TW201249750A - Method for producing member containing conductive mayenite compound - Google Patents

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201249750 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種含有導電性鈣鋁石化合物之構件之製 造方法。 【先前技術】 妈铭石化合物具有12Ca〇.7Al2〇3所表示之代表組成，且 具有包含立體地連結之直徑約〇 4 nm之空隙（籠）的特徵性 結晶結構。構成該籠之骨架帶有正電荷，每單元晶格形成 12個籠。該籠之1/6滿足結晶之電中性條件，因此内部被 氧離子佔據。然而，該籠内之氧離子具有化學上與構成骨 架之其他氧離子不同之特性，因此將籠内之氧離子特別地稱 為游離氧離子。鈣鋁石化合物亦記為[Ca24Al28〇64]4+2〇2.(非 專利文獻1)。 於鈣鋁石化合物之籠中之游離氧離子之一部分或全部取 代為電子之情形時，對鈣鋁石化合物賦予導電性。其原因 在於：包藏於鈣鋁石化合物之籠内之電子並不太受籠束缚 而可於結晶中自由地移動（專利文獻1)β將此種具有導電性 之鈣鋁石化合物特別地稱為「導電性鈣鋁石化合物」。 導電性鈣鋁石化合物由於具有功函數相對較低為2 4 〜、進而具有導電性之特徵’故而期待其㈣例如勞光燈 等之電極材料。 導電性鈣鋁石化合物例如可藉由將鈣鋁石化合物之粉末 裝入帶蓋之碳容器中，並於氮氣氛圍下以13〇〇。〇進行熱處 理而製造（專利文獻2)。以下，將其稱為先前方法卜又， I64266.doc 201249750 亦可藉由將鈣鋁石化合物之成形體與鋁一起裝入帶蓋之氧 化銘容器中，並於真空中以130(TC進行熱處理而製造（專 利文獻2)。以下，將其稱為先前方法2。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :國際公開第2005/000741號 專利文獻2:國際公開第2006/129674號 專利文獻3:國際公開第2010/041558號 專利文獻4:日本專利特開2010-132467號公報 非專利文獻 非專利文獻 1 : F. M. Lea，C. H. Desch，The Chemistry 〇f

Cement and Concrete，2nd ed·，p. 52, Edward Arnold & Co

London, 1956 【發明内容】 發明所欲解決之問題 如上所述’導電性鈣鋁石化合物可藉由於還原氛圍中對 含有鈣鋁石化合物之成形體進行還原燒結處理而製造。 此處’上述之先前方法1中，所獲得之導電性鈣鋁石化 合物之燒結體的表面由絕緣層覆蓋。 又’上述之先前方法2中，必需使鈣鋁石化合物與銘接 觸而進行加熱，由於銘於其溶點即660°C以上時為液體， 故而導電性的铭石化合物之燒結體之表面被銘之液體漂 濕。若於此種狀態下將溫度降至室溫，則成為導電性弼紹 石化合物之表面固著有鋁之固體之狀態。 164266.doc 201249750 另一方面，若不使鈣鋁石化合物與鋁固體接觸而於鋁蒸 氣氛圍下進行加熱，則所獲得之導電性鈣鋁石化合物之燒 結體的表面由含有銘酸弼（例如CaO. Al2〇3)之氧化物之絕緣 層覆蓋。於該狀態下’存在例如作為螢光燈等之電極材料 而難以獲得良好之電子放射性能的問題。因此，為將所獲 得之導電性鈣鋁石化合物用作螢光燈等之電極構件，而必 需於使用前去除導電性鈣鋁石化合物表面之絕緣層而使導 電性表面（活性表面）露出。 然而，於通常之情形時，存在如下問題：生成於導電性 鈣鋁石化合物表面之絕緣層與母材部分（即導電性鈣鋁石 化合物）牢固地固著，將絕緣層自母材去除並不容易。 本發明係蓉於此種問題而完成者，本發明之目的在於提 供一種可使活性表面相對容易地露出之含有導電性鈣鋁石 化合物之構件之製造方法。 解決問題之技術手段 本發明提供一種製造方法，其特徵在於：其係含有導電 性鈣鋁石化合物之構件之製造方法，且包括·· (1)準備鈣鋁石化合物之粉末之步驟； ⑺於還原性氛圍中般燒含有上述_石化合物之粉末之被 處理體’而獲得含有導電性鈣鋁石化合物之構件的步驟；及 (3)使上述導電性肋石化合物之斷裂部分露出之步驟。 此處，於本發明之製造方法中，上述（3)之步驟亦可包 括如下步驟：#由將上述導電性約銘石化合物於特定之， 分進行切割而使上述斷裂部分露出。 164266.doc 201249750 又，於本發明之製造方法中，亦可藉由上述（3)之步驟 而獲得具有選自由圓柱狀、短條狀、杯狀及圓錐狀所組成 之群t之形狀的含有導電性鈣鋁石化合物之構件。 