TW201234673A

TW201234673A - Substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device

Info

Publication number: TW201234673A
Application number: TW100133385A
Authority: TW
Inventors: Katsuyoshi Nakayama
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Priority date: 2010-09-17
Filing date: 2011-09-16
Publication date: 2012-08-16
Also published as: WO2012036132A1; JPWO2012036132A1; JP5725029B2

Description

201234673 六、發明說明· I：發明所屬^_技術領域】發明領域本發明係有關於發光元件搭載用基板及發光裝置，特別是有關於低熱阻且高散熱性之發光元件用基板，及利用其之發光裝置。【先前技術3 發明背景近年來，隨著發光二極體(led)元件的高亮度、增白化，係利用使用了LED元件之發光裝置作為手機或大型液晶TV的背光照明等。但，因伴隨LED元件的高亮度化而發熱量增加，故作為用以搭載LED元件等之發光元件的基板’則哥求取代樹脂基板，而耐熱性高且能快速地散逸自發光元件發出的熱，並能獲得充分發光亮度者。習知’雖使用例如氧化鋁基板作為發光元件搭載用基板，但氧化鋁基板因光反射率低而入射至基板的光會透射’故於基板表面形成有銀反射膜。但，於該構造’為防止因銀反射膜的氧化或硫化造成之反射率降低，則必須於銀反射膜表面設置由玻璃等構成之保護層，而無法充分提高光取出效率。即，若為於基板上設置銀反射膜的情況，則銀反射膜的面積盡可能越大其光取出效率越高；而通常搭载於基板之線接合型的發光元件，係必須於基板的搭栽面上設置配線導體層，且必須設置間隙用以確保該配綠導體層與銀反射膜的絕緣。但，因光會從該為絕緣而形成的 201234673 縫隙入射至基板内，且入射的光幾乎會在基板内擴散反射而難以再放射，故縫隙的存在會有造成基板的反射率降低之問題。又，相較於如氧化鋁基板這種陶瓷基板，作為反射率高的發光元件搭載用基板係使用低溫共燒陶究基板（以下，稱為LTCC基板）。LTCC基板係由如氧化鋁粉末的陶瓷粉末及玻璃之燒結體構成，因玻璃與陶瓷的折射率差大，面向光的入射方向之兩者的介面所占比率多，且陶瓷粉末的粒徑又比使用波長大，而可獲得高反射率。因此，效率良好地利用自發光元件發出的光，結果係可減低發熱量。又，因係由因光源所致之劣化少之無機氧化物構成，故歷經長時間色調也能穩定。於如上述之LTCC基板，為了既不設置如前述銀反射膜之反射膜又能提高光取出率，已提案有藉由將折射率比氧化銘高的陶瓷粉末（例如氧化錯粉末）與氧化鋁粉末併用’且相比於通常之LTCC基板提高該等之陶瓷粉末的含有比例，以提升基板本體的反射率（例如參照專利文獻i)。但，如上述之LTCC基板，因相比於通常的LTcc基板該表面粗縫度大，於基板表面搭載了如Led元件之發光元件時’會有發光元件與基板之接觸面積變小，且自發光元件往基板的散熱性變低之問題。又，於表面粗糙度大的 LTCC基板上搭載.安裝發光元件時，因基板表面與發光元件之間的間隙會挾持低熱導率的固晶材（聚矽氧固晶材的熱導率為0.1W/m.K)之厚層，故而會有自發光元件往基板 201234673 的熱散逸性變得更低之問題。又，關於陶瓷基板表面的平滑化，習知係於基板表面進行將非晶質的玻璃燒著成數十μιη厚度之釉處理。（例如參照專利文獻2、專利文獻3、專利文獻4。）但，於該等的專利文獻所記載之釉處理’係於製造傳真機的熱感頭或列印頭用之基板時，為精度良好地形成細微的配線圖案而進行，並不是以提升散熱性為目的者。且’ 因該等之技術，往基板表面形成玻璃層之目的係提升細微配線圖案的形成精度，雨不是提升散熱性，故所形成玻璃層的厚度及所期待玻璃層的表面粗糙度即是以此為目的者’而於散熱性方面無法獲得充分的效果。先行技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2007-129191號公報專利文獻2:日本特開平3-146457號公報專利文獻3:曰本特開平3-290382號公報專利文獻4:日本特開平丨-290280號公報【日月内容】發明概要發明欲解決之課題本發明係為解決上述問題而製成者，目的在於提供一種心光元件搭載用基板，係圖既不用設置反射膜又能提升基板本體岐料，聽提升自所搭制發光it件往基板的散熱性者，以及提供—種發光裝置，係利用如上述之發

