201246728 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於檢測CPU、記憶體及其他類型之半導 體積體電路（下文稱作「1C」）之1C裝置之插座且特定言之 係關於配備用於半導體封裝測試之電容器功能之i c裝置插 座。 【先前技術】 當進行用於評估球栅陣列（BGA)裝置及其他1C裝置的信 號傳輸性質及類似性質之測試時，使用具有可各電連接至 ic裝置之端子之接觸件的插座（下文稱作「IC裝置插 座」）。近來’伴隨處理速度的加快，1C裝置所處理的信 號易成為高頻波信號。期望1C裝置插座能夠傳輸對應於此 專仏號之更南速度之兩速信號。此外，1C裝置之電源之操 作電壓繼續降低以減小電氣設備的電力消耗。因此，存在 為1C裝置提供穩定電源使得1C裝置能夠在高速下穩定運作 的需要。提供穩定的電源變得越來越重要，但是亦歸因於 1C裝置更快的速度及更低的電壓而更困難。 遍及高頻區控制電源及接地之阻抗對於在高速IC裝置運 作期間實現穩定電源很重要。需針對1C裝置插座降低此一 1C裝置插座中所包含的導電接觸引腳之自感。因此，厚且 短的導電接觸引腳通常被視作較佳。 國際公開案第2005-006003號揭示對應於專用於高速信 號傳輸之1C裝置插座之另一方法。如國際公開案第2〇〇5_ 006003號所揭示’「根據本發明的LSI插座101由三個組件 161755.doc 201246728 組成：印刷板102、彈簧引腳i〇3及彈簧引腳支撐外殼部分 104 ^印刷板1 〇2具有複數個通孔〗09，被施加不同電壓值 之一第一電源引腳105及一第二電源引腳1〇6、一 GND引腳 107及被用作信號引腳1〇8之彈簧引腳1〇3各插入該複數個 通孔109，在除信號引腳ι〇8所穿過之通孔ι〇9外之所有通 孔109之内表面中形成電鍍層116。」 如曰本未審查專利申請公開案第2009-85948號所揭示， 「通常，電源探測裝置之電容器安裝在接線圖案上，盡可 能地電靠近偵測插座底側之接線基板上方之裝置」及「晶 片電容器必須安裝在所偵測之裝置正下方之位置及偵測插 座之上半部分。」 先前技術文件 專利文件 [專利參考案1]國際公開案第2〇〇5 〇〇6〇〇3號 [專利參考案2]曰本未審查專利申請公開案第2〇〇9 85948號 發明者根據研究習知1C裝置插座之結果發現下列問題。 具體言之，上述導電接觸引腳較佳製作成厚且短。但是， 導電接觸引腳之厚度必定受限於職置端子之間之間距之 變窄。同時’#導電接觸引腳重複使用時，其等之穩定性 降低’且因此其等通常歸因於導電接觸引腳之高成本而根 據需要被更換。因& ’在更換導電接觸引腳時，考慮到可 作f生’導電接觸引腳需具有特定長度或更長。此外，當 將彈簧探針用作導電接觸引腳時，若探針長度短，則針轴 之運作長度變短，且若基板或半導體封裝不平坦，則無法 161755.doc 201246728 保證ic裝置端子與此等彈簧探針之間的有利接觸狀態。 或者’歸因於由將電容器直接連接至安裝在1C裝置插座 或1C裝置插座外殼中之導電接觸引腳電源引腳及接地引腳 所導致之信號引腳電感之阻抗增大藉由電容器之電容復 原，因此降低阻抗。但是，當電容器直接連接至導電接觸 引腳或1C裝置插座外殼時，1C裝置插座所佔據的體積增 大。在此情況中，擔心這可能干擾1C裝置插座之導電接觸 引腳之高密度型樣之配置。即使電容器可靠近1C裝置插座 之基板或外殼配置並連接，電容器仍僅可配置及連接在距 離導電接觸引腳數毫米的位置上。在此情況中，擔心電容 器效果可能歸因於由至電容器之接線之長度所導致之自電 感而無法生效。 本發明具有解決上述問題之基本結構。具體言之，本發 明配備一種結構，其容許透過提供在插座側上之特性實現 1C裝置之穩定運作，而在更換導電接觸引腳時不會導致可 工作性之降低。 近來’伴隨更低電壓及更高速度之1C裝置諸如LSI裝置 及類似裝置，電源之穩定性對於實現1C裝置之穩定運作日 益重要（在低電壓驅動1C裝置中，使用電力分佈網路（下文 稱作PDN)降低阻抗很重要且在高速運作1C裝置中，需要 高頻率下PDN之低阻抗）。為了以此方式實現1(：裝置之適 當運作，PDN之低阻抗很關鍵且PDN中之電源路徑及接地 路徑之阻抗需有效降低。上述PDN由檢測裝置之一電路基 板（接線及類似物）、一 1C裝置封裝或類似物及配置在π裝 I6l755.doc -6· 201246728 置與電路基板之間之一 ic裝置插座之電路元件組成。