TW201243034A

TW201243034A - Liquid crystal composition and liquid crystal display device

Info

Publication number: TW201243034A
Application number: TW101112455A
Authority: TW
Inventors: Yasuyuki Goto; Subaru Kawasaki; Norikatsu Hattori
Original assignee: Jnc Corp; Jnc Petrochemical Corp
Priority date: 2011-04-18
Filing date: 2012-04-09
Publication date: 2012-11-01
Also published as: JP5783247B2; EP2700697A1; EP2700697A4; CN103476905A; KR20140015476A; JPWO2012144321A1; US8637125B2; US20120261614A1; WO2012144321A1

Description

201243034』六、發明說明：【發明所屬之技術領域】未發明是有關於一種主要適用於主動矩陣（active matrix，AM)元件等的液晶組成物以及含有該組成物的 AM元件等。尤其是有關於一種介電各向異性為負的液晶組成物，且有關於含有該組成物的橫向電場切換（in_plane switching ’ IPS)模式、垂直配向（vertical alignment，VA) 模式、邊緣電場切換（fringe field switching，FFS )模式或者高分子穩定配向（polymer sustained alignment，PS A )模式的元件等。【先前技術】液晶顯示元件中’根據液晶的運作模式的分類為相變 (phase change，PC )、扭轉向列（twisted nematic，TN )、超扭轉向列（super twisted nematic，STN)、電控雙折射 (electrically controlled birefringence，ECB)、光學補償彎曲（optically compensated bend，OCB )、橫向電場切換 (in-plane switching，IPS )、垂直配向（verticai aiignment， VA)、邊緣電場切換（fringe field switching，FFS)、高分子穩定配向（Polymer sustained alignment，PS A )模式等。根據元件的驅動方式的分類為被動矩陣（passive matrix， PM)與主動矩陣（active matrix，AM)。PM分類為靜態 (static)與多工（multiplex)等，AM分類為薄膜電晶體 (thin film transistor ’ TFT)、金屬-絕緣體_金屬（metal insulator metal，MIM )等。TFT 的分類為非晶石夕（am〇rph〇us 4 201243034 silicon)及多晶石夕（p〇lyCryStaiiine siiicon)。後者根據製造步驟而分類為高溫型與低溫型。根據光源的分類為利用自然光的反射型、利用背光源的穿透型以及利用自然光與背光源兩者的半穿透型。該些元件含有具有適當特性的液晶組成物。該液晶組成物具有向列相。為了獲得具有良好的一般特性的AM元件，而使組成物的一般特性提高。將兩者的一般特性中的關聯歸納於下述表1中。根據市售的AM元件來對組成物的般特性進一步進行說明。向列相的溫度範圍與元件可使用的溫度範圍相關聯。向列相的較佳上限溫度約為以上，而且向列相的較佳下限溫度約為_ 2 〇它以下。組成物的黏度與元件的響應時間相咖。為了以元件顯示動綠夺像，較佳為響應時間短。因此，較佳為組成物雜度小; 更佳為在低溫度下的黏度小。 ^ 1·，成物與AM元件的一般特性

正或負的介電各向異性大比電阻大對紫外線及熱穩定臨界電壓低，消耗電力小對比度大電壓保持率大，對比度大壽命長 1 )可縮短向液晶單元中注入組成物的時間 201243034 成使對比度為最大。適當的積值與運作模式的種類目1聯。VA模式的元件中為約0.30 μιη至約〇.4〇 μιη的範圍1pS模式或者FFS模式的元件中為約〇 2〇师至約〇 3〇

Pm的fe圍。此時，對單元間隙小的元件而言較佳為具有大的光學各向異性的組成物。組成物的絕對值大的介電各向異性有助於元件的低臨界電壓、，丨、的消耗電力及大的對因此’較佳為絕對值大的介電各向異性。組成物的大的比電叫助於大的電壓絲率，且有助於元件的大的對上度因此，較佳為在初始階段中不僅在室溫下，而且在咼ja下亦具有大的比電阻的組成物。較佳為在長時間使後不僅在至溫下，而且在高溫下亦具有大的比電阻的 2物。組成物對紫外線及熱的穩定性與液晶顯示元件的壽命相_。當該些穩定性高時，該元件的壽命長。此種特性對於液晶投影機（piOjeetGr)及液晶電視等所使用的 AM元件而言較佳。具有TN模式的AM元件中使用具有正的介電各向異性的組成物。另一方面，具有VA模式的AM元件中使用具有負的介電各向異性的組成物。具有Ips模式或者ffs 模式的AM元件中使用具有正或負的介電各向異性的組成物具有PSA模式的am元件中使用具有正或負的介電各向異性的域物。液晶域物的例子揭示於如下所述的專利文獻1及專利文獻2中。 [先前技術文獻] [專利文獻] 6

201243034 • mm v v ^ λ X

[專利文獻1]曰本專利特開平11〇355〇〇號公報利文獻2]日本專利特開平3 5〇5742號公報 _車乂理想的AM元件具有可使用的溫度範圍廣、響應時門短對Ml度大、臨界電壓低、電壓保持率大及壽命長等特!·生。較理想為響應日㈣短於丨毫秒。因此，組成物的較理心特性為向列相的高上限溫度、向列相的低下限溫度、小的黏度、適當的光學各向異性、正或貞的大介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的高穩定性及對熱的高穩定性等。【發明内容】本發月的目的為一種液晶組成物，其在向列相的高上限溫度、向列相的低下限溫度、小的黏度、適當的光學各向異 11大的負介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的高穩H對熱的高穩定性㈣性中，滿足至少二種特性。另一目的是一種至少兩種特性具有適當平衡的液晶組成=，尤其是滿足低的下限溫度及大的負介電各向異性的 H纟a成物。另—目的是—種含有此種組成物的液晶顯示几件。另一目的是一種具有作為小的光學各向異性或者大的光學各向異性的適當光學各向異性、大的負介電各向異 ^對兔外線的高穩定性等特性的組成物，以及具有短的響應時間、大的電壓保持率、大的對比度、長的壽命性的AM元件。一本發明是一種液晶組成物以及含有該組成物的液晶顯示元件，上述液晶組成物含有選自式（丨）所表示的化合物 201243034 組群中的至少一種化合物作為第一成分、以及選自式（2) 所表示的化合物組群中的至少一種化合物作為第二成分，而且具有負的介電各向異性。

X1 X2

其中，R1為1個或2個氫經氟取代的碳數1至12的烷基；R2、R3及R4獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基；環A及環B獨立地為

X1及X2獨立地為氟或氯；Y1為氫或甲基；Z1及Z2獨立地為單鍵、伸乙基、亞曱氧基或者羰氧基；m及η獨立地為 0、1、2或3，而且m與η的和為1、2或3。 [發明的效果] 本發明的優點為一種在向列相的高上限溫度、向列相的低下限溫度、小的黏度、適當的光學各向異性、大的負介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的高穩定性、對熱 8 201243034 的高穩定性等特性中，滿足至少一種特性的液晶組成物。本發明的一方面為至少兩種特性具有適當平衡的液晶組成物。另一方面為含有此種組成物的液晶顯示元件。另一方面為具有適當的光學各向異性、大的負介電各向異性、對紫外線的高穩定性等的組成物，而且提供一種具有短的響應時間、大的電壓保持率、大的對比度、長的壽命等的am 元件。【實施方式】本說明書中的用語的使用方法如下所述。有時將本發明的液晶組成物或者本發明的液晶顯示元件分別簡稱為「組成物」或者「元件」。液晶顯示元件是液晶顯示面板及液晶顯示模組的總稱。「液晶性化合物」是表示具有向列相、層列相等液晶相的化合物或者雖不具有液晶相但作為組成物的成分而有用的化合物。該有用的化合物具有例如 1,4-伸環己基（l，4-cyclohexylene )或 1,4-伸苯基 (1，4-Phenylene)之類的六員環，其分子結構為棒狀（r〇d like)。光學活性化合物及可聚合的化合物有時被添加於組成物中。即便5亥些化合物為液晶性化合物，在此亦分類為添加物。有時將選自式（1)所表示的化合物組群中的至少一種化合物簡稱為「化合物d)」。「化合物d)」是指式 (1)所表示的一種化合物或者兩種以上的化合物。對於其他化學式所表示的化合物亦同樣。稱「經取代」時的「至少1個」是指取代的位置及個數均可自由選擇。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上限溫度」。有時將

S 9 201243034 向列相的下限溫度簡稱為「下限溫度」。「比電阻大」是表示組成物在初始·巾，㈣在室溫下，㈣在接近向列相的上限溫度的溫度下亦具有A的比電阻，並且在長時間使用後，不僅在室溫下，而且在接近向_的上限溫度的溫度下亦具有大的比電阻。「電壓保持率大」是表示元件在 ^始階段中，不僅在室溫下，而且在接近向列相的上限溫度的溫度下亦具有大的電壓保持率，而且在長時間使用後，不僅在室溫下，而且在接近向_的上限溫度的溫度下亦具有大㈣壓㈣率。當賊學各向異性⑽性進行說明時，❹以實例巾記制測定枝賴得的值。第一成分是一種化合物或者兩種以上的化合物。「第一成分的比例」是以根據液晶組成物總重量的第一成分的重量百分率 (重量％)來表示。對於第二成分的比例等亦同樣。混合於組成物中的添加物的比例是以根據液晶組成物總重量二重量百为率（重量0/〇)或者重量百萬分率（ppm)來表示。成分化合物的化學式中，將R2的記號用於多種化合物。該些化合物中的任意兩種化合物中，R2所選擇的基團可相同亦可不同。例如’有化合物（1 )的R2為乙基，且化合物（1-1 )的R2為乙基的情況。亦有化合物（1 )的 R為乙基，而化合物（1-1)的R2為丙基的情況。該規則亦適用於R3、R4等。本發明為下述項目等。 1. 一種液晶組成物，含有選自式Q)所表示的化合物組群中的至少一種化合物作為第一成分以及選自式（2) 201243034 所表示的化合物組群中的至少一種化合物作為第二成分，而且具有負的介電各向異性：

Xjx2 z2~{®)Vr4 (2) 其中，R為1個或2個氫經氟取代的碳數丨至12的烧基，R2、R3及R4獨立地為碳數丨至12的烷基、碳數i 至12的烧氧基或者碳數2至12的烯基；環A及環B獨立地為

X1及X2獨立地為氟或氣；γΐ為氫或甲基；21及22獨立地為單鍵、伸乙基、亞甲氧基或者羰氧基；m&n獨立地為〇、1、2或3，而且〇1與11的和為1、2或3。 2·如第1項所述之液晶組成物，其中上述第一成分是選自式（1-1)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 11 201243034

(Μ) 其中，R2為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基；p為1至12的整數。如第1項或第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自式（2-1)至式（2-12)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 12 201243034

(2-1) (2-2) (2-3) (2-4) (2-5) (2-6) (2-7) (2-8) (2-9) (2-10) (2-11) (2-12) 13 201243034 其中，R3及R4獨立地為碳數1至12的烷基、碳數i 至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基。 4. 如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-1)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 5. 如第2項所述之液晶組成物’其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-4 )所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 6. 如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-6 )所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 7. 如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-7)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 8. 如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2_9)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 9. 如第1項至第8項中任一項所述之液晶組成物，其中根據液晶組成物的總重量，上述第一成分的比例為5重量％至80重量％的範圍，而且上述第二成分的比例為1〇重量％至95重量％的範圍。 10. 如第1項至第9項中任一項所述之液晶組成物，其中更含有選自式（3)所表示的化合物組群中的至少一種化合物作為第三成分： 14 201243034

其中，R5及R6獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烷氧基、碳數2至12的烯基或者至少1個氫經氟取代的碳數2至12的烯基；環C、環D及環E獨立地為 1，4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氟-1,4-伸苯基；Z3及Z4獨立地為單鍵、伸乙基、亞曱氧基或者羰氧基；q為0、1或2。 11.如第10項所述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自式（3-1)至式（3-13)所表示的化合物組群中的至少一種化合物：

15 S 201243034 A 1

R5

F R6

R5 F

(3-1) (3-2) (3-3) (3-4) (3-5) (3-6) (3-7) (3-8) (3-9) (3-10) (3-11) (3-12) (3-13) 16 201243034 • “ W V/y .1 i 其中’ R5及R6獨立地為碳數i至12的烧基、碳數i 至12的烧氧基、碳數2至12的縣或者至少丨個氮给氣取代的碳數2至12的烯基。 12.如第10項所述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自第11項所述之式（3·υ所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 13_如第10項所述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自第11項所述之式⑴）所表示的化合物組群中的至少一種化合物以及選自第11項所述之式（3 7)所表示的化合物組群中的至少一種化合物的混合物。 14·如第10項所述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自第11項所述之式（3_3)所表示的化合物組群中的至少一種化合物以及選自第η項所述之式（3_7)所表示的化合物組群中的至少一種化合物的混合物。 15·如第10項所述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自第11項所述之式（3_υ所表示的化合物組群中的至少一種化合物、選自第11項所述之式（3_4)所表示的化合物組群中的至少一種化合物以及選自第U項所述之式（3-13)所表示的化合物組群中的至少一種化合物的混合物。 • 16.如第10項至第15項中任一項所述之液晶組成物’其中根據液晶組成物的總重量，上述第三成分的比例為10重量％至80重量％的範圍。 !7.如第1項至第16項中任一項所述之液晶組成物， 17 201243034 其中更含有選自式（4)所表示的化合物組群中的至少一種化合物作為第四成分：

其中，R7及R8獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烷氧基、碳數2至12的烯基或者至少1個氫經氟取代的碳數2至12的烯基；環F及環G獨立地為1,4-伸環己基或者1，4-伸苯基；Z5及Z6獨立地為單鍵、伸乙基、亞曱氧基或者羰氧基；r及s獨立地為0、1、2或3，而且 r與s的和為1、2或3。 18.如第17項所述之液晶組成物，其中上述第四成分含有選自式（4-1)至式（4-5)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 18 201243034

(4-1) (4-2) (4-3) (4-4) (4-5) 其中，R7及R8獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烧氧基、碳數2至12的稀基或者至少丨個氫經氟取代的碳數2至12的烯基。 19.如第17項所述之液晶組成物，其中上述第四成分是選自第18項所述之式（4·4)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 20·如第17項至第19項中任—項所述之液晶組成物’其中根據液晶組成物的總重量，上述第四成分的為5重量％至40重量％的範圍。 21·如第i項至第2〇項中任—項所述之液晶組成物， 19 201243034 其中向列相的上限溫度為机以上，波長589細下的光學各向異性（25t )為_以上，而且頻率丨kHz下的介電各向異性（25。〇為-2以下。 22. —種式（ι-m)所表示的化合物：

F

其中’P為1至12的整數；R9為碳數2至12的烯基。 23. 種液晶顯示元件，含有如第1項至第21項中任一項所述之液晶組成物。、 24. 如第23項所述之液晶顯示元件，其中液晶顯示元件的運作模式為VA模式、lps模式、FFS模式或者psA 模式，液晶顯示元件的驅動方式為主動矩陣方式。種如第1項至第21項中任一項所述之液晶組成物的用途，其用於液晶顯示元件中。 26. —種如第22項所述之式（111)所表示的化合物，其中’ P為1至12的整數；R9為碳數2至3的烯基。本發明亦包括如下各項。丨）更含有光學活性化合物的 ^述組成物；2)更含有抗氧化劑、紫外線吸收劑、消泡劑等加物的上述組成物；3)含有上述組成物的AM元件； 4) 3有上述組成物’而且具有tn、ecb、〇cb、ips、ffs、 VA M PSA Μ料件；5)含有上述組成物的穿透型元件’ 6)將上述組成物作為具有向列相的組成物的用途·， 20 201243034 性成物中添加光學活性化合物而作為光學私 =下順序對本發明的组成物進行說明。第―，對組成物中的成分化合物的構成進行酬。第二匕人物的主要雛及該化合物給組成物帶來駐要 =;對組成物中的成分的組合、成分的較佳= 八根據進仃說明。第四，對成分化合物的較明。第五’列出成分化合物的具體例子。第六，對於組成物巾的添加物進行朗。第七，對成分化合物的: 成法進行說明。最後，對組成物的用途進行說明。第一，對組成物中的成分化合物的構成進行說明。本發明的組成物被分類為組成物Α與組成物Β。組成物Α除了含有選自化合物（1)、化合物（2)、化合物（3)及化合物（4)中的液晶性化合物以外，亦可更含有其他化合物、添加物、雜質等。「其他的液晶性化合物」是=化合物（1)、化合物（2)、化合物（3)及化合物（4)不同的液晶性化合物。此種化合物是出於進一步調整特性的目的而混合於組成物中。其他的液晶性化合物中，就對熱咬者紫外線的穩定性的觀點而言’氛基化合物較佳為少量。氰基化合物的尤佳比例為0重量％。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合的化合物、聚合起始劑等。雜質是在成分化合物的合成等步驟中混入的化合物等。即便該化合物為液晶性化合物，在此亦分類為雜質。 21 201243034 -----厂i 組成物B實質上僅包含選自化合物（1)、化合物（2)、化合物（3)及化合物（4)中的化合物。「實質上」是指除了添加物及雜質以外，組成物不含與該些化合物不同的液 aa性化合物。組成物B與組成物a相比較，成分的數量少。就降低成本的觀點而言，組成物6優於組成物A。就可藉由混合其他的液晶性化合物來進一步調整物性的觀點而言’組成物A優於組成物b。第二，對成分化合物的主要特性及該化合物給組成物的特性τρ*來的主要效果進行說明。根據本發明的效果，將成分化合物的主要特性歸納於表2中。表2的記號中，L 是指大或高，Μ是指中等程度的，S是指小或低。記號L、 M、S是根據成分化合物之間的定性比較的分類，〇 (零）是表示值大致為零。表2.化合物的特性

