KR20100067767A - 표시 패널 - Google Patents

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KR20100067767A
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electrode
domain
sub
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liquid crystal
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KR1020080126301A
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이정훈
조선아
허정욱
이성남
나병선
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삼성전자주식회사
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Publication date
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Abstract

표시 품질을 향상시킨 표시 패널에서, 표시 패널은 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 일 방향으로 연장된 제1 도메인 분할부가 형성된 화소 전극을 포함하는 제1 기판, 제1 기판과 약 3.1㎛ 내지 약 3.3㎛의 셀 갭을 갖도록 배치되고 서로 인접한 제1 도메인 분할부들 사이와 대응하는 영역에 제2 도메인 분할부가 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판 및 약 0.1010 내지 약 0.1030의 굴절률 이방성을 갖는 액정 조성물을 포함하는 액정층을 포함한다. 표시 패널의 개구율 및 광투과율을 향상시킴으로써 표시 품질을 향상시킨다.
PVA, SPVA, 광투과율, 개구율, 로우 셀갭, 도메인, 저전압

Description

표시 패널{DISPLAY PANEL}
본 발명은 표시 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액정표시장치용 표시 패널에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 영상을 표시하는 액정표시패널 및 상기 액정표시패널에 광을 제공하는 백라이트 어셈블리를 포함한다.
상기 액정표시패널은 각 화소 영역을 구동하기 위한 스위칭 소자들이 형성된 박막 트랜지스터 기판과, 상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하는 대향 기판과, 상기 박막 트랜지스터 기판 및 상기 대향 기판 사이에 개재되어 형성된 액정층을 포함한다. 상기 액정표시패널은 상기 액정층에 전압을 인가하여 광투과율을 제어하는 방식으로 화상을 표시한다.
액정표시장치의 동작 모드는 액정 분자의 배열 방향에 따라 분류된다. 액정표시장치의 동작 모드는 트위스틱 네마틱 모드(twisted nematic mode, TN 모드), 인플레인 스위칭 모드(In-Plane Switching mode, IPS 모드) 및 수직 배향 모드(Vertical Alignment mode, 이하 VA 모드라 함) 등이 있다.
상기 수직 배향 모드는 표시장치의 광시야각을 위해 액정 분자들을 멀티 도 메인으로 분할한, 패턴된 수직 배향 모드(Patterned vertical alignment mode, 이하 PVA 모드라 함)를 포함한다. 상기 PVA 모드는 화소 전극에 제1 개구부를 형성하고, 공통 전극에 상기 제1 개구부와 어긋나게 배치되는 제2 개구부를 형성하여 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이의 전계(fringe field)의 방향을 변경할 수 있다. 상기 방향이 변경된 전계에 의해 상기 액정 분자들의 배열 상태가 변경되어, 상기 액정 분자들은 멀티 도메인으로 분할될 수 있다.
그러나, 상기 PVA 모드는 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 포함하고 있으므로, 상기 VA 모드에 비해 상대적으로 개구율이 낮다. 개구율은 광투과율과 대체적으로 비례하는 관계에 있으므로, 상기 PVA 모드는 상기 VA 모드에 비해 상대적으로 광투과율이 낮아, 광시야각에 유리한 장점에도 불구하고, 표시 품질이 저하되는 문제점을 가지고 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 개구율 및 광투과율을 향상시켜 표시 품질이 향상된 표시 패널을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다. 상기 제1 기판은 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과 연결된 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결 되고 일 방향으로 연장된 제1 도메인 분할부가 형성된 화소 전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 3.1㎛ 내지 3.3㎛의 셀 갭을 갖도록 배치되고, 서로 인접한 제1 도메인 분할부들 사이와 대응하는 영역에 제2 도메인 분할부가 형성된 공통 전극을 포함한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 0.1010 내지 0.1030의 굴절률 이방성(Δn)을 갖는 액정 조성물이 개재되어 형성된다.상기 제1 도메인 분할부 및 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 각각 약 7.0㎛ 내지 약 9.0㎛일 수 있다.
상기 일 실시예에서, 상기 화소 전극은 제1 전압을 인가받는 제1 서브 전극 및 상기 제1 전압과 다른 제2 전압을 인가받고 상기 제1 서브 전극과 이격되며 상기 제1 도메인 분할부를 포함하는 제2 서브 전극을 포함할 수 있다. 상기 스위칭 소자는 상기 제1 서브 전극과 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터 및 상기 제2 서브 전극과 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 전극은 상기 제2 서브 전극과 약 4.5㎛ 내지 약 6.5㎛로 이격될 수 있다.
상기 제1 서브 전극과 대응하는 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 8㎛ 내지 10㎛이고, 상기 제2 서브 전극과 대응하는 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 7㎛ 내지 8㎛일 수 있다.
상기 액정 조성물의 유전율 이방성은 약 -3.4F/m 내지 약 -2.9F/m일 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서, 상기 제1 기판은 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과 연결된 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고, 일 방향으로 연장되며 7.0㎛ 내지 9.0㎛의 폭을 갖는 제1 도메인 분할부가 형성된 화소 전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 3.1㎛ 내지 3.3㎛의 셀 갭을 갖도록 배치되고, 서로 인접한 제1 도메인 분할부들 사이와 대응하는 영역에 7.0㎛ 내지 9.0㎛의 폭을 갖는 제2 도메인 분할부가 형성된 공통 전극을 포함한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재되어 형성된다.
상기 다른 실시예에서, 상기 화소 전극은 제1 전압을 인가받는 제1 서브 전극 및 상기 제1 전압과 다른 제2 전압을 인가받고 상기 제1 서브 전극과 이격되며 상기 제1 도메인 분할부를 포함하는 제2 서브 전극을 포함할 수 있다. 상기 스위칭 소자는 상기 제1 서브 전극과 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터 및 상기 제2 서브 전극과 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 전극은 상기 제2 서브 전극과 약 4.5㎛ 내지 약 6.5㎛로 이격될 수 있다.
상기 제1 서브 전극과 대응하는 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 8㎛ 내지 10㎛이고, 상기 제2 서브 전극과 대응하는 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 7㎛ 내지 8㎛일 수 있다.
이와 같은 표시 패널에 따르면, 낮은 셀 갭을 갖는 표시 패널에서의 개구율 및 광투과율을 향상시킬 수 있다. 또한, 텍스츄어가 발생하는 것을 방지할 수 있 다. 이에 따라, 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막) 또는 패턴들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막) 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막) 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 패널(500)은 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 상기 표시 패널(500)의 하부에 배치된 기판일 수 있다. 상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된 신호 배선들(GL1, GL2, DL1, DL2), 상기 신호 배선들(GL1, GL2, DL1, DL2)과 연결된 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Thin-film transistor, TFT), 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기 적으로 연결된 화소 전극(PE), 스토리지 라인(STL)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 기판(100)은 게이트 절연층(130), 패시베이션층(160) 및 유기층(170)을 더 포함할 수 있다.
상기 신호 배선들(GL1, GL2, DL1, DL2)은 게이트 신호를 인가하는 게이트 라인들(GL1, GL2) 및 데이터 신호를 인가하는 데이터 라인들(DL1, DL2)을 포함한다. 상기 게이트 라인들(GL1, GL2)은 상기 표시 패널(500)의 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)의 반대 방향인 제2 방향(D2)으로 병렬로 배열될 수 있다. 상기 제1 방향(D1)은 상기 제2 방향(D2)과 수직할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 라인들(GL1, GL2) 중에서 제1 게이트 라인(GL1)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제1 게이트 라인(GL1)의 상기 제2 방향(D2)에 제2 게이트 라인(GL2)이 배치될 수 있다. 상기 데이터 라인들(DL1, DL2)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 병렬로 배열될 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 라인들(DL1, DL2) 중에서 제1 데이터 라인(DL1)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 데이터 라인(DL1)의 상기 제1 방향(D1)에 제2 데이터 라인(DL2)이 배치될 수 있다.
