KR102116947B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102116947B1
KR102116947B1 KR1020130106787A KR20130106787A KR102116947B1 KR 102116947 B1 KR102116947 B1 KR 102116947B1 KR 1020130106787 A KR1020130106787 A KR 1020130106787A KR 20130106787 A KR20130106787 A KR 20130106787A KR 102116947 B1 KR102116947 B1 KR 102116947B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
formula
base substrate
electrode
Prior art date
Application number
KR1020130106787A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150028405A (ko
Inventor
노순준
김진락
김경민
장혜림
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130106787A priority Critical patent/KR102116947B1/ko
Priority to US14/226,648 priority patent/US9284488B2/en
Publication of KR20150028405A publication Critical patent/KR20150028405A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102116947B1 publication Critical patent/KR102116947B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/32—Non-steroidal liquid crystal compounds containing condensed ring systems, i.e. fused, bridged or spiro ring systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
    • C09K19/20—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers
    • C09K19/2007—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers the chain containing -COO- or -OCO- groups
    • C09K19/2014—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers the chain containing -COO- or -OCO- groups containing additionally a linking group other than -COO- or -OCO-, e.g. -CH2-CH2-, -CH=CH-, -C=C-; containing at least one additional carbon atom in the chain containing -COO- or -OCO- groups, e.g. -(CH2)m-COO-(CH2)n-
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K2019/0444—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit characterized by a linking chain between rings or ring systems, a bridging chain between extensive mesogenic moieties or an end chain group
    • C09K2019/0448—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit characterized by a linking chain between rings or ring systems, a bridging chain between extensive mesogenic moieties or an end chain group the end chain group being a polymerizable end group, e.g. -Sp-P or acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
    • C09K19/12—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings at least two benzene rings directly linked, e.g. biphenyls
    • C09K2019/121—Compounds containing phenylene-1,4-diyl (-Ph-)
    • C09K2019/122—Ph-Ph
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
    • C09K19/12—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings at least two benzene rings directly linked, e.g. biphenyls
    • C09K2019/121—Compounds containing phenylene-1,4-diyl (-Ph-)
    • C09K2019/123—Ph-Ph-Ph
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
    • C09K19/3001—Cyclohexane rings
    • C09K19/3003—Compounds containing at least two rings in which the different rings are directly linked (covalent bond)
    • C09K2019/3004—Cy-Cy

Abstract

액정 표시 장치는 제1 베이스 기판과 상기 제1 베이스 기판 상에 제공된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 베이스 기판에 대향하는 제2 베이스 기판과, 상기 제2 베이스 기판 상에 제공된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 제공되며 액정 조성물로 이루어진 액정층을 포함한다. 액정층은 비시클로헥산 액정 화합물 및 알케닐 액정 화합물을 포함한다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 상세하게는 저점도 액정을 갖는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 복수 개의 화소전극들이 구비된 제1 기판, 공통전극이 구비된 제2 기판, 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 구비된 액정층을 포함한다. 상기 액정표시장치는 각각의 상기 화소전극들 및 상기 공통전극 사이에 형성된 전계에 따라 액정층의 광의 투과율을 변화시켜 영상을 표시한다. 상기 액정 표시 장치는 각각이 상기 화소 전극을 포함하는 복수 개의 화소를 포함한다.
최근, 액정 표시 장치는 이차원 영상뿐만 아니라, 3차원 영상을 구현하는 방향으로 개발되고 있는 등, 더 많은 영상 정보를 사용자에게 제공할 수 있는 구성이 요구되고 있다. 이에 따라, 기존의 화소 대비 더 빨리 구동될 수 있는 화소가 요구된다.
본 발명의 목적은 결함이 적으면서도 높은 반응 속도를 갖는 액정 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 베이스 기판과 상기 제1 베이스 기판 상에 제공된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 베이스 기판에 대향하는 제2 베이스 기판과, 상기 제2 베이스 기판 상에 제공된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 제공되며 액정 조성물로 이루어진 액정층을 포함한다.
상기 액정 조성물은 하기 화학식 1로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나의 액정 화합물과 하기 화학식 2로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나의 액정 화합물을 포함하고, 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 각각 하기 화학식 3으로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물 및 화학식 4로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물 또는 이들의 중합 반응물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112013081474552-pat00001
[화학식 2]
Figure 112013081474552-pat00002
[화학식 3]
Figure 112013081474552-pat00003
,
Figure 112013081474552-pat00004
,
Figure 112019101901084-pat00037
,
Figure 112013081474552-pat00006
,
Figure 112013081474552-pat00007
,
Figure 112013081474552-pat00008
, 및
Figure 112013081474552-pat00009
[화학식 4]
Figure 112013081474552-pat00010
R1 및 R2는 동일 또는 상이한 R-, ROCO-, RCOO-를 나타내며, 상기 R은 탄소수 1 내지 15의 알킬기이며, 상기 알킬기는 불포화 결합을 포함하거나 포함하지 않으며, 상기 알킬기 내 -CH2-는 -O-, -CO-, 또는 -COO-와 치환되거나 치환되지 않으며, X 및 Y는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 수소 원자를 나타내고, 동시에 수소 원자를 나타내는 경우는 없으며, R3, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수가 2 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이다.
상기 액정 조성물에 있어서, 상기 제1 액정 화합물 및 상기 제2 액정 화합물의 합은 전체 액정 조성물 100중량부 대비 0중량부 초과 60중량부 이하일 수 있고, 상기 반응성 메조겐은 0중량부 초과 1중량부 이하일 수 있으며, 상기 디플루오로터페닐 화합물은 0중량부 초과 20중량부 이하일 수 있다.