化合物 (1) (2) 一 (3) (4) 上限溫度 Μ Μ〜L 1 S〜L Μ〜L 黏甩 S Μ〜L S〜Μ Μ〜L —— 光孕谷向異性 S Μ〜L S〜L Μ〜L 介電各向異性 S Μ〜L —〇 L - 比雷阳 L L L 當將成分化合物混合於組成物中時，成分化合物給組成物的特性帶來的主要效果如下所述。化合物（1)提高介電各向異性的絕對值，降低下限溫度。化合物（2)提高介電各向異性的絕對值。化合物（3)提高上限溫度’降低下限溫度’而且降低黏度。化合物（4)提高介電各向異性的 22 201243034 絕對值，而且降低下限溫度。第二’對組成物中的成分的組合、成分的較佳比例及其根據進行說明。組成物中的成分的組合為第一成分+第一成分、第一成分+第二成分+第三成分、第一成分+第二成分+第四成分以及第一成分+第二成分+第三成分+ 第四成分。組成物中的成分的較佳組合為第一成分+第二成分+第三成分。、為了提高介電各向異性的絕對值且降低下限溫度，第成刀=較佳比例為5重量％以上，為了降低下限溫度，曰〇成刀的較佳比例為8〇重量％以下。尤佳比例為1〇重置％至60重量％的範圍。特佳比例為20重量％至40重量 %的範圍。例介電各向紐的㈣值’第二成分的較佳比 1夕J 1 0 曹 0/ |、, yr 為95重量％以下圍。特佳或

么CK壬曰n 。上，為了降低黏度，第二成分的較佳比例。尤佳比例為20重量％至80重量％的範 30重量％至60重量％的範圍。 23 20124303} 第四，對成分化合物的較佳形態進行說明。 R1為1個或2個氫原子經氟原子取代的碳數1至12 的烷基’ R2、R3及R4獨立地為碳數1至12的烷基、碳數 1至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基，R5、R6、R7及 R8獨立地為碳數1至12的烷基、碳數！至12的烷氧基、碳數2至12的烯基或者至少1個氫經氟取代的碳數2至 12的烯基，R9為碳數2至12的烯基。為了提高介電各向異性的絕對值’較佳的Ri為末端的丨個或2個氫經氟取代的碳數1至12的烷基，為了降低黏度，較佳的Ri為j個氫原子經氟原子取代的碳數丨至3的烧基。為了提高對紫外線或者熱的穩定性等，較佳的R2、R3、R5、尺6及R7為碳$數1至12的烷基，或者為了降低黏度，較佳的r2、r3、 R R及R為碳數2至12的稀基。為了提高對紫外線或者熱的穩定性等，較佳的尺4及R8為碳數丨至12的烷基，或者為了提冑介1：各肖異性舰雜，較料卩4及Μ為碳數1至I2的烧氧基。為了降低黏度，較佳的Μ為碳數 2至5的稀基。較佳的烧基為甲基、乙基、丙基、丁基、戊a、己其 ίί或=者為庚;降低黏度，尤峨基為乙 =佳賊驗為卩縣、6驗、丙二較佳的烯基為乙烯基、〗·丙縣、2_丙縣、卜丁歸 24 201243034 4-戊稀= 韻基、2·戊烯基、3_戊烯基、 =二基、2_己歸基、3_己·、‘己烯基或者基、3-Ϊ烯ίΐ降低黏度，尤佳的烯基為乙烯基、丙稀立體構型與雙鍵的位置相關 ==—CH-的較佳美、1_丁、陡故，，、馬了降低黏度等，如1-丙烯 ^員的嫌二/烯基、卜己埽基、3·戊烯基及3_己烯基 2 式_。如2_丁縣、2_戊稀基及 2-己烯基之_烯基中難為鏈稀基優於分支烯基。再i。茨二席基中直至少1個氫經氟取代的烯基的較佳例子為2,2•二氣乙二氟-2-丙絲、4,4_二氟冰丁稀基、5,5_二氣斗 =基及M·二氟_5_己烯基。為了降飾度，尤佳的例子馮，2-—氟乙烯基及4,4-二氟_3-丁烯基。 m及n獨立地為或3,而且的和為卜 2或3。為了降低下限溫度，較佳的】，為了提高上限溫度，較佳的m及η為2。 Ρ為1至12的整數。為了降低黏度，較佳的ρ為1至 3的整數。q為°、1或2。為了降低黏度，較佳㈣為卜為了提高上限溫度，較佳的q為2。 r及s獨线為〇小2或3,而且的和為卜2 或3。為了提高上限溫度，較佳的4 2。為了降低下限溫度，較佳的s為0。環A及環B獨立地為 25 201243034

當爪為2或3時，任意的為2或3時，任意的2個严长A可相同亦可不同，當上限溫度，較佳的環二β可相同亦可不同。為了提連光學各向碰，較佳 I $丨，4·伸環己基，為了提這高介電各向異性的絕對^Κ伸苯基，為了老〇-\ 較佳的環Α或環Β為 Ύ -V-0、 a—

較佳為可相同亦可不同。為’本土，备q為2時’2個環環E為1，4_伸環其低黏，’較佳的環C、環〇或: C、環D或者ifE二:了提南光學各向異性，較佳的: 伸環己基或者“伸^’環17及環㈣立地為1，環F可相同亦可不同，：’虽鴣2或3時’任意的2彳可相同亦可不间二’ § 8為2或3時’任意的2個環關的立體ί 了提高上限溫度，與Μ ·伸環己基; χ1構，尺反式構型優於順式構型。或X2為t獨立地為氟或氣。為了降低黏度，較佳的】 zl ^氣，曱基。為了降低黏度，較佳的γ1為氫。基；各f镯立地為單鍵、伸乙基、亞甲氧基或者羰i 田m *’’、2或3時，任意的2個z丨可相同亦可不同 26 201243034 田n f 2或3時，任意的2個z2可相同亦可不同低黏度，較佳的21及Z2為單鍵，為了提高介電各 ?絕對值’較佳的Z1及Z2為亞甲氧基。Z3及z4 單鍵、伸乙基、亞f氧基或者魏基厂 =目同亦可不同。為了降低黏度，較佳的==鍵= 了提同上限溫度，較佳的z3為羰氧基。Z5及 ☆二單鍵、伸乙基、亞甲氧基或者魏基，當為任意的2個Z5可相同亦可不同，當s為2或3時，任 2個。Z6可相同亦可不同。為了降低黏度，較佳的Z5及^ 為單鍵，為了提高介電各向異性的絕對值，較佳 Z6為羰氧基。久第五，列出成分化合物的具體例子。下述較佳化人物中’ R9為碳數⑴2的烯基。R-及R12獨立地為具；碳 γ至12的直鏈烧基或者具有碳數2至12的直鏈烯基。 R11為具有碳數1至12的直鏈烷基或者具有碳數丨至12 的直鏈烧氧基。R13為具有碳數丨至丨2的直鏈烧基、具有碳數1至12的直鏈烷氧基或者具有碳數2至12的直鏈基。較佳的化合物（1)為化合物（M — 丨）。較佳的化合物 (2)為化合物（2-1-1)至化合物（2-12-1)。尤佳的化合物（2)為化合物（2-1-1)至化合物（2-1〇_1 )。特佳的化合物（2)為化合物（2-M)至化合物（2-7-1)。較佳的化合物（3)為化合物（3-1-1)至化合物（3-13-1)。尤佳的化〇物（3)為化合物（3-1-1)至化合物（3-7-1)以及化 27 201243034 合物（3-9-1)至化合物（3-13-1)。化合物（3-1-1 )、化合物（3-3-1 )、物（3-7-1)以及化合物（3-13-1)。化合物（4-1-1)至化合物（4-5-1) 化合物（4-4-1 )。特佳的化合物（3)為化合物（3-4-1)、化合較佳的化合物（4)為。尤佳的化合物（4)為

28 201243034

(2-1-1) (2-2-1) (2-3-1) (2-4-1) (2-5-1) (2-6-1) (2-7-1) (2-8-1) (2-9-1) (2-10-1) (2-11-1) (2-12-1) 29 201243034r

Ri2^y~^)-Ru

(3-1-1) (3-2-1) (3-3-1) (3-4-1) (3-5-1) (3-6-1) (3-7-1) (3-8-1) (3-9-1) (3-10-1) (3-11-1) (3-12-1) (3-13-1) 30 201243034

R10

(4-1-1) (4-2-1)

(4-3-1) (4-4-1) (4-5-1) 第六，對可混合於組成物中的添加物進行說明。此種 V力4勿為光十•性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合的化合物及聚合起始劑等。出於液，的螺旋結構來賦予扭轉角的目的，將化 ^物二。此種化合物的例子為化合物⑸二 i佳比例化合物的較佳比例為5重量％以下。 π马0.01重量％至2重量％的範圍。 31 201243034τ

(5-1)

(5-2) (5-3)

(5-4) (5-5) 不僅在室溫下’而且在接近向維持大的麵保持率，將抗為了防止由大氣中的加熱引起的比電阻的下降，或者為了在長時間使用元件後，列相的上限溫度的溫度下亦化劑混合於組成物中。 32 201243034 c(ch3)3

CwH2w+i (6) C(CH3)3 抗氧化劑的較佳例子是w為i至9的整數的化合物（6) 等。化合物（6)中’較佳的w為卜3、5、7或9。尤佳的w為1或7。w為1的化合物（6)由於揮發性大，故而在防止由大氣中的加熱引起的比電阻的下降時有效。w為 7的化合物（6)由於揮發性小，故而對於在長時間使用元件後’不僅在室溫下，而且在接近向列相的上限溫度的溫度下亦維持大的電壓保持率而言有效。為了獲得上述效果，抗氧化劑的較佳比例約為5〇 ppm以上，為了不降低上限溫度，或者為了不提高下限溫度，抗氧化劑的較佳比例約為600 ppm以下。尤佳比例為約丨〇〇 ppm至約3〇〇卯瓜的範圍。紫外線吸收劑的較佳例子為二苯甲酮（benz〇phen〇ne ) 衍生物、苯甲酸酯（benzoate)衍生物、三唑（triaz〇le) 衍生物等。另外，如具有立體阻礙的胺之類的光穩定劑亦較佳。為了獲得上述效果，該些吸收劑或穩定劑的較佳比例約為50 ppm以上，為了不降低上限溫度，或者為了不提高下限溫度，該些吸收劑或穩定劑的較佳比例約為 10000 ppm以下。尤佳比例為約100 ppm至約1〇〇〇〇卯瓜的範圍。為了適合於賓主（guest host，GH)模式的元件，將如 33 201243034 偶氮（azo)系色素、蒽酿（anthraquinone)系色素等之類的二色性色素（dichroicdye)混合於組成物中。色素的較佳比例為約〇.〇1重量。/。至約1〇重量％的範圍。為了防止起泡’將二甲基石夕油（dimethyl silicone oil)、曱基苯基石夕油 (me^iyl phenyl silicone oil)等消泡劑混合於組成物中。為了獲得上述效果，消泡劑的較佳比例約為 1 ppm以上，為了防止顯示的不良’消泡劑的較佳比例約為1〇〇〇 ppm 以下。尤佳比例為約1 ppm至約500 ppm的範圍。為了適合於南分子穩定配向（p〇lymer sustaine alignment ’ PSA)模式的元件，將可聚合的化合物混合方組成物中。可聚合的化合物的較佳例子為丙稀酸酯 '曱2 丙烯酸酯、乙烯基化合物、乙烯氧基化合物、丙烯醚、老氧化合物（環氧乙烷（oxirane)、氧雜環丁烷（〇xetane)) 乙烯酮等具有可聚合的基_化合物。特佳的例子為丙丈酸醋或者甲基㈣g㈣的衍生物。為了獲得上述效果，_ 聚合的化合物的較佳比例約為G G5重量％以上，為了防』顯示不良’可聚合的化合物的較佳比例約為重量下。尤佳比例為約G.1 |量％至約2重量％的範圍。可聚^ 的化合物難為在光聚合起始轉適#的起關存在^ 由UV照射等來聚合〇用以臂人 f , 用乂聚合的適當條件、起始劑的ϋ s類型及適當的量已為業者所知，光起始劑Irgacure 651 (註冊芮俨）° ；。例士 . n 财商松）、Irgacure 184 (註冊货或者加〇_1173 (註冊商標）（basf)適合聚合。光聚合起始劑的較佳比例為可聚合的化合物_ 34 201243034 •一 V» 0.1重量％至約5重量％的範圍，特佳比例約3重量％的範圍。重里/〇至第七’對成分化合物的合成法進行說明。該些化可利用已知的方法來合成。例如合成法。化合物β 利用日本專利特開平u棚〇〇號公報中記載的方法來^ ^化合物⑴…及化合物⑴])是_日本專^ 表平2-5G3441號公報中記載的方法來合成^合物（m，）是利用日本專利特開2000-008040號公報中公布合成。化合物（3-M)是利用日本專利特開日召％侧伽號公報中記載的方法來合成。化合物（冬本丨）是利用曰本專利特開2005-035986號公報中記載的方法來合成。抗氧化劑已有市售。式⑷的w為1的化合物可從Aldrich (Sigma-Aldrich Corporation)獲取。w為 7 的化合物⑷ 等是利用美國專利3660505號說明書中記載的方法來合成。口未記載合成法的化合物可利用有機合成（〇rganic Syntheses，約翰威立父子出版公司（J〇hn WUey & s〇ns，

