TW201231507A - Transparent resin for encapsulation material and encapsulation material and electronic device including the same - Google Patents
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Description
201231507 六、發明說明:
c發明戶斤屬之技術領域:J 發明領域 本申請公開了用於封裝材料的透明樹脂、包含其的封 裝材料和電子元件(電子裝置)。 L· ^cj. ]3 發明背景 發光元件如發光二極體(led)、有機發光元件 (OLED)、光致發光(PL)元件等已經多樣地應用於家用電動 裝置、照明裝置、顯示裝置、各種自動裝置等中。 發光元件可以使用發光體(光發射器,light emitter)顯 示發光材料_有顏色如藍、紅和綠,或者可輯過將顯 示不同顏色的發光體結合而顯示白色。 這種發S元件通常可以具有包裝或封裝結構。 這種包裝或封裝結構可以由包含透明樹脂的封裝材料 製成,所述㈣樹脂能夠從外部通過由發紐發射的光。 由於將透明樹岐位在其中通過光的位置中,所以透明樹 脂的特性如透光率和耐熱性可能料光效率。另外,該透 明樹脂係設置於覆蓋該發光 在發光元件的表面上。由此 將其暴露。 體的結構中,所以其可被設置 ’在加工(處理,工藝)期間可能
C發明内容;J 發明概要 本發明的一 個實施方式提供了一種用於封裝材料的透 3 201231507 明樹腊’其藉由提高透明樹脂的物理性能而增強 以及防止了光效率的劣化。 本發明的另一個實施方式提供了包含所述 封裝材料。 本發明的又一個實施方式提供了包含所述杳 電子元件。 ^ 了加工性 明樹脂的 寸裝材料的 根據一個貫施方式,提供了—種用於封 樹脂,此+ 及材料的透明 樹月曰所述透明樹脂包含第一聚矽氧烷和第二聚矽氧浐 所述第一聚矽氧烷在其末端包含與矽鍵結的氣屮)氧:述 第一聚矽氧烷在其末端包含與矽鍵結的烯基基團(Si Vi) 其中所述與矽鍵結的氫(Si_H)和所述與矽鍵結的烯基基團 (Si_Vi)以約1至約1.2的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 所述第一聚矽氧烷可以由以下化學式丨表示。 [化學式1] (RiR2R3SiO"2)MI(R4R5Si〇2/2)DI(R6si〇V2)Tl(Si〇々2)Qi 在化學式1中,
Ri至R0各自獨立地為氫、取代或未取代的匸丨至匸⑽烷 基、取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6 至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取 代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30雜環烷基、 取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的ci至C30 烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羥基、或它們的 組合, 仏至以中的至少一個包括氫, β 201231507 〇<Μ1<1,〇<Dl<l,0$T1<1,〇$Ql<l,且
Ml + D1 + ΤΙ + Q1 = 1。 所述第二聚矽氧烷可以由以下化學式2表示。 [化學式2] (R7R8R9SiO|/2)M2(Rl〇Rl 1 Si〇2/2)D2(Rl2Si〇3/2)T2(Si〇4/2)Q2 在化學式2中, R7至R12各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷基、 取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6至C30 芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取代的 C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30雜環烷基、取代 或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、 取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的ci至C30 羰基、羥基、或它們的組合, 心至心2中的至少一個包括取代或未取代的C2至C30烯 基, 0<M2<1,〇<D2<1,〇<t2<1,0$Q2<1,且 M2 + D2 + T2 + Q2 = 1 〇 所述與石夕鍵結的虱(Si-H)和所述與石夕鍵結的烯基基團 (Si-Vi)可以以約1.05至約1.15的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 基於所述透明樹脂的總量’所述第一聚矽氧烧可以以 小於約50 wt%被包括,並且基於所述透明樹脂的總量,所 述第二聚矽氧烷可以以大於約5〇 wt%被包括。 所述透明樹脂還可以包含碎氣化催化劑。 