TW201240997A - Composition for ultraviolet absorption member and ultraviolet absorption member using the same - Google Patents

Description

201240997 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關含有以式⑴所示至少1種類的金屬錯合 物以及具有選自由硫醇基、胺基、脲基、異氰酸酿基所 ?群、且中1個以上的官能基之至少1種類的矽烷偶合劑的 養外線吸收構件用組成物，以及使用該組成物所製作的 外線吸收構件。 ' 【先前技術】 年在了見光線充分穿透的同時’具有選擇性只遮 蔽备、外線的功此之構件，正被各個產業領域採用中 〇例如》 在π車之1¾破璃或建築物的窗玻璃等之中，由於為了遮蔽 會日曬或引起内料劣化之紫外線，而廣泛地使用紫外線 遮蔽玻璃。 又’在車庫、商品展示窗、商品陳列棚、照明用透明 遮光物等使用的透明樹脂板，或是在各種透明容器等用途 中’使用賦與紫外線遮蔽功能之丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹 月曰、聚Sa樹脂等透明之熱可塑性樹脂的成形物。 如此’為了對玻璃或樹脂等賦與紫外線遮蔽功能，一 般是利用將無機系金屬氧化物微粒子或有機系紫外線吸收 劑作為紫外線吸收劑使用的方法（專利文獻1至4)。 無機系氧化物微粒子的耐光性優良，但相反的，由於 其及收波長疋由材料固有的此帶間隙(band gap)所支配，故 要吸收波長最適化會有困難。再者，大部分的場合，此吸 收光譜是較寬廣，選擇性地只遮蔽所期望的波長區域是受 323954 4 201240997 到限定的。再者，由於在溶劑等之中不能溶解，故通常是 以微粒子分散狀態來使用，但為了確保可見光區域的透明 性而必需使粒徑做成小到奈米級之程度，則需要很大的勞 力與成本。 另一方面，有機系紫外線吸收劑，隨著分子結構的變 更而可能有某種程度的吸收波長變更，又由於可溶解於溶 劑中而使用，故可以比較容易確保可見光區域的透明性。 然而幾乎所有的情形，耐光性並不充足，在紫外線吸收能 的持續力方面，欠缺可信度。又，因為吸光係數小故藉由 塗布難以得到充分的吸收能，而限制了可能適合使用的用 途。 又，有關無機系氧化物微粒子、有機系紫外線吸收劑 的任何一種，幾乎尚不知有可以選擇性吸收38〇至4〇〇nm 波長區域之紫外線’且吸光係數大的材料。

在此’ 380至400nm的紫外線是被分類在稱為UV-A 的比較長波長之紫外線，作為到逹地球表面的太陽光之紫 外線中含量最多’但針對人體而言’已知由於對皮膚的滲 透程度很深，故長時間的曝露會引起色素沉澱（斑點）或起 皺紋。在各個領域中伴隨著高功能化，期望可以充分遮蔽 與可見光區域之境界附近的380至400nm之紫外線，並且 能充分穿透400至780nm的可見光線之材料。 [先前技術文獻] (專利文獻） 專利文獻1 :日本特開2006-052116號公報 323954 5 201240997 專利文獻2:日本特開2010-111729號公報 專利文獻3:日本特開2010-189215號公報 專利文獻4:日本特開2008-274246號公報 【發明内容】 [發明欲解決之課題] 本發明是試圖解決如前述之伴隨以往技術的問題之 發明，本發明的目的是提供一種紫外線吸收構件用組成 物，以及使用該組成物所製作的紫外線吸收構件。而該組 成物具有持續長時間優良的耐光性，在保持高度可見光穿 透率下，可以充分遮蔽以往難以遮蔽的380至400nm區域 之紫外線，並且著色降低。 [解決課題之手段] 本發明是有關如以下所示的紫外線吸收構件用組成 物，以及使用該組成物的紫外線吸收構件。 第1項，一種紫外線吸收構件用組成物，係含有下述 式（1)所示至少一種類的金屬錯合物，以及至少1種類的矽 烷偶合劑，該矽烷偶合劑具有1個以上選自由硫醇基、胺 基、脲基、異氰酸酯基所成群組中的官能基：

323954 6 201240997 (式中’ Υ1、γ2、γ3及Y4分別互相獨立，表示NH、NR5、 氧1原子或硫原子， 歸屬於Y1、γ2、Y3及Y4的NR5之R5是碳數1至8 的烧基、或是可以有取代基之碳數6至15的芳基。又， Y1、Y2、Y3及Y4中至少2個以nr5表示時，此等nr5之 R5表示分別互相獨立的取代基。 又’Z1及Z2是分別互相獨立，表示氮原子、CH或CR6。 歸屬於Z1及Z2的CR6之R6表示可以有取代基之碳數 1至8的烷基、可以有取代基之碳數6至15的芳基、可以 有取代基之碳數4至12的雜芳基、可以有取代基之碳數5 至丨2的雜芳烧基、或碳數7至15的芳烧基。又，z1及z2 皆以CR6表示時，此等CR6的R6表示分別互相獨立的取 代基。 各個R、R、R及R為不存在，或存在時，在與1 個笨環的6個碳原子中除了與5員環共有的2個碳原子以 外之4個碳原子結合的4個氫原子中，1個乃至4個氮原 子可以被取代，取代本ί衣之4個氫原子的取代基全部分別 互相獨立，表示可以有取代基之碳數丨至8的烷基'羥基、 羧基、碳數1至4的烷氧基、鹵原子、可以有取代基之碳 數1至8的烷基胺基磺醯基、可以有取代基之(Ν_嗎啉基） 磺醯基、可以有取代基之(Ν-哌啶基)磺醯基、可以有取代 基之(Ν-吼咯啶基)磺醯基、可以有取代基之(Ν_硫代嗎啉基) 石黃醢基、或可以有取代基之(Ν-派哄基)確醢基， Μ表示金屬原子）。 323954 7 201240997 第2項，在第1項記載的紫外線吸收構 其中’式⑴中的金屬原子M是始原子 用、、且成物’ 子。 _原子、或鋼原 第3項，一種紫外線吸收構件，係使用 項記載的m魏構件肖組錢製作者。1 “ 1或2 第4項，在第3項記载的紫外線吸收構件， it卜線吸收構件用組成物係塗布在有機軸;:基: 是含收構件用組成物，其特徵 具有i個以上選自由硫醇基：斤示的金屬錯合物，以及 成群組的官能基之至少！種_^；=、異氰酸醋基所 式⑴所示的金屬錯合物，料：偶合劑。 非常良好的溶解性及/或分散^上·㈣合劑顯示有 再者’在s亥梦烧偶合劑中驻山 金眉錯合物，可以將式⑴所解或分散式⑴所示的 區的微弱吸收波長位移或是滅低肖合物固有之可見光 到的紫外線吸收構件之可見光穿透^果’可以提间最終付 又’本發明是=紫外線B錢構件，其是使用前述紫 外線吸收構㈣組’藉“⑽旨基材㈣掺配及/ 或在玻璃紐或劃旨騎上實㈣布_製作。 式（1)所示的金屬錯合物，可‘ 从有效地吸收以往難以遮 蔽的380至400nm區域之紫外飧 〜 線，又，與一般的有機系紫 外線吸收劑相比顯不有錢好的耐光性。χ，少量添加可 323954 8 201240997 以賦與充分的紫外線吸收能，又在可見光區中有非常優良 的透明性。 再者式（1)所示的金屬錯合物，在將該矽烷偶合劑作為 前驅體而形成之聚矽氧烷網絡中，發揮安定化，優良的耐 光性。 [發明效果] 依據本發明時，可以提供持續有長時間優良的耐光 性，在保持高度可見光穿透率下，可以充分遮蔽以往難以 遮蔽的380至400nm區域之紫外線，並且降低著色之紫外 線吸收構件用組成物，以及使用該組成物所製作的紫外線 吸收構件。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。 本發明是提供一種紫外線吸收構件用組成物，以及使 用該組成物的紫外線吸收構件，該組成物含有式（1)所示至 少一種類的金屬錯合物，以及至少1種類的矽烷偶合劑， 該石夕烧偶合劑具有1個以上選自由硫醇基、胺基、脲基、 異氰酸酯基所成群組的官能基：

