201245776 六、發明說明： c 明戶斤屬々貝^^】 發明領域 本發明係有關於一種偏光板的製造方法。又，本發明 係有關於藉由該製造方法所製得之偏光板。該偏光板可單 獨作為光學薄膜、或將其加以積層作為光學薄膜來形成液 晶顯示裝置(LCD)、有機EL顯示裝置、crt、及PDP等圖像 顯示裝置。 L· ^tT 發明背景 液晶顯示裝置係使藉由晶體交換所形成之偏光狀態呈 可視化者，自其顯示原理看來，係使用於偏光元件兩面藉 由接著劑層來黏貼透明保護薄膜之偏光板。就偏光元件而 言，一般係使用例如使碘吸附於聚乙烯醇並加以延伸之結 構的碘系減元件。透明保護賴—般係使用三乙酿纖維 素系薄膜、或環烯烴系樹脂薄膜等。 但，習知之偏光板—旦長期曝露在高溫高濕環境下， 有易於在偏光元件與透明保護薄膜之間剝離之問題。 就解決上述問題之方法而言，有提議以下技術。 在專利文獻1中，為了提升與偏光元件間之接著性，係 提議將熱可塑性飽和原冰片賴誠膜之表面^以電晕放 電處理。 在專利文獻2及3中，為了提高密接性，係提議對偏光 薄膜及/絲護賴之接著表面施行電漿處理、電暈處理、 201245776 或紫外線照射處理等表面處理。 在專利文獻4中，為了使偏光薄膜與環烯烴系樹脂薄膜 間之接著性提升，係提議以800W以下的輸出強度，對環烯 烴系樹脂薄膜中要黏貼偏光薄膜之側面施行電暈放電處 理。 在專利文獻5中，為了使接著強度穩定，係提議將TAC 薄膜等難接著之薄膜予以電漿處理後，以水等洗淨除去生 成於表面之難接著之滲出物。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :特開2000-241627號公報 專利文獻2 :特開2005-70140號公報 專利文獻3 :特開2005-181817號公報 專利文獻4 :特開2007-279621號公報 專利文獻5 :特開2010-150373號公報 【發明内容】 發明概要 發明欲解決之課題 本發明之目的在於提供一種沒有凹陷、異物或裂痕之 外觀缺陷且可使偏光元件與環烯烴系樹脂薄膜間之接著力 提升之偏光板的製造方法。 又，本發明之目的在於提供一種藉由前述製造方法而 製得之偏光板。此外，本發明之目的在於提供一種積層該 偏光板之光學薄膜、及使用該偏光板與光學薄膜之液晶顯 201245776 示裝置等圖像顯示裝置。 用以解決課題之手 本發明人等為了解 ,,„ . 决刚述課題而不斷進行精闢檢討之 、，口果如現.藉由以下g α ^ 4不之偏光板的製造方法可達成前述 目的而元成本發明。 本發月係有關於—種偏光板的製造方法，其係於 偏光7L件之至少—面 ** ^ 藉由接著劑層設有環烯烴系樹脂 薄膜’該偏光板的製1 + no n , k•方法包含以下步驟：以輸出強度 θ對㈣㈣樹脂薄财要設4偏光元件之面施 仃電軍放電處理之步 .^^ 娜，將已施行電暈放電處理之環烯烴 糸树脂薄膜加以水洗 .a <步驟；及藉由接著劑黏貼偏光元件 與％稀《樹脂_之步驟。 子裒烯文二系樹脂薄膜之表面施行電暈放電處理， 生源自於環稀垣系樹脂之微粉末狀物質（叛酸衍生 )在工廠階段持續長期運轉期間，其微粉末狀物質會蓄 積而,可染工廠内。又，—旦因該微粉末狀物質使偏光板之 末狀物胃附著’便會在偏光元件或賴烴純脂薄膜附 有凹陷，或-旦微粉末狀物質殘留在環職系樹脂薄膜表 面’便會因異物而於偏光板產生製品缺陷。 本發明人等發現：藉由使用水等之洗淨處理來除去該 微粉末狀物f，可獲得沒錢凹料異_⑽之外觀缺 陷且偏光元件與環稀烴系樹脂薄膜間之接著性優異的偏光 板。 