根據另一個實施方式,提供了藉由將上述用於封裝材 5 201231507 料的戶透明樹脂固化所製備的封裳材料。 所述封裝材料可在約450 nm波長處具有約80%至1 〇〇% 的透光率(light transmittance)(T)。 在約12〇。(:下加熱約500小時之後,所述封裝材料可以 具有小於約15%的透光率下降率(ΛΤ)。 在約180°c下加熱約150小時之後,所述封裝材料可以 具有小於約15%的透光率下降率(ΛΤ)。 所述封裝材料可以具有小於約1〇〇 kgf的黏性(黏度, tackiness) ° 根據又一個實施方式,提供了包含所述封裝材料的電 子元件。 所述電子元件可以包括發光二極體、有機發光元件、 光致發光7L件和太陽能電池。 财熱性和黏性可以被顯著改善。 【實施令式】 詳細說明 在下文中牌對本發明的示例性實施方式進行詳細描 述。然而’ ^實施方式僅是*例性的且㈣制本發明。 如本領域的W人貞應理解的,可以在料背離本發明的 精神或範圍的情況下,以各種不同的方式對所描述的實施 方式進行修改。 如本文中所使用的,當沒有另外提供定義時,術語“取 代的”是指W自由以下所構成之群组巾至少-種取代基 來取代化合物的氫:i素(F、Br、C1或I),基、垸氧基土、 201231507 硝基、氰基、胺基、疊氮基、脒基、肼基、亞肼基、羰基、 胺曱醯基、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、 磷酸基或其鹽、C1至C30烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔 基、C6至C30芳基、C7至C30芳烷基、C1至C30烷氧基、C1 至C20雜烷基、C3至C20雜芳烷基、C3至C30環烷基、C3至 C15環烯基、C6至C15環炔基、C3至C30雜環烷基、以及它 們的組合。 如本文中所使用的,當沒有另外提供定義時,詞頭“雜” 是指包含選自N、Ο、S和P的1至3個雜原子。 在下文中’對根據一個實施方式的用於封裝材料的透 明樹脂進行描述。 根據一個實施方式的用於封裝材料的透明樹脂包含第 一聚矽氧烷和第二聚矽氧烷,所述第一聚矽氧烷在其末端 包含與矽鍵結的氫(Si-H),所述第二聚矽氧烷在其末端包含 與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi)。 所述第一聚矽氧烷可以由以下化學式1表示。 [化學式1] (RlR2R3Si〇i/2)Ml(R4R5Si〇2/2)Dl(R6Si〇3/2)Tl(Si〇4/2)Ql 在化學式1中, 1至116各自獨立地為氫、取代或未取代的C1至C30烷 基 '取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6 至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取 代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30雜環烷基、 取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30 201231507 烧氧基、取代或未取代的(:1至€3〇羰基、羥基、或它們的 組合,
Rl至中的至少一個是氫, 〇<M1<1-〇<Di<1,〇<xi<1,〇<q1<1,
Ml +D1 +Τ1 +Q1 =卜
Ml、D1、T^Qi各自表示莫耳比。 所述苐二聚石夕氧坑可以由以下化學式2表示。 [化學式2] (R7R8R9SiOW2)M2(RlQRi|Si〇2/2)D2(R12Si03/2)T2(Si〇4/2)Q2 在化學式2中, R7至Ri2各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷基、 取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6至C30 芳基、取代或未取代的(:7至(:3〇芳烷基、取代或未取代的 C1至C30雜烷基、取代或未取代的(:2至(:3〇雜環烷基取代 或未取代的C2至C30稀基、取代或未取代的C2至¢30炔基、 取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的(^至^如 羰基、羥基、或它們的組合, 心至心2中的至少一個是取代或未取代的(:2至(:3〇烯 基, M2 + D2 + T2 + Q2 =卜 M2、D2、T2和Q2各自為莫耳比。 所述透明樹脂的交聯鍵結和固化程度可以藉由包含第 一聚矽氧烷和第二聚矽氧烷兩者來控制,所述第一聚矽氧 201231507 烷在其末端包含與矽鍵結的氫(si_H),所述第二聚矽氧烷在 其末端包含與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi)。 所述透明樹脂具有約1至1.2的與矽鍵結的氫(Si-H)和 與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi)的比率(Si-H/Si-Vi)。