상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제2 게이트 라인(GL2)은 상기 제1 데이터 라인(DL1) 및 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 교차함으로써 하나의 화소 단위를 구획할 수 있다. 상기 단위 화소가 상기 박막 트랜지스터(TFT), 상기 화소 전극(PE) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제1 데이 터 라인(DL1)과 연결될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 액티브 패턴(AP)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 연결되고, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 연결되고, 상기 게이트 전극(GE) 상에 상기 게이트 전극(GE)의 일단부와 중첩된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)과 이격되고, 상기 게이트 전극(GE)의 타단부와 중첩된다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE) 상에 형성되어, 상기 게이트 전극(GE)과 상기 소스 전극(SE) 사이에 배치되고, 상기 게이트 전극(GE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP)은 반도체층(140a) 및 오믹 콘택층(140b)을 포함할 수 있다. 상기 오믹 콘택층(140b)은 상기 반도체층(140a) 상에 형성될 수 있다. 상기 반도체층(140a)을 형성하는 물질의 예로서는, 비정질 실리콘을 들 수 있고, 상기 오믹 콘택층(140b)을 형성하는 물질의 예로서는, n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘을 들 수 있다.
상기 스토리지 라인(STL)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)과 평행하게 배치되고, 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)과 교차한다. 상기 스토리지 라인(STL)은 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 상기 제2 게이트 라인(GL2) 사이에 배치된다. 상기 스토리지 라인(STL)은 상기 화소 전극(PE)과 중첩된다. 상기 스토리지 라인(STL)은 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극이 되고, 상기 화소 전극(PE)이 상기 일 전극과 대향하는 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 다른 전극이 될 수 있다. 상기 스토리지 라인(STL) 및 상기 화소 전극(PE) 사이에 배치된 상기 게 이트 절연층(130) 및 상기 패시베이션층(160)에 상기 화소 단위에 제공된 전하들이 충전될 수 있다.
상기 게이트 절연층(130)은 상기 게이트 전극(GE), 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2) 및 상기 스토리지 라인(STL)을 포함하는 게이트 패턴 상에 형성될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE) 상에 형성된 상기 게이트 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연층(130)을 형성하는 물질의 예로서는, 질화 실리콘, 산화 실리콘 등을 들 수 있다.
상기 패시베이션층(160)은 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)을 포함하는 소스 패턴 상에 형성될 수 있다. 상기 패시베이션층(160)을 형성하는 물질의 예로서는, 질화 실리콘, 산화 실리콘 등을 들 수 있다.
상기 유기층(170)은 상기 패시베이션층(170) 상에 형성될 수 있다. 상기 유기층(170)은 상기 스토리지 라인(STL)과 대응하는 영역에 형성된 홀(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 스토리지 라인(STL)과 대응하는 영역의 상기 유기층(170)의 일부가 제거되어 형성된 상기 홀에 의해 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 전기 용량이 상기 화소 단위에 맞게 적절하게 조절될 수 있다. 상기 유기층(170)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하고, 상기 제1 기판(100)을 평탄화시킬 수 있다.
상기 패시베이션층(160) 및 상기 유기층(170)은 상기 드레인 전극(DE)의 일단부를 노출시키는 콘택홀(CNT)을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)과 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)이 구획하는 상기 제1 베이스 기판(110)의 일 영역에 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 유기층(170) 상에 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 콘택홀(CNT)을 통해 상기 드레인 전극(DE)의 일단과 접촉함으로써, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 투명하고 도전성이 있는 물질로 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)을 형성하는 물질의 예로서는, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide, 이하 ITO라 함), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide, 이하 IZO라 함) 등을 들 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 액정 조성물의 액정 분자들을 멀티 도메인으로 분할할 수 있는 제1 도메인 분할부(182)를 포함한다. 상기 제1 도메인 분할부(182)는 상기 제2 기판(200)에 형성된 공통 전극층(CE)의 제2 도메인 분할부(252)와 함께 상기 액정 분자들을 멀티 도메인으로 분할할 수 있다. 일례로, 상기 제1 도메인 분할부(182)는 상기 화소 전극(PE)의 일부가 오픈되어 형성될 수 있다. 상기 제1 도메인 분할부(182)는 제1 폭(w1)을 갖고, 상기 제1 게이트 라인(GL1)을 기준으로 사선 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 폭(w1)은 약 7㎛ 내지 약 9㎛일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 폭(w1)은 약 8㎛일 수 있다. 상기 제1 도메인 분할부(182)는, 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 상기 스토리지 라인(STL) 사이에서는 상기 제1 방향(D1)과 상기 제2 방향(D2)의 제1 사이 방향으로 연장될 수 있고, 상기 스토리지 라인(STL)과 상기 제2 게이트 라인(GL2) 사이에서는 상기 제1 사이 방 향과 다른 제2 사이 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2 사이 방향은 상기 제1 사이 방향과 약 90°를 이루는 방향일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도메인 분할부(182)는 V-자형, W-자형 등으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도메인 분할부(182)는 상기 액정 분자들의 도메인을 정밀하게 제어하기 위한 노치(notch)들을 포함할 수 있다.
도면으로 도시하지 않았으나, 상기 제1 기판(100)은 상기 화소 전극(PE) 상에 형성된 제1 배향막을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 상기 제1 기판(100)과 소정의 셀 갭(dc)을 갖도록 배치된다. 상기 셀 갭(dc)은 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이의 거리로 정의될 수 있다. 구체적으로, 상기 셀 갭(dc)은 상기 화소 전극(PE)과 상기 공통 전극층(CE) 사이의 거리로 정의될 수 있다. 상기 셀 갭(dc)은 약 3.1㎛ 내지 약 3.3㎛일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 셀 갭(dc)은 약 3.2㎛일 수 있다. 동일한 전압이 제공될 때, 상기 셀 갭(dc)이 약 3.5㎛인 경우에 비해 상기 셀 갭(dc)이 약 3.2㎛인 경우의 전계의 세기가 더 크다. 이에 따라, 동일한 전압이 제공될 때, 상기 셀 갭(dc)이 약 3.2㎛인 경우가, 상기 셀 갭(dc)이 약 3.5㎛인 경우에 비해 상대적으로 상기 액정 분자들이 상기 전계에 의해 방향이 변하는 정도가 더 클 수 있다. 본 발명에 따르면, 상기 셀 갭(dc)을 약 3.5㎛에서 약 3.1㎛ 내지 약 3.3 ㎛로 줄임으로써 약 3.5㎛의 셀 갭(dc)을 갖는 표시 패널에서 필요한 전압보다 낮은 전압으로 상기 액정 분자들을 제어할 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 차광 패턴(220), 컬러필터(230), 오버코팅층(240) 및 공통 전극층(CE)을 포함한다.
상기 차광 패턴(220)은 상기 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2), 상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)이 형성된 영역과 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210)의 영역들에 형성될 수 있다. 상기 차광 패턴(220)은 금속막으로 형성되거나, 유기 물질로 형성될 수 있다.
