KR20160090451A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 상기 제1 기판에 위치하는 화소 전극, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 위에 위치하는 공통 전극, 상기 제1 기판 위에 위치하고 제1 첨가제를 포함하는 제1 배향막, 상기 제2 기판 위에 위치하고 제2 첨가제를 포함하는 제2 배향막, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 제1 첨가제 및 상기 제2 첨가제는 각각 하기 화학식 1로 표현되는 서로 상이한 화합물을 포함하며, 상기 제2 첨가제의 분자량은 상기 제1 첨가제의 분자량보다 큰 액정 표시 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 상, 하부 기판의 배향막에 서로 상이한 첨가제를 포함시킴으로서, 평면 또는 곡면 액정 표시 장치에서 잔상이 개선될 수 있는 장점이 있다.
[화학식 1]
Figure pat00147

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 배향막을 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치 중에서도 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(vertically aligned mode) 액정 표시 장치가 대비비가 크고 넓은 기준 시야각 구현이 용이하여 각광받고 있다.
이러한 수직 배향 모드 액정 표시 장치에서 광시야각을 구현하기 위하여 하나의 화소에 액정의 배향 방향이 다른 복수의 도메인(domain)을 형성할 수 있다.
이러한 수직 배향 방식의 액정 표시 장치는 전면 시인성에 비하여 측면 시인성이 떨어질 수 있는데, 이를 해결하기 위하여 하나의 화소를 두 개의 부화소로 분할하고 두 개의 부화소의 전압을 달리하는 방법이 제시되었다.
한편, 광시야각을 구현하면서 액정의 응답 속도를 빠르게 하기 위하여 배향막 또는 액정층에 반응성 메조겐을 첨가하여 액정이 선경사(pretilt)를 가지도록 하는 방법이 개발되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상, 하부 기판의 배향막에 서로 상이한 첨가제를 포함시킴으로서, 평면 또는 곡면 액정 표시 장치에서 잔상이 개선될 수 있는 배향막을 포함하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따르면, 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 상기 제1 기판에 위치하는 화소 전극, 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 위에 위치하는 공통 전극, 상기 제1 기판 위에 위치하고 제1 첨가제를 포함하는 제1 배향막, 상기 제2 기판 위에 위치하고 제2 첨가제를 포함하는 제2 배향막, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 제1 첨가제 및 상기 제2 첨가제는 각각 하기 화학식 1로 표현되는 서로 상이한 화합물을 포함하며, 상기 제2 첨가제의 분자량은 상기 제1 첨가제의 분자량보다 큰 액정 표시 장치를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서 S는
Figure pat00002
,
Figure pat00003
,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
중 적어도 하나를 포함하고, P는
Figure pat00010
,
Figure pat00011
,
Figure pat00012
,
Figure pat00013
,
Figure pat00014
,
Figure pat00015
,
Figure pat00016
,
Figure pat00017
중 적어도 하나를 포함하며, R는 ,
Figure pat00019
,
Figure pat00020
중 적어도 하나를 포함하며, Q는
Figure pat00021
를 포함한다. 여기서 n은 0 이상의 정수이다.
상기 제2 첨가제의 상기 n은 상기 제1 첨가제의 상기 n보다 2이상 큰 정수일 수 있다.
상기 제1 첨가제는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00022
상기 제2 첨가제는 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00023
상기 제1 첨가제는 제1 배향막 전체의 5~15중량%를 포함하고, 상기 제2 첨가제는 제2 배향막 전체의 5~15중량%를 포함할 수 있다.
상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 주쇄, 상기 주쇄에 연결된 복수의 측쇄 및 첨가제를 포함하며, 상기 복수의 측쇄 중 적어도 하나는 수직 발현기, 및 광 반응기를 포함하는 반응성 메조겐(reactive mesogen, RM)을 포함할 수 있다.
상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 디아민(diamine) 화합물 및 디안하이드라이드(dianhydride) 화합물을 포함하며, 상기 디아민 화합물 및 상기 디안하이드라이드 화합물을 1:1의 몰 비율로 포함할 수 있다.
상기 광 반응기는 광 개시제를 포함하며, 상기 광 개시제는 벤조페논(benzophenone)계 화합물을 포함할 수 있다.
상기 광 개시제는 상기 디아민 화합물의 20~50몰%를 포함할 수 있다.