又，於本發明之製造方法中，上述（3)之步驟亦可包括 如下步驟：於前端具有突起部之大致圓柱狀之含有導電性 鈣鋁石化合物之構件中，切割上述突起部。 又，於本發明之製造方法中，上述之步驟亦可包括 如下步驟：於含有CO氣體及/或鋁蒸氣源之環境下將上述 被處理體保持於1230t〜1415t之溫度範圍内。 又，於本發明之製造方法中，上述（2)之步驟亦可於將 上述被處理體裝入含有碳之容器中之狀態下進行。 又，於本發明之製造方法中，上述（2)之步驟亦可於將 上述被處理體及上述鋁源裝入含有碳之容器中之狀態下進 行。 發明之效果 本發明可提供一種可使活性表面相對容易地露出之含有 導電性妈銘石化合物之構件之製造方法。 【實施方式】 本發明提供-種製造方法’其特徵在於：其係含有導電 性鈣鋁石化合物之構件之製造方法，且包括： (1)準備鈣鋁石化合物之粉末之步驟； (2) 於還原性氛圍中缎燒含有上述㈣石化合物之粉末之被 處理體，而獲得含料電性妈銘石化合物之構件的步驟；及 (3) 使上述導電性鈣鋁石化合物之斷裂部分露出之步驟。 此處，於本申請案中，所謂「㈣石化合物」係具有籠 164266.doc -6 · 201249750 (cage)結構之i2Ca0.7Al203(以下亦稱為「C12A7」）及具有 與C12A7同等之結晶結構之化合物（同型化合物）的總稱。 又’於本申請案中’所謂「導電性鈣鋁石化合物」，表 示籠中所含之「游離氧離子」之一部分或全部經電子取代 之電子密度為1.0 X1018 cm·3以上的弼銘石化合物。 因此’「詞铭石化合物」中包括「導電性鈣鋁石化合 物」及「非導電性鈣鋁石化合物」。 再者’通常，導電性鈣鋁石化合物之電子密度係藉由鈣 銘石化合物之電子密度而以2種方法測定。於電子密度未 達l.OxlO18 Cm_3〜3.〇xl〇2Q em-3之情形時，測定導電性鈣鋁 石化合物粉末之擴散反射，並根據經庫貝卡-芒克 (Kubelka-Munk)轉換之吸收光譜之2 8 eV(波長443 nm)之 吸光度（庫貝卡-芒克轉換值）而算出。該方法係利用電子密 度與庫貝卡-芒克轉換值成比例關係之情況。以下，關於 校準曲線之製作方法進行說明。 製作4件電子密度不同之試樣，並根據電子自旋共振 (ESR，electron spin resonance)之訊號強度求出各試樣之 電子密度。可以ESR測定之電子密度為丨〇xl〇M l.〇xl〇i9 cm·3左右》若將以庫貝卡_芒克值及ESR求得之電 子密度分別以對數繪圖則成比例關係，將其作為校準曲 線。即，該方法中，電子密度為於丨〇χ1〇!9 em-3〜3 〇χΐ〇2〇 cm'3時外插校準曲線之值。 於電子密度為3.〇><1〇2(>0111-3〜23><1〇21。111-3之情形時，測 定導電性鈣鋁石化合物粉末之擴散反射，並根據經庫貝 164266.doc 201249750 卡-芒克轉換之吸收光譜之波峰之波長（能量）進行換算。關 係式係使用下述式： n=(-(Esp-2.83)/0.199)0.782 此處’ η表示電子密度（cm·3)，esp表示經庫貝卡-芒克轉 換之吸收光譜之波峰之能量（eV)。 又’於本發明中，導電性鈣鋁石化合物只要具有包括鈣 (Ca)、銘（A1)及氧（〇)之C12A7結晶結構，則選自鈣（Ca)、 銘（A1)及氧（〇)中之至少1種原子之一部分可取代成其他原 子或原子團。例如’鈣（Ca)之一部分可經選自由鎂（Mg)、 锶（Sr)、鋇（Ba)、鋰（Li)、鈉（Na)、鉻（Cr)、錳（Μη)、鈽 (Ce)、始（Co)、鎳（Ni)及銅（Cu)所組成之群中之1種以上之 原子取代。又，鋁（A1)之一部分可經選自由矽（Si)、鍺 (Ge) '棚⑻、鎵（Ga)、鎂（Mg)、鈦㈤、錳（Mn)、鉄 (Fe)、鈽（Ce)、镨（Pr)、銳（Sc)、鑭（La)、紀⑺、銪㈣、 镱（Yb)、鈷（Co)、鎳（Ni)及铽（Tb)所組成之群中之丨種以上 之原子取代。又，籠之骨架之氧可經氮（N)等取代。 本發明之特徵在於包括如下步驟：使用藉由於還原性氛 圍中對被處理體進行熱處理而獲得之含有導電性㈣石化