Inc))、有機反應（〇rganic Reacti_，約輪威立公司（John Wiley & Sons，Inc ))、綜合有機合成 (Comprehensive Organic Synthesis，培格曼出版公司 (PergamonPress))、新實驗化學講座（丸善）等成書中記載的方法來合成。組成物是利用公知方法，由以上述方式獲％的化合物來製備。例如，將成分化合物混合，然後藉由加熱而使其相互溶解。 35 201243034r 最後，對組成物的用途進行說明。本發明的組成物主要具有約-i〇c以下的下限溫度、約70它以上的上限溫度以及約〇.〇7至約0.20的範圍的光學各向異性。含有該組成物的元件具有大的電壓保持率。該組成物適用於AM元件。該組成物特別適用於穿透型八撾元件。藉由控制成分化合物的比例，或者藉由混合其他的液晶性化合物，亦可製備具有約0.08至約0.25範圍的光學各向異性的組成物以及具有約〇_1〇至約0.30範圍的光學各向異性的組成物。5玄組成物可作為具有向列相的組成物來使用，且可藉由添加光學活性化合物而作為光學活性組成物來使用。本發明的液晶組成物的較佳向列相的下限溫度至少約為0°C以下，更佳的向列相的下限溫度約為_2〇<t以下，尤其更佳的向列相的下限溫度約為_3〇。〇以下。本發明的液晶組成物的較佳向列相的上限溫度至少約為7〇 C以上，更佳的向列相的上限溫度約為乃艽以上尤其更佳的向列相的上限溫度約為以上。本發明的液晶組成物的589 nm下且25〇C下的較佳光學各向異性為約G.G7至約G.2G的範圍，更佳的光學各向異性為約G.G7至約G.16的範u，尤其更佳的光學各向異性為約0.08至約0.12的範圍。 ' 本發明的液晶組成物的坑下的較佳介電各向異性的絕對值JL少約為1.5以上，更佳的介電各向異性的絕對值約為2以上’尤其更麵介電各向異性的絕對值約為u 以上。 …· 36 201243034 5玄組成物可用於AM元件。進而亦可用於PM元件。該組成物可用於具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、 FFS、VA及PSA等模式的am元件及PM元件。特佳為用於具有IPS、FFS或者VA模式的am元件。該些元件可為反射型、穿透型或者半穿透型。較佳為用於穿透型元件。亦可用於非晶石夕-TFT元件或者多晶矽_丁尸丁元件。亦可用於將该組成物微膠囊化而製作的向列曲線排列相 (nematic curvilinear aligned phase ’ NCAP)型元件、或在組成物中形成二維網狀南分子的而分子分散（polymer dispersed， PD)型元件。 [實例] 當試料為組成物時直接測定，記載所得的值。當試料為化合物時’藉由將該化合物（15重量％)混合於母液晶 (85重量％)中來製備試料。根據藉由測定而得的值，利用外推法算出化合物的特性值。（外推值）= {(試料的測疋值）-〇.85χ (母液晶的測疋值）} /0.15。當在該比例下層列相（或者結晶）於25°C下析出時’將化合物與母液晶的比例以10重量％ : 90重量％、5重量％ : 95重量％及1重量％ ·· 99重量0/〇的順序變更。利用該外推法來求出與化合物相關的上限溫度、光學各向異性、黏度及介電各向異性的值。母液晶的成分如下所述。各成分的比例為重量0/〇。 37 201243034, 17. 2% 27. 6% 20. 7% 20. 7% 13. 8% c3h7-{^-coo-^-〇c2h5 c3H7O-coo-^-〇c4h9 caO-co°-〇-〇c2h5 C5Hu—(3-C00—^k〇ch3 C5Hn~O~C00-〇~0C2H5 特性的測定是依據下述方法。該些方法多為日本電子機械工業會規格（Standard of Electric Industries Association of Japan ) EIA J.ED-2521A中記載的方法或者將其修飾而成的方法。向列相的上限溫度（NI，°C):在具備偏光顯微鏡的熔點測定裝置的加熱板上放置試料，以rC/min的速度加熱測疋试料的一部分由向列相轉變為各向同性（isotropy ) 液體時的溫度。有時將向列相的上限溫度簡稱為r上限溫度」。向列相的下限溫度（Tc ’ °c):將具有向列相的試料放入玻璃瓶中，在〇°C、_10°C、-2〇t：、·3〇Χ：及-40°c的冷凍器中保管1〇天後，觀察液晶相。例如，當試料在_2〇。〇下為向列相的狀態，而在-3〇°C下轉變為結晶或者層列相 38 201243034 二將=:〈鐵」。有時將向列相的下限溫度簡 ―、光學各向異性（折射率各向異性，Δη，在25t下測 =定 589⑽的光，利用目鏡上安裝有偏 ^的^折料來進行。將主稜鏡的表面向_個方擦後’將試料滴下至主稜鏡上。折射率n丨丨是的方向平行時測定。折射^丄是在偏光的方向 =二=測定。光學各向異性的值是由介電各向異性（Δε，在坑下測定）··介電各向異性的值是由Δε=ε丨| -ε丄的式子計算出。介電常數（£丨丨及£丄是以如下方式測定。 υ介電常數（ε || )的測定：在經充分清洗的玻璃基板上塗佈十八烷基三乙氧基矽烷（〇16 mL)的乙醇 mL)溶液。以旋轉器使玻璃基板旋轉後，在15〇它下加熱 1小時。在兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μηι的' VA元件中放入試料，對該元件利用以紫外線硬化的黏接劑加以密封。對該元件施加正弦波（0.5 V，1 kHz)，2秒後測定液晶分子的長軸方向的介電常數（ε || )。 2)介電常數（ε丄）的測定：在經充分清洗的玻璃基板上塗佈聚醯亞胺溶液。將該玻璃基板煅燒後，對所得的配向膜進行摩擦處理。在兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙） 39 201243034 一 · -X· 1 為9 μηι且扭轉角為80度的TN元件中放入試料。對該元件施加正弦波（0.5 v，1 kHz)，2秒後測定液晶分子的短軸方向的介電常數（ε丄）。臨界電壓（Vth，在25°C下測定’ V):測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為齒素燈。在兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μιη且摩擦方向為反平行的正常顯黑模式（normally black m(Kje) 的VA元件中放入試料，對該元件利用以紫外線硬化的黏接劑加以密封。對該元件施加的電壓（60 Hz，矩形波）是以0.02 V為單位自〇 V階段性地增加至20 V。此時，從垂直方向對元件照射光，測定穿透過元件的光量。製成當該光量達到最大時穿透率為100%，且當該光量為最小日^ 透率為0%的電壓-穿透率曲線。臨界電壓是穿透率達到 10%時的電壓。一電壓保持率（VHR-卜25。〇，％):測定時使用的TN 兀件具有聚醯亞胺配向膜，而且兩塊玻璃基板的間隔（單兀間隙）為5 μιη。該元件在加入試料後，利用以紫外線硬化的黏接劑加以密封。對元件施加脈衝電壓（5ν， 60微秒）來充電。利用高速電壓計在16 7毫秒之間測定所衰減的電壓，求itj單位週射的電壓曲線與橫轴之間的面積A。面積B為未衰減時的面積。電壓保持率為面相對於面積B的百分率。 -電壓保持率（VHR-2，_，％):測定時使用的TN 70件具有聚醯亞胺配向膜，而且兩塊玻璃基板的間隔（單 201243034 兀間隙）為5 μηι。該元件在加入試料後，利用以紫外線硬化的黏接劑加以密封。對該ΤΝ元件施加脈衝電壓ν， 60^鼓秒）來充電。利用高速電壓計在16.7毫秒之間測定所衰減的電壓’求出單位週期中的電壓曲線與橫軸之間的面積Α °面積Β為未衰減時的面積。電壓保持率為面積A 相對於面積B的百分率。電壓保持率（VHR-3，25°C，％):照射紫外線後，測定電壓保持率，評價對紫外線的穩定性。測定時使用的TN 元件具有聚醯亞胺配向膜，而且單元間隙為5 μιη。在該元件中注入試料，照射光2〇分鐘。光源為超高壓水銀燈 USH-500D (Ushio電機製造），元件與光源的間隔為2〇 cm°VHR-3的測定是在16.7毫秒之間測定所衰減的電壓。具有大的VHR-3的組成物對紫外線具有大的穩定性。 VHR-3較佳為90%以上，更佳為95%以上。電壓保持率（VHR-4，25°C，％):將注入有試料的 TN元件在8〇°C的恆溫槽内加熱500小時後，測定電壓保持率’評價對熱的穩定性。VHR-4的測定是在6.7毫秒之間測定1所衰減的電壓。具有大的VHR-4的組成物對熱具有大的穩定性。響應時間（τ，在25°C下測定，ms):測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為南素燈。低通遽波器（Low-pass filter)是設定為5 kHz。在兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為3.2 μιη且摩擦方向為反平行的正常顯黑模式（normally black mode)的PVA元件 41 201243034 中放入試料，對該元件利用以紫外線硬化的黏接劑加以密封。對該元件施加稍微超過臨界電壓的程度的電壓約i分鐘，接著一邊施加5.6 V的電壓，一邊照射23 5 mW/cm2 的紫外線約8分鐘。對該元件施加矩形波（6〇Hz，1〇 v，〇_5秒）。此時，從垂直方向對元件照射光，測定穿透過元件的光量。當该光量達到最大時穿透率為1〇〇% ,當該光量為最小時穿透率為0%。響應時間是穿透率自9〇%變化為10%所需要的時間（下降時間，fau time，毫秒）。比電阻（P，在25°c下測定，Ωαη):在具備電極的容器中注入試料1.0 mL。對該容器施加直流電壓（1〇 ν)，測定10秒後的直流電流。比電阻是由如下式子算出。（比電阻）= {(電壓）X (容器的電容）}/{(直流電流）χ (真空的介電常數）}。 ’ iH-NMR分析，測疋裝置疋使用DRX-500 (Bruker BioSpin (股）公司製ie)。測疋是將實例等中製造的樣品溶解於CDCi3等樣品可溶解的氘化溶劑中，在室溫、500 MHz、累計次數 $ 24次的條件進行。此外，所得的核磁共振波譜的說明 :是指單重峰（singlet)，d是指雙重峰（d〇ublet)，t 疋指二重峰（triplet；)，q是指四重峰（叩artet)，爪是指多，峰（multiplet)。另外’化學位移δ值的零點的基準物質疋使用四甲基石夕烧（tetramethylsilane，TMS )。利用相同裝置亦進行19F-NMR分析。

氣相層析分析：測定時使用島津製作所製造的gc_14B 42 201243034 型氣相層析儀。載體氣體為氦氣（2 mL/min )。將試料氣化室設定為280°C，且將檢測器（火焰離子檢測器，flame ionization detector，FID)設定為300t：。成分化合物的分離時使用Agilent Technologies Inc.製造的毛細管柱DB4 (長度30 in，内徑0.32 mm，膜厚0.25 μιη ;固定液相為一曱基聚碎氧院，無極性）。該管柱在2〇〇它下保持2分鐘後，以5°C/mm的比例升溫至280t。試料製備成丙酮溶液（0.1重量％)後，將其中的1 μί注入至試料氣化室中。記錄計為島津製作所製造的C-R5Α型Chromatopac或者其同等品。所得的氣相層析圖表示與成分化合物對應的峰值的保持時間及波峰的面積。用以稀釋試料的溶劑可使用氯仿及己烷等。為了分離成分化合物，可使用如下毛細管柱。Agilent Techn〇i〇gies Inc·製造的HP-1 (長度30 m，内徑〇 32 mm，膜厚〇 25 μπι)、Restek C〇rp〇rati〇n製造的恤」（長度3〇坩，内徑 0.32 mm，膜厚〇 25 μπι)、SGE International Pty. Ltd 製造的BP](長度30m’内徑〇.32mm，膜厚0.25 μιη)。出於防止化合物波峰重疊的目的，亦可使用島津製作所製造的毛細管柱cbpi-M50_025 (長度50 m，内徑〇 25咖，膜厚 0.25 μπι)。組成物中所含的液晶性化合物的比例可利用如下所述的方法算出。液晶性化合物可利用氣相層析儀來檢測。氣相層析圖中的波峰的面積比相t於液日性化合物的比例 (莫耳數）。使用上文記载的毛細管柱時，可將各液晶性化 43 201243034 ^物的修正係數視為丨。因此’液晶性化合物的比例（重量％)是根據波峰的面積比來算出。利用實例對本發明進行詳細說明。本發明不受下述實例的限定。比較例及實例中的化合物是根據下述表3的定義’利用記號來表示。表3中，與i，4_伸環己基相關的立體構型為反式構型。位於記號後的括弧内的編號與化合物的編號對應。（_)的記號是指其他的液晶性化合物。液晶 ^化合物的比例（百分率）為根據液晶組成物總重量的重里百分率（重量％)，液晶組成物中包含雜質。最後，歸納組成物的特性值。 201243034 表3.使用記號的化合物的表述法R-D-Zr··-Zn-(An)-R' 1)左末端基R- 記號 CnH 2n+r n- CnH 2n+1〇_ nO- CmH2nl+i〇CnH 2n- mOn- ch2=ch- V- C„H2n+「CH=CH- nV- CH2-CH-CnH2n- Vn- CraH2ra+rCH=CH-CnH2n- m Vn- cf2=ch- VFF- CF2=CH-CnH2n- VFFn- F -CnH2n- Fn- CnH 2n+rCF2_ nCF2- 2)右末端基-R’ 記號 nH 2n+i -n _〇 CnH2n+1 -On -ch:ch2 -V -CH=CH-CnH2n+1 -Vn -CnH2n-CH=CH2 -nV -ch=cf2 -VFF 3)結合基-Zn- 記號 _CnH2n- n -COO- E -CH:CH- V -ch2o- 10 -och2- 01 _S H 2~ Si 4)環結構-A記號 Cl F Cro(7F,8F)

普

Cl

5)表述例

例 1 F3-HH-V

例 2 3CF2-HH-3 F

Ch B BCF) BF) Bf,F) B CF,3F) B 2F.3CL) B(2CL,3F) B 6F,6F) B2F,3F,6M e) dh Dh

例 4 3-HBB2F,3F)-02

/h〇c2H5 [實例1] 化合物（1-1-1)中，製造如下的化合物。 45 201243034 !H-NMR (CDCI3； δ ppm): 5.77 (ddd, 1H, J=17 Hz, 10.5 Hz, 6.5 Hz), 4.95 (ddd, 1H, J=17 Hz, 1.5 Hz, 1.5Hz), 4.87 (ddd, 1H, J=ll Hz, 1.5 Hz, 1.5 Hz), 4.42 (dt, 2H, J=47.5 Hz, 6.2 Hz), 1.92-1.82 (m, 1H), 1.78-1.64 (m, 10H), 1.28-1.24 (m, 2H), 1.21-1.12 (m, 1H), 1.10-0.84 (m, 10H); 19F-NMR (CDCI3； δ ppm): -218.0 (tt, IF, J=95.0 Hz, 23.8 Hz). 相轉移溫度為Cr3.0 SB 36.0N53.4Iso。其中，Cr表示結晶，SB表示層列B相，N表示向列相，Iso表示各向同性液體，相轉移溫度的單位全部為°C。另外，將該化合物混合於母液晶中，利用外推法獲得化合物的特性值。 NI=33.9°C ; Δε=-1·0 ; Δη=0.039。 [實例2] 化合物（1-1-1)中，製造如下化合物。

!H-NMR (CDCI3； δ ppm): 5.77 (ddd, 1H, J=17 Hz, 10.5 Hz, 6.5 Hz), 4.95 (ddd, 1H, J=17 Hz, 1.5 Hz, 1.5 Hz), 4.87 (ddd, 1H, J=10.5 Hz, 1.5 Hz, 1.5 Hz), 4.49 (dt, 2H, J=47.5 Hz, 6.2 Hz), 1.92-1.83 (m, 1H), 1.80-1.71 (m, 8H), 1.58 (ddt, 2H, J=26 Hz, 6.5 Hz, 6.2 Hz), 1.41-1.33 (m, 1H), 1.10-0.89 46 201243034 (m，l〇H); 19F-NMR (CDC13; δ ppm): -218.3 (tt, lj?

Hz, 52.9 Hz). ’ 相轉移溫度為Cr-26.2 SB 41.4 Iso。其中，Cr表示名士晶，SB表示層列B相’ Iso表示各向同性液體，相轉^多: 度的單位全部為。C。另外，將該化合物混合於母液^中利用外推法獲得化合物的特性值。NI=15.〇t： ; . △η=0·024。 ’ [實例3] 化合物（1-1-1)中，製造如下化合物。

^-NMR (CDC13; δ ppm): 5.41-5.33 (m, 2H), 4 42 (dt 2H, J=47.4 Hz, J=6.3 Hz), 1.80-1.66 (m, 11H), 1 ¢3 (d Γ ΙοηΜ28"1'23 ^ 2H)，L2〇'l n K 1HX 106：0·83, (m, 10H); F-NMR (CDC13; δ ppm) -218.05 (dt iF T=47 , Hz, J=24.4 Hz). ’，j-47·4 相轉移溫度為Cr 43.6 SB 49.8 N 87.2 IS0。其中Cr 表示結晶’ SB表示層列B相，N表示向列相、：Γ 向同性液體，相轉移溫度的單位全部為。c。另外0 ^ 二液晶中，利用外推法獲得化合物的特= NI=77.0 C，Δε=-2.6 ; ^11=0.064。 [實例4] 化合物（1-M)中，製造如下化合物。 201243034 A. r

F ^-NMR (CDCI3; δ ppm) 5.41-5.33 (m, 2H), 4.49 (dt, 2H, J=47.4 Hz, J=6.3 Hz), 1.80-1.71 (m, 8H), 1.63 (d, 3H, J=4.9 Hz), 1.62-1.51 (m, 2H), 1.41-1.25 (m, 2H), 1.06-0.87 (m, 10H). 19F-NMR (CDCI3； δ ppm) -218.35 (dt, IF, J=47.4 Hz，J=24.4 Hz).相轉移溫度為 Cr 1.4 SB 40.4 Iso。其中， Cr表示結晶’ SB表示層列B相，Iso表示各向同性液體，相轉移溫度的單位全部為。C。另外，將該化合物混合於母液晶中，利用外推法獲得化合物的特性值。NI=44.7°C ; △s==-0.9 ; ^11=0.049。 [實例5] 化合物（1-M)中，製造如下化合物。

'H-NMR (CDCI3； δ ppm) 5.43-5.35 (m, 2H), 4.24 (dd, 2Ή’ J==47.7 Hz，J=6.1 Hz)，1.83-1.57 (m，11H)，1.66 (d, 3H, JM·5 Hz), 1.10-0.97 (m, i〇H), 19F-NMR (CDC13; δ ppm) ~222.82 (dt, if, J=47.7 Hz, J=16.7 Hz). 表示各向同錄體，_移溫度的單位將該化合誠合於母M +，相轉移溫度為Crl4.〇N22.1Iso。其中，&表示結晶，向列相，Iso 全部為。C。另外， 48 201243034

