TW201304189A - 發光元件及其製作方法 - Google Patents

Abstract

一種發光元件，包括一基板、發光結構區域、靜電放電保護結構區域、一溝槽、一導電層、一第一電極及一第二電極。發光結構區域與靜電放電保護結構區域形成於基板上。發光結構區域包括第一半導體層、發光層、第二半導體層。靜電放電保護結構區域包括第三半導體層、主動層及第四半導體層。溝槽形成於發光結構區域與靜電放電保護區域之間。導電層配置於溝槽上。第一電極形成於靜電放電保護結構區域上，並覆蓋至少部分靜電放電保護結構區域。第二電極形成於發光結構區域上，且不延伸至靜電放電保護結構區域上。一種發光元件的製作方法亦被提出。

Description

發光元件及其製作方法

本發明是有關於一種發光元件及其製作方法，且特別是有關於一種半導體發光元件及其製作方法。

隨著光電技術的進步，發光二極體(light-emitting diode,LED)的製作與應用已逐漸趨於成熟。由於發光二極體具有低污染、低功率消耗、反應時間(response time)短、使用壽命長等優點，因此其已逐漸被應用在各式光源或照明的領域，而取代螢光燈管、白熾燈泡或滷素燈等傳統發光元件。由於世界各國的環保意識逐漸高漲，在未來，發光二極體更可望成為主要照明光源，而取代目前螢光燈管的地位。

為了避免發光二極體受到靜電放電(electrostatic discharge)的損害，有的習知技術會在組裝光源裝置時將發光二極體與齊納二極體(Zener diode,ZD)連接，亦即採用齊納二極體來作為靜電放電保護元件。然而，由於在組裝光源裝置時才將發光二極體與齊納二極體連接，因此發光二極體在包裝、運送、固晶與打線的過程中皆沒有受到靜電放電保護元件的保護。如此一來，容易使發光二極體受到靜電放電損害的機率上升。

因此，另一種習知技術則是將發光二極體與靜電放電保護元件作在同一片晶片上，此習知技術雖可降低發光二極體受到靜電放電損害的機率，卻因為靜電放電保護元件佔據了晶片的基板上的一部分面積，而導致發光二極體所佔據的面積下降。如此一來，發光二極體的發光面積亦會下降，進而使發光二極體的效能降低。

本發明提供一種發光元件，此發光元件具有較佳的發光效能，且較不易受到靜電放電的損害。

本發明提供一種發光元件的製作方法，可有效提升發光元件的發光效能，且同時保護發光元件不受到靜電放電的損害。

本發明之一實施例提出一種發光元件，包括一基板、一發光結構區域、一靜電放電保護結構區域、一溝槽、一導電層、一第一電極及一第二電極。發光結構區域形成於基板上，且包含一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。靜電放電保護結構區域形成於基板上，且包含一第三半導體層、一主動層(active layer)及一第四半導體層。溝槽形成於發光結構區域與靜電放電保護結構區域之間。導電層配置於溝槽上，且連接發光結構區域與靜電放電保護結構區域。第一電極形成於靜電放電保護結構區域上，並覆蓋至少部分靜電放電保護結構區域。第二電極形成於發光結構區域上，且第二電極不延伸至靜電放電保護結構區域上。

本發明之另一實施例提出一種發光元件，包括一基板、一發光結構區域、一靜電放電保護結構區域一溝槽、一導電層及一第一電極。發光結構區域形成於基板上，且包含一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。靜電放電保護結構區域形成於基板上，且包含一第三半導體層、一主動層及一第四半導體層。溝槽形成於發光結構區域與靜電放電保護區域之間。導電層配置於溝槽上，且連接發光結構區域與靜電放電保護結構區域。第一電極形成於靜電放電保護結構區域上，且覆蓋部分導電層。