323954 9 201240997 (式中，Υ1、Υ2、Y3及Y4分別互相獨立，表示NH、NR5、 氧原子或硫原子，歸屬於Y1、Y2、Y3及Y4的NR5之R5 是碳數1至8的烷基或可以有取代基之碳數6至15的芳 基。又，Υ1、Υ2、Y3及Y4中至少2個以NR5表示時，此 等NR5之R5表示分別互相獨立的取代基。又，Z1及Z2分 別互相獨立，表示氮原子、CH或CR6，歸屬於Z1及Z2的 CR6之R6表示：可以有取代基之碳數1至8的烷基、可以 有取代基之碳數6至15的芳基、可以有取代基之碳數4 至12的雜芳基、可以有取代基之碳數5至12的雜芳烷基、 或碳數7至15的芳烷基。又，Z1及Z2皆以CR6表示時， 此等CR6的R6表示分別互相獨立的取代基。各個R^R2、 R3及R4為不存在，或存在時，在與1個苯環的6個碳原 子中除了與5員環共有的2個碳原子以外之4個碳原子結 合的4個氫原子中，1個乃至4個氫原子可以被取代，取 代苯環的4個氫原子之取代基全部分別互相獨立，表示可 以有取代基之碳數1至8的烷基、羥基、羧基、碳數1至 4的烷氧基、鹵原子、可以有取代基之碳數1至8的烷基 胺基磺醯基、可以有取代基之(N-嗎啉基)磺醯基、可以有 取代基之(N-哌啶基)磺醯基、可以有取代基之(N-n比咯啶基) 磺醯基、可以有取代基之(N-硫代嗎啉基)磺醯基、或可以 有取代基之(N-哌畊基)磺醯基，Μ表示金屬原子）。 又，式（1)中，有關 Υ1、Υ2、Υ3 及 Υ4、Ζ1 及 Ζ2、R1、 R2、R3、R4、R5、R6及Μ是在以下例示。 式中，就歸屬於Υ1、Υ2、Υ3及Υ4的前述NR5之R5 323954 10 201240997 者，例如，可以列舉：f基、乙基、正丙基、異丙基、正 T基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、新戊基、 %戊基、正己基'異己基、環己基、正庚基、正辛基等烷 基^或苯基、2-甲基苯基、3_甲基苯基、4_曱基苯基、3_ 氯苯基、4-溴笨基、3,4_二氣苯基、萘基等芳基。 * 1，γ15、Y2、γ3及γ4令至少2個以NR5表示時，此 等NR5之R5表示分別互相獨立的取代基。 在此’式⑴中Υι、Υ2、Υ^γ4,從合成方法的簡便 度之觀點而言，係以硫原子為特佳。 式中’就歸屬於Ζ1及Ζ2的前述CR6之R6者，例如， 可以列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級 丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、新戊基、環戊基、正 己基、異己基、環己基、正庚基、正辛基等烷基；或苯基、 2-曱基苯基、3-曱基苯基、4·甲基笨基、3_氣苯基、4漠苯 基、3,4-二氯苯基、萘基等芳基；或，2_呋喃基、2_噻吩基、 5-氣-2-雀吩基、2-π比洛基、2-曙》坐基、5-曱基-2-曙哇基、 2·噻唑基等雜芳基；或4-吡啶基甲基、4_喹啉基曱基、2_ 噻吩基曱基等雜芳烷基；或4-乙醯胺基苄基、3_胺基苄基、 4·胺基苄基、3-甲氧基苄基、2-甲氧基笨乙基、4_(正戊氧 基）’基、2-稀丙氧基苯乙基、5-稀丙基經基-3 -曱氧基节 基、4-苯基苄基、2-溴苄基、3-苯乙基、4-溴苄基、2-氣节 基、3-氯¥基、4-氣节基、6-漠-2-羥基节基、5_漠_3_硝基 -2-羥基苯乙基、4-正丁基）苄基、3-溴曱氧基-4-羥基苄 基、4-苄氧基苄基、6-溴-3-甲氧基-2-羥基苄基、（丨-溴—之― 323954 11 201240997 萘基)-正丙基、2-苄氧基苄基、3,5-雙三氟甲基苯乙基、4-三級丁基苄基、5-溴-2-氟苄基、3-溴-4-甲氧基苄基、5-溴 -2-甲氧基苄基、3_溴氯_2_羥基苄基、4•溴·2-氟苄基、 2-溴-4,5-二甲氧基苯乙基、3,4_伸乙基二氧基苄基、3_溴_4_ 氟苯乙基、6-溴-3,4-亞甲基二氧基苄基、3_溴_4_羥基苄基、 2-溴-5-氟苯乙基、4-氰基苄基、4-三氟苄基、4_(4·氯苯氧 基）苯乙基、4-(N，N-二乙基胺基）苄基、3,4_二乙醢氧基苄 基、4-(N，N-二苯基胺基）苄基、4_[N_(4,4_:側氧基硫代嗎 啉基)]苄基、4-(N-吸咯啶基）苄基、3_(2_羥基乙氧基）苄基、 4-P-羥基乙氧基）苯乙基、4_羥基_3,5_二甲基苄基、羥基 -2-萘基)-正丙基、4_異丙基苄基、4異丁基苄基等芳烷基。 作為前述歸屬於"及z2的（^以的R6之例示者中，從 合成方法1簡易度或反應性之觀點*言’以芳烧基為特佳。 又，Z及Z2皆以CR6表示時，此等CR6的R6表示分 別互相獨立的取代基。 再者式（1)中Z及Z2，從合成方法的簡易度之觀點 而言’以氮原子為特佳。 、R、R3及R4之前述可以有取代

式中’就歸屬於Rl、R2、R3及R4之前述碳數1 式中’就歸屬於R1、r2、r3 基之碳數1至8的烷基者，例如， 2-甲氧基乙基、正丙其、. 323954 12 201240997 的烧氧基者’例如，可以列舉：曱氧基、乙氧基、三級丁 氧基等。 式中，就歸屬於R1、R2、R3及R4之前述鹵基者，例 如’可以列舉：氟基、氣基、溴基、碘基等。 式中，就歸屬於R1、R2、R3及R4之前述可以有取代 基之碳數1至8的烧基胺基績醯基者，例如，可以列舉： N-曱基胺基磺醯基、N_乙基胺基磺醯基、：K-異丙基胺基續 醯基、N-正丙基胺基磺醯基、N-正丁基胺基磺醯基、N，N_ 二甲基胺基磺醯基、N，N-曱基乙基胺基磺醯基、N,N_二乙 基胺基磺醯基、N，N-乙基異丙基胺基磺醯基、ν,Ν-二異丙 基胺基磺醯基、Ν，Ν-二正丙基胺基磺醯基、Ν，Ν•二正丁基 胺基磺醯基、Ν，Ν-二異丁基胺基磺醯基等。 式中，就歸屬於R1、R2、R3及R4之可以有取代基之 (Ν_嗎啉基）磺醯基者，例如，可以列舉··（Ν嗎啉基）磺醯 基、2-甲基(Ν-嗎啉基)磺醯基、3_甲基(Ν_嗎啉基)磺醯基、 2-乙基(Ν-嗎啉基)磺醯基、3_正丙基(Ν_嗎啉基)磺醯基、3_ 正丁基(Ν-嗎琳基)俩基、2,3-二甲基(Ν_嗎琳基)確酿基、 2,6-二甲基(Ν_嗎啭基)續酿基、3·笨基(ν_嗎琳基㈣酿基等。 m Λ中其⑽屬於R1、R2、R3及r4之可以有取代基之 美:土酿基者’例如’可以列舉：（N_旅咬基)續酿 4% 基基)續酿基、3_甲基财咬基)磺酿基、 丙基==基、2_乙基(N，基)·基、4_正 二甲^ 正丁基(Ν·Μ基)伽基、& 323954 一 辰絲)顧基、2,6_二甲基(Ν髮基融基、 13 201240997 4-苯基(Ν-β底贫基)續酿基等。 式中，就歸屬於R1、R2、R3及R4之可以有取代基之 (N-吼嘻咬基）磺醯基者’例如可以列舉：⑽吡咯啶基）續 醯基、2-曱基(N-吡咯啶基）磺醯基、3_曱基(N_吡咯啶基） %醯基、2-乙基(N-吡咯啶基）磺醯基、3_正丙基(N_吡咯啶 基)磺醯基、3-正丁基吡咯啶基)磺醯基、2,4-二甲基(n_ °比咯啶基）磺醯基、2,5-二曱基(N_吡咯啶基）磺醯基、3_苯 基(N-°比咯啶基)磺醯基等。 式中，就歸屬於R1、R2、R3及R4之可以有取代基之 (N-硫代嗎琳基)確醯基者，例如，可以列舉：（n硫代嗎琳 基)績醯基、2·甲基(N-硫代嗎琳基)續醯基、3_甲基(N_硫代 馬琳基)續醯基、2-乙基(N_硫代嗎琳基)續醯基、3_正丙基 (N硫代馬琳基酿基、3_正丁基硫代嗎琳基)續酿基、 曱基(N-硫代嗎琳基)俩基、2,6·二甲基(n-硫代嗎琳 土只酿基、3_苯基硫代嗎琳基)績醯基等。 m式中，就歸屬於RlU及R4之可以有取代基之 、3'f基師咖醢基、 正丁二! 3_正丙基(N-°底0并基)磺醢基、3- 丁基 =㈣基麻基、2,5•二甲基㈣縣)續酿基、 策啶基(N-哌哄基)磺醯基等。 月1J 述 R1、R2、 在與丨s 之各個為不存在，或是存在時， 、本核的6個碳原子中除了與5員環共有的2 323954 201240997 原子以外的4個碳原子結合的4個氫原子中之1個乃至於 4個，理想的是1個或是2個可以被取代，而取代苯環的4 個氬原子之取代基全部分別互相獨立，表示可以有取代基 之碳數1至8的烷基、羥基、羧基、碳數1至4的烷氧基、 鹵基、可以有取代基之碳數1至8的烷基胺基磺醯基、可 以有取代基之(N-嗎啉基)磺醯基、可以有取代基之(N-哌啶 基)磺醯基、可以有取代基之(N-n比咯啶基)磺醯基、可以有 取代基之(N-硫代嗎啉基)磺醯基、或可以有取代基之(N-哌 畊基)磺醯基；從經濟性，即原料的取得簡便度及收率的觀 點而言，係以不存在，或是可以有取代基之碳數1至8的 烷基、鹵基、碳數1至4的烷氧基、可以有取代基之碳數 1至8的烷基胺基磺醯基、可以有取代基之(N-嗎啉基)磺 醯基、可以有取代基之(N-哌啶基）磺醯基、可以有取代基 之(N-吡咯啶基）磺醯基、可以有取代基之(N-硫代嗎啉基) 磺醯基、或可以有取代基之(N-哌畊基)磺醯基為佳；而以 不存在，或是鹵基、碳數1至4的烷氧基、可以有取代基 之碳數1至8的烷基胺基磺醯基、可以有取代基之(N-嗎啉 基)續醯基為較佳，而以不存在為更佳。 除此之外，雖然Y1、Y2、Y3及Y4、Z1及Z2、R1、R2、 R3及R4是分別互相獨立，但從合成方法的簡便度及取得 該金屬錯合物的品質（純度）管理的觀點而言，以Y1 = Y2並 且 Υ3 = Υ4 並且 Ζ1^/2 並且 1^ = 112 = 113 = 114為特佳。 式中，Μ所代表的金屬原子，例如，可以列舉：鈷原 子、鎳原子、或是銅原子等。由該金屬錯合物與矽烷偶合 323954 15 201240997 劑所成的紫外線吸收構件用組成物及最終得到的紫外線"及 收構件的著色降低之觀點而言，以鎳原子為特佳。 式（1)所示金屬錯合物，可以是由下述式（2)所示的配位 基’與金屬函化物、金屬硫酸鹽、金屬醋酸鹽、金屬硝酸 鹽專金屬鹽反應而合成。 式（2):