상기 컬러필터(230)는 상기 차광 패턴(220)이 복수개로 구획하는 상기 제2 베이스 기판의 영역들에 각각 형성될 수 있다. 상기 컬러필터(230)는 레드 컬러, 그린 컬러 및 블루 컬러를 포함할 수 있다. 상기 컬러필터(230)는 감광성 유기 물질로 형성되거나, 컬러 잉크로 형성될 수 있다.
상기 오버 코팅층(240)은 상기 차광 패턴(220) 및 상기 컬러필터(230)가 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 상기 오버 코팅층(240)은 상기 제2 기판(200)을 평탄화시키고, 상기 차광 패턴(220) 및 상기 컬러필터(230)로부터 발생하는 이물이 상기 공통 전극층(CE)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
상기 오버 코팅층(240)은 예를 들어, 아크릴 수지로 형성될 수 있다. 상기 오버 코팅층(240)은 공정 상 필요에 따라 생략될 수 있다.
상기 공통 전극층(CE)은 상기 오버 코팅층(240) 상에 형성될 수 있다. 상기 공통 전극층(CE)은 상기 화소 전극(PE)과 대향하고, 상기 화소 전극(PE)과 함께 상기 액정층(300)에 전계(fringe field)를 형성한다. 상기 공통 전극층(CE)은 투명하고 도전성이 있는 물질로 형성될 수 있다. 상기 공통 전극층(CE)을 형성하는 물질의 예로서는, ITO, IZO 등을 들 수 있다.
상기 공통 전극층(CE)은 상기 제2 도메인 분할부(252)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 공통 전극층(CE)은 상기 제2 도메인 분할부(252)와 연결되어 상기 제2 도메인 분할부(252)의 양단에 각각 형성된 제1 날개부(254) 및 제2 날개부(256)를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 상기 제1 도메인 분할부(182)와 어긋나도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 도메인 분할부(252)는 서로 인접한 제1 도메인 분할부들(182)이 형성된 영역에 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210)의 일 영역에 형성될 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 상기 공통 전극층(CE)의 일부가 오픈되어 형성될 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 제2 폭(w2)을 갖고, 상기 제1 게이트 라인(GL1)을 기준으로 사선 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 상기 제1 도메인 분할부(252)와 평면적으로 볼 때, 서로 평행하게 배열될 수 있다. 상기 제2 폭(w2)은 약 7㎛ 내지 약 9㎛일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제2 폭(w2)은 약 8㎛일 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는, 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 상기 스토리지 라인(STL) 사이에서는 상기 제1 사이 방향으로 연장될 수 있다. 상기 스토리지 라인(STL)과 상기 제2 게이트 라인(GL2) 사이에서는 상기 제2 사이 방향으 로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도메인 분할부(252)는 V-자형, W-자형 등으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 평면적으로 볼 때, 상기 제1 도메인 분할부(182)를 감싸는 형태로 형성되거나, 상기 제1 도메인 분할부(182)에 의해 감싸지는 형태로 형성될 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 상기 액정 분자들의 도메인을 정밀하게 제어하기 위한 노치(notch)들을 포함할 수 있다.
도면으로 도시하지 않았으나, 상기 제2 기판(200)은 상기 공통 전극층(CE) 상에 형성되고, 상기 제1 배향막과 대향하는 제2 배향막을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 배향막은 상기 제1 배향막과 함께, 상기 액정 분자들이 상기 액정층(300)에 일정한 배열 상태를 가질 수 있도록 한다.
상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 개재되어 형성된다. 상기 액정층(300)은 상기 액정 분자들을 포함하는 액정 조성물을 포함한다. 상기 액정 조성물의 굴절률 이방성(Δn)이 약 0.1010 미만인 경우에는 상기 액정층(300)을 통과하는 광이 상기 액정 분자들에 의해 방해를 받아 상기 표시 패널(500)의 광투과율이 낮아질 수 있다. 상기 액정 조성물의 굴절률 이방성(Δn)이 약 0.1030 초과인 경우에는 상기 액정 분자들이 상기 액정층(300)을 통과하는 광을 굴절시키는 정도가 미약해지므로 광투과율을 제어할 수 없는 문제점이 있다. 따라서, 상기 액정 조성물은 굴절률 이방성(Δn)이 약 0.1010 내지 약 0.1030일 수 있다.
상기 액정 조성물의 유전율 이방성(Δε)은 수직 배향 모드에서 적용되도록 음의 값을 갖는 것이 바람직하다. 상기 액정 조성물의 유전율 이방성(Δε)의 절대 값이 약 2.9 미만인 경우에는 상기 액정 조성물의 전도율이 낮아 상기 화소 전극(PE) 및 상기 공통 전극층(CE) 사이의 전계가 상기 액정 분자들에 미치는 영향이 미미하여 상기 액정 분자들의 제어가 어렵다. 상기 액정 조성물의 유전율 이방성 (Δε)의 절대값이 약 3.4 초과인 경우에는 오히려 상기 액정 조성물의 전도율이 높아 상기 액정 분자들의 미세한 방향 제어에 어려움이 있다. 따라서, 상기 액정 조성물의 유전율 이방성(Δε)은 약 -3.4F/m 내지 약 -2.9F/m일 수 있다.
상기 액정 조성물의 상기 액정 분자들은 하기 화학식 1로 나타내는 바이시클로헥실 할로겐 페닐 화합물, 하기 화학식 2로 나타내는 시클로헥실 할로겐 바이페닐 화합물, 하기 화학식 3으로 나타내는 시클로헥실 할로겐 페닐 화합물, 하기 화학식 4로 나타내는 바이시클로헥실 화합물, 하기 화학식 5로 나타내는 시클로헥실 페닐 화합물, 하기 화학식 6으로 나타내는 바이시클로헥실 페닐 화합물, 하기 화학식 7로 나타내는 터페닐 시클로헥실 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112008085556618-PAT00001
<화학식 2>
Figure 112008085556618-PAT00002
<화학식 3>
Figure 112008085556618-PAT00003
<화학식 4>
Figure 112008085556618-PAT00004
<화학식 5>
Figure 112008085556618-PAT00005
<화학식 6>
Figure 112008085556618-PAT00006
<화학식 7>
Figure 112008085556618-PAT00007
상기 화학식 1 내지 7에서, R1, R3, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기를 나타낸다. R1, R3, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 및 R14는 각각 예를 들어, (CH3-), 에틸기(C2H5-), 프로필기(C3H7-), 부틸기(C4H9-) 또는 펜틸기(C5H11-) 등을 나타낼 수 있다.
R5는 탄소수 1 내지 5의 알케닐기를 나타낸다. R5는 탄소간의 이중 결합을 적어도 1이상 포함하는 작용기이다. R5는 예를 들어, 에테닐(C2H3-), 프로페닐(C3H5-, C3H3-), 부테닐(C4H7-, C4H3-) 또는 펜테닐(C5H9-, C5H7-, C5H5-, C5H3-) 등을 나타낼 수 있다.
R2, R4 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알콕시기를 나타낸다. R2, R4 및 R6은 각각 예를 들어, 메톡시기(CH3O-), 에톡시기(C2H5O-), 프로폭시기(C3H7O-), 부톡시기(C4H9O-) 또는 펜톡시기(C5H11O-) 등을 나타낼 수 있다.
X1 내지 X7은 각각 독립적으로 F 또는 Cl을 나타낸다.