S 201234673 高發光亮度光元件搭制基板且具有優異的絲出效率及者。用以欲解決課題之手段本發明之發就件搭裁用基板，其特徵在板本體，其係由無機絕緣材料構成，有.基 —光元件之搭載部;及保護膜 ::為主體的材料構成，且以至少覆蓋前述搭載部之方 L >成於歧基板本體之前述搭載面；又，前述保護膜層 ”有的厚度為前述基板本體之前述搭載面的表面粗輪度以之3〜20倍’且該保護膜層的表面粗糙度b帅以下。於本發明之發光元件搭載用基板，其中前述基板本體以由含有玻璃粉末及陶究粉末之玻璃陶究組成物的燒結體構成為佳4，前述喊粉末以含有氧化⑽末，及折射率高於氧化|S之料的粉末為佳。又，前述喊粉末以選自於由氧化鈦粉末、氧化錯粉末、穩定化氧化錯粉末、氧化鋅粉末、鈦酸鋇粉末、鈦酸鉛粉末所構成群組中之至少 —種粉末為佳》又本發明之發光元件搭載用基板中，構成前述保護膜層之前述以玻璃為主體的材料以具有85(rc以下的軟化點為佳。藉由將軟化點設為85〇aC以下，可進R86〇<t以上且880 C以下之燒成。因此，燒成基板本體且取得時，藉由共燒亦可形成保護膜層。進而，構成前述保護膜層的玻璃以至少含有Si〇2及b2〇3，且含有選自於由Na2〇及κ2〇中之至少一種為佳。且，前述玻璃以硼矽酸玻璃為佳，其以氧 201234673 化物為基準之莫耳％表示，含有62〜84%之si〇2、1〇〜25〇/o 之B2〇3、〇〜5°/。之Al2〇3 ' 〇〜1〇%之Mg〇、合計為1〜5% 之選自於NazO及ΙΟ中之至少一種；且以〇2及八12〇3的含 S合計為62〜84% ’而當含有選自於Ca〇、Sr◦及Ba〇中之至少一種時，其含量合計為5%以下。表不上述數值範圍的「〜」，只要無特別限定，其係以其七後a己載之數值作為下限值與上限值而包含之意思使用’以下於本說明書巾「〜」亦用於同樣意思。進而’本發明係提供一種發光裝置，其特徵在於係具備上述本發明之發光元件搭制基板、及發光元件，該發光凡件搭載於前述發光元件搭載用基板的前述搭載部。發明效果本發明之發光元件搭載用基板中，於由無機絕緣材料構成之基板本㈣搭細之至少搭載部上，形成以玻璃為主體之材料所構成的賴膜層，其所具有的厚度為搭載面的表面粗糖度Rai3〜2〇倍，因保護膜層的表面粗縫度Ra 係構成為0.15μπι以下之極平滑的表面，不僅可以增大該保邊膜層與發光元件之接觸面積，又可減低介於該等層間之熱導率低的固晶材的厚度。因此，本發明可提供—種能減低自發光元件往基板的熱阻，並能提升散熱性之發光元件搭載用基板。Χ，本發明可藉由使用該發光S件搭載用基板’提供—種具有優異的光取出效率及高發光亮度之發光裝置。圖式簡單說明 201234673 第1圖係由搭載面（上面）側觀看本發明之發光元件搭載用基板之一實施型態的俯視圖。第2圖係由非搭載面（下面）側觀看本發明之發光元件搭載用基板之一實施型態的俯視圖。第3圖係以χ_χ-線切斷第1圖所示之發光元件搭載用基板的截面圖。第4圖係由上面側觀看用於製造本發明之發光元件搭載用基板之上層用生坯薄片的俯視圖。第5圖係由上面側觀看用於製造本發明之發光元件搭載用基板之内層用生坯薄片的俯視圖。第6圖係由上面侧觀看用於製造本發明之發光元件搭載用基板之下層用生坯薄片的俯視圖。第7圖係由上面側觀看本發明之發光裝置之一實施型態的俯視圖。第8圖係以γ_γ線切斷第7圖所示之發光襞置的截面圖。【實施*方式】用以實施發明之形態 ’但本發明並以下，雖就本發明之實施形態進行說明不限於此。爲Cl二發光元件搭載用基板具有基板本體及保護膜 :之=係由無機絕緣材料構成，且具有成為搭載係由二玻璃/㈣料局部搭餅光元件：該保護膜層為主體的材料(以下，亦有稱為玻璃材料之情況） 201234673 構成’且係以至少覆蓋前述搭載部之方式形成於該基板本體之搭載面。又，保護膜層具有的厚度為基板本體之搭载面的表面粗糙度Ra之3〜20倍。此外，保護膜層的表面粗糙度Ra為0.15μηι以下。於此，表面粗糖度Ra為依 B0601(1994年）之3「經定義之算術平均粗糙度的定義及表示」所表示者，且為藉SUrfC〇ml400D(機種名，東京精密社製）所測定之值。本發明之發光元件搭載用基板中，於基板本體之搭載面至少搭載部开)成有厚度為搭載面的表面粗糙度Ra之3〜 20倍之由玻璃材料構成的保護膜層；因所形成之保護膜層的表面係構成為極平滑之表面粗糙度κ&〇.15μιη以下，故於此保護膜層上搭載.安裝如LED元件之發光元件時，不僅保濩膜層與發光元件之接觸面積會變大，且相對於無保護膜層之情況，亦可大幅減低介於該等層間且用以接合發光 7C件之聚♦氧©晶材的厚度。且’從構成保賴層的玻璃材料的熱導率相較聚矽氧固晶材有1〇倍之高來看，因保護膜層的形成對致使熱散逸性降低的影響小，而可獲致自發光元件往基板本體的熱阻低且熱散逸性高之發光元件搭載用基板。又，藉由使用該發光元件搭載用基板，可獲致有良好的光取出效率且發光亮度高的發光裝置。當保護膜層的厚度小於基板本體的搭載面的表面粗链度Ra之3倍時，因保護膜層的形成而會難以充分獲致減低基板本體表面的凹凸之效果’且難使保護膜層的表面粗链度 Ra成0.15μιη以下。而’當保護膜層的表面粗链度Ra超過 201234673 川哗時’因不只魏護膜層與發光元件之接觸面積會變小，亦會_減低以夕氧固晶材的厚度熱散逸性之提升效果。一蔓膜層的厚度超= 體的表面祕度Ra之20倍時，因插人於所搭載之發光元件與基板本體之間的玻璃層（倾膜層）會變得太厚，而恐有阻礙自發光元件往基板本體的散熱之虞。以下，將以圖示來說明本發明之發光元件搭載用基板之一實施形態。此實施形態雖係顯示適用於為搭載電性並聯8個2線型發光元件之發光元件搭制基板但本發明並不限於此例。第1圖係由上面（搭載面）側觀看本發明之發光元件搭載用基板之一實施型態的俯視圖，而第2圖係由下面（非搭載面）側觀看的俯視圖。又，第3圖係以χ_χ'線切斷第1圖之發光元件搭載用基板的截面圖。該發光兀件搭載用基板1具有平面形狀為正方形且大略平板狀之基板本體2。又，於本發明書中，大略平板狀係意指以目視基準呈平板狀。以下，「略」係表示目視基準。基板本體2係由無機絕緣材料構成，其上面（搭載面）形成有框體3。且，藉此框體3形成有平面形狀為圓形的孔腔，而孔腔的底面為搭載發光元件之搭載面。且’將藉發光元件之搭載面亦即框體3包圍之圓形的區域示為搭載整體區域 21 ° 作為構成基板本體2之無機絕緣材料可舉氧化鋁質燒結體（氧化鋁陶瓷）、氮化鋁質燒結體、富鋁紅柱石質燒結 10 201234673 體 '含有玻璃粉末與㈣粉末之玻璃陶兗組成物的燒結體 (LTCC)等。於本發明中，從高反射性、易製造性、易加工性、經濟性等之觀點來看，以LTCC為佳。於本實施形態中，基板本體2的形狀係為了搭載電性並聯8個2線型發光元件，而呈平面形狀為正方形且大略平板狀，但於本發明中，基板本體2的形狀、厚度、大小等則無特別限制，而搭載之發光元件的個數及配置的方法等，可配合發光裝置的設計作變更。又’關於構成基板本體2之玻璃陶瓷組成物的燒結體(LTCC)的原料組成、燒結條件等，將於後述之發光元件搭載用基板的製造方法予以說明。基板本體2從能抑制搭載發光元件時或其後使用時的損傷之觀點來看’抗言強度宜為例如25〇MPa以上。基板本體2之搭載整體區域21上設有電性連接發光元件之配線導體層4。配線導體層4具有i個陽極侧或陰極側電極（即第1電極)41，其設於搭載整體區域21的中央；及與第i 電極相反極側之複數的電極（即第2電極)42，其設於搭載整體區域21的周邊部。作為第2電極42，係於包圍第丨電極41 之圓周上以大致等間隔分別配設有與所搭載發光元件同數量之8個電極。又，從基板本體2之搭載整體區域以排除依上述形成之配線導體層4(即，第丨電極41及第2電極42)之形成部的區域，則為發光元件之可搭載區域。於本實施形態中，配設於搭載整體區域21上之配線導體層4中之第2電極42的個數，係與所搭載發光元件的個數同數量為8個，而此為所需最小限度之個數，但若有其他需 201234673 求之電極等，可應其需求形成配線導體層4。即，構成配線導體層4之第1電極41的平面形狀與配設位置，及第2電極42 的平面形狀、個數等，不限於圖示所示者。又，只要配線導體層4的構成材料，與用於通常之發光元件搭載用基板之配線導體層為同者則無特別限制。具體上，於後述之製造方法予以說明。配線導體層4的厚度宜設為5〜15μπ^ 於基板本體2之可搭載區域上形成有由玻璃材料構成之保護膜層5。保護膜層5雖係以至少覆蓋發光元件之搭載部的方式設置，但考慮易形成層性、與保護膜層5端部的隆起會給予表面的平坦性不好的影響之方面，而宜離配線導體層4的端部若干距離，以覆蓋可搭栽區域之幾乎全部區域的方式形成。又，實際搭載發光元件的部分之搭載部於第i 圖中係以符號T表示。搭載8個發光元件之8個搭載部τ，係以大略等間隔分別配設於第1電極41與第2電極4 2群之間的圓環狀區域。保護膜層5的厚度為所形成基底亦即基板本體2的可搭載區域的表面粗糙度Ra23〜2〇倍。且，所形成之保護膜層 5的表面粗糙度Ra為0.15μηι以下。以下將就構成如上述之保護膜層5的玻璃材料予以說明。構成保護膜層5的玻璃材料為至少含有SiCb及β2〇3，且以選自於由Na2〇及Κ2〇中之至少一種為構成成分之玻璃者。又，該玻璃材料可以10質量％以下之比例含有陶瓷粉末。陶篆粉末的含®宜為3貝以上。於本發明中，由以 12 201234673 可以玻璃為主體的材料構成之保護膜層係意指，玻璃材料中，、可含有陶堯粉末在1G質量。/。以下。藉由含有陶聽末中亦提高保護膜層5的強度’且，可提升保護臈層5的熱散遠性進而，從如耐酸性之耐藥性的觀點來看，前述玻璃材才含有二氧化#末魏化蹄末作為陶聽末為佳。才料進而，作為使前述玻璃材料含有之陶瓷粉末，藉由用選自於由二氧切粉末、氧化轉末、氧化錯粉^、使化鈦粉末中之至少一種粉末，且平均粒徑Dsq(以下亦有單2 記為A。之情況)為2.5μιη以下，又以〇5μηι以下為佳之微= 子，可提升印刷性，且可使保護膜層5的端部平坦化，並= 制層表面的起伏。又，係藉由以雷射繞射，散射法所疒之粒子徑測定裝置所得之值。 # 玻璃材料中之陶瓷粉末的含量可依粒徑於預定之範圍作設定。當D5〇為1〜2·5μηι時，含量宜設為3〜1〇質量％。' 8質量。/。以下為佳，以5質量％以下更佳。當a。小於“扣時从其含量宜設為3〜5質量％。若使含超過10質量％之陶瓷粉末時，因玻璃材料的流動性惡化，不僅保護膜層5的平坦性會變差，亦會易產生^ 結不充分。又，當含量未達3質量❶/。時，會難以獲得平坦性之升效果。接著，將就構成保護膜層5之玻螭材料的主成分予以說明。該玻璃係以硼矽酸玻璃為佳，其以氧化物為基準之莫耳°/〇表示，含有62〜84%之Si02、1〇〜25〇/〇之艮03、〇〜5% 之AW3、〇〜10%之Mg0、合計為丨〜5%之選自於他2〇及