式（2)中，Y1、γ2、Z1、R1、R2是分別對應於式（1)中 之Y1(及/或是Y3)、Y2(及/或是Y4)、Z1(及/或是Z2)、 R1(及/或是R3)、R2(及/或是R4)。 式（2)所示配位基，例如，可以用「曰本特開昭 56-87575」、「Synthesis 1987, 368」、「Synthesis 1982, 590」、 「Synthesis 1982，1066-1067」、「J.Org.Chem. 2002，67, 5753-5772」、「J.〇rg.Chem. 2002, 67, 5753-5772」、「J.Org. Chem. 1961，26, 3434-3445」、「Gazz.Chim.Ital. 1996, 126, 329-337」、「Gazz.Chim. Ital. 1994, 124, 301- 308」、「日本 特表2007-535421」中所揭示之方法合成。 以下，說明一部分式(2)所示配位基之製造方法。 〈配位基的製造方法〉 i)下述式(3):式(2)中Y】 = Y2= S、Z1。N的情形

323954 16 201240997 例如，可以根據在曰本特開昭56-87575 §己載的方法合 成。即，可藉由將2-胺基苯并°塞嗤(R1及R2為不存在的情 形），或是2-胺基-取代笨并β塞β坐(R1及R2為可以有取代基 之碳數1至8的烧基、經基、叛基、碳數1至4的烧氧基、 或鹵基的情形）在酚等酸觸媒存在下’於150至185°C中加 熱，反應而合成2,2’-亞胺基雙苯并嗟嗤或是2,2’-亞胺基雙 (取代苯并噻唑）° Π)下述式（4):式(2)中Y1= S、YkO'Z^N的情形

例如，可以根據在Synthesis 1987, 368記載的方法合 成。即，將2-胺基酚(R2為不存在的情形）或是2-胺基-取代 酚(R2為可以有取代基之碳數1至8的烷基、羥基、羧基、 碳數1至4的烧氧基、或鹵基的情形）溶解到n，N，-二甲基 甲醯胺(DMF)中’加入作為驗的氫氧化納水溶液，於室溫 攪拌3〇分鐘，在此，滴入S，S，-二甲基·Ν_(24并噻唑 基）二硫代碳亞胺（S，S’-dimethyi_N-(2_benz〇論z〇ly〇

Carb〇nimid〇-dithi〇ate)(Ri 為不存在的情形），或是 ss，-二 甲基取代苯并嘆哇基)]二硫代碳亞胺疋為可以: 取代基之碳數i至8眺基、錄、_、碳數i至4的 烧氧或錄的情形）之DMF溶液，於氮環境下回流而 可以.成2-(2-苯并嗔唾基胺基)苯并^ 苯并嗟哇基)胺基]取代料·。 ^ L (取代 硫代碳亞胺，或 前述S，S，-二甲基_N_(2_苯并噻唑基) 323954 17 201240997 是S，S，-二曱基-Ν-[2-(取代苯并嘆β坐基)]二硫代碳亞胺’例 如，可以根據於Synthesis 1982, 590記載的方法合成。 即，將2-胺基苯并噻唑(R1為不存在的情形），或是2_ 胺基-取代苯并'»塞α坐(R1為可以有取代基之碳數1至8的炫 基、經基、叛基、碳數1至4的烧氧基、或函基的情形) 溶解到DMF中，於水浴或是冰浴下之此溶液中’滴入氫 氧化鈉水溶液，接著滴入二硫化碳’再滴入氫氧化鈉水溶 液後，滴入碘化曱烷，而可以合成S，S*-二曱基-Ν-(2 -苯并 噻唑基)二硫代碳亞胺（R1為不存在的情形），或是S，S^二 甲基-N-(2-取代笨并噻唑基）二硫代碳亞胺(R1為可以有取 代基之碳數1至8的烷基、羥基、羧基、碳數1至4的烷 氧基、或函基的情形）。 iii)下述式(5):式(2)中 Y1^ S、Y2 = NH、Z1= N 的情 形 R1

N Λ

hn, sn

R2 5) 例如’可以根據在Synthesis 1982，1066-1067記載的 方法合成。即，將鄰-伸苯基二胺(R2為不存在的情形）或是 鄰-(取代伸苯基）二胺(R2為可以有取代基之碳數i至8的 烷基、羥基、羧基、碳數丨至4的烷氧基、或齒基的情形) 溶解到DMF t，於其中，滴入s，s，二曱基_Ν·(2苯并嗔唾 基)-二硫代碳亞胺(Ri為不存在的情形），或是s，s，二甲基 Ν·[2_(取代笨并嗟唾基)]_二硫代碳亞胺⑼為可取代 323954 18 201240997 基之碳數1至8的烷基、羥基、羧基、碳數1至4的烧氧 基、或鹵基的情形）之DMF溶液後’回流1〇至16小時， 而可以合成2-(2-苯并嗟β坐基胺基）苯并咪n坐或是2_[2_(取 代苯并噻唑基胺基)]取代苯并咪唑。 iv)下述式（6):式(2)中 Y1 = S、Y2 = NH、Z1 = CH 的 情形

例如’可以根據在 J.Org.Chem. 2002, 67, 5753-5772 兮己 載的方法合成。即’將鄰·伸苯基二胺(R2為不存在的情形） 或是鄰-(取代伸苯基）二胺(R2為可以有取代基之碳數1至8 的烷基、羥基、羧基、碳數1至4的烷氧基、或鹵基的情 形）’與2-苯并嘆β坐基醋酸乙g旨（R1為不存在的情形），或是 2-(取代笨并噻唑基）醋酸乙酯（R1為可以有取代基之碳數i 至8的烷基、羥基、羧基、碳數1至4的烷氧基、或鹵基 的情形）在氮氣環境下’藉由在160Ϊ回流6小時，而可以 合成(2-笨并噻唑基)(2-笨并咪唑基）曱烷或是[2_(取代笨并 噻唑基)][2-(取代苯并咪唑基)]曱烷。 前述2-苯并噻唑基醋酸乙酯，或是2-(取代苯并噻唑 基）醋酸乙酯’例如，可以根據在j 〇rg Chem. 2002, 67, 5753-5772記載的方法合成。 即’混合氰基醋酸乙酯與2_胺基-取代苯硫酚，在氮氣 環境下於120°C反應2小時，而可以合成2-苯并噻唑基醋 323954 19 201240997 酸乙酯，或是2-(取代苯并嗔嗤基）醋酸乙酯。 V)下述式⑺：式(2)中yLyLO、ZkCH的情形

⑺ 例如，可以根據在US3250780記載的方法合成。即， 將2-胺基酚(^及r2為不存在的情形）或是2-胺基-取代酚 (R1及R2為可以有取代基之碳數1至8的烷基、羥基、羧 基、碳數1至4的烧氧基、或鹵基的情形）’與丙二酸混合， 將此混合液一面添加到攪拌下的聚磷酸中一面保溫70 。(：，接著，將此反應液昇溫到175°C，使其反應’ 53.以 合成雙(2-苯并噚唑基）曱烷或是雙[2-(取代苯并噚唑基)]曱 烧。 vi)下述式⑻：式(2)中Y1 = Y2= S、Z^CH的情形

例如，可以根據在 J.〇rg.Chem.1961，26, 3434-3445 記 載的方法合成。即’將2_胺基苯硫紛(r1及R2為不存在的 情形）或是2-胺基-取代苯硫酚(Rl及R2為可以有取代基之 碳數1至8的烧基、經基、叛基、碳數1至4的烧氧基、 或鹵基的情形），與丙二酸混合，將此混合液一面添加到授 拌下的聚鱗酸中一面保溫70°C，接著，將此反應液在125 至15CTC反應2小時，而可以合成雙(2-苯并噻唑基）甲烷或 323954 20 201240997 是雙[2-(取代笼丑 八本并嘍唑基曱烷。