舉例 而言’在本發明之基本結構中，一電力層及一接地層透過 絕緣材料嵌入一插座基板内使得如遍及整個PDN所見之電 源路徑及接地路徑之阻抗歸因於電源及接地層中之電容器 功能而降至特定程度。 相反地’電源路徑及接地路徑之各阻抗之頻率回應可視 作組成上述PDN之電路元件之頻率回應。具體言之，由於 導體表現為電感且兩個導體（諸如電力層與接地層）之間之 關係視作電容及互感’故PDN表現為由複數個電感、電容 及電阻組成之一電路。因此，PDN中之電源路徑及接地路 徑之電感展現頻率依賴性且可能發生來自由共振及反共振 導致之特徵頻率之總PDN電感之增大。當pdN電感以此方 式增大時，歸因於電源穩定性的損失，電源之小心控制變 得重要。 本發明係形成以解決上述問題，且本發明之目的係提供 種1C裝置插座，其配備可有效抑制歸因於更低電壓及更 高速度之1C裝置之電源之不穩定之一結構。 【發明内容】 為解決上述問題’根據本發明之IC裝置插座包含一基板 及複數個導電接觸引腳。基板包含一第一表面、面向第一 表面之一第二表面及各與第一表面及第二表面連通且各在 其内表面上具有導電材料之複數個通孔。複數個導電接觸 引腳由基板固持為導電接觸引腳之一些插入複數個通孔之 任意者之狀態。基板包含一基底材料、一介電層、一第一 161755.doc 201246728 導電層及一第二導電層。基底材料包含第一表面、第二表 面及複通孔。介電層以與複數個通孔交叉之狀態提供 在基底材料之第一表面與第二表面之間且具有高於基底材 料之介電常數。基底材料之第一導電層及第二導電層沿著 從基板之第一表面朝向第二表面之方向夾著介電層。 根據本申請案之IC裝置插座由組成電容器之介電層及導 電層及嵌入介電層及導電層之基底材料形成為大致整合基 板。因此，導電接觸引腳與電容器之間之距離極小，且因 此此一 ic裝置插座之效能可改良。此外，導電接觸引腳藉 由壓配合至基底材料中而固持。基底材料用作導電接觸引 腳之支樓’因此免除對支撐導電接觸引腳之另一組件之需 要0 根據本發明之1(：裝置插座之特定特徵係由第一導電層或 第二導電層之至少一者之最外周邊所界定之表面積小於由 第一表面之最外周邊所界定之表面積。 此複數個導電接觸引腳包含複數個第一導電接觸引腳及 具有與複數個第一導電接觸引腳不同之連接狀態之複數個 第二導電接觸引腳。具體言之，複數個第一導電接觸引腳 插入複數個通孔之任意者以製作與對應於該等群組之導電 材料之接觸。複數個第二導電接觸引腳插入複數個通孔之 任意者但保持與第一導電層或第二導電層無接觸之狀態。 此無接觸狀態指的是與對應於引腳之導電材料無接觸或指 的是相應導電材料處於與第一導電層及第二導電 之狀態。在此情況中，第一導電層經由相應導電材料電連 161755.doc 201246728 接至複數個第一導電接觸引腳之任意者。相反地，第二導 電層經由相應導電材料電連接至除連接至第一導電層之第 一導電接觸引腳以外之複數個第一導電接觸引腳之任意 者。 根據本發明之IC裝置插座之上述複數個第一導電接觸引 腳被劃分為僅電連接至第一導電層之第一群組（例如，電 源引腳群組）及僅電連接至第二導電層之第二群組（例如， 接地引腳群組此外，未電連接至第一導電層或第二導 電層之複數個第二導電接觸引腳用作信號引腳。 注意第一導電層或第二導電層之至少一者之最外周邊較 佳定位為根據本發明之1(：裝置插座中之基板（或基底材料） 之第一表面之最外周邊以内不小於25 μηι。 根據本發明之ic裝置插座具有一可更換結構作為一 pDN 電路元件且展現在固持複數個導電引腳之基板内自由調節 之電容。可藉以此方式併入1(：裝置插座作為一pDN電路元 件而有效抑制伴隨低電壓高速IC裝置之電源不穩定。 【實施方式】 下文將參考圖1至圖丨2描述根據本發明之IC裝置插座之 實施例°在各圖式中，相同元件符號指定相同或類似元件 且重複描述省略。 本文將參考圖1至圖4詳細描述根據本實施例之IC裝置插 座之基本結構。 圖1係根據本發明之1C裝置插座之一第一實施例之一結 構之一透視圖。圖2繪示沿著線Π-ΙΙ之圖1所示之ic裝置插 161755.doc 201246728 座之一截面圖。圖3係圖i所示之Ic裝置插座丨之一基板2之 一結構之一平面圖。圖3中的箭頭L·大致匹配圖2中的線„· II。一 1C裝置插座1包含基板2、藉由壓配合或類似方法固 持在基板2中之複數個導電接觸引腳3及支撐基板2之一導 向體4。