電軍放電之輸出強度必須為〇.9〜25kw。當輸出強度小 201245776 於0.9kW時，雖可抑制微粉末狀物質之產生，但將無法在薄 膜的寬度方向均勻進行電暈放電處理，故而會生成改質斑 而無法提升接著力。另〆方面，當輸出強度超過2 5kw時， 易於薄膜表面產生電暈痕而易在偏光板產生製品缺陷。 又，本發明係有關於一種藉由前述製造方法而製得之 偏光板。 又’本發明係有關於一種積層有至少1片前述偏光板之 光學薄膜。 又，本發明係有關於一種含有前述偏光板或前述光學 薄膜之圖像顯示裝置。 發明效果 在本發明中，在以接著劑來黏貼偏光元件與環稀烴系 樹脂薄膜之前，有對環烯烴系樹脂薄膜施行電暈放電處 理。藉由電暈放電處理，可將親水性官能基(_C00H4_0H) 或自由基活性種導入薄膜表面，使薄膜表面粗面化。又， 藉由使用水等之洗淨處理來除去以電暈放電處理所產生之 微粉末狀物質。藉此，可使偏光元件與環稀烴系樹脂薄膜 ，亦可
進行表面改質。 間之接著力提升，即便長期曝露在高溫高濕環境下 獲得偏光元件與__樹脂賴之間難以剝離 【實施方式】 用以實施發明之形態 201245776 本發明之偏光板的製造方法中使用的偏光元件可使用 各種材料。就偏光元件而言’例如有:使聚乙烯醇系薄膜、 β刀甲酸化聚乙歸醇系薄膜、及乙烯乙酸乙稀共聚物系部 刀息化薄膜等親水性局分元件薄膜吸㈣或二色性染料之 二色性物質加以單轴延伸者，以及聚乙埽醇之脫水處理物 或聚氯乙稀之脫鹽酸處理物等㈣系定向薄膜等。該等 中，又以由聚乙烯醇系薄骐與碘等二色性物質所構成之偏 光元件為宜。 聚乙烯醇系偏光元件係、使用以二色性物f (代表如：磁 及一色性染料）將聚乙烯醇樹脂薄膜予以染色且單軸延伸 者。構成聚乙烯醇系樹脂薄膜之聚乙烯醇系樹脂的聚合度 理想在100〜10000，更理想在1000〜5000。聚合度若過低， 進行預定延伸時會易使延伸中斷，又，一旦聚合度過高， 則有延伸時需要異常的張力而無法進行機械式的延伸之 虞。 構成偏光元件之t乙稀酵系樹脂薄膜可以任意的適當 方法（例如將於水或有機溶劑中溶解有樹脂之溶液予以流 鑄製膜之流鑄法、澆鑄法、及擠壓法)成形獲得。偏光元件 之厚度可依照使用偏光板之LCD的目的或用途來適當設 定，通常在10〜300μιη左右。理想在20〜ΐ〇〇μηι。 偏光元件之製造方法可依照目的、使用材料及條件等 採用任意的適當方法。例如，可採用將上述聚乙烯醇系樹 脂薄膜供於一般包含膨潤、染色、交聯、延伸、水洗及乾 燥步驟之—連串製造步驟的方式。除乾燥步驟以外在各處 201245776 在i個:驟t藉由將聚乙烯醇系樹脂薄膜浸泡到含有使用 在各個步料娜州料嫩 聯、延伸 '水唤艿鲈圮 永巳乂 'c、之各處理順序、次數及實施之有無 目的'使用材料及條件等來適當設定。例如，可在i 二^時進彳了數項處理’亦可同時進行_處理、染色 :理=聯處理。x ’例如，可適當採用於延伸處理前後 進:父聯處理的方式。x ’例如，水洗處理可在全部的處 理< 進仃’亦可僅在特定的處理之後進行。 本發月之偏光板的製造方法中使用之環稀煙系樹脂薄 膜可無特別限制地使用公知者。環稀烴系樹脂係將環稀煙 作為聚合早元加以聚合之樹脂總稱，例如有：特開平 7號A報、特開平3·14882號公報、及制平3_122137 號公報等中所記載之樹脂。就具體例而言，例如有：環稀 烴之開環(共）聚物；環烯煙之加成聚合物；環稀烴與乙稀、 丙稀等α-馳之共聚物(代表如：隨機共聚物）；以不飽和缓 酸或其衍生物將該料以改性之接枝聚合物；及該等之数 化物等。