合物之構件(以下亦稱為導電性鈣鋁石化合物構件)，並使 斷裂部分露出。 v H 此處，所謂「（導電性軸石化合物構件）之斷裂部分 =例如藉由切割、折斷、劃傷導電性触石化合物射 而露出之導電—物構件内的區域。例如，= 割導電性㈣石化合物構件之情料，其斷裂面成為= I64266.doc 201249750 裂部分」。又，於劃傷導電性鈣鋁石化合物構件之情形 時，其傷痕部分成為「斷裂部分 此種斷裂部分原本屬於導電性鈣鋁石化合物構件之非表 面，即不與環境側直接接觸之「内部」，因此斷裂部分並 非如剛煅燒後之導電性鈣鋁石化合物構件之表面般由絕緣 層之類的絕緣體覆蓋《因此，於使導電性鈣鋁石化合物之 斷裂部分露出之情形時，該斷裂部分可用作導電性鈣鋁石 化合物之活性表面。 因此，本發明中獲得如下優點：為使導電性鈣鋁石化合 物之活性表面露出，無需耗費極大之勞力將與母材牢固地 密接之絕緣層去除的步驟。 又，因此於本發明之製造方法中，可將所獲得之導電性 鈣鋁石化合物構件直接用作螢光燈等之電極構件，而可確 實地使製造步驟簡化。 再者，於本申請案中，含有導電性鈣鋁石化合物之構件 之活性表面露出情形之確認可藉由使用測試機測定構件之 表面之電阻而谷易地判斷。即，於利用測試機之測定中， 將測試機之端子間設為5 mm以下時可判斷：於電阻值為4〇 ΜΩ以下之情形時’含有導電性鈣鋁石化合物之構件之活 性表面露出，於電阻值大於40 ΜΩ之情形時，含有導電性 約銘石化合物之構件之活性表面未露出。 再者，於本申請案中，所謂「還原性氛圍」係指環境中 之氧分壓為1〇·3 Pa以下之氛圍之總稱。氧分壓例如為1〇·5 Pa以下’較佳為1〇 ίο 以下更佳為1〇丨5 h。 164266.doc 201249750 又’還原性氣圍亦可為滿足上述氧分壓條件之惰性氣體 氛圍或減壓環境（例如壓力為1 00 Pa以下之真空環境）。例 如，「還原性氛圍」亦可為含有co(一氧化碳）氣體之氛 圍。 (本發明之含有導電性辦銘石化合物之構件之製造方法） 以下，參照圖式對本發明之含有導電性鈣鋁石化合物之 構件之製造方法詳細進行說明。 圖1中表示本發明之構件之製造方法之概略流程的一 例0 如圖1中所示，本發明之製造方法包括： (1) 準備鈣鋁石化合物之粉末之步驟（步驟S110); (2) 於還原性氛圍中煅燒含有上述鈣鋁石化合物之粉末之被 處理體，而獲得導電性鈣鋁石化合物構件的步驟（步驟 S120);及 (3) 使上述導電性鈣鋁石化合物之斷裂部分露出之步驟 驟S130)。 ’ 以下’針對各步驟進行說明。 (步驟siio :粉末製備步驟） 首先，調配用於合成鈣鋁石化合物粉末之原料粉末。 原料粉末係以鈣（Ca)與鋁（A1)之比例以換算成Ca〇 Μ ( 之莫耳比計為12.6:6·4〜^7:7.3之方式進行調配2< CaChAUO〆莫耳比）較佳為 約 12:7 。 再者，原料粉末中所使用之化合物只要可 則並無特別限制。 述比' 164266.doc 201249750 為原料粉末中含有鋁酸鈣，或含有選自由鈣化合 物、銘化入队n a ^ σ物及銘酸鈣所組成之群中之至少2者。原料粉 ^例如亦可為含有約化合物及铭化合物之混合粉末。原料 末例如亦可為含有鈣化合物及鋁酸鈣之混合粉末。又， '、料叙末例如亦可為含有鋁化合物及鋁酸鈣之混合粉末。 又原料粉末例如亦可為含有鈣化合物、鋁化合物及鋁酸 展合粉末。進而，原料粉末例如亦可為僅含鋁酸鈣之 混合粉末。 作為辦化合物，可列舉：碳酸約、氧化辦、氫氧化舞、 炭变氫#5、硫酸妈、偏磷酸弼、草酸約、乙酸辦、确酸弼 及幽化每等^等之中，較佳為碳酸約、氧化約及氮氧化 在弓。 作為鋁化合物，可列舉：氩氧化鋁、氧化鋁、硫酸鋁、 硝酸鋁及_化鋁等，該等之中，較佳為氫氧化鋁及氧化 鋁。 繼而’使原料粉末保持於高溫而合成鈣鋁石化合物。合 成可於惰性氣體氛圍下或真空下進行，但較佳為於大氣下 進行。合成溫度並無特別限制’例如為12〇〇°c〜1415°C之 範圍，較佳為1250°C〜140(TC之範圍，更佳為1300〇c〜 之範圍。於在1200°C〜1415t：之溫度範圍内合成之 情形時’易於獲得含有大量C12A7之結晶結構之鈣鋁石化 合物。若合成溫度過低，則有C12A7結晶結構減少之虞。 另一方面，若合成溫度過高，則超過鈣鋁石化合物之熔 點，因此有C12A7之結晶結構減少之虞。 164266.doc 201249750 =之保持時間並無特別限定，其亦根據合成量及保持 ^度專而變動。保持時間例如為1小時〜u小時。保持時間 例如較佳為2小時〜1〇小時，更佳. ^旯佳為4小時〜8小時。藉由將 原料粉末於高溫下保持1小時 — 』岈以上，而固相反應充分進 行’可獲得均質之鈣鋁石化合物。 藉由合成所獲得之鈣鋁石化合物一部分或全部為燒結之 塊狀。塊狀之肋石化合物係以捣碎機等料處理至例如 5 mm左右之大小。進而’以自動研钵或乾式球磨機進行粉 碎處理至平均粒徑㈣⑽㈣左右。此處，「平均粒 徑」係指以雷射繞射型散射法測定而得之值。以下，粉末 之平均粒徑係指以同樣之方法測定之值。 於欲獲得進而微細且均勻之粉末之情形時，例如，可藉 由將CnH2n+1〇H(n為3以上之整數）所表示之醇（例如，異丙 醇）用作溶劑並使用濕式球磨機或循環式珠磨機等，而將 粉末之平均粒徑微細化至〇.5 μιη〜5〇 。 