法獲传化合物的特性值。Nl=19.7 C ’ ^£=-0.8 ; △nso.Qs?。 [比較例1] 從曰本專利特開平n_〇3550〇號公報中揭示的組成物中選擇組成物例1。依據是由於該組成物含有化合物（i )。該組成物的成分及特性如下所述。比較例1的介電各向異性（Δε)為正，並不滿足發明所欲解決的課題。另外，曰本專利特開平11-〇355〇〇號公報中揭示的其他組成物例亦同樣。 3CF2-HH-3 (1) 10% 4CF2-HH-3 (1) 10% 7-HB(F,F)-F (-) 5% 2-HHB(F)-F (-) 7% 3-HHB(F)-F (-) 7% 5-HHB(F,F)-F (-) 7% 3-H2HB(F,F)-F (-) 9% 5-H2HB(F,F)-F (-) 5% 3-HH2B(F,F)-F (-) 8% 5-HH2B(F,F)-F (-) 7% 3-HHB(F,F)-F (-) 8% 5-HHB(F,F)-F (-) 7% 3-HHB-F (-) 5% 3-HBB-F (~) 5% NI=80.8〇C ； Δη= [比較例2] -0.0689 ; η=24.9 mPa-s ； Δε=4.7 0 49 201243034 調配含有與化合物（1)類似的化合物的液晶組成物，利用上述方法來測定。該組成物的成分及特性如下所述。該液晶組成物的下限溫度為-10 °C至-2 0 °c的範圍。 3-HH-VFF (1)類似 29% 3-HB(2F，3F)-02 (2-2-1) 10% V-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 12% 3-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 10% 5-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 3% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 11% 3-HH-4 (3-1-1) 11% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 14% NI=70.8〇C ； Tc<-10°C ;Δη=0·102 ; η=16.0 mPa s ; Αε=-2.3 ; VHR-1=99.1% ; VHR-2=96.3% ; VHR-3=95.5%。 [實例6] 將比較例2的與化合物（1)類似的化合物置換為化合物（1-1-1 )。調配本組成物，利用上述方法來測定。該組成物的成分及特性如下所述。實例6與比較例1相比，下限溫度更低，負的介電各向異性更大。 F3-HH-V (1-1-1) 29% 3-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 10% V-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 12% 3-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 10% 5-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 3% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 11% 50 201243034 3-HH-4 (3-1-1) 11% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 14% NI=69.8〇C ； Tc<-30°C ;Δη=0.101 ; η=16·7 mPa.s ; Δε=-3.1 ； VHR-1=99.2% ； VHR-2=97.8% ； VHR-3= =96.6% 1 [實例7] F3-HH-V (1-1-1) 20% 3-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 5% 5-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 5% 3-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 11% 2-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 3% 3-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 5% 4-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 5% V2-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 3% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 5-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 2-HH-3 (3-1-1) 12% 3-HH-4 (3-1-1) 11% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 10% NI=71.1°C ； Tc<-30°C ；Δη= =0.087 ； η=16.4 mPa.s ; Δε=-3.3 ； VHR-1=99.1% ； VHR-2= =97.9% ； VHR-3=96.8% [實例8] F3-HH-V (1-1-1) 20% 5-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 5% 5-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 7% 51 201243(¾ 2-HHB(2F,3F)-l (2-4-1) 8% 3-HHB(2F，3F)-l (2-4-1) 8% 3-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 8% 5-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 3% 3-DhHB(2F,3F)-02 (2-8-1) 4% 3-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 4% 3-dhBB(2F,3F)-02 (2-10-1) 3% 3-HH-4 (3-1-1) 10% 3-HH-V (3-1-1) 10% 3-HB-02 (3-2-1) 10% NI=72.1〇C ； Tc^-30°C ;Δη=0·080 ; η=15·9 mPa-s -3.2 ； VHR-1=99.0% ； VHR-2=97.7% ； VHR-3= [實例9] =96.5% F2-HH-V (1-1-1) 8% F3-HH-V (l-i-i) 18% F3-HH-2V1 (Μ-D 10% 3CF2-HH-3 (l) 3% 3-H2B(2F,3F)-04 (2-3-1) 18% 2_HHB(2F，3F)-1 (2-4-1) 6% 3-HHB(2F，3F)-l (2-4-1) 7% 3-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 7% 5-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 8% 3-HH10B(2F,3F)-l (2-7-1) 5% 2-BB(2F,3F)B-3 (2-12-1) 3% 52 201243034 2-BB(2F,3F)B-4 (2-12-1 ) 7% NI=70.1°C ； Tc<-30°C ； Δη=0.087 ； η=17.1 mPa-s ； Δε=-3·1 ; VHR_卜99.1% ; VHR-2=97.5% ; VHR-3=96.8%。 [實例10] F3-HH-V (1-1-1) 20% 5-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 7% lV2-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 3% 3-H2B(2F,3F)-04 (2-3-1) 12% 5-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 5% V2-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 3% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 5-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 5-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 4% 3-HHB(2F,3CL)-02 (2-11-1) 3% 2-BB(2F,3F)B-4 (2-12-1) 5% 3-HH-V (3-1-1) 5% 5-HH-V (3-1-1) 5% 3-HH-V1 (3-1-1) 5% l-BB-3 (3-3-1) 5% V2-BB-1 (3-3-1) 3% 2-BB(F)B-5 (3-6-1) 2% 5-HBB(F)B-2 (3-13-1) 3% NI=70.8〇C ； Tc^-30°C ；Δη=0.098 ； η=16.6 mPas Αε=-3.3 ; VHR-1=99.2% ; VHR-2=97.4〇/〇 ; VHR-3=96.6%。 53 201243034 [實例11] F3-HH-V (1-1-1) 12% 4CF2-HH-3 (1) 8% 5-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 10% 5-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 8% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 4% 5-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 8% 2-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 3% 3-HH-Ol (3-1-1) 3% 3-HH-V (3-1-1) 8% 1-HH-2V1 (3-1-1) 5% 3-HH-2V1 (3-1-1) 3% 3-HB-Ol (3-2-1) 3% l-BB-5 (3-3-1) 7% 1V2-BB-1 (3-3-1) 3% 3-HHB-Ol (3-4-1) 3% 3-HBB-2 (3-5-1) 3% 3-H2Cro(7F,8F)-5 (4-1-1) 3% 3-HH2Cro(7F,8F)-5 (4-3-1) 3% 5-HB10Cro(7F,8F)-5 (4-5-1) 3% NI=70.8〇C ； Tc<-30°C ;Αη=0·085 ; η=19.2 mPa.s ; △ε=-3.4 ; VHR-1=98.9% ; VHR-2=97.1% ; VHR-3=96.2%。 [實例12] F3-HH-V (1-1-1) 16% 54 201243034 3V-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 3% 3-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 10% 3-H2B(2F,3F)-04 (2-3-1) 12% 3-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 8% 5-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 9% 3-HHB(2CL,3F)-02 (2) 2% 3-HH-V (3-1-1) 12% 3-HH-V1 (3-1-1) 3% V2-BB-1 (3-3-1) 3% V2-BB(F)B-3 (3-6-1) 3% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 3% 3-HHEH-5 (3-8-1) 3% 3-HHEBH-3 (3-9-1) 3% 5-H10Cro(7F,8F)-5 (4-2-1) 3% 3-HH10Cro(7F,8F)-5 (4-4-1) 4% 40-Cro(7F,8F)H-3 (4) 3% NI=71.1°C ； Tc<-30°C ;△!!=0.086 ; η=19.8 mPa-s ； -3.4 ； VHR-1=98.8% ； VHR-2=96.9% ； VHR-3= [實例13] =96.2% F3-HH-V (1-1-1) 15% 3-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 10% 3-H2B(2F,3F)-04 (2-3-1) 7% 5-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 10% lV2-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 2% 55 201243(¾ 3-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 5% 3-HH10B(2F,3F)-l (2-7-1) 3% 3-DhHB(2F,3F)-02 (2-8-1) 3% 3-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 5% 3-HH-V (3-1-1) 13% 5-HB-3 (3-2-1) 7% l-BB-3 (3-3-1) 5% 5-B(F)BB-3 (3-7-1) 3% 3-HBBH-3 (3-10-1) 3% 3-HB(F)HH-5 (3-11-1) 3% 5-HB(F)BH-5 (3-12-1) 3% 101-HBBH-5 (-) 3% NI=70.7〇C ； Tc<-30°C ； Δη= =0.090 ; η=17·2 mPa s ; △ε=-3.0 ; VHR-1=99.1% ; VHR-2: :97.2% ; VHR-3: =96.9% [實例14] F2-HH-V (1-1-1) 5% F2-HH-V3 (l-l-l) 5% F3-HH-V (1-1-1) 7% 3-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 7% 5-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 5% V-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 5% 2-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 7% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 4-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 56 201243034

2-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1 ) 3% 2-BB(2F,3F)B-3 (2-12-1) 7% 3-HH-V (3-1-1) 15% 5-HH-V (3-1-1) 5% 5-HB-02 (3-2-1) 3% l-BB-3 (3-3-1) 7% 3-HHB-l (3-4-1) 3% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 3% 5-B(F)BB-3 (3-7-1) 3% NI=72.2〇C ； Tc<-30°C ；Δη=0.102 ； η=16.1 mPa.s Αε=-3·2 ; VHR-1=99.0% ; VHR-2=97.1% ; VHR-3: [實例15] =96.5% F2-HH-V1 (1-1-1) 3% F3-HH-V1 (1-1-1) 5% 3-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 5% 4_BB(2F，3F)-02 (2-1-1) 5% V-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 7% 2-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 7% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 5-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 3% 3-HHB(2F,3CL)-02 (2-11-1) 3% 2-BB(2F，3F)B-3 (2-12-1) 5% 5-H10B(2F,3F)-02 (2) 3% 2-HH-3 (3-1-1) 5% 57 201243034 (3-1-1) 17% (3-1-1) 5% (3-3-1) 5% (3-4-1) 3% (3-4-1) 5%

3-HH-V 3-HH-Vl l-BB-3 3-HHB-3 V2-HHB-1 2-BB(F)B-3 2-BB(F)B-5 NI=76.〇〇C ； U-o-1； 4% (3-6-1) 5% 丁c<-3〇C ; Δη=0·109 ; η=17.7 mPa.s

—、一 v 一 7 uu , \\—X I . / iur cTS Δε=-3^.4 ； VHR-i=99 2〇/〇； VHR-2=97.3% ； VHR-3=96.7% 實例6至實例15的組成物與比較例1及比較例2的、彳成物相比’下限溫度低’貞的介f各向異性大。因此，；發明的液晶組成物較專敎獻丨及專散獻2所示的液E 組成物而言，具有更優異的特性。 [產業上之可利用性] 本發明的液晶組成物在向列相的高上限溫度、的低下限溫度、小的黏度、大的光學各向異性、大的〜各向異性、大的比電阻、對紫外_高穩定 ^ 具有適當的平衡。含有此種組成物的液晶顯為具有短的響應時間、大的電壓保持率、大 J壽命等的AM元件，故而可用於液晶投影機及【圖式簡單說明】無。【主要元件符號說明】無0 58

Claims

201243034 七、申請專利範圍： 1 . 種液晶組成物，含有遗(¾ _V ,,、物組群中·少—二人二^自式（1 )絲示的化合種化合物作為第一成分以艿准白气（2) 所表示的化合物組群中的至少一、^ 而且且;種化合物作為第二成分，而且具有負的介電各向異性：

(1)

R4 (2)

或者

為粟μ立地為氣或氯，γ1為氫或甲基；zi&z2獨立地 0、! Ή乙基、亞甲氧基或者幾氧基；m及η獨立地為、、2或3，而且111與11的和為i、2或3。、十、楚2.如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中上；成刀疋選自式（1_1)所表示的化合物組群中的至少 59 201243034 一種化合物： FTCH2)~^0~C^~r2 d-D \ /p 其中，R2為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基；p為1至12的整數。 3.如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自式（2-1)至式（2-12)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 201243034

(2-1) (2-2) (2-3) (2-4) (2-5) (2-6) (2-7) (2-8) (2-9) (2-10) (2-11) P-12) 61 201243034 其中’ R及R4獨立地為碳數1至12的烧基、碳數1 至12的烧氧基或者碳數2至12的姊基。 4. 如申清專利範圍第2項戶斤述之液晶組成物，其甲上述第二成分為選自申請專利範圍第3項所述之式（2-4)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 5. 如申請專利範圍第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分為選自申請專利範圍第3項所述之式（2_7)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中根據液晶組成物的總重量，上述第一成分的比例為5重量％至80重量％的範圍，而且上述第二成分的比例為重量 %至95重量％的範圍。 7.如申請專利_第1項所述之液晶組成物含有選自式（3)所表示的化合物組群中的至少一; 作為第三成分： .晶組成物，其中更的至少一種化合物

其中，R5及R6獨立地為碳數工至12的烷氡基、碳數2至至12的烷氡基、

1，4-伸環己基、ι，4_伸笨基、2 環C、苯基，Z3及Z4獨立地為單鍵、至12的烧基、碳數1 締基或者至少1個氫經氟 & C、環D及環E獨立地為 •氟K伸苯基或3-氟-1,4-伸、伸乙基、亞曱氧基或者羰氧 62 201243034 基；q為0、1或2。 8.如申請專利範圍第7項所述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自式（3-1)至式（3-13)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 63 201243034

(3-D (3-2) (3-3) (3-4) (3-5) (3-6) (3-7) (3-8) (3-9) (3-10)(3-11) (3-12) (3-13) 其中，R5及R6獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 64 201243034 個氫經氟至12的烷氧基、碳數2至12的烯基或者至少取代的碳數2至12的烯基。 9·如申請專利範圍第7項所述之液晶組成物，盆中根據液晶組成物的總重量，上述第三成分的比例為/重至80重量％的範圍。爭八請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中 3有選自式（4)所表示的化合物組群中的至物作為第四成分：

至η狀Λ 為碳數1至12的燒基、碳數1 的以基、碳數2至12的職或者至少 =代的碳數2至12的稀基；環F及環G獨立地為 %己基或者1，4·伸苯基；25及Ζ6獨立地為單鍵、伸乙美、亞甲乳基或者It氧基；『及8獨立地 : r與s的和為1、2或3。 2次3,而且如申請專利範圍第1G項所述之液晶上述第四成分是選自式⑷）至式⑷ = 物組群中的至少-種化合物： /、的° 65 201243034r

(4-1) (4-2) (4-3) (4-4) (4-5) 其中\R7及R8獨立地為碳數丨至12的烷基、碳數i 的燒氧基、ί厌數2至12的稀基或者至少1個氫經氟取代的碳數2至12的烯基。 12. 如申明專利範圍第項所述之液晶組成物，其中根據液晶組成物的總重量’上述第四成分的比例為5重量 %至40重量％的範圍。 13. 如申請專利範圍第丨項所述之液晶組成物，其中向列相的上限溫度為70 C以上，波長589 nm下的光學各向異性（25 C )為0.08以上，而且頻率1 kHz下的介雷久向異性⑽）為-2以下。電各 14. 一種式（1-1-1)所表示的化合物·· 66 201243034 FfCH2f^OMC7^R9 (1-1-1) \ / p 其中，p為1至12的整數；R9為碳數2至12的烯基。 15. —種液晶顯示元件，含有如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物。 16. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示元件，其中該液晶顯示元件的運作模式為VA模式、IPS模式、FFS 模式或者PSA模式，液晶顯示元件的驅動方式為主動矩陣方式。 17. —種如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物的用途，用於液晶顯示元件中。 18. —種如申請專利範圍第14項所述之式（1-1-1)所表示的化合物，其中，p為1至12的整數；R9為碳數2至3的烯基。 67 201243034 A 1 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：無。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 無。五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (1) rKX>r2

(2) 3 201243034^ 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期-.101年6月Μ日發明糞刺說明書 (本說明書格式、順序’請勿任意更動’※記號部分請勿填寫） ※申請案號： ※申請曰： ※^匚分類：一、發明名稱：（中文/英文）液晶組成物及液晶顯不元件 LIQUID CRYSTAL COMPOSITION AND LIQUID Q CRYSTAL DISPLAY DEVICE 二、中文發明摘要：本發明提供一種液晶組成物，其在向列相的高上限溫度、向列相的低下限溫度、小的黏度、適當的光學各向異性、大的負介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的高穩定性及對熱的高穩定性等特性中，滿足至少一種特性，或者至少兩種特性具有適當的平衡。並且本發明提供一種 0 AM元件，其具有短的響應時間、大的電壓保持率、大的對比度及長的壽命等。本發明的液晶組成物含有具有低下限溫度的特定二環化合物作為第一成分、以及具有大的負介電各向異性的特定化合物作為第二成分，而且具有負的介電各向異性；並且本發明的液晶顯示元件含有該組成物。三、英文發明摘要： The invention provides a liquid crystal composition, which satisfies at least one characteristic or has suitable 1 201243034 ill 10^112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:101年6片22卜| 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明是有關於一種主要適用於主動矩陣（active matrix，AM)元件等的液晶組成物以及含有該組成物的 AM元件等。尤其是有關於一種介電各向異性為負的液晶組成物，且有關於含有該組成物的橫向電場切換（in_plane switching，IPS)模式、垂直配向（vertical alignment，VA) 模式、邊緣電場切換（fringe field switching，FFS )模式或者高分子穩定配向（polymer sustained alignment，PS A )模式的元件等。【先前技術】液晶顯示元件中’根據液晶的運作模式的分類為相變 (phase change，PC )、扭轉向列（twisted nematic，TN )、超扭轉向列（super twisted nematic，STN)、電控雙折射 (electrically controlled birefringence，ECB)、光學補償彎曲（optically compensated bend，OCB )、橫向電場切換 (in-plane switching ’ IPS )、垂直配向（vertical alignment， VA)、邊緣電場切換（fringe field switching，FFS)、高分子穩定配向（Polymer sustained alignment，PSA)模式等。根據元件的驅動方式的分類為被動矩陣（passive matrix， PM)與主動矩陣（active matrix，AM)。PM分類為靜態 (static)與多工（multiplex)等，AM分類為薄膜電晶體 (thin film transistor，TFT)、金屬-絕緣體-金屬（metal insulator metal，MIM )等。TFT 的分類為非晶矽（amorphous 201243034 _ Ll 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6月22日 SiliC〇n)及多晶石夕（polycrystalline silicon)。後者根據製造步驟而分類為高溫型與低溫型。根據光源的分類為利用自然光的反射型、利用背光源的穿透型以及利用自然光與背光源兩者的半穿透型。、該些元件含有具有適當特性的液晶組成物。該液晶組成物/、有向列相。為了獲得具有良好的一般特性的am元件，而使組成物的一般特性提高。將兩者的一般特性中的〇關聯歸納於下述表1中。根據市售的AM元件來對、组成物的般特性進一步進行說明。向列相的溫度範圍與元件可使用的溫度範圍相關聯。向列相的較佳上限溫度約為7(rc 以上，而且向列相的較佳下限溫度約為-2 01：以下。組成物，黏，與疋件的響應時間相關聯。為了以元件顯示動態影二較佳為響應時間短。因此’較佳為組成物的黏度小。更佳為在低溫度下的黏度小。 ❹ 元件的一般特性組成物的一般特性