作為環稀煙之具體例，例如有原冰片稀系單體。 就環稀烴系樹脂而言，已有各種市售產品。具體例如 有·日本ΖΕΟΝ股份有限公司製之商品名「ΖΕ〇ΝΕχ」、 ZEONOR」、JSR股份有限公司製之商品名「ART〇N」、 ™〇ΝΑ公司製之商品名「T〇pAS」'及三井化學股份有限 公司製之商品名「APEL」等。 前述環烯烴系樹脂薄膜係作為透明保護薄膜而設在偏 光元件之一面或兩面，當將其設在偏光元件之一面時，可 201245776 於另一面設置公知之透明保護薄膜。 構成透明保護薄膜之材料例如可使用具有良好的透明 性、機械強度、熱穩定性、防水性、及等向性等之熱可塑 性樹脂。就此種熱可塑性樹脂之具體例而言，例如有：三 乙醯纖維素等纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚礙樹脂、聚颯 樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚酿亞胺樹脂、聚稀 烴樹脂、（甲基）丙烯酸樹脂、聚芳香酯樹脂、聚苯乙烯樹脂' 聚乙烯醇樹脂、及該等混合物。又，亦可使用（甲基）丙烯酸 系、胺曱酸酯系、丙烯酸胺甲酸酯系、環氧系'矽酮系等 熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂。 環烯烴系樹脂薄膜及透明保護薄膜之厚度可適當決 定，從強度或處理性等作業性及薄層性等觀點看來，一般 在1〜500μπι左右，理想在1〜300μηι，較理想在5〜200μηι，尤 為理想在5〜150μιη。 透明保護薄膜可使用具有正面相位差在40nm以上及/ 或厚度方向相位差在80nm以上之相位差的相位差板。正面 相位差一般係控制在4〇〜200nm之範圍内，厚度方向相位差 —般係控制在80〜300nm之範圍内。使用相位差板作為透明 保護薄膜時，由於該相位差板亦可作用為透明保護薄膜， 故而可圖謀薄型化。 就相位差板而言，例如有··將高分元件素材加以單軸 或雙軸延伸處理而成之複折射性薄膜、液晶聚合物之定向 薄膜、及以薄膜支撐液晶聚合物之定向層者等。相位差板 之厚度亦未有特別限制，一般在20〜150μηι左右。 9 201245776 而，具有前述相位差之薄膜可另外黏貼到不具有相位 差之透明保護薄膜上使其賦有上述功能。 亦可對環烯烴系樹脂薄膜及透明保護薄膜中未接著偏 光元件之面施行以硬塗處理、抗反射處理、抗黏處理、擴 散以及防眩為目的之處理。 而，亦可於環烯烴系樹脂薄膜或透明保護薄膜上另行 積層硬塗層、抗反射層、抗黏層、擴散層、及防眩層等。 使用於偏光元件與環烯烴系樹脂薄膜之黏貼的接著劑 只要在光學上呈透明，即未有特別限制，可使用水系、溶 劑系、熱熔系、及自由基硬化型的各種形態者，但以水系 接著劑為宜。 就水系接著劑而言，例如有：聚乙烯醇系、明膠系、 乙烯系乳膠系、聚胺曱酸酯系、異氰酸酯系、聚酯系、及 環氧系等。前述接著劑中可含有各種交聯劑。又，亦可於 前述接著劑中摻混催化劑、耦合劑、各種增黏劑、紫外線 吸收劑、抗氧化劑、财熱穩定劑、及水解抗性穩定劑等穩 定劑等。接著劑之固體成分一般係以0.1〜20重量％作使用。 前述接著劑中，又以聚乙烯醇系接著劑為宜。聚乙烯 醇系接著劑含有聚乙烯醇系樹脂與交聯劑。 聚乙烯醇系樹脂例如有：將聚乙酸乙烯予以皂化所獲 得之聚乙烯醇；其衍生物；還有乙酸乙烯與具有共聚性之 單體的共聚物之皂化物；及將聚乙烯醇予以縮醛化、胺甲 酸酯化、醚化、接枝化、及磷酸酯化等的改性聚乙烯醇。 