KR20170015735A - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 상기 제1 절연 기판 및 상기 제2 절연 기판 중 어느 하나에 서로 독립적으로 위치하는 화소 전극 및 공통 전극, 및 액정 분자를 포함하며 상기 제1 절연 기판 및 상기 제2 절연 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 액정 분자는 하기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물 중 적어도 하나를 포함한다.
Figure pat00155
[화학식 1]
Figure pat00156
[화학식 2]
상기 R, R', R1 , R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 알콕시기, 탄소수 2 내지 8의 알케닐기이거나 생략될 수 있다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(flat panel display) 중 하나이다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함하며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성함으로써 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절한다.
액정 표시 장치에서 액정은 빛의 투과율을 조절하여 원하는 화상을 얻는데 매우 중요하다. 특히, 액정 표시 장치의 용도가 다양화됨에 따라, 저전압 구동, 높은 전압 보전율(voltage holding ratio, VHR), 넓은 시야각 특성, 넓은 동작 온도 범위, 낮은 잔상(afterimage) 및 고속 응답성 등의 다양한 특성이 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 응답 속도 및 투과율이 우수한 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 상기 제1 절연 기판 위에 위치하는 제1 배향막, 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 제2 배향막, 및 액정 분자를 포함하며 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 중 적어도 하나는 배향 중합체를 포함하며, 상기 액정 분자는 하기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물 중 적어도 하나를 포함한다.
Figure pat00001
[화학식 1]
Figure pat00002
[화학식 2]
상기 R, R', R1 , R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 알콕시기, 탄소수 2 내지 8의 알케닐기이거나 생략될 수 있다.
상기 액정 분자는 상기 배향 중합체에 의해 선경사를 가질 수 있다.
상기 제1 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00003
[화학식 1-1]
Figure pat00004
[화학식 1-2]
Figure pat00005
[화학식 1-3]
Figure pat00006
[화학식 1-4]
Figure pat00007
[화학식 1-5].
상기 제2 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00008
[화학식 2-1]
Figure pat00009
[화학식 2-2]
Figure pat00010
[화학식 2-3]
Figure pat00011
[화학식 2-4]
Figure pat00012
[화학식 2-5].
상기 배향 중합체는 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-5로 표현되는 제3 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 배향 보조제를 광조사하여 형성될 수 있다.
Figure pat00013
[화학식 3-1]
Figure pat00014
[화학식 3-2]
Figure pat00015
[화학식 3-3]
Figure pat00016
[화학식 3-4]
Figure pat00017
[화학식 3-5]
상기 Sp2는 탄소 원자수 2 내지 5의 알킬렌기이다.
상기 액정 분자는 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-13으로 표현되는 제4 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00018
[화학식 4-1]
Figure pat00019
[화학식 4-2]
Figure pat00020
[화학식 4-3]
Figure pat00021
[화학식 4-4]
Figure pat00022
[화학식 4-5]
Figure pat00023
[화학식 4-6]
Figure pat00024
[화학식 4-7]
Figure pat00025
[화학식 4-8]
Figure pat00026
[화학식 4-9]
Figure pat00027
[화학식 4-10]
Figure pat00028
[화학식 4-11]
Figure pat00029
[화학식 4-12]
Figure pat00030
[화학식 4-13]
상기 X 및 Y는 서로 독립적으로 탄소수가 1 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이고, 수소(H) 원자의 일부는 플루오르(F) 원자로 치환될 수 있다.
상기 제4 화합물은 상기 액정 분자의 총 중량에 대해 2 중량% 내지 25 중량%일 수 있다.
상기 액정층은 음의 유전율 이방성을 가질 수 있다.
상기 제1 절연 기판 위에 위치하며 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극, 및 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 화소 전극은 십자 줄기부 및 상기 십자 줄기부에서 연장된 미세 가지부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 상기 제1 절연 기판 및 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 전기장 생성 전극, 액정 분자를 포함하며 상기 제1 절연 기판 및 상기 제2 절연 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 액정 분자는 하기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물을 포함한다.
Figure pat00031
[화학식 1]
Figure pat00032
[화학식 2]
상기 R, R', R1 , R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 알콕시기, 탄소수 2 내지 8의 알케닐기이거나 생략될 수 있다.