在所述範 圍内,所述與矽鍵結的氫(Si-H)和所述與矽鍵結的烯基基團 (Si-Vi)以約1.05至1.15,例如約1·1〇的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 通過以所述範圍内的比率(Si-H/Si-Vi)存在所述與石夕鍵 結的氫(Si-H)和所述與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi),可以提高 固化的透明樹脂的耐熱性和黏性以及保持其透光率。 例如’包含在所述範圍内的所述與矽鍵結的氫(Si_H) 和所述與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi)的比率(Si-H/Si-Vi)的透 明樹脂在固化後相對於約450 nm的波長可以具有約8〇%至 約100%的透光率,並且即使當在高溫下長時間暴露時,也 可以具有小於約15%的透光率下降率(ΛΤ)。換句話說,所 述透明樹脂確保了耐熱性,因此即使當在高溫下長時間暴 露時,其也可以防止因變黃而造成的透光率的顯著劣化。 另外’以限定範圍之比率(Si_H/Si_vi)包含與石夕鍵結之 氫(Si-H)和與石夕鍵結之稀基基團⑶,的透明樹脂,在固化 後可以具有小於約1〇〇 kgf的黏性。所述黏性是指在固化的 透明樹脂表面上的黏附程度。當黏性強時,由於在製備通 過將透明樹脂固化而提供的封裝材料期間,相鄰的封裝材 料相互黏著,所以可能造成加工困難。 根據一個實施方式,在包乜 匕括在末端包含與矽鍵結的烯 基基團(Si-Vi)的第二聚矽氧烷 况和在末端包含與矽鍵結的氫 201231507 (Si-H)的第—聚矽氧烷的透明樹脂中,證實了藉由將與矽鍵 結的氫(Si-H)和與矽鍵結的烯基基團(Si_Vi)的比率 (Si-H/Si-Vi)控制在所述範圍内,顯著提高了耐熱性和黏性。 所述第一聚矽氧烷可以具有約1〇〇 g/m〇1至約1〇 〇〇〇 g/m〇1,具體地約l〇〇g/mol至約3,000 g/mol的重均分子量。 基於透明樹脂的總量,所述第一聚矽氧烷可以以小於 約50 Wt%,例如以約1 wt%至35 wt%被包括。 所述第—聚矽氧烷具有約1,〇〇〇 g/mol至約ι〇〇,〇〇〇 g/m〇1,具體地約込000 g/m〇l至約20,000 g/mol的重均分子 量。 基於透明樹脂的總量,所述第二聚石夕氧院可以以大於 約50 wt% ’例如以約65至約99 被包括。 錢^第-㈣氧燒和所述第二聚錢燒分別在所述 重句子里和所述量的範圍内的情況下,可以控制樹脂的 反應性。 所述透明樹脂還可以包含石夕氫化催化劑。所述石夕氫化 催化劑可以促進第-_氧㈣與㈣結的氫(Μ)部分 和第一聚石夕氧燒的與石夕鍵結的烯基基團(Si-Vi)部分之間的 矽氫化反應,並且装可、 、J从包括例如鉑、铑、鈀、釕、銥、 或它們的組合。 基於透明樹脂的總量,所述石夕氫化催化劑可以以約〇1 ppm至約1〇00 ppm的量被包括。 W 還可以包含催化劑抑制劑。基於樹脂的總 量所述催化劑抑制劑可以以約議丄祕至約1 ·祕的量 10 201231507 被包括。 除了上述成分之外,所述封 進劑(增《_,並輯絲合18可料含黏合促 氧基丙基三甲氧她c例如縮水甘油 氧基丙基三乙軋基矽烷等。 * 將所述透明樹脂固化以用你 用作電子元件的封裝材料。。 例如,所述固化可以通過以下掩〜 卜進仃:以約0.01 mm至3 mm 的厚度將樹脂塗布在基板上,妙& …、、後’在約l〇〇°C至3〇〇°c的 溫度下對所塗布的樹脂進行熱處理持續約丨至叫時。所述 電子元件可以包㈣㈣光:極體、有機發光元件、光致 發光元件和太陽能電池,但不限於此。 利用所述透明樹脂製備的封裝材料當在高溫下長時間 暴露時可以防止變黃現象或劣化,且具有高透光率,從而 碟保了耐熱性並由於低純而提高了加工性。 下列實施例更詳細地說明了本發明。然而,它們是本 發明的示例性實施方式而不是限制性的。 第一聚矽氧烷的合成 以5.5的重量比將水和甲苯混合以製備混合溶劑。將1 kg的混合溶於3親瓶中,並在將燒瓶保持在饥下的 同時’向其中滴加莫耳比為40:60的二苯基二氯石夕烧和四甲 基二錢燒。當完㈣加之後’在5GtT觀合物進行加 ,"、並回机以進行縮聚反應並持續3小時。將所得的反應物質 冷部至室溫,並將其十的水層除去,從而製備了其中聚合 物溶於Ψ料的紐。利用水來纽聚合物溶液以除去反 201231507 應副產物氣。然後’在減對中和的聚合物溶液進行蒸 餾以除去曱苯,從而製備液體聚矽氧烷。 —通過凝料透色譜來測量㈣氧糾重均分子量並將 折鼻成聚苯乙烯的分子量計確定為75〇咖。卜使用 H-NMR⑸-麵和元素分析儀識別出所述㈣氧烧具有化 學式Α的結構。此處,“Me”表示甲基基團,“ph”表示苯基 基團,“Si”表示矽,且“η”表示氫。 [化學式A] (Me2HSi〇i/2)2(Ph2Si〇2/2) 第一聚發氧烧的合成 將i kg通過以5:5的重量比混合水和甲笨而製備的混合 溶劑置於3頸燒瓶中’然、後使其在坑下靜置。隨後,以 27.55.18的莫耳比混合苯基三㈣烧、苯基甲基二氣石夕烧和 乙稀基二甲基氣㈣。在9Gt下對混合物進行加熱並回流 以進行縮聚反應並持續3小時。將所得的反應物質冷卻至室 溫,並將其中的水層除去,從而製備了其中聚合物溶於甲 笨中的溶液。利用水來清洗聚合物溶液以除去反應副產物 氣。隨後’在減壓下對中和的聚合物溶液進行蒸儲以除去 曱笨並獲得液體聚矽氧烷。 通過凝膠滲透色譜來測量獲得的聚矽氡貌的重均分子 量並確定為具有2,500 g/mol的折算成聚笨乙稀的分子量。 