201238112 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於檢查FPD之未點亮像素，進行未點亮像素 之修正之檢查修正方法及檢查修正裝置，尤其是關於 OLED面板4之薄膜顯示元件之檢查、適於積體之薄膜顯 示元件之檢查修正方法及檢查修正裝置。 【先前技術】 FPD(Flat Panel Display平面顯示器）之—種即有機EL (Electro Luminescence電致發光）顯示裝置或照明裝置所使 用之 0LED(0rganic Light Emitting Diode 有機發光二極體） 面板，藉由光之提取方向之不同，被分類成頂部發光型與 底部發光型2種，頂部發光型一般為圖丨所示之面板構造。 即，頂部發光型係於玻璃基板801上形成TFT層（Thin Fnm Transistor薄膜電晶體）802，於其上積層透明電極8〇3、有 機發光層804、金屬電極805、絕緣層8〇6，並以樹脂8〇7與 密封玻璃808密封。藉由於透明電極8〇3與金屬電極8〇5之 間施加電壓，並在有機發光層8〇4之内部結合電子與電洞 而發光。在該構成中，頂部發光型從與玻璃基板8〇8相反 之側，提取光810。另一方面，如圖2所示，底部發光型係 從玻璃基板801側提取光82〇。圖2所示之底部發光型由於 必須從TFT電路形成部以外之區域提取光，故開口率較 低，為對大型化有利之構造。另一方面，圖丨所示之頂部 發光型由於在與TFT電路形成部相反之側提取光，故具有 較高之開口率，而難以大型化。因此，頂部發光型多數用 159693.doc 201238112 於行動電話等之小型面板，而底部發光型多數用於電視機 等大型面板。 有機發光層804之膜厚為1〇〇 nm左右，且〇LED面板之特 徵為非常薄。纟製造過程之中《，因裝置發塵等混入異 物’右透明電極803與金屬電極8〇5短路，則該像素為未點 亮。由於伴隨著OLED面板之大型化，每個面板之異物數 増加，未點亮像素增加，故為提高良品率，需提高未點亮 像素修正之需求。 作為OLED面板之未點亮像素之修正技術，目前已知有 於專利2001-118684號公報（專利文獻1)、專利2〇〇5-2766〇〇 號公報（專利文獻2)記載之技術。 根據專利文獻1記載之技術，用雷射從對應於未點亮像 素之金屬電極，除去短路之產生區域。藉此，可使部分被 除去之金屬電極與透明電極之間之有機發光層發光，從而 修復未點亮之像素。 根據專利文獻2記載之技術，以觀察光學系統，檢測未 點亮像素内之異物之位置，並以雷射帶狀地除去異物之周 圍。藉此，異物存在部位被孤立化，從而解除短路，修復 未點亮像素。 由於專利文獻1、2即使修復像素，因雷射照射，仍會在 像素内產生未發光之部分’故必須將未發光之面積抑制為 較小。 另一方面，顯示器之顏色顯示方式大致分類成3種，為3 顏色方式（圖3)、顏色轉換方式（圖4)、及彩色濾光器方式 159693.doc 201238112 (圖5)。圖3〜圖5係以底部發光型為前提而顯示。圖3之3顏 色方式係分別塗敷發光紅色光811之有機材料膜8041、發 光綠色光812之有機材料膜8042、發光藍色光813之有機材 料膜8043之方式，且為提高色純度，亦有併用彩色濾光器 之情形。圖4之顏色轉換方式係使用藍色發光有機材料膜 8044 ’通過將該藍色光8 14進行顏色換轉成紅色光之顏色 轉換層8091，與將綠色光進行顏色轉換之顏色轉換層 8092，藉此獲得紅色光815、綠色光816之方式。圖5之彩 色濾光器方式係使用白色發光有機材料膜8〇45，通過顏色 轉換成紅色光之彩色濾光器8〇93、顏色轉換成綠色光之彩 色渡光器8094、顏色換轉成藍色光之彩色濾光器8〇95，從 而獲得紅色光817、綠色光gig、藍色光819之方式。 在圖3所示之3顏色方式中，必須塗敷3種有機材料，且 塗敷當前是利用真空蒸鍍。但真空蒸鍍會產生因為蔽陰遮 罩之熱膨脹導致之成膜不均，從而難以對應面板之大型 化。作為其他之塗敷方法亦有印刷技術，但其高分子藍色 發光有機材料之開發較晚。在圖4之顏色轉換方式中其 課題為藍色發光有機材料之開發較紅、綠色發光有機材料 難，且顏色轉換效率低。在圖5之彩色濾光器方式中，由 於僅使用白色發光有機材料，故無需塗敷有機材料。在彩 色濾光器中，會產生光量損耗’關於彩色濾光器之製造步 驟’亦可轉用液晶面板中培養之技術，從而仍可預測彩色 濾光器方式會成為面板之大型化中之主流。 彩色遽光器在紅綠藍中分光透射率不同。於圖6顯示彩 I59693.doc 201238112 色;慮光器之分光透射率之一例。601表示紅色彩色濾光器 8093之分光透射率特性，602表示綠色彩色濾光器8〇94之 分光透射率特性，603表示藍色彩色濾光器8〇95之分光透 射率之特性。各彩色濾光器8093、8〇94及8095在透射光之 波長帶域以外透射率極低。根據塗布材料或膜厚，透射率 存在有多少之差異，但顯示大致相同之傾向，例如，如圖 7所不使用波長532 nm之雷射830之情形，由於綠色之彩 色濾光器8094透射率較高，故可使光到達金屬電極8〇;3， 從而可將金屬電極803進行加工，而在紅色與藍色彩色滤 光器8093及8095中，大半之能量被彩色濾光器8〇93及8〇95 吸收’從而使光無法到達金屬電極8〇3。又，若為使高能 量之光到達金屬電極803 ’而增加照射能量，則會導致彩 色濾光器8093及8095較金屬電極803先行熔解。 在專利文獻1及專利文獻2記載之發明中，對金屬電極 803從透明電極805側進行雷射照射’進行削除對應於不良 部位之金屬電極8〇3之一部分之修正。