상기 제1 절연 기판 위에 위치하는 제1 배향막, 및 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 제2 배향막을 더 포함하고, 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 중 적어도 하나는 배향 중합체를 포함하며, 상기 액정 분자는 상기 배향 중합체에 의해 선경사를 가질 수 있다.
상기 제1 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00033
[화학식 1-1]
Figure pat00034
[화학식 1-2]
Figure pat00035
[화학식 1-3]
Figure pat00036
[화학식 1-4]
Figure pat00037
[화학식 1-5].
상기 제2 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00038
[화학식 2-1]
Figure pat00039
[화학식 2-2]
Figure pat00040
[화학식 2-3]
Figure pat00041
[화학식 2-4]
Figure pat00042
[화학식 2-5]
상기 배향 중합체는 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-5로 표현되는 제3 화합물 중 어느 하나를 포함하는 배향 보조제를 광조사하여 형성될 수 있다.
Figure pat00043
[화학식 3-1]
Figure pat00044
[화학식 3-2]
Figure pat00045
[화학식 3-3]
Figure pat00046
[화학식 3-4]
Figure pat00047
[화학식 3-5]
상기 Sp2는 탄소수 2 내지 5의 알킬렌기이다.
상기 액정 분자는 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-13으로 표현되는 제4 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00048
[화학식 4-1]
Figure pat00049
[화학식 4-2]
Figure pat00050
[화학식 4-3]
Figure pat00051
[화학식 4-4]
Figure pat00052
[화학식 4-5]
Figure pat00053
[화학식 4-6]
Figure pat00054
[화학식 4-7]
Figure pat00055
[화학식 4-8]
Figure pat00056
[화학식 4-9]
Figure pat00057
[화학식 4-10]
Figure pat00058
[화학식 4-11]
Figure pat00059
[화학식 4-12]
Figure pat00060
[화학식 4-13]
상기 X 및 Y는 서로 독립적으로 탄소수가 1 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이고, 수소(H) 원자의 일부는 플루오르(F) 원자로 치환될 수 있다.
상기 제4 화합물은 상기 액정 분자의 총 중량에 대해 2 중량% 내지 25 중량%일 수 있다.
상기 액정층은 음의 유전율 이방성을 가질 수 있다.
상기 전기장 생성 전극은 상기 제1 절연 기판 위에 위치하며 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극, 및 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 화소 전극은 십자 줄기부 및 상기 십자 줄기부에서 연장된 미세 가지부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 회전 점도가 낮은 액정층을 포함하는바 향상된 응답 속도를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소의 평면 배치도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기본 화소의 평면도이다.
도 4 및 도 5는 도 1 내지 도 3에서 설명한 실시예에서 박막 트랜지스터 구조를 변형한 액정 표시 장치의 일 화소의 회로도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하에서는 도 1 내지 도 3을 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소의 평면 배치도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기본 화소의 평면도이다.
우선, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 하부 표시판(100)과 마주하며 이격된 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.
이때, 액정층(3)은 액정 분자(31)를 포함하고, 이하에서 본 발명의 일 실시예에 따라 액정층(3)을 이루는 액정 분자에 대해 구체적으로 살펴본다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 분자들은 하기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00061
[화학식 1]
Figure pat00062
[화학식 2]
상기 R, R', R1 , R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 알콕시기, 탄소수 2 내지 8의 알케닐기이거나 생략될 수 있다.
이때 상기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00063
[화학식 1-1]
Figure pat00064
[화학식 1-2]
Figure pat00065
[화학식 1-3]
Figure pat00066
[화학식 1-4]
Figure pat00067
[화학식 1-5]
또한 상기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00068
[화학식 2-1]
Figure pat00069
[화학식 2-2]
Figure pat00070
[화학식 2-3]
Figure pat00071
[화학식 2-4]
Figure pat00072
[화학식 2-5].
이와 같이 상기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 및 상기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물은 바이시클로헥실기(bicyclohexyl)를 포함하며, 낮은 회전 점도의 액정 분자를 포함하는 액정층을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 분자(31)는 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-13으로 표현되는 제4 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이때 상기 제4 화합물은 상기 액정 분자의 총 중량에 대해 2 중량% 내지 25 중량%일 수 있다.