藉由以上步驟而製備釣銘石化合物之粉末。 作為粉末而製備之弼銘石化合物亦可為導電性I弓銘石化 合物"因為導電性鈣鋁石化合物與非導電性之化合物相比 粉碎性優異。再者，即便使用導電性鈣鋁石化合物之粉 末’於後續步驟中製備被處理體（尤其是成形體）時，有時 被氧化而成為並無導電性之鈣鋁石化合物。 導電性鈣鋁石化合物之合成方法並無特別限定，可列舉 下述方法。例如存在：將鈣鋁石化合物裝入帶蓋之碳容器 中並以1600°C進行熱處理而製作的方法（專利文獻1)，將鈣 164266.doc • 12· 201249750 鋁石化合物裝入帶蓋之碳容器中並於氮氣中以13〇〇。匚進行 熱處理而製作的方法（專利文獻2)，將由碳酸鈣粉末及氧化 鋁粉末製作之鋁酸鈣等粉末裝入帶蓋之碳坩堝中並於氮氣 中以130(TC進行熱處理而製作的方法（專利文獻3)，將混合 有碳酸鈣粉末與氧化鋁粉末之粉末裝入帶蓋之碳坩堝中並 於氮氣中以1300°C進行熱處理而製作的方法（專利文獻4) 等。 導電性約紹石化合物之粉碎方法與上述鈣鋁石化合物之 粉碎方法相同。 藉由以上步驟製備導電性鈣鋁石化合物之粉末❶再者， 亦可使用妈銘石化合物與導電性鈣鋁石化合物之混合粉 末。 (步驟S120:加熱處理步驟） 繼而，如下所示般，藉由將含有所獲得之鈣鋁石化合物 之粉末之被處理體於還原性氛圍下保持高溫，而使鈣鋁石 化合物粉末燒結’並且使鈣鋁石化合物之籠中之氧離子取 代（還原）成電子，而製造導電性鈣鋁石化合物。 作為含有鈣鋁石化合物之粉末之被處理體，亦可直接使 用步驟S110中製備之粉末。但，通常情況下，被處理體係 使用3有步驟S110中製備之鈣鋁石化合物之粉末的成形 體。 成形體之形成方法並無特別限定，可使用先前之各種方 法形成成形體。例如’成形體可藉由包含步驟S110中製備 之私末或含有該粉末之混練物之成形材料之加壓成形而製 I64266.doc •13· 201249750 備。 成形材料申視需要而含有黏合劑、潤滑劑、塑化劑或溶 劑。作為黏合劑，例如可使用：聚苯乙烯、聚乙烯、聚乙 烯丁醛、EVA(乙烯乙酸乙烯酯）樹脂、EEA(乙烯丙烯酸乙 S曰）樹月曰、丙烯酸系樹脂、纖維素系樹脂（硝基纖維素、乙 基纖維素）、聚氧化乙烯等。作為潤滑劑，可使用蠟類或 硬脂酸。作為塑化劑，可使用鄰苯二甲酸酯。作為溶劑， 可使用.甲苯、二甲苯等芳香族化合物，乙酸丁酯、松油 醇、丁基卡必醇乙酸酯、化學SCnH2n+i〇H(n=1〜4)所表示 之醇（例如異丙醇）等。若將水用作溶劑，則鈣鋁石化合物 發生水合之化學反應，因此有無法獲得穩定之漿料之虞。 n=l、2之醇（例如乙醇）亦存在易於水合之傾向，較佳為 n=3、4之醇。 可藉由將成形材料進行全張成形、擠壓成形或射出成形 而獲得成形體《由於可近淨形成形，即可生產性較佳地製 造接近最終製品之形狀，故而較佳為射出成形。 射出成形中，可預先將鈣鋁石化合物之粉末與黏合劑加 熱混練而準備成形材料，再將該成形材料投入射出成形 機，而獲得所需形狀之成形體。例如，將鈣鋁石化合物之 粉末與黏合劑加熱混練並進行冷卻，藉此獲得大小i mm〜10 mm左右之顆粒或粉末狀之成形材料。加熱混練 中，使用密閉型混練機等，藉由剪切力而解開粉末之凝 聚，且於粉末之1次粒子上包覆黏合劑。將該成形材料投 入射出成型機中，加熱至12(rc 〜25(rc而使黏合劑表現流 164266.doc •14· 201249750 動性。模具預先以5(rc〜8〇t：進行加熱，以3 Mpa〜1〇 Μρ& 之壓力向模具注入材料，藉此而可獲得所需之成形體。 或者’亦可將上述製備之粉末或混練物裝入模具中，並 對該模具進行加壓，藉此而形成所需形狀之成形體。模具 之加壓時’例如亦可利用等靜壓加壓（CIP，Cold Isostatic Pressing)處理，CIp處理時之壓力並無特別限制，例如為 50 MPa〜200 MPa之範圍。 又，於製備成形體之情形時，於成形體含有溶劑之情形 時’亦可預先將成形體於5〇t〜20(TC之溫度範圍内保持20 分鐘〜2小時左右，使溶劑揮發而去除。又，於成形體含有 黏合劑之情形時’較佳為預先將成形體於2〇〇〜8〇〇〇c之溫 度範圍内保持30分鐘〜6小時左右，或以5〇〇c /小時進行升 溫，而去除黏合劑。或者，亦可同時進行兩種處理。 繼而，加熱處理成形體等被處理體。再者，由於存在複 數個加熱處理之方法，故而以下分別針對代表性之2種加 熱處理方法進行說明。 (第1加熱處理方法） 第1加熱處理方法中，加熱處理係於123〇〇c〜1415。〇之高 溫之還原性氛圍中進行。 