前述單體例如有：（酐）馬來酸、延胡索酸、巴豆酸、伊康酸、 10 201245776 及（甲基）丙烯酸等不飽和羧酸及其酯類；乙烯、丙烯等α-稀烴、（甲基)稀丙基續酸(鈉）、確酸鈉（單烧基蘋果酸醋）、 二磺酸鈉烷基蘋果酸酯、Ν-羥甲基丙烯醯胺、丙烯醯胺烷 基績酸驗金屬鹽、Ν-乙稀α比略°定酮、及Ν-乙稀°比洛α定酮衍 生物等。該等聚乙烯醇系樹脂可一種單獨使用、或可二種 以上併用。 前述聚乙烯醇系樹脂並未有特別限定，從接著性之觀 點看來，平均聚合度在100〜3000左右（理想在500〜3000)， 且平均皂化度在85〜100莫耳％左右（理想在90〜100莫耳％)。 又，聚乙烯醇系樹脂可使用具有乙醯乙醯基之聚乙烯 醇樹脂。具有乙醯乙醯基之聚乙烯醇樹脂係具有高反應性 官能基的聚乙烯醇系接著劑，可提升偏光板之耐久性，相 當適合。 交聯劑可無特別限制地使用用於聚乙烯醇系接著劑 者。交聯劑可使用至少具有2個與聚乙烯醇系樹脂具有反應 性之官能基的化合物。例如有：伸乙基二胺、三伸乙基二 胺、及六伸甲基二胺等具有伸烷基與2個胺基之伸烷基二胺 類；曱伸苯基二異氰酸酯、氫化曱伸苯基二異氰酸酯、三 羥甲基丙烷甲伸苯基二異氰酸酯加成物、三苯曱烷三異氰 酸酯、伸曱基雙(4-曱苯三異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯及 該等酮肟崁段物或苯酚崁段物等之異氰酸酯類；乙二醇二 環氧丙基醚、聚乙二醇二環氧丙基醚、丙三醇二或三環氧 丙基醚、1,6-六亞甲二醇二環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環 氧丙基醚、二環氧丙基苯胺、及二環氧丙基胺等環氧類； 201245776 甲酿、乙酸、丙酸、及丁链等單越類；乙二酸、丙二酸、 丁二酿、戊二越、順丁烯二酸、及鱗苯二酸等二酸類；經 甲脲'經甲基三聚氰胺、烧基化經曱腺、貌基化經甲基化 三聚氰胺、乙胍胺、及苯胍胺與甲酸之縮合物等胺_甲_ 脂；還有鈉、鉀、鎂、鈣'鋁、鐵、鎳等二 價金屬之鹽及其氧化物。交聯劑以二 /一 4 瓜虱胺糸交聯劑為 宜’尤以羥曱基三聚氰胺為宜。 前述交聯劑之摻混量相對於聚乙稀醇系樹脂⑽重量 份，-般在(U〜35重量份左右，理想為1〇〜25重量份。另一 方面，為了進-步提升耐久性，相對於聚乙烯醇系樹脂酬 重量份’可在超過30重量份且在46重量份以下之範圍内推 混交聯劑。尤其在使用含有乙醯乙醯基的聚乙稀醇系樹脂 時’交聯劑之使用量宜使用超過％重量份。藉由在超過％ 重量份且在46重量份以下之範_摻混交聯财提升财水 性。 前述接著劑中還可摻混石夕烧耗合劑及欽酸料合劑等 _’以及各種增黏劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、对 熱穩疋劑、及水解抗性穩定劑等穩定劑等。 又，前述接著劑中可含有金屬化合物填料。藉由金屬 化合物填料，可控制接著劑之流動性，而獲得使膜厚稃定 化且具有良好的外觀及面叫勻無接著性不均之偏光板、 金屬化合物填料可使用各種物質。就金屬化合物而 言’例如有:氧化铭、氧切、氧化錯、氧化鈦、彻呂、 碳酸妈、掃等金屬氧化物;碳酸鋅、碳醆鋇、侧 12 201245776 等=屬鹽’·及石夕每石、滑石、黏土、高嶺土等礦物。又， 3亥等金屬化合物填料可使用經表面改質者。 金屬化合物填料之平均粒元件捏—般在！〜刪咖左 右，以1〜500⑽為佳，射⑻nm較佳，1(}〜卿⑽更佳。