NR5 ' Z^CH vii)下述式(9):式⑺中Y1 = NR5、Y2 的情形

⑼ 例如’可以根據在 Gazz.Chim.Ital. 1996, 126, 329-337 s己載的方法合成。即，將(n取代_)鄰_伸苯基二胺（R1及R2 為不存在的情形）或是(N_取代-)[鄰-(取代伸苯基)]二胺(R1 及R2為可以有取代基之碳數1至8的烷基、羥基、羧基、 碳數1至4的烷氧基、或齒基的情形）’與丙二酸二乙酯混 合，將此混合液在氮氣環境下於155°C回流11小時’而可 以合成雙〇(N-取代）苯并咪唑基）甲烷或是雙[2- (N-取 代)(取代苯并咪唑基)]甲烷。 viii)下述式（10):式(2)中Zi^CR6的情形

(1〇) 例如，可以根據在 Gazz.Chim.Ital.1994，124，301-308 記載的方法合成。如前述，式（1)中就歸屬於Z1或Z2的CR6 的R6者，是以芳烷基為特佳。在此，芳烷基的例子是取 4-吡啶基甲基之情形，以下，說明合成的方法。選擇也對 應4-吼啶基甲基以外之取代基的情形之基質（對應取代基 之醛體），根據同樣的合成方法而可能合成。 323954 21 201240997 iv)所得到之(2·苯并嘍唑基)(2-苯并咪唑基）甲烷，或疋 〇(取代苯并噻唑基)][2_(取代苯并咪唑基)]甲烷’或是 ν)所得到之雙(2-苯并噚唑基）甲烷，或是雙[(2-取代苯 并噚唑基)]甲烷，或是 vi) 所得到之雙(2·苯并噻唑基）曱烷，或是雙[(2-取代苯 并嘆β坐基）甲炫’或是 vii) 所得到之雙[2-(Ν-取代）苯并咪唑基）曱烷或是雙[2-(Ν取代）（取代苯并咪唑基)]曱烷，與 醋酸及醋酸鈉混合，於其中添加4-吡啶基羧基醛使其 反應後，使用鈀-碳等還原， 由iv)所得化合物，可以合成對應的4-[/3，y3- (2-苯并 噻唑基)(2·苯并咪唑基）乙基]叱啶，或是4-[/3，/3-{2 -(取 代苯并噻唑基)} {2-(取代苯并咪唑基）}乙基]比啶 由v)所得化合物，可以合成對應的4-[/3，/3-雙(2-苯并 噚唑基）乙基]吼啶，或是雙{2-(取代苯并噚唑基 乙基]%匕咬 由vi)所得化合物，可以合成對應的4-[召，沒-雙(2_苯 并噻唑基）乙基]吡啶，或是4-[β,β-雙{2-(取代笨并噻唑 基）}乙基]*·比咬 由vii)所得化合物，可以合成對應的4-[/3，θ·雙{2-(Ν_ 取代）笨并咪唑基）乙基]吡啶’或是4-[冷，0 -雙{2-(Ν-取 代)(取代笨并咪唑基）乙基]β比咬。 在ix)式(2)中R1及R2的各個至少一個的取代基為可以 有取代基之碳數1至8的烷基胺基磺醯基、可以有取代基 323954 22 201240997 之(N-嗎琳基）俩基、可以有取代基之(N_ 基、可以有取代基之W各·俩基、 之(Ν·硫代嗎琳基)續酿基、或可以有取代基之 土 磺醯基的情形， 取开暴） 例如’根據在日本特表2007-535421記載的 前述1)至vui)的方法得到之配位基(限定為式( 的各個是*存在’或是存在的情形，在與丨個笨 碳原子中除了和5員環共有的2個碳原子以外 固 子結合的4個氫原子中1至3個被取代者）+ 反原

以有取代基之碳數丨至8的烧基胺基俩基、可 H 基之(N-嗎琳基)續醯基、可以有取代基之冰娘咬 基、可以有取代基之(W綱醯基、可叫取^ 代嗎琳基)伽基、或是可以有取代基之㈣) _^^舉撕得之2,2，姻基絲并料或是2,2- 亞土雙(取代笨并噻唑），以下，說明合成方法。 所得之2,2,姻基雙苯并嗟唾或是2,2，-亞胺基雙 (取代本并噻唑）添加到氯磺酸中，將混合物攪拌一晚。進 〆少，添加亞硫醯氣在50ec攪拌1小時後冷卻到室溫。將 混合物〜到冰上’與吸引過濾之殘留冰—起與—級或二 級胺攪拌，而可以合成對應的22，亞胺基雙(取代苯并嗟 唑）° 《式0)所示金屬錯合物的製造方法》 ’根據在 Polyhedron 2006，25，2363-2374 或 例如· |~ ·-- 323954 23 201240997 J.Org.Chem.2002, 67, 5753-5772等記載的方法，藉由將依 前述i)至ix)的製造方法得到的配位基，與金屬齒化物、金 屬硫酸鹽、金屬醋酸鹽、金屬硝酸鹽等金屬鹽反應，而可 以合成對應的金屬錯合物。即，可藉由根據前述丨)至 的製造方法得到之配位基，與式（1)中之對應M的金屬鹽， 在曱醇、乙醇、水、N，N-二曱基甲醯胺(DMF)等溶劑中反 應而合成。 《含有式（1)所示至少1種類之金屬錯合物，與具有選自由 硫醇基、胺基、脲基、異氰酸酯基所成群組中1個以上的 官能基之至少1種類的矽烷偶合劑的紫外線吸收構件用組 成物之製造方法》 以下說明有關本發明中紫外線吸收構件用組成物。 、作為具有選自由硫醇基、胺基、脲基、異氰酸醋基所 成群組中1個以上的官能基之至少i _的魏偶合劑 者，例如，可以列舉： 一甲氧基矽基丙烷硫醇、三乙氧基矽基丙烷硫醇、 Μ二曱氧基甲基石夕基)小丙统硫醇等，或 、基丙基三甲氧基矽烷、3_胺基丙基三乙氧基矽 烷3胺基内基二乙氧基曱基石夕烧、3供笨基)胺基丙基三 S 、Ν·(2·胺基乙基)_3_胺基丙基三曱氧基石夕烧: Ν-(2-胺基：基)·3_胺基丙基甲基：乙氧基钱、4(2