Figure pat00073
[화학식 4-1]
Figure pat00074
[화학식 4-2]
Figure pat00075
[화학식 4-3]
Figure pat00076
[화학식 4-4]
Figure pat00077
[화학식 4-5]
Figure pat00078
[화학식 4-6]
Figure pat00079
[화학식 4-7]
Figure pat00080
[화학식 4-8]
Figure pat00081
[화학식 4-9]
Figure pat00082
[화학식 4-10]
Figure pat00083
[화학식 4-11]
Figure pat00084
[화학식 4-12]
Figure pat00085
[화학식 4-13]
상기 X 및 Y는 서로 독립적으로 탄소수가 1 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이며, 이때 수소(H) 원자의 일부는 플루오르(F) 원자로 치환될 수 있다.
이상에서 설명한 액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 낮은 회전 점도를 나타내는 액정 분자들을 포함하기 때문에 향상된 응답 속도를 제공할 수 있다.
그러면, 이하에서는 도 1 내지 도 3을 참고하여, 이상에서 설명한 액정층을 포함하는 액정 표시 장치의 구성요소에 대해 구체적으로 설명한다.
우선, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제1 절연 기판(110) 위에 게이트선(121)과 분압 기준 전압선(131)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다.
게이트선(121)은 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 제3 게이트 전극(124c) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
분압 기준 전압선(131)은 제1 유지 전극(135, 136), 그리고 기준 전극(137)을 포함한다. 분압 기준 전압선(131)에 연결되어 있지는 않으나, 제2 유지 전극(138, 139)이 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하도록 위치한다.
게이트선(121) 및 분압 기준 전압선(131) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체층(154a), 제2 반도체층(154b) 및 제3 반도체층(154c)이 위치한다. 반도체층(154a, 154b, 154c) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c)가 위치한다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c) 및 게이트 절연막(140) 위에는 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함하는 복수의 데이터선(171), 제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.
데이터 도전체 및 그 아래에 위치되어 있는 반도체 및 저항성 접촉 부재는 하나의 마스크를 이용하여 동시에 형성될 수 있다.
데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체층(154a)과 함께 하나의 제1 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qa)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 제1 반도체층(154a)에 형성된다. 유사하게, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b) 및 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체층(154b)과 함께 하나의 제2 박막 트랜지스터(Qb)를 이루며, 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 제2 반도체층(154b)에 형성되고, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)는 제3 반도체층(154c)과 함께 하나의 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 이루며, 채널은 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이의 제3 반도체층(154c)에 형성된다.
제2 드레인 전극(175b)은 제3 소스 전극(173c)과 연결되어 있으며, 넓게 확장된 확장부(177)를 포함한다.
데이터 도전체(171, 173c, 175a, 175b, 175c) 및 노출된 반도체층(154a, 154b, 154c) 부분 위에는 제1 보호막(180p)이 위치한다. 제1 보호막(180p)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다. 제1 보호막(180p)은 색필터(230) 등의 안료가 노출된 반도체층(154a, 154b, 154c) 부분으로 유입되는 것을 방지한다.
제1 보호막(180p) 위에는 색필터(230)가 위치한다. 색필터(230)는 서로 인접한 두 개의 데이터선(171)을 따라 세로 방향으로 뻗어 있다. 본 발명의 일 실시예는 색필터(230)가 하부 표시판(100)에 위치하는 실시예에 대해 설명 및 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 색필터(230)는 상부 표시판(200)에 위치할 수도 있다.
색필터(230) 위에는 제2 보호막(180q)이 위치한다. 제2 보호막(180q)은 제1 보호막(180p)과 같이 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다.
제2 보호막(180q)은 색필터(230)가 들뜨는 것을 방지하고 색필터(230)로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동 시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지한다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q)에는 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 드러내는 제1 접촉 구멍(contact hole)(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)이 형성되어 있다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q), 그리고 게이트 절연막(140)에는 기준 전극(137)의 일부와 제3 드레인 전극(175c)의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍(185c)이 형성되어 있고, 제3 접촉 구멍(185c)은 연결 부재(195)가 덮고 있다. 연결 부재(195)는 제3 접촉 구멍(185c)을 통해 드러나 있는 기준 전극(137)과 제3 드레인 전극(175c)을 전기적으로 연결한다.