상기 제1 기판은 상기 제1 베이스 기판과 상기 제1 배향막 사이에 제공되며, 줄기부와 상기 줄기부로부터 돌출된 복수의 가지부를 포함하는 화소 전극을 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 기판은 상기 제2 베이스 기판과 상기 제2 배향막 사이에 제공된 공통 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 화소 전극과 대응하는 영역을 화소 영역이라 할 때, 상기 줄기부는 상기 화소 영역을 다수의 도메인으로 구획하며 상기 가지부는 각 도메인에 대응하여 서로 다른 방향으로 연장될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 제공된 공통 전극, 및 상기 공통 전극과 절연되도록 제공된 화소 전극을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 제공되며 액정 조성물로 이루어진 액정층을 포함한다. 상기 액정 조성물은 상기 화학식 1로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제1 액정 화합물과, 상기 화학식 2로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제2 액정 화합물을 전체 조성물 100중량부 대비 0중량부 초과 60중량부 이하로 포함할 수 있다.
여기서, 상기 화소 전극의 적어도 일부는 상기 공통 전극과 중첩할 수 있으며, 상기 공통 전극과 상기 화소 전극 중 하나는 통판으로 제공되며, 나머지 하나는 그 전극의 일부를 제거하여 형성된 복수의 슬릿을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 화합물의 부반응을 억제함과 동시에 화소의 높은 반응 속도를 구현할 수 있다. .
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 절단선 I-I'에 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3에 표시된 II-II'선에 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 절단선 I-I'에 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 액정 표시 장치는 제1 기판(SUB1)과 상기 제1 기판(SUB1)에 대향하는 제2 기판(SUB2), 및 상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2) 사이에 형성된 액정층(LCL)을 포함한다.
상기 제1 기판(SUB1)은 제1 베이스 기판(BS1), 복수의 게이트 라인들(GLn)과, 복수의 데이터 라인들(DLm), 복수의 화소들(PXL), 및 제1 배향막(ALN1)을 포함한다.
상기 제1 기판(SUB1)은 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 화소 영역을 구비하며, 복수의 화소들이 각 화소 영역에 대응하여 제공된다. 도 1 및 도 2 에서는 설명의 편의를 위하여, 하나의 화소 영역, 즉, 다수의 게이트 라인들 중 n번째 게이트 라인(GLn)과 다수의 데이터 라인들 중 m번째 데이터 라인(DLm)과 함께 하나의 화소가 제공된 부분만 도시하였다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 나머지 화소들도 이와 유사한 구조를 가지며, 이하에서는 n번째 게이트 라인(GLn)과 m번째 데이터 라인(DLm)을 각각 데이터 라인과 데이터 라인으로 지칭한다.
상기 게이트 라인(GLn)은 상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제1 방향(D1)으로 연장되어 형성된다. 상기 데이터 라인(DLm)은 상기 게이트 라인(GLn)과 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 상기 제1 방향(D1)에 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장되어 제공된다. 상기 게이트 절연막(GI)은 상기 제1 베이스 기판(BS1)의 전면에 제공되며, 상기 게이트 라인(GLn)을 커버한다.
상기 각 화소(PXL)는 상기 게이트 라인들 중 대응하는 게이트 라인(GLn)과 상기 데이터 라인들 중 대응하는 데이터 라인(DLm)에 연결된다.
상기 각 화소(PXL)는 박막 트랜지스터(Tr)와 상기 박막 트랜지스터(Tr)에 연결된 화소 전극(PE), 상기 화소 전극(PE)과 절연되도록 제공된 공통 전극(CE), 및 스토리지 전극부를 포함한다.
상기 박막 트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(GI), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GLn)으로부터 돌출되거나 상기 게이트 라인(GLn)의 일부 영역 상에 제공된다.
상기 게이트 전극(GE)은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 니켈, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 구리, 텅스텐, 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 금속을 이용한 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GE)은 몰리브덴, 알루미늄, 및 몰리브덴이 순차적으로 적층된 삼중막이거나, 티타늄과 구리가 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다. 또는 티타늄과 구리의 합금으로 된 단일막일 수 있다.
상기 반도체 패턴(SM)은 상기 게이트 절연막(GI)상에 제공된다. 상기 반도체층(SM)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(GE) 상에 제공된다. 상기 반도체 패턴(SM)은 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 상기 반도체패턴(SM)은 상기 게이트 절연막(GI) 상에 제공된 액티브 패턴(미도시)과 상기 액티브 패턴 상에 형성된 오믹 콘택층(미도시)을 포함한다. 상기 액티브 패턴은 비정질 실리콘 박막으로 이루어질 수 있으며, 상기 오믹 콘택층은 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어질 수 있다. 상기 오믹 콘택층은 상기 액티브 패턴과 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 사이를 각각 오믹 콘택(ohmic contact)시킨다.
상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 라인(DLm)에서 분지되어 제공된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 오믹 콘택층 상에 형성되며 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩한다.
상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 패턴(SM)을 사이에 두고 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격되어 제공된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 오믹 콘택층 상에 형성되며 일부 영역이 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하도록 제공된다.
상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 니켈, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 구리, 텅스텐, 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 상기 금속을 이용한 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 티타늄과 구리가 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다. 또는 티타늄과 구리의 합금으로 이루어진 단일막일 수 있다.
이에 따라 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이의 상기 액티브 패턴의 상면이 노출되며, 상기 게이트 전극(GE)의 전압 인가 여부에 따라 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널(conductive channel)을 이루는 채널부가 된다. 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이의 이격되어 형성된 채널부를 제외한 영역에서 상기 반도체층(SM)의 일부와 중첩한다.
상기 박막 트랜지스터(Tr) 상에는 층간막(IL)이 제공된다. 상기 층간막(IL)은 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 채널부, 및 상기 게이트 절연막(GI)을 커버한다. 상기 층간막(IL)은 절연 물질로 이루어진다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 층간막(IL) 상에 제공된다. 상기 공통 전극(CE)은 평면상에서 볼 때 대략 직사각 형상을 가지나, 이에 한정되는 것은 아니며 상기 각 화소(PXL)의 형상에 따라 다양한 형상으로 구비될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 내부에 슬릿과 같은 패턴이 없이 통판으로 형성될 수 있다.
상기 공통 전극(CE)은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(CE)은 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 도전성 금속 산화물로 형성될 수 있다.