導向體4包含用於將—待檢IC裝置（未繪示）配置在 基板2上之特定位置之一導向部或導向壁41且進一步包含 用於將1C裝置插座1配置在用於檢測1(：裝置之一檢測裝置 (未繪示）中之特定位置之一定位單元（本實施例中圖2所示 之一定位引腳42)。導向體4根據需要可併入1(：裝置插座 1。此外，基板2可具有一定位孔或凹口以與定位構件協 作。 圖4係圖2所示之截面結構之一部分m之一放大圖。如圖 4所示，基板2包含由介電質（諸如玻璃纖維環氧樹脂）組成 之基底材料21及嵌入基底材料21之至少一（圖3中繪示四個 作為實例）介電層22至25(第一至第四介電層）且銅及類似物 質之導電層形成在介電層之上表面及下表面上。因此，介 電層及導電層形成在其等之兩個表面上以協作組成一電容 器。具體言之，藉由堆疊組成基底材料21、導電層及介電 層之材料（基底材料之一部分）形成基板2。介電層之介電常 數較佳係高以改良電容器之電容量。舉例而言，介電層22 至25較佳由具有高於基底材料21之介電常數之高介電質組 成。舉例而言’由3Μ製造的嵌入電容材料（ECM)可用作高 介電質。ECM由形成為可撓片之介電材料製成。可使用用 於製作印刷電路板之方法製作此類型之基板。 I61755.doc •10· 201246728 組成基板2之材料（即基底材料21材料）可包含紙取代玻 璃纖維且可包含酚醛樹脂或聚醯胺樹脂取代環氧樹脂。亦 可使用銀或金取代銅作為組成導電層之材料。介電層22至 25可各包含聚合物。介電層22至25較佳各包含聚合物及複 數個顆粒且特定言之藉由將樹脂與顆粒混合而製作。適用 的樹脂包含環氧樹脂、聚醯胺、聚氟亞乙烯、氰基乙基支 鏈澱粉、苯並環丁烯、聚降冰片烯、聚四氟乙烯、丙烯酸 酯或其等之組合。顆粒包含介電（或絕緣）顆粒且代表性實 例包含鈦酸鋇、鈦酸鋇鳃、氧化鈦、锆鈦酸鉛或其等之組 合。 介電層22至25之各者之厚度可為舉例而言〇5 μπ1或更大 及100 μηι或更小。介電層之厚度較佳較薄，舉例而言具有 15 μιη或更小或1〇 μηι或更小之厚度，因電容器之靜電容量 可改良。但是’從接合強度之觀點看介電層之厚度較佳為 舉例而言1 μιη或更大之厚度。 此外’介電質之相對介電常數較佳係高，例如1〇或更大 或12或更大。雖然不存在對上限的特定限制，但是相對介 電常數可為舉例而言100或更小、40或更小或20或更小。 有利地藉由使用具有針對介電層22至25之高介電常數之 材料實現兩個鄰近電容器之間之小距離。當兩個電容器彼 此鄰近時’在組成一電容器之電力層與組成另一鄰近電容 器之接地層（下文稱作GND層）之間形成靜電容量。當使用 導電層之間之高介電質以較佳形成靜電電容時，即使當形 成一電容器之一介電層之間之距離與兩個鄰近電容器之間 161755.doc 201246728 的距離相同時’由一電容器所產生之靜電電容仍增大。可 使鄰近電容器之間之距離相對較小，因此有利於製作薄基 板2。 形成在介電層22至25之任一側上之導電層之一者由電連 接至1C裝置插座！之電源引腳之一電力層組成且另一導電 層組成電連接至1C裝置插座1之接地引腳（下文稱作GND引 腳）之一 GND層。具體言之，一第一電力層222形成在最靠 近基板2之1C裝置侧上之一表面26(圖2中之上表面）之第一 介電層22之一上表面221上且一第一 GND層224形成在下表 面223上。類似地，一第二電力層232形成在定位在第一介 電層22正下方之第二介電層23之一上表面23丨上且一第一 GND層234形成在一下表面233上。此外，一第四電力層 252形成在最靠近基板2之檢測裝置側上之一表面27(圖2中 之下表面）之第四介電層25之一上表面251上且一第四GND 層254形成在一下表面253上。類似地，一第三電力層242 形成在定位在第四介電層25正上方之第三介電層24之一上 表面241上且一第三GND層244形成在一下表面243上。圖4 所示之基本結構繪示基板2之上表面26匹配基底材料21之 上表面且基板2之下表面27匹配基底材料21之下表面。 第一電力層222具有與第三電力層242大致相同之電位且 第二電力層232具有與第四電力層252大致相同之電位。類 似地，第一GND層224具有與第三GND層244大致相同之電 位且第二GND層234具有與第四GND層254大致相同之電 位0 161755.doc •12· 201246728 形成在基板2兩側上之介電層及導電層配置為遍及整個 基板2»因此，可形成大致等於基板2之表面積之電容器之 表面積。 