제2 보호막(180q) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 전기장 생성 전극의 하나로써, 각 화소 전극(191)은 게이트선(121)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121)을 중심으로 열 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함한다.
화소 전극(191)은 ITO 및 IZO 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수도 있다.
제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)은 각각 도 3에 도시한 기본 전극 또는 그 변형을 하나 이상 포함할 수 있다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통하여 각각 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 이 때, 제2 드레인 전극(175b)에 인가된 데이터 전압 중 일부는 제3 소스 전극(173c)을 통해 분압되어, 제1 부화소 전극(191a)에 인가되는 전압의 크기는 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압의 크기보다 크게 된다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 위치하며, 제1 배향막(11)은 수직 배향막일 수 있다. 제1 배향막(11)은 폴리 아믹산(Polyamic acid) 또는 폴리 이미드(Polyimide) 등의 액정 배향막으로써 일반적으로 사용되는 물질들 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
제1 배향막(11)은 배향 보조제를 포함하는 배향액을 도포 및 광조사하여 형성하며, 배향 보조제를 광조사하여 형성한 배향 중합체(13a)가 제1 배향막(11)에 포함된다. 이때 배향 보조제는 반응성 메소겐(Reactive Mesogen)일 수 있으며, 하기 화학식 3-1 내지 3-5로 표현되는 제3 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00086
[화학식 3-1]
Figure pat00087
[화학식 3-2]
Figure pat00088
[화학식 3-3]
Figure pat00089
[화학식 3-4]
Figure pat00090
[화학식 3-5]
상기 Sp2는 탄소 원자수 2 내지 5의 알킬렌기이다.
배향 보조제를 통해 형성된 배향 중합체(13a)는 액정 분자(31)를 선경사 지도록 하여 액정층의 응답 속도 및 투과율을 향상시킬 수 있다.
다음, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
제2 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220)가 위치한다. 차광 부재(220)는 하부 표시판(100)의 데이터선(171)이 위치하는 영역 및 박막 트랜지스터 등이 위치하는 영역과 중첩하도록 상부 표시판(200)에 위치한다. 본 명세서는 차광 부재(220)가 상부 표시판(200)에 위치하는 실시예에 대해 설명 및 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 하부 표시판(100)에 위치할 수 있음은 물론이다.
다음, 덮개막(250)이 차광 부재(220) 위에 위치한다. 발명의 실시예에 따라 덮개막(250)은 생략될 수 있다.
다음, 전기장 생성 전극 중 하나인 공통 전극(270)이 덮개막(250) 위에 위치한다. 공통 전극(270)은 하부 표시판(100)의 화소 전극(191)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다.
제2 배향막(21)은 공통 전극(270) 위에 위치하며, 제2 배향막(21)은 수직 배향막일 수 있다. 제2 배향막(21)은 폴리 아믹산(Polyamic acid) 또는 폴리 이미드(Polyimide) 등의 액정 배향막으로써 일반적으로 사용되는 물질들 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
제2 배향막(21)은 배향 보조제를 포함하는 배향액을 도포 및 광조사하여 형성된다. 배향 보조제를 광조사하여 형성한 배향 중합체(23a)는 제2 배향막(21)에 포함될 수 있으며, 상기 배향 보조제는 반응성 메소겐(Reactive Mesogen)일 수 있다. 일례로써 배향 보조제는 상기 화학식 3-1 내지 화학식 3-5로 표현되는 제3 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21) 사이에 위치하는 액정층(3)은 음의 유전율을 가지며, 전술한 액정층과 동일한바, 이하에서는 설명을 생략한다.
그러면, 도 3을 참고로 하여 하부 표시판(100)의 기본 전극(199)에 대하여 설명한다. 도 1 내지 도 3을 참고하면, 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)은 각각 하나의 기본 전극(199)을 포함한다. 예를 들어, 도 3은 제1 부화소 전극(191a)을 기준으로 기본 전극을 도시하고 있으나, 기본 전극은 제2 부화소 전극(191b)을 기준으로 변형될 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 기본 전극(199)의 전체적인 모양은 사각형이며 가로 줄기부(193) 및 이와 직교하는 세로 줄기부(192)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한 기본 전극(199)은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부영역(Da), 제2 부영역(Db), 제3 부영역(Dc), 그리고 제4 부영역(Dd)으로 나누어지며, 각 부영역(Da-Dd)은 복수의 제1 미세 가지부(194a), 복수의 제2 미세 가지부(194b), 복수의 제3 미세 가지부(194c), 그리고 복수의 제4 미세 가지부(194d)를 포함한다.