C 13 201234673 Κ2〇中之至少一種；且以〇2及A12〇3的含量合計為62〜84〇/〇，而當含有選自於CaO、SrO及BaO中之至少一種時，其含量合計為5%以下。就如上述之玻璃的各成分予以說明。又，以下只要無預先通知，其組成以下述氧化物為基準之莫耳％表示且單以％做記。

Si〇2為玻璃的網狀結構成形體，且為可提高化學上而于久性’特別是对酸性之成分而為必要。若小於Μ%則恐有耐酸性不充分之虞。而若超過84%則恐有熔融溫度變高，或有玻璃轉移點(Tg)變太高之虞。 B2〇3為玻璃的網狀結構成形體，且為必要。若小於10〇/〇則恐有熔融溫度變南，且玻璃不穩定之虞。以丨2%以上為佳。若超過25%則不僅恐有難以獲致穩定的玻璃，亦會有化學上耐久性降低之虞。

Al2〇3雖非必要’但因可提高玻璃的穩定性或化學上耐久性而可在5%以下範圍内含有。若超過5%則恐有玻璃的透明性降低之虞。

Si02與Al2〇3的合計含量為62〜84%。若小於62%則恐有化學上耐久性不充分之虞。若超過84%則玻璃溶融溫度會變高，或Tg變過高。

Na20及K20為可使Tg降低之成分，則至少必須要有其中一者。可含有合計至5%。若超過5%則恐有化學上耐久性尤其耐酸性惡化之虞。又，恐有燒結體的電絕緣性降低之虞。以含有Na20及K2O中之其中一者，且Na2〇、K20的合計 14 201234673 含量宜為1%以上佳。