即使紅色、綠色、 藍色彩色渡光器8093至8095中之一者，使用具有高透射率 之波長之雷射’其他2個彩色濾光器透射率仍低，無法從 以來自透明電極805側之雷射照射中單一波長之雷射，進 行全部之像素之修正。 另一方面，對於彩色濾光器方式之OLED面板，係對金 屬電極803從透明電極805側進行異物之檢測，若從與透明 電極805相反側對金屬電極8〇3進行雷射照射，則可無視彩 色濾光器8093至8095之分光透射率，加工金屬電極8们f 159693.doc 201238112 但僅連接異物檢測機構與雷射加工機構，亦難以以微米單 位，對準在異物檢測機構中檢測出之異物檢測位置與雷射 加工機構形成之雷射加工位置。再者，為在使OLED面板 之透明電極805側朝上’以異物檢測機構檢測異物後，從 金屬電極803側進行雷射照射，必須使OLED面板翻面後， 進行雷射照射，從而會導致裝置之複雜化、大型化、生產 時間之延長。又’由於無法從金屬電極8〇3側檢測異物， 故使得OLED面板機械性地向預先求得之座標移動。但， 因使OLED面板翻面時產生之位置偏移或工作台之移動誤 差等’使OLED面板無法移動至所需之位置，從而進行雷 射照射之位置偏移’有增加修正失敗實例之問題。 【發明内容】 本發明之目的在於解決上述之問題，提供一種薄膜顯示 兀件之檢查修正方法及檢查修正裝置，其係即使為彩色濾 光器方式之OLED面板，仍可以單一波長，且高可靠性進 行檢查、修正’而提高良品率。 為解決上述之問題，本發明之修正方法係檢查包含形成 於發光層上之金屬電極膜、及形成於與發光層之金屬電極 膜相反之側之透明電極膜的薄膜顯示元件之發光狀態，並 修正不良部位者’ 1 ’對金屬電極與透明電極施加電力， 使發光層發光，對金屬電極從透明電極側觀察該發光層之 發光狀態’而檢測在發光層未發光之位置；基於該所檢測 之在發光層未發光之位置之資訊，從與透明電極相反之側 對金屬電極照射雷射，而除去在發光層未發光之位置之上 159693.doc 201238112 方之金屬電極膜。 又，為解決上述之問題，本發明之裝置係檢查包含形成 於發光層上之金屬電極膜、及形成於與發光層之金屬電極 膜相反之側之透明電極膜的薄膜顯示元件之發光狀態，修 正不良部位者’其構成為包含：電力施加機構，對薄膜顯 不兀件之金屬電極與透明電極施加電力，使發光層發光； 發光狀態觀察機構，對金屬電極從透明電極側觀察藉由該 電力施加機構施加電力之薄膜顯示元件之發光層之發光狀 態，並檢測在發光層未發光之位置；薄膜除去加工機構， 基於以該發光狀態觀察機構所檢測之在發光層未發光之位 置之資訊，從與透明電極相反之側，對金屬電極照射雷 射，而除去在發光層未發光之位置之上方之金屬電極膜。 根據本發明，在彩色濾光器方式之OLED面板構造中， 可以單一波長之雷射修正未點亮之像素，從而可有助於高 生產率之維持與良品率之提高。 【實施方式】 使用圖式說明本發明之實施形態之一例。 圖8係顯示本發明之實施形態iFpD之檢查修正裝置1〇〇 之概略構成的方塊圖。在圖8中，FPD之檢查修正裝置ι〇〇 係具備點燈檢查部1〇1、檢查修正部102、裝載部1〇3、系 統控制部104而構成，而檢查修正部丨〇2進一步具備檢查缺 陷檢測部105、修正部1〇6。 本實施形態之FPD之檢查修正裝置1〇〇，首先在點燈檢 査部101 ’藉由OLED基板1之點燈檢查，從透明電極側檢 159693.doc -9- 201238112 測缺陷，將其位置資訊記憶於系統控制部104，其次，使 經點燈檢查之OLED基板1經由裝載部103搬送至檢查修正 部102，在檢查修正部1〇2中，使用事先記憶於系統控制部 104之由點燈檢查部101所檢測出之缺陷之位置資訊，進行 對準，以缺陷檢測部105，從透明電極側檢測先前由點燈 檢測部檢測之缺陷後，從與透明電極相反之側，對由修正 部106檢測之OLED基板1之缺陷部位之金屬電極，照射雷 射進行修正。 在本實施例中，OLED基板1之構造為圖5所記載之底部 發光型構造，顏色顯示方式為彩色濾光器方式❶OLED基 板1之大小為例如1300 mmX 1 500 mm。又，說明有點燈檢 查部101 '檢查修正部102、裝載部103存在於同一框體180 内，進行檢查修正之步驟為樹脂、玻璃密封前之步驟之情 形之一例。在密封前之階段’由於金屬電極8〇3與有機發 光層804之表面呈由樹脂層8〇7覆蓋前之裸露露出之狀態， 故為防止有機發光層之劣化，框體18〇之内部之氛圍由從 氣體供給部1 8 1供給之乾燥氮氣等之惰性氣體充滿。 使用圖8，說明點燈檢查部丨〇丨之概略構成。點燈檢查部 1 〇1具備保持移動〇LED基板1之載物台2a、對0LED基板i 供電，點亮全部像素之供電探針單元3a ' 3b、縮小光學系 統4、彩色線感測器5、驅動部9〇a、9〇b。 載物台2a之上表面與〇LED基板丨之玻璃基板8〇ι側之表 面之-部分對向。載物台23為空氣懸浮方式之載物台於 載物台23之上表面，卩-定間隔存在空氣供給口（未圖 159693.doc -10· 201238112 示）。從該等之空氣供給口供給乾燥氮氣，或從該空氣供 給口吸引供給至未圖示之框體之内部之乾燥氮氣，從而使 OLED基板1保持懸浮之狀態，並在懸浮之狀態下向任意之 場所移動。供電探針單元3a、3b藉由驅動部9〇a驅動，沿 著載物台2a之表面移動。 於圖9顯示OLED基板1之俯視圖之一例。此例中，於j片 OLED基板1形成有4塊面板25a~25d。於面板25a〜25d内部 分別形成有顯示區域120、閘極LSI搭載區域121、源極LSI 搭載區域122。於OLED基板1進一步形成有點燈檢查用之 閘極部供電配線123、及閘極部供電用電極墊丨24、源極部 供電配線125、及源極部供電用電極墊126、第二電極供電 配線127、及第二電極供電用電極墊128。