제1 미세 가지부(194a)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 왼쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제2 미세 가지부(194b)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 오른쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 또한 제3 미세 가지부(194c)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 왼쪽 아래 방향으로 뻗어 있으며, 제4 미세 가지부(194d)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 오른쪽 아래 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다.
제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)는 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룬다. 또한 이웃하는 두 부영역(Da, Db, Dc, Dd)의 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)는 서로 직교할 수 있다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따르면, 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 폭은 가로 줄기부(193) 또는 세로줄기부(192)에 가까울수록 넓어질 수 있다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통하여 각기 제1 드레인 전극(175a) 또는 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있으며 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
이때, 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 변은 전기장을 왜곡하여 액정 분자(31)들의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전기장의 수평 성분은 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 변에 거의 수평하다. 따라서 도 3에 도시한 바와 같이 액정 분자(31)들은 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어진다. 한 화소 전극(191)은 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향이 서로 다른 네 개의 부영역(Da-Dd)을 포함하므로 액정 분자(31)가 기울어지는 방향은 대략 네 방향이 되며 액정 분자(31)의 배향 방향이 다른 네 개의 도메인이 액정층(3)에 형성된다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.
지금까지 설명한 박막 트랜지스터 및 화소 전극(191)에 관한 설명은 하나의 예시이고, 측면 시인성을 향상시키기 위해 박막 트랜지스터 구조 및 화소 전극 디자인을 변형할 수 있다.
이하에서는 도 4 및 도 5를 참고하여 앞에서 설명한 박막 트랜지스터 구조를 변형한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 신호선 및 화소의 배치와 그 구동 방법에 대하여 설명한다. 도 4 및 도 5는 도 1 내지 도 3에서 설명한 실시예에서 박막 트랜지스터 구조를 변형한 액정 표시 장치의 일 화소의 회로도이다.
먼저 도 4를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 게이트선(121a), 감압 게이트선(121b), 유지 전극선(131), 그리고 데이터선(171)을 포함하는 신호선과 이에 연결된 화소(PX)를 포함한다. 화소(PX)는 제1 부화소(PXa), 제2 부화소(PXb) 및 감압부(Cd)를 포함한다.
제1 부화소(PXa)는 제1 스위칭 소자(Qa), 제1 액정 축전기(Clca) 및 제1 유지 축전기(Csta)를 포함하고, 제2 부화소(PXb)는 제2 스위칭 소자(Qb), 제2 액정 축전기(Clcb) 및 제2 유지 축전기(Cstb)를 포함하며, 감압부(Cd)는 제3 스위칭 소자(Qc) 및 감압 축전기(Cstd)를 포함한다.
제1 및 제2 스위칭 소자(Qa, Qb)는 하부 표시판에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(121a)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)와 제1 및 제2 유지 축전기(Csta, Cstb)와 각각 연결되어 있다.
제3 스위칭 소자(Qc) 역시 하부 표시판에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 제어 단자는 감압 게이트선(121b)과 연결되어 있고, 입력 단자는 제1 액정 축전기(Clca)와 연결되어 있으며, 출력 단자는 감압 축전기(Cstd)와 연결되어 있다.
제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)는 각각 제1 및 제2 스위칭 소자(Qa, Qb)와 연결된 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)과 상부 표시판의 공통 전극이 중첩하여 이루어진다. 제1 및 제2 유지 축전기(Csta, Cstb)는 유지 전극선(131)과 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)이 중첩하여 이루어진다.
감압 축전기(Cstd)는 제3 스위칭 소자(Qc)의 출력 단자와 유지 전극선(131)에 연결되어 있으며, 하부 표시판에 구비된 유지 전극선(131)과 제3 스위칭 소자(Qc)의 출력 단자가 절연체를 사이에 두고 중첩되어 이루어진다.
본 실시예에서 액정 표시 장치의 동작에 대해 설명한다.