口 要金屬化合物填料之平均粒元件徑在前述範圍内，著 =二可使金屬化合物略呈均勾分散而確保接著性，且 可獲仔良好的外觀及面内均勻的接著性。 金屬化合魏狀料量㈣於硬化軸分則重量 刀，且以刚重量份以下之比例進行推混。又 :料之摻混比例設在前述範圍内，可確保二 軸之接著性，讀得良好_及面内均勾 =重金屬:_真料之摟混比例以㈣重量份為 填料之养伤軚佳，5〜3〇重量份更佳。-旦金屬化合物 真^摻紐例相對於硬化性成分刚重量份超過⑽重量 二：ΓΓ硬化性成分的比例會變小，從接著性之 特靡41 S想。而，金屬化合物填料之摻混比例雖i 但為了確保接著性且獲得良好的外觀及面内； 的接者性，以設為前述範圍之下限值為宜。 偏光板係藉由使用接著劑 樹脂薄膜而製造，•，本發明之烯烴系 前’以⑽強度〇.9〜2,卿對i &·在黏㈣等之 值 Τ裱烯烴系樹脂薄膜中設置要 處理施行電晕放電處理，然後將已施行電暈放電 衣稀垣系樹脂薄膜加以卞洗。 電軍放電處理係藉由將環稀烴系樹脂薄膜配置在電極 13 201245776 間，在常壓空氣中對電極間施加高電壓進行放電而進行。 輸出強度以外的處理條件並未有特別限制，惟，電極間隔 在1〜5mm左右，薄膜之移動速度在3〜20m/分左右。又，輸 出強度在0.9〜2.0kW為宜。 於偏光元件之另一面設置透明保護薄膜時，亦可對透 明保護薄膜進行表面改質處理。就具體處理而言，例如有： 電暈放電處理、電漿放電處理、紫外線照射處理、封框處 理、底漆處理、及皂化處理等。 就水洗處理而言，例如有：將已施行電暈放電處理之 環烯烴系樹脂薄膜浸泡在水性洗淨液浴中之方法，及對環 烯烴系樹脂薄膜之電暈放電處理面塗佈或喷塗水性洗淨液 之方法等。 水性洗淨液例如有：純水、離元件交換水、及包含酵 素系洗淨劑之水溶液等。水性洗淨液之溫度並未有特別限 制，以5〜80°C為宜，較理想在10〜50°C。當溫度低於5°C時， 於水洗處理步驟後，易於在薄膜表面生成結露，當超過80 乞時，則有因熱而造成在薄膜生成皺痕而使操作性變差之 傾向。水洗處理時間並未有特別限制，在3〜180秒左右，理 想在5〜120秒。處理時間若過短，將難以充分除去薄膜表面 之微粉末狀物質，然而，一旦處理時間過長，則有製造效 率降低之現象，故不甚理想。 水洗處理後，宜使用夾輥、玻璃棒、或氣刀等除去殘 存於薄膜表面之水滴。 然後，使用接著劑來黏貼前述環烯烴系樹脂薄膜與偏 14 201245776 ㈣=肖以製造偏光板。接著劑之塗佈可對環稀烴系樹 ^膜之電暈放電處理面或偏光元件其中—者進行，亦可 =進订。黏貼後，將之乾燥以形成接著劑層。使用水 時，乾燥溫度在2。，。。左右，理想在罐， 進行1〜1〇分鐘左右，理相将i隹a 1 、 薄膜 里心係進仃1〜5分鐘。環稀烴系樹脂 …讀之黏貼可藉由_機等進行。接著劑層之 厚度並未有特別限制，一般在3〇〜1000nm左右。 树明之偏歧在實用切作為與其他光學層積層之 膜使用。有關其光學層並未有特別限定，可使用鳩 $層以上使用於液晶顯示裝置等之形成的光學層如：反 ^或t穿透板、相位差板（包含1/2或1/4等之波長板）、及 ^補㈣膜等。尤宜為：還於本發明之偏光板積層反射 ^戈半穿透反射板㈣成之反射型偏光板或半穿透型偏光 還於偏光板積層相位差板而形成之擴圓偏光板或圓偏 光板；還於偏光板積層視角補償薄膜㈣成之廣視角偏光 ，或還於偏光板積層亮度提升薄膜而形成之偏光板。 -於偏光板積層有前述光學層之光學薄膜，可在液晶顯 不裝置等製造過程中藉由依序職積層的方式而形成， *又’預先制作為絲相者具有品f穩定性及組裝作業 等優異且可提升液晶顯示裝置等製造步驟之優點。