상기 액정 조성물에서, 상기 바이시클로헥실 할로겐 페닐 화합물, 상기 시클로헥실 할로겐 바이페닐 화합물 및 상기 시클로헥실 할로겐 페닐 화합물은 상기 액정 조성물의 극성부이다. 상기 극성부가 상기 액정 조성물 전체 중량의 약 49중량% 이하인 경우, 상기 액정 조성물이 전압이 인가되더라도 상기 제1 기판(100)을 기준으로 상기 제1 기판(100)의 표면과 수직한 방향으로 서지 않을 수 있다. 상기 극성부가 약 58중량% 초과인 경우에는 상기 전계에 의한 상기 액정 분자들의 제어가 어렵다. 따라서, 상기 극성부는 상기 액정 조성물 전체 중량의 약 49중량% 내지 약 58중량%를 포함할 수 있다.
상기 액정 조성물에서, 상기 바이시클로헥실 화합물, 상기 시클로헥실 페닐 화합물, 상기 바이시클로헥실 페닐 화합물 6중량% 내지 9중량% 및 상기 터페닐 시클로헥실 화합물은 상기 액정 조성물의 중성부이다. 상기 중성부는 상기 극성부의 함량이 약 49중량% 내지 약 58중량%일 때, 약 42중량% 내지 약 51중량%일 수 있다.
예를 들어, 상기 액정 조성물은 상기 바이시클로헥실 할로겐 페닐 화합물 4중량% 내지 7중량%, 상기 시클로헥실 할로겐 바이페닐 화합물 약 23중량% 내지 약 27중량%, 상기 시클로헥실 할로겐 페닐 화합물 약 22중량% 내지 약 24중량%, 상기 바이시클로헥실 화합물 약 24중량% 내지 약 26중량%, 상기 시클로헥실 페닐 화합물 약 6중량% 내지 약 11중량%, 상기 바이시클로헥실 페닐 화합물 약 6중량% 내지 약 9중량% 및 상기 터페닐 시클로헥실 화합물 약 4중량% 내지 약 6중량%를 포함할 수 있다.
이하에서는, 도 1 내지 도 3을 참조하여 화소 전극의 제1 도메인 분할부 및 공통 전극층의 제2 도메인 분할부에 대해서 상세하게 후술하기로 한다.
도 3은 도 1의 제1 도메인 분할부 및 제2 도메인 분할부를 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1 도메인 분할부(182)는 상기 제1 폭(w1)을 갖는다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 상기 제2 폭(w2)을 갖는다. 예를 들어, 상기 제1 폭(w1) 및 상기 제2 폭(w2)은 각각 약 8㎛일 수 있다. 상기 화소 전 극(PE) 및 상기 공통 전극층(CE)에 형성된 개구의 폭이 약 10㎛인 경우에 비해, 상기 제1 도메인 분할부(182)의 상기 제1 폭(w1) 및 상기 제2 도메인 분할부(252)의 상기 제2 폭(w2)이 약 7㎛ 내지 약 9㎛인 경우가 실질적으로 상기 액정 분자들을 제어할 수 있는 영역이 넓으므로 상기 표시 패널(500)의 개구율이 더 클 수 있다.
상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제2 데이터 라인(DL2)이 교차하는 영역에서 상기 제1 데이터 라인(DL1)이 형성된 영역으로 갈수록, 상기 제2 도메인 분할부(252)의 상기 제2 폭(w2)은 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제2 데이터 라인(DL2)이 교차하는 영역에 인접하게 형성된 상기 제2 도메인 분할부(252)의 상기 제2 폭(w2)은 약 8㎛이고, 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 인접하게 형성된 상기 제2 도메인 분할부(252)의 상기 제2 폭(w2)은 약 10㎛일 수 있다. 이는, 상기 제1 도메인 분할부(182)를 기준으로, 상기 제1 도메인 분할부(182)의 일측에 배치된 상기 화소 전극(PE)의 면적이 상기 제1 도메인 분할부(182)의 타측에 배치된 상기 화소 전극(PE)의 면적보다 클 수 있기 때문이다.
상기 서로 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)들 사이의 거리(w3)가 약 49㎛ 미만인 경우에는, 상기 서로 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)들 사이에 배치되는 상기 제1 도메인 분할부(182)가 상기 제2 도메인 분할부(252)와 너무 가깝게 배치되어 상기 액정 분자들의 정밀한 제어가 어렵다. 또한, 상기 서로 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)들 사이의 거리(w3)가 약 59㎛ 초과인 경우에는, 상기 제2 도메인 분할부(252)와 인접할수록 상기 전계가 미치는 영향이 적어 상기 제2 도메인 분할부(252)와 인접한 상기 액정 분자들을 제어할 수 없다. 따라서, 서로 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)들 사이의 거리(w3)는 약 49㎛ 내지 약 59㎛일 수 있다.
다시 말하면, 상기 표시 패널(500)을 평면적으로 볼 때, 상기 제1 도메인 분할부(182) 및 상기 제1 도메인 분할부(182)와 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252) 사이의 간격(w4, w5)은 약 21㎛ 내지 약 24.5㎛일 수 있다. 상기 제1 도메인 분할부(182) 및 상기 제1 도메인 분할부(182)와 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252) 사이의 간격(w4, w5)은 각 영역마다 서로 다를 수 있다.
이하에서는, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 공통 전극층의 제1 날개부(254) 및 제2 날개부(256)의 형상에 대해서 상세하게 설명하기로 한다.
도 4a는 도 1의 제1 날개부를 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
구체적으로, 도 4a는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)의 일단부인 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
도 4a를 참조하면, 상기 제2 도메인 분할부(252)들과 연결된 상기 제1 날개부(254)들 중에서, 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 인접한 상기 제1 날개부(254)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 전체적으로 평행하게 배치될 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 날개부(254)에서 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 접하는 제1 경계(BD1)는 상기 제1 방향(D1)으로 연장되어 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 평 행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 경계(BD1)와 마주하는 상기 제1 날개부(254)의 제2 경계(BD2)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)을 기준으로 소정 각도(θ1)로 경사지도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 도메인 분할부(252)와 상기 제1 날개부(254)가 연결되는 각도가 커질 수 있으므로 도메인과 도메인 사이에 액정분자의 방향자(Director)가 한 곳으로 모이는 싱귤러 포인트(Singular Point)를 제거할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 도메인 분할부(252) 및 상기 제1 날개부(254)가 연결되는 부분에서도 상기 액정 분자들의 방향을 제어할 수 있으므로, 상기 제2 도메인 분할부(252) 및 상기 제1 날개부(254)가 연결되는 부분에서 액정 분자들을 제어하지 못함으로써 화상을 표시할 수 없는 텍스츄어(texture)의 발생 및 잔상의 발생을 방지할 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)와 상기 제1 날개부(254)가 연결되는 각도는 약 90°초과 약 150°이하일 수 있다.
한편, 상기 제1 날개부(254)의 일단의 모서리는 모따기(chamfering)될 수 있다. 상기 모따기에 의해서, 상기 제1 날개부(254)에서의 싱귤러 포인트가 제거됨으로써 상기 제1 날개부(254)의 일단에서 텍스츄어가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 4b는 도 1의 제2 날개부를 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
도 4b를 참조하면, 상기 제2 도메인 분할부(252)들과 연결된 상기 제2 날개부(256)들 중에서, 상기 제1 데이터 라인(DL1) 및/또는 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 인접한 상기 제2 날개부(256)는 상기 제1 데이터 라인(DL1) 및/또는 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 전체적으로 평행하게 배치될 수 있다.