우선, 게이트선(121a)에 게이트 온 전압(Von)이 인가되면 이에 연결된 제1 및 제2 박막 트랜지스터(Qa, Qb)가 턴 온 된다.
이에 따라 데이터선(171)의 데이터 전압은 턴 온 된 제1 및 제2 스위칭 소자(Qa, Qb)를 통하여 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)에 동일하게 인가된다. 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)는 공통 전극(270)의 공통 전압(Vcom)과 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)의 전압 차이만큼 충전되므로 제1 액정 축전기(Clca)의 충전 전압과 제2 액정 축전기(Clcb)의 충전 전압도 서로 동일하다. 이때, 감압 게이트선(121b)에는 게이트 오프 전압(Voff)이 인가된다.
다음, 게이트선(121a)에 게이트 오프 전압(Voff)이 인가됨과 동시에 감압 게이트선(121b)에 게이트 온 전압(Von)이 인가되면, 게이트선(121a)에 연결된 제1 및 제2 스위칭 소자(Qa, Qb)는 턴 오프되고, 제3 스위칭 소자(Qc)는 턴 온 된다. 이에 따라 제1 스위칭 소자(Qa)의 출력 단자와 연결된 제1 부화소 전극(191a)의 전하가 감압 축전기(Cstd)로 흘러 들어 제1 액정 축전기(Clca)의 전압이 하강한다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치가 프레임 반전으로 구동되고 현재 프레임에서 데이터선(171)에 공통 전압(Vcom)을 기준으로 극성이 양(+)인 데이터 전압이 인가되는 경우를 예로 하여 설명하면, 이전 프레임이 끝난 후에 감압 축전기(Cstd)에는 음(-)의 전하가 모여있게 된다. 현재 프레임에서 제3 스위칭 소자(Qc)가 턴 온 되면 제1 부화소 전극(191a)의 양(+)의 전하가 제3 스위칭 소자(Qc)를 통해 감압 축전기(Cstd)로 흘러 들어와 감압 축전기(Cstd)에는 양(+)의 전하가 모이게 되고 제1 액정 축전기(Clca)의 전압은 하강하게 된다. 다음 프레임에서는 반대로 제1 부화소 전극(191a)에 음(-)의 전하가 충전된 상태에서 제3 스위칭 소자(Qc)가 턴 온 됨에 따라 제1 부화소 전극(191a)의 음(-)의 전하가 감압 축전기(Cstd)로 흘러 들어 감압 축전기(Cstd)에는 음(-)의 전하가 모이고 제1 액정 축전기(Clca)의 전압은 역시 하강하게 된다.
이와 같이 본 실시예에 따르면 데이터 전압의 극성에 상관없이 제1 액정 축전기(Clca)의 충전 전압을 제2 액정 축전기(Clcb)의 충전 전압보다 항상 낮게 할 수 있다. 따라서 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)의 충전 전압을 다르게 하여 액정 표시 장치의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 방법을 살펴본다.
본 발명의 실시예에 의한 액정 표시 장치는 복수의 게이트선(GL), 복수의 데이터선(DL1, DL2), 복수의 분압 기준 전압선(SL)을 포함하는 신호선과 이에 연결되어 있는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 각 화소(PX)는 한 쌍의 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clab)와 제1 및 제2 유지 축전기(Csta, Cstb)를 포함한다.
각 부화소는 하나의 액정 축전기와 유지 축전기를 포함하며, 추가적으로 하나의 박막 트랜지스터(Q)를 포함한다. 하나의 화소에 속하는 두 부화소의 박막 트랜지스터(Q)는 동일한 게이트선(GL)에 연결되어 있지만, 서로 다른 데이터선(DL1, DL2)에 연결되어 있다. 서로 다른 데이터선(DL1, DL2)은 서로 다른 레벨의 데이터 전압을 동시에 인가하여 두 부화소의 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)가 서로 다른 충전 전압을 가지도록 한다. 그 결과 액정 표시 장치의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
이상에서는 도 4 내지 도 5의 회로도에 따른 구동 방법을 설명하였으나 전술한 설명에 제한되지 않고 시야각을 향상시키기 위한 어떠한 구동 방법도 적용될 수 있음은 물론이다.
이하에서는 실시예 1 내지 3 및 비교예 1을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정층의 응답 속도에 대해 살펴본다. 각 실시예 및 비교예는 하기와 같은 액정 분자를 포함한다.