상기 스토리지 전극부는 상기 화소 전극(CE)과 중첩하여 스토리지 커패시터를 형성한다. 상기 스토리지 전극부는 상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제1 방향(D1)으로 연장되어 형성될 수 있다. 상기 스토리지 전극부는 평면상에서 볼 때 상기 게이트 라인(GLn)과 이격되도록 형성된다. 상기 스토리지 전극부는 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 스토리지 라인(SLn)과, 상기 스토리지 라인(SLn)으로부터 분기되어 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 및 제2 분기 전극(LSLn, RSLn)을 더 포함한다. 상기 스토리지 라인(STL)은 상기 게이트 라인(GL)과 동일 물질로 형성될 수 있으며, 상기 게이트 라인(GL)과 단일 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다.
여기서, 상기 게이트 절연막(GI)과 상기 층간막(IL)에는 그 일부가 제거되어 상기 스토리지 전극부, 예를 들어, 상기 스토리지 라인(STL)의 일부를 노출시키는 제1 콘택홀(CH1)이 제공되며, 상기 공통 전극(CE)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 스토리지 전극부에 연결된다. 이에 따라, 상기 스토리지 라인(STL)과 상기 공통 전극(CE)에는 동일한 레벨의 공통 전압이 인가된다. 상기 공통 전압은 상기 스토리지 라인(STL)을 통해 각 화소의 상기 공통 전극(CE)에 인가되므로, 전체 표시 영역에서의 공통 전극(CE)에 전압 강하 없이 균일한 레벨의 전압이 인가된다.
상기 층간막(IL) 상에는 보호막(PSV)이 제공된다. 상기 보호막(PSV)은 절연 물질, 예를 들어 유기 절연 물질이나 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다.
상기 보호막(PSV)에는 화소 전극(PE)이 제공된다.
상기 화소 전극(PE)은 평면 상에서 볼 때 상기 공통 전극(CE)과 적어도 일부가 중첩하며, 상기 공통 전극(CE)과의 사이에 전계(예를 들어, 프린지 전계)를 형성한다.
상기 화소 전극은 그 일부가 제거되어 형성된 복수의 슬릿들(SLT)을 가진다. 상기 슬릿들(SLT)은 상기 제1 방향(D1)이나 상기 제2 방향(D2)에 경사진 방향을 갖도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 화소 전극은 서로 다른 경사진 방향을 갖는 슬릿들(SLT)로 이루어진 복수의 영역을 가질 수 있으며, 이때, 상기 영역들은 상기 화소(PXL)를 가로지르는 가상의 선에 대해 실질적으로 선대칭되거나, 상기 화소 내의 어느 한 지점에 대해 실질적으로 점대칭될 수 있다. 도 1에서는 일 예로서, 상기 슬릿들(SLT)이 상기 화소(PXL)를 제1 방향(D1)으로 가로지르는 가상의 선(IML)에 대해 선대칭으로 형성된 것을 도시하였다.
다시 말해, 상기 화소 전극(PE)은 각 화소 마다 형성된 줄기부(PEa)와, 상기 슬릿들(SLT)에 의해 나누어지며 상기 줄기부(PEa)로부터 돌출되어 연장된 복수의 가지부들(PEb)를 가진다. 상기 가지부들(PEb)은 서로 일정 간격 이격된다. 상기 화소 전극(PE)의 상기 가지부들(PEb)은 상기 공통 전극(CE)과 함께 전계를 형성한다.
상기 가지부들(PEb)은 소정 방향으로 평행하게 연장되도록 형성될 수 있다. 상기 줄기부(PEa)와 가지부들(PEb)은 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 가지부들(PEb)은 상기 줄기부(PEa)의 연장 방향과 수직한 양측 방향으로 모두 돌출되어 연장될 수도 있다. 또는 상기 줄기부(PEa)가 복수 회 절곡된 형태로 형성될 수도 있다.
상기 화소 전극(PE)은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 도전성 금속 산화물로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 층간막(IL)과 상기 보호막(PSV)에는 그 일부가 제거되어 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시키는 제2 콘택홀(CH2)이 제공되며, 상기 화소 전극(PE)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 드레인 전극(DE)에 연결된다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 스토리지 라인(SLn), 제1 및 제2 분기 전극(LSLn, RSLn)과 부분적으로 오버랩되어 스토리지 커패시터를 형성한다.
상기 제1 배향막(ALN1)은 상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(SUB1) 상에 제공되며 액정층(LCL)의 액정 분자들을 배향시킨다.
상기 제1 배향막(ALN1)은 유기 고분자를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아미드, 폴리아믹이미드, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄, 또는 폴리스티렌과 같은 고분자나 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
상기 제2 기판(SUB2)은 제2 베이스 기판(BS2), 컬러 필터들(CF), 블랙 매트릭스(BM), 및 제2 배향막(ALN2)을 포함한다.
상기 컬러 필터들(CF)은 상기 액정층(LCL)을 통과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터들(CF)은 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터를 포함한다. 상기 적색 컬러 필터, 상기 녹색 컬러 필터, 또는 상기 청색 컬러 필터는 상기 각 화소(PXL)에 일대일로 대응하여 배치될 수 있다. 서로 인접한 화소와 화소 사이에는 누설되는 광을 차단하기 위한 블랙 매트릭스(BM)가 배치된다.
상기 제2 배향막(ALN2)는 상기 컬러 필터(CF) 상에 제공되며, 상기 제1 배향막(ALN1)과 같이, 상기 액정층(LCL)의 액정 분자들을 배향시킨다. 상기 제2 배향막(ALN2)의 재료는 상기 제1 배향막(ALN1)의 재료와 동일하거나 서로 다를 수 있다.
상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2) 사이에는 액정 분자들을 포함하는 상기 액정층(LCL)이 제공된다.