상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 하기 화학식 4 및 화학식 5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00024
[화학식 5]
Figure pat00025
여기에서, A는
Figure pat00026
중 적어도 하나를 포함하고, B는
Figure pat00027
중 적어도 하나를 포함하고, X는 독립적으로
Figure pat00028
중 적어도 하나를 포함하고, Y는 독립적으로
Figure pat00029
중 적어도 하나를 포함하며, T는 독립적으로
Figure pat00030
중 적어도 하나를 포함하고, M은 독립적으로
Figure pat00031
중 적어도 하나를 포함하며, Z는 독립적으로
Figure pat00032
적어도 하나를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 기판 위에 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 기판 또는 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계, 및 상기 제1 기판 위에 제1 첨가제를 포함하는 제1 배향막 및 상기 제2 기판 위에 제2 첨가제를 포함하는 제2 배향막을 각각 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 첨가제 및 상기 제2 첨가제는 각각 상기 화학식 1로 표현되는 서로 상이한 화합물을 포함하고, 상기 제2 첨가제의 분자량은 상기 제1 첨가제의 분자량보다 큰 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 배향막을 형성한 후, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입하는 단계, 상기 전기장 생성 전극에 전압을 인가하는 단계, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 열처리하는 단계, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 광을 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 상, 하부 기판의 배향막에 서로 상이한 첨가제를 포함시킴으로서, 평면 또는 곡면 액정 표시 장치에서 잔상이 개선될 수 있는 장점이 있다.
도 1은 광반응기를 포함하는 배향막을 사용하여 액정 분자들이 선경사를 갖도록 하는 과정을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막의 구조를 도식화한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 첨가제를 포함하는 배향막을 사용하여 액정 분자들이 선경사를 갖도록 하는 과정을 도시한 도면이다.
도 4는 비교예에 따른 배향막을 사용한 경우에 선경사를 가지는 액정 분자들의 모식도(a) 및 텍스쳐를 촬영한 사진(b)이다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막을 사용한 경우 선경사를 가지는 액정 분자들의 모식도(a) 및 텍스쳐를 촬영한 사진(b)이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소의 배치도이다.
도 7은 도 6의 VIII-VIII선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극의 기본 영역을 도시한 평면도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 배향막(11, 21) 및 배향막(11, 21)을 사용하여 액정 분자(31)가 선경사를 가지도록 배향하는 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 광반응기를 포함하는 배향막을 사용하여 액정 분자들이 선경사를 갖도록 하는 과정을 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막의 구조를 도식화한 도면이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 첨가제를 포함하는 배향막을 사용하여 액정 분자들이 선경사를 갖도록 하는 과정을 도시한 도면이다.
먼저 도 1을 참고하면, 두 기판(110, 210) 위에 배향 물질을 포함하는 배향막(11, 21)을 형성한다. 이 때, 배향막(11, 21)은 주쇄 및 주쇄와 연결되는 복수의 측쇄를 포함한다.
또한, 배향막(11, 21)에는 첨가제(16a, 16b)를 포함한다.
도 2를 참고하면 복수의 측쇄 각각은 광반응기를 포함하는 반응성 메조겐(reactive mesogen)(10), 수직 발현기(13) 등을 포함할 수 있다. 반응성 메조겐(10)은 1개 이상의 광반응기(14)를 포함할 수 있다. 도 2에서는 반응성 메조겐의 광반응기(14)가 하나인 것처럼 도시되었으나 이는 편의상 광반응기(14)를 도식적으로 나타낸 것으로, 실제로 광반응기(14)는 1개 이상으로 형성될 수 있다.
이와 같이 기판(110, 210) 위에 배향제를 포함하는 배향막(11, 21)을 형성한 다음, 하부 표시판(110)의 화소 전극(191)에 데이터 전압을 인가하고 상부 표시판(210)의 공통 전극(270)에 공통 전압을 인가하여 두 표시판(110, 210) 사이의 액정 분자(31)를 포함하는 액정층에 전기장을 생성한다. 그러면 액정 분자(31)들은 그 전기장에 응답하여 화소 전극(191)에 형성되어 있는 미세 가지부(도 9의 194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어질 수 있다. 이 때, 한 화소에서 액정 분자(31)들이 기울어지는 방향은 총 네 방향이 될 수 있다.
도 1 및 도 3을 참고하면, 액정층에 전기장을 생성하고 열처리를 통해 첨가제(16a, 16b)가 액정층 내부로 흘러들어오게 한 다음에, 자외선 등의 광을 조사하면, 반응성 메조겐에 포함되는 광 반응기(14)가 서로 반응하여, 도 3에 도시한 바와 같이 가교 결합부(cross-linking portion)(15)를 형성한다. 가교 결합부(15)는 선경사를 가질 수 있다.
또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 배향막(11, 21)에 포함된 첨가제(16a, 16b)가 열처리로 인해 액정으로 녹아 나와 광 조사 공정에서 배향막(11, 21)의 반응성 메조겐과 반응한다. 첨가제는 복수의 광 반응기를 갖는 화합물로서, 첨가제(16a, 16b)의 광 반응기가 반응성 메조겐의 광 반응기(14)와 반응하여 가교 결합부(15)를 형성할 수 있다. 따라서 첨가제(16a, 16b)가 존재하지 않는 경우와 비교하여 반응성 메조겐 사이의 가교도가 높아진다.
즉, 가교 결합부(15)의 결합이 강해지고, 가교도 향상에 의해 모듈러스(modulus)가 증가하고 기계적 특성이 향상되므로 후에 블랙 잔상 및 순간 잔상을 개선할 수 있다.