使用H-NMR、Si-NMR和元素分析儀測定出所述聚石夕氣^具 有由化學式B表·示的結構。此處,“Me”表示甲基基團,“托 表示苯基基團;“Vi”表示乙烯基基團,且“Si”表示石夕。 12 201231507 [化學式B] (Me2ViSiO,/2)〇.i3(PhSi〇3/2)〇.3(PhMeSi〇2/2)o.57 透明樹脂的製備 實施例1 、以及 將13.6 wt%的由化學式A表示的第一聚石夕氧境 86.4 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添加作 為石夕氫化催化劑的PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供^ ppm的Pt量。而且,向其中添加0.002 wt%的作為催化劑扣 制劑的Surfynol (由TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-稀基式團 鍵(Si-Vi)以約1.00的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱2小時並固化以提供固化的試樣。 實施例2 將14.2 wt%的由化學式A表示的第一聚碎氧烧、以及 85.8 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添加 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的丹量。而且, 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfyn〇1 (由 tci製造)。矽-氫鍵(Si_H)和矽_烯基基團鍵(si_以約丨〇5 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱2小時並固化以提供固化的試樣。 實施例3 將14.8 wt%的由化學式A表示的第—聚矽氧烷、以及 85.2 wt%的由化學式B表示的第二聚石夕氧烷混合,並添加 13 201231507 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的Pt量。而且, 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfynol (由 TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-烯基基團鍵(Si-Vi)以約1 · 10 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱2小時並固化以提供固化的試樣。 實施例4 將15.3 wt%的由化學式A表示的第一聚矽氧烷、以及 84.7 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添加 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的Pt量。而且, 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfynol (由 TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-烯基基團鍵(Si-Vi)以約1.15 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱並固化2小時以提供固化的試樣。 實施例5 將15.9 wt%的由化學式A表示的第一聚矽氧烷、以及 84.1 wt%的由化學式B表示的第二聚石夕氧院混合,並添加 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的Pt量。而且, 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfynol (由 TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-烯基基團鍵(Si-Vi)以約1.20 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱並固化2小時以提供固化的試樣。 14 201231507 比較例1 將11.2 wt%的由化學式A表示的第—聚石夕氧燒、、 88.8 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添^ PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2卩帅的朽量。而且 向其中添加0_002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfyn〇i (由 TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-浠基基團鍵(Si_Vi)以約〇 8 比率(Si-H/Si-Vi)存在。 