상기 액정층(LCL)은 2종 이상의 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물로 이루어진다. 상기 역정 조성물은 유전율 이방성이 음성 또는 양성일 수 있으며, 상기 액정 조성물은 상기 액정 조성물은 하기 화학식 1로 표시된 액정과 하기 화학식 2로 표시된 액정 조성물 전체를 100중량부라고 할 때 0중량부 초과 60중량부 이하로 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112013081474552-pat00011
[화학식 2]
Figure 112013081474552-pat00012
R1 및 R2는 동일 또는 상이한 R-, ROCO-, RCOO-를 나타내며, 상기 R은 탄소수 1 내지 15의 알킬기이다. 여기서, 상기 알킬기는 불포화 결합을 포함할 수 있으며, 상기 알킬기 내 -CH2-는 -O-, -CO-, 또는 -COO-로 치환될 수 있다.
X 및 Y는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 수소 원자를 나타내고, 동시에 수소 원자를 나타내는 경우는 없다.
R3는 탄소수가 2 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이다.
상기한 구조를 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 베이스 기판에 게이트 라인들, 데이터 라인들, 화소들, 및 제1 배향막을 형성하여 상기 제1 기판을 형성하고, 제2 베이스 기판에 제2 배향막을 형성하여 상기 제2 기판을 형성하고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정을 적하한 후, 상기 제1 베이스 기판과 상기 제2 베이스 기판을 결합하여 제조할 수 있다. 이를 도 1 및 도 3를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에 게이트 패턴이 형성된다. 상기 게이트 패턴은 상기 게이트 라인(GLn)과 스토리지 전극부를 포함한다. 상기 게이트 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 패턴 상에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다.
상기 게이트 절연막(GI) 상에는 반도체층(SM)이 형성된다. 상기 반도체층(SM)은 상기 액티브 패턴과 상기 액티브 패턴 상에 형성된 오믹 콘택층을 포함할 수 있다. 상기 반도체층(SM)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 반도체층(SM) 상에 데이터 패턴이 형성된다. 상기 데이터 패턴은 상기 데이터 라인(DLm), 상기 소스 전극(SE), 및 상기 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 데이터 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 반도체층(SM)과 상기 데이터 패턴은 한 매의 하프 마스크나 회절 마스크 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 데이터 패턴 상에는 층간막(IL)이 형성된다. 상기 층간막(IL)은 상기 스토리지 전극부의 일부를 노출하는 제1 콘택홀(CH1)을 가지며, 포토리소그래피 공정를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 층간막(IL) 상에는 공통 전극(CE)이 형성된다. 상기 공통 전극(CE)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있으며, 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 스토리지 전극부에 연결될 수 있다.
상기 공통 전극(CE) 상에는 보호막(PSV)이 형성된다.
상기 보호막(PSV) 및 상기 층간막(IL)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 콘택홀(CH2)을 가지며, 포토리소그래피 공정를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 보호막(PSV) 상에는 상기 콘택홀(CH2)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 연결되는 상기 화소 전극(PE)이 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 화소 전극(PE) 등이 형성된 상기 제1 기판(SUB1) 상에 제1 배향막(ALN1)이 형성될 수 있다. 상기 제1 배향막(ALN1)은 상기 제1 기판(SUB1) 상에 제1 배향액을 도포한 후, 상기 제1 배향액 내의 용매를 제거함으로써 형성될 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(BS2) 상에는 컬러를 표시하는 컬러 필터(CF)가 형성된다. 상기 컬러 필터(CF)와 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 이후, 상기 컬러 필터(CF) 등이 형성된 상기 제2 기판(SUB2) 상에 제2 배향막(ALN2)이 형성된다. 상기 제2 배향막(ALN2)은 상기 제1 배향막(ALN1)의 형성 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 배향막(ALN2)은 상기 제1 배향막(ALN1)의 재료와 동일하거나 서로 다를 수 있다.
이후, 상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2)을 서로 대향시키고, 상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2) 사이에 액정층(LCL)을 형성한다.
상기 액정 표시 장치에 있어서, PLS(plane-to-line switching) 모드로 구동된다. 상기 게이트 라인에 게이트 신호가 인가되면, 상기 박막 트랜지스터가 턴-온된다. 따라서, 상기 데이터 라인으로 인가된 상기 데이터 신호는 상기 박막 트랜지스터를 통해 상기 화소 전극 으로 인가된다. 상기 박막 트랜지스터가 온 상태가 되어 화소 전극에 데이터 신호가 인가되면, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 전계가 형성된다. 이때, 상기 화소 전극에 인가되는 전압은 상기 공통 전극에 인가되는 전압보다 크거나 작다. 예를 들어 상기 공통 전극에 0V의 전압이 인가되고, 화소 전극에 7V의 전압이 인가될 수 있다. 상기 공통 전극과 상기 화소 전극에 인가되는 전압의 차이에 의해 생성된 전계에 의해 상기 액정 분자들이 구동된다. 이에 따라, 상기 액정층을 투과하는 광량이 변화되어 영상이 표시된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 상기 화소 전극이 통판으로 형성되고 상기 공통 전극이 상기 화소 전극의 상부에 복수의 슬릿들을 가지도록 제공되나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 화소 전극에 복수의 슬릿들이 형성될 수 있으며, 이 겨우 상기 화소 전극이 상기 공통 전극의 상부에 제공될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 화소 전극에 슬릿들이 없이 통판으로 형성되었으나, 상기 화소 전극에도 복수의 슬릿들이 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 화소 전극도 가지부들을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 화소 전극의 가지부들은 상기 공통 전극의 가지부들과 평면상에서 서로 교번하여 배치되어 IPS(in plane switching) 모드로 동작할 수 있다.