如上所述，「還原性氛圍」亦可為惰性氣體氛圍或減壓 環境（例如壓力為100 Pa以下之真空環境）。 此處，第1加熱處理方法中，將(：〇(一氧化碳）氣體用作 還原劑。C0氣體亦可自外部供給至被處理體所處之環境 中。亦可將被處理體配置於含有碳之容器。亦可將碳製片 164266.doc -15· 201249750 材配置於環境中’較佳為使用碳製容器尤其是帶蓋之碳製 容器）。 於使用碳製容器之情形時，於被處理體之高溫保持中自 碳製容器側產生co氣體。因此，鈣鋁石化合物之籠内之 游離氧離子與CO氣體依據以下之反應式而進行反應： O2+CO->C〇2+2e· (1)式 藉此’可將電子導入至鈣鋁石化合物之籠中。 保持被處理體之溫度為l23(rc〜1415t之範圍，尤其是 較佳為1250°C〜1380。(：之範圍，更佳為13〇〇〇c〜136〇<t之範 圍。於處理溫度低於123(rc之情形時，有無法對鈣鋁石化 合物賦予充分之導電性之虞。又，於處理溫度高於141代 之情形時，有組裝體中之㈣石化合物進行溶融而無法維 持被處理體之形狀之虞。 於高溫下之保持時間較佳為5分鐘〜48小時之範圍，更佳 為30分鐘〜12小時之範圍，進而較佳為i小時〜叫時之範 圍。於保持時間未達5分鐘之情形時，有無法獲得充分之 導電ϋ之;t X ’即便延長保持時間，於特性上亦並無特 別問題’但若考慮製作成本，則保持時間較佳為小時以 内0 藉由以上之加熱處理石化合物粉末燒結而形成燒 結體，並且㈣石化合物被還原而生成導電性㈣石化合 物。 (第2加熱處理方法） 繼而，針對第2加熱處理方法進行說明。 164266.doc -16- 201249750 於第2加熱處理方法中，&熱處理係於還原性氛圍下、 以1230°C〜136CTC之溫度範圍而進行。 其中，於第2加熱處理方法中’除c〇氣體以外亦將金屬 鋁蒸氣用作還原劑》 藉由金屬銘之還原力，而大量游離氧由以下反應而被取 代： 30 +2A1—>Al2〇3 + 6e. (2)式 金屬鋁蒸氣源並無特別限制’例如亦可為鋪滿鋁粉末而 構成之紹層°又’亦可為如銘碳化石夕（AlSiC)般之金屬紹與 碳化矽之複合材所代表的含金屬鋁之複合材料。 第2加熱處理方法中，例如於在含碳之容器内配置有被 處理體及鋁層之狀態下實施加熱處理。 再者，第2加熱處理方法中，環境中存在鋁。因此，將 氮氣用作惰性氣體欠佳。其原因在於：高溫下氮氣與紹發 生反應而生成氮化鋁。因此，於氛圍中含有氮氣之情形 時，藉由該氮氣而消耗鋁，鋁作為還原劑之效果消失。 於高溫下之保持時間與第1加熱處理方法相同。 以上，針對2種加熱處理方法進行說明。然而，該等為 例，亦可以其他方法實施加熱處理。尤其是，本發明 十’作為還原冑，亦可除⑶氣體及金屬|g以外使用例如 金屬鈣及/或金屬鈦等，或者與該等同時使用例如金屬鈣 及/或金屬鈦等。 可藉由以上步驟而製造導電性鈣鋁石化合物構件。 164266.doc •17· 201249750 (步驟S130:斷裂部分露出步驟） 如上所述’經過步驟S120所獲得之導電性㈣石化合物 構件於表面具有如氧化狀絕緣層，因此無法直接用作勞 光燈等之電極構件。 因此，本發明中於步驟S120之後，使用所獲得之導電性 鈣鋁石化合物構件，進行使斷裂部分露出之處理。 使斷裂部分露出之處理例如可藉由將導電性鈣鋁石化合 物構件於特定位置上進行切割、或折斷 '或者於特定位置 上劃傷而實施。 如上所述，藉由此種處理而露出之斷裂部分原本屬於導 電性鈣鋁石化合物構件之「内部」，因此並非如於剛煅燒 後之導電性鈣鋁石化合物構件之表面般由氧化鋁等絕緣層 覆蓋。因此，該斷裂部分可用作導電性鈣鋁石化合物之活 性表面。又，因此所獲得之導電性鈣鋁石化合物構件可直 接用作螢光燈等之電極構件。 圖2〜圖5中，模式性地表示使導電性鈣鋁石化合物構件 之斷裂部分露出時之步驟的一例。 於圖2之例中，藉由步驟S120，而形成具有於圓柱之一 前端部分具有圓錐狀部分之本體部21〇、及自該本體部21〇 之圓錐狀部分之頂點延伸之突起部220的導電性鈣鋁石化 合物構件200。 於該導電性鈣鋁石化合物構件2〇〇中，可藉由於本體部 210與突起部220之邊界附近折斷突起部220，而獲得於圓 雜之前端具有斷裂部分230之導電性鈣鋁石化合物構件 164266.doc 201249750 240。 另一方面，於圖3之例中，藉由步驟S12()，而形成具有 大致圓柱狀之本體部310、及自該本體部之一底面延伸 之第2圓柱部320的導電性鈣鋁石化合物構件3〇〇。 於該導電性約銘石化合物構件3〇〇中，可藉由於本體部 310與第2圓柱部320之邊界附近折斷第2圓柱部32〇，而獲 得於底面之中心附近具有斷裂部分33〇之大致圓柱狀之導 電性鈣鋁石化合物構件340。 