本發明之又一實施例提出一種發光元件的製作方法，包括下列步驟。提供一基板。在基板上依序形成一第一半導體層、一主動層及一第二半導體層。將第一半導體層、主動層及第二半導體層所構成的一半導體堆疊結構分割成彼此分離的至少一發光結構區域及至少一靜電放電保護結構區域。其中發光結構區域面積大於該靜電放電保護結構區域面積。蝕刻部分發光結構區域及部分靜電放電保護結構區域，以使靜電放電保護結構區域的第一半導體層形成相連接之一第一平台部及一第一下陷部，且使發光結構區域的第一半導體層形成相連接之一第二平台部及一第二下陷部，其中第一平台部的厚度大於第一下陷部的厚度，且第二平台部的厚度大於第二下陷部的厚度。形成一第一絕緣層，其中第一絕緣層覆蓋發光結構區域的部分第二半導體層及部分第二下陷部。在第一絕緣層上形成一導電層，且使導電層電性連接發光結構區域的第二半導體層與靜電放電保護結構區域的第一半導體層，其中第一絕緣層分隔發光結構區域的第一半導體層與導電層，且分隔發光結構區域的主動層與導電層。形成一第二絕緣層，其中第二絕緣層覆蓋靜電放電保護結構區域的部分第二半導體層及至少部分第一下陷部。在第二絕緣層上形成一第一電極，並使第一電極電性連接發光結構區域的第一半導體層與靜電放電保護結構區域的第二半導體層，其中第二絕緣層分隔導電層與第一電極，分隔靜電放電保護結構區域的第一半導體層與第一電極，且分隔靜電放電保護結構區域的主動層與第一電極。第一電極覆蓋靜電放電保護結構區域的至少部分第二半導體層及至少部分第一下陷部。

在本發明之實施例之發光元件中，由於連接靜電放電保護結構區域與發光結構區域之導電層有部分位於第一電極下方，因此發光層的面積較不會因為採用了靜電放電保護結構區域而縮減，所以本發明之實施例之發光元件在具有靜電放電保護的功能的同時，亦具有較佳的發光效能。另外，在本發明之實施例之發光元件中，由於第二電極不延伸至靜電放電保護結構區域上，因此可有效減少第二電極因遮避發光層所產生的遮光面積，進而提升發光元件的發光效能。再者，在本發明之實施例之發光元件的製作方法中，由於靜電放電保護結構區域的至少部分第二半導體層及至少部分第一下陷部位於第一電極下方，因此發光層的面積較不會因為採用了靜電放電保護結構區域而縮減，所以本發明之實施例之發光元件的製作方法在提升發光元件的靜電放電保護效果的同時，亦能使發光元件具有較佳的發光效能。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖7A為製作本發明之一實施例之發光元件的流程之上視示意圖，圖1B至圖7B分別為圖1A至圖7A之結構沿著I-I線的剖面示意圖，而圖1C至圖7C分別為圖1A至圖7A之結構沿著II-II線的剖面示意圖。請依序參照圖1A至圖7C，本實施例之發光元件的製作方法包括下列步驟。首先，如圖1A至圖1C所繪示，提供一基板110。在本實施例中，基板110例如為一藍寶石(sapphire)基板。然而，在其他實施例中，基板110亦可以是碳化矽基板、氮化鎵基板或其他適當的基板。接著，在基板110上依序形成一摻雜半導體層52、一主動層54及一摻雜半導體層56，其中摻雜半導體層52與摻雜半導體層56的摻雜態不相同。舉例而言，在本實施例中，摻雜半導體層52為N型(n-type)半導體層52，例如為N型氮化鎵層，且摻雜半導體層56為P型(p-type)半導體層56，例如為P型氮化鎵層。然而，在其他實施例中，亦可以是摻雜半導體層52為P型半導體層，而摻雜半導體層56為N型半導體層。此外，主動層54例如為量子井(quantum well)層或多重量子井層。舉例而言，主動層54可包括交替堆疊之氮化銦鎵(InGaN)層與氮化鎵(GaN)層。在本實施例中，在形成摻雜半導體層52之前，可先形成一緩衝層(未繪示)，然後再將摻雜半導體層52形成於緩衝層上，如此可提升摻雜半導體層52的磊晶品質。

然後，如圖2A至圖2C所繪示，將摻雜半導體層52、主動層54及摻雜半導體層56所構成的一半導體堆疊結構分割成彼此分離的至少一發光結構區域200及至少一靜電放電保護結構區域300。舉例而言，可對上述半導體堆疊結構蝕刻出複數道溝槽G，以將半導體堆疊結構分割出彼此分離的多組發光結構區域與靜電放電保護結構區域300，而在圖式中是以一個發光結構區域200及其所對應的一個靜電放電保護結構區域300為例來作說明。此外，上述蝕刻例如是採用微影蝕刻製程(photolithography and etching process)來完成。