Si::基)笨乙一基三曱氧基矽烷、三甲氧基矽基伸乙基 ，-雙[3-(三甲氧基矽基）丙基]伸乙基二胺等， 3·脲基丙基三乙氧基矽烷等，或 一 323954 24 201240997 三乙3氧基丙基三甲氧她、3·異氰酸咖基 的觀取得及最終得到之紫外線吸收構件著色降低 燒硫醇、二以二甲氧基石夕基丙烧硫醇、三乙氧基石夕基兩 石夕烧、3侦基^基三f氧基㈣、3·胺基丙基三乙氧基 異㈣^；! 3·腺基丙基三乙氧基錢、 氣基残^ T氧基㈣、3·異級S旨基丙基三乙 三乙氧胺基丙基三甲氧基㈣、3·胺基兩基 ▲况、3-脲基丙基三乙氧基矽烷為更佳。 重量份夕燒偶合劑的使用量，相對於該金屬錯合物10 佳是5 = 2, 5〇”量份’而以3至350重量份為佳，較 的該金屬量份’未達1重量份時’恐怕本發明特徵 量份多時，曰σ物之者色降低效果不能充分發揮，比5〇〇重 物的濃声所得紫外線吸收構件用組成物中之該金屬錯合 能七線:::終得到—構件恐怕不 的濃^ I為了調整本發明的相關紫外線吸收構件用組成物 又可以另外使用溶劑。 ㈣^者’為了調整最終得刺紫外線吸收構件之塗佈膜 ’機械強度切厚等，可以另外添加魏 或金屬縣化物。 (k〇Xlde) 323954 ^如’可以列舉··四f氧基魏 '四乙氧基魏、四 乳基石夕院、四丁氧基魏、f基三f氧基料、甲基三 25 201240997 2土石找、甲基三丙氧基德、甲基三丁氧基錢 土 - (2-甲乳基乙氧基)石找、乙基三甲氧基魏、乙義— 乙氧基魏、乙基三丙氧基㈣、乙基三丁氧基残^ 基-參(2-甲氧基乙氧基)矽烷、己基三甲氧基矽烷、己基： 乙氧基矽烷、己基三丙氧基矽烷、己基三丁氧基矽烷 ，三甲氧基錢、苯基三乙氧基魏、苯基三丙氧基石夕燒、 苯基三丁氧基料、乙絲三甲氧基魏、乙烯基三^ 基石夕统r-甲基丙稀醯氧基丙基三甲氧基石夕统、3·縮水甘 油基氧基丙基三甲氧基料、甲基二甲氧基（乙氧基）石夕 烷、乙基二乙氧基（甲氧基)矽烷、二甲基二甲氧基矽垸、 二甲基二乙氧基矽烷、雙(2·曱氧基乙氧基）二曱基矽烷、 二乙基二乙氧基矽烷、二苯基二曱氧基矽烷、二笨基二乙 氧基梦烧專梦燒烧氧化物，或 鈦烷氧化物、鈽烷氧化物、锆烷氧化物、錫烷氧化物、 紹烷氧化物、鎳烷氧化物、鋅烷氧化物等金屬烷氧化物。 添加此等矽烷氧化物或金屬烷氧化物的情形，可以直 接添加’可以事前將矽烷氧化物及/或金屬烷氧化物水解/ 聚縮合調製成溶膠體後，將此添加。 又，在不損及本發明效果的範圍内，可以適當地添加 硬化劑、硬化觸媒、交聯劑、偶合劑、調平劑、潤滑劑、 抗靜電劑、抗氧化劑、熱安定劑、難燃劑、充填材（filler)、 著色劑、光觸媒材料、防銹劑、撥水劑、導電性材料、抗 結塊(antiblocking)材、軟化劑、離型劑、螢光增白劑等。 又，在不損及本發明效果的範圍内，因應需要，可以 323954 26 201240997 添加以往習知的光吸收劑，也可以併用。 作為可以併用之光吸收劑者，並無特別限定者，例 如，作為有機系光吸收劑者，可以列舉：酞菁系、喹吖酮 系（quinacridone)、啥°丫酮職系、苯并味嗤酮系、酿系、蒽 嵌蒽_ (anthanthrone)系、二嗎D井系、二酮0比嘻并0比洛系、 蒽嵌蒽 _ (anthanthrone)系、陰丹士林(indanthrone)系、黃 蒽酮（flavanthrone)系、紫環酮^ieriiione)系、茈系、異吲 哚琳系、異吲°朵琳酮系、偶氮系、菁（cyanine)系、氮雜菁 (azacyanine)系、方酸菁（squaryiium)系、三芳基曱烷系等有 機色素，或苯二硫醇金屬錯合物系、二硫雜環戊烯 (dithiolene)金屬錯合物系、偶氮金屬系、金屬酞菁系、金 屬萘醜菁（naphthalocyanine)系、卟啉金屬錯合物系等金屬 錯合物系色素，或二笨甲酮系、苯并三唑系、三畊系、水 杨酉文酉曰系、水楊酸笨基g旨系、受阻胺(hindered amine)系、 欠阻酚系、苄酸酯系、磷系、醯胺系、胺系、硫系等有機 系紫外線吸收劑等。 又，作為無機系光吸收劑者，可以列舉：六硼化物、 氧化鎢、複合氧化鎢、氧化鈦、氧化鈽、氧化锆、氧化錫、 乳化鋅、氧化鐵、氧化组、氧化铭、氧化航、氧化紀、氧 化鈣：氧化鎵、氧化鋰、氧化锶、氧化鋇、氧化鎂、氧化 ,、氧化鉈、氧化鎳、氧化鈥、氧化鈷、氧化鉻、氧化鑭、 氧化銳I化給、氧化镨、氧化彭、氧化銪、氧化IL、氧 化铽氧化鏑、氧化鈥、氧化铒、氧化铥、氧化鏡、氧化 錦等金屬氧化物，或IT〇(銦·錫複合氧化物）、Ατ〇(錄-錫 323954 27 201240997 複合氧化物）等複合金屬氧化物，或氮化鈦、氮化鉻等金屬 氣化物。 當調製紫外線吸收構件用組成物時，使用分散機的情 形’例如可以使用：油漆振動器（paint shaker)、球研磨機、 奈米磨碎機（nano mill)、研磨機（attritor)、藍式研磨機 (basket mill)、混砂機（sand mill)、砂研磨機（sand grinder)、 珠粒磨碎機（Dyno_Mill)、Dispermat、Sc 磨碎機、spike mill、攪拌器磨碎機(agitator miu)等媒介物型分散機，或超 曰波均質機、尚麼均質機、超微粒機(Nanomizer)、溶解器 (dissolver)、分散器（disper)、高速葉輪分散機等無媒介物 型分散機。 使用媒介物型分散機的情形，作為可以使用的分散媒 介物者，因應使用的分散機之分散室内部的材質，可以列 舉：不銹鋼、鋼等鋼球小球’或氧化鋁、塊滑石（steatite)、 氧化鍅、锆石、二氧化矽、碳化矽、氮化矽等陶瓷小球， 或鈉玻璃、海比(Haibi)等玻璃小球，或Wc等超硬小球等。 此等小球直是以G.G3至1.5 圍為佳。 《使用紫外線吸收構件用組成物製作的紫外線吸收構件》 藉由將如此彳丨之紫外線吸收構件用組成物捧配到 基材中’可以製作在基材中含有式⑴所示的金屬錯合物之 東外線吸收構件’以及藉由將紫外線吸收構件用組成物塗 布在基材上後㈣m作在基材上具有含有式⑴所示 的金屬錯合物之塗布_紫外線吸收構件。 在以下詳述具有前缝麵的紫外線吸收構件的製 323954 28 201240997 作方法 作為在基材i塗布前述紫外線吸收構件用組成物之 方法，並無制限定，例如，可以列舉：浸潰塗布法、旋 轉塗布法、錢塗布法、滾輪塗布法、凹版塗布法、軟版 印刷法(flex。printing)、筛網印刷法、嘴墨印刷法、棒塗布 法喷霧法、逆轉塗布法（reverse c〇at in幻等習知的方法。 基材依所期望可以是薄獏或板片，形狀並沒有限定。 關於材質也是無特別限定，可關應用途適當選擇而使 =。例如，可以列舉··玻璃等無機系基材，或聚（環）稀煙 ^樹脂、f炭酸醋系樹脂、（甲基）丙烯酸系樹脂、聚酉旨系 ^脂、聚苯乙烯系樹脂、環氧系樹脂、聚氣⑽系樹脂、 H乙烯系樹脂、聚縮料樹脂、聚醯胺系樹脂、聚 醯亞胺系樹脂、氣系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚砜系樹脂、 聚_系樹脂、㈣酮系樹脂、聚_酮系樹脂、聚伸苯 ㈣樹脂料機綠材。其中，從透明性之觀點而言，以 破續、聚(環)歸煙系樹脂、聚碳酸§|系樹脂、（甲基)丙稀酸 系樹脂、聚醋系樹脂、聚笨乙烯系樹脂、環氧系樹脂、聚 驢胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚颯系樹脂、聚鱗礙系樹 月曰、聚醚酮系樹脂、聚伸笨硫謎樹脂為佳。 又’為了防止層間剝離、塗布斑紋之目的下，可以在 塗布前洗淨基材表面㈣方法是無制限定，可 以因應基㈣種類並適當選擇，而實施。通f，可以用超 音波洗淨、w洗淨、氧化鈽粉洗淨、峡淨、驗洗淨、 界面活性航淨、有機溶親料單獨❹，或組合實施。 323954 29 201240997 洗淨結束後，試圖不殘留洗淨劑下進行洗濯並乾燥。 最後得到之紫外線吸收構件的塗布膜膜厚是無特別 限定，可以因應用途而適當地調整，通常是0.01至100" m，以0.01至50/zm為佳，更佳是0.01至30#m。未達 0.01 y m時，恐怕會得不到充分的紫外線吸收能，超過100 // m時，乾燥、般燒時，溶劑等低分子成分會自膜内部蒸 發，導致在膜表面產生凹凸不平，有產生碎裂（crack)現象 之可能性。 煅燒溫度是在80至500°C，而以90至400°C為佳， 更佳是100至300°C。未達80°C時，則矽烷偶合劑或因應 其他必要而併用的矽烷烷氧化物或金屬烷氧化物（溶膠體 等）之聚縮合會很難進行，恐怕會得不到充分的膜強度，超 過500°C時，則式（1)所示金屬錯合物會開始分解，恐怕會 降低紫外線吸收能。 煅燒時間，通常是10分鐘至5小時，而以30分鐘至 3小時為佳。比10分鐘短時，則矽烷偶合劑或因應其他必 要而併用的無機系聚合性單體，無機系高分子材料的聚縮 合會不能進行，恐怕得不到充分的膜強度，比5小時長時， 得不到時間控制效果而不經濟。 