相的溫度範圍廣 ϊά度小~ ^ 本學各向異性適當 1) 正或負的介電各向異性大電阻大 -~~ $外線及熱穩走~ 可縮短向液晶單元+注入組成物的時間

電壓保持率大，對比度大 _壽命長對比度大 AM元件的一般特性 ^可使用的溫度範圍廣 ¥1時間短臨界電壓低，消耗電力小對比度大

物的 5 201243034 A 修正日期额年物π 爲第1011丨2455號中文說明書無劃線修正本是設計成使對比度絲大。適當的積值與運作相關聯。VA模式的元件中為約0 · 3 〇 _至約、種類圍，們模式或者FFS模式的元件中為約〇 2〇帅至^ = μηι的乾圍。此時，對單元間隙小的元件而言較佳為具大的光學各向異性的組成物。組成物的絕對值大的介^ 向異性有助於元件的低臨界電壓、小的消耗電力及大的比度。因此’健摘對似的介電各向異性。組成物的大的比電阻有助於大的電壓保持率，且有助於树的大的對比度。因此，較佳為在初始階段中不僅在室溫下，而且在高溫下亦具有大的比電阻的組成物。較佳為在長時間使用後不僅在室溫下，而且在高溫下亦具有大的比電阻的，成物。組成物對料線及熱賴定性無晶顯示元件的壽命相關聯。當該純定性高時，該元件的壽命長。此種特性對於液晶投影機（pr〇ject〇r)及液晶電視等所使用的 AM元件而言較佳。具有TN模式的AM元件中使用具有正的介電各向異性的組成物。另—方面’具有VA模式的am元件中使用具有負的介電各向異性的組成物。具有Ips模式或者FFS _式的AM兀件中使用具有正或負的介電各向異性的組成物。具有PSA模式的AM元件中使用具有正或負的介電各白異I1 生的、’且成物。液晶組成物的例子揭示於如下所述的專利文獻1及專利文獻2中。 [先前技術文獻] [專利文獻] 201243034“ 爲第101112455號中文說_無劃線修正本修正曰期:1〇1年6月221 [專利文獻1]曰本專利特開平11-035500號公報 [專利文獻2]曰本專利特開平3_5〇5742號公報較理想的AM元件具有可使用的溫度範圍廣、響應時間短、對比度大、臨界電壓低、電壓保持率大及壽命長等特性。較理想為響應a守間短於1毫秒。因此’組成物的較理想特性為向列相的南上限溫度、向列相的低下限溫度、小的黏度、適當的光學各向異性、正或負的大介電各向異〇性、大的比電阻、對紫外線的高穩定性及對熱的高穩定性等。【發明内容】本發明的一目的為一種液晶組成物，其在向列相的高上限溫度、向列相的低下限溫度、小的黏度、適當的光學各向異性、大的負介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的南穩定性、對熱的高穩定性等特性中，滿足至少一種特性。另一目的是一種至少兩種特性具有適當平衡的液晶組 D 成物，尤其是滿足低的下限溫度及大的負介電各向異性的液晶組成物。另一目的是一種含有此種組成物的液晶顯示疋件。另一目的是一種具有作為小的光學各向異性或者大的光學各向異性的適當光學各向異性、大的負介電各向異性、對紫外線的高穩定性等特性的組成物，以及具有短的響應時間、大的電壓保持率、大的對比度、長的壽命等特性的AM元件。本發明是一種液晶組成物以及含有該組成物的液晶顯示元件’上述液晶組成物含有選自式（1)所表示的化合物 7 201243034 in ιόπΐ2455號中文說明書無劃線修正本修正日期:ι〇ι年22 π 組群中的至少-種化合物作為第一成所表示的化合物組群中的至少-種化合物作^自；(2) 而且具有負的介電各向異性。為弟一成分，

其中，R1為1個或2個氫經氟取代的碟數i至！烧基；R2 ' Rl R4獨立地為碳數】至12的絲的至的院氧基或者碳數2至12的烯基；環a及環地為

x及X2獨立地為氟或氣；Y1為氫或曱基；ζι&ζ2獨立地為單鍵、伸乙基、亞曱氧基或者羰氧基；111及11獨立地為 0、1、2或3,而且m與η的和為1、2或3。 [發明的效果] 本發明的優點為一種在向列相的高上限溫度、向列相的低下限溫度、小的黏度、適當的光學各向異性、大的負介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的高穩定性、對熱 201243034. 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1G丨年6月22 f 的南穩定性等特性中，滿足至少一種特性的液晶組成物。本發明的一方面為至少兩種特性具有適當平衡的液晶組成物。另一方面為含有此種組成物的液晶顯示元件。另一方面為具有適當的光學各向異性、大的負介電各向異性、對备、外線的南穩定性等的組成物，而且提供一種具有短的響應時間、大的電壓保持率、大的對比度、長的壽命等的AM 元件。 0 【實施方式】本說明書中的用語的使用方法如下所述。有時將本發明的液晶組成物或者本發明的液晶顯示元件分別簡稱為「組成物」或者「元件」。液晶顯示元件是液晶顯示面板及液晶顯示模組的總稱。「液晶性化合物」是表示具有向列相、層列相等液晶相的化合物或者雖不具有液晶相但作為組成物的成分而有用的化合物。該有用的化合物具有例如 M-伸環己基（i，4-CyCl〇hexylene )或 1，4-伸苯其 (1，4-Phenylene)之類的六員環，其分子結構為棒狀（γ= like)。光學活性化合物及可聚合的化合物有時被添加於組成物中。即便該些化合物為液晶性化合物，在此亦分類為添加物。有時將選自式（1)所表示的化合物組群中的至少一種化合物簡稱為「化合物（1)」。「化合物（丨）」是指式 (1)所表示的一種化合物或者兩種以上的化合物。對於其他化學式所表不的化合物亦同樣。稱「經取代」時的「至少1個」是指取代的位置及個數均可自由選擇。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上限溫度」。有時將 9 201243034 爲第丨01112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6 Jj 22 Η 向列相的下限溫度簡稱為「下限溫度」。「比電阻大」是表示組成物在初始階段巾，補在室溫下，在接近向^ 相的上限溫度的溫度下亦具有大的比電阻，並且在長時間使用後’不僅在室溫下，而且在接近向_社限溫度的溫度下亦具有大的比電阻。「電壓保持率大」是表示元 :始階段巾，不僅在室溫下，而且在接近向咐目的上限溫 A的電壓料率，而且在長時間使用後不僅在至^下，而且在接近向列相的上限溫度的溫度下亦具有大的電難㈣。當對光學 Γ時’使用以實例中記載的測定方法所獲得2 J: 成分是-種化合物或者兩種以上的化合物。「第—成分的比 Si:根^組成物總重量的第-成分的重量百分率來表示。對於第二成分的比例等亦同樣。混人 : = 例是以根據液晶組：重1百分率（重量％)或者重量百萬 = 成分化合物的化學式中，將R2 \PP )來表不物。該些化合物巾的任意兩種化Α物巾於多種化合可相同亦可不同。例如，有化合二：=基【化2合物(⑷的r2為乙基的情泥。亦;:合m R為乙基，而化合物的r2 口）的亦適用於r3、r4等。為丙基的情況。該規則本發明為下述項目等。 1. 一種液晶組成物，含右物組群中駐少-種化合物⑴絲示的化合卞馮弟—成分以及選自式（2) 10 201243034“ 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:H)1年ό月22日所表示的化合物組群中的至少一種化合物作為第二成分，而且具有負的介電各向異性： a) X2

^-(zKE^nR4 (2) 其中，R1為1個或2個氫經氟取代的碳數1至12的烷基；R2、R3及R4獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基；環A及環B獨立地為

或者

〇 X1及X2獨立地為氟或氣；Y1為氫或曱基；Z1及Z2獨立地為單鍵、伸乙基、亞曱氧基或者羰氧基；m及η獨立地為 0、1、2或3，而且m與η的和為1、2或3。 2.如第1項所述之液晶組成物，其中上述第一成分是選自式（1-1)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 11 201243034 修正曰期:1〇1年6丨j 22 |j 爲第‘112455號中文說明書無劃線修正本 F+CH

^X>R2 (1-1) 其中，R2為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基；p為1至12的整數。 3.如第1項或第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自式（2-1)至式（2-12)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 12 201243034. 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本

修正曰期:1〇1年6月22 Π (2-1) (2-2) (2-3) (2-4) (2-5) (2-6) (2-7) (2-8) (2-9) (2-10) (2-11) (2-12) 13 201243034 爲第lJl 112455號中文說明書無畫ϋ線修正本修正日期:1〇1年6片22 F1 其中，R3及R4獨立地為碳數1至12的烷基、碳數i 至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基。 4. 如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-1 )所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 5. 如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-4 )所表不的化合物組群中的至少一種化合物。 6. 如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-6)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 7·如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-7)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 8·如第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自第3項所述之式（2-9)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 9. 如第1項至第8項中任一項所述之液晶組成物，其中根據液晶組成物的總重量，上述第一成分的比例為5重至80重量％的範圍，而且上述第二成分的比例為1〇重量°/〇至95重量％的範圍。 10. 如第1項至第9項中任一項所述之液晶組成物， ”中更含有選自式（3)所表示的化合物組群中的至少一種化合物作為第三成分： 14 201243034. 修正日期:101年6月22 (3) 其中=及R6獨立地為碳數1至12的烷基、碳至12的烧氧基、碳數2至12的婦基或者至少i個氣取代的碳數2至12 _基；環c、環D及環E獨立地二〇爲第101112455號中文說明書無劃線修正本

-<2)-r6 ^及基^“㈣-伸苯基或…，4: :二：地為單鍵、伸乙基、亞甲氧基或者幾氧 11.如第10項所述之液晶組成物，其中上八是選自式〇-〇至式⑴3)所表示的化合物組射^ 少一種化合物：

15

201243034 爲第1〇Ί 112455號中文說明書無劃線修正本 r5OOr6 r50^>r6 r5〇-〇-r6 r5OOO~r6 -5<><y〇--6 F 修正日期:101年6jj22丨1 (3-1) (3-2) (3»3) (3-4) (3-5) (3-6) (3-7) (3-8) (3-9) (3-10) (3-11) (3-12) (3-13) Γ8

16 201243034^ 修正日期:101年6月22 爲第101112455號中文說明書無_；|_1£：$：其中，R及R6獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烧氧基、碳數2至12的稀基或者至少i個氯經取代的碳數2至12的烯基。如第10項所述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自第11項所述之式⑴）所表示的化合物組群中的至少一種化合物。〇〇如第10項戶斤述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自第11項所述之式⑴）所表示的化合物組群中的至少化合物以及選自第11項所述之式（3_7)所表示的化合物組群巾的至少—種化合物的混合物。 β ★第項所述之液晶組成物，其中上述第三成分疋選自第11項所述之式（3_3)所表示的化合物組群中的化合物以及選自第11項所述之式（3·7)所表示的化合物組群中的至少-種化合物的混合物。 15·如第10項所述之液晶組成物，其中上述第三是選自第11項所述之式（3_υ所表示的化合物組群中的至化合物、選自第11項所述之式（3_4)所表示的化口、’辦巾的至少—種化合物以及選自帛11項所述之式（3·13)所表示的化合物組群中的至少—種化合物合物。 A It第1G項至第15射任—項所述之液晶組成物’ j根據液晶組成物的總重量，上述第三成分的比例為10重量％至80重量％的範圍。 17.如第1項至第！6射任-項所述之液晶組成物， 201243034 修正日期:1〇1年6/U2 Π 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本其中更含有選自式（4)所表示的化合物組群中的至少一種化合物作為第四成分：

其中，R7及R8獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烷氧基、碳數2至12的烯基或者至少1個氫經氟取代的碳數2至12的烯基；環F及環G獨立地為1,4-伸環己基或者1，4-伸苯基；Z5及Z6獨立地為單鍵、伸乙基、亞曱氧基或者羰氧基；r及s獨立地為0、1、2或3，而且 r與s的和為1、2或3。 18.如第17項所述之液晶組成物，其中上述第四成分含有選自式（4-1)至式（4-5)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 18 201243034“ 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本

修正日期:1〇1年6月22日 (4-1) (4-2) (4-3) (4-4) (4-5) 其中，R7及R8獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烷氧基、碳數2至12的烯基或者至少1個氫經氟取代的碳數2至12的烯基。 19. 如第17項所述之液晶組成物，其中上述第四成分是選自第18項所述之式（4-4)所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 20. 如第17項至第19項中任一項所述之液晶組成物，其中根據液晶組成物的總重量，上述第四成分的比例為5重量％至40重量％的範圍。 21. 如第1項至第20項中任一項所述之液晶組成物， 19 201243034 修正日期:1〇1年6fj 22门爲第ΐίΐ 112455號中文說明書無劃線修正本其中向列相的上限溫度為70 C以上，波長589 nm下的光學各向異性（25°C )為0.08以上，而且頻率1 kHz下的介電各向異性（25°C)為-2以下。 22· —種式（M_i)所表示的化合物：

其中’ P為1至12的整數；R9為碳數2至12的烯基。 23. —種液晶顯示元件，含有如第丨項至第21項中任一項所述之液晶組成物。 24.如第23項所述之液晶顯示元件，其中液晶顯示元件的運作核式為VA模式、IPS模式、刚模式或者pSA 模式，液㈣示元件的驅動方式為主動矩陣方式。 25· -種如^項至第21項中任一項所述之液晶組成物的用途，其用於液晶顯示元件中。 26. •種如弟22項所述之式（1-1-1)所表示的化合物，，中’P為1至12的整數；R9為碳數2至3的烯基。、f έ t Γ亦包括如下各項。1：)更含有光學活性化合物的上述組成物；2)更合右> & 士 ^ ^ ^ ^ 有^几虱化劑、紫外線吸收劑、消泡劑上述組成物；3)含有上述組成物的AM元件； VA t 組成物’而且具有 ™、ECB、OCB、IPS、FFS、 # ΐ ； s) 〜且、物作為具有向列相的組成物的用途；7) 20 201243034 L J. 修正日期⑽年6月22日作為光學活性爲第101112455號中文說明書無劃線修正本藉由在上述組成物中添加光學活性化合物而組成物的用途。、以如下順序對本發明的組成物進行說明。第—，成物中的成分化合物的構成進行說明。第二，對各j 物的主要特性及該化合物給組成物帶來的 ^ 口、中的成分的組合、成分的較= ^根，進仃㈣。第四，對成分化合物的較佳形態進行說月。弟五，列出成分化合物的具體例子。第六，對可混八於组成物巾的添加物猜說明。第七，對成分化合物S 成法進行說明。最後，對組成物的用途進行說明。口

第一，對組成物中的成分化合物的構成進行說明。本發明的組成物被分類為組成物Α與組成物Β。組成物Α除了含有選自化合物（1 )、化合物（2 )、化合物（3 )及化合物（4)中的液晶性化合物以外，亦可更含有其他的液晶性化合物、添加物、雜質等。「其他的液晶性化合物」是與化 &物（1)、化合物（2)、化合物（3 )及化合物（4)不同的液晶性化合物。此種化合物是出於進一步調整特性的目的而混合於組成物中。其他的液晶性化合物中，就對熱或，紫外線的穩定性的觀點而言，氰基化合物較佳為少量。氰基化合物的尤佳比例為〇重量％。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合的化合物、聚合起始劑等。雜質是在成分化合物的合成等步驟中混入的化合物等。即便該化合物為液晶性化合物，在此亦分類為雜質。 21 201243034 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:丨〇ι年6月22 Η 組成物β實質上僅包含選自化合物（1)、化合物（2)、化合物（3)及化合物（4)中的化合物。「實質上」是指除了添加物及雜質以外，組成物不含與該些化合物不同的液晶性化合物。組成物Β與組成物a相比較，成分的數量少。就降低成本的觀點而言’組成物B優於組成物A。就可藉由混合其他的液晶性化合物來進一步調整物性的觀點而言，組成物A優於組成物β。第二，對成分化合物的主要特性及該化合物給組成物的特性帶來的主要效果進行說明。根據本發明的效果，將成分化合物的主要特性歸納於表2中。表2的記號中，L 是指大或高，Μ是指中等程度的，s是指小或低。記號L、 Μ、S是根據成分化合物之間的定性比較的分類，〇 (零）是表示值大致為零。表2.化合物的特性 _ 化合物 (1) (2) (3) ⑷一 __ 上限溫度 Μ Μ〜L S〜L Μ 〜L __ 黏度 S Μ〜L S〜Μ Μ〜L _ 羌學各向異性 S Μ〜L S〜L Μ〜L _____介電各向異性 S Μ〜L 0 L 一比電阻 L L ^1 L L 當將成分化合物混合於組成物中時’成分化合物給組成物的特性帶來的主要效果如下所述。化合物（1)提高介電各向異性的絕對值，降低下限溫度。化合物（2)提高介電各向異性的絕對值。化合物（3)提高上限溫度，降低下限溫度，而且降低黏度。化合物（4)提高介電各向異性的 22 201243034 A A 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6月22 n 絕對值，而且降低下限溫度。第三，對組成物中的成分的組合、成分的較佳比例及其根據進行說明。組成物中的成分的組合為第一成分+第二成分、第一成分+第二成分+第三成分、第一成分+第二成分+第四成分以及第一成分+第二成分+第三成分+ 第四成分。組成物中的成分的較佳組合為第一成分+第二成分+第三成分。

