CN102881706A - 发光元件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光元件及其制作方法，发光元件包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电层、第一电极及第二电极。发光结构区域与静电放电保护结构区域形成在基板上。发光结构区域包括第一半导体层、发光层、第二半导体层。静电放电保护结构区域包括第三半导体层、主动层及第四半导体层。沟槽形成在发光结构区域与静电放电保护区域之间。导电层配置在沟槽上。第一电极形成在静电放电保护结构区域上，并覆盖至少部分静电放电保护结构区域。第二电极形成在发光结构区域上，且不延伸至静电放电保护结构区域上。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光元件及其制作方法，且特别是有关于一种半导体发光元件及其制作方法。
背景技术
随着光电技术的进步，发光二极管(light-emitting diode,LED)的制作与应用已逐渐趋于成熟。由于发光二极管具有低污染、低功率消耗、反应时间(response time)短、使用寿命长等优点，因此其已逐渐被应用在各式光源或照明的领域，而取代荧光灯管、白炽灯泡或卤素灯等传统发光元件。由于世界各国的环保意识逐渐高涨，在未来，发光二极管更可望成为主要照明光源，而取代目前荧光灯管的地位。
为了避免发光二极管受到静电放电(electrostatic discharge)的损害，有的现有技术会在组装光源装置时将发光二极管与稳压二极管(Zenerdiode,ZD)连接，也即采用稳压二极管来作为静电放电保护元件。然而，由于在组装光源装置时才将发光二极管与稳压二极管连接，因此发光二极管在包装、运送、固晶与打线的过程中都没有受到静电放电保护元件的保护。如此一来，容易使发光二极管受到静电放电损害的机率上升。
因此，另一种现有技术则是将发光二极管与静电放电保护元件作在同一片芯片上，此现有技术虽可降低发光二极管受到静电放电损害的机率，却因为静电放电保护元件占据了芯片的基板上的一部分面积，而导致发光二极管所占据的面积下降。如此一来，发光二极管的发光面积也会下降，进而使发光二极管的效能降低。
发明内容
本发明提供一种发光元件，此发光元件具有较佳的发光效能，且较不易受到静电放电的损害。
本发明提供一种发光元件的制作方法，可有效提升发光元件的发光效能，且同时保护发光元件不受到静电放电的损害。
本发明的一实施例提供一种发光元件，包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电层、第一电极及第二电极。发光结构区域形成在基板上，且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层。静电放电保护结构区域形成在基板上，且包含第三半导体层、主动层(active layer)及第四半导体层。沟槽形成在发光结构区域与静电放电保护结构区域之间。导电层配置在沟槽上，且连接发光结构区域与静电放电保护结构区域。第一电极形成在静电放电保护结构区域上，并覆盖至少部分静电放电保护结构区域。第二电极形成在发光结构区域上，且第二电极不延伸至静电放电保护结构区域上。
本发明的另一实施例提供一种发光元件，包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电层及第一电极。发光结构区域形成在基板上，且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层。静电放电保护结构区域形成在基板上，且包含第三半导体层、主动层及第四半导体层。沟槽形成在发光结构区域与静电放电保护区域之间。导电层配置在沟槽上，且连接发光结构区域与静电放电保护结构区域。第一电极形成在静电放电保护结构区域上，且覆盖部分导电层。