이렇게 액정 분자(31)에 전기장을 생성한 다음 자외선 등의 광을 조사하면, 반응성 메조겐에 포함되는 광 반응기(14)가 서로 반응하여 배향 중합체를 형성하고, 이러한 중합체가 액정 분자(31)의 초기 배향 방향인 선경사(pretilt)를 제어할 수 있다.
그러면 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막(11, 21)을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배향막(11, 21)은 주쇄(12) 및 주쇄(12)에 연결되는 복수의 측쇄 및 첨가제(16a, 16b)를 포함한다.
먼저 첨가제(16a, 16b)에 대해서 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 다른 배향막(11, 21)은 배향막(11, 21) 내부에 첨가제(16a, 16b)를 포함하고, 첨가제(16a, 16b)는 광 조사 과정에서 액정으로 녹아 나와 광 반응기(14)를 포함하는 반응성 메조겐과 반응한다.
첨가제(16a, 16b)는 여러 개의 광 반응기를 갖는 물질로서, 첨가제(16a, 16b)의 광 반응기는 반응성 메조겐의 광 반응기(14)와 반응하거나, 또는 첨가제(16a, 16b)끼리 반응하기도 한다. 광 조사 후, 반응하지 않고 남은 잔류 첨가제(16a, 16b)는 형광 UV 공정에서 제거된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21)은 서로 상이한 모듈러스를 가지기 위해 각각 제1 첨가제(16a) 및 제2 첨가제(16b)를 포함할 수 있다.
제2 첨가제(16b)를 포함하는 제2 배향막(21)은, 제1 첨가제(16a)를 포함하는 제1 배향막(21)에 비해 가교 결합부(15)의 결합이 약하게 형성되어 있어 상대적으로 모듈러스가 작게 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21)에 포함되는 제1 첨가제(16a) 및 제2 첨가제(16b)는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00033
상기 화학식 1에서 S는
Figure pat00034
,
Figure pat00035
,
Figure pat00036
,
Figure pat00037
,
Figure pat00038
,
Figure pat00039
,
Figure pat00040
,
Figure pat00041
중 적어도 하나를 포함하고, P는
Figure pat00042
,
Figure pat00043
,
Figure pat00044
,
Figure pat00045
,
Figure pat00046
,
Figure pat00047
,
Figure pat00048
,
Figure pat00049
중 적어도 하나를 포함하며, R는
Figure pat00050
,
Figure pat00051
,
Figure pat00052
중 적어도 하나를 포함하며, Q는
Figure pat00053
를 포함한다. 여기서 n은 0 이상의 정수이다.
제2 첨가제(16b)의 분자량은 제1 첨가제(16a)의 분자량보다 클 수 있다.
화학식 1에서 제1 첨가제(16a)의 일례로는 하기 화학식 2일 수 있으며, 제2 첨가제(16b)의 일례로는 하기 화학식 3일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
[화학식 2]
Figure pat00054
[화학식 3]
Figure pat00055
제2 첨가제(16b)에서 Q구조의 n(이하, NB로 표기)은 제1 첨가제(16a)에서 Q구조의 n(이하, NA로 표기)보다 2이상 클 수 있다.
제1 첨가제(16a)의 일례인 화학식 2의 경우 화합물에 형성되어 있는 NA는 0인 반면에 제2 첨가제(16b)의 일례인 화학식 3의 경우 화합물에 형성되어 있는 NB가 2로 형성되어 있다. 따라서, 제2 첨가제(16b)를 포함하는 제2 배향막(21)의 모듈러스가 제1 배향막(11)의 모듈러스보다 약하게 형성될 수 있다.
즉, 화학식 1을 기준으로 제2 첨가제(16b)는 제1 첨가제(16a)와 비교하여 제2 첨가제(16b)에 포함되는 NB가 제1 첨가제(16a)에 포함되는 NA보다 2 이상 클 수 있다.
상기 첨가제(16a, 16b)의 함량은 제1 배향막(11) 또는 제2 배향막(21) 전체에서 5~15중량%일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이는 첨가제(16a, 16b)의 함량이 5중량% 이하인 경우에는 선경사각 구현이 어려우며, 15중량% 이상인 경우에는 반응되지 못하고 침전되는 분량이 발생할 수 있기 때문이다.
그러면, 본 발명의 배향막(11, 21)의 주쇄(12) 및 주쇄(12)에 연결되는 복수의 측쇄에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에서 주쇄(12)는 디안하이드라이드(dianhydride) 및 디아민(diamine) 등을 포함할 수 있다.
복수의 측쇄는 주쇄(12)에 연결되는 수직 발현기(13) 또는 수직 발현기(13)와 연결된 광 반응기(14)를 포함하는 반응성 메조겐(reactive mesogen)(10)을 포함한다. 즉, 복수의 측쇄 중 일부는 수직 발현기(13)만을 포함할 수 있으며, 복수의 측쇄 중 나머지 일부는 수직 발현기(13)와 연결된 광 반응기(14)를 포함하는 반응성 메조겐(10)일 수 있다.
