TW201232181A - Positive type resist, insulating layer and OLED - Google Patents

Positive type resist, insulating layer and OLED Download PDF

Info

Publication number
TW201232181A
TW201232181A TW100149585A TW100149585A TW201232181A TW 201232181 A TW201232181 A TW 201232181A TW 100149585 A TW100149585 A TW 100149585A TW 100149585 A TW100149585 A TW 100149585A TW 201232181 A TW201232181 A TW 201232181A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photodegradable
electronic material
bis
material according
resin
Prior art date
Application number
TW100149585A
Other languages
English (en)
Inventor
Se-Hyung Park
Byeong-Il Lee
Byoung-Kee Kim
Original Assignee
Kolon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kolon Inc filed Critical Kolon Inc
Publication of TW201232181A publication Critical patent/TW201232181A/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Description

201232181 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 .本發明涉及光降解性電子材料、由此形成的絕緣膜及有機發光二極 體’其在平板顯示器領域中,特別是在有機發光二極體(0LED,〇rganie Light Emitting Diodes)、液晶顯示器(LCD, Liquid crystal display)部分中,通過顯影 性和透光性優異的聚醯亞胺(p〇lyimide)樹脂,圖案化製程中容易體現解析 度’具有良好的絕緣電阻性。 【先前技術】 近年來的半導體領域中,由於元件的高密度化和高度集成化,喜歡加 工容易、在200°C以上的燒結製程中也能耐受的穩定材料,特別是聚醯亞胺 樹脂在耐熱性、耐化學性、耐熱氧化性等中具有優異的特性,從而TFT_LCD 的電極保護膜等電子材料至汽車、飛機等的耐熱材料領域中廣泛使用。 早期,聚醯亞胺樹脂是為了圖案形成,使用了簡單在上部塗佈光阻並 對其蝕刻的方法,但是隨著使用聚醯亞胺自身賦予光敏功能的光敏性聚醯 亞胺,用光阻的光微影製程被省略,有助於製程簡化和生產性提高。 作為正型光敏性聚酿亞胺樹脂相關的以往技術,提出了如下方案:聚 醯胺酸(polyamicacid)中混合光敏基光產酸劑的化學放大法、混合聚醯胺酸 和溶解抑制劑重氮萘醌(naphtoquinonediazide)化合物的方法、混合可溶性聚 醯亞胺和重氮萘醌化合物後使用的方法等。但是,這樣的以往技術存在如 下問題:固化後元件的可靠性會降低,難以體現高解析度的圖案,因大量 的光敏劑導致物理性質變得脆弱。 另外,原有的聚醯亞胺樹脂由於高的芳香環密度,顏色帶黃色,也存 在如下缺點·可見光區域中的透過度低,降低透光率。 通常,聚醯亞胺樹脂是對芳香二胺(diamine)和芳香二酐(dianhidride)進 行聚合,製造聚醯胺酸衍生物後,在高溫使其閉環脫水而進行醯亞胺化製 k為了製造聚醯亞胺樹脂’作為芳香二胺成分,主要使用氧二苯胺(〇Da)、 間苯二胺(m_PDA)、雙(胺基苯基)六氟丙烷(HpDA)、亞甲基二苯胺❿仍八) 等,作為芳香二酐成分,主要使用均苯四曱酸二酐^pmda)、聯苯四羧酸二 Sf(BPDA)、氧雙鄰苯二甲酸二肝(〇DPA)等。 3 201232181 此外,有機發光二極體(〇rganiclightEmittingDi〇de)是指,兩個電極之 * ^卿有機發光㈣形成賴,在雙電極施加電麟,在陽極和陰極上載 =電子和電敢人到有機薄騎内,這些鑛子再結合的同時所產生的 能量以光的形態槪的一麵示器。這利用了施加電壓時有機物發光的特 性’利用因有機物的不同發出R、G、B的特性而體現色調。 作為製造有機發光二極體的方法的—例,舰IT〇等透明電極的透明 基板上經過對光阻進行塗佈、曝光、顯影、侧、剝離等的過程而圖案化, 在此利用光阻形成絕緣層’在絕緣層圖案上再形成隔牆。上述作業後,以 電子注^層、電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層和電洞注入層的順序,蒸 鍍有機薄膜,其上驗金屬電極層。表終,通過封裝材進行封組 件’製作有機發光二極體。 " 如上所述魏緣侧案化製程,通常在基材上祕餘正型光敏性樹 月曰組合物並喊塗的方式在紐正面均自塗舰,通過職處聊秘 和曝光製程形成電路。為了防止ΙΤ〇邊緣的劣化和上下短路以麵〜 Α的厚度形成絕緣層。 上述絕緣層由無機絕緣膜或有機絕緣膜構成。作為無機絕緣膜材料, 可以在由Si〇2、SiN2等構成的組中選出一種以上。 作為絕緣用光敏性樹脂組合物,與無機絕緣膜相同,大部分使用著醯 亞胺(imide)系高分子或丙稀酸(acryl)系高分子這樣的有機絕緣膜,但具有如 下缺點:製程上因產生-部分殘留等,不易確健程費用,難以適用於 靈敏度圖案t。