為了便於說明，以下將分割而成的發光結構區域200的摻雜半導體層52、主動層54及摻雜半導體層56分別稱為第一半導體層210、發光層220及第二半導體層230，且將分割而成的靜電放電保護結構區域300的摻雜半導體層52、主動層54及摻雜半導體層56分別稱為第三半導體層310、主動層320及第四半導體層330。然而，在其他實施例中，亦可以在基板110上各自形成彼此分離的發光結構區域200與靜電放電保護結構區域300，且發光結構區域200的第一半導體層210、發光層220及第二半導體層230的材質分別不同於靜電放電保護結構區域300的第三半導體層310、主動層320及第四半導體層330的材質。

接著，如圖3A至圖3C所繪示，蝕刻部分發光結構區域200及部分靜電放電保護結構區域300，以使第三半導體層310形成相連接之一第一平台部312及一第一下陷部314，且使第一半導體層210形成相連接之一第二平台部212及一第二下陷部214，其中第一平台部312的厚度T1大於第一下陷部314的厚度T2，且第二平台部212的厚度T3大於第二下陷部214的厚度T4。此外，在本實施例中，發光層220與第二半導體層230配置於第二平台部212上，並裸露出第二下陷部214。此外，主動層320與第四半導體層330配置於第一平台部312上，並裸露出第一下陷部314。圖3A至圖3C所繪示之蝕刻例如是採用微影蝕刻製程(photolithography and etching process)來完成。

在本實施例中，可在第二半導體層230上形成一第一透明導電層260，且在第四半導體層330上形成一第二透明導電層340，其中第一透明導電層260與第二透明導電層340的材質例如為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)，然而，在其他實施例中，第一透明導電層260與第二透明導電層340的材質亦可以是其他適當的透明導電材料。在本實施例中，第一透明導電層260與第二透明導電層340的形成方法可以是先形成一整面覆蓋之透明導電層，以覆蓋發光結構區域200與靜電放電保護結構區域300，然後再利用微影蝕刻法將整面覆蓋之透明導電層蝕刻成互相分離的第一透明導電層260與第二透明導電層340。

之後，如圖4A至圖4C所繪示，形成一第一絕緣層120，其中第一絕緣層120覆蓋部分第二半導體層230及部分第二下陷部214。在本實施例中，第一絕緣層120例如為二氧化矽(silicon dioxide,SiO₂)層，然而，在其他實施例中，第一絕緣層120亦可以是其他適當的絕緣層。在本實施例中，第一絕緣層120亦覆蓋部分基板110及部分第一透明導電層260。

然後，如圖5A至圖5C所繪示，在第一絕緣層120上形成一導電層140，且使導電層140電性連接第二半導體層230與第三半導體層310。在本實施例中，導電層140為金屬導電層，例如為金或含金的複合金屬層。在本實施例中，第一透明導電層260電性連接第二半導體層230及導電層140，換言之，導電層140的一端經由透明導電層260連接至第二半導體層230。此外，導電層140的另一端連接至第三半導體層310，例如是連接至第一下陷部314。再者，第一絕緣層120分隔第一半導體層210與導電層140，且分隔發光層220與導電層140。在本實施例中，第一絕緣層120亦分隔第二半導體層230與導電層140，而導電層140是藉由第一透明導電層260電性連接至第二半導體層230。

在此之後，如圖6A至圖6C所繪示，形成一第二絕緣層130，其中第二絕緣層130覆蓋靜電放電保護結構區域300的部分第四半導體層330及至少部分第一下陷部314。在圖6A至圖6C中，是以第二絕緣層130覆蓋整個第一下陷部314為例，然而，在其他實施例中，亦可以是第二絕緣層130覆蓋部分第一下陷部314。在本實施例中，第二絕緣層130的材質例如為二氧化矽，然而，在其他實施例中，第二絕緣層130的材質亦可以是其他適當的絕緣材料。

接著，如圖7A至圖7C所繪示，在第二絕緣層130上形成一第一電極240，並使第一電極240電性連接第一半導體層210與第四半導體層330。在本實施例中，第一電極240為一金屬電極，例如為金或含金的複合金屬層。此外，在本實施例中，第二透明導電層340電性連接第四半導體層330及第一電極240。換言之，第一電極240藉由第二透明導電層340連接至第四半導體層330。此外，第二絕緣層130分隔導電層140與第一電極240，分隔靜電放電保護結構區域300的第三半導體層310與第一電極240，且分隔靜電放電保護結構區域300的主動層320與第一電極240。在本實施例中，第二絕緣層130亦分隔靜電放電保護結構區域300的第四半導體層330與第一電極240，而第一電極240是藉由第二透明導電層340電性連接至第四半導體層330。