積層 時’，可使用黏著層等適當的接著機構。在前述偏光板與其 他光學薄膜之接著時，可依照目的之相位差特性等將該等 光學軸設於適當的配置角度。 可在則述偏光板或積層有偏光板至少】層的光學薄膜 15 201245776 上，設置用以與液晶胞元黧甘凡 黏著層之黏㈣並切㈣㈣構件接著之黏著層。形成 丙烯酸系聚合物、矽鲷系繁二’例如可適當選擇使用以 ::r-c=者聚 尤=使用如丙稀酸系勒著劑具有良好光學透明 :度的賴性及凝祕與接紐之轉躲且耐候性斑 耐熱性等優異者為宜。 、f 〃 對於偏光板或光學薄H或兩面之料層的附令 可以適當的方式進行。就复 - 沈其方法例而言’例如有：調製方 本或乙酸乙s旨等適當溶劑之單質或混合物所形成之这 媒中A解或分散有基絲合物或其組成物胸G重量％ ^ 右的黏著n並以流鑄方核錄方μ適當的展氏 方^將其直接附設於偏光板上或光學薄膜上之方式；或伯 據引述於;^件上形絲著層並將其祕到偏 學薄膜上之方式等。 ，黏者層可作為相異組成或種料物之層而設置於 偏光板或光學相之—面或兩面。又，當設置於兩面時， 可將之㈣成在偏光板或光學薄膜之表襄為*同組成、不 同種類或不同厚度等的黏著層。黏著層之厚度可依照使用 目的或接著力等而適當決定…般在卜5卿⑺，以5〜 為佳，丨〇〜^(^⑺尤佳。 在供於貫用之前’會以其防止污染等為目的，對點著 層之露“暫時接著分離件料行賴。藉此，可防止在 、！的處理狀態巾接觸到黏著層之現象。就分離件而言， 16 201245776 除上述厚度條件以外，例如可使用依據習知的適當物品， 如：視需求以矽酮系或長鏈烷基系、及氟系或硫化鉬等適 當的剝離劑，將塑膠薄膜、橡膠片、紙、布、不織布、網 狀物、發泡片及金屬箔、或該等層合體等適當的薄片物加 以鍍敷處理者等。 而，在本發明中，例如可藉由以紫外線吸收劑處理之 方式等方式，使形成上述偏光板之偏光元件、透明保護薄 膜、或光學薄膜等及黏著層等各層成為具有紫外線吸收能 者等，又，前述紫外線吸收劑為水楊酸酯系化合物或苯酚 系化合物、苯并三唑系化合物或氰基丙烯酸酯系化合物、 及鎳錯鹽系化合物等。 本發明之偏光板或光學薄膜可適當使用在液晶顯示裝 置等各種裝置之形成等。液晶顯示裝置之形成可依據習知 進行。即'液晶顯不裝置一般係藉由將液晶胞元及偏光板 或光學薄膜、以及視需求之照明系統等構成零件加以適當 組裝並安裝驅動電路等而形成，在本發明中，除使用本發 明之偏光板或光學薄膜之點以外並無特別限定，可依照習 知進行。有關液晶胞元亦可使用例如TN型、STN型、或7Γ 型等任意類型者。 可形成：於液晶胞元之一側或兩側配置有偏光板或光 學薄膜之液晶顯示裝置，或於照明系統使用背光或反射板 者等之適當的液晶顯示裝置。屆時，本發明之偏光板或光 學薄膜可設置在液晶胞元之一側或兩側。當於兩側設置偏 光板或光學薄膜時，該等可相同亦可相異。此外，在液晶 17 201245776 顯示裝置之形成時，可將1層或2層以上之例如擴散板、防 眩層、抗反射膜、保護板、稜鏡陣列、透鏡陣列片、光擴 散板、背光等適當零件配置在適當的位置。 實施例 於以下記載本發明之實施例，惟，本發明之實施形態 不受限於該等。 實施例1 (偏光元件） 將平均聚合度2400、皂化度99.9莫耳％、且厚度75μηι 之聚乙烯醇薄膜浸泡在30°C之溫水中60秒鐘使其膨潤。接 下來，將前述薄膜浸泡到包含碘/碘化鉀（重量比=0.5/8)之濃 度0.3%的蛾溶液中延伸到3.5倍使薄膜染色。然後，在65°C 之硼酸酯溶液中將前述薄膜延伸至總合延伸倍率達6倍為 止。