상기 액정 표시 장치가 상기한 바와 같이, PLS 모드나 IPS 모드로 구동되는 경우, 상기 화학식 2의 액정 화합물은 알케닐계 액정 화합물로서, 다른 기능기를 갖는 액정 화합물에 대비하여 상대적으로 낮은 회전 점도를 나타낸다. 이에 따라, 상기 화학식 2의 알케닐계 액정의 함량이 증가함에 따라 전체적인 액정 조성물의 반응 속도가 증가한다. 그러나, 상기 화학식 2의 알케닐계 액정의 조성물이 지나치게 큰 경우, 탄소 이중 결합 부분의 큰 반응성에 기인한 결함이 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에서는 탄소 이중 결합 부분이 없는 상기 화학식 1의 시클로헥산계 액정 화합물을 함께 사용함으로써, 전체적인 액정 조성물의 회전 점도를 유지하되 상기 알케닐계 액정 화합물의 이중 결합에 의한 부반응이 방지될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 화합물의 저점도 특성을 이용하여 화소의 높은 반응 속도를 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 액정 표시 장치의 구조는 본 발명의 개념에 반하지 않는 이상, 상기 PLS 모드나 IPS 모드를 제외한 다른 모드로 구동될 수 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 4는 도 3에 표시된 II-II'선에 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에서는 설명의 편의를 위해, 본 발명의 일 실시예와 다른 점을 위주로 설명하며, 생략된 부분은 본 발명의 일 실시예에 따른다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 다양한 화소 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 하나의 화소에 두 개의 게이트 라인과 하나의 데이터 라인이 연결될 수 있으며, 또 다른 실시예에서는 하나의 화소에 하나의 게이트 라인과 두 개의 데이터 라인이 연결될 수도 있다. 또는 하나의 화소가 서로 다른 두 개의 전압이 인가되는 두 개의 서브 화소를 가질 수 있다. 이 경우, 하나의 서브 화소에는 하이 전압이, 남은 하나의 서브 화소에는 로우 전압이 인가될 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 화소 내의 각 구성요소, 예를 들어 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극 등이 도시된 것과 다른 구조로 배치될 수 있음은 물론이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 액정 표시 장치는 제1 기판(SUB1)과 상기 제1 기판(SUB1)에 대향하는 제2 기판(SUB2) 및 상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2) 사이에 형성된 액정층(LCL)을 포함한다.
상기 제1 기판(SUB1)은 제1 베이스 기판(BS1), 복수의 게이트 라인들(GLn)과, 복수의 데이터 라인들(DLm), 복수의 화소들(PXL), 및 제1 배향막(ALN1)을 포함한다.
각 화소(PXL)는 상기 게이트 라인들 중 대응하는 게이트 라인(GLn)과 상기 데이터 라인들 중 대응하는 데이터 라인(DLm)에 연결된다.
상기 각 화소(PXL)는 박막 트랜지스터(Tr)와 상기 박막 트랜지스터(Tr)에 연결된 화소 전극(PE), 및 스토리지 전극부를 포함한다.
상기 박막 트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(GI), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
상기 박막 트랜지스터 상에는 보호막(PSV)이 제공된다. 상기 보호막(PSV)은 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 채널부, 및 상기 게이트 절연막(GI)을 커버하며, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 콘택홀(CH)을 갖는다. 상기 보호막(PSV)은 절연 물질, 예를 들어 유기 절연 물질이나 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 보호막(PSV)을 사이에 두고 상기 드레인 전극(DE)에 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 스토리지 라인(SLn), 제1 및 제2 분기 전극(LSLn, RSLn)과 부분적으로 오버랩되어 스토리지 커패시터를 형성한다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 보호막(PSV)에 형성된 상기 콘택홀(CH)을 통해 상기 드레인 전극(DE)에 연결된다.
상기 화소 전극(PE)은 줄기부(PEa)와 상기 줄기부(PEa)로부터 돌출되어 연장된 복수의 가지부들(PEb)을 포함할 수 있다. 상기 줄기부(PEa) 또는 가지부들(PEa) 중 일부는 상기 드레인 전극(DE)과 상기 콘택홀(CH)을 통해 연결된다.
상기 줄기부(PEa)는 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 일 예로서 본 발명의 일 실시예와 같이 십자 형상으로 제공될 수 있다. 이 경우 상기 화소(PXL)는 상기 줄기부(PEa)에 의해 복수의 도메인들로 구분되며, 상기 가지부들(PEb)은 각 도메인에 대응되어, 상기 각 도메인마다 서로 다른 방향으로 연장될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 일 예로서 상기 화소가 제1 내지 제4 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)로 이루어진 것을 도시하였다. 상기 복수의 가지부들(PEb)은 서로 인접한 가지부(PEb)와 만나지 않도록 이격되어 있으며, 상기 줄기부(PEa)에 의해 구분된 영역 내에서는 서로 평행한 방향으로 연장된다.
상기 가지부들(PEb)에 있어서, 인접한 서로 인접한 가지부들(PEb) 사이는 마이크로미터 단위의 거리로 이격되어 있으며, 이는 상기 액정층(LCL)의 액정 분자들을 상기 베이스 기판과 평행한 평면 상의 특정 각도로 정렬 시키기 위한 수단에 해당된다.
상기 화소 전극(PE)은 투명한 도전성 물질로 형성된다. 특히, 상기 화소 전극(PE)은 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide)로 형성된다. 상기 투명 도전성 산화물은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등이 있다.
상기 제1 배향막(ALN1)은 상기 화소 전극(PE)을 덮도록 상기 보호막(PSV) 상에 형성된다.
상기 제1 배향막(ALN1)은 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아미드, 폴리아믹이미드, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄, 또는 폴리스티렌과 같은 고분자나 이들의 혼합물로 이루어진 기저부와, 상기 기저부에 네트워크 형상을 가지며 상기 기저부에 측쇄의 형태로 연결된 반응성 메조겐부를 포함할 수 있다. 도 4에서는, 설명의 편의를 위해 하나의 막의 형태로 도시하였다.
상기 반응성 메조겐부는 반응성 메조겐을 포함한 화합물과, 상기 반응성 메조겐의 반응성을 제어하기 위한 디플루오로터페닐 화합물, 및/또는 이들의 중합 반응물을 포함할 수 있다.