MgO雖非必要，但因可使Tg降低，或使玻璃穩定化而可含有至10%。以8%以下為佳。

CaO、SrO及BaO皆為非必須’但因可使玻璃溶融溫度降低，或使玻璃穩定化而可含有合計至5%。若超過5%則恐有耐酸性降低之虞。本發明之保護膜層用的玻璃雖本質上係由上述成分構成’但於不損本發明目的範圍内可含有其他成分。若含有其他成分’則其等的含量宜為10%以下。但，不含氧化錯。本發明之保護膜層宜為塗布由如上述之各成分構成之蝴石夕酸玻璃粉末’與依需求與前述陶瓷粉末混合而成之組成物，並燒成而成者。例如，將具有前述組成之爛石夕酸玻璃粉末與前述陶瓷粉末之混合粉末進行糊化並網版印刷，且燒成以形成之。但，只要可平坦地形成厚度為基板本體2 之可搭載區域的表面粗糙度Ra之3〜20倍的層，則無特別限足保護膜層的形成方法。基板本體2的另一面，為無搭載發光元件之非搭載面；非搭載面22上设有一對（陽極或陰極）外部電極端子 6。该等外部電極端子6隔著分別形成於基板本體2的内部等妾孔7與没於基板本體2之搭載面的第1電極41與第2 電極42作電性連接。要與作為外部電極端子6及連接孔7的形狀或構成材料，只制^使；通㊉發光几件搭載用基板為相同者則可無特別限又，關於外部電極端子6及連接孔7的配置為， 15 201234673 只要與其等隔著配線導體層4(即’第1電極41及第2電極 42)，並以所搭載之8個發光元件作電性地並聯之方式即可《將於後述之基板製造方法作具體說明。又，於本實施形態中，為減低基板本體2的熱阻，而於基板本體2的内部埋設有熱通孔8及散熱層9。熱通孔8例如為比發光元件之搭載部小的柱狀者’且宜配設成從非搭栽面22起抵達埋設於内部之散熱層9。藉由如上述之配置，可提升搭載整體區域21的平坦度，尤其是搭載部T的平坦度，且可減低熱阻，並可抑制搭載發光元件時產生的傾斜。關於熱通孔8及散熱層9的形狀或配置，將於後述之基板的製造方法具體地說明。以上’雖就本發明之發光元件搭载用基板1的實施形態舉了一例說明，但本發明之發光元件搭載用基板並不限於該例。於不違反本發明之旨趣的限度内，且應其所需可適當變更其構成。於製造如上述所構成之本發明之發光元件搭載用基板卜可適用通常用於發光S件搭载町取基板的材料及製造方法。X，後述之本發明之發光裝置，除了使用本發明之發光元件搭載用基板卜亦可利用通常之構件以通常的方法製造。以下係舉製造示於第i圖〜第3圖，且用以搭載電性地並聯8個2線型發光元件之基板的方法為例，來說明本發明之發光元件搭載用基板的製造方法。於第1圖〜第3圖所示之發光元件搭載用基可藉由

16 201234673 含有以下之(A)〜(E)之各步驟的製造方法製造。又，關於用於該製造之構件、形成材料層，附上與成品之構件同一符號來說明。例如，保護膜層與保護膜玻璃糊層以符號5作記，其他亦同。 (A) 本體用生坯薄片製備步驟使用含有玻璃粉末與陶瓷粉末之玻璃陶瓷組成物’以製備用以形成發光元件搭載用基板之基板本體的生坯薄片 (本體用生达薄片），及為形成框體之框體用生坯薄片。又，如後述’本體用生坯薄片係含有用以形成上層之上層用生培涛片、用以形成内層之内層用生坯薄片、及用以形成下層之下層用生坯薄片。 (B) 導體糊層形成步驟藉由於各本體用生坯薄片的預定位置上形成導體糊層，以分別形成未燒成配線導體層、未燒成外部電極端子、未繞成連接孔、未燒成熱通孔、及未燒成散熱層等。 (C) 保護膜玻璃糊層形成步驟於上層用生堪薄片上’以覆蓋可搭載區域之幾乎全部區域的方式形成保護膜玻璃糊層。 (D) 積層步驟藉由將導體糊層形成於本體用生坯薄片上（於上層用生述薄片，進而保護膜玻璃糊層）而得之複數片的未燒成本體構件（以下’亦稱為附導體糊層生_片、及附保護膜玻

璃糊層生㈣片）疊合、熱壓接以進行—體化來獲得未燒成基板。 X

S 17 201234673 (E)燒成步驟以麵〜請。C燒成㈣未燒成基板。以下’就各步驟予以進_步說明。 (A)本體用生堪薄片製備步驟本體用生述薄片可藉由下述製造得之，於含有玻璃粉末及喊粉末之玻璃喊組成物添加黏結劑，且應其需求添加可塑劑、分散劑、溶劑等來調㈣體，並藉由到刀法成形成片狀且使其乾燥。又，將由上述製備之生链薄片藉加工成預定的形狀來獲得框體用生坯薄片。作為用以製備本體用生坯薄片之本體用玻璃粉末，其玻璃轉移點（Tg)宜為550°C以上且700°C以下者。若Tg未達 550C ’則恐有難以脫脂之虞；而若超過7〇〇。〇，則恐有收縮起始溫度變高’且尺寸精度降低之虞。又，該玻璃粉末宜為以80CTC以上且930。(：以下燒成時月t·析出結晶者。右為不能析出結晶者，則恐有無法獲致充分的機械性強度之虞。進而，經由DTA(示差熱分析）測量的結晶化峰值溫度(Tc)宜為880°C以下者。若Tc超過880°C，則恐有尺寸精度降低之虞。作為如上述之本體用玻璃粉末，宜為含有下述以氧化物為基準之莫耳％表示者：57〜65°/。之Si02、13〜18%之 B2〇3、9〜23%之CaO、3〜8%之Al2〇3、合計為0.5〜6%之選自於K2〇及Na2〇中之至少一者。藉由使用如上述之組成的玻璃，能易使基板本體2的表面平坦度提升。於此，Si〇2係成為玻璃的網狀結構成形體者。若si〇2 18 201234673 含量小於57%，則恐有難以獲得穩定的玻璃，且亦有化學上耐久性降低之虞。另〆方面，若Si〇2的含量超過65%，則恐有玻璃熔融溫度或Tg變得過高之虞。Si〇2的含量宜為 58%以上，又以59%以上為佳’以60%以上更佳。又，si〇2 的含量宜為64%以下，又以63%以下為佳。 b2o3係成為玻璃的網狀結構成形體者。若B203的含量小於13%，則恐有玻璃熔融溫度或Tg變得過高之虞。另一方面’若&〇3的含量超過18%，則恐有難以獲得穩定的玻璃，且亦有化.學上财久性降低之虞。.Bsc)]的含量宜為μ% 以上，又以15%以上為佳。又’ Βζ〇3的含量宜為17%以下，又以16%以下為佳。 AGO3係為提升玻璃的穩定性、化學上耐久性，及強度而添加之。若Al2〇3的含量小於3% ’則恐有玻璃不穩定之虞。另一方面，若AhO3的含量超過8% ’則恐有玻璃.熔融溫度或Tg變得過高之虞。Ah〇3的含量宜為4%以上，又以5〇/〇以上為佳。又，AU〇3的含量宜為7%以下，又以6%以下為佳0 C a Ο係為不僅能提升玻璃的穩定性或結晶的析出性，且能使玻璃熔融溫度或Tg降低而添加之。若ca〇的含量小於9%，則恐有玻璃熔融溫度變得過高之虞。另一方面，若 CaO的含量超過23%，則恐有玻璃不穩定之虞。Ca〇的含量宜為12%以上，又以13%以上為佳，特別以14%以上更佳。又，CaO的含量宜為22%以卞，又以21%以下為佳，特別以 20%以下更佳。