本发明的又一实施例提供一种发光元件的制作方法，包括下列步骤。提供基板。在基板上依序形成第一半导体层、主动层及第二半导体层。将第一半导体层、主动层及第二半导体层所构成的半导体堆叠结构分割成彼此分离的至少一发光结构区域及至少一静电放电保护结构区域。其中发光结构区域面积大于该静电放电保护结构区域面积。蚀刻部分发光结构区域及部分静电放电保护结构区域，以使静电放电保护结构区域的第一半导体层形成相连接的第一平台部及第一下陷部，且使发光结构区域的第一半导体层形成相连接的第二平台部及第二下陷部，其中第一平台部的厚度大于第一下陷部的厚度，且第二平台部的厚度大于第二下陷部的厚度。形成第一绝缘层，其中第一绝缘层覆盖发光结构区域的部分第二半导体层及部分第二下陷部。在第一绝缘层上形成导电层，且使导电层电性连接发光结构区域的第二半导体层与静电放电保护结构区域的第一半导体层，其中第一绝缘层分隔发光结构区域的第一半导体层与导电层，且分隔发光结构区域的主动层与导电层。形成第二绝缘层，其中第二绝缘层覆盖静电放电保护结构区域的部分第二半导体层及至少部分第一下陷部。在第二绝缘层上形成第一电极，并使第一电极电性连接发光结构区域的第一半导体层与静电放电保护结构区域的第二半导体层，其中第二绝缘层分隔导电层与第一电极，分隔静电放电保护结构区域的第一半导体层与第一电极，且分隔静电放电保护结构区域的主动层与第一电极。第一电极覆盖静电放电保护结构区域的至少部分第二半导体层及至少部分第一下陷部。
在本发明的实施例的发光元件中，由于连接静电放电保护结构区域与发光结构区域的导电层有部分位于第一电极下方，因此发光层的面积较不会因为采用了静电放电保护结构区域而缩减，所以本发明的实施例的发光元件在具有静电放电保护的功能的同时，也具有较佳的发光效能。另外，在本发明的实施例的发光元件中，由于第二电极不延伸至静电放电保护结构区域上，因此可有效减少第二电极因遮蔽发光层所产生的遮光面积，进而提升发光元件的发光效能。再者，在本发明的实施例的发光元件的制作方法中，由于静电放电保护结构区域的至少部分第二半导体层及至少部分第一下陷部位于第一电极下方，因此发光层的面积较不会因为采用了静电放电保护结构区域而缩减，所以本发明的实施例的发光元件的制作方法在提升发光元件的静电放电保护效果的同时，也能使发光元件具有较佳的发光效能。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图7A为制作本发明的一实施例的发光元件的流程的俯视示意图；
图1B至图7B分别为图1A至图7A的结构沿着I-I线的剖面示意图；
图1C至图7C分别为图1A至图7A的结构沿着II-II线的剖面示意图。
附图标记说明：
52、56：掺杂半导体层；
54、320：主动层；
100：发光元件；
110：基板；
120：第一绝缘层；
130：第二绝缘层；
140：导电层；
200：发光结构区域；
210：第一半导体层；
212：第二平台部；
214：第二下陷部；
220：发光层；
230：第二半导体层；
240：第一电极；
250：第二电极；
260：第一透明导电层；
300：静电放电保护结构区域；
310：第三半导体层；
312：第一平台部；
314：第一下陷部；
330：第四半导体层；
340：第二透明导电层；
G：沟槽；
T1～T4：厚度。
具体实施方式
图1A至图7A为制作本发明的一实施例的发光元件的流程的俯视示意图，图1B至图7B分别为图1A至图7A的结构沿着I-I线的剖面示意图，而图1C至图7C分别为图1A至图7A的结构沿着II-II线的剖面示意图。请依序参照图1A至图7C，本实施例的发光元件的制作方法包括下列步骤。首先，如图1A至图1C所绘示，提供基板110。在本实施例中，基板110例如为蓝宝石(sapphire)基板。然而，在其他实施例中，基板110也可以是碳化硅基板、氮化镓基板或其他适当的基板。接着，在基板110上依序形成掺杂半导体层52、主动层54及掺杂半导体层56，其中掺杂半导体层52与掺杂半导体层56的掺杂态不相同。举例而言，在本实施例中，掺杂半导体层52为N型(n-type)半导体层，例如为N型氮化镓层，且掺杂半导体层56为P型(p-type)半导体层，例如为P型氮化镓层。然而，在其他实施例中，也可以是掺杂半导体层52为P型半导体层，而掺杂半导体层56为N型半导体层。此外，主动层54例如为量子阱(quantum well)层或多重量子阱层。举例而言，主动层54可包括交替堆叠的氮化铟镓(InGaN)层与氮化镓(GaN)层。在本实施例中，在形成掺杂半导体层52之前，可先形成缓冲层(未绘示)，然后再将掺杂半导体层52形成在缓冲层上，如此可提升掺杂半导体层52的多晶品质。