供電探針單元“ 係從載物台2a之上方，觸針並供電給閘極部供電用電極墊 124’而供電探針單㈣係從載物台&觸針並供電給源極 部供電用電極塾126、及第二電極供電用電極墊128，從而 點亮OLED基板1之全部像素。供電探針單元以、儿係基於 輸入至系統控制部1()4之OLED基板資訊，自動設定觸針之 探針數或探針之觸針座標1電探針單^、⑽觸針至 閘極部供電用電極塾124、源極部供電用電極墊126、第二 電極供電用電極墊128，則以設置於探針前端部之機械;^ (未圖不）固定於〇刷基板卜0咖基板i藉由載物台 X、Y軸方向，或僅於X軸方向移動 '點燈檢查中，由於於 OLED基板1，由機械臂固定有 男供電探針單T〇3a、3b，故 OLED基板1在移動時’供電探 秌針單T〇3a、3b亦藉由驅動部 I59693.doc • 11 · 201238112 90a與OLED基板1同步於χ、γ軸方向，或僅於χ軸方向移 動。 於OLED基板1之周邊部，於複數個部位設置有定位時作 為基準之校準標記95。 縮小光學系統4之光學倍率為〇 5倍。彩色線感測器5只 要使用竹中系統股份有限公司（ΤΑΚΕχ)之線感測器相機 TLC-7500CL等即可。彩色線感測器5之像素數為75〇〇，像 素尺寸為9·3 μηιχ9·3 μηι。由於OLED基板1為底部發光型 構造，且其發光面在圖5所示之構成中為玻璃基板8〇1之 側’故於載物台2a下部存在用於觀察〇LED基板之檢查區 域之發光狀態以進行點燈檢查之缺口 2〇。縮小光學系統4 與彩色線感測器5配置於OLED基板1與缺口 20之垂直下 方，彩色線感測器5之受光面配置於相對於縮小光學系統4 與OLED基板1之有機發光層8〇5共軛之位置。縮小光學系 統4與彩色線感測器5藉由驅動部9〇b，於χ轴、γ軸，或γ 軸方向移動。縮小光學系統4與彩色線感測器5在初始調 整、或保養時，亦可藉由驅動部9〇1)向ζ軸方向移動。
使用圖10Α及Β與圖11Α及Β，進行〇led基板1之掃描方 法之說明。在圖10A及B之情形中，於載物台2a之搭載 OLED基板1之區域，存在長方形之缺口 2〇&。圖1〇A顯示前 視圖，圖10B顯示俯視圖。如圖1〇B所示，缺口2〇a之大小 為例如X軸方向200 mm，Y軸方向3〇〇 mm。在以載物台2a 保持OLED基板1之狀態下，藉由驅動部9〇b使縮小光學系 統4與彩色線感測器5於χ、γ軸方向移動，藉此，如圖1〇A 159693.doc .12. 201238112 所示’通過載物台2a之缺口 20a掃描〇LED基板1，而檢測 未點亮像素》 當能夠通過載物台2a之缺口 20a進行檢查之區域之檢查 結束時’接著使OLED基板1在載物台2a上移動，以便能夠 使OLED基板1之未掃描之區域通過缺口 2〇&進行檢查。重 複該動作’將OLED基板1之整面進行掃描。點燈檢查時， 供電探針單元3a、3b係在以機械臂固定於〇led基板1之狀 態下移動’但由於若移動次數過多，機械臂會偏移或脫 離’而有OLED基板1破損之虞，故〇leD基板1與供電探針 單元3a、3b之移動次數宜少。如上所述，藉由以縮小光學 系統4與彩色線感測器5為主進行移動而掃描〇lED基板1， 可減少OLED基板1與供電探針單元33、3b之移動次數。 在圖11A及B之情形中，於載物台2a存在狹縫狀缺口 2〇b。圖11A係顯示前視圖’圖11B係顯示俯視圖。如圖 11B所示，缺口 2〇b之大小為X軸方向20 mm，Y軸方向較 OLED基板1之γ軸方向之尺寸1500 mm大，為1700 mm» OLED基板1係在載物台2a上驅動而於X軸方向移動，縮小 透鏡4與彩色線感測器5係由驅動部90b驅動而於γ轴方向移 動。 使OLED基板1與縮小透鏡4、彩色線感測器5於相互正交 之方向移動，藉此，可將OLED基板1之整面進行掃描《在 圖10A及B之情形，由於必須使OLED基板1於X軸方向、γ 轴方向移動’故使得載物台2a之面積擴大，而圖11A及B之 情形’由於OLED基板1之移動方向僅為X軸方向，故可縮 159693.doc „ 201238112 小載物台2a之面積。即，可縮小裝置之佔據面積。 使用圖12，說明點燈檢查部101之動作流程。當〇1^]：)基 板1裝載至點燈檢查部101(S130)，則進行校準（sl31)e以 彩色線感測器5，檢測刻於0LED基板丨之複數個校準標記 95之圖像，並基於由檢測圖像求得之校準標記”之座標， 進行校準。藉由驅動部90a，使供電探針單元3a、儿移 動，觸針至閘極部供電用電極墊124、源極部供電用電極 墊126、第二電極供電用電極墊128供電墊，對〇led基板ι 進行供電，點亮全部像素（S132)0使〇LED基板丨與縮小光 學系統4、彩色線感測器5移動，藉此，掃描〇LED基板^ (5133) ，獲得OLED基板1之圖像。對已檢測之圖像，進行 預先預定之臨限值處理，藉此進行未點亮像素之檢測 (5134) 。 圖13係點燈檢查結果之一例。在〇1^〇基板丨内形成面板 25a〜25d，表示在各面板内之未點亮像素％。此時，即使 對每個面板進行點燈檢查，亦可同時檢查4個面板。點燈 檢查部ιοί與檢查修正部102經由系統控制部1〇4共享座 標，由點燈檢查部101檢測出之未點亮像素26之座標係用 於在檢查修正部102中，特定存在於未點亮像素％之内部 之缺陷位置時。此處，缺陷是指因處理過程中之發塵等， 導致異物混入圖1或圖2所示之透明電極與金屬電極之間， 成為電極間短路之主要原因者。 系統控制部104係判斷基於點燈檢查部〗〇】之結果檢測出 之缺陷之數量，是否比預先設定之規定值入多（8丨35)。