在本實施例中，第一電極240覆蓋靜電放電保護結構區域300的至少部分第四半導體層330及至少部分第一下陷部314。在圖7A至圖7C中，是以第一電極240覆蓋部分第四摻雜半導體層330及整個第一下陷部314為例，但在其他實施例中，亦可以是第一電極240覆蓋整個第四摻雜半導體層330及整個第一下陷部314，或覆蓋部分第四摻雜半導體層330及部分第一下陷部314，或覆蓋整個第四摻雜半導體層330及部分第一下陷部314。此外，在本實施例中，第一電極240覆蓋部分導電層。再者，在形成第一電極240的同時，可在發光結構區域200的第二半導體層230上形成一第二電極250，在本實施例中即是在第一透明導電層260上形成第二電極250。在本實施例中，第二電極250為一金屬電極，例如為金或含金的複合金屬層。如此，即可完成本實施例之發光元件100。

在本實施例中，第一電極240與第二電極250可用利用打線接合(wire bonding)的方式分別經由兩接合線(bonding wire)與外部電源電性連接。或者，在其他實施例中，第一電極240與第二電極250亦可利用覆晶封裝的方式分別經由兩導電凸塊(bump)與外部電源電性連接。

本實施例之發光元件100包括基板110、發光結構區域200、靜電放電保護結構區域300、第一絕緣層120、導電層140及第二絕緣層130，其中發光結構區域200包括第一半導體層210、發光層220、第二半導體層230、第一透明導電層260、第一電極240及第二電極250，且靜電放電保護結構區域300包括第三半導體層310、主動層320、第四半導體層330及第二透明導電層260。發光結構區域200形成於基板110上，且靜電放電保護結構區域300形成於基板110上。溝槽G形成於發光結構區域200與靜電放電保護結構區域300之間。導電層140配置於溝槽G上，且連接發光結構區域200與靜電放電保護結構區域300。第一電極240形成於靜電放電保護結構區域300上，並覆蓋至少部分靜電放電保護結構區域300。第二電極250形成於發光結構區域200上，且在本實施例中，第二電極250不延伸至靜電放電保護結構區域300上。第一絕緣層120形成於發光結構區域200上，且第二絕緣層130形成於導電層140上。這些膜層與結構的進一步詳細的相對位置及材料可參照上述說明，在此不再重述。

在實施例之發光元件100中，由於靜電放電保護結構區域300的至少部分第一下陷部314及至少部分第四半導體層330是位於發光結構區域200的第一電極240下方，因此發光層320的面積較不會因為採用了靜電放電保護結構區域300而縮減。另外，由於連接靜電放電保護結構區域300的第三半導體層310與發光結構區域200的第二半導體層230之導電層140有部分位於第一電極240下方，因此發光層320的面積較不會因為採用了靜電放電保護結構區域300而縮減。如此一來，可使本實施例之發光元件100在具有靜電放電保護的功能的同時，亦具有較佳的發光效能。另外，在本實施例之發光元件100中，由於第二電極250不延伸至靜電放電保護結構區域300上，因此可有效減少第二電極250因遮避發光層320所產生的遮光面積，進而提升發光元件100的發光效能。

在本實施例之發光元件100的製作方法中，由於靜電放電保護結構區域300的至少部分第四半導體層330及至少部分第一下陷部314位於第一電極240下方，因此發光層320的面積較不會因為採用了靜電放電保護結構區域300而縮減，所以本實施例之發光元件100的製作方法在提升發光元件100的靜電放電保護效果的同時，亦能使發光元件100具有較佳的發光效能。

此外，在本實施例之發光元件100及其製作方法中，由於發光結構區域200與靜電放電保護結構區域300是一起形成於基板110上，因此可提早保護發光結構區域200，而使發光元件100在包裝、封裝、運送、固晶與打線的過程中不受靜電放電的傷害，尤其是能夠保護發光元件100不受逆向靜電放電(reverse electrostatic discharge)的傷害。