糾’由二_iamine)w_addanhydride)^的以往聚 醯亞胺(pdyhmde)具有固有褐色顏色,從而在改善透紐的方面有偈限性。 因此’要求可體現高靈敏度電路且在顯影中無殘留、可改善以往聚酿 亞胺(polyimide)的顏色而提高透光性,同時福保絕緣電阻性。 【發明内容】 本發明欲提供光降雜電?材料、由此形成的絕軸和械發光二極 體’該光降解性電子材料在圖案化製程中顯影性優異,可見光波長區域 (400^650腿)中具有9〇%以上的透光率,從而有助於體現高解^圖 案’提尚對比度,可以體現高靈敏度圖案。 4 201232181 本發明的-具體例為-種光降解性電子材料,其包含驗溶性樹脂、重 氮系:光敏化合物和靈敏度促進劑,上述驗溶性樹脂是對黏度為動〜施ps 的聚酿胺酸溶液進行醢亞胺化而製造的聚醯亞胺(polyimide)樹脂。 本發明的另-具體_-種絲解性電子材料’上述輯亞胺樹脂的 重均分子量(基於GPC測定法時)為4〇 〇〇〇〜8〇 〇〇〇。 #本發明的另-具體_-種絲解性電子材料,±述雜亞胺樹脂是 對^香一胺和务香一針在第一溶劑下聚合而製造聚醯胺酸溶液後,對上述 聚醯胺酸溶液在化學固化劑和醯亞胺化催化劑下醯亞胺化後,添加第二溶 劑並過濾和乾燥而製造的。 本發明的另一具體例為一種光降解性電子材料,上述芳香二胺包括在 2,2-雙(3-胺基-4-經基苯基)·六氟丙烧(此_处_处)' 2,2_雙[4_(4·胺基苯氧基)_ 苯基]丙烧(6HMDA)、2,2’-雙(三氟甲基)_4 4,_二胺基聯苯(2,2,_TFDB)、33,· 雙(三敦甲基)-4,4,-二胺基聯苯(3,3,_TFDB)、4,4,_雙(3_胺基苯氧基)二苯基砜 (DBSDA)、雙(3_胺基苯基)砜(3DDS)、雙(4-胺基苯基)砜(4DDS)、1’3-雙(3-胺基苯氧基)笨(APB-133)、I,4-雙(4_胺基苯氧基)苯(处私134)、2,2,_雙[3(3_ 胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷(3_BDAF)、2,2,..雙[4(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙 炫(4-BD AF)和氧二苯胺(〇D A)中選出的一種以上。 本發明的另一具體例為光降解性電子材料,上述芳香二酐包括在2,2_ 雙(3,4-二羧基笨基)六氟丙烷二酐(6FDA)、4 (2 5_二氧代四氫呋喊_3· 基)-1,2,3,4-四氫萘_1,2_二羧酸酐(TDA)、4,4,_(4,4,_異亞丙基二苯氧基)雙(苯 二甲酸酐XHBDA)、3,3’-(4,4’-氧代二苯二甲酸二針)(〇£^和3,4,3,,4,_聯苯 四羧酸二酐(BPDA)中選出的一種以上。 本發明的另一具體例為一種光降解性電子材料,上述第一溶劑是在間 甲苯酚、N_甲基_2^姚_(NMP)、二甲基甲醯胺(DMF)、三曱基乙醯胺 (DMAc)、一甲基亞硬(DMSO)、丙酮、乙酸二乙酯中選出的一種以上,上 述第二溶劑包括在水、醇類、醚類和酮類中選出的一種以上。 本發明的另一具體例為一種光降解性電子材料,上述化學固化劑包括 在乙酸酐(AA)、苯二曱酸酐(PA)、四氫苯二甲酸酐(THpA)和甲基四氫笨二 甲酸酐(MTHPA)中選出的一種以上。 201232181 包括在異料、β ψA t #為 解性電子材料,上述醯亞胺化催化劑 本發明L °定、三乙胺和二甲基笨胺中選出的—種以上。 物包括在234體例為—種光降解性電子材料,上述重氮系光敏化合 甲酮心2^ 贿基二笨甲职,2-重氮萘酿_5·磺酸醋、2,3,4-三經基二苯 乙A1茉U ^職_5_績酸醋和(1-[1_(4·經苯基)異丙基]叫1,1-雙(4_羥苯基) 制本),2'重氮萘酿_5_績酸醋中選出的一種以上。 托/ 9 1 4 -的另具體例為—種光降解性電子材料,上述靈敏度促進劑包 Α1-4-Π 基二苯甲酮、2,3,4,4·四絲:苯甲酮和1-[1_(4·經苯基)異丙 土][,雙(4_羥苯基)乙基]苯中選出的一種以上。 ίΐΓ的另—具體例為—種光降解性電子㈣,上述光降解性電子材 料的透光率為90%以上。 本發明的另—具體例為—種光降解性電子㈣,上述光降解性電子材 料的介電常數為5以下。 本發明的另—具體例為—種絕緣膜,其由上述光降解性電子材料形成。 本發明的另—具_為—種有機發光二鋪,其具備上述絕緣媒。 本發明的另-具侧為-種有機發光二極體,上述有機發光二極體為 主動矩陣型有機發光二極體。 根據本發明的光降解性電子材料、由此形成的絕緣膜和有機發光二極 體’在圖案化製程中顯影性優異,可見光波長區域(4〇〇nm〜65〇nm)中具有 90%以上的透光率,從而有助於體現高解析度圖案,提高對比度,具有可體 現高靈敏度圖案的優點。 【實施方式】 根據本發明的一實施例,提供一種光降解性電子材料,其包含鹼溶性 樹脂、重氮系光敏化合物和靈敏度促進劑,上述鹼溶性樹脂是對黏度為 lOOcps〜700cps的聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化而製造的聚醯亞胺 樹脂。 用作上述鹼溶性樹脂的聚醯亞胺樹脂是重均分子量(基於GPC測定法 B寺)為40,000〜80,000的聚酿亞胺樹脂’是對芳香二胺(出啦⑹)和芳香二酐 201232181 (dianhidnde)進行聚合而製造聚醯胺酸衍生物後,在高溫進行閉環脫水並醯 亞胺化而製造的聚合樹脂。 對此具體說明時,上述聚醯亞胺樹脂是對芳香二胺和芳香二酐在第一 溶劑下聚合而製造聚醯胺酸溶液後,對上述聚醯胺酸溶液在化學固化劑和 醯亞胺化催化劑下醯亞胺化後,添加第二溶劑並過濾和乾燥而製造的。 