반응성 메조겐(10)에 포함되는 광 반응기(14)는 수직 발현기(13)의 일측에서 서로 연결될 수 있으며, 연결되는 방법에 제한되지 않는다.
반응성 메조겐(10)을 포함하는 배향막(11, 21)은 하기 화학식 4 및 화학식 5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 주쇄(12) 이외의 측쇄는 수직 발현기(13) 및 수직 발현기(13)에 연결된 광 반응기(14)를 나타낸다.
[화학식 4]
Figure pat00056
[화학식 5]
Figure pat00057
여기에서, A는
Figure pat00058
중 적어도 하나를 포함하고, B는
Figure pat00059
중 적어도 하나를 포함하고, X는 독립적으로
Figure pat00060
중 적어도 하나를 포함하고, Y는 독립적으로
Figure pat00061
중 적어도 하나를 포함하며, T는 독립적으로
Figure pat00062
중 적어도 하나를 포함하고, M은 독립적으로
Figure pat00063
중 적어도 하나를 포함하며, Z는 독립적으로
Figure pat00064
적어도 하나를 포함한다. 특히 화학식 4로 표현되는 화합물은 측쇄에 포함되는 Y가
Figure pat00065
일 수 있다.
화학식 5로 표현되는 화합물에서는 광 반응기가 수직 발현기와 나란하게 배치될 수 있다.
위의 화학식 4 내지 5에서 반응성 메조겐이 포함하는 Y 및 Z는 광 반응기일 수 있다. 즉, 이중 결합 이상의 불포화 결합을 포함하는 Y 또는 Z에서 광 반응이 일어날 수 있다.
화학식 4은 하기 화학식 6에 나타난 화합물일 수 있으며, 화학식 5는 하기 화학식 7에 나타난 화합물일 수 있으나, 전술한 화합물들의 어떠한 조합도 가능하며, 하기 화학식 6 및 화학식 7에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 6]
Figure pat00066
[화학식 7]
Figure pat00067
또한, 화학식 4의 일례로서 화학식 5의 화합물은 하기와 같은 반응식 1을 통해 배향막에 포함될 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00068
양 끝단에 광 반응기(14)를 포함하는 반응성 메조겐, 수직 발현기(13) 및 디아민 화합물을 포함하는 단량체, 수직 발현기(13) 및 디아민 화합물을 포함하는 단량체 및 디안하이드라이드 화합물의 중합을 통해 배향막을 형성할 수 있다. 이 때, 디아민 화합물과 디안하이드라이드 화합물의 몰 비율은 1:1일 수 있다.
여기서 광 반응기(14)는 광 개시제를 포함할 수 있으며, 광 개시제는 벤조페논(benzophenone)계 화합물이며, 디아민 화합물의 20~50몰%을 포함할 수 있다.
이는 광 개시제가 이 함량을 벗어나 디아민 화합물의 50몰%를 넘게 될 경우 수직 배향 능력이 떨어질 수 있기 때문이다.
화학식 5의 일례인 화학식 7의 화합물은 별도의 도식화된 식을 통해 설명하지 않았으나, 상기 공정에 화학식 6으로 표현되는 반응성 메조겐(10) 대신 화학식 7로 표현되는 반응성 메조겐을 대입하여 도출할 수 있다.
이하에서, 도 4 및 도 5를 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(12)에 다르게 포함시킨 제1 첨가제(16a) 및 제2 첨가제(16b)에 따른 효과에 대해서 상세하게 설명한다.
도 4 및 도 5는 각각 비교예 및 본 발명의 일 실시예에 따른 배향막을 사용한 경우에 선경사를 가지는 액정 분자들의 모식도(a) 및 텍스쳐를 촬영한 사진(b)이다.
먼저 비교예에 해당하는 도 4(a)를 참고하면, 일반적으로 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21)을 동일한 물질을 이용하여 동일한 모듈러스를 가지도록 형성한 경우에는, 액정 분자(31)들이 화소 전극(191)에 형성되어 있는 미세 가지부(도 9의 194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어져, 총 네 방향으로 기울어질 수 있다.
이 때, 상, 하부 기판(110, 210)이 틀어지거나 혹은 곡면으로 형성되면, 네 방향으로 서로 다른 방향으로 기울어져 형성된 액정 분자들(31)의 각 영역이 일부 섞일 수 있는데, 이 경우 액정 분자(31)들이 일정한 선경사를 가지지 못하고 여러 선경사를 가진 액정 분자(31)들이 혼합되는 영역이 발생하게 되어 도 4(b)에 나타난 것과 같이 잔상이 발생할 수 있다.
하지만, 이와 반대로 본 발명의 실시예에 해당하는 도 5(a)를 참고하면, 제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)에 제1 첨가제(16a) 및 제2 첨가제(16b)를 각각 상이하게 포함시켜 모듈러스를 서로 상이하게 형성됨으로써, 상대적으로 모듈러스가 작게 형성된 제2 배향막(21)에 위치한 액정 분자들은 선경사가 잘 형성되지 않거나 약하게 형성될 수 있다.