為了進一步增加發光元件100的發光面積，在本實施例中，可使第一電極240覆蓋靜電放電保護結構區域300之大於90%的面積(或完全覆蓋靜電放電保護結構區域的半導體區域)，其中此處之靜電放電保護結構區域300的面積是指由圖7A之上視圖的方向來看靜電放電保護結構區域300所佔的面積。如此一來，相較於不採用靜電放電保護結構區域的發光二極體晶片所具有的發光面積，本實施例之發光元件100在採用了靜電放電保護結構區域300後，發光面積的損失可以小於3%。因此，本實施例之發光元件100確實可在具有靜電放電保護功能的同時，仍維持良好的發光效能。此外，在本實施例中，第一電極240與第二電極250所各自佔有的面積(即圖7A之上視圖的方向的面積)之最大外徑例如為90微米左右。

此外，在本實施例中，發光結構區域200的表面更進一步包含未被第一電極、第二電極遮蓋之出光面，其中該發光結構區域200的出光面面積至少是該靜電放電保護結構區域300面積的3倍以上。因此可有效提升發光面積，進而提升本實施例之發光元件100的光學效能。

綜上所述，在本發明之實施例之發光元件中，由於靜電放電保護結構區域的至少部分第一下陷部及至少部分第四半導體層是位於發光結構區域的第一電極下方，因此發光層的面積較不會因為採用了靜電放電保護結構區域而縮減。另外，由於連接靜電放電保護結構區域的第三半導體層與發光結構區域的第二半導體層之導電層有部分位於第一電極下方，因此發光層的面積較不會因為採用了靜電放電保護結構區域而縮減。如此一來，可使本發明之實施例之發光元件在具有靜電放電保護的功能的同時，亦具有較佳的發光效能。再者，在本發明之實施例之發光元件中，由於第二電極不延伸至靜電放電保護結構區域上，因此可有效減少第二電極因遮避發光層所產生的遮光面積，進而提升發光元件的發光效能。

在本發明之實施例之發光元件的製作方法中，由於靜電放電保護結構區域的至少部分第四半導體層及至少部分第一下陷部位於第一電極下方，因此發光層的面積較不會因為採用了靜電放電保護結構區域而縮減，所以本發明之實施例之發光元件的製作方法在提升發光元件的靜電放電保護效果的同時，亦能使發光元件具有較佳的發光效能。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

52、56．．．摻雜半導體層

54、320．．．主動層

110．．．基板

120．．．第一絕緣層

130．．．第二絕緣層

140．．．導電層

200．．．發光結構區域

210．．．第一半導體層

212．．．第二平台部

214．．．第二下陷部

220．．．發光層

230．．．第二半導體層

240．．．第一電極

250．．．第二電極

260．．．第一透明導電層

300．．．靜電放電保護結構區域

310．．．第三半導體層

312．．．第一平台部

314．．．第一下陷部

330．．．第四半導體層

340．．．第二透明導電層

G．．．溝槽

T1～T4．．．厚度

圖1A至圖7A為製作本發明之一實施例之發光元件的流程之上視示意圖。

圖1B至圖7B分別為圖1A至圖7A之結構沿著I-I線的剖面示意圖。

圖1C至圖7C分別為圖1A至圖7A之結構沿著II-II線的剖面示意圖。

110．．．基板

130．．．第二絕緣層

200．．．發光結構區域

210．．．第一半導體層

212．．．第二平台部

214．．．第二下陷部

220．．．發光層

230．．．第二半導體層

240．．．第一電極

250．．．第二電極

260．．．第一透明導電層

300．．．靜電放電保護結構區域

310．．．第三半導體層

312．．．第一平台部

314．．．第一下陷部

320．．．主動層

330．．．第四半導體層

340．．．第二透明導電層

T1～T4．．．厚度

Claims (19)