구체적으로, 상기 제2 날개부(256)에서 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 접하는 제3 경계(BD3)는 상기 제2 방향(D2)으로 연장되어 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제3 경계(BD3)와 마주하는 제4 경계(BD4)는 상기 제2 데이터 라인(DL2)을 기준으로 소정 각도(θ2)로 경사지도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 도메인 분할부(252) 및 상기 제2 날개부(256)가 연결되는 부분의 싱귤러 포인트를 제거함으로써 상기 액정 분자들의 방향을 제어할 수 있으므로, 상기 제2 도메인 분할부(252) 및 상기 제2 날개부(256)가 연결되는 부분에서 텍스츄어가 발생하거나 잔상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)와 상기 제2 날개부(256)가 연결되는 각도는 약 90°초과 약 150°이하일 수 있다.
한편, 상기 제4 경계(BD4)가 소정 각도(θ2)로 기울어져 형성되므로, 상기 제2 날개부(256)에서, 상기 제2 도메인 분할부(252)와 인접한 상기 제3 경계(BD3) 및 상기 제4 경계(BD4) 사이의 거리(w6)는, 상기 제2 날개부(256)의 단부와 인접한 상기 제3 경계(BD3) 및 상기 제4 경계(BD4) 사이의 거리(w7)에 비해 상대적으로 크다. 즉, 상기 제2 날개부(256)에서는, 상기 제2 도메인 분할부(252)에서부터 상기 제2 날개부(256)의 단부로 갈수록 상기 제3 경계(BD3)와 상기 제4 경계(BD4) 사이의 거리는 점점 좁아진다. 상기 제2 도메인 분할부(252)와 인접한 상기 제3 경계(BD3) 및 상기 제4 경계(BD4) 사이의 거리(w6)는 예를 들어, 약 5㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 상기 제2 날개부(256)의 단부와 인접한 상기 제3 경계(BD3) 및 상기 제4 경계(BD4) 사이의 거리(w7)는 예를 들어, 약 3㎛ 내지 약 6㎛일 수 있다.
한편, 상기 제2 날개부(256)의 일단의 모서리는 모따기(chamfering)될 수 있다. 상기 모따기에 의해서, 상기 제2 날개부(256)에서의 싱귤러 포인트가 제거됨으로써 상기 제2 날개부(256)의 일단에서 텍스츄어가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이하에서는, 도 2를 참조하여 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널의 제조 방법에 대해서 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 게이트 라인(GL1), 상기 제2 게이트 라인(GL2) 및 상기 게이트 전극(GE)을 포함하는 상기 게이트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 스토리지 라인(STL)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 게이트 금속층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 상기 게이트 금속층은 물리적 성질이 서로 다른 복수의 금속막들을 포함할 수 있고, 단일막으로 형성될 수 있다.
상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 게이트 절연층(130)을 형성할 수 있다.
상기 게이트 절연층(130)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 액티브 패턴(AP)을 형성한다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 절연층(130)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 반도체층(140a) 및 상기 오믹 콘택 층(140b)을 순차적으로 형성하고, 상기 반도체층(140a) 및 상기 오믹 콘택층(140b)을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 액티브 패턴(AP)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 데이터 라인(DL1), 상기 제2 데이터 라인(DL2), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 포함하는 상기 소스 패턴을 형성한다. 상기 소스 패턴은 상기 액티브 패턴(AP)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 소스 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 소스 금속층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써 형성할 수 있다.
상기 소스 패턴을 포함하는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 패시베이션층(160) 및 상기 유기층(170)을 순차적으로 형성할 수 있다. 상기 드레인 전극(DE) 상의 상기 패시베이션층(160) 및 상기 유기층(170)을 제거하여 상기 콘택홀(CNT)을 형성할 수 있다.
상기 유기층(170)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 화소 전극(PE)을 형성할 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 유기층(170) 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 상기 투명 전극층은 예를 들어, ITO, IZO 등으로 형성될 수 있다.
이에 따라, 도 1 내지 도 3에 도시된 상기 제1 기판(100)을 제작할 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(210) 상에 금속막을 형성하고, 상기 금속막을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써 상기 차광 패턴(220)을 형성할 수 있다. 상기 금속막은 예를 들어, 크롬을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 차광 패턴(220)은 상기 유기 물질을 젯팅하여 형성할 수 있다.
상기 차광 패턴(220)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 컬러필터(230)를 형성할 수 있다. 상기 컬러필터(230)는 컬러 포토레지스트층을 형성하고, 상기 컬러 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 형성할 수 있다. 이와 달리, 상기 컬러필터(230)는 컬러 잉크를 젯팅하여 형성할 수 있다.
상기 차광 패턴(220) 및 상기 컬러필터(230)가 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 오버 코팅층(240)을 형성한다.
상기 오버 코팅층(240)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 상기 공통 전극층(CE)을 형성한다. 상기 공통 전극층(CE)은 상기 오버 코팅층(240) 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층을 사진 식각 공정을 통해 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 상기 투명 전극층은 예를 들어, ITO, IZO 등으로 형성될 수 있다.
이에 따라, 도 1 내지 도 3에 도시된 상기 제2 기판(200)을 제작할 수 있다.
이어서, 상기 제1 기판(100) 상의 가장자리를 따라 실란트(미도시)를 도포하고, 상기 실란트가 형성된 영역의 내부 영역에 상기 액정 조성물을 적하시킬 수 있다. 상기 액정 조성물이 적하된 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200)을 어셈블리함으로써 상기 표시 패널(500)을 제작할 수 있다.
이와 달리, 상기 제1 기판(100) 상의 가장자리를 따라 상기 실란트를 도포하고, 상기 제2 기판(200)을 어셈블리한 후에 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 상기 액정 조성물을 주입하여 상기 표시 패널(500)을 제작할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 낮은 셀 갭을 갖는 표시 패널에서의 개구율 및 광투과율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 날개부(254) 및 상기 제2 날개부(256)의 주변에서 텍스츄어가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 도 5의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 5 및 도 6에서, 본 발명의 실시예 2에 따른 제1 기판은 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 제1 서브 전극 및 제2 서브 전극을 포함하는 화소 전극을 제외하고는 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 실시예 1에 따른 제1 기판과 실질적으로 동일하다. 또한, 본 발명의 실시예 2에 따른 제2 기판은 공통 전극의 제2 도메인 분할부의 수를 제외하고는 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 실시예 2에 따른 제2 기판과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 구체적인 설명은 생략한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 패널(600)은 제1 기판(102), 제2 기판(202) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(102)은 신호 배선들(GL1, GL2, DL1, DL2), 상기 신호 배선들(GL1, GL2, DL1, DL2)과 연결된 스위칭 소자(SW1, SW2) 및 상기 스위칭 소자(SW1, SW2)와 전기적으로 연결된 화소 전극(PE)을 포함한다.
상기 신호 배선들(GL1, GL2, DL1, DL2) 중에서, 제1 데이터 라인(DL1)은 제1 전압을 인가하고, 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 평행한 제2 데이터 라인(DL2)은 상기 제1 전압과 다른 전압 레벨을 갖는 제2 전압을 인가한다. 상기 제1 전압은 상기 제2 전압에 비해 상대적으로 높은 전압 값을 가질 수 있다.