이 경우는 상, 하부 기판(110, 210)이 틀어지거나 혹은 곡면으로 형성되더라도 제2 배향막(11)의 모듈러스가 상대적으로 약하기 때문에, 제2 배향막(21)에 인접한 액정 분자(31)들의 선경사가 제1 배향막(11)에 인접한 액정 분자(31)들의 선경사를 따라 형성될 수 있다.
따라서, 여러 선경사를 가진 액정 분자(31)들이 혼합되는 영역이 발생하지 않을 수 있어 도 5(b)에 나타난 것과 같이 잔상이 개선될 수 있다.
그러면, 도 6 내지 도 8을 참고하여, 도 6에 도시한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 간단히 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소의 배치도이고, 도 7은 도 6의 VII-VII선을 따라 잘라 도시한 단면도이며, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극의 기본 영역을 도시한 평면도이다.
먼저, 도 6 및 도 7을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3) 및 표시판(100, 200) 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(도시하지 않음)를 포함한다.
먼저 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(110) 위에 게이트선(121)과 분압 기준 전압선(131)을 포함하는 게이트 도전체가 형성되어 있다.
게이트선(121)은 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 제3 게이트 전극(124c) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
분압 기준 전압선(131)은 제1 유지 전극(135, 136), 그리고 기준 전극(137)을 포함한다. 분압 기준 전압선(131)에 연결되어 있지는 않으나, 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하는 제2 유지 전극(138, 139)이 위치되어 있다.
게이트선(121) 및 분압 기준 전압선(131) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체(154a), 제2 반도체(154b) 및 제3 반도체(154c)가 형성되어 있다.
반도체(154a, 154b, 154c) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c)가 형성되어 있다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c) 및 게이트 절연막(140) 위에는 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.
데이터 도전체 및 그 아래에 위치되어 있는 반도체 및 저항성 접촉 부재는 하나의 마스크를 이용하여 동시에 형성될 수 있다.
데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 섬형 반도체(154a)와 함께 하나의 제1 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qa)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 반도체(154a)에 형성된다. 유사하게, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b) 및 제2 드레인 전극(175b)는 제2 섬형 반도체(154b)와 함께 하나의 제2 박막 트랜지스터(Qb)를 이루며, 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 반도체(154b)에 형성되고, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)는 제3 섬형 반도체(154c)와 함께 하나의 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 이루며, 채널은 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이의 반도체(154c)에 형성된다.
제2 드레인 전극(175b)은 제3 소스 전극(173c)과 연결되어 있으며, 넓게 확장된 확장부(177)를 포함한다.
데이터 도전체(171, 173c, 175a, 175b, 175c) 및 노출된 반도체(154a, 154b, 154c) 부분 위에는 제1 보호막(180p)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180p)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다. 제1 보호막(180p)은 색필터(230)의 안료가 노출된 반도체(154a, 154b, 154c) 부분으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
제1 보호막(180p) 위에는 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 서로 인접한 두 개의 데이터선을 따라 세로 방향으로 뻗어 있다. 제1 보호막(180p), 색필터(230)의 가장자리, 그리고 데이터선(171) 위에는 제1 차광 부재(220)가 위치되어 있다.
제1 차광 부재(220)는 데이터선(171)을 따라 뻗어 있으며, 인접한 두 개의 색필터(230) 사이에 위치된다. 제1 차광 부재(220)의 폭은 데이터선(171)의 폭보다 넓을 수 있다. 이처럼, 제1 차광 부재(220)의 폭을 데이터선(171)의 폭보다 넓게 형성함으로써, 외부에서 입사된 빛이, 금속인 데이터선(171) 표면에서 반사되는 것을 제1 차광 부재(220)가 방지할 수 있다. 따라서, 데이터선(171) 표면에서 반사된 빛이 액정층(3)을 통과한 빛과 간섭됨으로써, 액정 표시 장치의 콘트라스트비가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
색필터(230) 및 제1 차광 부재(220) 위에는 제2 보호막(180q)이 형성되어 있다.
제2 보호막(180q)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다. 제2 보호막(180q)은 색필터(230)가 들뜨는 것을 방지하고 색필터(230)로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동 시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지한다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q)에는 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 드러내는 제1 접촉 구멍(contact hole)(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)이 형성되어 있다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q), 그리고 게이트 절연막(140)에는 기준 전극(137)의 일부와 제3 드레인 전극(175c)의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍(185c)이 형성되어 있고, 제3 접촉 구멍(185c)은 연결 부재(195)가 덮고 있다. 연결 부재(195)는 제3 접촉 구멍(185c)을 통해 드러나 있는 기준 전극(137)과 제3 드레인 전극(175c)을 전기적으로 연결한다.