導電接觸引腳3之各者在穿過基板2之上層26及下層27之 大致垂直方向上穿透基板2。具體言之，在組成基板2之基 底材料21以及形成在基板2兩側上之介電層及導電層中形 成可插入導電接觸引腳3之通孔28。藉由在通孔28之内側 表面上藉由電鍍或類似方法形成銅、金、銀或類似物之導 電材料28 1。除作為信號引腳之導電接觸引腳3外，裝配至 通孔28中的導電接觸引腳3之引腳主體31根據導電材料281 至導電層之任一者之導電連接透過導電材料281導電連接 至導電層之任意者。彳s说引腳之孔之内表面可以或可以不 必用導電材料281形成。 決定通孔28之尺寸以容許導電接觸引腳3固持在通孔中 而不歸因於在將1C裝置插座1配置在檢測裝置基板上時所 產生之安裝在導電接觸引腳3中之彈簧之反作用力而掉 出。舉例而言，導電接觸引腳3之壓配合失緊力較佳為〇 ι N或更大。以在更換或維護導電接觸引腳3時可相當容易地 移除導電接觸引腳3之此一方式決定通孔28之尺寸。此 外，以在將導電接觸引腳3從基板2移除時通孔28之内表面 上之導電材料281不脫落之此一方式決定通孔。之尺寸。 舉例而言，導電接觸引腳3之壓配合失緊力較佳不大於2〇 N。 導電接觸引腳3之各者包含藉由壓配合固持在基板2中之 161755.doc -13- 201246728 大致圓柱形引腳主醴31、可藉由從引腳主鱧31之一末端 (圖3中之下端）突出而電接觸（即導電連接）檢測裝置（未繪 不）之一第一接觸部32及可藉由從引腳主體31之另一末端 (圖3中之上端）突出而電接觸（即導電連接）IC裝置（未繪示） 之一第二接觸部33。雖然各種模式可用作導電接觸引腳 3，但是所謂彈簧探針型（其中接觸部32與33兩者可藉由彈 簧及類似物（未繪示）在引腳主體3 !之軸向上相對於引腳主 體31移位）較佳。 導電接觸引腳3之引腳主體31之形狀較佳為圓柱形。當 導電接觸引腳3以此方式成形時，導電接觸引腳3可容易地 配置在通孔28之大致軸向上，因引腳主體31之外表面遍及 寬表面積接觸通孔28。可實現電穩定連接，因導電材料 281與導電接觸引腳3之接觸表面積增大。 導電接觸引腳3劃分為電連接至上述電力層之電源引腳 群組、連接至GND層之GND引腳群組及不連接至該等層之 任意者之k號引腳群組。舉例而言，如圖3所示，導電接 觸引腳3b與3 i各連接至第一電力層222與第三電力層242兩 者以用作第一電源引腳。導電接觸引腳孔與打各連接至第 二電力層232與第四電力層252兩者以用作第二電源引腳。 類似地，導電接觸引腳3a與3h各連接至第一 GND層224與 第三GND層244兩者以用作第一 GND引腳。導電接觸引腳 3d與3g各連接至第二GND層234與第四GND層254兩者以用 作第二GND引腳。導電接觸引腳3e不連接至導電層之任意 者且因此用作一信號引腳。 161755.doc -14- 201246728 根據本基本結構，大致整合基板2由形成在其兩側上組 成電容器之介電層及導電層及嵌入介電層及導電層之基底 材料形成。因此’導電接觸引腳3與電容器之間之距離極 小’且因此1C裝置插座1之效能可改良。此外，導電接觸 引腳3藉由摩擦力固持（或較佳壓配合）在基板2中。因此， 基板2充當導電接觸引腳3之支撐，因此免除對支撐導電接 觸引腳3之另一組件之需要。具體言之，導電接觸引腳3大 致僅藉由基板2固持及定位。此外，可藉由使用由高介電 質組成之介電層達成基板2之進一步薄化。 如圖4所示’由被基板2之高介電質（介電層）與gnd層夾 著之電力層組成之電容器較佳提供在盡可能靠近基板2之 上表面26及下表面27(其等各自匹配基底材料21之上表面 及下表面），即外側之位置上。如此的原因在於當基板2之 導電層與外表面之間的距離小時可在IC裝置檢測期間達成 所要的電源穩定性。更具體言之，基板2之上表面26與第 一介電層22及第二介電層23之間之距離越小，受檢IC裝置 之輸入靈敏度越大。因此，第一介電層22及第二介電層23 較佳相對於基板2之上表面26與下表面27之間的中間點朝 向上表面26側配置。此外，第三介電層24及第四介電層25 較佳相對於基板2之上表面26與下表面27之間的中間點朝 向下表面27側配置。在本基本結構中，基板2形成為大致 整合物體，其中嵌入之介電層由被電力層與〇1^1)層夾著的 高介電質組成。因此，可容易地實現電容器配置在基板2 之外表面附近之結構，因此容許精確的IC裝置檢測。 