실시예 1
Figure pat00091
실시예 2
Figure pat00092
실시예 3
Figure pat00093
비교예 1
Figure pat00094
실시예 1은 상기 화학식 1-2로 표현되는 제1 화합물을 포함하고, 실시예 2는 상기 화학식 2-1로 표현되는 제2 화합물을 포함하며, 실시예 3은 상기 화학식 1-2로 표현되는 제1 화합물 및 상기 화학식 2-1로 표현되는 제2 화합물을 모두 포함한다. 이에 반해 비교예 1은 상기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 및 상기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물을 포함하지 않으며 일반적인 액정 화합물만을 포함한다.
이러한 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 대해 응답 속도를 측정하였다. 이때 실시예 1은 TON 시간이 약 12.4ms 이고 TOFF가 약 8.1ms이며, 실시예 2는 TON 시간이 약 12.8ms 이고 TOFF가 약 7.7ms이며, 실시예 3은 TON 시간이 약 12.6ms 이고 TOFF가 약 8.0ms이며, 비교예 1은 TON 시간이 약 13.2ms 이고 TOFF가 약 9.0ms으로 측정되었다.
즉, 상기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 또는 상기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 조성물(실시예 1 내지 3)은 비교예에 비해 응답 속도가 향상됨을 확인하였다.
이러한 응답 속도의 향상은 바이시클로헥실기(bicyclohexyl)를 포함하는 제1 화합물 및 제2 화합물에 의한 것이며, 이를 포함하는 액정 표시 장치는 회전 점도가 낮은 액정층을 통해 보다 나은 응답 속도를 제공할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
3: 액정층 11, 21: 배향막
100: 하부 표시판 200: 상부 표시판
121: 게이트선 124a, 124b: 게이트 전극
140: 게이트 절연막 154a, 154b: 반도체층
173a, 173b: 소스 전극 175a, 175b: 드레인 전극
191: 화소 전극 270: 공통 전극
230: 색필터 13a, 23a: 배향 중합체

Claims (20)

  1. 제1 절연 기판,
    상기 제1 절연 기판 위에 위치하는 제1 배향막,
    상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판,
    상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 제2 배향막, 및
    액정 분자를 포함하며 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 사이에 위치하는 액정층을 포함하고,
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 중 적어도 하나는 배향 중합체를 포함하며,
    상기 액정 분자는 하기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure pat00095
    [화학식 1]
    Figure pat00096
    [화학식 2]
    상기 R, R', R1 , R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 알콕시기, 탄소수 2 내지 8의 알케닐기이거나 생략될 수 있다.
  2. 제1항에서,
    상기 액정 분자는 상기 배향 중합체에 의해 선경사를 가지는 액정 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure pat00097
    [화학식 1-1]
    Figure pat00098
    [화학식 1-2]
    Figure pat00099
    [화학식 1-3]
    Figure pat00100
    [화학식 1-4]
    Figure pat00101
    [화학식 1-5].
  4. 제1항에서,
    상기 제2 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure pat00102
    [화학식 2-1]
    Figure pat00103
    [화학식 2-2]
    Figure pat00104
    [화학식 2-3]
    Figure pat00105
    [화학식 2-4]
    Figure pat00106
    [화학식 2-5].
  5. 제1항에서,
    상기 배향 중합체는 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-5로 표현되는 제3 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 배향 보조제를 광조사하여 형성된 액정 표시 장치:
    [화학식 3-1]
    Figure pat00108
    [화학식 3-2]
    Figure pat00109
    [화학식 3-3]
    Figure pat00110
    [화학식 3-4]
    Figure pat00111
    [화학식 3-5]
    상기 Sp2는 탄소수 2 내지 5의 알킬렌기이다.
  6. 제1항에서,
    상기 액정 분자는 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-13으로 표현되는 제4 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure pat00112
    [화학식 4-1]
    Figure pat00113
    [화학식 4-2]
    Figure pat00114
    [화학식 4-3]
    Figure pat00115
    [화학식 4-4]
    Figure pat00116
    [화학식 4-5]
    Figure pat00117
    [화학식 4-6]
    Figure pat00118
    [화학식 4-7]
    Figure pat00119
    [화학식 4-8]
    Figure pat00120
    [화학식 4-9]
    Figure pat00121
    [화학식 4-10]
    Figure pat00122
    [화학식 4-11]
    Figure pat00123
    [화학식 4-12]
    Figure pat00124
    [화학식 4-13]
    상기 X 및 Y는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이고, 수소(H) 원자의 일부는 플루오르(F) 원자로 치환될 수 있다.