상기 반응성 메조겐은 하기한 화학식 2으로 표시된 화합물 중 적어도 하나일 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112013081474552-pat00013
,
Figure 112013081474552-pat00014
,
Figure 112019101901084-pat00038
,
Figure 112013081474552-pat00016
,
Figure 112013081474552-pat00017
,
Figure 112013081474552-pat00018
, 및
Figure 112013081474552-pat00019
상기 디플루오로터페닐 화합물은 하기 화학식 4로 나타낼 수 있다. 상기 디플루오로터페닐 화합물은 상기 반응성 메조겐과 유사한 파장 범위의 광을 흡수할 수 있는 것으로 선택될 수 있으며, 상기 디플루오로터페닐 화합물의 양에 따라 상기 반응성 메조겐의 반응 정도가 제어될 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112013081474552-pat00020
여기서, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수가 2 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이다.
상기 제1 배향막(ALN1)은 상기 화소 전극(PE)의 제1 내지 제4 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에 대응하여 배향된 복수의 영역들로 이루어진다. 본 발명의 일 실시예에서는 일 예로서 제1 내지 제4 영역으로 이루어지며, 상기 액정 분자들은 상기 제1 내지 제4 영역에 대응하는 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에서 서로 다른 방향으로 배향된다.
상기 제2 기판(SUB2)은 제2 베이스 기판(BS2)을 포함하며, 상기 제2 베이스 기판(BS2) 상에는 컬러 필터(CF), 블랙 매트릭스(BM), 공통 전극(CE), 및 제2 배향막(ALN2)을 포함한다.
상기 제2 배향막(ALN2)은 상기 공통 전극(CE) 상에 형성된다. 상기 제2 배향막(ALN2)은 상기 제2 기판(SUB2)에 형성된 것을 제외하고는 실질적으로 상기 제1 배향막(ALN1)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 이에 따라, 중복되는 설명은 생략한다.
상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2) 사이에는 액정 조성물을 포함하는 상기 액정층(LCL)이 제공된다. 상기 액정 조성물은 음의 유전율 이방성을 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 양의 유전율 이방성을 가질 수 있다.
상기 액정 조성물은 상기 화학식 1로 표시된 액정과 상기 화학식 2로 표시된 액정을 전체 조성물 100중량부 대비 0중량부 초과 60중량부 이하로 포함할 수 있다.
상기 액정 표시 장치에 있어서, 상기 게이트 라인(GLn)에 게이트 신호가 인가되면, 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 턴-온된다. 따라서, 상기 데이터 라인(DLm)으로 인가된 상기 데이터 신호는 상기 박막 트랜지스터(Tr)를 통해 상기 화소 전극 (PE)으로 인가된다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)가 온 상태가 되어 화소 전극(PE)에 데이터 신호가 인가되면, 상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극(CE) 사이에 수직 전계가 형성된다. 상기 공통 전극(CE)과 상기 화소 전극(PE)에 인가되는 전압의 차이에 의해 생성된 수직 전계에 의해 상기 액정 분자들이 구동된다. 이에 따라, 상기 액정층을 투과하는 광량이 변화되어 영상이 표시된다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 있어서, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극의 형상은 상술한 내용과 달리 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 전극은 복수의 가지부를 갖는 것으로 제공되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다른 형태로 제공될 수 있다.
상기한 구조를 갖는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 제조하기 위해서는 제1 베이스 기판에 게이트 라인들, 데이터 라인들, 화소들, 화소 전극 등을 형성하고, 상기 제1 베이스 기판 상에 제1 배향막 형성용 기저부를 형성한다. 이와 별개로, 제2 베이스 기판에 공통 전극 등을 형성하고, 상기 제2 베이스 기판 상에 제2 배향막 형성용 기저부를 형성한다. 그 다음, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정 조성물을 개재시킨다. 다음으로, 상기 조성물에 전계를 인가하면서 상기 액정 조성물을 노광시켜 제1 및 제2 배향막을 형성한다.
이를 도 3 및 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같은 바, 설명의 편의상 본 발명의 일 실시예와 다른 점을 위주로 설명한다.
먼저, 상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에 게이트 패턴이 형성된다. 상기 게이트 패턴 상에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(GI) 상에는 반도체층(SM)이 형성된다. 상기 반도체층(SM) 상에 데이터 패턴이 형성된다.
상기 데이터 패턴 상에는 보호막(PSV)이 형성된다. 상기 보호막(PSV)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 콘택홀(CH)을 가지며, 포토리소그래피 공정를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 보호막(PSV) 상에는 상기 콘택홀(CH)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 연결되는 상기 화소 전극(PE)이 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 화소 전극(PE) 등이 형성된 상기 제1 기판(SUB1) 상에 제1 배향막(ALN1)용 기저부가 형성된다. 상기 기저부는 제1 배향액을 도포한 후, 상기 제1 배향액 내의 용매를 제거함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1 배향액은 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아미드, 폴리아믹이미드, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄, 또는 폴리스티렌과 같은 고분자의 전구체나 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(BS2) 상에는 컬러를 표시하는 컬러 필터(CF)가 형성된다. 상기 컬러 필터(CF) 상에는 공통 전극(CE)이 형성된다. 상기 컬러 필터(CF)와 상기 공통 전극(CE)은 각각 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
이후, 상기 공통 전극(CE) 등이 형성된 상기 제2 기판(SUB2) 상에 제2 배향막(ALN2)용 기저부가 형성된다. 상기 제2 배향막(ALN2)용 기저부는 상기 제1 배향막(ALN1)의 기저부와 실질적으로 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 배향막(ALN2)은 상기 제1 배향막(ALN1)의 재료와 동일하거나 서로 다를 수 있다.
이후, 상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2)을 서로 대향시키고, 상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2) 사이에 액정 조성물을 개재한다.
상기 액정 조성물은 상기 액정 조성물 전체를 100중량부라고 할 때, 하기 화학식 1로 표시된 액정 화합물과 하기 화학식 2로 표시된 액정 화합물을 그 합이 0중량부 초과 60중량부 이하가 되도록 포함한다. 또한 상기 액정 조성물은 반응성 메조겐과 디플루오로터페닐 화합물을 포함하는 바, 본 발명의 일 실시예에 있어서 상기 액정 조성물은 상기 화학식 3으로 표시된 화합물 중 적어도 하나의 반응성 메조겐을 0중량부 초과 1중량부 이하로, 상기 화학식 4로 표시된 화합물 중 적어도 하나의 화합물을 0중량부 초과 20중량부 이하로 포함할 수 있다.