I61755.doc 201246728 具體言之’導電接觸引腳3大致僅由基板2固持。因此， 電容器可配置在基板2中的任意位置上。此外，基板2在其 中心附近之厚度方向上可進一步包含由形成在其兩側上之 介電層及導電層組成之電容器。 從電特性及類似特性之觀點看，各導電接觸引腳3之長 度較佳較短。但是，隨著導電接觸引腳3之長度變得更 短’更換引腳時的操作及組裝變得更困難。相反地，根據 本基本結構’即使在使用相對較長導電接觸引腳3時，仍 無需考慮1C裝置插座1效能之降低，因為當歸因於基板2之 結構及電容值之控制而在實際上使用較短彈簧引腳時可在 所要頻率下或低於所要頻率達成對電特性之類似效果。 右引腳主體31之長度長於基板2之厚度，則導電接觸引 腳3亦有效地變得更長，因此降低電特性。相反地，若引 腳主體31之長度短於基板2之厚度使得引腳主體31之軸向 末^«0疋位為比導電層之任意者離基板中心更遠，則從導電 接觸引腳3到達導電層之路徑變得複雜，因此降低IC裝置 插座之效能。因此，導電接觸引腳3之引腳主體31之軸向 長度較佳大約等於基板2之厚度。 此外’具有本發明之基本結構之上述1C裝置插座1包含 舉例而言四個介電層22至25(電力層及Gnd層形成在介電 層22至25之各者之兩側上）經由基底材料21之部分堆疊之 一結構。根據本結構，在具有1C裝置插座1之一封裝内不 同電源設定及不同接地設定可行，因為對於舉例而言第一 電力層222及第二電力層224不同電位設定可行。 161755.doc •16· 201246728 包含ic裝置插座1之PDN中之供電系統及接地路徑之阻 抗可抑制到一程度，因為在基板2内部可藉由用電力層與 GND層夾著介電層而實現電容器功能以在如上所述之本發 明之基本結構中改良高頻率下之信號傳輸效率。但是，為 了更有效地改良伴隨更低電壓及更高速度之1C裝置之電源 之穩定性，根據本發明之1C裝置插座達成可藉由使用基板 2内之電容器功能而實現之結構自由調節之電容值。具體 言之’由於1C裝置插座具有可併入PDN充當1C裝置之電源 供應之一結構，故1C裝置插座可用作用於控制整個PDN之 阻抗之主元件。 舉例而言’當電容C直接連接時（〇j = 27cf，其中f係頻 率）’由電感L及電阻R組成之阻抗係由方程式（R+jojL)及方 程式（R+jcoL+l/(jcoC))給定》藉由添加電容C，一方面電容 對阻抗之效果在低頻率下變得突出，且另一方面電感對阻 抗之效果在高頻率下變得突出。如從上述方程式可見，由 複數個電容C及複數個電感L組成之電路根據頻率顯示複雜 表現。因此，藉由添加複數個不同電容值，可在寬範圍之 頻率中控制阻抗。 習知地，當電容僅在低頻區中影響PDN之阻抗時，添加 一個電容係足夠◎但是，在高頻區中，需要更精確的控制 以將阻抗值維持在所要位準或低於所要位準。 由於平行板電容器之電容由方程式e*(S/d)(其中s係表面 積；d係導電板之間之距離且8係介電常數）給定故可藉 由知_供更寬表面積而達成更高電容值。但是可藉由更改表 I61755.doc 201246728 面積而改變電容值以進行精確控制。 鑑於上述技術考慮，由夾著介電層之電力層或GND層之 至少一者之最外周邊所界定之表面積設定為小於由基板 2(或基底材料21)之上表面26(或下表面27)之最外周邊所界 定之表面積從而可達成所要電容值。 為簡潔起見’在下文所述之實例中，一方面，與基板2 之上表面26及下表面27相關之電力層具有相對於基板2之 上表面26及下表面27相關之小的表面積且另一方面經由電 力層及介電層組態電容器之GND層具有匹配基板2之上表 面26及下表面27之表面積。 圖5描述一電力層之一表面積。圖5係對應於圖3所示之 平面圖中之部分IV之一電力層2101之一部分之一結構之一 平面圖。如圖5所示，電力層2101在對應於基板2中所提供 之通孔28之位置上具有帶不同直徑之兩種類型之開口 28〇a 及280b。電力層2101中所提供之兩種類型之開口 28〇a及 280b配置在沿著圖5中之箭頭L1之方向上，箭頭L1匹配圖3 中之線L。開口 280a具有大致匹配通孔28之直徑之一直徑 或更具體言之具有容許與通孔28及電力層2101之内表面上 形成之導電材料281維持適當的電接觸之孔直徑。相反 地，開口 280b具有大於通孔28之直徑之一直徑或更具體言 之具有例如比通孔2 8之直徑大大約5 0 μιη之孔直徑且可與 通孔28及電力層2101之内表面上形成之導電材料281維持 適當的電隔離狀態。 