然后，如图2A至图2C所绘示，将掺杂半导体层52、主动层54及掺杂半导体层56所构成的半导体堆叠结构分割成彼此分离的至少一发光结构区域200及至少一静电放电保护结构区域300。举例而言，可对上述半导体堆叠结构蚀刻出复数道沟槽G，以将半导体堆叠结构分割出彼此分离的多组发光结构区域与静电放电保护结构区域300，而在附图中是以一个发光结构区域200及其所对应的一个静电放电保护结构区域300为例来作说明。此外，上述蚀刻例如是采用微影蚀刻制程(photolithography and etching process)来完成。
为了便于说明，以下将分割而成的发光结构区域200的掺杂半导体层52、主动层54及掺杂半导体层56分别称为第一半导体层210、发光层220及第二半导体层230，且将分割而成的静电放电保护结构区域300的掺杂半导体层52、主动层54及掺杂半导体层56分别称为第三半导体层310、主动层320及第四半导体层330。然而，在其他实施例中，也可以在基板110上各自形成彼此分离的发光结构区域200与静电放电保护结构区域300，且发光结构区域200的第一半导体层210、发光层220及第二半导体层230的材质分别不同于静电放电保护结构区域300的第三半导体层310、主动层320及第四半导体层330的材质。
接着，如图3A至图3C所绘示，蚀刻部分发光结构区域200及部分静电放电保护结构区域300，以使第三半导体层310形成相连接的第一平台部312及第一下陷部314，且使第一半导体层210形成相连接的第二平台部212及第二下陷部214，其中第一平台部312的厚度T1大于第一下陷部314的厚度T2，且第二平台部212的厚度T3大于第二下陷部214的厚度T4。此外，在本实施例中，发光层220与第二半导体层230配置在第二平台部212上，并裸露出第二下陷部214。此外，主动层320与第四半导体层330配置在第一平台部312上，并裸露出第一下陷部314。图3A至图3C所绘示的蚀刻例如是采用微影蚀刻制程(photolithography and etching process)来完成。
在本实施例中，可在第二半导体层230上形成第一透明导电层260，且在第四半导体层330上形成第二透明导电层340，其中第一透明导电层260与第二透明导电层340的材质例如为氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)，然而，在其他实施例中，第一透明导电层260与第二透明导电层340的材质也可以是其他适当的透明导电材料。在本实施例中，第一透明导电层260与第二透明导电层340的形成方法可以是先形成整面覆盖的透明导电层，以覆盖发光结构区域200与静电放电保护结构区域300，然后再利用微影蚀刻法将整面覆盖的透明导电层蚀刻成互相分离的第一透明导电层260与第二透明导电层340。
之后，如图4A至图4C所绘示，形成第一绝缘层120，其中第一绝缘层120覆盖部分第二半导体层230及部分第二下陷部214。在本实施例中，第一绝缘层120例如为二氧化硅(silicon dioxide,SiO2)层，然而，在其他实施例中，第一绝缘层120也可以是其他适当的绝缘层。在本实施例中，第一绝缘层120也覆盖部分基板110及部分第一透明导电层260。
然后，如图5A至图5C所绘示，在第一绝缘层120上形成导电层140，且使导电层140电性连接第二半导体层230与第三半导体层310。在本实施例中，导电层140为金属导电层，例如为金或含金的复合金属层。在本实施例中，第一透明导电层260电性连接第二半导体层230及导电层140，换言之，导电层140的一端经由第一透明导电层260连接至第二半导体层230。此外，导电层140的另一端连接至第三半导体层310，例如是连接至第一下陷部314。再者，第一绝缘层120分隔第一半导体层210与导电层140，且分隔发光层220与导电层140。在本实施例中，第一绝缘层120也分隔第二半导体层230与导电层140，而导电层140是通过第一透明导电层260电性连接至第二半导体层230。