그 다음, 상기 액정 조성물에 전계와 함께 자외선과 같은 광을 인가하여 상기 액정 조성물에 포함된 반응성 메조겐 및 디플루오로터페닐 화합물을 반응시킴으로써, 각 기저부상에 반응성 메조겐부를 형성한다. 이에 따라, 제1 배향막(ALN1) 및 제2 배향막(ALN2)이 형성된다.
이를 상세히 설명하면, 상기 액정 분자들에 전계가 인가되면, 상기 반응성 메조겐들은 주변의 액정 분자들과 실질적으로 동일한 방향으로 배열된다. 이 상태에서 자외선이 입사되면, 상기 자외선에 의해 상기 반응성 메조겐들이 서로 중합 반응함으로써 상기 반응성 메조겐 간의 네트워크를 형성한다. 상기 반응성 메조겐들은 인접한 상기 반응성 메조겐들과 결합하여 측쇄를 형성하기도 한다. 여기서, 상기 반응성 메조겐들은 액정 분자들이 배열된 상태에서 상기 네트워크를 형성하기 때문에 액정 분자들의 평균 배향 방향을 따라 특정한 방향성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 전계가 제거되더라도 상기 네트워크에 인접한 액정 분자들은 선경사각을 갖는다. 상기 경화된 상기 반응성 메조겐는 전계를 제거한 상태에서 추가 경화될 수 있다.
상기 액정 표시 장치는 상기한 바와 같이 수직 전계를 사용하는 모드로 구동될 수 있으며, 이 경우, 알케닐계 액정 화합물과 시클로헥산계 액정 화합물을 함께 사용됨으로써, 전체적인 액정 조성물의 회전 점도를 유지하되 상기 알케닐계 액정 화합물의 이중 결합에 의한 부반응이 방지될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 화합물의 저점도 특성을 이용하여 화소의 높은 반응 속도를 구현할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
ALN1 : 제1 배향막
ALN2 : 제2 배향막 BM : 블랙 매트릭스
CE : 공통 전극 CF : 컬러 필터
LCL : 액정층 PE : 화소 전극
SUB1 : 제1 기판 SUB2 : 제2 기판

Claims (14)

  1. 제1 베이스 기판과 상기 제1 베이스 기판 상에 제공된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 베이스 기판에 대향하는 제2 베이스 기판과, 상기 제2 베이스 기판 상에 제공된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 제공되며 액정 조성물로 이루어진 액정층을 포함하며,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 1로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제1 액정 화합물과 하기 화학식 2로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제2 액정 화합물을 포함하고, 상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 각각 하기 화학식 3으로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나의 반응성 메조겐 및 화학식 4로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나의 디플루오로터페닐 화합물 또는 이들의 중합 반응물을 포함하는 액정 표시 장치.
    [화학식 1]
    Figure 112019101901084-pat00021

    [화학식 2]
    Figure 112019101901084-pat00022

    [화학식 3]
    Figure 112019101901084-pat00023
    ,
    Figure 112019101901084-pat00024
    ,
    Figure 112019101901084-pat00039
    ,
    Figure 112019101901084-pat00026
    ,
    Figure 112019101901084-pat00027
    ,
    Figure 112019101901084-pat00028
    , 및
    Figure 112019101901084-pat00029

    [화학식 4]
    Figure 112019101901084-pat00030

    R1 및 R2는 동일 또는 상이한 R-, ROCO-, RCOO-를 나타내며, 상기 R은 탄소수 1 내지 15의 알킬기이며, 상기 알킬기는 불포화 결합을 포함하거나 포함하지 않으며, 상기 알킬기 내 -CH2-는 -O-, -CO-, 또는 -COO-와 치환되거나 치환되지 않으며,
    X 및 Y는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 수소 원자를 나타내고, 동시에 수소 원자를 나타내는 경우는 없으며,
    R3, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수가 2 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 액정 조성물에 있어서, 상기 제1 액정 화합물 및 상기 제2 액정 화합물의 합은 전체 액정 조성물 100중량부 대비 0중량부 초과 60중량부 이하인 액정 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반응성 메조겐은 0중량부 초과 1중량부 이하인 액정 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 디플루오로터페닐 화합물은 0중량부 초과 20중량부 이하인 액정 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 제1 베이스 기판과 상기 제1 배향막 사이에 제공되며, 줄기부와 상기 줄기부로부터 돌출된 복수의 가지부를 포함하는 화소 전극을 더 포함하고,
    상기 제2 기판은 상기 제2 베이스 기판과 상기 제2 배향막 사이에 제공된 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 화소 전극과 대응하는 영역을 화소 영역이라 할 때, 상기 줄기부는 상기 화소 영역을 다수의 도메인으로 구획하며 상기 가지부는 각 도메인에 대응하여 서로 다른 방향으로 연장되는 액정 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    제1 방향으로 연장된 복수의 게이트 라인들; 및
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 데이터 라인들을 더 포함하며, 상기 화소 전극은 복수로 제공되며, 상기 게이트 라인들 중 대응하는 게이트 라인 및 상기 데이터 라인들 중 대응하는 데이터 라인에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가지부들은 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향에 경사지게 연장된 액정 표시 장치.
  9. 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 제공된 공통 전극, 및 상기 공통 전극과 절연되도록 제공된 화소 전극을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 제공되며 액정 조성물로 이루어진 액정층을 포함하며,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 1로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제1 액정 화합물과 하기 화학식 2로 표시된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 제2 액정 화합물을 전체 조성물 100중량부 대비 0중량부 초과 60중량부 이하로 포함하는 액정 표시 장치.