在前述紫外線吸收構件用組成物中，含有溶劑等非聚 合性低分子揮發成分的情形，可以在前述煅燒步驟之前設 定乾燥步驟，其乾燥溫度、乾燥時間，可以依使用的溶劑 種類而適當設定。 實施例 323954 30 201240997 以下列舉實施例及比較例，具體說明本發明，但本發 明並不受此等實施例的任何限制。 製造例1 將酚18.8g(0_2莫耳）加熱到50°C使熔融，於其中加入 2-胺基苯并噻唑45.1g (0.3莫耳）後，進一步加熱到180°C， 保溫20小時。之後，將反應液冷卻到80°C，滴入60g的 乙醇，進一步保溫1小時。之後，冷卻到室溫，過濾析出 物，以乙醇洗淨之後，乾燥，得到32.1g作為配位基的白 色2,2’-亞胺基雙苯并噻唑(L1 :參照下述表1)。收率是相 對於2-胺基苯并噻唑為75.5%。 製造例2 在製造例1中除了將2-胺基苯并噻唑45. lg (0.3莫耳) 改使用2-胺基-5,6-二甲基苯并噻唑53.5g (0.3莫耳）之外， 其餘與製造例1同樣操作，得到作為配位基的42.lg白色 2,2’-亞胺基雙(5,6-二曱基苯并噻唑)(L2 :參照下述表1)。 收率是相對於2-胺基-5,6-二甲基苯并噻唑為82.7 %。 製造例3 在製造例1中除了將2-胺基苯并噻唑45.1g(0.3莫耳) 改使用2-胺基-6-氯苯并噻唑55.4g(0.3莫耳）之外，其餘與 製造例1同樣操作，得到作為配位基的37.2 g白色 2,2’-亞胺基雙(6-氯苯并噻唑)(L3 :參照下述表1)。收率是相對 於2-胺基-6-氯苯并噻唑為70.4 %。 製造例4 在製造例1中除了將2-胺基苯并噻唑45.lg(0.3莫耳) 323954 31 201240997 改使用2-胺基_6_甲氧基苯并嗟唾54尊3莫耳）之外，其 餘與製造例1同樣操作，得到作為配位基的41.7g白色2,2，-亞胺基雙(6.甲氧基苯l坐)(L4 :參訂述表1)。收率是 相對於胺基-6-甲氧基苯并噻唑為81.0%。 製造例5 將2胺基笨并嘆。坐9〇 lg(〇 6〇莫耳）溶解到㈣ρ 566 g 中在冰洛下滴入2〇莫耳/L的氣氧化納水溶液36仏(相 田於氫氧化納G.72莫耳），接著滴人二硫化碳QMgG 2莫 =)進步，滴入20莫耳/L·的氫氧化鈉水溶液36mL(相 田於氫氧化鈉0.72莫耳）後，滴入碘化曱烷178 8g(1 26莫 耳）至酿下攪拌2小時後’將此反應液滴入到水3〇〇〇g中， 將析出物過濾，以水洗淨後，乾燥，得到l〇7.2g的S，S，- 一甲基·Ν-(2·笨并噻唑基)二硫代碳亞胺。收率是相對於2_ 胺基苯并嗟唑為70.2%。 將2-胺基酚2i.8g(〇.2〇莫耳）溶解到DMF 944 g中， 於其中加人5莫耳/L的氫氧化納水溶液4QmL(相當於氫 氧化納0.20莫耳），室溫下授拌3〇分鐘後，其:欠於其中 ，入將前述得到之S，S，_二甲基_N_(2_苯并噻唑基）二硫代 炭亞胺酉文鹽5〇.9g(〇.2〇莫耳）溶解到dmf⑷石g中之溶 液/妾著，昇溫到，在氮氣環境下回流6小時後’ 冷部到室溫，將此反應液滴入2〇〇〇g之水中。過濾析出物， 以水洗淨後’乾燥，得到3〇 〇 g的2 (2_苯并嘆吐基胺基） 苯并曙錄5 :參訂述表…㈣是相對於2胺基紛為 56.1%。 323954 32 201240997 製造例6 在裝造例5中除了將2-胺基苯并噻唑9〇 lg(〇 6〇莫耳） 改使用2-賤基_6_甲基苯并噻唑98 5§(〇ό〇莫耳）之外，其 餘與製造$ 5同樣操作，得到ll42g & s，s，.二甲基 N [2 (6甲基本并嗔峻)]一硫代碳亞胺。收率是相對於2_ 胺基-6-甲基苯并噻唑為7〇 9 %。 其次，將製造例5的S，S，-二曱基_N_(2_苯并噻唑基）二 硫代碳亞胺50.9g(0.2莫耳），改使用在此得到的s，s，二曱 基-N-[2-(6、甲基苯并噻唑基)]二硫代碳亞胺53 7g(〇 2莫耳) 之外’其餘與製造例5同樣操作，得到29 4g的2_[2_(6_ 曱基苯并嘍唑基)胺基]苯并噚唑(L6 :參照下述表丨）。收率 是相對於S，S，_二甲基-N-[2_(6_甲基笨并噻唑基)]二硫代碳 亞胺為52.3 〇/〇。 製造例7 除了將製造例5的2-胺基酚21.8g(〇.20莫耳）改使用 2·胺基-4_氣酚28.7g(0.20莫耳）之外，其餘與製造例5同樣 操作，得到32.4g的5-氣-2-(2-苯并噻唑基胺基）苯并噚唑 (L7 :參照下述表1)0收率是相對於孓胺基_4氣酚為幻7 % 〇 製造例8 將鄰-伸苯基二胺21.6g(0.2莫耳）溶解到DMF 944 g 中，於其中滴入將S，S，-二甲基-N-(2-笨并噻唑基)二硫代碳 亞胺50.9g(0.20莫耳）溶解到DMF 1258g中之溶液。接著， 昇溫到.153°C，在氮氣環境下回流丨3小時後，冷卻到〇°c , 323954 33 201240997 於其中滴入2000g水，過遽析出物，以水洗淨後，乾燥， 得到32.0 g的2-(2-苯并噻唑基胺基）苯并咪唑仏8 :參照下 述表1)。相對於鄰-伸笨基二胺，收率為60 1 。 製造例9 混合氰基醋酸乙酯101.8g(0.90莫耳）與2_胺基笨硫酚 112.7g(0.90莫耳）’在氮氣環境下12〇。〇下保溫2小時，將 此反應液冷卻到室溫後，得到黃色油狀的2_苯并噻唑基醋 酸乙酯185.7g。相對於2-胺基苯硫酚收率為93.2%。 混合N-甲基-鄰-伸苯基二胺73 3g(〇 6〇莫耳），與前面 得到之2-苯并噻唑基醋酸乙酯132 8g(〇 6〇莫耳），在氮氣 環境下160 C下回流6小時。此時一面顧去副產物的乙醇 一面回流’將反應液冷卻到室溫後，加入二乙基醚900g， 將析出之黃色固體過濾。在過濾之黃色固體中，加入l500g 的20°/。鹽酸使其溶解。於其中加入活性碳，室溫下攪拌3〇 分鐘後’過濾，將碳酸氫鈉水溶液滴入直到得到之濾液變 成為pH=8為止使其中和之時，得到沉澱物。過濾此，加 入水600g、氣仿600g，攪拌，藉由分液處理取出氣仿層。 顧去氯仿’進一步乾燥，得到微黃色的（2_苯并噻唑 基)(2-(N-曱基苯并咪唑基）甲烷(L9 :參照下述表1)36 9g。 相對於N-甲基·鄰·伸笨基二胺收率為22 〇 %。 製造例10 混合2-胺基酚32.7g(0.30莫耳）與丙二酸15.6g(0.15 莫耳）’將此混合液一面加入於授拌下之聚磷酸390g中一 面保溫在70°C。接著將此反應液昇溫到15〇。(：，保溫3小 323954 34 201240997 時後，冷卻到室溫後滴入水。過濾析出物，水洗後，乾燥， 得到雙(2-苯并噚唑基）曱烷(L10 :參照下述表1)25.3g。相 對於2-胺基酚，收率為67.4 %。 製造例11 除了將製造例10中的2-胺基酚32.7g(0.30莫耳）改使 用2-胺基苯硫酚37.6g(0.30莫耳）之外’其餘與製造例10 同樣操作，得到38.2g的雙(2-苯并噻唑基）甲烷(L11 :參照 下述表1)。相對於2-胺基苯硫酚’收率為90.2 %。 製造例12 混合N-甲基-鄰·伸苯基二胺110.0g(0.90莫耳）與丙二 酸二乙酯72.1g(0.45莫耳），將此混合液在氮氣環境下於 155°C回流11小時。過濾析出物，以二乙基醚洗淨後，加 入20%鹽酸900mL使其溶解，於其中加入活性碳，室溫下 攪拌30分鐘後’過濾，滴入碳酸氫鈉水溶液直到得到之濾 液成為pH= 8為止之時，生成沉澱物。過濾此等，得到灰 色固體。將此灰色固體藉由IPA再結晶精製，乾燥，得到 白色之雙[2-(N-曱基笨并咪唑基)]曱烧(L12 :參照下述表 l)38.1g。相對於N_曱基-鄰-伸笨基二胺，收率為3〇6%。 製造例13 將製造例1得到之2,2’·亞胺基雙苯并料(L1 :參照 下述表l)10g(0_035莫耳），添加到氣續酸⑻〇观莫 耳）中，將混合物在室溫中擾拌18小時，進一步，添加亞 硫酿氯馨莫耳)於5代搜摔丨、時後冷卻到室 溫’將此混合物注入40〇g的w „ S 水上，與吸引過濾後殘留之冰 323954 35 201240997 一起與二異丁基胺13.1g(0.101莫耳）立即攪拌。暖熱到室 溫後，藉由約lmL之50重量％的氫氧化鈉溶液將混合物 作成鹼性。吸引過濾固體，以水洗淨後乾燥，得到薄黃色 的2,2’-亞胺基雙[6-(N，N-二異丁基胺基磺醯基）苯并噻 唑](L13 :參照下述表1)18.6g。相對於2.2’-亞胺基雙苯并 。塞嗤，收率為80.0 %。 製造例14 除了將製造例13之二異丁基胺13.1g(0.101莫耳），改 使用嗎啉8.8g(0.101莫耳）之外，其餘與製造例13同樣操 作，得到15_4g的2.2’-亞胺基雙(6-(N-嗎啉基)磺醯基苯并 噻唑）(L14:參照下述表1)。相對於2,2’-亞胺基雙苯并噻 唑，收率為75.5 %。 將得到的各配位基之結構式在表1中表示。 323954 36 201240997 [表1]