在此之后，如图6A至图6C所绘示，形成第二绝缘层130，其中第二绝缘层130覆盖静电放电保护结构区域300的部分第四半导体层330及至少部分第一下陷部314。在图6A至图6C中，是以第二绝缘层130覆盖整个第一下陷部314为例，然而，在其他实施例中，也可以是第二绝缘层130覆盖部分第一下陷部314。在本实施例中，第二绝缘层130的材质例如为二氧化硅，然而，在其他实施例中，第二绝缘层130的材质也可以是其他适当的绝缘材料。
接着，如图7A至图7C所绘示，在第二绝缘层130上形成第一电极240，并使第一电极240电性连接第一半导体层210与第四半导体层330。在本实施例中，第一电极240为金属电极，例如为金或含金的复合金属层。此外，在本实施例中，第二透明导电层340电性连接第四半导体层330及第一电极240。换言之，第一电极240通过第二透明导电层340连接至第四半导体层330。此外，第二绝缘层130分隔导电层140与第一电极240，分隔静电放电保护结构区域300的第三半导体层310与第一电极240，且分隔静电放电保护结构区域300的主动层320与第一电极240。在本实施例中，第二绝缘层130也分隔静电放电保护结构区域300的第四半导体层330与第一电极240，而第一电极240是通过第二透明导电层340电性连接至第四半导体层330。
在本实施例中，第一电极240覆盖静电放电保护结构区域300的至少部分第四半导体层330及至少部分第一下陷部314。在图7A至图7C中，是以第一电极240覆盖部分第四半导体层330及整个第一下陷部314为例，但在其他实施例中，也可以是第一电极240覆盖整个第四半导体层330及整个第一下陷部314，或覆盖部分第四半导体层330及部分第一下陷部314，或覆盖整个第四半导体层330及部分第一下陷部314。此外，在本实施例中，第一电极240覆盖部分导电层。再者，在形成第一电极240的同时，可在发光结构区域200的第二半导体层230上形成第二电极250，在本实施例中即是在第一透明导电层260上形成第二电极250。在本实施例中，第二电极250为金属电极，例如为金或含金的复合金属层。如此，即可完成本实施例的发光元件100。
在本实施例中，第一电极240与第二电极250可用利用打线接合(wire bonding)的方式分别经由两接合线(bonding wire)与外部电源电性连接。或者，在其他实施例中，第一电极240与第二电极250也可利用覆晶封装的方式分别经由两导电凸块(bump)与外部电源电性连接。
本实施例的发光元件100包括基板110、发光结构区域200、静电放电保护结构区域300、第一绝缘层120、导电层140及第二绝缘层130，其中发光结构区域200包括第一半导体层210、发光层220、第二半导体层230、第一透明导电层260、第一电极240及第二电极250，且静电放电保护结构区域300包括第三半导体层310、主动层320、第四半导体层330及第二透明导电层340。发光结构区域200形成在基板110上，且静电放电保护结构区域300形成在基板110上。沟槽G形成在发光结构区域200与静电放电保护结构区域300之间。导电层140配置在沟槽G上，且连接发光结构区域200与静电放电保护结构区域300。第一电极240形成在静电放电保护结构区域300上，并覆盖至少部分静电放电保护结构区域300。第二电极250形成在发光结构区域200上，且在本实施例中，第二电极250不延伸至静电放电保护结构区域300上。第一绝缘层120形成在发光结构区域200上，且第二绝缘层130形成在导电层140上。这些膜层与结构的进一步详细的相对位置及材料可参照上述说明，在此不再重述。
在实施例的发光元件100中，由于静电放电保护结构区域300的至少部分第一下陷部314及至少部分第四半导体层330是位于发光结构区域200的第一电极240下方，因此发光层220的面积较不会因为采用了静电放电保护结构区域300而缩减。另外，由于连接静电放电保护结构区域300的第三半导体层310与发光结构区域200的第二半导体层230的导电层140有部分位于第一电极240下方，因此发光层220的面积较不会因为采用了静电放电保护结构区域300而缩减。如此一来，可使本实施例的发光元件100在具有静电放电保护的功能的同时，也具有较佳的发光效能。另外，在本实施例的发光元件100中，由于第二电极250不延伸至静电放电保护结构区域300上，因此可有效减少第二电极250因遮蔽发光层220所产生的遮光面积，进而提升发光元件100的发光效能。