제2 보호막(180q) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다. 각 화소 전극(191)은 게이트선(121)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121)을 중심으로 열 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함한다. 화소 전극(191)은 ITO 및 IZO 등의 투명 물질로 이루어 질 수 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수도 있다.
제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)은 각각 도 6에 도시한 기본 전극(199) 또는 그 변형을 하나 이상 포함하고 있다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통하여 각각 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 이 때, 제2 드레인 전극(175b)에 인가된 데이터 전압 중 일부는 제3 소스 전극(173c)을 통해 분압되어, 제1 부화소 전극(191a)에 인가되는 전압의 크기는 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압의 크기보다 크게 된다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
화소 전극(191) 위에는 제2 차광 부재(330)가 위치되어 있다. 제2 차광 부재(330)는 제1 트랜지스터(Qa), 제2 트랜지스터(Qb) 및 제3 트랜지스터(Qc), 그리고 제1 내지 제3 접촉 구멍(185a, 185b, 185c)이 위치하는 영역을 모두 덮도록 형성되어 있으며, 게이트선(121)과 같은 방향으로 뻗어, 데이터선(171)의 일부와 중첩하도록 위치된다. 제2 차광 부재(330)는 하나의 화소 영역의 양 옆에 위치하는 두 개의 데이터선(171)과 적어도 일부 중첩하도록 위치하여, 데이터선(171)과 게이트선(121) 근처에서 발생할 수 있는 빛샘을 방지하고, 제1 트랜지스터(Qa), 제2 트랜지스터(Qb), 그리고 제3 트랜지스터(Qc)가 위치하는 영역에서의 빛샘을 방지할 수 있다.
제2 차광 부재(330)가 형성되기 전까지, 제1 트랜지스터(Qa), 제2 트랜지스터(Qb) 및 제3 트랜지스터(Qc), 그리고 제1 내지 제3 접촉 구멍(185a, 185b, 185c)가 위치하는 영역 내에는 제1 보호막(180p), 색필터(230), 그리고 제2 보호막(180q)이 위치하여, 제1 트랜지스터(Qa), 제2 트랜지스터(Qb) 및 제3 트랜지스터(Qc), 그리고 제1 내지 제3 접촉 구멍(185a, 185b, 185c)의 위치를 쉽게 구분할 수 있다.
제2 차광 부재(330) 위에는 제1 첨가제(16a)를 포함하는 제1 배향막(11)이 위치한다.
이제 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
절연 기판(210) 위에 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270) 위에는 제2 첨가제(16b)를 포함하는 제2 배향막(21)이 형성되어 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21)에 포함되는 제1 첨가제(16a) 및 제2 첨가제(16b)는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00069
상기 화학식 1에서 S는
Figure pat00070
,
Figure pat00071
,
Figure pat00072
,
Figure pat00073
,
Figure pat00074
,
Figure pat00075
,
Figure pat00076
,
Figure pat00077
중 적어도 하나를 포함하고, P는
Figure pat00078
,
Figure pat00079
,
Figure pat00080
,
Figure pat00081
,
Figure pat00082
,
Figure pat00083
,
Figure pat00084
,
Figure pat00085
중 적어도 하나를 포함하며, R는
Figure pat00086
,
Figure pat00087
,
Figure pat00088
중 적어도 하나를 포함하며, Q는
Figure pat00089
를 포함한다. 여기서 n은 0 이상의 정수이다.
제2 첨가제(16b)의 분자량은 제1 첨가제(16a)의 분자량보다 클 수 있다.
화학식 1에서 제1 첨가제(16a)의 일례로는 하기 화학식 2일 수 있으며, 제2 첨가제(16b)의 일례로는 하기 화학식 3일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
[화학식 2]
Figure pat00090
[화학식 3]
Figure pat00091
제2 첨가제(16b)에서 Q구조의 n(이하, NB로 표기)은 제1 첨가제(16a)에서 Q구조의 n(이하, NA로 표기)보다 2이상 클 수 있다.
제1 첨가제(16a)의 일례인 화학식 2의 경우 화합물에 형성되어 있는 NA는 0인 반면에 제2 첨가제(16b)의 일례인 화학식 3의 경우 화합물에 형성되어 있는 NB가 2로 형성되어 있다. 따라서, 제2 첨가제(16b)를 포함하는 제2 배향막(21)의 모듈러스가 제1 배향막(11)의 모듈러스보다 약하게 형성될 수 있다.
즉, 화학식 1을 기준으로 제2 첨가제(16b)는 제1 첨가제(16a)와 비교하여 제2 첨가제(16b)에 포함되는 NB가 제1 첨가제(16a)에 포함되는 NA보다 2 이상 클 수 있다.
상기 첨가제(16a, 16b)의 함량은 제1 배향막(11) 또는 제2 배향막(21) 전체에서 5~15중량%일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이는 첨가제(16a, 16b)의 함량이 5중량% 이하인 경우에는 선경사각 구현이 어려우며, 15중량% 이상인 경우에는 반응되지 못하고 침전되는 분량이 발생할 수 있기 때문이다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다.