未 159693.doc 14 201238112 點“象素有複數個之情形會花費比該面板之檢查修正更 ’例如，若生產時間為300秒，每個未點亮像素 :檢查修正時間為5秒’則將未點亮像素設定為60作為規 疋值A ’在未點亮像素數為6G個以下時，進行檢查修正， 而在未點亮像素數為61個以上時，無法在生產時間内 處理’故廢棄該面板。 如上所述，未點亮像素數為基於生產_間、&查修正時 間而s十算之規定值A以上之情形，該面板會作為不良面板 廢棄’僅可修正之面板接受之後之處理。在判斷未點亮像 素數為6Q個以下之QLED基板中，若未點亮像素較少，例 如為每個面板為5個以下，則即使不進行修正，亦可直接 作為製品使用。因& ’其次’判斷未點亮像素是否為規定 值B以上（S136)，若未點亮像素少於規定值B，則無需進行 檢查t正，移至下—個製造步驟，而^^以上之。l印基板 1由裝載部103向檢查修正部102搬送。 使用圖8，說明缺陷檢查部1〇5與修正部1〇6之概略構 成》缺陷檢查部105包含區域感測器以、成像透鏡7a、半 反射鏡8a、物鏡9a、燈1〇、驅動部9〇c而構成，而修正部 1〇6係具備光源u、擴展器12、均化器13、遮罩14、遮罩 台15、成像透鏡几、7c、半反射鏡8b、物鏡％、區域感測 器6b、及驅動部9〇d而構成。 載物台2b為空氣懸浮方式之載物台，使〇LED基板丄於 X、Y軸方向移動。又，於載物台2b下部，與載物台2&相 同存在缺口 20c ’缺口檢查部1〇5通過缺口 2〇c，配置於 159693.doc 15 201238112 OLED基板1之垂直下方，而修正部i〇6配置於〇led基板1 之垂直上方。缺陷檢查部105之光軸與修正部1〇6之光軸大 致一致，且焦點位置在OLED基板1之有機發光層大致一 致。區域感測器6a、6b、遮罩14配置於與〇LED基板1之有 機發光層共軛之位置。詳於後述，半反射鏡8b僅在用於使 缺陷檢査部105與修正部1 06之光軸與焦點位置一致之初始 調整’或定期保養時配置即可。 缺陷檢查部105藉由驅動部90c於X、Y、Z軸方向進行移 動’而修正部106藉由驅動部90d於X、Y、Z軸方向進行移 動。此時’驅動部90c ' 90d使缺陷檢查部1〇5與修正部ι〇6 同步移動，以使缺陷檢查部1 〇5與修正部1 〇6之光軸、焦點 位置一致。此時，缺陷檢查部1〇5與修正部1〇6可在開環控 制下移動’亦可一面以雷射位移計（未圖示）測定位移，一 面在閉環控制下移動。又，用雷射位移計測定之結果，光 軸產生偏移之情形，只要僅反饋移動該偏移量即可。例 如，若缺陷檢查部105之光軸相對於修正部1〇6之光軸，χ 軸方向僅偏移「+1 μηι」，則只要對缺陷檢査部1〇5之移動 座標修正移動僅「_丨μιη」即可。 區域感測器6a、6b使用索尼之彩色CCD相機：xcl-5005CR等即可。像素數為2448χ2〇5〇，像素尺寸為3判 μηιχ3.45 μηι。物鏡9a之NA為0.9，光學倍率為100倍。燈 為鹵素燈。 光源11為脈衝振盪雷射，波長為532 nm，脈衝寬度為1〇 ns。物鏡9b之NA為〇_4，光學倍率為5〇倍。從光源丨丨照射 159693.doc -16 - 201238112 之雷射光線200係由擴展器12擴大，並由均化器13轉換成 大致均勻之強度分佈，而照射至遮罩14。在照射至遮罩14 之時點，雷射光線200之直徑為3 mm。經由成像透鏡71)與 物鏡9b，將刻於遮罩14之圖案縮小投影至〇LED基板^遮 罩台15之驅動方向為X、Y軸方向，使遮罩14於又、γ轴方 向移動。於遮罩14上存在圓形、環形狀等不同形狀、大小 之開口 ’藉由遮罩台1 5使遮罩移動，藉此可變更縮小投影 至OLED基板1之圖像之形狀或大小。例如，如為θ為〇3 μπι左右的大小之缺陷之情形，選擇外徑25〇 μ〇ι、内徑15〇 μηι之環狀之開口，對0LED基板！之未點亮像素％，進行 外徑5 μιη、内徑3 μΐη左右之環狀之加工；如為0為2 μιη& 右的大小之缺陷之情形，選擇外徑50〇 μΓη、内徑4〇〇 μηΐ2 環狀之開口，對OLED基板1之未點亮像素26，進行外徑1〇 μιη、内徑8 μπι左右之環狀之加工。 使用圖14，說明對未點亮像素26進行雷射照射而加工未 點冗像素26時之狀態之一例。圖14(a)係顯示從缺陷檢查部 105觀察雷射照射前存在於未點亮像素26之缺陷3〇之圖 像；（b)係顯示包含雷射照射前之〇LED基板1之缺陷3〇之 部位之刮面；（c)係顯示從缺陷檢查部1 〇5觀察雷射照射後 存在於未點亮像素26之缺陷30之圖像；及（d)係顯示包含雷 射照射後之OLED基板1之缺陷3〇之部位之剖面。 如圖14(a)所示，缺陷3〇位於缺陷檢查部ι〇5之視野31之 中心。由於已使修正部1〇6與缺陷檢查部1〇5之光軸之焦點 位置大致一致’故只要使缺陷3〇移動至缺陷檢查部1〇5之 159693.doc 17 201238112 視野中心，即可使缺陷30位於修正部1〇6之視野中心。縮 小投影至未點亮像素26之遮罩14之開口為外徑25〇 μηι、内 徑150 μιτι之環形狀，照射能量為〇1 mJ/脈衝。若以上述照 明條件照射1脈衝雷射，則如圖14(c)所示，於未點亮像素 26上形成外徑5 μηι、内徑3 左右之加工痕跡33。不以雷 射照射對缺陷30存在部位加工，而是如圖丨々（句所示，以藉 由脈衝雷射照射所產生之衝擊波將異物3〇之正上方之部分 之金屬電極803予以環狀加工。適當地設定雷射之照射能 量密度’藉此，使有機發光層8〇4成為雷射阻擋層，從而 僅對最上層之金屬電極803之層進行加工。藉此，由於可 使與缺陷30接觸之部分之金屬電極8〇3自周圍孤立化，故 可解除缺陷30所導致之電極間短路，從而修復像素。