作為上述芳香二胺沒有特別限定,可以使用在2,2_雙(3_胺基_4_羥基苯 基)-六氟丙烷(Bis_AP-AF)、2,2-雙[4-(4-胺基笨氧基)_苯基]丙烷(6HMDA)、 2,2’-雙(三I甲基)-4,4’-二胺基聯苯(2,2’-TFDB)、3,3,-雙(三氟甲基)_4,4,_二胺 基聯苯(3,3’-丁?03)、4,4’-雙(3-胺基苯氧基)二苯基颯(〇880八)、雙(3-胺基苯 基)姻<(3DDS)、雙(4-胺基苯基)砜(4DDS)、1,3_雙(3_胺基苯氧基)苯 (APB_133)、i,4_雙(4_胺基苯氧基)苯(APB-m)、2,2,-雙[3(3-胺基笨氧基)苯 基]六氟丙烧(3-BDAF)、2,2,-雙[4(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷(4-BDAF)和 氧二苯胺(ODA)中選出的一種以上。特別是在考慮具有優異的透光率和耐熱 性的方面’較佳是使用2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)-六氟丙烷出心八?_处)。 作為上述芳香二酐沒有特別限定’但可以使用在2 2_雙(3,4_二羧基苯基) 六氟丙烧二酐(6FDA)、4-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-1,2,3,4-四氫萘-1,2-二羧 酸酐(TDA)、4,4,-(4,4,-異亞丙基二苯氧基)雙(苯二曱酸針)(116〇八)、 3,3 _(4,4’-氧代二笨二甲酸二酐)(〇DPA)和3,4,3’,4’-聯苯四羧酸二酐(3卩〇八) 中選出的一種以上》特別是在考慮具有優異的透光率和耐熱性的方面,較 佳是使用2,2_雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐呀0八)。 使上述芳香二胺和芳香二針成為等莫耳量,溶解於第一溶劑,進行反 應而製造聚醯胺酸溶液。 反應時的條件沒有特別限定,但反應時的溫度較佳為_20〜8〇t,反應 時的攪拌時間較佳為1〜48小時。另外,反應時更佳為氬或氮等的惰性氣 氛。 用於上述單體的溶液聚合反應的第一溶劑只要是溶解聚醯胺酸的溶 劑,並無特別限定。 作為上述第一溶劑,可以使用在N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲 醯胺(DMF)、二甲基乙醯胺(DMAc)、二曱基亞砜(DMSO)、丙酮、乙酸二乙 201232181 酯中選出的一個以上極性溶劑,除此以外可以使用四氫咳喃(THF)、氯仿、 γ-丁内酯,但並不限於這些。 對於上述第一溶劑的含量沒有特別限定,為了得到適當的聚醯胺酸溶 液黏度的第一溶劑的含量在全部聚醯胺酸溶液中是50〜95重量%,較佳為 70〜90重量%。 用上述製造方法製造的聚醯胺酸溶液具有100〜7〇〇cps的黏度,上述聚 醯胺酸溶液的黏度為lOOcps以下時,通過化學醯亞胺化法的聚合反應時間 變慢’樹脂獲得和光敏性顯著降低,超過7〇〇cps時,聚醯亞胺樹脂的重均 分子量變大為80,000以上,存在圖案顯影性降低的缺點。 對上述聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化時,使用化學醯亞胺化法,對上述 聚醯胺酸溶液在化學固化劑和醯亞胺化催化劑下醯亞胺化後,添加至第二 溶劑並過濾和乾燥而製造固體聚醯亞胺。 上述化學固化劑包括在乙酸酐(AA)、苯二甲酸酐(PA)、四氫苯二甲酸 酐(THPA)和甲基四氫苯二甲酸酐(MTHPA)中選出的一種以上。 上述醯亞胺化催化劑包括在異喹啉、β_甲基吡啶、吡啶、三乙胺和二曱 基苯胺中選出的一種以上。 上述第二溶劑是為了獲得聚醯亞胺樹脂的固體成分,而使用不能溶解 已獲得的聚醯胺酸聚合物的溶劑,且依據溶解度的差異在可適用於析出為 固體成分的原理的溶劑中使用比第一溶劑極性低的溶劑,具體地說,是在 水、醇類、驗類和酮類中選出的一種以上。 此時對上述第二溶_含量沒有_限定,相對於製造的聚 液的重量’較佳使用5〜20重量比。 ' 從第二溶劑和m體㈣亞麟脂崎殘留的第_溶綱雜的方 慮,上述過濾和乾燥的條件較佳在50〜150。(:的溫度乾燥2〜24小時。 用上述方法製it的雜碰獅的重均分?量(餘Gpc顺 佳為4〇,_〜8(),_。上述輯亞麟脂㈣均分子量在上賴_的二 下’可以得到如下效果:可體現圖案化製程中的良好解析度。 心 包含上述聚醯亞胺樹脂的光降解性電子材料的塗佈厚度為1〇 時,可以以可見光波長區域(4〇〇函〜㈣㈣令的透光率的方= 率為90%以上,可以較佳為95〜98。/(^ 不,透光 201232181 如果光降解性電子材料的550nm波長中的透光率低於85%的情況下, 在光微影製程中靈敏度降低,可留下殘渣,可阻礙絕緣性。 在上述和下述中’重均分子量定義為由凝膠滲透色譜法(GPC)決定的聚 苯乙烯當量的換算值。 上述重氮系光敏化合物可以依據多羥基化合物和重氮醌磺酸化合物的 酯化反應來合成。用於得到重氮系光敏化合物的酯化反應是,對多羥基化 合物和重氮覼磺酸化合物滴入二氧陸圜、丙酮、四氫呋喃、甲基乙基酮、 N-甲基吡咯烷酮、氣仿、三乙胺、N_甲基嗎啉、N_甲基呱嗪或4·二甲胺基 吡啶這樣的鹼性催化劑並縮合後,對得到的產物進行清洗、純化、乾燥而 得到的。 此時作為重氮醌磺酸化合物的一例,可以舉出152_重氮苯醌_4_磺酸、 1,2-重氮萘醌-4-續酸、l,2-重氮苯醌-5-續酸和ι,2-重氮萘醌-5_績酸等〇_重氮 醌磺酸化合物和其他的重氮醌磺酸衍生物等。 上述重氮酿績酸化合物具有自身在鹼中降低鹼溶性樹脂的溶解度之作 為溶解抑制劑的功能。但是,具有曝光時分解而促進鹼溶性樹脂的溶解的 特性。 作為上述多羥基化合物’可以舉出2,3,4-三羥基二苯曱酮、2,2,3-三經 基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮等三羥基二苯甲酮類;2,3,4,4-四羥基二 苯甲酮、2,2,4,4-四經基二苯甲酮、2,3,4,5-四經基二苯甲酮等四經基二苯甲 酮類’ 2,2,3,4,4-五羥基二笨甲酮、2,2,3,4,5-五羥基二笨曱酮等五羥基二苯甲 酮類;2,3,3,4,4,5-六羥基二苯甲酮、2,2,3,3,4,5-六羥基二苯甲酮等六羥基二 本甲網類,沒食子酸燒基醋類;氧代黃綱類等。 作為由這些得到的重氮系光敏化合物的具體一例,可以舉出在2,3,4,4_ 四經基二苯甲酮-1,2-重氮萘醌-5-續酸酯、2,3,4-三羥基二苯甲酮丄2_重氮萘 酿_5_績酸酯和(1-[1-(4-經苯基)異丙基]-叩上雙…經苯基)乙基]苯)^2•重 氮萘醌-5-續酸酯中選出的一種以上。 相對於鹼溶性樹脂100重量份,這樣的重氮系光敏化合物為3〇〜8〇重 量份時,有助於顯影性或溶解性。 上述重氮系光敏化合物作用為減少鹼溶性樹脂之對於鹼的溶解度的溶 解抑制劑,照光時變成鹼溶性物質,作用為增加鹼溶性樹脂的鹼溶解度。 201232181 電子材料的曝光部 這樣由於照光導致的溶解度的變化,本發明的光降解性 位被顯影。 雙(4-
上述靈敏度促進劑用於提高靈敏度,作為其一例,可以是在23舡三 基二苯甲酮、2,3,4,4__基二苯甲_和叩作經苯基)異 ’ι ^ — I 羥苯基)乙基]苯中選出的一種以上。 , 相對於鹼溶性樹脂1〇〇重量份,上述靈敏度促進劑為3〜15重量份 有助於光敏效果的提高和窗口製程利潤。 此外’本發明中的絕緣電阻性可以用光降解性電子材料的塗佈厚度 1.0〜2.0um時的介電常數絲,介電常數為5以下時可作為絕緣膜是較佳 的0 此外,本發明-實施觸糾雜f子材料可以包含整平劑、填充劑、 抗氧化劑等其他成分或添加劑,職的添加射以在本 泛 的物質t任意選擇後使用。 將包含上親雜舰輯懿樹脂、重⑽韻化合物和靈敏度促 進劑等敝合物分散於-定量·辦,可崎到本發明 解性電子材料。 υ午 作為上述溶劑的一例,可以舉出由乙酸乙醋、乙酸丁醋、乙二醇單乙 趟乙酸酯、二乙二醇單乙驗乙_旨、丙二醇單⑽乙_、丙^單㈣ 乙酸醋、丙酮、甲基乙細、乙醇、甲醇、丙醇、異丙醇、苯、甲苯、環 =、環己院、乙二醇、二甲苯、乙二醇單⑽和二乙二醇單乙嗎成的 組中選出的一種以上。 根據本發明的另-實施例’提供由上述光降解性電子材料形成的絕緣 膜0 利用這樣之本發明另-實施例的光降解性電子材料、形成有機發光二 極體的絕緣層的方法,作為—例為如下:配製上述成分的液體,塗佈於基 板表面’ Τ以由預熱處理(prebake)形成膜。塗佈方法使用機,預熱處理 (prebake)的條制組合_比_不_不同,但個熱峰她⑹,通 1在90〜12Gt實施1〜1。分鐘。此時介電層厚度被調節以成為i。〜2 〇職 範圍然後,對預熱處理的塗佈膜,利用遮罩進行紫外線照射,依據驗水 溶液顯影’去除不需要的部分’形細案。料量根據解析度決定,顯影 201232181 液作為一種鹼水溶液,使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、矽酸鈉、胺等無機鹼類, 特別是在 TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)2.38%水溶液實施 60〜 M0秒左右。顯影方法可以使用喷射法、浸潰法等。對該圖案利用熱板(hot plate) ’通過後熱處理(postbake),可以完成絕緣膜。此時後熱處理(p0Stbake) 的條件較佳在150〜26(TC加熱4〜60分鐘左右。 本發明另一實施例之由光降解性電子材料得到的絕緣膜,由於聚醯亞 胺樹脂,具有優異的圖案顯影性和透光率的同時具有絕緣電阻性。 根據本發明的另一實施例’提供具有上述絕緣膜的有機發光二極體。 上述有機發光二極體的製造方法沒有特別限定,可以如下製造。 蒸錢了 ITO等透明電極的透明基板上,經過塗佈光阻、曝光、顯影、 蝕刻、剝離等的過程而圖案化,通過上述方法形成絕緣層,絕緣層圖案上 再形成隔牆。上述作業後,以電子注入層、電子傳輸層、發光層、電洞傳 輸層和電洞注入層的順序蒸鍍有機薄膜,其上蒸鍍金屬電極層。最終通過 封裝材封裝後,組裝組件,製作有機發光二極體。 根據本發明的光降解性電子材料是,在曝光前由於重氮系光敏化合物 的溶解抑制作用,相對於鹼顯影液,表現出不溶性或難溶性的特性,藉由 重氮系光敏化合物透過曝光會變化,從而變化為可溶解於鹼顯影液的特性 的一種正型。 從而,具備由上述光降解性電子材料形成的絕緣膜的有機發光二極體 是一種主動矩陣型有機發光二極體。 以下,說明本發明的較佳實施例和比較例。但是,下述實施例只是本 發明的較佳一實施例,本發明並不限於下述實施例。 <實施例1> a、聚酿亞胺樹脂的聚合 作為反應器,附有攪拌器、氮注入裝置、滴液漏斗、溫度調節器和冷 凝器的100ml二口圓底燒瓶中,通過氮的同時裝入N,N•二曱基乙醯胺 (DMAc)81.051g作為第-溶劑後,將反應器的溫度降為〇。〇後溶解 Bis-AP-AF9.l565g(0.25mol)作為芳香二胺’對該溶液維持為叱。在此,添 加6FDA ll_10625g(0.25mol)作為芳香二針,搜拌i小時使6FDA完全溶解。 201232181 此時,固體成分的濃度為20重量%,其後在常溫放置溶液並视拌1小時。 此時,得到在23°C的黏度為580cps的聚醯胺酸溶液。 上述聚醢胺酸溶液中分別添加乙酸gf(Acetic Anhydride、SANCHUN公 司)2當量作為化學固化劑和吡啶(Pyridine、SANCHUN公司)2當量作為醯 亞胺化催化劑後,在80°C攪拌聚醯胺酸溶液1小時,對聚醯胺酸溶液進行 醯亞胺化後,水300g中投入酿亞胺化的溶液30g使其沉降,對沉降的固體 成分經過過濾和粉碎製程微細粉末化後,1〇〇。(:的真空乾燥爐中乾燥6小 時’得到約18g的樹脂固體成分粉末(聚醯亞胺樹脂的重均分子量為 50,000 〇 ) 〇 b、光降解性電子材料的製造 添加上述製造的聚醯亞胺樹脂(聚合中間體聚醯胺酸溶液的黏度為 580cps’對其進行醯亞胺化的聚醯亞胺樹脂的重均分子量為5〇,〇〇〇) 12重量 %、重氮系光敏化合物((1-[1-(4-經苯基)異丙基]·4-[1,1-雙(4-羥苯基)乙基] 笨)-1,2-重氮萘酿τ5-續酸醋)6重量0/〇、溶劑(丙二醇單曱醚乙酸醋)80重量 %、靈敏度促進劑(1-[1-(4_經苯基)異丙基]_4_[1,1_雙(4·羥苯基)乙基]苯)1.5 重量%、有機矽添加劑(作為其他添加劑並以整平劑用途)0.5重量%,攪拌2 小時,製造光降解性電子材料。 <實施例2> a、 聚醯亞胺樹脂的聚合 以上述實施例1相同的組合製造聚醯亞胺樹脂,但是使6FDA完全溶 解後,在常溫放置溶液並攪拌40分鐘。此時,得到在23。(:的黏度為150cps 的聚醯胺酸溶液。 上述聚醯胺酸溶液中分別添加乙酸酐(Acetichydride、SANCHUN公 司)2當量作為化學固化劑和吡啶、SANCHUN公司)2當量後,在 8〇°C攪拌聚醯胺酸溶液1小時,對聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化後,水3〇〇g 中投入醯亞胺化的溶液30g使其沉降,對沉降的固體成分經過過濾和粉碎 製程微細粉末化後’ 100°C的真空乾燥爐中乾燥6小時,得到約18g的樹脂 固體成分粉末(聚醢亞胺樹脂的重均分子量為41,〇〇〇。)。 b、 光降解性電子材料的製造 12 201232181 以上述實施例1相同的組合利用光降解性電子材料的絕緣膜的形成和 評價,是以上述實施例1相同的方法進行。 <實施例3> a、 聚醯亞胺樹脂聚合 以上述實施例1相同的組合製造聚醯亞胺樹脂,但是使6fda完全溶 解後,在常溫放置溶液並攪拌70分鐘。此時,得到在23它的黏度為68〇cps 的聚醯胺酸溶液。 上述聚酿胺酸溶液中分別添加乙酸酐(Acetic Anhydride、SANCHUN公 司)2當量作為化學固化劑和吡啶办邮此、SANCHUN公司)2當量後,在 80C攪拌聚醯胺酸溶液1小時,對聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化後,水3〇〇g 中投入醯亞胺化的溶液30g使其沉降,對沉降的固體成分經過過濾和粉碎 製程微細粉末化後,100°C的真空乾燥爐中乾燥6小時,得到約18g的樹脂 固體成分粉末(聚醯亞胺樹脂的重均分子量為8〇,〇〇〇。)。 b、 光降解性電子材料的製造 以上述實施例1相同的組合利用光降解性電子材料的絕緣膜的形成和 評價,是以上述實施例1相同的方法進行。 〈實施例4> a、 聚醯亞胺樹脂聚合 以上述實施例1相同的組合製造聚醯亞胺樹脂,但是使6FDA完全溶 解後,在常溫放置溶液並攪拌60分鐘。此時,得到在23°C的黏度為000cps 的聚醯胺酸溶液。 上述聚醯胺酸溶液中分別添加乙酸酐(Acetic Anhydride、SANCHUN公 司)2當量作為化學固化劑和吡啶(Pyridine、SANCHUN公司)2當量後,在 8〇°C攪拌聚醯胺酸溶液1小時,對聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化後,水3〇〇运 中投入醯亞胺化的溶液30g使其沉降,對沉降的固體成分經過過濾和粉碎 製程微細粉末化後,100°C的真空乾燥爐中乾燥6小時,得到約i8g的樹脂 固體成分粉末(聚醯亞胺樹脂的重均分子量為63,000。)。 b、 光降解性電子材料的製造 以上述實施例1相同的組合利用光降解性電子材料的絕緣膜的形成和 評價是’是以上述實施例1相同的方法進行。 13 201232181 <比較例ι> 添加酚醛樹脂(曱酚甲醛酚醛樹脂,間/對甲酚的含量以重量計為4:6、 重均分子量為8,000的甲酚酚醛樹脂和重均分子量為2,000的甲酚酚醛樹脂 以7:3的重量比例混合的甲酚酚醛樹脂)12重量%、光敏化合物((1-[1-(4-羥 苯基)異丙基H-[U-雙(4-羥苯基)乙基]苯>1,2-重氮萘醌_5·磺酸醋)6重量 %、溶劑(丙二醇單曱醚乙酸醋)80重量%、靈敏度促進劑(1-[1-(4-羥苯基) 異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥苯基)乙基]苯)1.5重量%、有機矽添加劑0.5重量%(作 為其他添加劑並以整平劑用途),攪拌2小時,製造光降解性電子材料。 <比較例2> a、聚醯亞胺樹脂的聚合 以上述實施例1相同的組合製造聚醯亞胺樹脂,但是使6FDA完全溶 解後,在室溫放置溶液並攪拌30分鐘。此時,得到在23°C的黏度為50cps 的聚醯胺酸溶液。 上述聚醯胺酸溶液中分別添加乙酸酐(Acetic Anhydride、SANCHUN公 司)2當量作為化學固化劑和吡啶(pyridine、SANCHUN公司)2當量後,在 8〇°C攪拌聚醯胺酸溶液1小時,對聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化後,水300g 中投入醯亞胺化的溶液30g使其沉降,對沉降的固體成分經過過濾和粉碎 製程微細粉末化後’ 100°C的真空乾燥爐中乾燥6小時,得到約18g的樹脂 固體成分粉末(聚醯亞胺樹脂的重均分子量為7,000。)。 <比較例3> a、聚醯亞胺樹脂的聚合 以上述實施例1相同的組合製造聚醯亞胺樹脂,但是使6FDA完全溶 解後,在常溫放置溶液並攪拌8〇分鐘。此時,得到在23°C的黏度為870cps 的聚醢胺酸溶液。 上述聚醯胺酸溶液中分別添加乙酸酐(Acetic Anhydride、SANCHUN公 司)2當量作為化學固化劑和吡啶(Pyridine、SANCHUN公司)2當量後,在 80 C攪拌聚醯胺酸溶液1小時,對聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化後,水3〇〇g 中投入醯亞胺化的溶液30g使其沉降,對沉降的固體成分經過過濾和粉碎 製程微細粉末化後,1〇〇。(:的真空乾燥爐中乾燥6小時,得到約18g的樹脂 固體成分粉末(聚酿亞胺樹脂的重均分子量為11〇 〇〇〇。)。 14 201232181 〈比較例4> a、聚醯亞胺樹脂的聚合 以上述實關1相_組合製躲sn賴脂,但是使0FDA完全溶 解後’在常溫放置溶液並游90分鐘授拌。此時,得到在23。〇中的黏度為 1050cps的聚醯胺酸溶液。 上述聚酿胺酸溶液中分別添加乙酸針(Acetic、saNCHUN公 司)2當量作為化學固化劑和比咬(Pyridine、SANCHUN公司)2當量後,在 8〇°C攪拌聚醯胺酸溶液1小時,對聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化後 ,水 300g 中投入亞胺化的溶液30g使其沉降,對沉降的固體成分經過過濾和粉碎 製程微細粉末化後,loot的真空乾燥爐中乾燥6小時,得到約18g的樹脂 固體成分粉末(聚酿亞胺樹脂的重均分子量為I% 〇Q〇。)。 利用根據實關1〜4和比較例卜4製造的光降解性電子材料的絕緣 膜的形成和評價用如下方法測定,其結果示於下表i。 <分辨率評價> ITO基材上以3.0um厚度旋塗如上述製造的光降解性電子材料後,9〇。〇 的熱板上預減理60秒並錢後,形成厚度丨5±G 〇5um的塗舰。對上述 基材利用光遮罩在40〜80mJ/cm2範圍的紫外線中照射後,用238%tmah 驗顯影液娜60秒,水洗4〇㈣,辭祕光部分而軸電路,用電子 顯微鏡觀察此時的解析度(最終厚度為14um)。 <殘渣評價> 以解析度評價相同的方法形成電路,並用電子顯微敝察能否在2〇um 的解析度圖案中以無殘渣的方式顯影。 <透光率評價> 利用如上述製造的糾槪電子㈣在⑽基材上形祕緣層,在絕 緣層圖案上再形成隔牆。上述作紐,以電子注人層、電子傳輸層、發光 層、電洞傳輸層和電洞注人層的順序,蒸鍍有機薄膜,其上蒸鑛金屬電極 層。利用自記分光光度計(SHIMADZU公司產品、ModelUV-3101PC)測定 如上述製造的有機發光二極體的透光率。 <介電常數評價> 15 201232181 ◦絲上3Gum厚度缝^上雜制光降雜電神料後,90°c =板上預熱處理6G秒並乾燥後’形成厚度i5細廳的塗佈膜。對上述 土棚光遮罩在4〇〜8〇mj/cm2範圍的紫外線中照射後,用2遍顶沾 驗顯影液贿⑼秒,水洗40秒時。紐纖_板上加熱丨小時形成絕 緣膜(最終厚度為Hum)。在形成的絕緣膜上以2,_A的厚度蒸齡屬電極 : Thermal Evaporator Model E306)〇 Precision
Impedance Analyzer (Model : 4294A,HP)測定的。 <洩漏電流評價> 通過以上述透光率評價中製造的有機發光二極體相同的方法製造的有 機發光一鋪的電流流動,湘賴電流測定機公司產品)測定线 漏電流量。 <亮度評價> 通過上述製造的有機發光二極體,利用亮度計(Minolta公司產品)測定 亮度。 【表1】 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 解析度(um) 12 12 12" 12 16 16 18 20 殘渣產生 X X X X X X 0 0 透光率(%) 96.5 96.0 95.5 95.3 84.3 87.1 85.4 89.3 介電常數 4.5 4.6 4.6 4.8 5.9 5.6 5.8 5.8 泡漏電流 (πΑ) 330.4 340.1 340.8 339.8 419.8 381.2 390.1 429.8 亮度(cd/m2) 542.3 550.7 545.1 542.0 440.7 440.8 487.1 480.7 從上表1的結果’可知由光降解性電子材料得到的絕緣膜由於改善的 聚醯亞胺樹脂,具有顯影性和透光率優異的高解析度圖案。可以確認,只 要實施例1〜4中樹脂前體聚醯胺酸具有適當水平的聚合黏度的同時形成具 有一定範圍的分子量的醯亞胺樹脂,就會具有所需解析度和透光性。另外, 可以確認’比較例1中光屏蔽率、洩漏電流和亮度非常低,比較例2〜4中 聚酿亞胺樹脂刖體聚酿胺酸的黏度分別為5〇cps和870cps〜1050cps,即非 常低或高,從而亮度變低,洩漏電流也變高。 201232181 ' g 1圖是卿實施例1的光降解性電子材料形成_咖於確認魅 • 產生的20um解析度圖案的SEM照片。如第i圖所示,可知在曝光部分和 曝光部位與未曝光部位的邊界也沒有殘渣。 可以認為,本發明的簡單變形或變更均可以由本領域技術人員容易實. 施’這樣的變形或變更均屬本發明領域。 【圖式簡單說明】 第i圖是利用實施例!的光降解性電子材料形成圖案時用於確認殘潰 產生的20um解析度圖案的SEM照片。 【主要元件符號說明】 無 17

Claims (1)

  1. 201232181 七、申請專利範圍: 1、 一種光降解性電子材料,其包含鹼溶性樹脂、重氮系光敏化合物和靈敏 度促進劑’所述鹼溶性樹脂是對黏度為100〜700cps的聚醯胺酸溶液進行醯 亞胺化而製造的聚醯亞胺樹脂。 2、 如申請專利範圍第1項所述的光降解性電子材料,所述聚醯亞胺樹脂的 重均分子量(基於GPC測定法時)為40,000〜80,000。 3、 如申請專利範圍第1項所述的光降解性電子材料,所述聚醯亞胺樹脂是 對芳香二胺和芳香二酐在第一溶劑下聚合而製造聚醯胺酸溶液後,對所述 聚醯胺酸溶液在化學固化劑和醯亞胺化催化劑下醯亞胺化後,添加第二溶 劑並過濾和乾燥而製造的。 4、 如申請專利範圍第3項所述的光降解性電子材料,所述芳香二胺包括在 2.2- 雙(3-胺基_4·羥基苯基)_六氟丙烷、2,2_雙[4_(4_胺基苯氧基)_ 笨基]丙院(6HMDA)、2,2’-雙(三氟甲基)_4,4’-二胺基聯苯(2,2,-TFDB)、3,3,· 雙(三氟甲基)_4,4,-二胺基聯苯(3,3,-TFDB)、4,4,_雙(3·胺基苯氧基)二苯基砜 (DBSDA)、雙(3-胺基苯基)石風(3DDS)、雙(4-胺基苯基)砜(4DDS)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯(APB-133)' I,4-雙(4·胺基苯氧基)苯(APB-134)、2,2,-雙[3(3- 胺基苯氧基)苯基】六氟丙烷(3_BDAF)、2,2,-雙[4(4·胺基苯氧基)苯基]六氟丙 烷(4-BDAF)和氧二苯胺(〇DA)中選出的一種以上。 5、 如申請專利範圍第3項所述的光降解性電子材料,所述芳香二酐包括在 2.2- 雙(3,4-一幾·基本基)六敦丙烧二Sf(6FDA)、4-(2,5-二氧代四氫u夫喃_3_ 基)-1,2,3,4-四氫萘-1,2-二羧酸酐(丁0入)、4,4’-(4,4’-異亞丙基二苯氧基)雙(苯 二甲酸針)(HBDA)、3,3’_(4,4’_氧代二苯二甲酸二酐)(〇DPA)和 3,4,3,,4,·聯苯 四羧酸二酐(BPDA)中選出的一種以上。 6、 如申請專利範圍第3項所述的光降解性電子材料,所述第一溶劑是在間 甲苯酚、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基乙酿胺 18 201232181 (DMAc)、一甲基亞石風(DMSO)、丙_、乙酸二乙醋中選出的一種以上,所 述第一溶劑包括在水、醇類、鍵類和酮類中選出的一種以上。 7、 如申請專利範圍第3項所述的光降解性電子材料,所述化學固化劑包括 在乙酸針(AA)、苯二甲酸酐(PA)、四氫苯二甲酸肝(τηρα)和甲基四氫苯二 甲酸酐(MTHPA)中選出的一種以上。 8、 如申請專利範圍第3項所述的光降解性電子材料,所述醢亞胺化催化劑 包括在異喹啉、β·甲基吡啶、吡啶、三乙胺和二甲基苯胺中選出的一種以上。 9、 如申請專利範圍第1項所述的光降解性電子材料,所述重氮系光敏化合 物包括在2,3,4,4-四羥基二苯甲_·1,2_重氮萘醌_5_績酸酯、2,3,4·三羥基二苯 甲酮-I,2-重氮萘醌_5·績酸酯和(叩件經苯基)異丙基]冬^上雙⑷羥苯基) 乙基]苯)-1,2-重氮萘醌-5_磺酸酯中選出的一種以上。 10、 如申請專利範圍第1項所述的光降解性電子材料,所述靈敏度促進劑 包括在2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4-四羥基二苯曱酮和1-[1-(4-經苯基)異 丙基]-4- [ 1,1 -雙(4-羥苯基)乙基]苯中選出的—種以上。 11、 如申請專利範圍第1項所述的光降解性電子材料,所述光降解性電子 材料的透光率為90%以上。 12、 如申請專利範圍第1項所述的光降解性電子材料,所述光降解性電子 材料的介電常數為5以下。 13、 一種絕緣膜,其由如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的光 降解性電子材料形成。 14、 一種有機發光二極體,其具備如申請專利範圍第13項所述的絕緣膜。 201232181 • 15、如申請專利範圍第14項所述的有機發光二極體,所述有機發光二極體 1 為主動矩陣型有機發光二極體。
TW100149585A 2010-12-29 2011-12-29 Positive type resist, insulating layer and OLED TW201232181A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100138154A KR20120076129A (ko) 2010-12-29 2010-12-29 광분해성 전자재료,이로부터 형성된 절연막 및 유기발광소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201232181A true TW201232181A (en) 2012-08-01

Family

ID=46383697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100149585A TW201232181A (en) 2010-12-29 2011-12-29 Positive type resist, insulating layer and OLED

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20120076129A (zh)
TW (1) TW201232181A (zh)
WO (1) WO2012091424A2 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102478471B1 (ko) 2015-07-03 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6651337B2 (ja) * 2015-12-01 2020-02-19 東京応化工業株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
KR102602153B1 (ko) * 2018-11-22 2023-11-15 (주)이녹스첨단소재 Rdl 형성 공정용 양면 접착 테이프, 이를 포함하는 적층체 및 이를 이용한 팬-아웃 패키지 제작 공정