  7. 제6항에서,
    상기 제4 화합물은 상기 액정 분자의 총 중량에 대해 2 중량% 내지 25 중량%인 액정 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 액정층은 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 절연 기판 위에 위치하며 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극, 및
    상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 화소 전극은 십자 줄기부 및 상기 십자 줄기부에서 연장된 미세 가지부를 포함하는 액정 표시 장치.
  11. 제1 절연 기판,
    상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판,
    상기 제1 절연 기판 및 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 전기장 생성 전극,
    액정 분자를 포함하며 상기 제1 절연 기판 및 상기 제2 절연 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고,
    상기 액정 분자는 하기 화학식 1로 표현되는 제1 화합물 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 화합물을 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure pat00125
    [화학식 1]
    Figure pat00126
    [화학식 2]
    상기 R, R', R1 , R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 알콕시기, 탄소수 2 내지 8의 알케닐기이거나 생략될 수 있다.
  12. 제11항에서,
    상기 제1 절연 기판 위에 위치하는 제1 배향막, 및
    상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 제2 배향막을 더 포함하고,
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 중 적어도 하나는 배향 중합체를 포함하며,
    상기 액정 분자는 상기 배향 중합체에 의해 선경사를 가지는 액정 표시 장치.
  13. 제11항에서,
    상기 제1 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure pat00127
    [화학식 1-1]
    Figure pat00128
    [화학식 1-2]
    Figure pat00129
    [화학식 1-3]
    Figure pat00130
    [화학식 1-4]
    Figure pat00131
    [화학식 1-5].
  14. 제11항에서,
    상기 제2 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure pat00132
    [화학식 2-1]
    Figure pat00133
    [화학식 2-2]
    Figure pat00134
    [화학식 2-3]
    Figure pat00135
    [화학식 2-4]
    Figure pat00136
    [화학식 2-5].
  15. 제12항에서,
    상기 배향 중합체는 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-5로 표현되는 제3 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 배향 보조제를 광조사하여 형성된 액정 표시 장치:
    Figure pat00137
    [화학식 3-1]
    Figure pat00138
    [화학식 3-2]
    Figure pat00139
    [화학식 3-3]
    Figure pat00140
    [화학식 3-4]
    Figure pat00141
    [화학식 3-5]
    상기 Sp2는 탄소 원자수 2 내지 5의 알킬렌기이다.
  16. 제11항에서,
    상기 액정 분자는 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-13으로 표현되는 제4 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치:
    Figure pat00142
    [화학식 4-1]
    Figure pat00143
    [화학식 4-2]
    Figure pat00144
    [화학식 4-3]
    Figure pat00145
    [화학식 4-4]
    Figure pat00146
    [화학식 4-5]
    Figure pat00147
    [화학식 4-6]
    Figure pat00148
    [화학식 4-7]
    Figure pat00149
    [화학식 4-8]
    Figure pat00150
    [화학식 4-9]
    Figure pat00151
    [화학식 4-10]
    Figure pat00152
    [화학식 4-11]
    Figure pat00153
    [화학식 4-12]
    Figure pat00154
    [화학식 4-13]
    상기 X 및 Y는 서로 독립적으로 탄소수가 1 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이고, 수소(H) 원자의 일부는 플루오르(F) 원자로 치환될 수 있다.
  17. 제16항에서,
    상기 제4 화합물은 상기 액정 분자의 총 중량에 대해 2 중량% 내지 25 중량%인 액정 표시 장치.
  18. 제11항에서,
    상기 액정층은 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 표시 장치.
  19. 제11항에서,
    상기 전기장 생성 전극은,
    상기 제1 절연 기판 위에 위치하며 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극, 및
    상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 화소 전극은 십자 줄기부 및 상기 십자 줄기부에서 연장된 미세 가지부를 포함하는 액정 표시 장치.
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