그러면, 도 8을 참고하여, 기본 전극(199)에 대하여 설명한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 기본 전극(199)의 전체적인 모양은 사각형이며 가로 줄기부(193) 및 이와 직교하는 세로 줄기부(192)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한 기본 전극(199)은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부영역(Da), 제2 부영역(Db), 제3 부영역(Dc), 그리고 제4 부영역(Dd)으로 나뉘어지며 각 부영역(Da-Dd)은 복수의 제1 미세 가지부(194a), 복수의 제2 미세 가지부(194b), 복수의 제3 미세 가지부(194c), 그리고 복수의 제4 미세 가지부(194d)를 포함한다.
제1 미세 가지부(194a)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 왼쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제2 미세 가지부(194b)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 오른쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 또한 제3 미세 가지부(194c)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 왼쪽 아래 방향으로 뻗어 있으며, 제4 미세 가지부(194d)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 오른쪽 아래 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다.
제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)는 게이트선(121a, 121b) 또는 가로 줄기부(193)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룬다. 또한 이웃하는 두 부영역(Da, Db, Dc, Dd)의 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)는 서로 직교할 수 있다.
미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 폭은 2.5㎛ 내지 5.0㎛일 수 있고, 한 부영역(Da, Db, Dc, Dd) 내에서 이웃하는 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d) 사이의 간격은 2.5㎛ 내지 5.0㎛일 수 있다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따르면, 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 폭은 가로 줄기부(193) 또는 세로줄기부(192)에 가까울수록 넓어질 수 있으며, 하나의 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)에서 폭이 가장 넓은 부분과 가장 좁은 부분의 차이는 0.2㎛ 내지 1.5㎛일 수 있다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통하여 각기 제1 드레인 전극(175a) 또는 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있으며 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 이 때, 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 변은 전기장을 왜곡하여 액정 분자들(31)의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전기장의 수평 성분은 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 변에 거의 수평하다. 따라서 도 9에 도시한 바와 같이 액정 분자(31)들은 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어진다. 한 화소 전극(191)은 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향이 서로 다른 네 개의 부영역(Da-Dd)을 포함하므로 액정 분자(31)가 기울어지는 방향은 대략 네 방향이 되며 액정 분자(31)의 배향 방향이 다른 네 개의 도메인이 액정층(3)에 형성된다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.
이상과 같이 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 상, 하부 기판의 배향막에 서로 상이한 첨가제를 포함시킴으로서, 평면 또는 곡면 액정 표시 장치에서 잔상이 개선될 수 있는 장점이 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
121: 게이트선 131: 분압 기준 전압선
171: 데이터선 16a, 16b: 첨가제
110, 210: 기판 124a, 124b, 124c: 게이트 전극
140: 게이트 절연막 154a, 154b, 154c, 157: 반도체
163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c: 저항성 접촉 부재
173a, 173b, 173c: 소스 전극 175a, 175b, 175c: 드레인 전극
180p, 180q: 보호막 191a, 191b: 부화소 전극
220: 제1 차광 부재 230: 색필터
330: 제2 차광 부재 11, 21: 배향막
13: 수직 발현기 14: 광 반응기
15: 가교 결합부

Claims (18)

  1. 제1 기판,
    상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판,
    상기 제1 기판에 위치하는 화소 전극,
    상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 위에 위치하는 공통 전극,
    상기 제1 기판 위에 위치하고 제1 첨가제를 포함하는 제1 배향막,
    상기 제2 기판 위에 위치하고 제2 첨가제를 포함하는 제2 배향막, 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고,
    상기 제1 첨가제 및 상기 제2 첨가제는 각각 하기 화학식 1로 표현되는 서로 상이한 화합물을 포함하며,
    상기 제2 첨가제의 분자량은 상기 제1 첨가제의 분자량보다 큰 액정 표시 장치.
    [화학식 1]
    Figure pat00092

    상기 화학식 1에서 S는
    Figure pat00093
    ,
    Figure pat00094
    ,
    Figure pat00095
    ,
    Figure pat00096
    ,
    Figure pat00097
    ,
    Figure pat00098
    ,
    Figure pat00099
    ,
    Figure pat00100
    중 적어도 하나를 포함하고, P는
    Figure pat00101
    ,
    Figure pat00102
    ,
    Figure pat00103
    ,
    Figure pat00104
    ,
    Figure pat00105
    ,
    Figure pat00106
    ,
    Figure pat00107
    ,
    Figure pat00108
    중 적어도 하나를 포함하며, R는
    Figure pat00109
    ,
    Figure pat00110
    ,
    Figure pat00111
    중 적어도 하나를 포함하며, Q는
    Figure pat00112
    를 포함한다. 여기서 n은 0 이상의 정수이다.
  2. 제1항에서,
    상기 제2 첨가제의 상기 n은 상기 제1 첨가제의 상기 n보다 2이상 큰 정수인 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 첨가제는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물인 액정 표시 장치.