在本实施例的发光元件100的制作方法中，由于静电放电保护结构区域300的至少部分第四半导体层330及至少部分第一下陷部314位于第一电极240下方，因此发光层220的面积较不会因为采用了静电放电保护结构区域300而缩减，所以本实施例的发光元件100的制作方法在提升发光元件100的静电放电保护效果的同时，也能使发光元件100具有较佳的发光效能。
此外，在本实施例的发光元件100及其制作方法中，由于发光结构区域200与静电放电保护结构区域300是一起形成在基板110上，因此可提早保护发光结构区域200，而使发光元件100在包装、封装、运送、固晶与打线的过程中不受静电放电的伤害，尤其是能够保护发光元件100不受逆向静电放电(reverse electrostatic discharge)的伤害。
为了进一步增加发光元件100的发光面积，在本实施例中，可使第一电极240覆盖静电放电保护结构区域300大于90%的面积(或完全覆盖静电放电保护结构区域的半导体区域)，其中此处的静电放电保护结构区域300的面积是指由图7A的俯视图的方向来看静电放电保护结构区域300所占的面积。如此一来，相较于不采用静电放电保护结构区域的发光二极管晶片所具有的发光面积，本实施例的发光元件100在采用了静电放电保护结构区域300后，发光面积的损失可以小于3%。因此，本实施例的发光元件100确实可在具有静电放电保护功能的同时，仍维持良好的发光效能。此外，在本实施例中，第一电极240与第二电极250所各自占有的面积(即图7A的俯视图的方向的面积)的最大外径例如为90微米左右。
此外，在本实施例中，发光结构区域200的表面还进一步包含未被第一电极、第二电极遮盖的出光面，其中该发光结构区域200的出光面面积至少是该静电放电保护结构区域300面积的3倍以上。因此可有效提升发光面积，进而提升本实施例的发光元件100的光学效能。
综上所述，在本发明的实施例的发光元件中，由于静电放电保护结构区域的至少部分第一下陷部及至少部分第四半导体层是位于发光结构区域的第一电极下方，因此发光层的面积较不会因为采用了静电放电保护结构区域而缩减。另外，由于连接静电放电保护结构区域的第三半导体层与发光结构区域的第二半导体层的导电层有部分位于第一电极下方，因此发光层的面积较不会因为采用了静电放电保护结构区域而缩减。如此一来，可使本发明的实施例的发光元件在具有静电放电保护的功能的同时，也具有较佳的发光效能。再者，在本发明的实施例的发光元件中，由于第二电极不延伸至静电放电保护结构区域上，因此可有效减少第二电极因遮蔽发光层所产生的遮光面积，进而提升发光元件的发光效能。
在本发明的实施例的发光元件的制作方法中，由于静电放电保护结构区域的至少部分第四半导体层及至少部分第一下陷部位于第一电极下方，因此发光层的面积较不会因为采用了静电放电保护结构区域而缩减，所以本发明的实施例的发光元件的制作方法在提升发光元件的静电放电保护效果的同时，也能使发光元件具有较佳的发光效能。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (19)
1.一种发光元件，其特征在于，包括：
基板；
发光结构区域，形成在该基板上，且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层；
静电放电保护结构区域，形成在该基板上，且包含第三半导体层、主动层及第四半导体层；
沟槽，其中该沟槽形成在该发光结构区域与该静电放电保护结构区域之间；
导电层，其中该导电层配置在该沟槽上，且连接该发光结构区域与该静电放电保护结构区域；
第一电极，其中该第一电极形成在该静电放电保护结构区域上，并覆盖至少部分该静电放电保护结构区域；以及
第二电极，其中该第二电极形成在该发光结构区域上，且该第二电极不延伸至该静电放电保护结构区域上。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中该第一半导体层及第三半导体层为第一掺杂态层，第二半导体层及第四半导体层为第二掺杂态层。
3.根据权利要求1所述的发光元件，还包括第一绝缘层，其中该第一绝缘层形成在该发光结构区域上。