再來，以40°C的烘箱進行3分鐘乾燥而獲得偏光元件。 (透明保護薄膜） 使用厚度73μιη之原冰片烯系樹脂薄膜的ZEONOR薄膜 (ΖΕΟΝ公司製ΖΒ14薄膜），及已施行皂化處理之厚度80μηι 的TAC薄膜（富士薄膜公司製TD80UL)。 (水系接著劑） 在30°C的溫度條件下，將相對於含有乙醯乙醯基之聚 乙烯醇系樹脂（平均聚合度：1200、皂化度：98.5莫耳％、 且乙醯乙醯基改性度：5莫耳％)100重量份，羥甲基三聚氰 胺50重量份溶解於純水中，來調製調整成固體成分濃度3.7 重量％之水溶液。相對於前述水溶液100重量份，加入膠態 18 201245776 氧化铭水溶液(平均粒元件徑15nm、固體成分濃度祕、且 正電荷）18重量份來調製水系接著劑。水系接著劑之黏度為 9.6mPa · s，pH為 4〜4.5。 (電暈放電處理） 使用電暈照射機（春曰電機公司製CT_〇212)對前述 ZEONOR薄膜之-面進行電暈放電處理。處理條件為電極 間隔2mm、薄膜移動速度13m/分、且輸出強度〇 9kw。 (水洗處理） 將已施行電暈放電處理之ZE0N0R薄膜浸泡在3〇t的 水洗浴中30秒鐘，然後使用夾輥除去薄膜表面之水滴。 (偏光板之作成） 於ZEONOR ；4膜之電暈放電處理面、及tac薄膜之矣 化處理面塗佈前述水系接著劑使乾燥後之厚度為1〇〇nm。接 下來，以軋輥機將該等黏貼到前述偏光元件之兩面。然後， 以70°C乾燥10分鐘來製作偏光板。 實施例2〜5、比較例1 ~ 10 如表1中記載，除變更電暈放電的輸出強度、或省略水 洗處理以外，以同於實施例1的方法來製作偏光板。 [評估] 對於以實施例及比較例所製作之ZE 〇N 〇 R薄膜及偏光 板進行下述評估。結果顯示於表1。 (放電狀態） 以目測觀察ZEONOR4膜之電暈放電處理面的狀態。 ί 有均勻放電處理時設為〇，放電處理不均勻時設為χ。 201245776 (接著性） 入77 JL& Μ之端部’於偏光元件與咖1^薄膜之間插 ^ 插入⑷，將偏光元件與ZEONOR薄膜 刀別在相反方向妆伸。此時，當偏光元件及/或ZEONOR薄 膜沒有破㈣離時，即_密接性良好「〇」；當偏光元件 與ZEONQR相之間有―部分纟彳離時㈣斷密接性略差 「△」，當偏光凡件與ZE〇N〇R薄膜之間全部剝離時，即判 斷密接性差「X」。 (外觀評估） 將所製作之偏光板切斷成1 〇〇〇mmx 10〇〇mm而獲得樣 本。將樣本放置在螢光燈下’以目測測定凹陷之個數（個 /m2)、異物缺點之個數(個/m2)、及裂痕之有無。 表1 輸出 強度 (kW) 水洗 處理 放電 狀態 接著性 外觀評估 凹陷 個數 異物缺點 個數 裂痕 有無 實施例1 0.9 有 〇 〇 0 0 無 比較例1 0.9 無 〇 〇 5 1 無 實施例2 1.0 有 〇 〇 0 0 無 比較例2 1.0 無 〇 〇 10 3 _& 實施例3 1.5 有 〇 〇 0 0 無 比較例3 1.5 無 〇 〇 15 3 無 實施例4 2.0 有 〇 〇 0 0 無 比較例4 2.0 無 〇 〇 30 10 無 實施例5 2.5 有 〇 〇 0 0 無 比較例5 2.5 無 ϋ 〇 55 20 無 比較例6 3.0 無 〇 〇 89 33 有 比較例7 0.5 有 X X 0 0 無 比較例8 0.5^ 無 X X 0 0 無 比較例9 0.8 有Π X Δ 0 0 無 比較例10 0.8 無 X Δ 0 0 無 【圖式簡單說明】 (無） 20 201245776 【主要元件符號說明】 (無） 21