由於 缺陷30自身未經加工，故可避免飛散之缺陷成為其他缺陷 之原因。 使用圖15 ’說明對未點亮像素26進行雷射照射而加工未 點亮像素26之其他例。圖！ 5(a)係顯示從缺陷檢查部1 〇5觀 察雷射照射前存在於未點亮像素26之缺陷3〇之圖像；（1?)係 顯示包含雷射照射前之〇LED基板1之缺陷3〇之部位之剖 面；（0係顯示從缺陷檢查部ι〇5觀察雷射照射後存在於未 點亮像素26之缺陷30之圖像；及（d)係顯示雷射照射後之 OLED基板1之剖面。 圖15(a)係觀察缺陷3〇位於缺陷檢查部1〇5之視野3 1之中 心之狀態的圖像。由於已使修正部1〇6與缺陷檢查部1〇5之 光轴之焦點位置大致一致’故只要使缺陷30移動至缺陷檢 159693.doc -18- 201238112 查部1 05之視野中心，即可使缺陷3〇位於修正部i 〇6之視野 中心。縮小投影至未點亮像素26之遮罩14之開口為15〇 μιη 之圓形狀，照射能量為〇· 1 mj/脈衝。若以上述照明條件照 射1脈衝雷射，則會如圖15(c)所示，於未點亮像素26形成3 μηι左右之加工痕跡35。藉由雷射照射，圖15(b)所示之金 屬電極803之缺陷3 0之正上方之部位，如圖15(d)所示藉由 雷射照射予以除去加工，從而解除缺陷3〇導致之電極間短 路，修復像素。如圖15(d)所示，在進行圓形狀之加工之情 形，相較於進行如圖14(d)所示之環形狀之加工之情形，可 縮小加工尺寸’從而可抑制非發光面積之增大。 圖16顯示有未點亮像素26存在不同之2個缺陷30、36之 情形。若如缺陷30般，位於未點亮像素26之相對靠近中心 部之場所，則亦可如使用圖14、圖15所說名者，使缺陷刊 移動至缺陷檢查部105之視野之中心，進行雷射照射，形 成加工痕跡33，而如缺陷36般，缺陷為位於未點亮像素％ 之邊緣之情形，若欲使缺陷36移動至缺陷檢查部ι〇5之視 野中心，進行雷射照射而生成加工痕跡3 7，則會導致雷射 之一部分從未點亮像素26脫離，有可能對像素驅動電路或 配線圖案部分造成損傷。 圖17係從缺陷檢查部ι〇5觀察缺陷36之圖像之一例。在 如此之情形下，亦可根據缺陷之尺寸或座標選擇適當之遮 罩形狀，並使缺陷36僅移動基於缺陷之座標或大小計算之 距離，至從缺陷檢查部1〇5之視野中心偏移之位置，進行 射"、、射而形成加工痕跡38。例如，在缺陷％之尺寸為 159693.doc 201238112 0.3 μιη，且存在於從像素邊緣離開2 μη1之位置之情形時， 要使缺陷36位於從視野中心偏移χ軸方向僅+1 μιη之位 置，形成外徑5 μηι、内徑3 μιη左右之環形狀之加工痕跡38 即可。 在初始出貨、或定期保養時進行以下之調整，以使缺陷 檢查部105與修正部1〇6之光轴之焦點一致。圖18僅顯示有 檢查修正部102。將透明OLED基板70搬送至載物台2a，點 亮透明OLED基板70，進行光軸與焦點之調整。如圖i、圖 2所不，一般之〇LED基板係以透明電極與金屬電極夾著有 機發光層，且從透明電極側提取光，但由於透明〇LED基 板70係以透明電極彼此夾著有機發光層，故可從兩個方向 提取光。 從修正部106側，經由具備半反射鏡8b、成像透鏡7c、 區域感測器6b之觀察光學系統107，觀察透明〇LED基板 7〇。一面確認區域感測器6a、6b之圖像，一面使缺陷檢查 部105與修正部i 06向z方向移動，令焦點位置對準透明 OLED基板70之有機發光層。再者，為使光軸一致，以使 缺陷檢查部105與修正部1〇6於X、γ軸方向移動，檢測與 透明OLED基板70相同之區域的方式進行調整。此時，若 於透明OLED基板70形成複數個大小不同之像素或不同形 狀之像素’則容易確認缺陷檢查部105與修正部106之檢測 區域之一致。 調整時’為從修正部106側亦能獲取圖像，必須於雷射 200之光路中，放入觀察光學系統ι〇7之半反射鏡肋，但由 159693.doc •20· 201238112 於修正時’會導致遮斷雷射200之光路，故在調整時以 外，使用未圖示之驅動機構，可使半反射鏡8b從雷射2〇〇 之光路退避。 即使不使用透明OLED基板70 ’亦可使用以鉻等於玻璃 基板上形成圖案之樣品’進行光轴及焦點位置之調整。 圖19係顯示不使用透明〇LED基板7〇之調整方法。在修 正部106之物鏡9b，形成從雷射光源丨丨減少能量而發射之 雷射22所產生之點像71。且，亦可以驅動部9〇(；使缺陷檢 查部105於X、Y、Z軸方向移動，令缺陷檢查部1〇5之焦點 位置對準點像71之座標’從而使光轴、焦點位置一致。在 該方法中，由於無需準備透明OLED基板70，且無需用於 獲取透明OLED基板70之圖像之包含區域感測器6b、成像 透鏡7c、及半反射鏡8b之觀察光學系統1〇7，故可使裝置 構成簡單化。 使用圖20 ’說明缺陷檢查部1〇5之動作流程。當〇LED基 板1搬送至缺陷檢查部105之載物台2b ’則檢測OLED基板1 之校準標記95，進行OLED基板1之校準（S40)。此時，將 物鏡9a更換成光學倍率1〇倍，να 0.28之透鏡，擴大視 野。基於系統控制部104之指令’移動OLED基板1、及缺 陷檢查部105、修正部106，以使未點亮像素26之周邊大致 進入至缺陷檢查部105之視野内（S41)，將物鏡9a更換成NA 〇·9 ’光學倍率1〇〇倍之透鏡，進行精細校準（S42)。此時， OLED基板1與缺陷檢查部105、修正部1〇6可分別於χ方 向、Y方向移動’亦可僅於相互正交之1軸方向移動。圖以 159693.doc 201238112 係OLED基板1之俯視圖，及存在於面板25a之未點亮像素 26與其周邊部之放大圖。