상기 스위칭 소자(SW1, SW2)는 상기 제1 전압을 인가받는 제1 트랜지스터(SW1)와 상기 제2 전압을 인가받는 제2 트랜지스터(SW2)를 포함한다. 상기 제1 트랜지스터(SW1)는 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 연결된다. 상기 제1 트랜지스터(SW1)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 연결된 제1 게이트 전극(GE1), 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 연결된 제1 소스 전극(SE1), 상기 제1 소스 전극(SE1)과 이격된 제1 드레인 전극(DE1) 및 액티브 패턴(AP)을 포함한다. 상기 제2 트랜지스터(SW2)는 상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 연결된다. 상기 제2 트랜지스터(SW2)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 연결된 제2 게이트 전극(GE2), 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 연결된 제2 소스 전극(SE2), 상기 제2 소스 전극(SE2)과 이격된 제2 드레인 전극(DE2) 및 액티브 패턴(미도시)을 포함한다.
상기 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2), 상기 제1 및 제2 소스 전극들(SE1, SE2) 및 상기 제1 및 제2 드레인 전극들(DE1, DE2)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 패시베이션층(160) 및 유기층(170)이 형성된다. 상기 패시베이션층(160) 및 상기 유기층(170)은 상기 제1 드레인 전극(DE1)의 일단을 노출시키는 제1 콘택홀(CNT1) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)의 일단을 노출시키는 제2 콘택홀(CNT2)을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 제1 서브 전극(SP1) 및 상기 제1 서브 전극(SP1)과 이격된 제2 서브 전극(SP2)을 포함한다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 유기층(170) 상 에 형성될 수 있다.
상기 제1 서브 전극(SP1)은 상기 제1 드레인 전극(DE1)의 일단부와 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 콘택함으로써, 상기 제1 트랜지스터(SW1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브 전극(SP1)은 스토리지 라인(STL)을 기준으로, 상기 제1 게이트 라인(GL1)을 향해 사선 방향으로 연장되고 상기 제2 게이트 라인(GL2)을 향해 사선 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 전극(SP1)은 V-자형 또는 W-자형일 수 있다.
상기 제2 서브 전극(SP2)은 상기 제2 드레인 전극(DE2)의 일단부와 상기 제2 콘택홀(CNT2)을 통해 콘택함으로써, 상기 제2 트랜지스터(SW2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브 전극(SP2)은 상기 제1 서브 전극(SP1)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 상기 제2 서브 전극(SP2)은 제1 도메인 분할부(182)를 포함할 수 있다. 상기 제1 도메인 분할부(182)는 상기 제1 게이트 라인(GL1)을 기준으로 상기 제1 게이트 라인(GL1)의 사선 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 상기 제1 서브 전극(SP1) 및 상기 제2 서브 전극(SP2)의 이격된 영역인 이격부(184)도, 상기 제1 도메인 분할부(182)와 동일하게 액정층(300)의 액정 분자들의 도메인을 분할하는 도메인 분할부로서의 역할을 할 수 있다. 상기 제1 도메인 분할부(182)의 제3 폭(w9)은 약 7㎛ 내지 약 9㎛일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제3 폭(w9)은 약 8㎛일 수 있다. 상기 제1 도메인 분할부(182)는, 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 상기 스토리지 라인(STL) 사이에서는 상기 제1 방향(D1)과 상기 제2 방 향(D2)의 제1 사이 방향으로 연장될 수 있고, 상기 스토리지 라인(STL)과 상기 제2 게이트 라인(GL2) 사이에서는 상기 제1 사이 방향과 다른 제2 사이 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2 사이 방향은 상기 제1 사이 방향과 약 90°를 이루는 방향일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도메인 분할부(182)는 V-자형, W-자형 등으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도메인 분할부(182)는 상기 액정 분자들의 도메인을 정밀하게 제어하기 위한 노치(notch)들을 포함할 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 상기 제1 기판(100)과 소정의 셀 갭(dc)을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 셀 갭(dc)은 약 3.1㎛ 내지 약 3.3㎛일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 셀 갭(dc)은 약 3.2㎛일 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 공통 전극층(CE)을 포함한다. 상기 공통 전극층(CE)은 제2 도메인 분할부(252)를 포함한다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 상기 제1 도메인 분할부(182) 및 상기 이격부(184) 사이의 영역과 대응하는 제2 베이스 기판(210)에 형성될 수 있다. 상기 제2 도메인 분할부(252)는 상기 제1 도메인 분할부(182)와 평면적으로 평행하게 형성될 수 있다. 또한, 평면적으로 볼 때, 상기 제2 도메인 분할부(252)는 상기 제1 서브 전극(SP1)과 대응하는 영역에 형성될 수 있고, 상기 제2 서브 전극(SP2)과 대응하는 영역에 형성될 수 있다.
상기 공통 전극층(CE)은 상기 제2 도메인 분할부(252)의 양단부에 각각 형성된 제1 날개부(254) 및 제2 날개부(256)를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 날개부(254) 및 상기 제2 날개부(256)는 각각 상기 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2) 이나 상기 제1 및 제2 데이터 라인(DL1, DL2)과 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 날개부(254) 및 상기 제2 날개부(256)의 구체적인 구조는, 도 4a 및 도 4b에 도시된 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 패널(500)에서와 동일할 수 있다.
상기 액정층(300)은 액정 분자들을 갖는 액정 조성물을 포함할 수 있다. 상기 액정 조성물은 굴절률 이방성(Δn)이 약 0.1010 내지 약 0.1030일 수 있다. 상기 액정 조성물의 유전율 이방성(Δε)은 약 -3.4F/m 내지 약 -2.9F/m일 수 있다.
상기 액정층(300)의 액정 조성물은 일례로, 하기 화학식 1로 나타내는 바이시클로헥실 할로겐 페닐 화합물 약 6 중량%, 하기 화학식 2로 나타내는 시클로헥실 할로겐 바이페닐 화합물 약 25 중량%, 하기 화학식 3으로 나타내는 시클로헥실 할로겐 페닐 화합물 약 24 중량%, 하기 화학식 4로 나타내는 바이시클로헥실 화합물 약 25 중량%, 하기 화학식 5로 나타내는 시클로헥실 페닐 화합물 약 7 중량%, 하기 화학식 6으로 나타내는 바이시클로헥실 페닐 화합물 약 8 중량% 및 하기 화학식 7로 나타내는 터페닐 시클로헥실 화합물 약 5 중량%를 포함할 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112008085556618-PAT00008
<화학식 2>
Figure 112008085556618-PAT00009
<화학식 3>
Figure 112008085556618-PAT00010
<화학식 4>
Figure 112008085556618-PAT00011
<화학식 5>
Figure 112008085556618-PAT00012
<화학식 6>
Figure 112008085556618-PAT00013
<화학식 7>
Figure 112008085556618-PAT00014
상기 액정 조성물의 일례에 따르면, 상기 액정 조성물의 굴절률 이방성은 약 0.101이고, 상기 액정 조성물의 유전율 이방성은 약 -3.4F/m일 수 있다.
다른 예로, 상기 화학식 1로 나타내는 바이시클로헥실 할로겐 페닐 화합물 약 5 중량%, 상기 화학식 2로 나타내는 시클로헥실 할로겐 바이페닐 화합물 약 25 중량%, 상기 화학식 3으로 나타내는 시클로헥실 할로겐 페닐 화합물 약 23 중량%, 상기 화학식 4로 나타내는 바이시클로헥실 화합물 약 25 중량%, 상기 화학식 5로 나타내는 시클로헥실 페닐 화합물 약 10 중량%, 상기 화학식 6으로 나타내는 바이시클로헥실 페닐 화합물 약 7 중량% 및 상기 화학식 7로 나타내는 터페닐 시클로헥실 화합물 약 5 중량%를 포함할 수 있다. 상기 액정 조성물의 다른 예에 따르면, 상기 액정 조성물의 굴절률 이방성은 약 0.103이고, 상기 액정 조성물의 유전율 이방성은 약 -2.9F/m일 수 있다.