又，於圖4之例中’藉由步驟S12〇，而形成具有大致短 條狀之本體部410、及自該本體部41 〇之一側面延伸之突出 部420的導電性鈣鋁石化合物構件4〇〇。 於該導電性妈銘石化合物構件4〇〇中，可藉由於本體部 4 !〇與突出部420之邊界附近折斷突出部420，而獲得於一 側面上具有斷裂部分430之大致短條狀之導電性鈣鋁石化 合物構件440。 進而’於圖5之例中，藉由步驟S120，而形成具有於内 部存在中空部分之圓筒狀之本體部5丨〇的導電性鈣鋁石化 合物構件500。 於該導電性鈣鋁石化合物構件5〇〇中，藉由將本體部5 1 0 於長度方向之中間部附近折斷而使中空部分露出。因此， 可獲得於開放端面上具有斷裂部分530、且一端封閉之圓 筒狀之導電性鈣鋁石化合物構件54〇。 從業者應明白，此外亦於各種態樣中可於導電性鈣鋁石 化合物構件之一部分使斷裂部分露出。 164266.doc 201249750 再者，於上述圖2〜圖5之例中，於步驟S130中，製造僅 於斷裂部分230、330 ' 43〇及53()之位置上具有活性表面之 導電性弼銘石化合物構件24〇、34〇、44〇、54〇。 關於此種具有相對「較小之」活性表面之導電性飼紹石 化。物構件（即’斷裂部分以外之所有表面被絕緣層覆 蓋之導電性鈣鋁石化合物構件），必需留心可充分用作螢 光燈等之電極之情況。其原因在於：於通常之螢光燈之情 形時，若於電極上僅存在少許活性部分，則可以此部分為 基點產生充分之放電並使之持續。尤其是，如電弧放電般 之自一點放電時較佳。 因此，於本發明中，必需留心於步驟s丨3〇之後未必需要 用於進而去除絕緣層而獲得活性表面之處理。 實施例 繼而，針對本發明之實施例進行說明。 (實施例1) 按以下之方法製作具有活性表面之導電性的鋁石化合物 構件》 (妈銘石化合物之合成） 以氧化鈣（CaO):氧化鋁（Ah〇3)之莫耳比換算計成為 12:7之方式混合碳酸鈣（CaC〇3)粉末313.5 g及氧化銘 (Ah〇3)粉末186.5 g。繼而，將該混合粉末於大氣中、以 300°C/小時之升溫速度加熱至1350°C，並於1350°C下保持 6小時。此後，將其以300°C /小時之冷卻速度降溫，獲得 約3 62 g之白色塊趙。 I64266.doc -20- 201249750 繼而’藉由氧化鋁製搗碎機將該白色塊體以大小成為約 5職之碎片之方式進行粉碎後，進而以氧化銘製自動研蛛 進打粗粉碎，獲得白色粒子（以下稱為粒子「Ai」）。藉由 f射繞射型散射法（SALD_2⑽、島津製作所公司製造）測 定所獲得之粒子A1之粒度，結果平均粒徑為20 μΐπ。 繼而，將粒子八】350 g、直徑5職之氧化錯球3 kg、及 作為粉碎溶劑之工業用£1等級之異丙醇35〇 Μ裝入2升之 氧化錯製容器中，於容器上蓋上氧化錯製之蓋後，以旋轉 速度94 rpm實施16小時球磨機粉碎處理。 處理後，使用所獲得之漿料進行吸引過濾，去除粉碎溶 劑又，將剩餘之物質裝入8〇t；之烘箱中乾燥1〇小時。藉 此，獲得白色粉末（以下稱為粉末「B1」）。乂射線繞射分 析之結果確認，所獲得之粉末扪為(：12八7結構。又，已知 藉由上述雷射繞射型散射法所獲得之粉末B1之平均粒徑為 3.3 μιη ° (約紹石化合物之成形體之製作） 混合以上述方法所獲得之粉末81 79.8 g、作為成形用黏 合劑之聚氧化乙烯13.0 g、作為塑化劑之鄰苯二曱酸二丁 醋0.2 g、及作為潤滑劑之硬脂酸7 〇 g，將該混合物加熱至 150°C並進行混練。將所獲得之混練物流入射出成形用之 成形模型中，使其冷卻至室溫，獲得成形體C1。 圖6中表示成形體C1之形狀。成形體C1具有本體部61〇 及前端部620。本體部610由圓柱狀部分及圓錐部分構成。 本體部610(圓柱狀部分）具有直徑為3.4 mm卢之底面，且全 164266.doc •21 · 201249750

(脫黏合劑處理 之前端處設置有 全長0.6 mm之桿