GND層亦具有一平坦形狀，該平坦形狀包括具有類似於 161755.doc •18· 201246728 上述電力層2101之直徑之兩種類型之開口。 在圖5所示之實例中’電力層2101未如上述基本結構中 所述配置在基板2之整個表面之上。具體言之，在gnd層 配置在整個基板2表面之上之圖5所示之實例中，藉由更改 電力層2101之表面積調節當沿著從基板2之上表面26朝向 下表面27之方向觀看時GND層與電力層2101重疊之一區域 (組成電容器之區域）之表面積。具體言之，電力層21〇1之 表面積界定為由指示電力層2101之最外周邊之實線S222所 圍繞之區域之表面積。雖然開口 280a及280b存在於實線 222所圍繞之區域内’但是開口 280a及280b之表面積所佔 據之表面積不視作上文定義的電力層21〇1之表面積。 接下來’將參考圖6及圖7描述基板2上之電力層之配置 之實例。在圖6所示之第一配置實例中，電力層2丨〇2之平 坦形狀具有類似於基板2之形狀。但是，電力層21〇2之由 其最外周邊所界定之表面積小於基板2之上表面26或下表 面27之由其最外周邊（圖6中之實線）所界定之表面積。具體 言之’電力層2102之最外周邊定位在基板2以内距離基板2 之最外周邊（圖6中的虛線）不小於25 μιη。 當藉由高介電常數介電層被兩個導電層夾著之結構組態 平行板電容器時’在兩個導電層之間之距離變得更小時可 達成更高電容值。因此’採用導電層之間距離小之平行板 電容器以容許電容值之寬範圍之更改β但是，在基板製作 過程中’當使用銑床或模具機械形成基板之輪廓時，或使 用鑽孔機在基板中鑽孔時，可能出現缺陷。具體言之，當 161755.doc 19 λ 201246728 兩個導電層兩者之邊緣觸碰基板之外表面時，兩個導電層 可能在基板形成過程_短路《作為對策，藉由將導電層之 最外周邊偏移至基板之最外周邊以内而改良基板製作產 率。此外’在基板製作過程中製作導電層之平坦形狀後， 當藉由在介電層上熱擠壓導電層而形成電容器或當使用鑽 孔機在基板中鑽孔時’可能出現其他缺陷。具體言之，完 全移除夾著介電層之兩個導電層之間之位置偏差不可行。 因此’將導電層之最外周邊設至基板之最外周邊以内不小 於25 μπι或較佳不小於50 μιη有效。 在圖7所示之實例中，電力層21〇3之平坦形狀形成為不 同於基板2。電力層2103可以不包含配置有導電接觸引腳3 之整個區域。在圖7所示之第一配置實例中，電力層2103 之由其最外周邊界定之表面積小於基板2之上表面26或下 表面27之由其最外周邊（圖7中之實線）界定之表面積。 具有上述平坦形狀之電力層與GND層之間之配置關係之 一實例繪示在圖8中。圖8繪示圖3中之部分V所示之通孔附 近之一區段之一導電層配置之一空間圖且繪示用作信號引 腳之導電接觸引腳3所插入之通孔附近之一結構。圖8中省 略介電層以及組成基底材料之一部分之絕緣材料。 如圖8所示，導電材料281形成在用作信號引腳之導電接 觸引腳3所插入之通孔28之内表面上，且電力層2104中之 開口 280a及GND層2201中之開口 280b定位在導電材料281 之位置上。根據本結構，電力層21 〇4電接觸導電材料281 且GND層2201歸因於開口 280b與導電材料281電隔離。藉 161755.doc -20- 201246728 由如從基板2之上表面26朝向下表面27之方向上（在沿著通 孔28之中心軸AX之方向上）所見之電力層2104與GND層 2201重疊之區域AR之表面積調節由以此方式組態之電力 層20 14及GND層2201所組態之電容器之電容值。 在上述實施例中，雖然GND層配置在基板2之整個表面 之上’但是藉由調節電力層之表面積而調節1(：裝置插座1 之電容值。但是，本發明不限於本實施例。可藉由當電力 層配置在基板2之整個表面之上時調節GND層之表面積之 結構實現根據本發明之1C裝置插座。舉例而言，明顯電力 層與GND層兩者之表面積可小於基板2之上表面26或下表 面27之表面積。此外，電力層及gnD層之表面積未必需要 不同。組成電容器之電力層及GND層之表面積可匹配，只 要其等小於基板2之上表面26或下表面27之表面積。 如上所述之根據本發明之1C裝置插座具有一可更換結構 作為用於給1C裝置供電之一PDN電路元件且展現可在固持 複數個導電引腳之基板内自由調節之電容。