為了提高介電各向異性的絕對值且降低下限溫度，第一成分的杈佳比例為5重量％以上，為了降低下成分的較佳比例為80重量％以下。尤佳比例為^重里％至60重量％的範圍。特佳比例為20重量❶/。至4〇重詈 %的範圍。似異性的麟值，第二成分的較佳比 =以上’為了降低黏度，第二成分的酬 ^95重罝/0以下。尤佳比例為2〇重量圍。特佳_為30重量％至6()重量％的範圍。佳比溫度或為了降低黏度，第三成分的較佳比例為10重置％以上較佳比例為80重量m ^低下限，皿度，弟二成分的量的範圍。特佳^重量％至60重為了提高介電各5重量％的範圍。例為5重量如IIS:，，第四成分的較佳比為40重量％以下。尤^降低黏度，第四成分的較佳比例圍。特佳_為15 A 1G重量％至35重量％的範重夏％至3〇重量％的範圍。 23 201243034 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:10]年6Jj 22门第四，對成分化合物的較佳形態進行說明。 R1為1個或2個氫原子麵翁β ，、的烧基，R' 及立地:碳數丨至：: 1至12的烧氧基或者魏2至U _基，r5、R6、 R8獨立地為碳數1至12的垸基、碳數丄至i2 碳數2至12 f烯基或者至少1個氫經氟取代的碳至 12的烯基’ R為碳數2幻2的烯基。為了異性的絕對值，難的Ri騎端的u目或2 t ㈣數⑴2的絲，為了降低黏度，較佳的^= 氫原子經氟原子取代的魏丨至3的絲。為外線或者熱的穩定性等，較佳的尺2、113、尺5、反6及^7為碳5數1至12的烧基’或者為了降低黏度，較佳的r2、Rf、 R、R6及R7為碳數2至12的烯基。為了提高對紫外線或者熱的穩定性等，較佳的反4及r8為碳數丨至12的烷基，，者為了提高介電各向異性的絕對值，較佳的汉4及1^為 ^數1至12的炫氧基。為了降低黏度，較佳的R9為碳數 2至5的烯基。較佳的烷基為f基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或者辛基。為了降低黏度，尤佳的烧基為乙、、丁基、戊基或者庚基。 …較佳的烷氧基為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、 =基:己氧基或者庚氧基。為了降低黏度，尤佳的^氧基為甲氧基或者乙氧基。車乂佳的烯基為乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、丨_丁婦 24 201243034 _ 11 修正日期:1〇1年6月22日爲第101112455號中文說明書無劃線修正本基、2-丁烯基、3-丁烯基、丨_戊烯基、2_戊烯基、3_戊烯基、 4- 戊烯基、1·己烯基、2_己烯基、％己烯基、4•己烯基或者 5- 己稀基。為了降低黏度，尤佳的烯基為乙烯基、卜丙稀基、3-丁烯基或3-戊烯基。該些烯基中的_CH=CH_的較佳立體構型與雙鍵的位置相關。為了降健度等，如1_丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、〗_己烯基、3_戊烯基及3_己烯基之類的稀基巾較佳為反式構型。如2了縣、2戊稀基及

2-己烯基之類的烯基中較佳為順式構型。該些烯基中，直鏈稀基優於分支烯基。至少1個氫經氟取代的烯基的較佳例子為2,2_二氟乙烯^、3,3-二氟_2_丙烯基、4,4_二氟_3_丁晞基、5,5_二氟冰戊烯基及6,6-二氟己烯基。為了降低黏度，尤佳的例子為2,2_二氟乙烯基及4,4_二氟_3_丁稀基。 m及n獨立地為〇、卜2或3，而且瓜與打的和為1、 2或3。為了降低下限溫度，較佳的m及η為卜為了提高上限溫度’較佳的m及η為2。门 Ρ為1至12的整數。為了降低黏度，較佳數。^0、1或2。為了降低黏度，較佳的q為1，馮尚上限溫度，較佳的q為2。 I·及s獨立地為〇小2或3，而且的和 $ :為了提高上限溫度，較佳的r為2。為了降低‘下度’較佳的s為〇。限/皿環A及環b獨立地為 25 201243034 爲ϋΐ 112455號中文說明書無劃線修正本

當m為2或3時，任意的2個戸為2或3時’任意的2個二八可相同亦可不同，當n 上限溫度’較佳的環A或環。為了提高光學各向異性，較佳的環八或淨’基’為了提高高介電各向異性⑽對值、〔’卡苯基’為了提〇筏彳土的裱A或環修正日期年6月22[」或者

5

’較佳為 ===，己基，笨基' ，目同亦可不同。為了降低黏;基二=個環。衣 1?4· 伸環己基或者14•伸U *及衣〇獨立地為1，4- 衣F可相同亦可告二、、個可相同亦可不同。或3時，任意的2個環G _ ^ J為了提咼上限溫度，與1，4-伸環p就4 關的χ立，?是反式構型優於順式構型。或xf為tX2獨立地為氣或氯。為了降低黏度，較佳的X1 ^為氣，甲基。為了降低黏度，較佳的Υ1為氫。 Λ · I及ζ2獨立地為單鍵、伸乙基、亞甲氧基或者羰氧土，田m為2或3時，任意的2個Ζ1可相同亦可不同， 26 201243034, 修正日期:101年6月22日爲第101112455號中文說明書無劃線修正本

當η為2或3時，任意的2個z2可相同亦可不同。為了降低黏度，較佳的Ζ及Ζ2為單鍵，為了提高介電各向異性 =絕對值，較佳的Ζ1及Ζ2為亞曱氧基。Ζ3及Ζ4獨立地為 $鍵、伸乙基、亞甲氧基或者羰氧基，當q為2時，2個 Z3可，同亦可不同。為了降低黏度，較佳的z3為單鍵，為 I提高上限溫度，較佳的Z3為羰氧基。/及Z6獨立地為單鍵、伸乙基、亞甲氧基或者缝基，# r為2或3時，任意的2個Z5可相同亦可不同，# 8為2或3時，任音的 2個/6可相同亦可不同。為了降低黏度，較佳的z5及、6 為6單鍵’為了提高介電各向異性的絕對值，較佳的Z5及 ζ為s氧基。 2五，列出成分化合物的具體例子。下述較佳化合物 ^ R為碳數2 S 12的烯基。RlG及Rl2獨立地為具有碳至12的直鏈絲或者具有碳數2至12的直鍵。為具有碳數1至12的直鏈絲或者具有碳數丨至〜的直鏈烧氧基。R13為具有碳數i至12的直鍵 = 的直舰氧基或者具有碳數2至丨二直鍵^ 較佳㈣合物⑴為化合物⑴仆触的化合物 )為化合物（2小1)至化合物⑴ 口 =⑴為化合物⑴_n至化合物⑽尤== :物u)為化合物(2_M)至化合物⑽ =⑴為化合物⑴七至化合物匕曰物（3)為化合物（3小υ至化合物^化 27 201243034 爲第1〇"ΐ 112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6丨]22 π 合物（3-9-1)至化合物（3-13-1)。特佳的化合物（3)為化合物（3-1-1 )、化合物（3-3-1 )、化合物（3-4-1 )、化合物（3-7-1)以及化合物（3-13-1)。較佳的化合物（4)為化合物（4-1-1)至化合物（4-5-1)。尤佳的化合物（4)為化合物（4-4-1 )。 f{ch2Kx>r9 \ / P 28 201243034 Ll 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本

修正日期:1〇1年6月22 Η (2-1-1) (2-2-1) (2-3-1) (2-4-1) (2-5-1) (2-6-1) (2-7-1) (2-8-1) (2-9-1) (2-10-1) (2-11-1) (2-12-1) 29 201243034 爲第1(^1112455號中文說明書無劃線修正本

修正曰期:1〇1年6月22 [J (3-1-1) (3-2-1) (3-3-1) (3-4-1) (3-5-1) (3-6-1) (3-7-1) (3-8-1) (3-9-1) (3-10-1) (3-11-1) (3-12-1) (3-13-1)

30 201243034. 爲第101112455號中文說明書無畫臟修正本

修正日期:1〇1年6月22日 (4-2-1) (4-3-1) (4-4-1) (4-5-1) 第六，對可混合於組成物中的添加物進行說明。此種添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合的化合物及聚合起始劑等。出於引起液晶的螺旋結構來賦予扭轉角的目的，將光學活性化合物混合於組成物中。此種化合物的例子為化合物（孓丨）至化合物（5-5)。光學活性化合物的較佳比例為5重量％以下。尤佳比例為0.01重量％至2重量％的範圍。 31 201243034 爲第1 (ίΐ 112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:101年6 Η 22 π

c6H13

(5-2) c3h7

(5-3) h3c (5-4) C3H7<>〇-^〇^C6Hi3 F CH, c3h7

(5-5) 為了防止由大氣中的加熱引起的比電阻的下降，或者為了在長時間使用元件後，不僅在室溫下，而且在接近向列相的上限溫度的溫度下亦維持大的電壓保持率，將抗氧化劑混合於組成物中。 32 201243034^ 修正日期:101年6月22日爲第101112455號中文說明書無畫臟修正本 c(ch3)3 CwH2w+i—〇H C(CH3)3 抗氧化劑的較佳例子是W為1至9的整數的化合物（6) 等。化合物（6)中，較佳的w為1、3、5、7或9。尤佳的w為1或7。w為1的化合物（6)由於揮發性大，故而 ◎ 在防止由大氣中的加熱引起的比電阻的下降時有效。w為 7的化合物（6)由於揮發性小，故而對於在長時間使用元件後，不僅在室溫下，而且在接近向列相的上限溫度的溫度下亦維持大的電壓保持率而言有效。為了獲得上述效果，抗氧化劑的較佳比例約為50 ppm以上，為了不降低上限溫度，或者為了不提高下限溫度，抗氧化劑的較佳比例約為600 ppm以下π佳比例為約1〇〇 ppm至約3〇〇 ppm 的範圍。紫外線吸收劑的較佳例子為二苯曱酮（benz〇phen〇ne ) 衍生物、苯曱酸酯（benzoate)衍生物、三唑（triaz〇le) 衍生物等。另外，如具有立體阻礙的胺之類的光穩定劑亦幸父佳。為了獲得上述效果，該些吸收劑或穩定劑的較佳比例約為50 ppm以上，為了不降低上限溫度，或者為了不提尚下限溫度，該些吸收劑或穩定劑的較佳比例約為 10000 ppm以下。尤佳比例為約丨〇〇 ppm至約loooo 的範圍。為了適合於賓主（guesthost，GH)模式的元件，將如 33 201243034 修正日期:101年6月22 π 爲第101112455號中文說明書無畫臟修正本偶II ( azo )系色素、蒽g昆（anthraquinone)系色素等之類的二色性色素（dichroicdye)混合於組成物中。色素的較佳比例為約0.01重量％至約1〇重量％的範圍。為了防止起泡’將一曱基石夕油（dimethyl silicone oi丨）、甲基苯基石夕油 (methyl phenyl silicone 〇ii)等消泡劑混合於組成物中。為了獲得上述效果’消泡劑的較佳比例約為 1 ppm以上，為了防止顯示的不良’消泡劑的較佳比例約為1⑻〇 ppm 以下。尤佳比例為約1 ppm至約5〇〇 ppm的範圍。為了適s於rij分子穩定配向（polymer sustained alignment ’ PSA)模式的元件，將可聚合的化合物混合於組成物中。可聚合的化合物的較佳例子為丙烯酸酯，^ ，烯酸酯、乙烯基化合物、乙烯氧基化合物、丙烯醚、環氧化合，（環氧乙烷（〇xirane)、氧雜環丁烷（〇xetane))、等具有可聚合的基_化合物。特佳關子為丙稀酉欠酯或者曱基丙烯酸酯的衍生物。為了獲得上述效果，可 ^合的化合物的較佳比例約為GG5重量％以上為了防止 ”員不不良，可聚合的化合物的較佳比例約為10重量％以二，例為約^重量%至約2重量%的齡物祕輕歧合起始鮮適# 標，=ga_651(註冊商標基聚ί ΓΓΓ1173 (註冊商標）（BASF)適合於自由。光聚δ起始劑的較佳比例為可聚合的化合物的約 34 201243034 修正日期:1〇1年6月22 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本 0·1重量％至約5重#%的範圍，特佳比約3重量〇/〇的範圍。重里/〇至第七’對成分化合物的合成法進行說明。該些化合物可利用已知的方法來合成。例如合成法。化 β Ο 利用日本專师開平1Μ)3测號公報中記^的方法來= ^化合物（2-2-D及化合物（如）是利用日本專利^ 表平2-50344!號公報巾記載的方法來合成。化合物（2 9 ι ) 是利用曰本專利特開2〇〇〇_〇〇8〇4〇號公報中公布的方法來合成。化合物（3-1-1)是利用日本專利特開昭59_〇7〇624 號公報中記載的方法來合成。化合物（本孓丨）是利用曰本專利特開2005-035986號公報中記載的方法來合成。抗氧化劑已有市售。式（6)的w為1的化合物可從Aldrich (Sigma-Aldrich Corporation)獲取。w為 7 的化合物（6) 等是利用美國專利366〇5〇5號說明書中記載的方法來合成。未δ己載合成法的化合物可利用有機合成（〇rganic Syntheses ’約翰威立父子出版公司（john Wiley & s〇ns, Inc))、有機反應（〇rganic Reacti〇ns，約翰威立父子出版公司（John Wiley & Sons, Inc ))、綜合有機合成 (Comprehensive Organic Synthesis，培格曼出版公司 (PergamonPress))、新實驗化學講座（丸善）等成書中記載的方法來合成。組成物是利用公知方法，由以上述方式獲得的化合物來製備。例如，將成分化合物混合，然後藉由加熱而使其相互溶解。 35 201243034 修正日期:1〇1年6丨彳22 Η ί第ΙΟ1! 112455號中文說明書無劃線修正本最後’對組成物的用途進行說明。本發明的組成物主要具有約-10 C以下的下限溫度、約70°c以上的上限溫度以及約0.07至約0.20的範圍的光學各向異性。含有該組成物的元件具有大的電壓保持率。該組成物適用於ΑΜ元件。該組成物特別適用於穿透型ΑΜ元件。藉由控制成分化合物的比例，或者藉由混合其他的液晶性化合物，亦可製備具有約0.08至約0.25範圍的光學各向異性的組成物以及具有約0.10簡0.30範圍的光學各向異性的組成物。該組成物可作為具有向列相的組成物來使用，且可藉由添加光學活性化合物而作為光學活性組成物來使用。本發明的液晶組成物的較佳向列相的下限溫度至少約為〇C以下’更佳的向列相的下限溫度約為_2(rc以下尤其更佳的向列相的下限溫度約為_30t以下。本發明的液晶組成物的較佳向列相的上限溫度至少約為70C以上’更佳的向列相的上限溫度約為饥以上，尤其更佳的向列相的上限溫度約為8(rc以上。風各=液晶組成物的589 nm下且2汴下咖圭光干各向異性為約0.07至約〇2〇異性為約G.G7至約㈣予各向性為約0.08至約〇.12的範圍。予分Π異本發明的液晶組成物的25。^下的的絕對值至少約為15以上，#心人!電各向異性值約A 2m 介電各向異性的絕對 ^為2 Μ ’尤錢料介電各向纽 36 201243034“ 修正日期:101年6月22日爲第101112455號中文說明書無劃線修正本該組成物可用於AM元件。進而亦可用於pm元件。该組成物可用於具有PC、TN、STOf、ECB、OCB、IPS、 FFS、VA及PSA等模式的AM元件及pM元件。特佳為用於具有IPS、FFS或者VA模式的AM元件。該些元件可為反射型、穿透型或者半穿透型。較佳為用於穿透型元件。亦可用於非晶石夕-TFT元件或者多晶石夕_TFt元件。亦可用於將該組成物微膠囊化而製作的向列曲線排列相（nematic O curvilinear aligned phase，NCAP)型元件、或在組成物中形成二維網狀局分子的尚分子分散（polymer dispersed， PD)型元件。 [實例] 當試料為組成物時直接測定，記載所得的值。當試料為化合物時，藉由將該化合物（I5重量％)混合於母液晶 (85重量％ )中來製備試料。根據藉由測定而得的值，利用外推法算出化合物的特性值。（外推值）={(試料的測〕定值）-〇.85x (母液晶的測定值）} /0.15。當在該比例下層列相（或者結晶）於25°C下析出時，將化合物與母液晶的比例以10重量％ : 90重量％、5重量％ : 95重量％及丄重量％ : 99重量％的順序變更。利用該外推法來求出與化合物相關的上限溫度、光學各向異性、黏度及介電各向異性的值。母液晶的成分如下所述。各成分的比例為重量％。 37 201243034 修正日期:101年6 f] 22 fj 17. 2% 27. 6% 20. 7% 20. 7% 13. 8% 爲第l〇"l 112455號中文說明書無劃線修正本 C3H7-0"C〇〇-〇-〇C2H5 cA~^C)~C00_O^0CA C4Hr^C^~C00-^O)~0C2H5 C5HirX3_C〇〇_0K〇CH3 C5HlH〇~CO〇~ 特性的測定是依據下述方法。該些方法多為日本電子機械工業會規格（Standard of Electric Industries Association of Japan ) EIAJ，ED-2521A中記載的方法或者將其修鄉而成的方法。向列相的上限溫度（NI，°C):在具備偏光顯微鏡的熔點測定裝置的加熱板上放置試料，以rc/min的速度加熱。測定試料的一部分由向列相轉變為各向同性（is〇tr〇py) 液體時的溫度。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上限、、w 度」。贩向列相的下限溫度（Tc，ΐ ):將具有向列相的試料放入玻璃瓶中，在(TC、-urc、2(rc、机及镇的:入滚器中保管Η)錢，觀察液晶相。例如，當試料在_2〇。^ 下為向列相的狀態’而在-3(TC下轉變為結晶或者層列相 38 201243034. 修正日期:101年6月22日爲第HU112455號中文說明書無劃線修二將^:，」。有時將向列相的下限_ 時使。，在，略介測定 …光學各向異性（折射率各向異性，Μ，在^ ^)·測疋疋使用波| 589 nm的光，利用目鏡上安裝有偏