S 19 201234673 ΙΟ、NazO係為使Tg降低而添加之。若〖2〇及Na20的合計含量小於〇.5%時，則恐有玻璃熔融溫度或Tg變得過高之虞。而，若ΙΟ及NaiO的合計含量超過6%，則恐有化學上耐久性降低’特別是耐酸性降低之虞，且亦恐有電絕緣性降低之虞。K2〇及Na20的合計含量宜為0.8%以上且5%以下。又，本體用玻璃粉末未必限定於由上述成分構成者，可於滿足Tg等各特性之範圍内含有其他成分。若含有其他成分’其合計含量宜為10%以下。本體用玻璃粉末可將具有如上述組成之玻璃藉熔融法製造，並藉乾磨法或濕磨法磨碎得之。若使用濕磨法，則 /合劑且使用水或乙醇。作為粉碎機可舉輥磨機、球磨機' 噴射磨機等。本體用玻璃粉末的50%粒徑(D5Q)宜為〇 5μιη以上且2μιη 以下。若玻璃粉末的D5Q小於〇·5μιη，不僅玻璃粉末易凝聚且難以處理，亦難以均一分散。另一方面，玻璃粉末的〇5〇若超過2μιη，則恐有玻璃軟化溫度上升或燒結不充分之虞。粒徑亦可例如於粉碎後依其需要分級作調整。作為陶瓷粉末係可使用習知用於LTCC基板製造者，適宜使用例如氧化鋁粉末、氧化锆粉末、或氧化鋁粉末與氧化釔粕末之混合物等。特別宜將氧化鋁粉末、與折射率比氧化鋁高的陶瓷粉末（以下示為高折射率陶瓷粉末。）一起使用。向折射率陶瓷粉末為用以提升藉由下述燒成步驟燒結 20 201234673 而得之基板本體的折射率之成分，例如可舉氧化鈦粉末、氧化錯粉末、穩定化氧化锆粉末、氧化辞粉末、鈦酸鋇粉末、鈦酸鉛粉末等。例如相對於氧化鋁的折射率為1·8左右，氧化鈦的折射率為2.7左右，氧化銼的折射率為2.2左右，相比於氧化鋁其等具有高折射率。該等之陶瓷粉末的 D50宜為0·5μιη以上且4μιη以下。藉由將如上述之玻璃粉末與陶瓷粉末，以成例如玻璃粉末為30質量％以上且50質量％以下、陶瓷粉末為50質量％以上且70質量％以下之方式調配、混合，可得玻璃陶瓷組成物。又，藉由於該玻璃陶竞組成物添加黏結劑，且依其需要添加可塑劑、分散劑、溶劑等可得所期望之漿體。作為黏結劑可適宜使用例如聚乙烯丁醛、丙烯酸樹脂等。作為可塑劑可使用例如酞酸二丁酯、酞酸二辛酯、酞酸丁基苄基酯等。作為溶劑可適宜使用甲苯、二甲苯、2-丙醇、2-丁醇等之有機溶劑。藉由刮刀法將如上述所得之漿體成形成片狀並使其乾燥，以製備三片本體用生坯薄片（上層用生坯薄片、下層用生坯薄片及内層用生坯薄片）。又，將同樣地製成之生坯薄片藉由加工成預定的形狀，以製備框體用生坯薄片。 (Β)導體糊層形成步驟於前述步驟製成之本體用生坯薄片的表面及内部，形成用以形成配線導體層、外部電極端子、連接孔、熱通孔、散熱層等之導體糊層。即，如第4圖所示，就上層用生坯薄片23，於相當於元件搭載面之搭載整體領域21的中央形成