1. 一種發光元件，包括：一基板；一發光結構區域，形成於該基板上，且包含一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層；一靜電放電保護結構區域，形成於該基板上，且包含一第三半導體層、一主動層及一第四半導體層；一溝槽，其中該溝槽形成於該發光結構區域與該靜電放電保護結構區域之間；一導電層，其中該導電層配置於該溝槽上，且連接該發光結構區域與該靜電放電保護結構區域；一第一電極，其中該第一電極形成於該靜電放電保護結構區域上，並覆蓋至少部分該靜電放電保護結構區域；以及一第二電極，其中該第二電極形成於該發光結構區域上，且該第二電極不延伸至該靜電放電保護結構區域上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一半導體層及第三半導體層為第一摻雜態層，第二半導體層及第四半導體層為第二摻雜態層。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包括一第一絕緣層，其中該第一絕緣層形成於該發光結構區域上。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包括一第二絕緣層，其中該第二絕緣層形成於該導電層上。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該發光結構區域更包括一第一透明導電層，配置於該第二半導體層上，且電性連接該第二半導體層與該導電層。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一電極覆蓋該靜電放電保護結構區域之大於90%的面積。
7. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該發光結構區域至少包含一出光面。
8. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件，其中該發光結構區域所涵蓋之出光面面積至少是該靜電放電保護結構區域面積的3倍以上。
9. 一種發光元件，包括：一基板；一發光結構區域，形成於該基板上，且包含一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層；一靜電放電保護結構區域，形成於該基板上，且包含一第三半導體層、一主動層及一第四半導體層；一溝槽，其中該溝槽形成於該發光結構區域與該靜電放電保護結構區域之間；一導電層，配置於該溝槽上，且連接該發光結構區域與該靜電放電保護結構區域；以及一第一電極，形成於該靜電放電保護結構區域上，且覆蓋部分該導電層。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件，更包括一第一絕緣層，其中該第一絕緣層形成於該發光結構區域上。
11. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件，更包括一第二絕緣層，其中該第二絕緣層形成於該導電層上。
12. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件，其中該第一電極覆蓋該靜電放電保護結構區域之大於90%的面積。
13. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件，其中該發光結構區域至少包含一出光面。
14. 如申請專利範圍第13項所述之發光元件，其中該發光結構區域所涵蓋之出光面面積至少是該靜電放電保護結構區域面積的3倍以上。
15. 一種發光元件的製作方法，包括：提供一基板；在該基板上依序形成一第一半導體層、一主動層及一第二半導體層；將該第一半導體層、該主動層及該第二半導體層所構成的一半導體堆疊結構分割成彼此分離的至少一發光結構區域及至少一靜電放電保護結構區域；蝕刻部分該發光結構區域及部分該靜電放電保護結構區域，以使該靜電放電保護結構區域的該第一半導體層形成相連接之一第一平台部及一第一下陷部，且使該發光結構區域的該第一半導體層形成相連接之一第二平台部及一第二下陷部；形成一第一絕緣層，其中該第一絕緣層覆蓋該發光結構區域的部分該第二半導體層及部分該第二下陷部；在該第一絕緣層上形成一導電層，且使該導電層電性連接該發光結構區域的該第二半導體層與該靜電放電保護結構區域的該第一半導體層，其中該第一絕緣層分隔該發光結構區域的該第一半導體層與該導電層，且分隔該發光結構區域的該主動層與該導電層；形成一第二絕緣層，其中該第二絕緣層覆蓋該靜電放電保護結構區域的部分該第二半導體層及至少部分該第一下陷部；以及在該第二絕緣層上形成一第一電極，並使該第一電極電性連接該發光結構區域的該第一半導體層與該靜電放電保護結構區域的該第二半導體層，其中該第二絕緣層分隔該導電層與該第一電極，分隔該靜電放電保護結構區域的該第一半導體層與該第一電極，且分隔該靜電放電保護結構區域的該主動層與該第一電極，且該第一電極覆蓋該靜電放電保護結構區域的至少部分該第二半導體層及至少部分該第一下陷部。
16. 如申請專利範圍第15項所述之發光元件的製作方法，其中該第一電極覆蓋部分該導電層。
17. 如申請專利範圍第15項所述之發光元件的製作方法，更包括：在形成該第一電極的同時，在該發光結構區域的該第二半導體層上形成一第二電極。
18. 如申請專利範圍第15項所述之發光元件的製作方法，更包括：在形成該第一絕緣層之前，在該發光結構區域的該第二半導體層上形成一第一透明導電層，且在該靜電放電保護結構區域的該第二半導體層上形成一第二透明導電層，其中該第一透明導電層電性連接該發光結構區域的該第二半導體層與該導電層，且該第二透明導電層電性連接該靜電放電保護結構區域的該第二半導體層及該第一電極。
19. 如申請專利範圍第15項所述之發光元件的製作方法，其中該第一電極覆蓋該靜電放電保護結構區域之大於90%的面積。