    [화학식 1]
    Figure 112013081474552-pat00031

    [화학식 2]
    Figure 112013081474552-pat00032

    상기 R1 및 R2는 동일 또는 상이한 R-, ROCO-, RCOO-를 나타내며, 상기 R은 탄소수 1 내지 15의 알킬기이며, 상기 알킬기는 불포화 결합을 포함하거나 포함하지 않으며, 상기 알킬기 내 -CH2-는 -O-, -CO-, 또는 -COO-와 치환되거나 치환되지 않으며,
    X 및 Y는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 수소 원자를 나타내고, 동시에 수소 원자를 나타내는 경우는 없으며,
    R3는 탄소수가 2 내지 5인 알킬기, 알케닐기 또는 알콕시기이다.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 화소 전극의 적어도 일부는 상기 공통 전극과 중첩하는 액정 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 공통 전극과 상기 화소 전극 중 하나는 통판으로 제공되며, 나머지 하나는 그 전극의 일부를 제거하여 형성된 복수의 슬릿을 포함하는 액정 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    제1 방향으로 연장된 복수의 게이트 라인들; 및
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 데이터 라인들을 더 포함하며, 상기 화소 전극은 복수로 제공되어 상기 게이트 라인들 중 대응하는 게이트 라인 및 상기 데이터 라인들 중 대응하는 데이터 라인에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 슬릿들은 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향에 경사지게 연장된 액정 표시 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 제1 베이스 기판과 상기 액정층 사이에 제공된 제1 배향막을 더 포함하며,
    상기 제2 기판은 제2 베이스 기판, 및 상기 제2 베이스 기판과 상기 액정층 사이에 제공된 제2 배향막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
KR1020130106787A 2013-09-05 2013-09-05 액정 표시 장치 KR102116947B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130106787A KR102116947B1 (ko) 2013-09-05 2013-09-05 액정 표시 장치
US14/226,648 US9284488B2 (en) 2013-09-05 2014-03-26 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130106787A KR102116947B1 (ko) 2013-09-05 2013-09-05 액정 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150028405A KR20150028405A (ko) 2015-03-16
KR102116947B1 true KR102116947B1 (ko) 2020-06-01

Family

ID=52582777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130106787A KR102116947B1 (ko) 2013-09-05 2013-09-05 액정 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9284488B2 (ko)
KR (1) KR102116947B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160090451A (ko) * 2015-01-21 2016-08-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102334876B1 (ko) * 2015-06-24 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20170015735A (ko) * 2015-07-31 2017-02-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102581443B1 (ko) 2015-12-21 2023-09-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 조성물 및 액정표시장치
JP6702090B2 (ja) * 2016-02-05 2020-05-27 Jnc株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
KR102596355B1 (ko) 2016-03-09 2023-10-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101175561B1 (ko) * 2005-06-30 2012-08-21 엘지디스플레이 주식회사 저항을 감소시키는 공통전극을 포함하는 액정표시소자 및그 제조방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8999459B2 (en) 2007-08-29 2015-04-07 Merck Patent Gmbh Liquid crystal display
KR101612577B1 (ko) 2008-07-28 2016-04-14 메르크 파텐트 게엠베하 액정 디스플레이
KR101556616B1 (ko) * 2009-03-13 2015-10-02 삼성디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 액정표시패널의 제조 방법
EP2292720A1 (en) 2009-09-08 2011-03-09 Merck Patent GmbH Liquid-crystal display
DE102010047409A1 (de) 2009-10-28 2011-05-05 Merck Patent Gmbh Polymerisierbare Verbindungen und ihre Verwendung in Flüssigkristallanzeigen
JP5657923B2 (ja) 2010-06-16 2015-01-21 株式会社Adeka 重合性化合物を含有する液晶組成物及び該液晶組成物を用いた液晶表示素子
JP5593890B2 (ja) 2010-07-06 2014-09-24 Ｄｉｃ株式会社 液晶組成物および液晶デバイス
CN102822129B (zh) * 2010-07-17 2015-02-18 有机科学株式会社 环己烷化合物和含有该化合物的液晶组合物
JP4890648B1 (ja) 2011-01-29 2012-03-07 株式会社 Ｃｈｉｒａｃｏｌ シクロヘキサン化合物を含有した液晶組成物及び液晶表示素子
JP4669085B1 (ja) 2010-09-27 2011-04-13 株式会社 Ｃｈｉｒａｃｏｌ シクロヘキサン化合物を含有した液晶組成物及び液晶表示素子
JP2012180284A (ja) 2010-07-17 2012-09-20 Chiracol Co Ltd シクロヘキサン化合物及び該化合物を含有した液晶組成物
EP2514800B2 (de) 2011-04-21 2018-03-07 Merck Patent GmbH Verbindungen und flüssigkristallines Medium
JP5678798B2 (ja) 2011-05-20 2015-03-04 Dic株式会社 重合性化合物含有液晶組成物及びそれを使用した液晶表示素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101175561B1 (ko) * 2005-06-30 2012-08-21 엘지디스플레이 주식회사 저항을 감소시키는 공통전극을 포함하는 액정표시소자 및그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9284488B2 (en) 2016-03-15
KR20150028405A (ko) 2015-03-16
US20150062514A1 (en) 2015-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102116947B1 (ko) 액정 표시 장치
JP4543006B2 (ja) 液晶表示素子及びその製造方法
KR101001520B1 (ko) 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103163703B (zh) 液晶显示设备及其制造方法
JP5836607B2 (ja) 液晶表示装置
US8264435B2 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
US9001302B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US8493529B2 (en) Liquid crystal display device
US9847426B2 (en) Display device
US20080180590A1 (en) Liquid crystal display panel
US9019454B2 (en) Liquid crystal display
JP5830433B2 (ja) 液晶表示装置
US8482707B2 (en) Liquid crystal display panel
CN105487299A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR102178954B1 (ko) 표시 장치
JP2013246408A (ja) 液晶表示装置
KR20150106489A (ko) 액정표시패널
KR20140052237A (ko) 표시 장치 및 이의 제조방법
KR20140037688A (ko) 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101296621B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20100067767A (ko) 표시 패널
KR102109677B1 (ko) 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법
US11768408B2 (en) Thin-film transistor (TFT) architecture for liquid crystal displays
KR20090056641A (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
CN104656310A (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant