TW201233772A - Light emitting element material and light emitting element - Google Patents

Description

201233772 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於可將電能轉換成光的發光元件及其所用 的發光元件材料。更詳細地，關於可利用於顯示元件、 平板顯示器、背光、照明、内裝、標識、看板、電子照 相機及光訊號產生器等之領域的發光元件及其所用的發 光元件材料》 【先前技術】 從陰極注入的電子及從陽極注入的電洞，在兩極所 失持的有機發光體内進行再結合時會發光的有機薄膜發 光元件之研究’近年來係活躍進行著。此發光元件之特 徵為薄型且在低驅動電壓下的高亮度發光，而且藉由選 擇螢光材料可多色發光，而引起注目。 此研究自柯達公司的c. w. Tang等人以有機薄膜元 件顯示高亮度發光以來，許多的研究機關正進行檢討。 柯達公司的研究群所提示的有機薄膜發光元件之代表構 成，係在ITO玻璃基板上依順序設置電洞輸送性的二胺化 合物、發光層的三（8·羥基喹啉）鋁（111)及作為陰極的Mg • Ag(合金），以1〇v左右的驅動電壓可完成looocd/m2的 綠色發光（例如參照非專利文獻丨）。 然後’進行多數的實用化檢討，結果有機薄膜發光 凡件係採用於行動電話的主顯示器等，穩健地進行實用 化然而’技術問題尚多’其中元件的高效率化與長壽 叩化之並存係為大的課題之一。 几件的驅動電壓係被將電洞或電子等的載子輸送至 201233772 發光層為止的載子輪送材料所大幅左右。其中，作為輸 送電洞的材料（電洞輪送材料），已知具有咔唑骨架的材 料（如參照專利文獻1〜4)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]國際公開w〇2〇〇9/61 145號 [專利文獻2]國際公開w〇2〇 1〇/4 1 872號 [專利文獻3 ]特開平8 _ 3 5 4 7號公報 [專利文獻4 ]特開2 〇 〇 8 - 2 9 4 1 6 1號公報 [非專利文獻] [非專利文獻1]應用物理通訊（Appiiecj physics Letters)(美國），1 987 年，51 卷，12 號，9i3 頁 【發明内容】 [發明欲解決之課題] ^…、'而，於以往的技術中，充分降低元件的驅動電壓 係困難，而且即使可以降低驅動電壓，元件的發光效率 '耐久壽命也不充分。如此，尚未找出可使低的驅動電 堡、高的發光效率以及耐久壽命亦並存的技術。 本發明係解決該習知技術的問題，目的在於提供 種有機薄膜發光元件，纟一邊保持低的驅動電壓，一 改善發光效率及耐久壽命。 [解決課題之手段] 其特徵為含有下述通 本發明係一種發光元件材料 式（1)所示的化合物。 (i) 201233772 ϊ

選自由氫、氘、烷基、 環烧基'胺基、芳基、雜環基 衣丞、雜方基、烯基、環缔 、快基、烧氧基、烧硫基、若西斗装 r* Vt 方蜒基、方硫醚基、南夸 氰基、羰基、羧基、氧羰基、 月女甲醒基、-P( = 〇)Ri8Rl9 及石夕烧基所組成之群組；R丨8及R丨9 . ήW且斗、 次R各自係方基或雜芳 ;此等取代基可更被取代，如物^ 丞 又低取代，相鄰的取代基彼此也可 成環；R14及R15可各自相同戋 尺形 相異，選自由烷基、 、烯基、烷硫基、芳硫基、雜卢^ ^ 雜辰基及雜芳基所組成之 組；L·係伸烷基、伸芳基或雜 又群 作呷方基，R I 6及R丨7可 同或相異’選自由烧基、芳其

土、烯基、烷硫基、芳硫義 、雜環基及雜芳基所組成之群 I 。 f汲，R〜R· 7係可更被取代 [發明之效果] 依照本發明，可提供— 種有機電場發光元件，盆聰 動電壓低，具有高的發光效 九70件八驅 壽命。 欢羊，更且亦兼備充分的耐久 【實施方式】 [實施發明之形態] 茲詳細說明本發明中之 、％ (1)所不的化合物。 201233772

環 Λ 氰 及 Ο 成 Λ 組 同 雜 丙 脂 ， 芳 基 來 烧 R1〜R13可各自相同或相異，選自由氫、氣、燒基、 烷基、胺基、芳基、雜環基、雜芳基、烯基、環烯基 炔基、烧氧基、烧硫基、芳醚基、芳硫驗基、_素、 基、羰基、羧基、氧羰基、胺曱醯基、_ρ卜〇)r18r19 矽烷基所組成之群組。R18&r19各自係芳基或雜芳基 此等取代基可更被取代’相鄰的取代基彼此也可更形 環。R14及R15可各自相同或相異，選自由烷基、芳基 烯基、烷硫基 '芳硫基、雜環基及雜芳基所組成之群 。1^係伸烷基、伸芳基或雜伸芳基。尺“及Rl?可各自相 或相異，選自院基、芳基、烯基、烷硫基、芳硫基、 環基及雜芳基所組成之群組。Rl4〜Rl7係可更被取代。 於此等取代基之中’烷基例如表示甲基、乙基、正 基、異丙基、正丁盖、结一丁# _ 一 丞第一 丁基、第三丁基等的飽和 肪族红基’此等可具有或不具有取代基。於有取代時 追力的取代基係/又有特別的限制，例如可舉出烧基、 基、雜芳基等，此、 2在以下的記載中亦共通。又，烷 的碳數係沒有特为丨& , 砉、i… 定 取得容易性或成本之點 看’通常為1以上2 〇 A .. t 下，更佳為1以上8以下的範圍。 壤烧基例如表示環 丙基、環己基、降冰片基、金剛 基4的飽和脂環式炽 二基，此4可具有或不具有取代基 201233772 20 出 撰：基°卩刀的碳數係沒有特別的限定，通常為3以上 以下的範圍。 土係了具有或不具有取代基，取代基例如可舉 芳基雜芳基等，此等取代基可更被取代。 ^芳基例如表示苯基、萘基 '聯苯基、第基、菲基 j基、聯三伸苯基、聯三苯基' 茈基等的芳香族烴基， 芳基係可具有或不具有取代基。芳基的碳數係沒有ς 的限定，通常為6以上4〇以下的範圍。 π雜％基例如表示吡喃環”底啶環、環&醯胺等之 %内具有I m卜的原子之I肪族環，&等可具有或不具 有取代基。雜％基的碳數係沒有特別的限-, 以上20以下的範圍。 夂逋常為‘ 雜=示咬喃基、笨硫基，基，基、吨 井基、奈疋基、苯并吱喃基、苯并苯硫基…引吟基、二 苯并呋喃基、二苯并苯硫基、咔唑美 ^ 一 個或複數個碳以外的原子 ：在核内具有- 取代或被取代。雜芳基的 此寻了為無 為2以上30以下的範圍。 有特別的限定，通常 烯基例如表示乙烯基、烯丙基、 雙鍵的不飽和脂肪族烴基，此等可且—烯基等之含有 。烯基的碳數係沒有特別的限定，°通有或不具有取代基 範圍。 吊為2以上2〇以下的 環烯基例如表示環戊締基、環戊 等之含有雙鍵的不飽和脂環式庐美〜締基、環己烯基 有取代基。環浠基的碳數：別此等可具有或不具 f Μ的限定，通常為2 201233772 以上2 0以下的範圍。 炔基例如表示乙炔基等之含有三鍵的不飽和脂肪族 烴基，此等可具有或不具有取代基。炔基的碳數係沒有 特別的限定，通常為2以上20以下的範圍。 烧氧基例如表示曱氧基、乙氧基、丙氧基等之經由 酸鍵而鍵結脂肪族烴基的官能基’此脂肪族烴基係可具 有或不具有取代基。烧氧基的碳數係沒有特別的限定， 通常為1以上20以下的範圍。 所謂的炫硫基，就是將烧氧基的鍵鍵之氧原子取代 成硫原子者。烷硫基的烴基係可具有或不具有取代基。 烷硫基的碳數係沒有特別的限定，通常為1以上2〇以下的 範圍。 芳醚基例如表示經由苯氧基等的醚鍵而鍵結芳香族 烴基的官能基，芳香族烴基係可具有或不具有取代基。 芳醚基的碳數係沒有特別的限定，通常為6以上4〇以下的 範圍。 所謂的芳硫醚基，就是將芳醚基的醚鍵之氧原子取 代成硫原子者。芳硫醚基中的芳香族烴基係可具有或不 具有取代基。芳醚基的碳數係沒有特別的限定，通常為6 以上40以下的範圍。 鹵素表示氟、氣、溴、峨。 幾基、叛基、氧幾基、胺甲醯基係可具有或不具有 取代基，取代基例如可舉出烷基、環烷基、芳此 等取代基可更被取代。 & 石夕烧基例如表示二甲見β β 原子具有鍵 一〒基矽烷基等之對矽 .201233772 結的官 數係沒 矽數通 伸 基、伸 丁基、 伸烷基 範圍。 伸 基、伸 、伸蒽 伸芳基 範圍。 數較佳 雜 原子之 基、伸 吡啩基 苯硫基 、伸。卡 基的碳 〇又， 較佳為 通 來看， 月匕基，此等可具有或不具有取代基。矽烷基的碳 有特別的限定’通常為3以上20以下的範圍。又， 常為1以上6以下的範圍。 烷基表不自烷基所衍生的2價基，例如可例示亞甲 乙基、伸正丙基、伸異丙基、伸正丁基、伸第二 伸第二丁基等。此等係可具有或不具有取代基。 的兔數係沒有特別的限定，通常為1以上2〇以下的 ^基表不自芳基所衍生的2價基，例如可例示伸苯 萘基、伸聯笨基、伸第基、伸菲基、伸聯三苯基 基：伸茈基等。此等係可具有或不具有取代基。 厌數係/又有特別的限定，通常為6以上4 〇以下的 ’當伸芳基具有取代基時，取代基亦包含的碳 為6以上60以下的範圍。 s芳基表示自在環内具有一個或複數個碳以外的 =狀芳香族基所衍生的2價基，例如可例示伸呋喃 苯基、伸°比啶基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸 伸比°定基、伸萘啶基、伸苯并呋喃基、伸苯并 申弓丨/卞基、伸二苯并呋喃基、伸二苯并笨硫基 〇坐其望 ^ 。此等係可具有或不具有取代基。雜伸芳 $係沒有特別的限定，通常為2以上3 0以下的範圍 申雜芳基具有取代基時’取代基亦包含的碳數 2以上50以下的範圍。 式（1)所不的化合物，從元件的耐久性提高之觀點 車乂佳為非對稱的咔唑二聚物。此係因為於如專利 -10- 201233772 文獻4記載的對稱構造中，結晶性高而缺乏薄膜的安定性 ，元件的耐久性降低。本發明t所謂的非對稱咔唑二聚 物，就是指通式（1)中R3為lnr«6r17所示― 時，R、佳為氮、沉、烧基、環燒基、心外：取 的芳基或無取代的雜芳基。 若考慮原料取得的容易性或合成成本，則較佳為 R1〜R13係皆由氫及氛中選出的基’或氫及說以外的 基，剩餘者係由氫及說中選出的基etR3為氫及氖以外 的基時’以佳為μ '環μ 1氧基、芳基或雜芳 基。此等基可更被取代。於此等基之令，更佳為烧基、 烧氧基或芳基。又，藉由R、N-笨基味哇基等的小取代 味唾基，通式⑴所示的化合物亦較佳成為…聚物。 此時，N:苯…基可更被燒基、環烧基、院氡基、芳 基或雜方基所取代。 丨，若考慮材料的熱安定性或電化學安定性，Ri4 及反較佳為取代或無取代的芳基或雜芳基。作為此等基 被取代時的較佳取代基，可舉出氣、燒基、烧氧基：芳 基、雜芳基、胺基等。再者，R “及Rl5較佳為核碳數6〜3〇 的务基或核碳數2〜30的雜芳基。此係因為若rM&r1s的 分子量過大，則蒸鍍時有熱分解之虞。於此等之中，更 :為苯基、聯苯基、第基、二苯并吱喃基或二苯并苯硫 :。再者’從不使三重態能階降低之觀點來看，更佳為 ，、，、取代的苯基或烷基取代苯基，特佳為無取代的苯基。 若考慮原料取得的容易性或合成成本，L較佳為取代 代的伸方基或伸雜芳基。作為此等基被取代時的 -11 - 201233772 較佳取代基’可舉出氘、曱基、甲氧 為核碳數6〜30的伸芳美再者，L·較佳 幻1曱方基或核石厌數2〜30的伸榦公甘 因為若L的分子量過大，則蒸鐘時有熱分解之/ °此係 之中，更佳為伸苯基、伸聯笨基、伸第基。於此等 伸噻吩基、伸-茉共咗咗其弋抽 土、伸呋喃基、 從不大幅伸展共輕而使三重態能階降低的觀；J中， 佳為取代或無取代的伸苯基，特佳 看’較 。 聊本基或伸荞基 若考慮材料的熱安定性或電化學安^ R17較佳為取代或無取代的芳基或雜芳基11，則R16及 取代時的較佳取代基，可舉出氘、 作為此等基被 、雜芳基、胺基等。再者，Ri6&Rl7較 氧基、芳基 的芳基或核碳數2〜30的雜芳基。此r佳為核碳數2〜3〇 为子量過大，則蒸鍍時有熱分解之虞。、坟及H17的 佳為苯基、聯苯基、第基、二笨并呋嗝於此等之中，更 基。再者，從不使三重態能階降低之;"或二笨并笨硫 間*點$毛 …、取代的苯基 '燒基取代苯基、聯笨烏 ’特佳為 作為L、R16、的組合，並沒有特’，荞基。 地可舉出如以下的骨架。 別的限定，具體 -12- 201233772

-13- 201233772

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又，作為如此通式（1)所示的化合物，具體地可舉出 如以下的化合物。再者，通式（1)所示的化合物之例係不 受此等所限定，例如亦較佳為使用於以下例示化合物中 的°卡。坐二聚物或三聚物構造中，以任意的組合結合以上 列舉的L、R1 6、R1 7之組合構造的化合物等。 -18- 201233772

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201233772 [103] [104] £Λ Η 6 [106]

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-29- •201233772 [159] Ο

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通式（1)所示的化合物係可藉由眾所周知的方法來 製造。例如，首先藉由第9位置經取代的咔唑之二溴體與 第9位置經取代的咔唑之單硼酸的鈴木偶合反應來合成 咔唑二聚物的單溴體。另一方面，將三芳基胺的單溴體 轉換成單硼酸酯體，藉由與前述咔唑二聚物的單溴體之 鈴木偶合反應，可容易地合成通式（1)所示的化合物，但 製造方法係不受此所限定。 -33- •201233772 本發明之通式（l)所示的化合物係作為發光元件材 料使用。此處所謂的本發明中之發光元件材料，就是表 示發光元件的任一層中所使用的材料，如後述地，除了 電洞注入層、電洞輸送層、發光層及/或電子輸送層中所 使用的材料，亦包含陰極的保護膜中所使用的材料。藉 由使用本發明之通式（1)所示的化合物於發光元件的任 一層，可得到高的發光效率，而且得到耐久性優異之發 光元件。 其次，詳細說明本發明的發光元件之實施形態。本 發明的發光元件具有陽極、陰極及介於此等陽極與陰極 之間存在的有機層，該有機層係藉由電能進行發光。 如此的發光元件中的陽極與陰極之間的層構成，除 了僅由發光層所構成，亦可舉出（1)發光層/電子輸送層、 (2)電洞輸送層/發光層、（3)電洞輸送層/發光層/電子輸送 層、（4)電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層、（5) 電洞輪送層/發光層/電子輸送層/電子注入層、（6)電洞注 入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層等的 積層構成。又，上述各層係各自可為單一層、複數層中 的任一者。 通式（1)所示的化合物係可使用於發光元件中上述 的任一層’但特別適用於電洞輸送層。 於本發明的發光元件中，陽極與陰極具有供應充分 的電流以用於元件的發光之任務，取出光用的至少一者 宜為透明或半透明。通常，將基板上所形成的陽極當作 透明電極。 -34- .201233772 %極所用的材料只要疋可將電洞向效率地注入有機 層之材料而且為了取出光而為透明或半透明者，可為氧 化鋅、氧化錫、氡化銦、氧化錫銦（ITO)、氡化鋅銦（IZ0) 等的導電性金屬氧化物、或金、銀'鉻等的金屬、碘化 銅、硫化銅等的無機導電性物質、聚噻吩、聚吡咯及聚 苯胺等的導電性聚合物等，沒有特別的限定，特佳為使 用TO玻璃或奈塞（Nesa)玻璃。此專電極材料係可單獨使 用’也可積層或混合複數的材料而使用。透明電極的電 阻由於只要能供應充分的電流給元件的發光即可，故沒 有限定，從元件的消耗電力之觀點來看，宜為低電阻。 例如，若為300Ω/□以下的ITO基板則具有當作元件電極 =機能，但目前由於10Ω/□左右的基板之供給亦成為可 鲍，故特佳為使用20Ω/□以下的低電阻之基板。ΙΤ〇的厚 度係可配合電阻值來任意選擇，但通常大多使用5〇〜3〇〇 nm之間。 人’馬了保持發光元 1J例·，·、a /又-干X Ί£芍隹丞扳 1發光元件。基板可合適地使用鈉玻璃或無 等的玻璃基板。# , 強声“、 厚度由於只要是能保持機械 涟度的充分厚声Βι3·5Γ λ ^ X即了 ’ 0-5随以上係充分的。就玻璃的 :而「由於自玻璃所溶出的離子少者為佳，故較佳 為無驗玻璃，由 由於施有Sl〇2等的屏障塗層之鈉鈣玻璃亦 有市售，故亦可使用它。 带托曰士 機能，則基板未必要是姑减的 疋玻璃，例如亦可在塑膠基板上形 成陽極。I τ 0膜开> Λ 丨/ 、^成方法係電子線束法、濺鍍法及化學反 〜法荨，沒有特別的限制。 -35- 201233772 陰極所用的松4 何枓只要是可高效率地 層的物質，則没有將電子注入發光 銀、銅、鐵、锡、如 佳為鉑、金、 銘、銦等的金屬、戋此笙 、鈉、鉀、鈣、鎂1 專的金屬與鋰 、寺的低功函數金屬之合今十夕 等。其中，作為主士八 金或多層積層 战刀’ I呂、銀、鎮從雷ρ 易性、膜的安定性 ^ 卩值或製膜容 、發光效率等方面來看係軔4 ^ 地若以鎂與銀所構忐 bi i 节季乂佳。特別 再成，則由於電子對本發明巾 送層及電子注入層夕、± a— 中的電子輪 層之〉主入變谷易，低電壓驅 而較佳。 呢勒變成可能 呆4陰極，可舉出將鉑、金、 鐵、錫、I呂及銦等的a 、 銅、 寺的金屬、或用此等金屬的合 、二氧化鈦及氮化碎等機 、伊系-八u人 &烯醇、聚氣乙烯 “…子化s物等的有機高分子化合物作為保護膜 層而積層在陰極上者去你e社 ’、 、 上者虽作杈佳例。惟，於自陰極側取出 :的元件構造(頂部發光構造)時，保護膜層係自可見光 範圍具有透光性的材料中選擇。此等電極的製作方法係 電阻加熱、電子線束、減鍍、離子鍍及塗敷等，沒有特 別的限制。 電洞注入層係插入陽極與電洞輸送層之間的層。電 洞注入層係可為1層或積層複數的層中之任一者。若電洞 注入層存在於電洞輸送層與陽極之間，則可以更低電壓 驅動，不僅耐久壽命亦升高，而且提高元件的載子平衡 ’發光效率亦升高而較佳。 電洞注入層所用的材料係沒有特別的限定，例如可使 用4,4’-雙（Ν-(3 -曱基苯基）-Ν-苯基胺基）聯苯（TPD)、4,4，- -36- 201233772 雙（N-(l -萘基）-N-苯基胺基）聯苯（NPD)、4,4，雙（n，n雙（4_ 聯苯基）胺基）聯苯（TBDB)、雙（N，N，_二苯基_4_胺基1基 ^-Ν，Ν·二苯基·4,4，_二胺基]，〗’聯苯（TpD232)等的聯苯胺 何生物、4,4’，4，’-三（3-f基苯基（苯基）胺基）三苯基胺 (m-MTDATA)、4,4，，4，，_三（1_萘基（苯基）胺基）三苯基胺 (I-TNATA)等之稱為星爆型芳基胺的材料群、雙（n芳基 ^°坐）或雙（N-院基味唾）等的雙味唾衍生H坐琳衍生; 化合物、脖'系化合物、笨并吱喃衍生物、嗟吩衍生 化二：一：：生物、酞花青衍生物、外啉衍生物等的雜環 乙二V:物糸之在側鏈具有前述單體的聚碳酸醋或苯 生物、聚㈣、聚苯胺、聚第、聚乙料唾及聚石夕 又，亦可使用通式⑴所示的化合物。其中，從具 將電斤，不的化合物淺的H〇M〇能階，圓滑地自陽極 今電洞左入輸送至電洞輸送 笨胺衍，物、线型芳基㈣材=來看更^使用聯 此等材料係可單獨估 用。又，亦可積層複種以上的材料使 ，此電洞注入層若以受』：：：ί電洞注入層。再者 上述的電洞注入材料中換13早獨所構成，或於如 於更顯著地得到上述效果而=性化合物而使用，則由 ，當作單層膜使用時係雷所謂的受體性化合物 #田。士〆 丹接觸的電洞輸送層，者扶吨二 使用時係與構成電洞 Μ層田摻雜而 物之材料。若使用如此二:材，形成電荷移動錯合 電性’更有助於元件的驅動電二南電洞注入層的導 高、耐久壽命升高等的效：電塵降低’得到發光效率升 -37- 201233772 作為受體性化合物之例’可舉出如氣化鐵（III)、氯 化鋁、氣化鎵、氯化錮、氯化銻的金屬氣化物，如氧化 鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化釕的金屬氧化物，如三（4-溴 苯基）鋁六氣銻酸鹽（TBPAH)的電荷移動錯合物。又，在 分子内具有硝基、氰基、齒素或三氟甲基的有機化合物 ，或醌系化合物、酸酐系化合物、富樂烯等亦適用。作 為此等化合物的具體例，可舉出六氰基丁二烯、六氰基 苯、四氰基乙烯、四氰基醌二甲烷（TCNQ)、四氟四氰基 酿=曱烧（F4-TCNQ)、對四a苯酿、對四氯苯鲲、對四 $苯醌對笨g昆、2，6 -二氣苯醒、2，5 -二氣苯醌、四甲基 :酿、1’2,4,5-四氰基苯、鄰二氰基苯、對三氛基苯、n 氰土四氟笨、2,3 -二氣-5，6 -二氰基苯醌、對二硝基苯 二:二:肖基笨、鄰二確基苯、對氰基确基苯、間氰基確 基本、鄰氰^基;G肖美笑 ,A ^ 萘、2-硝基芡、\，ό、 ，3_二氣蔡§昆、^硝基 、9销：9广Γ 、1,5·二确基蔡、9_氛基葱 A g ^ 9，10·葱醌、丨，3,6,8-四硝基咔唑、2,4二 蜗基冬第酮、2,3,5,6_四氰基心定 = 酐、C60、及C7〇等。 ）木鲛酐本—甲酸 於此等之φ 作容易，蒸铲卜主§乳化物或含氘基的化合物由於操 。當電洞注易：而容易得到上述的效果，故較佳 洞注入層中摻雜二二又粗丨生化°物早獨所構成時或在電 層可為1層，也广性化合物時的任-情況，電洞注入 電洞輪送二積：複數的層而構成。 為止之層。電二二 極所注入的電洞輸送至發光層 °雨送層係可為單層或積層複數的層之構 -38- 201233772 成中的任一者。 式⑴所丁的化σ物由於具有5.3〜5.5eV的離子化 立«鑛膜的AC-2(理研計器）測定值）、高的三重態能 \向的電洞輸送性及薄膜安^性，故較宜使用在發光 ::的電洞注入層及電洞輸送層。又，通式⑴所示的化 ㈣由於相對於習知材料之具有聯苯胺f架的電洞輸送 材枓而言能隙大，故LUM0能階高，電子阻播性優異。 再者’通式⑴所示的化合物較佳為作為使用三重能發光 材料的元件之電洞輸送材料使用…習知材料之且有聯苯 胺骨架的電洞輸送材料，係三重態能階低，若直接接於 =重態發光性摻雜劑的發光層，則發生三重態激發 =的茂漏，發光效率降低，但通式⑴所示的化合物具 有局的三重態能階，不會發生如此的問題。 又，通式（1)所示的化合物，與習知材料的專利文獻 3記載之化合物群相比，係藉由隔著連結基L的胺骨年鍵 結於:卡:坐骨架的第3位置，而離子化電位變小，顯示良好 的電洞注入輸送性。又，由於電子阻擋性亦升高，故得 到同效率 '長壽命的發光元件。當沒有連結基乙而胺骨架 直接鍵結於咔唑骨架時’電子阻擋性降低，耐久壽命變 差。還有’三重態能階亦降低，與含有三重態發光性= 雜劑的發光層組合時’導致發光效率的降低。再者，由 於成為非對稱構造，非晶性升高，薄膜的安定性升高。 由複數層的電洞輸送層來構成時，含有通式（1)所示 的化合物之電洞輸送層較佳為直接接於發光層。此係= 為通式（1)所示的化合物具有高的電子阻擋性，可防止 -39- 201233772 發光層所流出的電子之侵入。再者，通式（1)所示的化合 物由於具有高的三重態能階’故亦具有將三重態發光材 料的激發能量關在裏面的效果。因此，於發光層中含有 三重態發光材料時，含有通式（1)所示的化合物的電洞輸 送層係較佳為直接接於發光層。 電洞輸送層係可僅由通式（1)所示的化合物所構成 ，於不損害本發明的效果之範圍内，亦可混合其它材料 。此時，作為所用的其它材料，例如可舉出4,4，-雙（N_(3_ 甲基苯基）-N-苯基胺基）聯苯（TpD) ' 4,4，_雙萘基 )-N-苯基胺基）聯苯（NpD)、4,4，_雙聯苯基）胺 基）聯苯（TBDB)、雙（N，N’_二苯基_4胺基笨基）n，n-二苯 基-4,4’-二胺基十丨，-聯苯基（TpD232)等的聯苯胺衍生物 、4’4’，4’’-三（3_甲基苯基（苯基）胺基）三苯 MTDATA)、4,4，，4，，_三…蔡基（苯基）胺 （ 0-了黯)等之稱為星爆型芳基胺的材料群、雙 咔唑則(N-烷基咔。坐)等的雙咔。坐衍生物…比唑啉衍： 物、芪系化合物、腙率化A Μ. ± 衍生物、今二唾行生南衍生物、。塞吩 何生物、酞花青衍生物、 的雜環化合物、聚人物& ^ 啉何生物專 聚D物糸之在側鏈具有前述 U旨或苯乙稀衍生物、聚嗟吩、聚苯胺 二二 0卡0坐及聚石夕院等。 第 水乙稀 複數層中的任 贫尤層可為單 光材料(主體材料、摻雜劑材料)所形成，二：自由發 料與摻雜劑材料之混人 b 了為主體材 者皆可m2 也可為主料料單獨，任- 本發明的發光元件中，在各發光層中， -40- 201233772 :僅主體材料或摻雜劑材料進行發光 :雜劑材料皆發光。從高效率地利用電 ^料與 度的發光之觀點來看，發光層 純 劑材料之混合所構成。又…二由主體材枓與摻雜 各自-種類，也τί 與摻雜劑材料係可 1也可為複數的組合，任一者皆可^ 材料係可含於φ辦#白了。摻雜劑 Ζ於主體材料的全體，也可部分地含— 者白可。摻雜劑材料係可積層，也可 。，雜劑材料係可控制發光色。摻雜劑材料的量若：： 二發生濃度消光現象，故相對於主體材料而 = 使用20重量％以下，更 换蚀士 -丄t 置/〇以下。摻雜方法係可 猎由與主體材料的共墓鍍法來 、 來形成’也可與主體材料預 先忍合後，同時地蒸鍍。 發光材料係除了通式⑴所示的化合物，還可使用以 在作為發光體已知的蔥或祐等 幻％ ^比寺的^合環衍生物、以三（8_ 备基喧琳）鋁為首的金屬螯合 興* 0 氧諾德（oxynoid)化合物 又苯乙烯基蒽何生物或二苯乙稀基苯衍生物等的雙苯 乙烯基衍生物、四笨某丁-说）一 四本丞丁一烯何生物、茚衍生物、香豆 素衍生物、噚二唑衍生物、 . ^ 比各开吡啶衍生物、茈酮衍 物、環戊二稀衍生物、号二唾衍生物、嚷二哇并㈣ 衍生物、二苯并吱喃衍生物、味。坐衍生物、十朵并味嗤 衍生物、聚合物系的聚伸苯基伸乙稀基衍生物、聚對伸 苯基衍生物、聚。塞吩衍生物等，沒有特別的限定。 發光材料中所含有的主體材料係未必要限定於僅化 合物-種，而可混合本發明的複數化合物使用，或混合 其它主體材料的-種類以上使用。作為可混合的主體材 -41 - 201233772 料，並沒有特別的限定，可使用蔡、葱、菲、祐、窟、 稠四笨、聯二伸苯、&、螢蒽、苐、茚等之具有縮合芳 環的化合物或其衍生物、N，N、二萘棊-n，n，-二苯基_4,4，_ 一本基-ι，ι，-二胺等的芳香埃胺衍生物、以三（8經基喹 琳）紹（III)為首的金屬聲合化氡諾Μ合物、二苯乙稀基 苯衍生物等的雙苯乙歸基衍生物Γ四苯基丁二稀衍生物 、節衍生物、香豆素衍生物、嘩二唑衍生物、吡咯并吡 :何生物、茈酮衍生物、環戊二烯衍生物、吡咯并吡咯 何士物噻一唑并吡啶衍生物 '二苯并呋喃衍生物、咔 唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、三畊衍生物、聚合物系 的聚伸笨基伸乙烯基衍 ,、_ 何生物、聚對伸苯基衍生物、聚第 χ:二物-聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物等，沒有特 別的限定。其中，作失欲土 a ,.^ 作為發先層進行三重態發光（磷光發光 ):所使用的主體，金屬整合化氧諾德化合物、二苯并吱 喃衍生物、咔唑衍生物、 物等係較適用。衍生物、三钟衍生 有由雜劑材料使用的三重態發光材料，較佳為含 ::)、釕(Ru)、把(pd)、麵(pt)、餓(0s)及 所組成之群組中選出的至少— 物。配位子較佳m屬之金屬錯合物化合 之含氮芳香族雜環。然而，不受乂“架等 要求的發光色 “匕4所限疋，可根據所 ρ的斜八‘ 月匕、與主體化合物之關係，選摆 適田的錯&物。具體地，可舉 擇 物、三{2-(2_茉矽^ ^ 一（2_本基吡。疋基）銥錯合 (本硫基）吡啶基}銥錯合物、二{2_(2 硫基）吡啶基}銥笋人物一 n — 一 (2本并笨 錯合物、二（2'笨基苯并噻唑）銥錯合％ -42- 201233772 二（2 -本基苯并号唾）銀錯合物、三苯并啥琳銀錯合物、雙 (2-苯基°比啶基）（乙醯丙酮根）銥錯合物、雙{2-(2-苯硫基） 。比。定基}銀錯合物、雙{2_(2_苯并苯硫基）吡啶基}(乙醯丙 嗣根）銀錯合物、雙（2-苯基苯并噻唑）（乙醯丙酮根）銥錯 合物、雙（2 -苯基苯并今唑）（乙醯丙酮根）銀錯合物、雙苯 并啥淋（乙醯丙酮根）銥錯合物、雙丨2_(2 4_二氟苯基）n比啶 基}(乙醯丙酮根）銥錯合物、四乙基卟啉鉑錯合物、丨三（ 石西酿基二氟丙酮）單（丨，丨〇 _菲繞啉）丨銪錯合物、丨三（硒醯 基二氟丙酮）單（4,7-二苯基_ι，1〇_菲繞啉）}銪錯合物、{三 (1，3·二苯基-1，3·丙二酮）單（M0-菲繞啉）}銪錯合物、三 乙醯基丙酮铽錯合物等。又，特開2〇〇913〇141號中記載 :磷光払雜劑亦適用。不受此等所限定但從容易得到 冋效率發光來看，較宜使用銥錯合物或鉑錯合物。 作為捧雜劑材料使用的上述三重態發光材料，係在 發光層寸可各自僅含有一種類，也可混合二種以上使用 _ 種X上的一重態發光材料時，相對於主體材料 而5 ’摻雜劑材料的總重量較佳為2〇重量％以下。 料，：可於發光層中除了上述主體材料及三重態發光材 發光二有用於調整發光層内的載子平衡或用於使 ==構造安定化之第3成分。·， 3成分， 唾骨架的化合物所成的主體材料及 用二發先材料所成的擦雜劑材料之間不發生相互作 作為三重態發光系中的 特別的限定，具體地可舉出：佳主肢及摻雜劑，並沒有 码如以下之例〇 '43- 201233772

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於本發明中’電子輸送層係從陰極注入電子， 電子輸送的層。於電子輸送層中，宜電子注入效率 再將 高， 可阿效率地輸送所注入的電子。因此，電子輸送層係要 求電子親和力大，而且電子移動度大，更且安定性優異 战為阱的雜質係 一必心叮从队扣吟不易發生的物質。 特別地，積層厚的膜厚時 化等而膜質容Μ烧呈 低刀子篁的化合物由於結晶 寻而膜質4易變差，故較 勺1示持女定膜質的分子重 -45- 201233772 4 0 0以上之化合物。然而， ，電子輸送層係主要達、考慮電洞與電子的輸送平衡時 可高效率地阻止往陰極自陽極的電洞再結合’ 輸送能力為那麼言的好树、机動之任務，即使不由電子 果也與由電子輸送能力古：成’使發光效率提高的效 於本發明的電輸送c所構成時同等。因此’ 電洞阻擔層亦作為同義者而：：率地阻止電洞的移動之 作為電子輸送層中所 、蒽等的、缩合多環芳香放/電子輸送材料，可舉出萘 )聯苯基所代表的苯？二 等的職衍生物、磷氧化物;二：何㈣、葱酿或二苯覼 :的物，‘== 合物等的各種金屬錯金屬錯 效率發光看，較佳為使用由m動電壓、得到高 選出的元素所構成之具有人雷；氮、氧、矽'磷中 之化合物。、3電子接党性氮的雜芳環構造 此處所言的電子接受性 間形成多鍵的氮原子。由於 該多鍵具有電子接受性質。 香族雜環，係具有高的電子 的電子輸送材料，係容易接 陰極之電子，更低電壓驅動 對發光層的供給變多，再結 高。 氮’就是表示與鄰接原子之 氮原子具有高的陰電性，故 因此’含電子接受性氮的芳 親和性。具有電子接受性氮 收來自具有高電子親和力的 係成為可能。又，由於電子 合機率變高’故發光效率升 -46- .201233772 作為含有雷+ 3 > 电千接跫性氮的雜芳環 裱、吡听環、喷咬 例如可舉出％吟 Φ疋j衣、喹啉環、喹噚 …比啶 啶开嘧啶環、笨并 衣、萘啶環、$ 、污二嗅環、三啥環、嘆唾環、。塞二/“、^環 、笨并噻唑環、笨并 坐％、苯并噚唑環 作為-有此：：環、菲繞味唾環等。 并咪唾衍生物、笨并^衍生物、笨、例如可舉出苯 二唾衍生物、售二唾衍生物、三唾衍m、号 、滹繞啉衍生物、喹噚啉衍生物、二啩何生物 琳衍生物、味…唆衍生物、聯二心：笨并喧 較佳的化二：中啥::::物及萘唆衍生物等當作 宜使用三(…、笨#…“能力之觀點來看，較 A雙[(4·第三丁基苯二34 的…生物、 一 土 1,3，4_污一唑基]伸苯基等的嘮 一0何物、N-萘基_2,5_二苯基仏^三哇等的三唾衍 2、維碩烯（Vas()eupreine)或丨，3.雙（1，1G_菲繞琳冬基） 本#之菲繞琳衍生物、2,2，.雙（苯并[h]切_2基）_9,9，_ 螺雙第等之苯并㈣^生物、2,5_雙（6，_(2，，2，，_聯二咕咬 ))， 〒基_ 3，4 _ 一苯基石夕11各等的聯二。比咬衍生物、 丨’3-雙(4 :(2,2’:6’2”_聯三吡啶基))苯等之聯三吡啶衍生 物、雙（1_萘基）_4_(1，8_萘咬_2_基）苯基膦氧化物等之萘啶 何生物。又，此等的衍生物若具有縮合多環芳香族骨架 由於玻璃轉移溫度升高，同時電子移動度亦變大，發 光元件的低電壓化之效果大而更佳。再者，若考慮元件 耐久命命提高、合成的容易性、原料取得容易，則縮合 -47- .201233772 多環芳香族骨架特佳為蒽骨架、芘骨架或菲繞啉骨架。 上述電子輸送材料係可單獨使用，也可混合2種以上的上 述電子輸送材料而使用，或可將一種以上的其它電子輸 送材料混入上述電子輸送材料中而使用。 作為較佳的電子輸送材料，並沒有特別的限定，具 體地可舉出如以下之例。

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上述電子輸送材料係 < 單獨使用，也可混合2種以上 的上述電子輸送材料而使用’或可將一種以上的其它電 子輸送材料混入上述電子輸送材料中而使用。又，亦可 含有供體性化合物。此處所謂的供體性化合物，就是藉 由電子注入障壁的改善，而使自陰極或電子注入層往電 子輸送層的電子注入成為容易，更且提高電子輸送層的 導電性之化合物。 作為供體性化合物的較佳例，可舉出鹼金屬、含鹼 金=機鹽、驗金屬與有機物的錯合物、驗土類金屬 物：驗土類金屬的無機鹽或驗土類金屬與有機物之錯合 赵於驗金屬、驗土類金屬的較佳種類中 電子輸送能力提高效果大較、m 寺之驗金屬，或鎮、W、 、^ 飾' 鋇等的鹼土類金屬。 又’從真空中的茱餹交旦 刃点緵心易且操作優異來看，與金屬 -49- 201233772 單體比較下，更佳為無機鹽 有機物的錯合物之狀態 。再者，從使大氣中的操作成為 容易性之點來看，更…易添加濃度的控制 為益機…，更佳為與有機物的錯合物之狀態」作 為無機鹽之例’可舉，Ll0、Li2〇等的氧化物、 :二 KF等的議、Ll2C〇3、一^ 類二二1?|3等的碳酸鹽等。又，作為驗金屬或驗土 ，可舉出鐘、鉋1有，作動效果之點來看 有作為與有機物的錯合物十之有 機物的較佳例，可舉出喹啉酚、 冬开圭琳紛、〇比咬某贫 紛'黃酮醇、經基咪。坐并°比咬、經基氮節、經基三唾等 。其中，從發光元件的低電壓化效果更大之觀， 較佳為鹼金屬與有機物的錯合 、熱安定性之觀點來看，更佳為裡成的容易性 4 更佳為鋰與有機物的錯合物， 特佳為可比較便宜取得的鋰喹啉齡。 電子輸送層的離子化電位係沒有特別的限定，較佳 為5.8eV以上8.0eV以下，本先” 卜更佳為6.0eV以上7.5eV以下。 構成發光元件的上述各層之形成方法係電阻加執蒸 鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、分子積層法、塗覆法等，」： 特別的限定，通常從元件特性 '又有 熱蒸鍍或電子束蒸鑛。 點來看’較佳為電阻加 有機層的厚度，由於亦取決於發光物質的電 :法限定，但較佳為Η，·。發光層、電子輸❹、 電洞輸送層的膜厚各自較佳為lnm以上2〇〇nm以下H 為5nm以上lOOnm以下。 本發明的發光元件係具有將電能量轉換成光的機能 -50- .201233772 。此處，主 電流或交流 但若考慮元 低的能量可 本發明 段方式顯示 矩陣方 狀或馬赛克 素的形狀或 、監視器、 3 0 0μπι以下 型顯示器時 ，可排列相 、藍的畫素 。而且，此 動矩陣中任 動作特性時 來靈活運用 本發明 式形成圖案 方式。例如， 顯示、音頻相 板顯不等。而 同一面板之中 本發明的 务使用直流電流當作電能，但亦可使用脈衝 電流。電流值及電壓值係沒有特別的限制， 丨牛的消耗電力或壽命，較佳為選擇以盡可能 丨寻到最大的亮度者。 的發光元件，例如可適用作為以矩陣及/或節 的顯示器。 式係指用於顯示的畫素以二次元配置成格子 狀等，以晝素的集合來顯示文字或影像。畫 大小係依照用途來決定。例如，於個人電腦 電視之影像及文字顯示中，通常使用一邊為 ^四方形晝素，而且當使用如顯示面板的大 ，使用一邊為mm級數的畫素。於單色顯示時 同色的畫素’但於彩色顯示時，排列紅、綠 良顯示。於此情況下，典型地有△型及條紋型 矩陣的驅動方法可為線性順序驅動方法或主 一者。線性順序驅動的構造簡單，但於考慮 ’主動矩陣為優異|，故此亦必須按照用途 戸的即段方式係以顯示預先規定的資訊之方 ’藉由此圖案的配置使所規定的區域發光之 :舉出數位鐘錶或溫度計令的時刻或溫度 !盗或電磁爐等之動作狀態顯示及汽車的面 f且，前述矩陣顯示與節段顯示亦可共存於 〇 發光元件亦較宜使用當作各種機器等的背 -51 - 201233772 光。背光之使用目的主要為提高不能自己發光的顯示裝 置之視覺辨識性，可使用於液晶顯示裴置、鐘錶、音頻 裝置、汽車面板、顯示板及標識等》特別地，於液晶顯 示裝置，尤其正檢討薄型化的個人電腦用途之背光中， 較佳地使用本發明的發光元件’可提供比以往更薄型立 輕量的背光。 [實施例] 以下舉出貫施例來說明本發明，惟本發明不受此等 實施例所限定。再者，下述各實施例中的化合物之編號 係指上述記載的化合物之編號。 合成例1 化合物[71](ΗΤ-1)之合成 將20.9g 3,6-二溴苯基咔唑、i5.〇g苯基咔唑_3硼酸 、366mg雙（三苯基膦）把（11)二氣化物、i〇5mL ιΜ碳酸鈉 水溶液、260mL二甲氧基乙烷的混合溶液在氮氣流下回 流5小時。冷卻至室溫後，用甲苯萃取。以水洗淨有機層 2次，用硫酸鎂乾燥後，進行蒸發。藉由矽凝膠管柱層析 術精製所得之濃縮物’真空乾燥後，得到135g 6-漠 -9，9 ’ Η - 3，3 ’ -雙咔唑。 其次，將5_3§6-溴-9,9，13,3，-雙咔唑、3〇§4_(二笨 基胺基）苯基硼酸、66mg雙（三笨基膦）鈀二氣化物、 21mL 1M碳酸鈉水溶液、47mL二甲氧基乙烷的混合溶液 在氮氣流下回流5小時。冷卻至室溫後，將水注入，進行 過渡’將所滤取的固體真空乾燥。藉由矽凝膠管柱層析 術精製所得之固體，真空乾燥後，用曱苯萃取。以水洗 -52- 201233772 淨有機層2次，用硫酸鎂乾燥後，進行蒸發。藉由矽凝膠 管柱層析術精製所得之濃縮物後，以甲苯與甲醇的混合 浴劑進行2次再結晶，真空乾燥後，得到丨· 3 g白色粉末。 所得之粉末的W-NMR分析結果係如以下，確認上述 所付之白色結晶為化合物[7 1 ] ( η τ _ 1)。 1H-NMR(CDCl3(d=ppm))：7.〇4-7.14(m, 8H), 7.30-7.61(m, 12H)7.67-7.89(m, 11H), 7.91(d, 2H, 9.99), 8.39(d, 1H, d = 7.83Hz)，8.72(m，2H，d=1.62)，8.82(d，1H，d=1.35)。 而且’此化合物[71]係使用油擴散泵，在i x i〇-3pa 的壓力下’以約3 5 0 °C進行昇華精製後，作為發光元件材 料使用。HPLC純度（在測定波長254nm的面積％)係昇華精 製前為9 9 · 8 % ’昇華精製後為9 9.9 %。 實施例1 將沉積有165nm ITO透明導電膜的玻璃基板 (Geomatec(股）製’ 11Ω/□’濺鍍品）切割成38x46mm，進 行蝕刻。用“Semiclean 56”（商品名，Furuuchi化學（股）製 )’超音波洗淨所得之基板1 5分鐘後，以超純水洗淨。在 製作元件的跟前，UV-臭氧處理此基板1小時，設置於真 空蒸鍍裝置内，排氣直到裝置内的真空度成為5xl〇-4p'a 以下為止。藉由電阻加熱法，作為電洞注入層，蒸鍍i 的HI-1。其次，作為電洞輸送層，蒸鍍6〇ηη^Ητ_ι。接 著’作為發光層’於主體材料中使用化合物Ή 1，彳參雜 劑材料中使用化合物D-1，以摻雜劑材料的捧雜濃度成為 5重量％的方式，蒸鍍40nm的厚度。接著，作 F马電子輸送 層，積層20nm的厚度之化合物E-1。 -53- 201233772 者， 其次，蒸鍵〇.5nm的氟化貍、60nm的紹而成為陰極 ’製作5x5mm見方的元件。此處所言的膜厚係石英振盈 式膜厚監視器顯示值。以1 〇mA/cm2直流驅動此發光元件 ，結果得到4.8V的驅動電壓、4.8%的外部量子效率之藍 光。將此元件設定在1 〇〇〇cd/m2的初期亮度，測定而才 久辱命，結果自初期亮度減少20%的時間為45〇小時。再 化合物 HI-1、HT-1、H-1、D-l、 化合物。 彳糸U下所不的

54- 201233772 實施例2〜19 除了使用表1中記載的材料當作電洞輸送層以外，與 實施例1同樣地製作發光元件，進行評價。表1中顯示結 果。再者，HT-2〜HT-19係以下所示的化合物。

55- 201233772

HT-12 HT —13 -56- 201233772

比較例1〜7 除了使用表1中記載的材料當作電洞輸送層以外，與 實施例1同樣地製作發光元件，進行評價。表1中顯示結 果。再者，HT-20〜HT-26係以下所示的化合物。 -57- 201233772

HT-21 HT-22

HT-23

P

HT-25

實施例20 將沉積有165nm ITO透明導電膜的玻璃基板 (Geomatec(股）製，11Ω/□，滅:鐘品）切割成 38><46mm，進 行钮刻。用“ S e m i c I e a η 5 6’’（商品名，F u r u u c h i化學（股）製 )，超音波洗淨所得之基板1 5分鐘後，以超純水洗淨。在 製作元件的跟前，UV-臭氧處理此基板1小時，設置於真 空蒸鍍裝置内，排氣直到裝置内的真空度成為5xlO_4Pa 以下為止。藉由電阻加熱法，作為電洞注入層，蒸鑛1 0 n m -58- 201233772 的HI-1。其次，作為電洞輸送層，蒸鍍的 著’作為發光層，於主體材料中使用化合物Η 接

悧材料中使用化合物D-2，以摻雜劑材料的摻雜濃度成’、 10重量°/〇的方式’蒸鍍40nm的厚度。接著，作為電子= 送層’積層20nm的厚度之化合物E-2。 J 其次’蒸鐘0.5nm的說化裡、60nm的銘而成為p極 ，製作5x5mm見方的元件。此處所言的膜厚係石英振盪 式膜厚監視器顯示值。以1 〇mA/cm2直流驅動此發光元件 ’結果得到3.7 V的驅動電壓、1 3 · 5 %的外部量子效率之綠 色發光。將此元件設定在1 〇〇〇ccj/m2的初期亮度，測定耐 久壽命，結果自初期亮度減少2〇%的時間為25〇小時。再 者’化合物H-2、D-2、E-2係以以下所示的化合物。

實施例21〜3 8 除了使用表2中記載的材料當作電洞輸送層以外，與 實施例20同樣地製作發光元件，進行評價。表2中顯示結 -59- 201233772 比較例8〜1 4 除了使用表2中記載的化合物當作電祠輸送 ，與實施例20同樣地製作發光元件，進行評價~。^ 示結果。 μ 實施例39〜57 除了使用表3中記載的材料當作電洞輪送層、 料、摻雜劑材料以外，與實施〇同樣 :進行評價。表3中顯示結果。再者，化 係以下所示的化合物。 層以外 :2中顯 主體材 光元件 3 ' D-3

比較例15〜21 除了使用表3中記 料、摻雜劑材料以外 ，進行評價。表3中顯 實施例58〜76 栽的材料當作電洞輸送層、 與貫施例20同樣地製作發 示結果。 除了使用表4中記 料、摻雜劑材料以外， ’進行評價。表4中顯 係以下所示的化合物。 栽的材料當作電洞輸送層、 與實施例20同樣地製作發 示'結果。再者，化合物 主體材 光元件 主體材 光元件 [、D-4 -60- 201233772