=的阿貝折射計來進行。將主稜鏡的表面向—個方向摩將試料滴下至主稜鏡上。折射率η"是在偏光的方向”摩擦的方向平行_定。折射率η丄是在偏光的方向與摩擦的方向垂直時測定。光學各向異性的值是由 △η=η || -η丄的式子計算。介電各向異性（Δε，在25。(：下败）1電各向显性的值是由Δε=ε||_εΐ的式子計算出。介電常數（ε|丨及£丄）是以如下方式測定。 1) 介電常數（ε|| )的測定：在經充分清洗的玻璃基板上塗佈十八烷基三乙氧基矽烷（0.16 mL)的乙醇（2〇 mL)溶液。以旋轉器使玻璃基板旋轉後，在150。(：下加熱 1小時。在兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μιη的 VA元件中放入試料，對該元件利用以紫外線硬化的黏接劑加以密封。對該元件施加正弦波（0.5 V，1 kHz)，2秒後測定液晶分子的長軸方向的介電常數（ε|| )。 2) 介電常數（ε丄）的測定：在經充分清洗的玻璃基板上塗佈聚醯亞胺溶液。將該玻璃基板煅燒後，對所得的配向膜進行摩擦處理。在兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙） 39 201243034 201243034 修正日期:101年6丨]22「丨爲第101112455號中文說明書無劃線修正本為9 μπι且扭轉角為8〇度的TN元件中放入試料。對該元件施加正弦波（〇·5 V，1 kHz) ’ 2秒後測定液晶分子的短軸方向的介電常數（£丄）。臨界電壓（Vth，在25°C下測定，V ):測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為_ 素燈。在兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μηι且摩擦方向為反平行的正常顯黑模式（normally black m〇(je ) 的VA元件中放入試料，對該元件利用以紫外線硬化的黏接劑加以密封。對該元件施加的電壓（60 HZ，矩形波）是以0.02 V為單位自〇 v階段性地增加至2〇 v。此時，從垂直方向對元件照射光，測定穿透過元件的光量。製成當該光量達到最大時穿透率為100%，且當該光量為最小時穿透率為0%的電壓-穿透率曲線。臨界電壓是穿透率達到 10%時的電壓。 —電壓保持率（VHR-；l，25〇C，％):測定時使用的TN 兀件具有聚酿亞胺配向膜，而且兩塊麵基板的間隔（單兀間隙）為5 μΐη。該it件在加人試料後，利用以紫外線硬化的黏接劑加以密封。對該TN元件施加脈衝電壓（5 v， :微高速電壓計在16.7毫秒之間測定 :::位週期中的電壓曲線與橫軸之間的面積A。面積B為未衰減時的相對於面積B的百分率。輯料馬面積A 電壓保持率（VHR-2，如。广〇/Λ 元件具有聚酿亞胺配向膜，，時使用的™ 、而且兩塊玻螭基板的間隔（單 40 201243034“ 爲第101112455號中文說明書無畫!1線修] 修正日期:1〇1年6月22日元間隙）為5 μι該元件在加入試料後，利用以紫外線硬化的黏接:力二密封。對該ΤΝ元件施加脈衝電】(二， 60微秒）來充$。利用高速電壓計在16 7亳秒之間測定所衰減的電壓，求出單位週期+ ' 而接Λ 曲線與橫軸之間的面積Α。=為未衣減時的面積。電相對於面積B的百分率。 m 〇，=qVHR_3’25t：，％):㈣紫外線後，測疋電壓保料，評储料_默性。岐較用的tn 7C件具有聚醯亞胺配向膜，而且單元間隙為5阿。在该元件中注入試料，照射光2G分鐘。光源為超高壓水銀燈 USH-500D (Ush1〇電機製造），元件與光源的間隔為2〇 cn^VHR-3的測定是在16.7毫秒之間測定所衰減的電壓。具有大的VHR-3的組成物對紫外線具有大的穩定性。 VHR_3較佳為90%以上，更佳為95%以上。電壓保持率（VHR-4，25艺，％):將注入有試料的 TN元件在8〇 C的恒溫槽内加熱500小時後，測定電壓保持率，評價對熱的穩定性。VHR-4的測定是在16.7毫秒之間測定所衰減的電壓。具有大的VHR-4的組成物對熱具有大的穩定性。響應時間（τ，在25°C下測定，ms ):測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。低通濾波器（Low-pass filter)是設定為5 kHz。在兩塊玻璃基板的間隔（單元間隙）為3.2 μιη且摩擦方向為反平行的正常顯黑模式（normally black mode)的PVA元件 201243034 修正日期·_1〇1年6乃22 η 爲i 1〇"ΐ 1丨2455號中文說明書無劃線修正本中放入试科丄對该兀件利用以紫外線硬化的黏接劑加封。對該元件施加稍微超過臨界電壓的程度的電壓約】分鐘’接著-邊施加5.6 V的電虔’ 一邊照射23 $ mww 的紫外線約8分鐘。對該元件絲矩職⑽&，ι〇 v， 0.5秒此時，㈣直方㈣元件光，測定穿透過元，的光H該光量達顺切穿料為，當該光 1為最小時穿透率為〇%。響應㈣是穿透率自9〇%變化為ίο%所需要的時間（下降時間，falltime，毫秒）。 4比電!^(卩’在25(：下測定，^):在具備電極的容益中注入試料1.0 mL。對該容器施加直流電壓⑴V)，測定10秒後的直流電流。比電阻是由如下式子算出。（比電阻）= {(電壓）χ(容器的電容）}/{(直流電流空的介電常數）丨。 / iH-NMR分析测疋裴置疋使用DRX-500 (Bruker BioSpin (股）公司製造）°測定是將實例等中製造的樣品溶解於CDC13等樣品可溶解的氣化溶劑中，在室溫、500 MHz、累計次數為24 =的條件進行。此外，所得的核磁共振波譜的說明 : 疋才曰單重峰（singlet)，d、是指雙重峰（doublet)，t 疋4日一重峰（triplet) ’ q是指四重峰（quartet)，m是指多，峰（multiplet)。另外’化學位移δ值的零點的基準物質疋使用四曱基矽烷（tetramethylsilane，TMS )。利用相同裝置亦進行NF-NMR分析。氣相層析分析：測定時使用島津製作所製造的GC-14B 42 201243034 -Li 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6月22日型氣相層析儀。載體氣體為氦氣（2 mL/min)。將試料氣化室設定為280°C，且將檢測器（火焰離子檢測器，flame ionization detector，FID)設定為300〇C。成分化合物的分離時使用Agilent Technologies Inc.製造的毛細管柱db-1 (長度30 m ’内徑0.32 mm，膜厚0.25 μηι ;固定液相為二甲基聚矽氧烷’無極性）。該管柱在200°C下保持2分鐘後，以5°C/min的比例升溫至28(TC。試料製備成丙酮溶 ❹ 液（〇·1重量％)後，將其中的1 μίν注入至試料氣化室中。記錄計為島津製作所製造的C-R5Α型Chromatopac或者其同等品。所得的氣相層析圖表示與成分化合物對應的岭值的保持時間及波峰的面積。用以稀釋試料的溶劑可使用氣仿及己烷等。為了分離成分化合物，可使用如下毛細管柱。Agilent Technologies Inc.製的 HP-1 (長度 30 m ’ 内徑 0.32 mm，膜厚〇 25 μιη)、Restek Corporation 製造的 Rtx_i (長度 3〇 m，内徑 0.32 mm ’ 膜厚〇_25 μιη)、SGE International Pty. Ltd 製^ 的BP-1 (長度30 m’内徑0.32 mm，膜厚0.25 pm)。出於防止化合物波峰重疊的目的，亦可使用島津製作所製造的毛細官柱CBP1-M50-025 (長度50 m，内徑0.25 mm，膜厚 0.25 μιη)。組成物中所含的液晶性化合物的比例可利用如下所述的方法算出。液晶性化合物可利用氣相層析儀來檢測。氣相層析圖中的波峰的面積比相當於液晶性化合物的比例 (莫耳數）。使用上文記載的毛細管柱時，可將各液晶性化 43 201243034 修正曰期:10丨年6jj 22 Η 爲第101112455 5¾中文說明書無劃線修正本合物的修正係數視為卜因此，液晶性化合物的比例（重量％)是根據波峰的面積比來算出。利用實例對本發明進行詳細說明。本發明不受下述實例的限定。比_及實例巾的化合減_下絲3的定義’利用記縣表示。表3中，與1，4-伸環己基相關的立體構型為反式翻。位於記舰的祕内的編號與化合物的編對應。（_)的記號是指其他的液晶性化合物。液晶 I1 生化δ物的比例（百分率）為根據液晶組成物總重量的重量百分率（重量％)，液晶組成物中包含雜質。最後，歸納組成物的特性值。 44 201243034" 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:101年ό月22日〇表3.使用記號的化合物的表述法R — (Αι)_Ζ「.....-Zn- (An)-R ’ 1)左末端基R- 記號 CnH2n+广 n- CnH2n+i〇- nO- ^πι^2πι+1〇^η^2π_ mOn- ch2=ch- V- CnH2n+,-CH=CH- nV- CH2-CH-CnH2n- Vn- CfflH2m+1-CH=CH-CnH2n- -mVn- cf2=ch- VFF- CF2=CH-CnH2n- VFFn- F-CnH2n- Fn- CnH2n+「CF2- nCF2- 2)右末端基-R’ 記號 -CnH2n+i -n CnH2n+i -On -ch=ch2 -V -CH=CH-CnH2n+1 -Vn -CnH2n-CH=CH2 -nV -ch=cf2 -VFF 3)結合基-Zn- 記號 -C nH2n~ n -coo- E -CH=CH- V -ch2o- 10 -och2- 01 _S H?- Si 4)環結構-An- 記號 F, Cl Cl. F Cro(7F,8F)

5)表述例例 1 F3-HH-V 例2 3CF2-HH-3 F Ch B B2F)BF) BF,F) B 2F，3F) B2Ff3CL) BeCL,3F) B CF,6F) B(2F,3F,6Me) dh Dh

例 4 3-HBB(2F，3F)-02 °3Η7~Λ //^°°2Η5 [實例1] 化合物（1-1-1)中，製造如下的化合物。 45 201243034 爲第1(^1112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6)彳22丨丨 ^-NMR (CDC13； δ ppm): 5.77 (ddd, 1H, J=17 Hz, 10.5 Hz, 6.5 Hz), 4.95 (ddd, 1H, J=17 Hz, 1.5 Hz, 1.5Hz), 4.87 (ddd, 1H, J=ll Hz, 1.5 Hz, 1.5 Hz), 4.42 (dt, 2H, J=47.5 Hz, 6.2 Hz), 1.92-1.82 (m, 1H), 1.78-1.64 (m, 10H), 1.28-1.24 (m, 2H), 1.21-1.12 (m, 1H), 1.10-0.84 (m, 10H); 19F-NMR (CDCI3； δ ppm): -218.0 (tt, IF, J=95.0 Hz, 23.8 Hz). 相轉移溫度為Cr 3.0 SB 36.0 N 53.4 Iso。其中，Cr表示結晶，SB表示層列B相，N表示向列相，Iso表示各向同性液體，相轉移溫度的單位全部為°C。另外，將該化合物混合於母液晶中，利用外推法獲得化合物的特性值。 NI=33.9°C ; Αε=-1.0 ; Δη=0·039。 [實例2] 化合物（1-1-1)中，製造如下化合物。 !H-NMR (CDCI3； δ ppm): 5.77 (ddd, 1H, J=17 Hz, 10.5 Hz, 6.5 Hz), 4.95 (ddd, 1H, J=17 Hz, 1.5 Hz, 1.5 Hz), 4.87 (ddd, 1H, J=10.5 Hz, 1.5 Hz, 1.5 Hz), 4.49 (dt, 2H, J=47.5 Hz, 6.2 Hz), 1.92-1.83 (m, 1H), 1.80-1.71 (m, 8H), 1.58 (ddt, 2H, J=26 Hz, 6.5 Hz, 6.2 Hz), 1.41-1.33 (m, 1H), 1.10-0.89 46 201243034^ 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期M01年6月22 E (m, 10H); 19F-NMR (CDC13； δ ppm): -218.3 (tt, IF, J=47 5 Hz, 52.9 Hz). 相轉移溫度為Cr-26.2 SB 41.4 Iso。其中，Cr表示、名士晶，SB表示層列B相’ Iso表示各向同性液體，相轉移溫度的單位全部為。C。另外，將該化合物混合於母液晶中，利用外推法獲得化合物的特性值。NI=15.0〇C ; . Αη=0·024。 ’ 0 [實例3] 化合物（1-1-1)中，製造如下化合物。 ^-NMR (CDCI3； δ ppm)： 5.41-5.33 (m, 2H), 4 42 (dt 2H，J=47.4 Hz, J=6.3 Hz), UO-m (m，11H),【 3h 1=4.1 Hz), 1.28-1.23 (m, 2H), 1.20-1.Π (m, 1H), ! 〇6：〇 8；〇 (m, 10H); -F-NMR (CDC13; δ ppm) .218 〇5 ip ? Hz, J=24.4 Hz). ’ ’ · 相轉移溫度為 Cr 43.6 SB 49·8 N 87.2 Is〇。1 中，Q 表不結晶’ SB表示層列B相，N表示向列相，j、向同性液體，相轉移溫度的單位全部為。c。 s〇录不谷合物混合於母液晶巾，_特轉得化合化 NI=77.0°C ; Δε=·2.6 ; Δη=().〇64。物的特性值。 [實例4] 化合物（1-1-1)中，製造如下化合物。 201243034 爲第1(ίΐ 112455號中文說明書無畫IJ線修正本修正曰期:1〇1年6月22丨.1

F ^-NMR (CDCI3； δ ppm) 5.41-5.33 (m, 2H), 4.49 (dt, 2H, J-47.4 Hz, J=6.3 Hz), 1.80-1.71 (m, 8H), 1.63 (d, 3H, J==4-9 Hz), 1.62-1.51 (m, 2H), 1.41-1.25 (m, 2H), 1.06-0.87 ^ 10H). 19F-NMR (CDCI3； δ ppm) -218.35 (dt, IF, J-47.4 Hz，j=24 4 Hz)相轉移溫度為 & i 4 SB 40.4 Iso。其中， ^表示結晶’ SB表示層列b相，Is〇表示各向同性液體，相，移溫度的單位全部為。c。另外，將該化合物混合於母，晶中’利用外推法獲得化合物的特性值。NI=44.7°C ; ΔεΌ·9 ; Δη=0.049。 [實例5] 化合物（1-1-1)中，製造如下化合物。 F W H-NMR (CDCI3； δ ppm) 5.43-5.35 (m, 2H), 4.24 (dd, h J-47.7 Hz，>6.1 HZ)，L83-1.57 (m, 11H)，1.66 (d，3氏办5 Hz)，110_0·97 (% _，19f-nmr (CDC13; δ p㈣ 222.82 (dt, IF, 1=47.7 Hz, J^16.7 Hz). N相轉移溫度為Cr W.O N 22.1 Iso。其中，Cr表示結晶，全:示向列相’ Is〇表示各向同性液體，相轉移溫度的單位 '^為C。另外，將該化合物混合於母液晶中，利用外推 48 201243034. 修正日期:101年6月22 爲第101112455號中文說明書無劃線修;[£本法獲得化合物的特性值。NI=19.7 C ; Δε=-0.8 ; An=〇,〇37。 [比較例1] 從曰本專利特開平1卜035500號公報中揭示的組成物中選擇組成物例1。依據是由於該組成物含有化合物（1 )。該組成物的成分及特性如下所述。比較例1的介電各向異性（Δε)為正，並不滿足發明所欲解決的課題。另外，曰本專利特開平11-035500於公報中揭示的其他組成物例亦

同樣。 3CF2-HH-3 4CF2-HH-3
7-HB(F,F)-F
2- HHB(F)-F
3- HHB(F)-F 5-HHB(F,F)-F 3-H2HB(F,F)-F 5-H2HB(F,F)-F 3-HH2B(F,F)-F 5-HH2B(F,F)-F 3-HHB(F,F)-F 5-HHB(F,F)-F 3-HHB-F 3-HBB-F NI=80.8°C ; Δη=〇.〇689 ; (1) 10% (l) 10% (-) 5% (-) 7% (-) 7% (-) 7% (-) 9% (-) 5% (-) 8% (-) 7% (-) 8% (-) 7% (-) 5% (-) 5% ηβ24.9 mPa s ; Αε=4.7 0 [比較例2] 49 201243034 I W Λ ^ Λ 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6 π 22 Η 調配含有與化合物（1)類似的化合物的液晶組成物，利用上述方法來測定。該組成物的成分及特性如下所述。該液晶組成物的下限溫度為-1 〇 °C至-2 0 °c的範圍。 3-HH-VFF (1)類似 29% 3-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 10% V-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 12% 3-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 10% 5-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 3% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 11% 3-HH-4 (3-1-1) 11% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 14% NI-70.8〇C ； Tc<-10°C ；Δη=0.102 ； η=16.0 mPa-s ; Αε=-2.3 ; VHR-1 二99.1% ; VHR-2=96.3% ; VHR-3=95.5%。 [實例6] 將比較例2的與化合物（1)類似的化合物置換為化合物（1-1-1 )。調配本組成物，利用上述方法來測定。該組成物的成分及特性如下所述。實例6與比較例1相比，下限溫度更低，負的介電各向異性更大。 F3-HH-V (1-1-1) 29% 3-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 10% V-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 12% 3-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 10% 5-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 3% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 11% 50 201243034. 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期·_101年6月22 Π 3-ΗΗ-4 (3-1-1) 11% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 14% NI=69.8〇C ； Tc<-30°C ； Δη=0.101 ； η=16.7 mPa-s ； Αε=-3.1 ; VHR-1=99.2% ; VHR-2=97.8% ; VHR-3=96.6%。