상기 셀 갭이 약 3.1㎛ 내지 약 3.3㎛인 표시 패널에 상기 액정 조성물을 이용함으로써, 상기 표시 패널의 응답 속도를 향상시킬 수 있다. 특히, 표시 패널이 동화상을 표시할 때 상기 동화상이 끌리는 것과 같이 시인되는 현상이 감소되고, 순간적으로 발생하는 잔상이 시인되는 현상이 감소될 수 있다.
도 7은 도 5의 제1 도메인 분할부 및 제2 도메인 분할부를 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
도 5, 도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 제2 도메인 분할부(252)의 제4 폭(w10)은 약 7㎛ 내지 약 9㎛일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제4 폭(w10)은 약 8㎛일 수 있다.
상기 제2 서브 전극(SP2)의 폭(w11)이 약 49㎛ 미만인 경우에는, 상기 제2 서브 전극(SP2) 상에 배치되는 상기 제1 도메인 분할부(182)가 상기 이격부(184)와 너무 가깝게 배치되어 상기 액정 분자들의 정밀한 제어가 어렵다. 또한, 상기 제2 서브 전극(SP2)의 폭(w11)이 약 59㎛ 초과인 경우에는, 상기 이격부(184)와 인접할수록 상기 전계가 미치는 영향이 적어 상기 이격부(184)와 인접한 상기 액정 분자들을 제어할 수 없다. 따라서, 서로 인접한 상기 제2 서브 전극(SP2)의 폭(w11)은 약 49㎛ 내지 약 59㎛일 수 있다.
또한, 상기 서로 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)들 사이의 거리(w12)가 약 46.5㎛ 미만인 경우에는, 상기 서로 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)들 사이에 배치되는 상기 제1 도메인 분할부(182)가 상기 제2 도메인 분할부(252)와 너무 가깝게 배치되어 상기 액정 분자들의 정밀한 제어가 어렵다. 상기 서로 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)들 사이의 거리(w12)가 약 55.5㎛ 초과인 경우에는, 상기 제2 도메인 분할부(252)와 인접할수록 상기 전계가 미치는 영향이 적어 상기 제2 도메인 분할부(252)와 인접한 상기 액정 분자들을 제어할 수 없다. 따라서, 서로 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252)들 사이의 거리(w12)는 약 46.5㎛ 내지 약 55.5㎛일 수 있다.
상기 표시 패널(500)을 평면적으로 볼 때, 상기 이격부(184) 및 상기 이격부(184)와 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252) 사이의 간격(w13, w14)은 약 21㎛ 내지 약 24.5㎛일 수 있다. 상기 이격부(184) 및 상기 이격부(184)와 인접한 상기 제2 도메인 분할부(252) 사이의 간격(w13, w14)은 각 영역마다 서로 다를 수 있다.
상기 제1 서브 전극(SP1)과 상기 제2 서브 전극(SP2) 사이의 거리인 상기 이격부(184)의 폭(w15)이 약 4.5㎛ 미만인 경우, 상기 제1 서브 전극(SP1)이 인가받는 상기 제1 전압과 상기 제2 서브 전극(SP2)이 인가받는 상기 제2 전압이 서로 다르므로 상기 제1 전압에 의해 형성된 전계와, 상기 제2 전압에 의해 형성된 전계의 간섭에 의해 상기 액정 분자들의 방향 제어가 어려울 수 있다. 상기 이격부(184)의 폭(w15)이 약 6.5㎛ 초과인 경우, 상기 표시 패널(600)의 개구율이 낮아지는 문제점이 있다. 따라서, 상기 이격부(184)의 폭(w15)은 약 4.5㎛ 내지 약 6.5㎛일 수 있다.
한편, 상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제2 데이터 라인(DL2)이 교차하는 영역에서 상기 제1 데이터 라인(DL1)이 형성된 영역으로 갈수록, 상기 제2 도메인 분할부(252)의 상기 제4 폭(w10)은 커질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제2 데이터 라인(DL2)이 교차하는 영역에 인접하게 형성된 상기 제2 도메인 분할부(252)의 상기 제4 폭(w10)은 약 8㎛이고, 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 인접하게 형성된 상기 제2 도메인 분할부(252)의 상기 제4 폭(w10)은 약 10㎛일 수 있다. 이는, 상기 이격부(184)를 기준으로, 상기 이격부(184)의 일측에 배치된 상기 제1 서브 전극(SP1)의 면적이 상기 이격부(184)의 타측에 배치된 상기 제2 서브 전극(SP2)의 면적보다 클 수 있기 때문이다.
수치적으로 계산하면, 셀 갭이 약 3.55㎛이고, 상기 제1 및 제2 도메인 분할부의 폭이 각각 약 10㎛이고, 상기 제1 서브 전극 및 상기 제2 서브 전극 사이의 거리가 약 8.1㎛이며, 평면적으로 볼 때 상기 제1 및 제2 도메인 분할부 사이의 거리가 약 24.5㎛일 때의 개구율을 100%로 하면, 셀 갭이 약 3.1㎛ 내지 약 3.3㎛이고, 상기 제1 및 제2 도메인 분할부의 폭이 각각 약 7.0㎛ 내지 약 9.0㎛이고, 상기 제1 서브 전극 및 상기 제2 서브 전극 사이의 거리가 약 4.5㎛ 내지 약 6.5㎛이며, 평면적으로 볼 때 상기 제1 및 제2 도메인 분할부 사이의 거리가 약 21㎛ 내지 약 24.5㎛일 때의 개구율은 약 107.5% 내지 약 110㎛일 수 있다. 이는, 표시 패널의 면적에 관계없이 적용될 수 있다. 예를 들어, 40인치 표시 패널, 46인치 표시 패널 및 52인치 표시 패널에 본 발명을 적용하는 경우, 개구율 및 광투과율이 향상될 수 있다.
도면으로 도시하지 않았으나, 본 발명의 실시예 2에 따른 제1 날개부 및 제2 날개부는, 도 5a 및 도 5b에 도시된 본 발명의 실시예 1에 따른 제1 날개부 및 제2 날개부와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 중복되는 구체적인 설명은 생략한 다.