S 21 201234673 圓形的第1電極用導體糊層41。又，以包圍該第1電極用導體糊層41之方式形成環狀的連結用導體糊層43，並以自連結用導體糊層43延伸至内部之方式以大略等間隔形成8個第2電極用導體糊層42。進而，於第1電極用導體糊層41的中心部，及連結用導體糊層 43的預定位置上，形成貫通上層用生坯薄片23之連接孔用導體糊層7。又，如第5圖所示，就内層用生坯薄片24,於其上面形成散熱層用導體糊層9,並以貫通該生坯薄片之方式，形成複數的連接孔用導體糊層7與複數的熱通孔用導體糊層8。進而，如第6圖所示，以貫通下層用生坯薄片25之方式形成複數的連接孔用導體糊層7與複數的熱通孔用導體糊層8，並於下層用生坯薄片25的下面形成外部電極端子用導體糊層6。又，於各生坯薄片，形成有對應多數的發光裝置之多數的區域，且於最後的燒成步驟後分割該等，而於第4 圖〜第6圖則顯示用以形成對應1個發光裝置之發光元件搭載用基板的區域。作為第1及第2電極用導體糊層41、42、連結用導體糊層43、連接孔用導體糊層7、散熱層用導體糊層9、熱通孔用導體糊層8、及外部電極端子用導體糊層6之形成方法，可舉藉由網版印刷塗布、充填導體糊層之方法。所形成之該等之導體糊層的膜厚係以最後所得之第1及第2電極、連結配線、連接孔、散熱層、熱通孔及外部電極端子的膜厚能成預定之膜厚之方式做調整。 22 201234673 作為導體糊例如可使用在以銅、銀、金等為主成分之 2屬粉末中添加乙基纖維素等之載劑，並依需要添加溶劑等製成之糊狀物。又，作為上述金屬粉末適宜使用銀粉末、由銀與白金構成之金屬粉末、或由銀與鈀構成之金屬粉末。 (c)保護膜玻璃糊層形成步驟於上層用生坯薄片，藉由網版印刷，以覆蓋可搭载區域除於(B)步驟所形成之配線導體糊層4周圍附近之外的幾乎全部區域之方式，來形成保護膜玻璃糊層5。保護膜玻璃糊可使用在將前述保護膜層用的玻璃粉末及依其需要與如述陶竟粉末混合而成之組成物申添加乙基纖維素等之載劑，並依其需要添加溶劑等而製成糊狀物。所形成之保護膜玻璃糊層5的膜厚係以最後所得之保護膜層5的厚度能成基板本體2之可搭載區域的表面粗链度Ra 之3〜20倍，且該保護膜層5的表面粗縫度Ra能成下之方式做調整。保護膜層5的表面粗糙度Ra的調整，不只依保護膜層5的厚度，亦可依保護膜層用之玻璃粉末的粒徑或組成及糊的捏和方法與捏和時間來進行。即，作為保護膜層用玻璃粉末係使用於燒成時有優異之充分炼融的流動性之組成及粒徑者’進而使其在燒成時與陶瓷粉末之混合物的組成有優異的流動性，藉由將該捏和方法與時間最適化，可減小保護膜層5的表面粗輪度Ra。例如’基板本體2之可搭載區域的表面粗糙度Ra為0.30 〜0.35μιη時’設燒成後之保護膜層5的厚度為0.9〜7.0μηι。 (D)積層步驟 f"· 23 201234673 :1述(B)步驟所得之附導體糊層生述薄片（未燒成 —冓牛）’、於如述(C)步驟所得之附保護膜玻璃糊層生述專片乂預疋的順序疊合，於上層用生柱薄片23上進而重疊框體用生㈣片後’藉由熱壓接以—體化。如上述進行即可得未燒成基板。 (E)燒成步驟 >對於上述步驟而得之未燒成基板，依其需要將黏結劑等脫脂後，進行肖以使《喊組絲等燒結之燒成以成發光元件搭載用基板1。進行刚述脫脂的條件為例如W5〇〇〇c以上且6〇〇£>c以下之溫度保持1小時以上且1〇小時以下。若脫脂溫度未達5〇〇 C或脫脂時間未達1小時的情況，恐有無法充分去除黏結劑等之虞。而，若設脫脂溫度為6〇〇c»c左右、設脫脂時間為1〇小時左右，則可充分去除黏結劑等，但若超過此條件反而恐有生產性等降低之虞。又’燒成可考慮基板本體2之緻密性構造的獲得與生產性，以於80(TC〜930。(：的溫度範圍内調整適宜時間。具體來說，宜為以850°C以上且9〇〇〇C以下的溫度保持20分鐘以上且60分鐘以下’特別以86〇c以上且88〇°c以下的溫度為佳。若燒成溫度未達800°C，則恐有無法獲得作為基板本體 2之緻密性構造物。而，若燒成溫度超過930。(：，則恐有基板本體2變形等生產性等降低之虞。又，作為上述導體糊，於使用含有以銀作為主成分之金屬粉末的金屬糊時，若燒成溫度超過880°C，則恐有因過度軟化而無法維持預定之形 24 201234673 狀之虞。如上述進行可得發光元件搭載用基板1，且亦可於燒成後’依其需要以披覆露出於搭载面之配線導體層4(第1及第 2電極41、42)的表面之方式，於鑛Ni/金之2鐘層等之通常發光7L件搭載用基板丨上配設用於導體保護用之導電性保護膜。以上’雖已說明發光元件搭載用基板1的製造方法，但框體用生㈣片並未必要以由單—的生_片構成，亦可為積層複數片的生堪薄片者。又，除框體用生堪薄片外之本體用生链薄片的片數也不-定要是3片，亦可是2片或4片以上。進而，關於各部的形成順序等，可於發光元件搭載用基板1之製造的可能限度進行適宜變更。接著以圖式來δ兒明具有本發明之發光元件搭載用基板1的發光裝置之較佳的實施型態。但，本發明之發光裝置不限於该者。第7圖為由上面側觀看本發明之發光裝置之一實施型態的俯視圖，而第8圖為以γ_γ'線切斷第7圖之發光裝置的截面圖。又，於第7圖是顯示除去樹脂密封層之狀態。本發明之發光裝置10備有上述本發明之發光元件搭載用基板1，及8個2線型發光元件11(例如LED元件），其係搭載於該發光元件搭載用基板1的前述搭載部上，且一對電極分別線接合於預定的配線導體層4(第1電極41及第2電極42) 且並聯連結。於本發明之發光裝置10,其中8個發光元件丨丨係全部下面為同大小的正方形之長方體發光元件，且分別配置於發

C 25 201234673 光凡件搭載用基板1之前述8個搭载柯上，並用接著氧固晶材（無顯圖示）固定於搭載部。且，各發光元件11的電極（無顯圖示）的其中一方，係从由接合線12連接於位於發光元件搭制基幻之搭裁整= 區域21的中央之第2電極42,而另一方的電極則藉由接合 12連接於8個第2電極42群之中最近的電極。連接8個發光_ 件11的8對16個電極之16根接合扣係以互相不交^之^ 式配置。進而，以覆蓋該等之發光元件u或接合線^之方式，設置由模型樹脂構成之密封層13。本發明之發光裝置10中之發光元件u的配置，只要於至少連接發光元件11的電極與發光元件搭載絲的配線導體層4(第1電極41及第2電極42)時，接合線12為不交又之配置即可，而不限於第7圖所示之配置。根據本發明之發光裝置1〇，因使用如下構成之發光元牛搭載用基板1，即·於基板本體2的搭載面形成有厚度為該搭載面的表面粗糙度Ra23〜2〇倍的保護膜層5，且保護膜層5的表面粗糙度Ra係成〇 15μιηα下之發光元件搭載用基板1，故而有優異之自發光元件U往基板本體2的熱散逸性，且具優異之光取出效率並可發出高亮度的光。如上述之發光襞置10，可適宜用於作為例如手機或大型液晶顯示器等的背光、汽車或裝飾用的照明、及其他的光源。實施例接著’記載本發明之具體實施例。又，本發明並不限於該專貫施例。 26 201234673 貫施例1〜3，比較例1、2 使用以下所示之方法製出如第1圖〜第6圖所示之發光元件搭載用基板、第7圖及第8圖所示之發光裝置。首先，製備了用以製備發光元件搭載用基板丨的基板本體2之本體用生述薄片（上層用生链薄片、下層用生述薄片、及内層用生坯薄片）。就製備本體用生坯薄片，將原料調配、混合以成以氧化物為基準之莫耳％表示為，6〇 4%之