比較例22〜28 除了使用表4中$ # 尤载的材料當作電洞輸送層、主體材 料、摻雜劑枋料以外，與實施例2〇同樣地製作發光元件 ’進行評價。表3中顯示結果。 [表1] 電洞輸送層 主體材刹 卜推雜劑材料 發光g 驅動電壓(V 丨外部量子效率 (%) 亮度減少20%壽命 (小時） 實施例I HT-1 Η-1 D-1 藍 4,8 ----7^-- 450 實施例2 HT-2 Η-1 D-1 藍 4.7 -Hl2r 440 實施例3 HT-3 Η-1 D-1 藍 4.7 4^8-- 430 實施例4 HT-4 Η-1 D-1 藍 4.9 4.7 430 實施例5 HT-5 Η-1 D-1 藍 4.9 T7^ 430 實施例6 HT-6 Η-1 D-1 藍 4.9 4.5 440 實施例7 HT-7 Η-1 D-1 藍 4.9 —---- 4.4 430 實施例8 HT-8 Η-1 D-1 藍 5.0 4l〜 440 實施例9 HT-9 Η-1 D-1 藍 4.9 實施例10 HT-10 Η-1 D-1 藍 4.8 435 賫施例11 HT-11 Η-1 D-1 藍 4.9 tn ^ Γ 440 實施例12 HT-12 Η-1 D-1 藍 4.9 430 實施例13 HT-13 Η-1 D-1 藍 4.9 —------- -一 _ 430 實施例14 HT-14 Η-1 D-1 藍 4.8 ------- -- 440 實施例15 ΗΤ·15 Η-1 D-1 藍 4.8 4.8 實施例16 ΗΤ-16 Η-1 D-1 藍 4.9 435 實施例17 ΗΤ-17 Η-1 D-1 藍 4.9 4?7^ 430 實施例18 ΗΤ-18 Η-1 D-1 藍 4.8 430 實施例19 ΗΤ-19 Η-1 D-1 藍 4.9 440 比較例1 ΗΤ-20 Η-1 D-1 藍 5.0 280 比較例2 ΗΤ-21 Η-1 D-1 藍 5.4 H2〇：~~~ 120 比較例3 ΗΤ-22 Η-1 D-1 藍 5.0 280 比較例4 ΗΤ-23 Η-1 D-1 藍 5.1 3.8'''''' 220 比較例5 ΗΤ-24 Η-1 D-1 藍 5,2 130 比較例6 ΗΤ-25 Η-1 _ D-1 藍 5.1 4Ό 200 比較例7 ΗΤ-26 Η-1 D-1 藍 5.4 ~r·--— 3.8 210 -61 - 201233772 [表2] 電洞輸送層 主體材料 摻雜劑材料 發光色 驅動電壓(V) 外部量子效率 (%) 亮度減少20%壽命 (小時） 實施例20 HT-1 H-2 D-2 綠 3.7 13.5 250 贲施例21 HT-2 H-2 D-2 綠 3.8 13.4 245 實施例22 HT-3 H-2 D-2 綠 3.9 13.6 251 實施例23 HT-4 H-2 D-2 綠 3.8 13.5 190 實施例24 HT-5 H-2 D-2 綠 3.9 13.4 180 實施例25 HT-6 H-2 D-2 綠 3.9 13.4 180 實施例26 HT-7 H-2 D-2 綠 3.9 13.4 175 實施例27 HT-8 H-2 D-2 綠 3.8 13.5 250 實施例28 HT-9 H-2 D-2 綠 3.8 13.4 245 實施例29 HT-10 H-2 D-2 綠 3.9 13.6 220 實施例30 HT-11 H-2 D-2 綠 3.9 13.5 200 實施例31 HT-12 H-2 D-2 綠 3.9 13.5 250 實施例32 HT-13 H-2 D-2 綠 3.7 13.6 250 實施例33 HT-14 H-2 D-2 綠 3.8 13.1 190 實施例34 HT-15 H-2 D-2 綠 3.9 13.2 180 實施例35 HT-16 H-2 D-2 綠 3.8 13.2 190 實施例36 HT-17 H-2 D-2 綠 3.9 13.0 180 實施例37 HT-18 H-2 D-2 綠 3.8 13.5 250 實施例38 HT-19 H-2 · D-2 綠 3.9 13.6 240 比較例8 HT-20 H-2 D-2 綠 4.0 8.0 180 比較例9 HT-21 H-2 D-2 綠 4.6 12.0 140 比較例10 HT-22 H-2 D-2 綠 4.1 12.2 180 比較例11 HT-23 H-2 D-2 綠 4.5 8.1 140 比較例12 HT-24 H-2 D-2 綠 4.5 12.1 110 比較例13 HT-25 H-2 D-2 綠 4.2 10.2 110 比較例14 HT-26 H-2 D-2 綠 4.6 11.1 100 -62- 201233772 [表3] 電洞輸送層 主體材料 摻雜劑材料 發光色 驅動電壓(V) 外部量子效率 (%) 亮度減少20%壽命 (小時） 實施例39 HT-1 H-3 D-3 藍 4.1 13.0 200 實施例40 HT-2 H-3 D-3 藍 4.2 13.0 205 實施例41 HT-3 H-3 D-3 藍 4.4 12.9 195 實施例42 HT-4 H-3 D-3 藍 4.4 12.4 150 實施例43 HT-5 H-3 D-3 藍 4.6 12.3 148 實施例44 HT-6 H-3 D-3 藍 4.5 12.3 150 實施例45 HT-7 H-3 D-3 藍 4.6 12.2 145 實施例46 HT-8 H-3 D-3 藍 4.1 13.0 200 實施例47 HT-9 H-3 D-3 藍 4.2 13.0 205 實施例48 HT-10 H-3 D-3 藍 4.4 12.9 195 實施例49 HT-11 H-3 D-3 藍 4.4 12.9 185 實施例50 HT-12 H-3 D-3 藍 4.6 12.9 190 實施例51 HT-13 H-3 D-3 藍 4.1 12.8 195 實施例52 HT-14 H-3 D-3 藍 4.2 12.5 150 實施例53 HT-15 H-3 D-3 藍 4.4 12.4 145 實施例54 HT-16 H-3 D-3 藍 4.4 12.2 150 實施例55 HT-17 H-3 D-3 藍 4.6 12.3 148 實施例56 HT-18 H-3 D-3 藍 4.5 12.3 200 實施例57 HT-19 H-3 D-3 藍 4.6 12.1 200 比較例15 HT-20 H-3 D-3 藍 5.0 8.0 120 比較例16 HT-21 H-3 D-3 藍 5.6 11.5 50 比較例17 HT-22 H-3 D-3 藍 5.1 11.4 125 比較例18 HT-23 H-3 D-3 藍 5.7 6.0 70 比較例19 HT-24 H-3 D-3 藍 5.8 11.7 60 比較例20 HT-25 H-3 D-3 藍 5.7 10.2 70 比較例21 HT-26 H-3 D-3 藍 5.9 10.8 80 -63- 201233772 [表4] 電洞輸送層 主體材料 摻雜劑材料 發光色 驅動電壓(V) 外部量子效率 (%) 亮度減少20%壽命 (小時） 實施例58 HT-1 H-4 D-4 紅 3.7 15.0 350 實施例59 HT-2 H-4 D-4 紅 3.8 15.1 340 實施例60 HT-3 H-4 D-4 紅 3.9 14.9 330 實施例61 HT-4 H-4 D-4 紅 3.8 14.8 300 實施例62 HT-5 H-4 D-4 紅 3.9 14.5 290 實施例63 HT-6 H-4 D-4 紅 3.9 14.9 280 實施例64 HT-7 H-4 D-4 紅 3.9 14.7 270 實施例65 HT-8 H-4 D-4 紅 3.8 14.4 280 實施例66 HT-9 H-4 D-4 紅 3.8 14.6 350 實施例67 HT-10 H-4 D-4 紅 3.9 14.2 290 實施例68 HT-11 H-4 D-4 紅 3.9 14.2 280 實施例69 HT-12 H-4 D-4 紅 3.9 14.3 280 實施例70 HT-13 H-4 D-4 紅 3.7 14.5 280 實施例71 HT-14 H-4 D-4 紅 3.8 14.3 250 實施例72 HT-15 H-4 D-4 紅 3.9 14.7 250 實施例73 HT-16 H-4 D-4 紅 3.8 14.5 280 實施例74 HT-17 H-4 D-4 紅 3.9 14.7 270 實施例75 HT-18 H-4 D-4 紅 3.8 14.6 350 實施例76 HT-19 H-4 D-4 紅 3.9 14.7 350 比較例22 HT-20 H-4 D-4 紅 4.3 11.7 240 比較例23 HT-21 H-4 D-4 紅 4.5 11.8 150 比較例24 HT-22 H-4 D-4 紅 4.2 11.9 250 比較例25 HT-23 H-4 D-4 紅 4.3 11.6 140 比較例26 HT-24 Η·4 D-4 紅 4.4 11.4 120 比較例27 HT-25 H-4 D-4 紅 4.5 11.6 140 比較例28 HT-26 H-4 D-4 紅 4.5 11.5 160 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無。 -64-

Claims (1)

1. 201233772 七、申請專利範圍： 1. 一種具有通式（1)所示的化合物之發光元件材料，

   (R1〜R13可各自相同或相異，選自由氫、氘、烷基、環 院基、胺基、芳基、雜環基、雜芳基、稀基、環稀義 、炔基、烧氧基、炫>琉基、芳醚基、芳硫驗基、齒素 、氰基、羰基、綾基、氧羰基、胺曱醯基、-P( = 〇)R18Rl9 及矽烷基所組成之群組；R18及R19各自係芳基或雜芳基 ;此等取代基可更被取代，相鄰的取代基彼此也可更 形成環·’ R14及R15可各自相同或相異，選自由烧基、芳 基、烯基、烷硫基、芳硫基、雜環基及雜芳基所組成 之群組；L係伸烷基、伸芳基或伸雜芳基；Rl6AR〗7可 各自相同或相異，選自由烷基、芳基、烯基、烷硫基 、芳硫基、雜環基及雜芳基所組成之群組；rM〜r17係 可更被取代）。 所示的化合物係非對稱D卡唾二聚物。 2.如申請專利範圍第1項之發光元件材料，其中通式（1) 才料，其中於通 、烷氧基、無取 烧基、環烷基 如申請專利範圍第1或2項之發光元件材料 式（1)令，R3係氫、氣、烷基、環貌基、燒 代的芳基或無取代的雜芳基。 -65- 201233772 4.如申請專利範圍第丨至3項中任一項之發光元件材料， 其中於通式（1)中，L係伸苯基、伸聯苯基、伸苐基’、’ 呋喃基、伸噻吩基、伸二苯并呋喃基或伸二苯并笨= 基。 5 .如申請專利範圍第 π〜対几7U仟材料， 其中狀式⑴中，Rl6及Rl7各自係選自由苯基 基、萬基、’本 組。 一本开。夫喃基及二苯并苯硫基所組成之群 6 .如申請專利範圍第1至 其中於通式（1)中，rm 基0 5項中任一項之發光元件材料， 及R15各自係選自於芳基或雜芳 藉由電能進行發；ST層存在於陽極與陰極之間 申請專利範圍第！至6項中Γ牛，在該有機層中含有 8·如申請專利範圍第7項之中：厂項之發光元件齡 ，至少電洞輪送層存在兮泰 /、中作為垓有機 所示的化合物。 ’该電洞輸送層令含有通式 9.如申請專利範圍 機層，至少含有 項之發光元件π τ η, 重態發光材料的發光層存在 -66 - 201233772 四、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：無。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 無0 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 2

   17 R, R1——N 3 S