可藉由以此方 式併入1C裝置插座作為一 PDN電路元件而有效抑制伴隨低 電壓、高速1C裝置之電源不穩定。 此外’根據本發明之導電接觸引腳3被基板2固持在1C裝 置插座1中之配置可採用多種配置型樣，而不限於如圖3、 圖6及圖7所示之矩形形狀。此外，可自由設定被所採用之 導電接觸引腳3之連續圖案劃分之導電層（電力層及/或gnd 層）之表面積及形狀。此一實例繪示在圖9至圖12中。圖9 至圖12係根據本實施例之1C裝置插座之基板之平面圖且描 161755.doc •21 · 201246728 述被劃分為引腳配置之導電層之位置關係之其他實例。圖 9至圖12遵循圖6及圖7中之實例且指示對應於基板2及導電 層之元件（提供在介電層之一者之一表面上之導電層）之位 置關係。 在圖9所示之實例中，基板2a中之導電接觸引腳3配置在 被矩形外周邊與矩形内周邊夾著之一矩形環形區域中；且 配置在基板2a内之導電層被絕緣區域2900a劃分為水平方 向上的兩個分段區域2105a及2105b。分段區域2105a及 2105b各具有小於基板2a之上表面26或下表面27之任一者 之表面積且分段區域2105 a及2105b之形狀可自由設定。 在圖10所示之實例中’導電接觸引腳3配置在基板沘中 之内矩形區域t且亦配置在圍繞内矩形區域之矩形環形區 域中。在此情況中’可藉由容許分段區域21〇63圍繞分段 區域2106b而舉例而言經由絕緣區域29〇〇b劃分配置在基板 2b内之導電層從而可針對分段區域21 〇6&及2丨〇61?設定不同 電位β分段區域2106a及2106b各具有小於基板2b之上表面 26或下表面27之任一者之表面積且分段區域21〇6&及2 i〇6b 之形狀可自由設定。 在圖11所示之實例中，導電接觸引腳3係沿著基板2c中 之一矩形區域之最外周邊配置。在此情況中，舉例而言經 由絕緣區域2900c將配置在基板2c内之導電層割分為具有 遵循導電接觸引腳3之順序配置之形狀之分段區域2〗〇7a及 21071^從而可針對分段區域21〇7&及21〇71)設定不同電位。 分段區域2107a及2107b各具有小於基板2b之上表面26或下 161755.doc -22- 201246728 表面27之任一者之表面積且分段區域21〇73及21〇71)之形狀 可自由設定。 在圖12所示之實例中’導電接觸引腳3配置為基板2(1中 在其間具有特定距離之兩列。在此情況中，可舉例而言經 由絕緣區域2900d將配置在基板2d内之導電層劃分為對應 於該等列之分段區域2108a及2 108b從而可針對分段區域 2108a及2108b設定不同電位。分段區域2i〇8a及2108b各具 有小於基板2d之上表面26或下表面27之任一者之表面積且 分段區域2108a及2108b之形狀可自由設定。 1·.. 1C裝置插座；2、2a、2b、2c、2d...基板；21.··基底 材料；22 至 25…介電層；222、232、242、252、2101 至 2104、2105a、2105b、2106a、2106b、2107a、2107b、 2108a、2108b...電力層；224、234、244、254、 2201...GND層；28··.通孔；3、3a至3i...導電接觸引腳；31 引腳主體；32...第一接觸部；33…第二接觸部；4·..導向 體；2900a、2900b、2900c、2900d…絕緣區域。 下文係根據本發明之態樣之一 1C裝置之一插座之例示性 實施例。 實施例1係一 1C插座’其包括：一基板，其具有一第一 表面，一第二表面，其面向第一表面；及複數個通孔，其 等各與第一表面及第二表面連通且各在其内表面上具有導 電材料；及複數個導電接觸引腳，其等之一部分插入複數 個通孔之任意者中；其中，基板包括：一基底材料，其具 有第一表面、第二表面及複數個通孔；一介電層，其係以 161755.doc -23- 201246728 與複數個通孔交叉之狀態提供在基底材料之第一表面與第 二表面之間’介電層具有高於基底材料之介電常數；及一 第一導電層及一第二導電層，其等沿著基底材料之第一表 面面向第二表面之方向夾著介電層；及其中複數個導電接 觸引腳包括：複數個第一導電接觸引腳，其等之部分插入 複數個通孔之任意者中使得其等之部分觸碰相應導電材 料；及複數個第二導電接觸引腳，其等之部分插入除複數 個第一導電接觸引腳插入之通孔以外之複數個通孔之任意 者中使得其等之部分不觸碰相應導電材料或相應導電材料 不觸碰第一導電層及第二導電層；及其中，第一導電層至 少經由相應導電材料電連接至複數個第一導電接觸引腳之 任意者，而第二導電層經由相應導電材料電連接至除連接 至第一導電層之第一導電接觸引腳以外之複數個第一導電 接觸引腳之任意者，且由第一導電層及第二導電層之至少 一者之最外周邊所界定之表面積小於由第一表面之最外周 邊所界定之表面積。 