公司 一种金刚石表面改性的方法及应用
CN112941475A (zh) * 2021-01-26 2021-06-11 苏州涂冠镀膜科技有限公司 用于水处理过程的去除浮油的dlc薄膜及制备方法
CN113443838A (zh) * 2021-07-05 2021-09-28 广州市智芯禾科技有限责任公司 一种医用dlc薄膜玻璃及其制备方法
CN114874025A (zh) * 2022-03-28 2022-08-09 广州德百顺蓝钻科技有限公司 一种金刚石滤水环及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107475667A (zh) 一种高疏水类金刚石薄膜及其制备方法
Lai et al. Transparent superhydrophobic/superhydrophilic TiO 2-based coatings for self-cleaning and anti-fogging
Yan et al. Characterization of hydrogenated diamond-like carbon films electrochemically deposited on a silicon substrate
US10145001B2 (en) Method and apparatus for forming coating layer with nano multi-layer
EP2568059B1 (en) Member formed from conductive sliding film
US10908321B2 (en) Glass laminate, front plate for display, and display device
Song et al. Superhydrophobic surfaces produced by applying a self-assembled monolayer to silicon micro/nano-textured surfaces
CN110616399B (zh) 覆盖工具及其制造方法
CN1969058A (zh) 碳膜
KR101529528B1 (ko) 저반사성 초소수 또는 초발수 유리 및 그 제조방법
JP2003534223A (ja) 支持体のｄｌｃ含有親水性被覆
CN107502860A (zh) 一种高疏水多元掺杂类金刚石薄膜及其制备方法
CN1827845A (zh) 一种类金刚石碳膜制造方法和用其制造的带包覆膜的部件
US20090324892A1 (en) Laminate and Method for Depositing Carbon Film
CN108754450A (zh) 一种低应力类金刚石多层薄膜及其制备方法
Gerhard et al. Atmospheric pressure plasma treatment of fused silica, related surface and near-surface effects and applications
CN111321380B (zh) 超疏水类金刚石复合层结构及其制备方法
Castillo et al. Chemical and morphological difference between TiN/DLC and aC: H/DLC grown by pulsed vacuum arc techniques
JP2014065303A (ja) 透明導電膜付き基板，透明導電膜付き基板を用いた表示素子及び透明導電膜付き基板を用いた太陽電池
Ji et al. Hydrophobic fluorinated carbon coatings on silicate glaze and aluminum
CN107746186A (zh) 一种高硬度耐磨玻璃盖板及其制备方法
Ishizaki et al. Fabrication and characterization of ultra-water-repellent alumina–silica composite films
CN107587121B (zh) 类金刚石薄膜和镜片的制备方法
Koshel et al. Characterization of CFx films plasma chemically deposited from C3F8/C2H2 precursors
CN101673076A (zh) 显影辊、电子照相处理盒和电子照相图像形成设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171215

RJ01 Rejection of invention patent application after publication