    [화학식 2]
    Figure pat00113

  4. 제3항에서,
    상기 제2 첨가제는 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물인 액정 표시 장치.
    [화학식 3]
    Figure pat00114
  5. 제2항에서,
    상기 제1 첨가제는 제1 배향막 전체의 5~15중량%를 포함하고,
    상기 제2 첨가제는 제2 배향막 전체의 5~15중량%를 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제2항에서,
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 주쇄, 상기 주쇄에 연결된 복수의 측쇄 및 첨가제를 포함하며,
    상기 복수의 측쇄 중 적어도 하나는 수직 발현기, 및 광 반응기를 포함하는 반응성 메조겐(reactive mesogen, RM)을 포함하는 액정 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 디아민(diamine) 화합물 및 디안하이드라이드(dianhydride) 화합물을 포함하며,
    상기 디아민 화합물 및 상기 디안하이드라이드 화합물을 1:1의 몰 비율로 포함하는 액정 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 광 반응기는 광 개시제를 포함하며,
    상기 광 개시제는 벤조페논(benzophenone)계 화합물을 포함하는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 광 개시제는 상기 디아민 화합물의 20~50몰%를 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제6항에서,
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 하기 화학식 4 및 화학식 5로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치.
    [화학식 4]
    Figure pat00115

    [화학식 5]
    Figure pat00116

    여기에서, A는
    Figure pat00117
    중 적어도 하나를 포함하고, B는
    Figure pat00118
    중 적어도 하나를 포함하고, X는 독립적으로
    Figure pat00119
    중 적어도 하나를 포함하고, Y는 독립적으로
    Figure pat00120
    중 적어도 하나를 포함하며, T는 독립적으로
    Figure pat00121
    중 적어도 하나를 포함하고, M은 독립적으로
    Figure pat00122
    중 적어도 하나를 포함하며, Z는 독립적으로
    Figure pat00123
    적어도 하나를 포함한다.
  11. 제1 기판 위에 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 기판 또는 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계, 및
    상기 제1 기판 위에 제1 첨가제를 포함하는 제1 배향막 및 상기 제2 기판 위에 제2 첨가제를 포함하는 제2 배향막을 각각 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 첨가제 및 상기 제2 첨가제는 각각 하기 화학식 1로 표현되는 서로 상이한 화합물을 포함하고,
    상기 제2 첨가제의 분자량은 상기 제1 첨가제의 분자량보다 큰 액정 표시 장치의 제조 방법.
    [화학식 1]
    Figure pat00124

    상기 화학식 1에서 S는
    Figure pat00125
    ,
    Figure pat00126
    ,
    Figure pat00127
    ,
    Figure pat00128
    ,
    Figure pat00129
    ,
    Figure pat00130
    ,
    Figure pat00131
    ,
    Figure pat00132
    중 적어도 하나를 포함하고, P는
    Figure pat00133
    ,
    Figure pat00134
    ,
    Figure pat00135
    ,
    Figure pat00136
    ,
    Figure pat00137
    ,
    Figure pat00138
    ,
    Figure pat00139
    ,
    Figure pat00140
    중 적어도 하나를 포함하며, R는
    Figure pat00141
    ,
    Figure pat00142
    ,
    Figure pat00143
    중 적어도 하나를 포함하며, Q는
    Figure pat00144
    를 포함한다. 여기서 n은 0 이상의 정수이다.
  12. 제11항에서,
    상기 제2 첨가제의 상기 n은 상기 제1 첨가제의 상기 n보다 2이상 큰 정수인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 첨가제는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물이고,
    상기 제2 첨가제는 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물인 액정 표시 장치의 제조 방법.
    [화학식 2]
    Figure pat00145

    [화학식 3]
    Figure pat00146

  14. 제12항에서,
    상기 제1 첨가제는 제1 배향막 전체의 5~15중량%를 포함하고,
    상기 제2 첨가제는 제2 배향막 전체의 5~15중량%를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에서,
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 주쇄, 상기 주쇄에 연결된 복수의 측쇄 및 첨가제를 포함하며,
    상기 복수의 측쇄 중 적어도 하나는 수직 발현기, 및 광 반응기를 포함하는 반응성 메조겐(reactive mesogen, RM)을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막은 디아민(diamine) 화합물 및 디안하이드라이드(dianhydride) 화합물을 포함하며,
    상기 디아민 화합물 및 상기 디안하이드라이드 화합물을 1:1의 몰 비율로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 광 반응기는 광 개시제를 포함하며,
    상기 광 개시제는 벤조페논(benzophenone)계 화합물을 포함하고,
    상기 광 개시제는 상기 디아민 화합물의 20~50몰%를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제12항에서,
    상기 배향막을 형성한 후,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입하는 단계,
    상기 전기장 생성 전극에 전압을 인가하는 단계,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 열처리하는 단계, 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 광을 조사하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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