並且在 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上 150°C下加熱並固化2小時以提供固化的試樣。 比較例2 將19.1 wt%的由化學式A表示的第一聚矽氧产、、 、以及 80.9 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添力 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的Pt量。而且 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfyn〇1 (由 tci製造矽-氫鍵(Si_H)和矽-稀基基團鍵(Si_Vi)以約15〇〇 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱並固化2小時以提供固化的試樣。 評價-1 對由實施例1至5以及比較例1和2獲得的各種固化的透 明樹脂的初始透光率和耐熱性進行測量。 初始透光率通過使用UV-分光光度計(Shimadzu, UV-3600),在450 nm的波長中測量所述固化的透明樹脂來 6 確定。 15 201231507 耐熱性通過將所述固化的透明樹脂在12 0 °C下加熱5 0 0 小時並根據相同方法測量透光率而確定。 參考表1對所述結果進行描述。 表1 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 初始透光率(%) 97.0 96.9 97.3 97.2 ,97.5 97.2 97.1 加熱後的透光率(%) 88.3 92.2 96.0 91.1 85.3 75.5 76.6 透光率下降率(%) 8.7 4.7 1.3 6.1 12.2 21.7 20.5 參考表1,可以證實,根據實施例1至5的透明樹脂在初 始透光率與在120°C下加熱5〇〇小時之後的透光率之間的透 光率差在約15%以内。 另外,在示例性實施方式中,根據實施例2、3和4的透 明樹脂具有約7%以下的優異的透光率下降率;且根據實施 例3的透明樹脂具有約1 3%的最優異的透光率下降率。 另一方面,在120。(:下加熱500小時之後,根據比較例1 和2的透明樹脂具有約2〇%以上的透光率下降率。 根據所述結果可以證實,根據實施例1至5的透明樹脂 改善了耐熱性。 評價-2 在更高的溫度條件下,再次對根據實施例1至5以及比 較例1和2的固化的透明樹脂的耐熱性進行測量。 根據與上述相同的程式對初始透光率進行測量。 在180。〇下將所述固化的透明樹脂加熱150小時之後, 通過根據相同方法測量透光率而確定了耐熱性。 * 16 201231507 參考表2對所述結果進行描述^ 表2 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 初始透光率(%) 97.0 96.9 97.3 97.2 97.5 97.2 97.1 加熱後的透光率(%) 85.6 91.0 95.4 90.2 83.9 73.5 74.1 透光率下降率(%) 11.4 5.9 1.9 7.0 13.6 23.7 23.0 參考表2可以證實,根據實施例1至5的透明樹脂在初始 透光率與在180X:下加熱150小時之後的透光率之間的透光 率差在約15%以内。另外,在示例性實施方式中,根據實 施例2、3和4的透明樹脂具有約7%以下的更優異的透光率 下降率’且根據實施例3的透明樹脂具有約1.9%的最優異的 透光率下降率。 另一方面,在180°C下加熱150小時之後’根據比較例1 的透明樹脂具有約23%的透光率下降率。 根據所述結果可以證實,根據實施例1至5的透明樹脂 改善了耐熱性。 評價-3 對根據實施例1至5以及比較例.1和2的固化的透明樹脂 的黏性進行測量。 黏性通過使用TopTac 2000A對所述固化的透明樹脂施 加恒定負荷(載荷)並對除去所述負荷期間的力進行測量而 確定。 細節如下:
''裝置:TopTac 2000A 17 201231507 -Zig試驗(TestZig): 1英寸半球,ss,壓縮載荷3〇〇 〇〇gf -試驗速度:目標位移10.00 mm 落下0.08 mm/秒、 保持300 gf,1〇秒 上升0.1 mm/秒 參考表3對所述結果進行描述。 表3 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 黏性(kgf) 93 33 21 25 86 180 120 參考表3,根據貫施例!至5的固化的透明樹脂具有約 1〇〇 kgf以下的黏性,這是令人滿意的。 另外,在示例性實施方式中,根據實施例2、3和4的透 明樹脂具有㈣低的純,且根據實蘭3的透明樹脂具有 約21 kgf的最低黏性。 另-方面,減比㈣丨和2的透明樹脂具有高黏性。 根據所述結果可以證實,根據實施例⑴的透明樹脂 顯著改善了黏性。 從這些結果可理解,通過將第一聚石夕氧燒和第二聚石夕 氧貌的石夕-氣鍵_)和石夕-烯基基團鍵(Si-Vi)的比率 ⑸在狀範_,_改善了賴性和黏性。 雖然已經結合目前被認為是實用的示例性實施方式描 二了本發明’但應當理解,本發明並不限於所披露的實施 =而且相反’用來涵蓋包括在所附申請專利範圍的 精砷和範圍内的备锺改進和等同安排。 18 201231507 I:圖式簡單說明3 (無) 【主要元件符號說明】 (無) 19