在圖21之情形，紅色發光像 素26未點亮，綠色（G)發光像素27、藍色（B)發光像素28鄰 接’而正常 < 紅色發光像素26’，綠色發光像素27'、藍色 發光像素2 8'並列》此處，像素尺寸係紅、綠、藍發光像素 之尺寸全部為80 μπι><240 μιη。未點亮像素26存在缺陷30。 獲取與未點亮像素26相同發光色之紅色發光像素26,之 圖像（S43) ’其次’移動OLED基板1、缺陷檢查部1〇5、及 修正部106，使未點亮像素26，或其周邊部大致進入至缺 陷檢查部105之視野内（S44)，獲取未點亮像素26之圖像 (S45)。由於區域感測器6a之OLED基板1上之視野為85 μηι><70 μιη左右，故只要如圖21所示，將面板25a之1像素 劃分成4個檢測範圍29a〜29d，進行圖像獲取，將該等合 併’生成1像素份之圖像即可。以使未點亮像素26位於合 併後之圖像之大致中心的方式對準位置，個別獲取4個圖 像。此時’亦可獲取未點亮像素26以外之區域之圖像。 其次，以系統控制部104，進行已獲取之未點亮像素26 之圖像與紅色發光像素26'之圖像之定位（S46),獲得差圖 像（S47)’從而可突顯缺陷30。對差圖像進行預先決定之 臨限值處理（S48) ’將亮度值為臨限值以上者作為缺陷擷 取（S49)。在圖21之例中，紅色、綠色、藍色發光像素全 部為相同之大小，但由於根據紅色、綠色、藍色發光像 素’有像素之大小不同之情形’故宜為獲取與未點亮像素 159693.doc • 22. 201238112 相同發光色之像素彼此之差圖像。 以系統控制部1〇4，判斷可否基於缺陷檢查部1〇5之檢查 結果，修正未點亮像素26，使用圖22說明判斷可否修正之 流程。 首先，確認在未點亮像素26中有無缺陷（S5〇)。即，確 認在S49中是否摘取有缺陷。此時，若未檢測出缺陷，則 係由於因TFT層形成步驟之不良等，異物混入以外之原 因，導致像素未點亮’故判斷該像素無法修正。 其次，在S49中擷取有缺陷之情形，確認缺陷之存在部 位（S51)。如圖16所述，若根據缺陷之位置之不同，進行 雷射照射，則雷射亦有可能照到像素驅動電路或配線圖案 等之部分，該情形，會對像素驅動電路或配線圖案等之部 分產生損傷，從而有-可能產生電路引起之其他之缺陷。確 認缺陷之存在部位，因雷射照射導致產生電路引起之缺陷 之情形’亦判斷該像素無法修正。 其次，基於檢測圖像或差圖像。將缺陷進行分類 (S52) ’進行求得缺陷之大小或長度之量測（S53)。根據缺 陷種類或大小之不同，亦存在無法修正之情形，且該缺陷 確實致命之情形時，仍判斷該像素無法修正（S5斗）。 由於在未點亮像素26存在複數個缺陷之情形，係對全部 之缺陷進行雷射照射，故未點亮像素26成為非發光之面積 會增大。又，在缺陷尺寸大之情形，由於為解除電極間短 路，必須在較大之形狀，對未點亮像素26進行加工，故該 情形時，亦會使成為非發光之面積增大。形成有㈦μπΐ2 159693.doc •23- 201238112 加工痕跡之情形’非發光面積為19 6〆，形成有θι〇㈣ 之加工痕跡之情形，非發光面積為78 5 一。在藉由雷射 照，’將成為非發光之面積之容許值規定為像素整體之 乂下之凊形，像素尺寸為80 μηιχ240 μηι時，若非發光 面積超過96 μ〆，則判斷該像素無法修正。 如上所述，由於成為非發光之面積必須抑制纟一定值以 下’故在因雷射照射使像素内之成為非發光之面積為規定 值C以上之情形，亦判斷該像素無法修正。 藉由上述判斷可否修正之流程，判斷為該像素可修正之 情形，移至如下所示之修正步驟（S56)。 使用圖23說明修正部1G6之動作流程。基於缺陷3〇之座 標或大小等之資訊’決定遮罩14之形狀、大小（s6〇)。使 缺陷30移動至缺陷檢查部1〇5之視野中心（s6i)。決定照射 倉b量等之照明條件（S62)，進行雷射照射（s63卜例如，若 遮罩14之形狀為外徑25〇 μιη、内徑15〇 之環形狀則以 0.1 mJ/脈衝之照射能量進行雷射照明，若遮罩14之形狀為 外徑5〇0μιη、内徑4〇〇μΓΏ2環形狀，則以〇 2mj/脈衝之照 射能量進行雷射照明。因遮罩14之非開口部或成像透鏡 7b、物鏡9b之透射率，會導致產生照射能量之損耗調整 照射2能量，以使在未點亮像素26面之照射能量密度為2〇 J/cm〜1〇.〇 j/cm2之範圍。像素内存在複數個缺陷之情形， 判斷是否已修正全部之缺陷（S64)，若有未修正之缺陷， 則對其他缺陷再次進行「％〇〜63」（S65)。若全部之缺陷 都完成修正，則對下一個未點亮像素進行檢查修正 159693.doc -24· 201238112 (S66)。 以上，已說明在點燈檢査部1〇1之動作流程（圖12)、在 缺陷檢查部105之動作流程（圖20)、未點亮像素之判斷可否 修正之流程（圖22)、修正部106之動作流程（圖23)。使用圖 24說明檢査修正裝置整體之動作流程。 在點燈檢查部101中，實施圖12中所說明之〇LED基板1 之點燈檢查，及OLED基板1之判斷可否修正等之點燈檢查 步驟S130〜136。在S136中判斷為要修正之〇LED基板丨係經 由裝載部103 ’搬送至檢查修正部1〇2，實施圖2〇中說明之 精細校準、及缺陷檢測等之缺陷檢查步驟S4〇〜49。系統控 制部104係基於缺陷檢查部105之檢查結果，實施圖22中說 明之判斷可否修正步驟S50〜56,從而判斷未點亮像素26可 否修正。對在S55中判斷為可修正之未點亮像素％，實施 檢查修正部102之修正部106中，圖23中說明之修正步驟 S60〜66所記載之修正步驟。 