Si〇2、15.6%之氏03、6%之Al2〇3、15%之CaO、1%之K20、 2 /ό之NaiO ’並將該原料混合物置入白金掛鋼且以1溶融60分鐘後’使熔融狀態的玻璃流出並冷卻。藉氧化鋁製球磨機將該玻璃磨碎40小時，製成本體用玻璃粉末。又，磨碎時的溶劑使用了乙醇。接著，藉由調配、混合以成該玻璃粉末為38質量％、氧化鋁填料（昭和電工社製，商品名：AL-45H)為38質量％、氧化锆填料（第一稀元素化學工業社製，商品名：HSY-3F-J) 為24質量％，製成基板本體用之玻璃陶竟組成物。對該玻璃陶瓷組成物50g調配、混合有機溶劑（以質量比4 : 2 : 2 : 1將曱苯、二曱笨、2-丙醇' 2-丁醇混合者）15g、可塑劑（鄰苯二曱酸-2-乙基己酯）2.5g、作為黏結劑之聚乙烯丁搭 (DENKA社製，商品名：PVK#3000K)5g，進而分散劑(Byk chemie社製，商品名：BYK180)0,5g，調製出漿體。將該漿體藉刮刀法塗布於PET薄膜上，並積層已乾燥之生坯薄片使燒成後的厚度能成0.5mm，製出本體用生坯薄片。又，將與本體用生坯薄片相同地製出之生坯薄片藉加

S 27 201234673 工成預定形狀，製備了框體用生坯薄片。另一方面，以質量比85 : 15的比例調配導電性金屬粉末(銀粉末，大研化學工業社製’商品名.S550)、作為載劑之乙基纖維素，胜以固體含量能成85質量％分散至作為溶劑之α萜品醇後，於瓷器乳崃中捏和1小時，進而以三根軋輥分散3次製出金屬糊（導體糊）。藉由將前述導體糊以第4圖所示之圖案網版印刷於本體用生坯薄片中之1片（上層用生坯薄片23)的上面’來形成第1電極用、第2電極用及連結用之各導體糊層41、42、43，並在相當於連接孔之部分用打孔機形成直徑0.15mm的貫通孔，且藉由網版印刷充填導體糊，形成了連接孔用導體糊層7。又，藉由將前述導體糊以第5圖所示之圖案網版印刷於内層用生坯薄片24的上面，來形成散熱層用導體糊層9，並在相當於熱通孔及連接孔之部分，用打孔機分別形成直徑〇.2mm及直徑〇.15mm的貫通孔，且藉由網版印刷充填導體糊而形成了熱通孔用導體糊層8及連接孔用導體糊層7。進而，藉由將前述導體糊以第6圖所示之圖案網版印刷於下層用生坯薄片25的下面，來形成外部電極端子用導體糊層6,並在相當於熱通孔及連接孔之部分，用打孔機分別形成直徑0.2mm及直徑〇.15mm的貫通孔，且藉由網版印刷充填導體糊而形成了熱通孔用導體糊層8及連接孔用導體糊層7。接著，於實施例1〜3及比較例2，將保護膜玻璃糊以第

28 201234673 4圖所示之圖案網版印刷於形成有導體糊層之上層用生述 /專片23之搭載面上’形成了保護膜玻璃糊層5。*於比較例 1 ’則不進行如上述之保護膜玻璃糊層形成。實施例丨〜3之保護膜玻璃糊層5的厚度，以成表1所示的厚度作了調整，即燒成後的保護膜層的厚度為基板本體2之可搭載區域的表面粗板度Ra之3〜20倍的範圍。又，比較例2之保護膜玻璃糊層5的厚度’以成燒成後的保護膜層的厚度為超過基板本體2之可搭載區域的表面粗糙度Rai2(^^的厚度作了調整。又’基板本體2之可搭載區域的表面粗糙度Ra係相當於，於比較例1所得之發光元件搭載用基板丨之搭載面的表面粗糙度Ra，其值如後述為〇31μηΐβ 保護膜玻璃糊係如以下所示作了調整。首先，將原料調配、混合以成以氧化物為基準之莫耳％表示為，816%之 Si02、16.6%之Β2〇3、1.8°/❶之κ2〇，並將該原料混合物置入白金坩鍋且以1600°C熔融60分鐘後，使熔融狀態的玻璃流出並冷卻。藉氧化鋁製球磨機將該玻璃磨碎8〜6〇小時，製成保6蒦膜用玻璃粉末。又，磨碎時的溶劑使用了乙醇。接著，調配、混合以成該玻璃粉末為95質量％、二氧化石夕微粉末（日本Aerosil社製’商品名：aer〇SIL380，平均粒徑7nm)為5質量％。其後，調配以成所得之混合物為6〇質量％、樹脂成分(含有以質量比85 : 15的比例之乙基纖維素與ct萜品醇者）為4〇質量％。接著，於氧化錯製乳缽中捏和 3小時，進而藉以三根氧化鋁製軋輥分散3次製出保護膜玻璃糊。

S 29 201234673 接著’將前述製出之附保護膜玻璃糊層之上層用生坯薄片、附導體糊層之内層用生坯薄片及下層用生坯薄片（未燒成本體構件）以預定的順序疊合，進而於上層用生坯薄片上重疊框體用生坯薄片後，藉由熱壓接以一體化。如此，獲致未燒成基板。將所得之未燒成基板以550°C保持5小時並脫脂，進而以870°C保持3小時並燒成，製出發光元件搭載用基板丨。於所付之發光元件搭載用基板1，藉由截面觀察測量了燒成後之保護膜層5的厚度。截面觀察係將含保護膜層5之截面進行鏡面磨光，並藉由電子顯微鏡（日立 High-TechnologiesS3000)放大 1500倍測量了長度。又，於實施例1〜3及比較例2，藉由Surfcoml400D(東京精密社製）測量了保護膜層5的表面粗糙度Ra。測量結果示於表卜又，於無設有保護膜層5之比較例1，同樣地測量了基板本體2之搭載面的表面粗糙度Ra。且，測量結果示於保護膜層5等的表面粗糙度Ra之欄。接著，於以上述製出之發光元件搭載用基板1之8處搭載部T配置、搭載了與其同形同大小之8個2線型LED元件。具體而言，藉由固晶材（信越化學工業社製，商品名： KER-3000-M2)分別將LED元件(EPISTAR社製，商品名： ES-CEBLV24)固定於8處搭載部5，並藉由接合線12將LED 元件具有的一對電極分別與第1電極41與第2電極42作了電性連接。如此，8個LED元件則成電性並聯。進而，使用密封劑(信越化學工業社製，商品名：SCR-1016A)形成了密封