CN113416346B (zh) * 2021-06-17 2022-05-31 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种微波可控断裂碳氮键制备聚酰胺酸的方法
CN113429623B (zh) * 2021-06-17 2022-05-31 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种降解聚酰亚胺树脂制备聚酰胺酸的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3436782B2 (ja) * 1992-11-18 2003-08-18 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
CN101278234B (zh) * 2005-09-05 2011-07-13 旭化成电子材料株式会社 正型感光性树脂组合物
WO2008069813A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Central Glass Co., Ltd. Photosensitive polyimides and methods of making the same
KR101056962B1 (ko) * 2009-03-10 2011-08-17 주식회사 엘지화학 폴리이미드계 중합체와 이들의 공중합체 혼합물 및 이들을 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120076129A (ko) 2012-07-09
WO2012091424A2 (ko) 2012-07-05
WO2012091424A3 (ko) 2012-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI425052B (zh) A photosensitive resin composition
TWI437025B (zh) An alkali-soluble polymer, a photosensitive resin composition comprising the same, and a use thereof
JP5640413B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
TWI416260B (zh) 正型感光性樹脂組成物
JP5911580B2 (ja) ポジティブ型感光性樹脂組成物、これから形成された絶縁膜および有機発光素子、並びにポジティブ型感光性樹脂組成物の製造方法
JP4082041B2 (ja) ポジ型感光性樹脂前駆体組成物及びそれを用いた電子部品ならびに表示装置
TWI485522B (zh) 正型光敏樹脂組合物,及使用其的光敏樹脂層和顯示裝置
JP5630175B2 (ja) 感光性樹脂組成物
TW201638663A (zh) 感光性樹脂組成物及電子零件
TW201011465A (en) Photosensitive resin composition
TW201232181A (en) Positive type resist, insulating layer and OLED
WO2010134207A1 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、層間絶縁膜、 およびそれを用いた半導体装置、表示素子
WO2017204165A1 (ja) 樹脂組成物
TWI450032B (zh) A photosensitive resin composition, a hardened embossed pattern, and a semiconductor device
JP2015187676A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物の熱処理方法
JP2023540487A (ja) ポジティブ型感光性樹脂組成物
TW201522426A (zh) 正型感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜及使用其的顯示裝置
TW201131305A (en) Photosensitive resin composition, method of fabricating patterned cured layer, and electronic component
JP2008158263A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
KR20160073711A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 절연막 및 유기발광소자
KR20140118621A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 절연막 및 유기발광소자
JP2005309032A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2010072143A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
TW201229036A (en) Novel phenol compounds and positive photosensitive resin composition including the same
WO2024171805A1 (ja) ポリイミド樹脂、感光性樹脂組成物、硬化物、有機el表示装置、および電子部品