合劑處理。 600°C後，以2小時冷卻至室溫 上之狀態設置於電爐内，於 此後’進而以8小時加熱至 。藉此’獲得白色圓柱狀之 脫脂體D1。 (導電性鈣鋁石化合物之製作） 繼而，使用圖7中所示之裝置將脫脂體D1於高溫下進行 煅燒處理，製作導電性鈣鋁石化合物。 圖7中表不脫脂體D1之煅燒處理中所使用之裝置。如圖7 所不般’該裝置7〇〇具備：附有氧化鋁製之蓋715之氧化鋁 容器710、附有碳製之蓋735之第1碳容器730、及附有碳製 之蓋75 5之第2碳容器750。又，於氧化鋁容器71〇之底部配 置有鋪滿3 g金屬鋁粉末而構成之鋁層72〇。於裝置7〇〇為 高溫時’ IS層720成為產生鋁蒸氣之鋁蒸氣源。 氧化紹容器710具有外徑4〇 mmx内徑38 mmx高度40 mm 之大致圓筒狀之形狀。又，第1碳容器73〇具有外徑6〇 mmx内徑50 mmx高度60 mm之大致圓筒狀之形狀，第2碳 容器750具有外徑80 mmx内徑70 mmx高度75 mm之大致圆 筒狀之形狀。 該裝置700係以如下方式而使用。 164266.doc -22- 201249750 首先’將上述脫脂體D1配置於氧化鋁容器710内。此 時’於鋁層720上配置2個相同形狀之氧化鋁塊725，並進 而於該氧化鋁塊725上配置厚度為1 mm之氧化鋁板728。於 將脫脂體D1配置於該氧化鋁板728上後，於氧化鋁容器71〇 上蓋上蓋715。於該狀態下脫脂體di與鋁層72〇不直接接 觸0 繼而’將該裝置700設置於可調整氛圍之電爐内。又， 使用旋轉泵及機械增壓泵將爐内抽成真空。此後，於爐内 之塵力變成5 Pa以下後，開始裝置7〇〇之加熱，以3〇〇。(^小 時之升溫速度加熱至1250°C。將裝置700於該溫度下保持6 小時後’以300°C /小時之降溫速度冷卻至室溫。 藉由該處理，脫脂體D1燒結，而獲得大致圖6中所示之 形狀之燒結體E1。燒結體E1之相對密度為96.7%。 使用測試機研究燒結體E1之表面之導電性，結果電阻值 於任一處均為無法測定之程度之較高之值。 (評價） 為採取測定用樣品，將所獲得之燒結體E1以氧化鋁製自 動研缽進行粗粉碎。粗粉碎時，首先，將燒結體以氧化 鋁研缽粉碎，仔細去除表面之淡白色部分後，僅使用黑色 部分而實施。 所獲得之粉末呈焦茶色。X射線繞射分析之結果可知， 該粉末僅具有C12A7結構。又，根據所獲得之粉末之光擴 散反射光譜之波峰位置而求得的電子密度為丨， 導電率為17 S/cm。據此，確認燒結體扪為導電性鈣鋁石 164266.doc •23- 201249750 化合物》 (斷裂部分之露出） 另一方面，使用所獲得之燒結體E1，於本體部610與前 端部620之邊界折斷燒結體E1，而使斷裂面露出於本體部 610之前端。 使用測試機測定斷裂面之電阻值，結果確認電阻值為⑺ Ω左右’斷裂面具有充分之導電性。 (燈之製作） 繼而，使用露出斷裂部分之燒結㈣製作燈用之電極。 為於金屬錄中填縫，將露出斷裂面之燒結體以之表面使 用砂紙進行打磨。打磨之部分係與斷裂面不同之部分且與 金屬錦接觸之部分。此處，所謂「填縫」係指將燒結_ 擰入金屬鎳中使該等機械地接合。 首先，準備包含金屬鎳之有底之圓筒狀構件（以下稱為 「杯構件」）。該杯構件具有外徑3 2爪出卢内徑3 〇 冑度5,0顏、深度4.7mm之尺寸。又，杯構件之底 面預先連接有鎳基合金（科伐鐵鎳鈷合金）線。於該杯構件 之杯部分中插入露出斷裂部分之燒結體E1而使兩=社入。 此時，以燒結體E1之斷裂部分向外（即與杯構件之底°二° 反朝向）之方式使燒結體扪與杯狀構件結合。 _目 藉此’製作燈用之一組電極。 繼而，使用所獲得之電極製作燈。 首先，於外徑4 mm、内徑3贿之玻璃管之各 極間隔成為80 mm之方式將電極焊接 再者，該破 i64266.doc • 24 · 201249750 璃管於中央4分支為τ字型，該分支部分連接於排氣台。 繼而，將玻璃管之内部真空排氣至10·3 Pa後，直接以該 狀態於400 C下保持3〇分鐘。此後，將水銀12〇 mg導入玻 璃管内’並再次進行真空排氣至10·3 Pa。此後，將氬氣填 充於玻璃管内直至成為1000 Pa。 此後’將玻璃管之分支部分封管，自排氣台起以氣體燃 燒器切斷。藉此，製成兩端具有電極之燈。 (放電試驗） 於製作之燈中將1〇 kQ之電阻串聯，並使用特士拉線圈 於電極間施加500 V之電壓。藉此，開始放電，此後電極 間電壓固定為400 V。 如此’確認露出斷裂部分之燒結體E1可直接用作燈之電 極用構件。 (實施例2) 藉由與上述實施例1同樣之方法製作導電性鈣鋁石化合 物構件。但，該實施例2中，上述（導電性鈣鋁石化合物之 製作）之步驟之一部分與實施例1之情形不同。 具體而言’實施例2中，於圖7所示之處理裝置700中， 並未使用氧化鋁製之蓋715、氧化鋁容器710及鋁層720。 即’脫脂體D1直接裝入附有蓋735之第1碳容器730内，並 將該第1碳容器設置於附有蓋755之第2碳容器750内。 又，第2碳容器750内設為大氣壓，並於内部使氧濃度為 1 ppm之氮流通。锻燒溫度設為1300°C，保持時間設為6小 時。其他條件與實施例1之情形相同。 164266.doc -25· 201249750 /藉此，於上述（導電性鈣鋁石化合物之製作）步驟後，獲 得大致圖6中所示之形狀之燒結體E2。 