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製造例15 將製造例1得到之配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），溶解到 溫甲醇2250g(60°C)中，於其中滴入將醋酸鈷·4水合物 12.5g(0.05莫耳）溶解到400g溫曱醇中之溶液，將產生之 323954 38 201240997 析出物過濾，以甲醇洗淨後，乾燥，得到橙色之鈷錯合物 (Cl-Co) 28.5g。相對於配位基(L1)，收率是91.4〇/0。 製造例16 除了將製造例15中醋酸銘.4水合物12.5g(〇 〇5莫 耳）’改使用酷酸錄.4水合物12.4g(0.05莫耳）之外，其餘 與製造例15同樣操作，得到紅紫色之鎳錯合物（ci_Ni) 23.5g。相對於配位基(li)，收率是75.4%。 製造例17 除了將製造例15中醋酸鈷.4水合物12.5g(〇.〇5莫 耳）’改使用醋酸銅.1水合物1〇 〇g(〇 〇5莫耳）之外，其餘 與製造例15同樣操作’得到灰綠色之銅錯合物（cl Cu) 24.8g。相對於配位基(L1)，收率是78 9%。 製造例18 除了將製造例15中配位基(Ll)28.3g(〇.l莫耳），改使 用配位基(L2)33.9g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例15同樣 操作，得到橙色之鈷錯合物（C2_c〇) 32 3g。相對於配位基 (L2)，收率是 87.8%。 製造例19 除了將製造例16中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(L3)35.2g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例a同樣 操作，得到紅紫色之鎳錯合物（C3_Ni) 28.〇g。相對於配位 基(L3)，收率是73.6%。 製造例20 除了將製造例17中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 323954 39 201240997 用配位基(L4)34.3g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例ο同樣 操作，得到灰綠色之銅錯合物(C4-Cu) 26.2g。相對於配位 基(L4)，收率是70.0%。 製造例21 除了將製造例16中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(L5)26.7g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例μ同樣 操作，得到紅褐色之鎳錯合物（C5-Ni) 25.2g。相對於配位 基(L5)，收率是85.2%。 製造例22 除了將製造例15中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(L6)28.1g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例15同樣 操作，得到撥色之結錯合物（C6-Co)16.3g。相對於配位基 (L6)，收率是 52.6 %。 製造例23 除了將製造例16中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(L7)30.2g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例16同樣 操作’得到紅紫色之鎳錯合物（C7-Ni) 22.5g。相對於配位 基(L7)，收率是68.2%。 製造例24 除了將製造例17中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(L8)26.6g(0.1莫耳)之外，其餘與製造例π同樣 操作，得到綠色之銅錯合物（C8-Cu) 16.6g。相對於配位基 (L8)，收率是 55.9%。 製造例25 323954 40 201240997 除了將製造例16中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(L9)27.9g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例16同樣 操作，得到紅褐色之鎳錯合物（C9-Ni) 24.4g。相對於配位 基(L9)，收率是79.3%。 製造例26 除了將製造例15中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(L10)25.0g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例15同樣 操作’得到紅色之鈷錯合物（C10-Co)20.3g。相對於配位基 (L10)，收率是 72.8%。 製造例27 除了將製造例15中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(Lll)28.2g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例15同樣 操作’得到紫色之鈷錯合物（Cll-Co) 22.1g。相對於配位基 (L11)，收率是 71.1%。 製造例28 除了將製造例16中配位基(Li)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(Lll)28.2g(0.1莫耳)之外，其餘與製造例16同樣 操作’得到黑綠色之鎳錯合物（cll_Ni)13 5g。相對於配位 基(L11)，收率是43.4%。 製造例29 除了將製造例17中配位基(Li)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(Lll)28.2g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例17同樣 操作’得到綠色之銅錯合物（Cii_Cu)18.6g。相對於配位基 (L11)，收率是 59.4%。 323954 41 201240997 製造例30 除了將製造例16中配位基(Ll)28.3g(0.1莫耳），改使 用配位基(L12)27.6g(0.1莫耳）之外，其餘與製造例16同樣 操作，得到灰色之鎳錯合物（C12-Ni)20.8g。相對於配位基 (L12)，收率是 68.3 %。 製造例31 將製造例13中得到之配位基(L13)4.00g(0.006莫耳) 溶解到溫的DMF 24g(70°C)中，於其中添加醋酸鎳.4水合 物0.75g(0.003莫耳）。將此混合物於70°C中攪拌1小時， 冷卻到室溫後滴入曱醇20g，將產生的析出物過濾，以甲 醇洗淨後，乾燥，得到黃綠色之鎳錯合物(C13-Ni)3.58g。 相對於配位基(L13)，收率是85.9%。 製造例32 將製造例14中得到之配位基(L14)3.49g(0.006莫耳) 溶解到溫的DMF 24g(70°C )中，於其中添加醋酸钻.4水合 物0.75g(0.003莫耳）。將此混合物於70。(：中攪拌1小時， 冷卻到室溫後滴入甲醇20g，將產生的析出物過濾，以甲 醇洗淨後，乾燥，得到黃色之鈷錯合物(C14-Co)3.14g。相 對於配位基(L14)，收率是85.8%。 將得到之各金屬錯合物的結構式在表2中表示。 323954 42 201240997 ' [表 2] 金屬錯合物 式（1) 配位基 式（2) 製造例1 5 C 1 — C 〇 L 1 製造例1 6 C 1 -N i LI 製造例1 7 Cl — C u LI 製造例1 8 C 2 -c ο L 2 製造例1 9 C 3 -N i L 3 製造例2 0 C 4 -C u L 4 製造例2 1 C 5 -N i L 5 製造例2 2 C 6 -C o L 6 製造例2 3 C 7 -N i L 7 製造例2 4 C 8 -C u L 8 製造例2 5 C 9 -N i L 9 製造例2 6 C 1 0-C o L 1 0 製造例2 7 Cl 1 -C o L 1 1 製造例2 8 C 1 1 -N i L 1 1 製造例2 9 Cl 1 - C u L 1 1 製造例3 0 C 1 2-N i L 1 2 製造例3 1 C 1 3-N i L 1 3 製造例3 2 C 1 4-C o L 1 4 (紫外線吸收構件用組成物的調製） 使用在製造例15至製造例32得到的金屬錯合物，得 到以下之表3所示組成比率的紫外線吸收構件用組成物。 323954 43 201240997 又’作為表3中之丙稀酸系樹脂者’是使用丙稀酸甲醋· 曱基丙稀酸乙醋共聚物(Rohm and Haas公司製之商品名： PARALOID B-72)。又’作為表3中之PGMEA是丙二醇單 曱基醚醋酸酯的簡稱。 [分散機的使用] 有......將各成分及0.1 mm 0的二氧化鍅球加到粉碎容 器（Fritsch公司製之商品名：premium line用粉碎容器（内 裝二氧化鍅製）中，使用行星型球磨碎機(Fritsch公司製之 商品名：premium line P-7)，以600rpm分散5分鐘後，冷 卻10分鐘，進一步以llOOrpm分散處理5分鐘。 無......將各成分及攪拌片（stirrer peace)加到玻璃製試 樣瓶中，使用磁攪拌器攪拌20分鐘。 [著色度] 著色度的評估是以目視進行。比較例1至3是不含具 有選自由硫醇基、胺基、脲基、異氰酸酯基所成群組中1 個以上官能基的石夕烧偶合劑系列，此等系列之著色度設定 成△，將此當基準進行比較評估。 ◎ · · ·著色非常小 〇· · ·著色小 △ · ••著色比較大 323954 201240997 【3 著色度 〇 〇 ◎ 〇 〇 〇 ◎ 〇 ◎ 〇 Q 〇 〇 〇 〇 ◎ 〇 〇 ◎ 〇 <1 < < 0 < PQ Ο Q P〇 PL, Ο >—< ~i .-3 Ο Ο Pi (/) > X 分散機 之使用 杯 璀 体 雄 杯 杯 杯 杯 其他成分 1 乙醇（3_00g) ] 1 1 笨基三乙氧基矽烷（3. 00g) 1 PGMEA(1. 50g) 甲苯（1. 00g) 1 1 id 壊 col'l 1 1 1 1 ο 03 • Ο bo ^ Ο 婴① Mgf m ^ « 〇 ο C>3 • y-s S苫 m s•之 « Q CM O ^ s t ^ m \e Q CN3 « S <§* 趙c〇 ^ fi, «9 VH 龙之 « P 矽烷偶合劑 N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(7.60g) 三甲氧基矽基两烷硫醇(7.60g) 3-胺基丙基三甲氧基矽烷（7. 60g) 3-(N-苯基）胺基丙基三甲氧基矽烷(7.60g) 三甲氧基矽基丙烷硫醇（7. 60g) 三甲氧基矽基丙烷硫醇(4. 60g) Ν-(2-胺基乙基）-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(9.60g) 3-胺基丙基三甲氧基矽烷（9. 60g) 3-脲基丙基三乙氧基矽烷（9. 60g) 3-胺基丙基三甲氧基矽烷（4.60g) 3-異SL酸酯基丙基三乙氧基矽烷(4_60g) 3-(N-笨基)胺基丙基三甲氧基矽烷(4. 60g) 三甲氧基矽基丙烷硫醇（4. 60g) 3-脲基丙基三乙氧基矽烷(3.60g) 3-異11酸酯基丙基三乙氧基矽烷(3.60g) 1- 3-胺基丙基三甲氧基矽烷(3. 60g) Ν-(2-胺基乙基)-3-胺基两基三甲氧基矽烷(3.60g) /-N =°· s s—· f sf s- 〇 25 砩银 W 1 d= ? 3-胺基丙基三甲氧基矽烷(7.60g) 3-(N-笨基）胺基丙基三甲氧基矽烷(9. 60g) 1 1 1 I 金屬錯合物 C 1 - C 〇 (0. 40g) C 1 -N i (0.40g) C 1 -N i (0.40g) C 1 -N i (0. 40g) C 1 - C u (0. 40g) C 2 - C 〇 (0 40g) C 3-N i (0.40g) C 4 - C u (0. 40g) C 5 -N i (0. 40g) C 6 - C ο (0. 40g) C 7 -N i (0. 40g) C 8 - C u (0. 40g) C 9 -N i (0.40g) C 1 0 - C 〇 (0. 4〇g) C 1 1 - C 〇 (0. 40g) C 1 1 -N i (0.40g) C 1 1 -Cu (0.40g) C 1 2-N i (0.40g) C 1 3-N i (0.40g) 1 C 1 4 — C ο (0. 40g) C 1 - C o (0.40g) 1 C 1 -N i (0.40g) C 1 - C u (0. 40g) Cl 3-N i (0.40g) j 實施例 r-ί CO 寸 LO CD 卜 00 cn Ο t—i rH r-H CO r-H rH ΙΛ τΗ τ-Η 00 r-4 (Ti T—( ο 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 323954 45 201240997 比較例1至4是不含具有選自由硫醇基、胺基、脲基、 異氰酸酯基所成群組中1個以上之官能基的矽烷偶合劑系 列。當製作後述之紫外線吸收構件時’於實施例1至20 中，所含有之該矽烷偶合劑於煅燒步驟中會產生水解及聚 縮合反應’於形成基質（matrix)而作為該金屬錯合物的黏合 劑的功能。比較例1至4由於不含有如此之基質前驅體， 故需要另外添加丙烯酸系樹脂。 結果，實施例1至20之含有該矽烷偶合劑的系列， 明顯的比比較例1至4之著色要減少。 (紫外線吸收構件的製作） 使用實施例1至20、比較例1至4所得之紫外線吸收 構件用組成物來製作紫外線吸收構件。 [製作方法] 將紫外線吸收構件用組成物，使用旋轉塗布機塗布在 鈉鈣玻璃基材上，之後，室溫下，於氮氣環境中預先乾燥 10分鐘後’在20(TC煅燒1小時，得到紫外線吸收構件。 又’實施例39及比較例8是使用聚碳酸酯基材（住友 Bakelite製’商品名：PolicaaceECK-100)來取代鈉鈣玻璃 基材，煅燒條件設成120°C/1小時。 [紫外線吸收構件的評估] (1)著色度 著色度的評估是以目視進行，如下述將比較例5至7 的著色度設定成△’以此為基準進行比較評估。 ◎ . · ·著色非常小 323954 46 201240997 * 〇· · ·著色小 ♦ △. · ·著色比較大 ·· n色非常大(有混濁） (2)耐光性 關於紫外線吸收構件是使用分光光度計（曰立製作所 股份有限公司製，型號：U-4100)測定；I =380 nm時之吸 光度後’使用成燈耐候試驗儀(xenon weather meter)(Suga 試驗機股份有限公司製’型號：X25)，對此等紫外線吸收 構件照射放射強度60W/m2( λ = 300至400 nm區之累積） 的光1000小時。關於光照射後之紫外線吸收構件，再度測 定λ = 380 rnn時之吸光度，將光照射所致紫外線吸收能的 變化當作吸收殘存率來算出，而加以評估。 吸收殘存率（％)=(光照射後的λ = 380 nm時之吸光 度/光照射前的λ =380 nm時之吸光度）X100 結果在以下之表4中表示。 323954 47 201240997 [表4] 實施例 紫外線吸收 構件用組成物 著色度 吸收 殘存率 (%) 2 1 A 〇 9 8 2 2 B 〇 9 6 2 3 C ◎ 9 7 2 4 D 〇 9 8 2 5 E 〇 9 8 2 6 F 〇 9 6 2 7 G ◎ 9 5 2 8 Η 〇 9 6 2 9 I ◎ 9 4 3 0 J 〇 9 6 3 1 K 〇 9 9 3 2 L 〇 9 5 3 3 Μ 〇 9 5 3 4 N 〇 9 6 3 5 〇 〇 9 5 3 6 P ◎ 9 7 3 7 Q · 〇 9 8 3 8 R 〇 9 6 3 9 S ◎ 9 7 4 0 T 〇 9 4 比較例5 U △ 9 7 比較例6 V Δ 9 7 比較例7 W Δ 9 7 比較例8 X X 9 3 323954 48 201240997 實施例21至40得到的紫外線吸收構件，比比較例5 至8得到的紫外線吸收構件明顯降低著色。加上，實施例 21至40之任何一者，與不含該矽烧偶合劑的比較例$至8 相比’有同等程度的耐光性。 即，依本發明，組合該金屬錯合物與該矽烷偶合劑， 可以長時期維持該金屬錯合物優點的優良耐光性或380至 400 nm區的紫外線之充分遮蔽等，可以僅降低缺點的著 色。 又’在聚碳酸酯基材上實施塗布的實施例39與比較 例8相比時，雖然比較例8因DMF而聚碳酸酯被侵蝕成 白濁，但在實施例39觀測不到聚碳酸酯的侵蝕，可以得到 與在玻璃基材上塗布之際相同沒有變化的良好之膜。 近年，作為]U玻璃專玻璃代替材料而受到注目的聚碳 酸酯，但其有缺乏耐藥品性的很大缺點。若利用本發明中 之紫外線吸收構件驗絲，狀有聚碳酸g旨的侵钱，可 以形成低著色且有高紫外線吸收能之塗布膜。進-步，藉 由該石夕烧偶合劑形成的㈣氧㈣因為不只有耐藥品性，曰 並有高度機械強度，故不難想像可以有效地賦與硬塗膜特 [產業上的可能利用性] ，本發明可以提供’切間持續轉優良耐光性，^ 維持尚度可見光穿透率下，可 s j M充分遮蔽以往難以遮蔽白 380至400 nm區域的紫外線， 諶彼m，丄、 並且者色下降的紫外線吸岭 構件用組成物，及使用該組虏 吨物所製作的紫外線吸收構件 323954 49 201240997 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無0 323954 50