Claims (1)
- 201231507 七、申請專利範圍: 1. 聚矽氧烷的末端包含與 種用於封裝材料的透明樹脂,包含 第4石夕氧院,在所述第 矽鍵結的氫(Si-H),和 ^二料纽,在所述第二料氧制末端包含與 矽鍵、·°的烯基基團(Si-Vi), -所述與石夕鍵結的氫(Si_H)和所述與石夕鍵結的 稀基基團⑸’)以約i至約i2的比率⑸-職存在。 2. 士申β專圍第!項所述的用於封裝材料的透明樹 月曰’其中’所述第—聚碎氧燒由以下化學式【表示: [化學式1] (R,R2R3Si〇)/2)M1(R4R5si〇2/2)Dl(R6Si〇3/2)Ti(Si〇4/2)Q] 其中’在化學式1中, Ri至&各自獨立地為氫、取代或未取代的(:1至(:;30 烷基、取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代 的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取 代或未取代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至 C30雜環烷基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或 未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰 基 '羥基、或它們的組合, 1^至尺6中的至少一個包括氫’ 0<M1<1 >0<D1<1 »0<T1<1 >〇<Ql<l > 並且 Ml + D1 + ΤΙ + Q1 = 1 0 20 201231507 3 ·如申請專利範圍第1項所述的用於封裝材料的透明樹 脂,其中,所述第二聚矽氧烷由以下化學式2表示: [化學式2] (R7R8R9Si〇i/2)M2(Rl〇RllSi〇2/2)D2(Rl2Si〇3/2)T2(Si〇4/2)Q2 其中,在化學式2中, R7至Ri2各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷 基、取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的 C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代 或未取代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30 雜環烷基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取 代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、 取代或未取代的C1至C30羰基、羥基、或它們的組合, R7至Ri2中的至少一個包括取代或未取代的C2至 C30烯基, 〇<M2<l>〇<D2<l>〇<T2<l,〇^Q2<l> 並且 M2 + D2 + T2 + Q2 = 1。 4. 根據申請專利範圍第1項所述的用於封裝材料的透明樹 脂,其中,所述與矽鍵結的氫(Si-H)和所述與石夕鍵結的 烯基基團(Si-Vi)以約1.05至約1 · 15的比率(Si-H/Si_vi)存 在。 5. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝材料的透明樹 脂,其中,基於所述透明樹脂的總量’所述第一聚矽氧 烷以小於約50 wt%被包括,並且基於所述透明樹脂的總 21 201231507 量,所述第二聚矽氧烷以大於約50 wt%被包括。 6. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝材料的透明樹 脂,更包含矽氫化催化劑。 7. —種封裝材料,其係藉由固化如申請專利範圍第1項所 述的用於封裝材料的透明樹脂而製備者。 8. 如申請專利範圍第7項所述的封裝材料,其中,該透光 率(T)在約80%至約100%的範圍内。 9. 如申請專利範圍第7項所述的封裝材料,其中,在約 120°C下加熱約500小時之後,透光率下降率(ΛΤ)小於 約 15%。 10. 如申請專利範圍第7項所述的封裝材料,其中,在約 180°C下加熱約150小時之後,透光率下降率(△”小於 約 15%。 11. 如申請專利範圍第7項所述的封裝材料,所述封裝材料 具有小於約100 kgf的黏性。 12. —種電子元件,其包括如申請專利範圍第7項所述的封 裝材料元件。 13. 如申請專利範圍第12項所述的電子元件,所述電子元件 包括發光二極體、有機發光元件、光致發光元件和太陽 能電池。 22 201231507 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第()圖。(無) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式. [化學式1] (R1 R2R3Si〇 i/2)m 丨(R4R5Si〇2/2)D1 (R6si〇3/2)TI (si〇4/2)Q,
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