使用測試機研究燒結體似表面之導電性，結果電阻值 於任一處均為無法測定之程度之較高之值。 為採取測定用樣品，而將所獲得之燒結⑽以氧化鋁製 自動研料行㈣碎粗粉碎時，首先，將燒結體Μ以氧 化鋁研缽粉碎，仔細去除表面之淡白色部分後僅使用黑 色部分而實施。 所獲得之粉末呈焦茶色。X射線繞射分析之結果可知， 該粉末僅具有C12A7結構。又’根據所獲得之粉末之光擴 散反射光譜之波峰位置而求得的電子密度為丨〇χ1〇2〇 cm.3， 導電率為1 S/cm。據此，確認燒結體E2為導電性鈣鋁石化 合物。 (斷裂部分之露出） 另一方面，使用所獲得之燒結體Ε2，於本體部61〇與前 端部620之邊界折斷燒結體Ε2，使斷裂面露出於本體部61〇 之前端。 使用測試機測定斷裂面之電阻值，結果，電阻值為1 左右，確認斷裂面具有充分之導電性β 與實施例1同樣地’使用於前端露出斷裂面之燒結體E2 製作燈。又，對該燈之放電特性進行評價。 其結果為，施加540 V之電極間電壓，結果放電開始， 此後電極間電位固定為420 V。 如此，確認藉由使燒結體E2露出斷裂面，而可將其直接 I64266.doc -26- 201249750 用作燈之電極。 本申請案係基於2011年5月13日向日本專利廳提出申請 之曰本專利特願201 1-107906者，且主張該申請案之優先 權’並藉由參照而包含該申請案之所有内容。 產業上之可利用性 本發明可應用於螢光燈等之電極構件中可使用之導電性 鈣鋁石化合物之製造方法。 【圖式簡單說明】 圖1係概略性地表示本發明之含有鈣鋁石化合物之構件 之製造方法之一例的流程圖.。 圖2係模式性地表示使含有導電性鈣鋁石化合物之構件 之斷裂部分露出之步驟之一例的圖。 圖3係模式性地表示使含有導電性鈣鋁石化合物之構件 之斷裂部分露出之步驟之一例的圖。 圖4係模式性地表示使含有導電性鈣鋁石化合物之構件 之斷裂部分露出之步驟之一例的圖。 圖5係模式性地表示使含有導電性鈣鋁石化合物之構件 之斷裂部分露出之步驟之一例的圖。 圖6係概略性地表示實施例1中使用之成形體C1之形狀的 圖。 圖7係概略性地表示實施例1中使用之處理裝置之構成的 圖。 【主要元件符號說明】 200 導電性鈣鋁石化合物構件 164266.doc • 27· 201249750 210 本體部 220 突起部 230 斷裂部分 240 具有斷裂部分之導電性触石化合物構件 300 導電性約紹石化合物構件 310 本體部 320 第2圓柱部 330 斷裂部分 340 具有斷裂部分之導電性鈣鋁石化合物構件 400 導電性鈣鋁石化合物構件 410 本體部 420 突出部 430 斷裂部分 440 具有斷裂部分之導電性鈣鋁石化合物構件 500 導電性妈銘石化合物構件 510 本體部 530 斷裂部分 540 具有斷裂部为之導電性弼銘石化合物構件 610 本體部 620 前端部 700 裝置 710 氧化鋁容器 715 氧化鋁製之蓋 720 鋁層 164266.doc -28- 201249750 725 氧化鋁塊 728 氧化鋁板 730 第1碳容器 735 碳製之蓋 750 第2碳容器 755 碳製之蓋 164266.doc ·29·

Claims (1)

1. 201249750 七、申請專利範圍： 1· 一種製造方法，其特徵在於： 人再係含有導電性鈣鋁石化 合物之構件之製造方法，且包括： (1)準備鈣鋁石化合物之粉末之步驟； ⑺於還原性氛圍中煅燒含有上述鈣紹石化合物之粉末 之被處理體，而獲得含有導電性鈣鋁石化合物之構件的 步驟；及 (3 )使上述導電性㈣石化合物之斷裂部分露出之步 驟。 2. 3. 4. 5. 6. 7. 如請求項1之製造方法’其中上述(3)之步驟包括如下步 驟：藉由將上述導電性鈣銘石化合物於特定之部分進行 切割而使上述斷裂部分露出。 如：求項1或2之製造方法’其中藉由上述(3)之步驟，而 獲得具有選自由圓柱狀、短條狀、杯狀及圓錐狀所組成 之群中之形狀的含有導電性鈣鋁石化合物之構件。 如請求項1之製造方法’其中上述(3)之步驟包括如下步 驟.於前端具有突起部之大致圓柱狀之含有導電性㈣ 石化合物之構件中，切割上述突起部。 如請求項14中任-項之製造方法，其中上述⑺之步驟 包括如下步驟··於含有C0氣體及/或鋁$氣源之環境下 將上述被處理體保持於^”充〜^^它之溫度範圍内。 如請求項5之製造方法’其中上述(2)之步驟係於將上述 被處理體裝入含有碳之容器中之狀態下進行。 如凊求項5之製造方法，其中上述(2)之步驟係於將上述 164266.doc 201249750 中之狀態下進 被處理體及上述鋁源裝入含有碳之容器 行。 164266.doc