30 201234673 層13 〇就々上述所仵之發光裝置1〇，依以下方法測定了熱阻。即，使用熱阻测定器(嶺光音電機社製，商品名™16’7) ㈣了於實施州〜3、比較例卜2所得之發光裝㈣之發光牛搭裁用基板1的熱阻。又，將外加電壓設為96〇mA，並通電至電壓下降到飽和時間為止，自下降的電壓盘發光元件的溫度-電壓下降特性導出溫度錄並藉該溫度係數算出飽和溫度，而求得熱阻。熱阻的測量結果示於表1。又，熱阻係以設比較例1之心光裝置10的熱阻為⑽時的相對值來表示，該比較例丄係 [表1] 未於基板本體祕載面±軸賴膜層5者。數值越小則意味熱散逸性越好。 ^呆邊膜層的厚度 (μηι) 保護膜層的表面粗糙度Ra(pm) 相對熱阻值實施例1 1 0.14 93 I施例2 3 0.03 80 Q〇實施例3 5 0.01 比季父例1 0 0.31 註 1) 100 120 比較例2 10 0.01 註1)顯示基板本體之可搭載區域的表面粗糙度Ra。由表1可知，保護膜層5具有的厚度為基板本體2的搭載面的表面粗糙度Ra(相當於比較例丨之表面粗糙度 Ra)0.3^m之3〜2〇倍，且保護膜層$本身的表面粗糙度 Ra為〇_ΐ5μΐη以下之實施例1〜3的發光裝置1〇，與無保護膜層5之比較例1的發光裝置1〇相比，可知前者的熱阻大幅減少，且熱散逸性變高。

S 31 201234673 保遵膜層5的厚度超過基板本體2的搭載面的表面粗心·度Ra之20倍之比較例2的發光裝置1 〇，雖因保護膜層 5的表面粗糙度Ra極小，而保護膜層5表面平滑、且平坦性良好，但因由玻璃材料構成之厚的保護膜層會阻礙熱導，故熱阻高。產業上之可利用性根據本發明，因發光元件搭載用基板的反射性高，且有優異的散熱性，而於使用該基板作為發光裝置時，光取出放率良好，且可獲得高亮度的發光。且，使用如上述之發光元件搭载用基板之本發明的發光裝置係可適宜用於例如’作為手機或大型液晶顯示器等的背光、用於汽車或用於叢飾的照明、其他光源。又，在此援引已於2010年9月17日提出申請之曰本專利申請案2_·2〇9663號之說明書、中請專利範圍、圖式及摘要之全部内容，將其納人㈣作為本發明之說明書之揭示。【圖式簡單說明】第1圖係由搭載面（上面）側觀看本發明之發光元件搭載用基板之一實施型態的俯視圖。第2圖係由非搭載面（下面）側觀看本發明之發光元件搭載用基板之一實施型態的俯視圖。第3圖係以χ-χ'線切斷第！圖所示之發光元件搭載用基板的截面圖。第4圖係由上面側觀看用於製造本發明之發光元件搭

32 201234673 載用基板之上層用生述薄片的俯視圖。第5圖係由上面側觀看用於製造本發明之發光元件搭載用基板之内層用生坯薄片的俯視圖。第6圖係由上面側觀看用於製造本發明之發光元件搭載用基板之下層用生坯薄片的俯視圖。第7圖係由上面側觀看本發明之發光裝置之一實施塑態的俯視圖。第8圖係以Y-Y'線切斷第7圖所示之發光裝置的截圖〇

S 【主要元件符號說明】 1···發光元件搭載用基板 43…連結用導體層（連結用導 2…基板本體體電極用導體糊層） 21…搭載整體領域 5…保護膜層(保護膜玻璃糊層) 22…非搭載面 6…外部電極端子(外部電極端 23…上層用生坯薄片子用導體糊層） 24…内層用生坯薄片 7…連接孔(連接孔用導體糊層) 25…下層用生坯薄片 8…熱通孔(熱通孔用導體糊層) 3…框體 9…散熱層(散熱層用導體糊層) 4.·.配線導體層(配線體糊層） 10···發光裝置 41…第1電極(第一電極用導體 11…發光元件糊層） 12…接合線 42…第2電極(第一電極用導體 13…密封層糊層） T…搭載部 33

Claims

201234673 七、申請專利範圍： 1‘一種發光元件搭载用基板，其特徵在於含有：基板本體，其係由無觀緣材料構成，且具有搭載面，a玄搭載面含有可搭載發光元件之搭載部；及保護膜層，其係由以玻璃為主體的材料構成，且係以至少覆蓋前述搭載部之方式形成於前述基板本體之前述搭載面；又，前述保護膜層具有的厚度為前述基板本體之前述搭載面的表面粗糙度Ra之3〜2〇倍，且該保護膜層的表面粗糖度Ra為0.15//m以下。 2·如申請專利範圍第1項之發光元件搭載用基板，其中前述基板本體係由含有玻璃粉末及陶瓷粉末之玻璃陶瓷組成物的燒結體構成。 3. 如申請專利範圍第2項之發光元件搭載用基板，其中前述陶瓷粉末含有氧化鋁粉末，及折射率高於氧化鋁之陶瓷的粉末。 4. =申請專利範圍第2或3項之發光元件搭載用基板，其中則述陶瓷粉末係選自於由氧化鈦粉末、氧化鍅粉末、穩疋化氧化鍅粉末'氧化鋅粉末、鈦酸鋇粉末、鈦酸鉛粉末所構成群組中之至少—種粉末。申叫專利範圍第1至4項中任一項之發光元件搭載用 =板，其中構成前述保護膜層之前述以玻璃為主體的材料具有850。(：以下的軟化點。 6.如申請專利範圍第⑴項中任—項之發光元件搭載用基板，其中構成前述保護膜層之玻璃係至少含有幻〇2及

34 201234673 B2〇3，且含有選自於Na〗0及Κ_20中之至少一種。 7. 如申請專利範圍第6項之發光元件搭載用基板，其中前述玻璃為硼矽酸玻璃，其以氧化物基準之莫耳％表示，含有62〜84%之Si〇2、10〜25%之Β2〇3、0〜5%之 Α12〇3、0〜10%之MgO、合計為1〜5%之選自於Na2〇及 Κ2 Ο中至少一種；且Si〇2及Al2 〇3的含量合計為62〜 84% ;而當含有選自於CaO、SrO及BaO中至少一種時，其含量合計為5%以下。 8. —種發光裝置，其特徵在於係具備如申請專利範圍第1 至7項中任一項之發光元件搭載用基板、及發光元件，該發光元件搭載於前述發光元件搭載用基板之前述搭載部。 S 35