[實例7] F3-HH-V (1-1-1) 20% 3-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 5% 5-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 5% 3-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 11% 2-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 3% 3-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 5% 4-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 5% V2-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 3% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 5-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 2-HH-3 (3-1-1) 12% 3-HH-4 (3-1-1) 11% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 10% NI=71.1°C ； Tc<-30°C ;Δη=0·087 ; η=16.4 mPa.s ; Αε=-3.3 ; VHR-1=99.1% ; VHR-2=97.9% ; VHR-3=96.8%。 [實例8] F3-HH-V (1-1-1) 20% 5-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 5% 5-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 7% 51 201243034 爲第1〇"1112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6 Π 22 Η 2-HHB(2F,3F)-l (2-4-1) 8% 3-HHB(2F,3F)-l (2-4-1) 8% 3-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 8% 5-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1 ) 3% 3-DhHB(2F,3F)-02 (2-8-1) 4% 3-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 4% 3-dhBB(2F,3F)-02 (2-10-1) 3% 3-HH-4 (3-1-1) 10% 3-HH-V (3-1-1) 10% 3-HB-02 (3-2-1) 10% NI=72.1〇C ； Tc^-30°C ；Δη=0.080 ； η=15.9 mPa.s Δε=-3.2 ; VHR-卜99.0% ; VHR-2=97.7% ; VHR-3=96.5〇/〇。 [實例9] F2-HH-V (1-1-1) 8% F3-HH-V (1-1-1) 18% F3-HH-2V1 (1-1-1) 10% 3CF2-HH-3 (1) 3% 3-H2B(2F,3F)-04 (2-3-1) 18% 2-HHB(2F,3F)-l (2-4-1) 6% 3-HHB(2F,3F)-l (2-4-1) 7% 3-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 7% 5-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 8% 3-HH10B(2F,3F)-l (2-7-1) 5% 2-BB(2F,3F)B-3 (2-12-1 ) 3% 52 201243034. 〇

爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正曰期:101年ό月22曰 2-BB(2F,3F)B-4 (2-12-1) 7% NI=70.1°C ； Tc<-30°C ； Δη=0.087 ； η=17.1 mPa.s ; Δε=-3.1 ； VHR-1=99.1 % ； VHR-2=97.5% ； VHR-3=96.8% [實例10] F3-HH-V (1-1-1) 20% 5-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 7% lV2-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 3% 3-H2B(2F,3F)-04 (2-3-1) 12% 5-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 5% V2-HBB(2F,3F)-02 (2-6-1) 3% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 5-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 5-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 4% 3-HHB(2F,3CL)-02 (2-11-1) 3% 2-BB(2F,3F)B-4 (2-12-1) 5% 3-HH-V (3-1-1) 5% 5-HH-V (3-1-1) 5% 3-HH-V1 (3-1-1) 5% l-BB-3 (3-3-1) 5% V2-BB-1 (3-3-1) 3% 2-BB(F)B-5 (3-6-1) 2% 5-HBB(F)B-2 (3-13-1) 3% NI=70.8〇C ； Tc^-30°C ； Δη=0.098 ； η=16.6 mPa.s ; Δε=-3.3 ； VHR-1=99.2% ； VHR-2=97.4% ； VHR-3= =96.6% 53 201243034 爲第10^1112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6 J1 22 Π [實例11] F3-HH-V (1-1-1) 12% 4CF2-HH-3 (l) 8% 5-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1 ) 10% 5-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 8% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 4% 5-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 8% 2-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 3% 3-HH-Ol (3-1-1) 3% 3-HH-V (3-1-1) 8% 1-HH-2V1 (3-1-1) 5% 3-HH-2V1 (3-1-1) 3% 3-HB-Ol (3-2-1) 3% l-BB-5 (3-3-1) 7% 1V2-BB-1 (3-3-1) 3% 3-HHB-Ol (3-4-1) 3% 3-HBB-2 (3-5-1) 3% 3-H2Cro(7F,8F)-5 (4-1-1) 3% 3-HH2Cro(7F,8F)-5 (4-3-1) 3% 5-HB10Cro(7F,8F)-5 (4-5-1) 3% NI=70.8°C ; Tc<-30°C ;An=0.085 ; η=19.2 mPa.s ; Δε=-3.4 ； VHR-1=98.9% ； VHR-2=97.1% ； VHR-3= =96.2% [實例12] F3-HH-V (1-1-1) 16% 54 201243034,

爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6月22日 3V-HB(2F,3F)-02 (2-2-1) 3% 3-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 10% 3-H2B(2F,3F)-04 (2-3-1) 12% 3-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 8% 5-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 9% 3-HHB(2CL,3F)-02 (2) 2% 3-HH-V (3-1-1) 12% 3-HH-V1 (3-1-1) 3% V2-BB-1 (3-3-1) 3% V2-BB(F)B-3 (3-6-1) 3% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 3% 3-HHEH-5 (3-8-1) 3% 3-HHEBH-3 (3-9-1) 3% 5-H10Cro(7F,8F)-5 (4-2-1) 3% 3-HH10Cro(7F,8F)-5 (4-4-1) 4% 40-Cro(7F,8F)H-3 (4) 3% NI=71.1〇C ; Tc<-30°C ;Δη=0.086 ; η=19·8 mPa.s : Δε=-3·4 ; VHR-1=98.8% ; VHR-2=96.9% ; VHR-3=96.2%。 [實例13] F3-HH-V (1-1-1) 15% 3-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 10% 3-H2B(2F,3F)-04 (2-3-1) 7% 5-H2B(2F,3F)-02 (2-3-1) 10% lV2-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 2% 55 201243034 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:101年6Π 22 3-HH2B(2F,3F)-02 (2-5-1) 5% 3-HH10B(2F,3F)-l (2-7-1) 3% 3-DhHB(2F,3F)-02 (2-8-1) 3% 3-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1 ) 5% 3-HH-V (3-1-1) 13% 5-HB-3 (3-2-1) 7% l-BB-3 (3-3-1) 5% 5-B(F)BB-3 (3-7-1) 3% 3-HBBH-3 (3-10-1) 3% 3-HB(F)HH-5 (3-11-1) 3% 5-HB(F)BH-5 (3-12-1) 3% lOl-HBBH-5 (-) 3% NI=70.7〇C ； Tc<-30°C ;Δη=0·090 ; η=17·2 mPa.s ; Δε=-3.0 ； VHR-1=99.1% ； VHR-2=97.2% ； VHR-3= [實例14] =96.9% F2-HH-V (1-1-1) 5% F2-HH-V3 (1-1-1) 5% F3-HH-V (1-1-1) 7% 3-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 7% 5-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 5% V-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 5% 2-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 7% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 4-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 56 201243034. 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:101年ό月22日 2-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 3% 2-BB(2F,3F)B-3 (2-12-1) 7% 3-HH-V (3-1-1) 15% 5-HH-V (3-1-1) 5% 5-HB-02 (3-2-1) 3% l-BB-3 (3-3-1) 7% 3-HHB-l (3-4-1) 3% 5-B(F)BB-2 (3-7-1) 3% 5-B(F)BB-3 (3-7-1) 3% NI=72.2〇C ； Tc<-30°C ;Δη=0.102 ; η=16.1 mPa.s : Δε=-3_2 ; VHR-1=99.0% ; VHR-2=97.1% ; VHR_3=96.5%。 [實例15] F2-HH-V1 (1-1-1) 3% F3-HH-V1 (1-1-1) 5% 3-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 5% 4-BB(2F,3F)-02 (2-1-1) 5% V-HHB(2F,3F)-02 (2-4-1) 7% 2-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 7% 3-HH10B(2F,3F)-02 (2-7-1) 5% 5-HDhB(2F,3F)-02 (2-9-1) 3% 3-HHB(2F,3CL)-02 (2-11-1) 3% 2-BB(2F,3F)B-3 (2-12-1) 5% 5-H10B(2F,3F)-02 (2) 3% 2-HH-3 (3-1-1) 5% 57 201243034 爲第Ίίΐ112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6Η 22 Η 3-HH-V (3-1-1) 17% 3-HH-V1 (3-1-1) 5% 1-BB-3 (3-3-1) 5% 3-HHB-3 (3-4-1) 3% V2-HHB-1 (3-4-1) 5% 2-BB(F)B-3 (3-6-1) 4% 2-BB(F)B-5 (3-6-1) 5% NI-76.0〇C ； Tc<-30°C ;An=〇.l〇9 ; η=17.7 mPa.s △ε=_3.4 ; VHR-1=99.2% ; VHR-2=97.30/〇 ; VHR-3=96.7%。實例6至實例15的組成物與比較例1及比較例2的組成物相比，下限溫度低，負的介電各向異性大。因此，本發明的液晶組成物較專利文獻1及專利文獻2所示的液晶組成物而言，具有更優異的特性。 [產業上之可利用性] 的低^ Γ ^液晶組成物在向列相的高上限溫度、向列相適當的先學各向異性'大的負的高穩定性等特高狱性及對熱特性具有適當的半衡:足至V種特性，或者至少兩種於成為具有短的響應時;==句的液晶顯示元件由電視等。故而叮用於液晶投影機及液晶【圖式簡單說明】 Ml 〇【主要元件符號說明】益。 58 201243034^ 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期-.101年6月Μ日發明糞刺說明書 (本說明書格式、順序’請勿任意更動’※記號部分請勿填寫） ※申請案號： ※申請曰： ※^匚分類：一、發明名稱：（中文/英文）液晶組成物及液晶顯不元件 LIQUID CRYSTAL COMPOSITION AND LIQUID Q CRYSTAL DISPLAY DEVICE 二、中文發明摘要：本發明提供一種液晶組成物，其在向列相的高上限溫度、向列相的低下限溫度、小的黏度、適當的光學各向異性、大的負介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的高穩定性及對熱的高穩定性等特性中，滿足至少一種特性，或者至少兩種特性具有適當的平衡。並且本發明提供一種 0 AM元件，其具有短的響應時間、大的電壓保持率、大的對比度及長的壽命等。本發明的液晶組成物含有具有低下限溫度的特定二環化合物作為第一成分、以及具有大的負介電各向異性的特定化合物作為第二成分，而且具有負的介電各向異性；並且本發明的液晶顯示元件含有該組成物。三、英文發明摘要： The invention provides a liquid crystal composition, which satisfies at least one characteristic or has suitable 1 201243034 爲ϋΐ 112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇1年6 jj 22 Η balance between at least two characteristics among the characteristics of a high upper limited temperature of nematic phase, a low lower limited temperature of nematic phase, a small viscosity, a suitable optical anisotropy, a large negative dielectric anisotropy, a high resistivity, a high stability against ultraviolet light and a high stability against heat, etc. And the invention provides an AM device, which has a short response time, a large voltage retention rate, a high contrast ratio and long life, etc. The liquid crystal composition of the invention contains a specific bicyclic compound having a low lower limited temperature as a first component, a specific compound having a large negative dielectric anisotropy as a second component, which has a negative dielectric anisotropy. The liquid crystal display device of the invention contains the liquid crystal composition. 201243034. 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:1〇丨年6 七、申請專利範圍： 1. 一種液晶組成物，含有選自式（1)所表八物組群中的至少一種化合物作為第一成分以及化合所表示的化合物組群中的至少一種化合物作第_二（2) 而且具有負的介電各向異性：〜成分，

炫基^二氣取代的碳數1至〜及K獨立地為碳數1至12的其的至12的烷氧基或者碟數兀基、碳數！地為 2的席基，^Α及環Β獨立

或者

X1及X2獨立地為氟或為單鍵、伸乙基、亞甲^或甲基；ζ及22獨立地 0、1、2或3，而且m ^基^麵氧基；m及η獨立地為边與11的和為1、2或3。 2.如申請專利範圍第 f 述第一成分是選自式丨員斤迷之液曰曰組成物，其中上 U所表示的化合物組群中的至少 59 201243034 修正日期:1〇1年6丨j 22 [J 爲第1〇"1112455號中文說明書無劃線修正本一種化合物： (1-1) f{ch2H>^r2 、 / p 其中，R2為碳數1至12的烷基、碳數1至12的烷氧基或者碳數2至12的烯基；p為1至12的整數。 3.如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中上述第二成分是選自式（2-1)至式（2-12)所表示的化合物組群中的至少一種化合物： 60 201243034. 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本

修正曰期:1〇1年6月22 Π (2-1) (2-2) (2-3) (2-4) (2-5) (2-6) (2-7) (2-8) (2-9) (2-10) (2-11) (2-12) 61 201243034 修正日期:丨01年6 .fj 22丨」爲第1。112455號中文說明書無劃線修正本其中，R3及R4獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 至12的烷氧基或者碳數2至12的稀基。 4. 如申請專利範圍第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分為選自申請專利範圍第3項所述之式（2-4 )所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 5. 如申請專利範圍第2項所述之液晶組成物，其中上述第二成分為選自申請專利範圍第3項所述之式（2_7 )所表示的化合物組群中的至少一種化合物。 6_如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中根據液晶組成物的總重量，上述第一成分的比例為5重量％至80重量％的範®，而且上述第二成分的比例為忉 %至95重量％的範圍。 S 7.如申請專職®第1項所述之液晶組成物，其含有遥自式（3)所表示的化合物組群中的至少一作為第三成分： 5 ^

⑶ 其中，R5及R6獨立地為碳數】至12的燒美至12的燒氧基、碳數2幻2的烯基或者至少1土二」取代的碳數2至12的縣；環c、環D及環=氣 1 二4-伸環己基、M•伸苯基、m4·伸苯基或地為苯基；Z3及Z4獨立地為垔綠仙7並二 H，4-伸地為早鍵、伸乙基、亞甲氧基或者幾氧 62 201243034. 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:101年6月22日基；q為0、1或2。 8.如申請專利範圍第7項所述之液晶組成物，其中上述第三成分是選自式（3-1)至式（3-13)所表示的化合物組群中的至少一種化合物：

63 201243034 爲第ΐίΐ112455號中文說明書無劃線修正本

修正日期:1〇1年6[] 22 [1 (3-1) (3-2) (3-3) (3-4) (3-5) (3-6) (3-7) (3-8) (3-9) (3-10) (3-11) (3-12) (3-13) 其中，R5及R6獨立地為碳數1至12的烷基、碳數1 64 201243034 Li 修正日期:1〇1年6月22日爲第101112455號中文說明書無劃線修正4 至U㈣祕、碳數2至12 _基或者至少取代的碳數2至12的烯基。乳、、."1•氣 ' 9.如申請專利範圍第7項所述之液晶組成物，其據液晶組成物的總重量，上述第三成分的旦x 至80重量％的範圍。里里/〇晶组成物，其中的至少一種化合 10.如申請專利範圍第丨項所述之液

更含有選自式（4)所表示的化合物組群中物作為第四成分：

其中，R及圮獨立地為碳數！至12的烷至12的院氧基、碳數2至12的、说翼+、土 ^ , 芏的烯基或者至少1個|[晦齑

取代的碳數2至12的橋美·俨κ τχ m 飞左氟〜㈣基&及環6獨立地為14-伸 %己基或者1,4-伸苯基；Ζ5&Ζ6獨立申亞甲氣美式去呈山©ft xl y 為早鍵、伸乙基、甲乳基或者叛乳基；r及s獨立地 r與s的和為1、2或3。 ^3,而且 11.如申請專利範圍第10 上述第四成分是選自式（4-1) 物組群中的至少一種化合物：項所述之液晶組成物，其中至式（4_5)所表示的化合 65 201243034 爲第1(ΐΐ 112455號中文說明書無劃線修正本

修正日期:101年6 J1 22 Π (4-1) (4-2) (4-3) (4-4) (4-5) 其中’ R及R獨立地為石厌數1至12的烧基、碳數1 至12的烷氧基、碳數2至12的烯基或者至少丨個氫經氟取代的碳數2至12的烯基。 12.如申請專利範圍第1〇項所述之液晶組成物，其中根據液晶組成物的總重量，上述第四成分的比例為5重 %至40重量％的範圍。 13·如中請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中向列相的上限溫度為7n〇r u 4 p 向異性（坑）=^上’波長589 nm下的光學各向異性（坑）為_2=上’而且頻率lkHzl^介電各 14.種式（1_M)所表示的化合物： 66 201243034」爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正日期:101年ό月22日 F<CH 如C^C^R9 (1-1-1) 其中，p為1至12的整數；R9為碳數2至12的烯基。 15.如申請專利範圍第14項所述之式（1-1-1)所表示的化合物，其中，p為1至12的整數；R9為碳數2至3的烯基。 0 16. —種液晶顯示元件，含有如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物。 17. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示元件，其中該液晶顯示元件的運作模式為VA模式、IPS模式、FFS 模式或者PSA模式，液晶顯示元件的驅動方式為主動矩陣方式。 18. —種如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物的用途，用於液晶顯示元件中。

67 201243034^ 爲第101112455號中文說明書無劃線修正本修正曰—101年ό月22日四、指定代表圖·· (一) 本案指定代表圖為：無。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：〇五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： RL^y~^y~R2 ⑴

(2) 3