본 발명의 실시예에 따르면, 낮은 셀 갭을 갖는 표시 패널에서의 개구율 및 광투과율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 날개부(254) 및 상기 제2 날개부(256)의 주변에서 텍스츄어가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 개구율 및 광투과율이 향상된 낮은 셀 갭을 갖는 표시 패널을 생산할 수 있다. 또한, 신호 배선과 인접한 영역에서 텍스츄어의 발생이 방지된 표시 패널을 생산할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 제1 도메인 분할부 및 제2 도메인 분할부를 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
도 4a는 도 1의 제1 날개부를 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
도 4b는 도 1의 제2 날개부를 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 도 5의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 5의 제1 도메인 분할부 및 제2 도메인 분할부를 확대하여 나타낸 확대 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
500, 600: 표시 패널 100, 102: 제1 기판
200, 202: 제2 기판 300: 액정층
PE: 화소 전극 SP1, SP2: 제1, 제2 서브 전극
182: 제1 도메인 분할부 184: 이격부
CE: 공통 전극층 252: 제2 도메인 분할부
254, 256: 제1, 제2 날개부

Claims (20)

  1. 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과 연결된 스위칭 소자, 및 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 일 방향으로 연장된 제1 도메인 분할부가 형성된 화소 전극을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판 사이에서 3.1㎛ 내지 3.3㎛의 셀 갭을 갖도록 배치되고, 서로 인접한 제1 도메인 분할부들 사이와 대응하는 영역에 제2 도메인 분할부가 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 0.1010 내지 0.1030의 굴절률 이방성(Δn)을 갖는 액정 조성물이 개재되어 형성된 액정층을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 도메인 분할부의 폭 및 상기 제2 도메인 분할부의 폭 중에서 적어도 어느 하나는 7.0㎛ 내지 9.0㎛인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공통 전극은, 상기 제2 도메인 분할부의 일단과 연결되도록 오픈되어 형성되고 상기 게이트 라인과 인접하게 배치된 제1 날개부를 더 포함하고,
    상기 게이트 라인과 접하는 상기 제1 날개부의 제1 경계는 상기 게이트 라인과 평행하고, 상기 제1 경계와 마주하는 상기 제1 날개부의 제2 경계는 상기 게이트 라인을 기준으로 경사진 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 날개부의 일단의 모서리들 중에서 적어도 하나는 모따기(chamfering)된 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  5. 제1항에 있어서, 평면적으로, 상기 제1 도메인 분할부 및 상기 제1 도메인 분할부와 인접한 상기 제2 도메인 분할부 사이의 간격은 21㎛ 내지 24.5㎛인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제1항에 있어서, 상기 화소 전극은 제1 전압을 인가받는 제1 서브 전극 및 상기 제1 전압과 다른 제2 전압을 인가받고 상기 제1 서브 전극과 이격되며 상기 제1 도메인 분할부를 포함하는 제2 서브 전극을 포함하고,
    상기 스위칭 소자는 상기 제1 서브 전극과 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터 및 상기 제2 서브 전극과 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 서브 전극은 상기 제2 서브 전극과 4.5㎛ 내지 6.5㎛로 이격된 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 서브 전극과 대응하는 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 8㎛ 내지 10㎛이고,
    상기 제2 서브 전극과 대응하는 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 7㎛ 내지 8㎛인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서, 상기 액정 조성물의 유전율 이방성(Δε)은 -3.4 F/m 내지 -2.9 F/m인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  10. 제1항에 있어서, 상기 액정 조성물은
    하기 화학식 1로 나타내는 바이시클로헥실 할로겐 페닐 화합물;
    하기 화학식 2로 나타내는 시클로헥실 할로겐 바이페닐 화합물;
    하기 화학식 3으로 나타내는 시클로헥실 할로겐 페닐 화합물;
    하기 화학식 4로 나타내는 바이시클로헥실 화합물;
    하기 화학식 5로 나타내는 시클로헥실 페닐 화합물;
    하기 화학식 6으로 나타내는 바이시클로헥실 페닐 화합물; 및
    하기 화학식 7로 나타내는 터페닐 시클로헥실 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
    <화학식 1>
    Figure 112008085556618-PAT00015
    <화학식 2>
    Figure 112008085556618-PAT00016
    <화학식 3>
    <화학식 4>
    Figure 112008085556618-PAT00018
    <화학식 5>
    Figure 112008085556618-PAT00019
    <화학식 6>
    Figure 112008085556618-PAT00020
    <화학식 7>
    Figure 112008085556618-PAT00021
    (상기 화학식 1 내지 7에서, R1, R3, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기를 나타내고, R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알케닐기를 나타내고, R2, R4 및 R6은 탄소수 1 내지 5의 알콕시기를 나타내며, X1 내지 X7은 각각 독립적으로 F 또는 Cl을 나타낸다)
  11. 제10항에 있어서, 상기 액정 조성물은
    상기 바이시클로헥실 할로겐 페닐 화합물 4중량% 내지 7중량%;
    상기 시클로헥실 할로겐 바이페닐 화합물 23중량% 내지 27중량%;
    상기 시클로헥실 할로겐 페닐 화합물 22중량% 내지 24중량%;
    상기 바이시클로헥실 화합물 24중량% 내지 26중량%;
    상기 시클로헥실 페닐 화합물 6중량% 내지 11중량%;
    상기 바이시클로헥실 페닐 화합물 6중량% 내지 9중량%; 및
    상기 터페닐 시클로헥실 화합물 4중량% 내지 6중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  12. 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과 연결된 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고, 상기 게이트 라인을 기준으로 사선 방향으로 연장되며 7.0㎛ 내지 9.0㎛의 폭을 갖는 제1 도메인 분할부가 형성된 화소 전극을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판 사이에서 3.1㎛ 내지 3.3㎛의 셀 갭을 갖도록 배치되고, 서로 인접한 제1 도메인 분할부들 사이와 대응하는 영역에 제2 도메인 분할부가 형성된 공통 전극을 포함하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재되어 형성된 액정층을 포함하는 표시 패널.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2 도메인 분할부는 7.0㎛ 내지 9.0㎛의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  14. 제12항에 있어서, 상기 공통 전극은, 상기 제2 도메인 분할부의 일단과 연결되도록 오픈되어 형성되고 상기 게이트 라인과 인접하게 배치된 제1 날개부를 더 포함하고,
    상기 게이트 라인과 접하는 상기 제1 날개부의 제1 경계는 상기 게이트 라인과 평행하고, 상기 제1 경계와 마주하는 상기 제1 날개부의 제2 경계는 상기 게이트 라인을 기준으로 경사진 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  15. 제14항에 있어서, 상기 공통 전극은, 상기 제2 도메인 분할부의 타단과 연결되도록 오픈되어 형성되고 상기 데이터 라인과 인접하게 배치된 제2 날개부를 더 포함하고,
    상기 데이터 라인과 접하는 상기 제2 날개부의 제3 경계는 상기 데이터 라인과 평행하고, 상기 제3 경계와 대향하는 제4 경계는 상기 데이터 라인을 기준으로 경사진 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제2 도메인 분할부와 인접한 상기 제3 경계와 상기 제4 경계 사이의 거리는 5㎛ 내지 10㎛이고, 상기 제2 도메인 분할부에서부터 상기 제2 날개부의 단부로 갈수록 상기 제3 경계와 상기 제4 경계 사이의 거리는 점점 좁아지며, 상기 제2 날개부의 단부와 인접한 상기 제3 경계와 상기 제4 경계 사이의 거리는 3㎛ 내지 6㎛인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  17. 제12항에 있어서, 평면적으로, 상기 제1 도메인 분할부 및 상기 제1 도메인 분할부와 인접한 상기 제2 도메인 분할부 사이의 간격은 21㎛ 내지 24.5㎛인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  18. 제12항에 있어서, 상기 화소 전극은 제1 전압을 인가받는 제1 서브 전극 및 상기 제1 전압과 다른 제2 전압을 인가받고 상기 제1 서브 전극과 이격되며 상기 제1 도메인 분할부를 포함하는 제2 서브 전극을 포함하고,
    상기 스위칭 소자는 상기 제1 서브 전극과 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터 및 상기 제2 서브 전극과 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1 서브 전극은 상기 제2 서브 전극과 4.5㎛ 내지 6.5㎛로 이격된 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제1 서브 전극과 대응하는 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 8㎛ 내지 10㎛이고,
    상기 제2 서브 전극과 대응하는 상기 제2 도메인 분할부의 폭은 7㎛ 내지 8㎛인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
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