實施例2係根據實施例1之ic插座’其中第一導電層及第 二導電層之至少一者之最外周邊定位至第一表面之最外周 邊以内不小於25 μιη。 實施例3係根據實施例1之1C插座，其中藉由改變當從第 一表面朝向第二表面觀看時第一導電層與第二導電層重疊 之表面積之一部分而控制第一導電層與第二導電層之間之 電容。 實施例4係根據實施例1之1C插座，其進一步包括支撐基 161755.doc • 24. 201246728 板之一導向體；其中導向體包含將待檢ic裝置配置在基板 上之特定位置之一導向部及將IC裝置插座配置在用於檢測 1C裝置之一檢測裝置之特定位置之定位部。 雖然已為了描述較佳實施例之目的闡釋及描述了特定實 施例’但是一般技術者應瞭解可在不脫離本發明之範圍的 情況下用適於達成相同目的之多種替代及/或等效實施方 案取代所繪示及描述之特定實施例。熟習機械、電子機械 及電氣技術者易瞭解本發明可實施為非常多種實施例。本 申凊案旨在覆蓋本文所述之較佳實施例之任意選用或變 化。因此，本發明明顯旨在僅受限於申請專利範圍及其等 效物。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明之1C裝置插座之一第一實施例之一結 構之一透視圖。 圖2繪示沿著線IMI之圖i所示之IC裝置插座之截面圖。 圖3係圖1所示之1C裝置插座之一基板之一結構之一平面 圖。 圖4係圖2所示之截面結構之一部分m之一放大圖。 圖5描述一電力層之一表面積。 圖6繪示面向基板之一正面之一電力層之一第一配置實 例0 圖7繪示面向基板之一正面之一電力層之一第二配置實 例0 圖8繪示圖3中部分ν中所示之通孔附近之一區段之—導 161755.doc -25- 201246728 電層配置之一空間圖。 圖9係根據本實施例之1C裝置插座之一基板之一第一平 面圖且描述劃分為引腳配置之導電層之位置關係之另一實 例（部分1)。 圖10係根據本實施例之1C裝置插座之一基板之一第二平 面圖且描述劃分為引腳配置之導電層之位置關係之另一實 例（部分2) » 圖11係根據本實施例之1C裝置插座之一基板之一第三平 面圖且描述劃分為引腳配置之導電層之位置關係之另一實 例（部分3) ^ 圖12係根據本實施例之1C裝置插座之一基板之一第四平 面圖且描述劃分為引腳配置之導電層之位置關係之另一實 例（部分4) ^ 【主要元件符號說明】 積體電路（IC)裝置插座 2 基板 2a 基板 2b 基板 2c 基板 2d 基板 3 導電接觸引腳 3a 導電接觸引腳 3b 導電接觸引腳 3c 導電接觸引腳 161755.doc •26· 201246728 3d 導電接觸引腳 3e 導電接觸引腳 3f 導電接觸引腳 3g 導電接觸引腳 3h 導電接觸引腳 3i 導電接觸引腳 4 導向體 21 基底材料 22 介電層 23 介電層 25 介電層 26 上表面 27 下表面 28 通孔 31 引腳主體 32 第一接觸部 33 第二接觸部 41 導向部/導向壁 42 定位引腳 221 上表面 222 電力層 223 下表面 224 接地（GND)層 231 上表面 161755.doc ·27· 201246728 232 電力層 233 下表面 234 GND層 241 上表面 242 電力層 243 下表面 244 GND層 251 上表面 252 電力層 253 下表面 254 GND層 280a 開口 280b 開口 281 導電材料 2101 電力層 2102 電力層 2103 電力層 2104 電力層 2105a 電力層 2105b 電力層 2106a 電力層 2106b 電力層 2107a 電力層 2107b 電力層 -28 - 161755.doc 201246728 2108a 電力層 2108b 電力層 2201 GND層 2900a 絕緣區域 2900b 絕緣區域 2900c 絕緣區域 2900d 絕緣區域 AR 區域 II-II 線 III 部分 IV 部分 L 箭頭 S222 實線S V 部分 161755.doc -29