若完成全部之未點亮像素26之判斷可否修正，則〇led 基板1再次被搬送至點燈檢查部101，實施圖12中說明之點 燈檢查步驟S13G〜136所記載之點燈檢查步驟，在經過修正 步驟之面板之未點亮像素數多於規定值A之情形，廢棄面 板，而在未點亮像素數少於規定值B之情形，下判斷作為 製品合格。在料修正㈣之面板之未點亮像隸為規定 值A以下且規定值“上之情形，檢查員需判斷是否將面 板從產線拔出’再次重複檢查修正㈣。在㈣段即使 判斷為廢棄面板，只要生產時間有餘度，則仍可再次重複 159693.doc •25· 201238112 檢查修正步驟。 在本實施例中，雖已以OLED基板1在樹脂、玻璃密封前 之步驟中進行檢查修正之一例進行說明，但亦可在OLED 製造步驟之任意一個步驟中進行檢查修正。例如，亦可在 進行樹脂、玻璃密封，對每個面板進行切斷後進行檢查修 正。該情形’由於處理基板之大小變小，故可使裝置佔據 面積縮小。但該情形’變成需要有用於將存在於缺陷部位 上之樹脂或玻璃基板部分除去之機構（例如，FIB(F〇cused Ion Beam聚焦離子束）加工裝置）’及將缺陷部位處理後， 用於對上述部分除去之樹脂或玻璃基板之部分，填充相當 於樹知或玻璃基板之物質之機構（例如，雷射Cvd (Chemical Vapor Deposition化學氣相沉積）裝置）等。 又，在樹脂、玻璃密封步驟前進行檢查修正之情形，對 雷射照射部喷射He氣體等輔助氣體，可抑制熔融飛散物之 飛散。或亦可於雷射照射部附近配置吸管，吸收熔融飛散 物。由於熔融飛散物向周圍飛散有可能產生新的缺陷，故 可藉由以輔助氣體抑制飛散物之量，或以吸管吸收飛散 物，而降低產生新的缺陷之概率。 在本實施例中，雖已以點燈檢查部1〇1與檢查修正部i 〇2 位於同一框體内之例進行說明，但亦可位於各自之框體。 產線起動時，製造步驟還未穩定，異物混入至〇LED面板i 之頻率亦較高，進行修正之頻率增高。為縮短生產時間， 必須縮短OLED基板1從點燈檢查部1〇1至檢查修正部1〇2之 搬送時間，在如此之情形下，點燈檢查部1〇1與檢查修正 I59693.doc -26 · 201238112 部102存在於同一框體内為有效β 另一方面若製造步驟成熟，則裝置發塵之頻率亦降低， 點燈檢查之結果’未點亮像素為固定值Β以下，無需修正 之實例增加。即，將OLED基板1從點燈檢查部ίο〗搬送至 檢查修正部102之頻率降低，使點燈檢查部丨〇丨與檢查修正 部102存在於同一框體之必要性降低。在樹脂密封步驟前 進行檢查修正之情形，由於係用乾燥氮氣充滿裝置内部， 故將點燈檢查部101與檢查修正部1 〇2劃分至各自之框體， 使裝置小型化有助於降低運轉成本。 在本實施例中’在檢查修正部1 〇2檢査修正後之點燈檢 查’雖已以將OLED基板1再次搬送至點燈檢查部1〇ι，在 點燈檢查部101進行檢查之例進行說明，但亦可以檢查修 正部102進行點燈檢查。該情形，於檢查修正部1 〇2内亦配 備供電探針單元，在檢查修正中，亦使全部像素總是點 亮。若藉由修正修復像素，則由於在修正完成之時點，會 使其發光’故可確認在缺陷檢查部1〇5之區域感測器6&有 無點亮。系統控制部1〇4係記錄在點燈檢查部1〇1藉由點燈 檢查所檢測出之未點亮像素數，與在檢查修正部1〇2中修 復之像素數，計算最終之未點亮像素數。將其與規定值B 相比較，若為規定值B以上，則判斷為作為不良面板廢 棄。由於若在檢查修正部丨〇2中，進行點燈檢查，則可省 略OLED基板1之搬送，故能夠縮短生產時間。 圖25A及B係顯示將以在本實施例中說明之檢查修正裝 置檢查之結果輸出之的晝面之一例。 159693.doc • 27· 201238112 圖25 A係顯示表示檢查某一 〇LED基板之結果之例。晝面
2500係表示OLED基板即素玻璃基板之ID編號2501、〇LED 基板内之面板編號2502、在該面板内檢測出之未點亮像素 數2503、在本檢查修正裝置中處理之結果修正成功之數 2504、為修正對象外之非修正像素數2505、最終之未點亮 像素數2506、及作為面板之判斷最終合格與否之結果 2507 〇 另一方面，圖25B係顯示以圖表，表示由檢查修正裝置 檢査之結果之經時變化之畫面25 10的例。以圖表表示在以 本檢查修正裝置檢查獲得之各面板檢測出之未點亮像素數 25 11 ’與最終未點亮像素數25丨2之經時變化，藉此，能夠 把握OLED基板製造步驟之缺陷產生之狀況，從而可防異 狀之產生於未然。 在本實施例中，雖係以底部發光構造之〇LD基板丨為前 提進行說明，但亦可對頂部發光構造之〇LED基板進行檢 查修正。在檢查修正頂部發光構造之〇LED基板之情形， 只要在點燈檢查部，對圖8所示之點燈檢查部丨〇丨之構成， 將進行點燈檢查之縮小透鏡4、彩色線感測器5設置於 OLED基板1之上方即可。又，只要在檢查修正部，對圖8 所示之檢查修正部1〇2之構成，將缺陷檢査部1〇5設置於 OLED基板之上方，將修正部1〇6設置於〇led基板之下方 向即可。 雖已以OLED基板1之大小為13〇〇 mmx 15〇〇 例進行 說明’但玻璃基板之大小並無需限定於此。 159693.doc -28· 201238112 β關於缺陷檢査部105,雖已以圖8中缺陷檢測方法為明視 場之例進行說明，但亦可如圖26所示，藉由暗視場檢測進 灯缺陷檢測。在圖26所示之構成中，係以聚光透鏡“，將 從光源80照射之光聚集於〇LED基板丨，並以電流鏡8以、 82b ’於X轴方向、γ轴方向進行掃描。使來自缺陷之散射 光經由物鏡9a、成像透鏡7&，在區域感測器以處檢出。 將缺陷進行暗視場檢測，藉此，可相對較高感度地檢測 來自照射有照明光之異物之散射光，從而可檢測更小之缺 陷。 ' 關於點燈檢查部101雖已以縮小光學系統4之倍率為〇 5 倍，彩色線感測器5之像素數為75〇〇，像素尺寸為9 3 ㈣X9.3㈣之例進行說明，但並無需限定於此。又，亦無 /員為線感測器，使用區域感測器亦可^在使用區域感測器 之情形’可同時檢查寬廣之區域。 關於缺陷檢查部105，雖已以物鏡9a之NA為0.9,光學倍 率為1〇〇倍，區域感測器6a、6b之像素數為2448χ2〇5〇、像 素尺寸為3·45 μηιχ3.45 μπι之例進行說明，但並無需限定 於此。 關於修正部1()6,雖已以光源u之波長為说⑽，脈衝 寬度為10 ns，物鏡9biNA*〇4 ’光學倍率為5〇倍之例進 行說明’但並無需限定於此。 如上所述，根據本發明，在彩色濾光器方式之〇LED面 板構造中可以單—波長之雷射修正未點亮像素，從而可 維持高生產率，且可有助於良品率之提高^ J59693.doc -29· 201238112 【圖式簡單說明】 圖1係頂部發光型OLED之構造之剖面圖。 圖2係底部發光型OLED之構造之剖面圖。 圖3係3顏色方式OLED之構造之剖面圖。 圖4係顏色轉換方式OLED之構造之剖面圖。 圖5係彩色濾光器方式OLED之構造之剖面圖。 圖5係彩色濾光器方式OLED之構造之剖面圖。 圖6係顯示一般之彩色濾光器之分光透射率特性之圖 表。 圖7係對彩色濾光器方式OLED面板進行雷射照射之情形 之OLED之構造的剖面圖。 圖8係顯示本發明之實施例之薄膜顯示裝置之檢測修正 裝置的概略構成之方塊圖。 圖9係OLED基板之俯視圖。 圖10A係以本發明之實施例之薄膜顯示裝置之檢查修正 裝置’從正面觀察工作台具有長方形缺口之點燈檢查部之 概略構成的方塊圖。 圖10B係以本發明之實施例之薄膜顯示裝置之檢查修正 裝置’從上面觀察點燈檢查部之具有長方形缺口之工作台 的方塊圖。 圖11A係以本發明之實施例之薄膜顯示裝置之檢查修正 裝置’從正面觀察工作台具有狹縫狀缺口之點燈檢查部之 概略構成的方塊圖》 圖11B係以本發明之實施例之薄膜顯示裝置之檢查修正 159693.doc -30- 201238112 裝置’從上面觀察點燈檢查部之具有狹縫狀缺口之工作台 之方塊圖點燈檢查時的掃描方法之說明圖。 圖12係顯示點燈檢查部之處理之流程之流程圖。 圖1 3係顯示點燈檢查結果之一例之〇LED基板之俯視 圖。 圖14(a)係修正前之缺陷位於缺陷檢查部之視野中心之 OLED基板的未點亮像素之俯視圖，（b)係含有修正前之缺 陷之OLED構造之未點亮像素之剖面圖，（c)係對缺陷檢查 部之視野中心施與環狀加工，進行修正後之缺陷所處 OLED基板之未點亮像素之俯視圖，（d)係含有施與環狀加 工進行修正後之缺陷之0LED之構造的剖面圖。 圖15(a)係修正前之缺陷位於缺陷檢查部之視野中心之 OLED基板的未點亮像素之俯視圖，（b)係含有修正前之缺 陷之OLED構造之未點亮像素之剖面圖，⑷係對缺陷檢查 部之視野中心施與圓形加工’進行修正後之缺陷所處 OLED基板之未點亮像素之俯視圖，（d)係含有施與環狀加 工進行修正後之缺陷之0LED之構造的剖面圖。 圖16係顯示像素内具有2個缺陷之狀態之〇led基板之未 點亮像素的俯視圖。 圖1 7係顯示對含有缺陷之區域進行環狀加工之狀態之 OLED基板的未點亮像素之俯視圖。 圖18係說明用於使本發明之實施例之薄膜顯示裝置之檢 查修正裝置的缺陷檢查部，與修正部之光轴於焦點位置一 致之調整方法之缺陷檢查部與修正部的前視圖。 159693.doc •31 · 201238112 圖19係說明用於是缺陷檢查部與修正部之光軸與焦點位 置一致之調整方法的缺陷檢査部與修正部之前視圖。 圖20係顯示本發明之實施例之缺陷檢查部之處理的程序 之流程圖。 圖21係OLED基板之俯視圖，及未點亮像素與其周邊部 之放大圖。 圖22係顯示本發明之實施例之判斷可否修正之處理程序 的流程圖。 圖23係顯示本發明之實施例之修正部之動作的程序之流 程圖》 圖24係顯示本發明之實施例之檢查修正裝置整體之動作 的程序之流程圖。 圖25A係顯示本發明之實施例之檢査修正裝置之處理的 結果之顯示畫面之前視圖。 圖2 5 B係以圖表顯示以本發明之實施例之檢查修正裝置 處理之結果的經時變化之顯示晝面之前視圖。 圖26係顯示以暗視場照明構成本發明之實施例之檢查修 正裝置之缺陷檢查部的情形之檢查修正部之概略構成之前 視圖。 【主要元件符號說明】 OLED基板 載物台 3a ' 3b 供電探針單元 縮小光學系統 159693.doc 201238112 5 6a、6b 7a 、 7b 、 7c 8a、8b 9a、9b 10 11、80 12 13 14 15 20、20a、20b、20c 25a、25b、25c、25d 26 26， 27、27' 28 > 28' 30 ' 36 70 71 81 82a、82b 90a、90b ' 90c、90d 100 彩色線感測器 區域感測器 成像透鏡 半反射鏡 物鏡 燈 光源 擴展器 均化器 遮罩 遮罩台 缺口 面板 未點亮像素 紅色發光像素 綠色發光像素 藍色發光像素 缺陷 透明OLED基板 點像 聚光透鏡 電流鏡 驅動部 FPD之檢查修正裝置 159693.doc 33- 201238112 101 點燈檢查部 102 檢查修正部 103 裝載部 104 系統控制部 105 缺陷檢查部 106 修正部 120 顯示區域 121 閘極LSI搭載區域 122 源極LSI搭載區域 123 閘極部供電配線 124 閘極部供電用電極墊 125 源極部供電配線 126 源極部供電用電極墊 127 第二電極供電配線 128 第二電極供電用電極墊 130-137 點燈檢查步驟 180 框體 181 氣體供給部 200 雷射光線 159693.doc -34-