Claims (1)

1. 201240997 七、申請專利範圍： 1. 一種紫外線吸收構件用組成物，係含有式（1)所示之至 少一種類的金屬錯合物，以及至少1種類的矽烷偶合 劑，該矽烷偶合劑具有1個以上選自由硫醇基、胺基、 脲基、異氰酸酯基所成群組的官能基；

   (式中，Y1、Y2、Y3及Y4分別互相獨立，表示NH、 NR5、氧原子或硫原子， 歸屬於Y1、Y2、Y3或Y4的NR5之R5是碳數1至 8的烷基、或可以有取代基之碳數6至15的芳基；又， Y1、Y2、Y3及Y4中至少2個以NR5表示時，此等NR5 之R5表示分別互相獨立的取代基； 又，Z1及Z2分別互相獨立，表示氮原子、CH或 CR6， 歸屬於Z1及Z2的CR6之R6表示可以有取代基之 碳數1至8的烷基、可以有取代基之碳數6至15的芳 基、可以有取代基之碳數4至12的雜芳基、可以有取 代基之碳數5至12的雜芳烷基、或碳數7至15的芳 323954 1 201240997 烷基；又，Z1及Z2皆以CR6表示時，此等CR6的R6 表示分別互相獨立的取代基； 各個R1、R2、R3及R4為不存在，或存在時，在與 1個苯環的6個碳原子中除了與5員環共有的2個碳原 子以外之4個碳原子結合的4個氫原子中，1個乃至4 個氫原子可以被取代，取代苯環之4個氫原子的取代 基全部分別互相獨立，表示可以有取代基之碳數1至8 的烷基、羥基、羧基、碳數1至4的烷氧基、鹵基、 可以有取代基之碳數1至8的烷基胺基磺醯基、可以 有取代基之(N·嗎啉基）磺醯基、可以有取代基之(N-哌 唆基）續醢基、可以有取代基之(N- °比ρ各咬基）續醯基、 可以有取代基之(Ν-硫代嗎啉基)磺醯基、或可以有取代 基之(Ν-哌哄基)磺醯基； Μ表示金屬原子）。 2. 如申請專利範圍第1項所述之紫外線吸收構件用組成 物，其中，式（1)中的金屬原子Μ是鈷原子、鎳原子、 或銅原子。 3. —種紫外線吸收構件，其係使用如申請專利範圍第1 或2項所述之紫外線吸收構件用組成物製作者。 4. 如申請專利範圍第3項所述之紫外線吸收構件，其中， 該紫外線吸收構件用組成物係塗布在有機系或無機系 基材上。 323954 2 201240997 r 四、指定代表圖：本案無圖式。 " (一)本案指定代表圖為：無。 (二)本代表圖之元件符號簡單說明：無。 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

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