4.根据权利要求1所述的发光元件，还包括第二绝缘层，其中该第二绝缘层形成在该导电层上。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其中该发光结构区域还包括第一透明导电层，配置在该第二半导体层上，且电性连接该第二半导体层与该导电层。
6.根据权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极覆盖该静电放电保护结构区域大于90%的面积。
7.根据权利要求1所述的发光元件，其中该发光结构区域至少包含出光面。
8.根据权利要求7所述的发光元件，其中该发光结构区域所涵盖的出光面面积至少是该静电放电保护结构区域面积的3倍以上。
9.一种发光元件，其特征在于，包括：
基板；
发光结构区域，形成在该基板上，且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层；
静电放电保护结构区域，形成在该基板上，且包含第三半导体层、主动层及第四半导体层；
沟槽，其中该沟槽形成在该发光结构区域与该静电放电保护结构区域之间；
导电层，配置在该沟槽上，且连接该发光结构区域与该静电放电保护结构区域；以及
第一电极，形成在该静电放电保护结构区域上，且覆盖部分该导电层。
10.根据权利要求9所述的发光元件，还包括第一绝缘层，其中该第一绝缘层形成在该发光结构区域上。
11.根据权利要求9所述的发光元件，还包括第二绝缘层，其中该第二绝缘层形成在该导电层上。
12.根据权利要求9所述的发光元件，其中该第一电极覆盖该静电放电保护结构区域大于90%的面积。
13.根据权利要求9所述的发光元件，其中该发光结构区域至少包含出光面。
14.根据权利要求13所述的发光元件，其中该发光结构区域所涵盖的出光面面积至少是该静电放电保护结构区域面积的3倍以上。
15.一种发光元件的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在该基板上依序形成第一半导体层、主动层及第二半导体层；
将该第一半导体层、该主动层及该第二半导体层所构成的半导体堆叠结构分割成彼此分离的至少一发光结构区域及至少一静电放电保护结构区域；
蚀刻部分该发光结构区域及部分该静电放电保护结构区域，以使该静电放电保护结构区域的该第一半导体层形成相连接的第一平台部及第一下陷部，且使该发光结构区域的该第一半导体层形成相连接的第二平台部及第二下陷部；
形成第一绝缘层，其中该第一绝缘层覆盖该发光结构区域的部分该第二半导体层及部分该第二下陷部；
在该第一绝缘层上形成导电层，且使该导电层电性连接该发光结构区域的该第二半导体层与该静电放电保护结构区域的该第一半导体层，其中该第一绝缘层分隔该发光结构区域的该第一半导体层与该导电层，且分隔该发光结构区域的该主动层与该导电层；
形成第二绝缘层，其中该第二绝缘层覆盖该静电放电保护结构区域的部分该第二半导体层及至少部分该第一下陷部；以及
在该第二绝缘层上形成第一电极，并使该第一电极电性连接该发光结构区域的该第一半导体层与该静电放电保护结构区域的该第二半导体层，其中该第二绝缘层分隔该导电层与该第一电极，分隔该静电放电保护结构区域的该第一半导体层与该第一电极，且分隔该静电放电保护结构区域的该主动层与该第一电极，且该第一电极覆盖该静电放电保护结构区域的至少部分该第二半导体层及至少部分该第一下陷部。
16.根据权利要求15所述的发光元件的制作方法，其中该第一电极覆盖部分该导电层。
17.根据权利要求15所述的发光元件的制作方法，还包括：
在形成该第一电极的同时，在该发光结构区域的该第二半导体层上形成第二电极。
18.根据权利要求15所述的发光元件的制作方法，还包括：
在形成该第一绝缘层之前，在该发光结构区域的该第二半导体层上形成第一透明导电层，且在该静电放电保护结构区域的该第二半导体层上形成第二透明导电层，其中该第一透明导电层电性连接该发光结构区域的该第二半导体层与该导电层，且该第二透明导电层电性连接该静电放电保护结构区域的该第二半导体层及该第一电极。
19.根据权利要求15所述的发光元件的制作方法，其中该第一电极覆盖该静电放电保护结构区域大于90%的面积。
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