TW201231507A - Transparent resin for encapsulation material and encapsulation material and electronic device including the same - Google Patents

Transparent resin for encapsulation material and encapsulation material and electronic device including the same Download PDF

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Description

201231507 六、發明說明:
c發明戶斤屬之技術領域:J 發明領域 本申請公開了用於封裝材料的透明樹脂、包含其的封 裝材料和電子元件(電子裝置)。 L· ^cj. ]3 發明背景 發光元件如發光二極體(led)、有機發光元件 (OLED)、光致發光(PL)元件等已經多樣地應用於家用電動 裝置、照明裝置、顯示裝置、各種自動裝置等中。 發光元件可以使用發光體(光發射器,light emitter)顯 示發光材料_有顏色如藍、紅和綠,或者可輯過將顯 示不同顏色的發光體結合而顯示白色。 這種發S元件通常可以具有包裝或封裝結構。 這種包裝或封裝結構可以由包含透明樹脂的封裝材料 製成,所述㈣樹脂能夠從外部通過由發紐發射的光。 由於將透明樹岐位在其中通過光的位置中,所以透明樹 脂的特性如透光率和耐熱性可能料光效率。另外,該透 明樹脂係設置於覆蓋該發光 在發光元件的表面上。由此 將其暴露。 體的結構中,所以其可被設置 ’在加工(處理,工藝)期間可能
C發明内容;J 發明概要 本發明的一 個實施方式提供了一種用於封裝材料的透 3 201231507 明樹腊’其藉由提高透明樹脂的物理性能而增強 以及防止了光效率的劣化。 本發明的另一個實施方式提供了包含所述 封裝材料。 本發明的又一個實施方式提供了包含所述杳 電子元件。 ^ 了加工性 明樹脂的 寸裝材料的 根據一個貫施方式,提供了—種用於封 樹脂,此+ 及材料的透明 樹月曰所述透明樹脂包含第一聚矽氧烷和第二聚矽氧浐 所述第一聚矽氧烷在其末端包含與矽鍵結的氣屮)氧:述 第一聚矽氧烷在其末端包含與矽鍵結的烯基基團(Si Vi) 其中所述與矽鍵結的氫(Si_H)和所述與矽鍵結的烯基基團 (Si_Vi)以約1至約1.2的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 所述第一聚矽氧烷可以由以下化學式丨表示。 [化學式1] (RiR2R3SiO"2)MI(R4R5Si〇2/2)DI(R6si〇V2)Tl(Si〇々2)Qi 在化學式1中,
Ri至R0各自獨立地為氫、取代或未取代的匸丨至匸⑽烷 基、取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6 至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取 代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30雜環烷基、 取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的ci至C30 烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰基、羥基、或它們的 組合, 仏至以中的至少一個包括氫, β 201231507 〇<Μ1<1,〇<Dl<l,0$T1<1,〇$Ql<l,且
Ml + D1 + ΤΙ + Q1 = 1。 所述第二聚矽氧烷可以由以下化學式2表示。 [化學式2] (R7R8R9SiO|/2)M2(Rl〇Rl 1 Si〇2/2)D2(Rl2Si〇3/2)T2(Si〇4/2)Q2 在化學式2中, R7至R12各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷基、 取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6至C30 芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取代的 C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30雜環烷基、取代 或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、 取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的ci至C30 羰基、羥基、或它們的組合, 心至心2中的至少一個包括取代或未取代的C2至C30烯 基, 0<M2<1,〇<D2<1,〇<t2<1,0$Q2<1,且 M2 + D2 + T2 + Q2 = 1 〇 所述與石夕鍵結的虱(Si-H)和所述與石夕鍵結的烯基基團 (Si-Vi)可以以約1.05至約1.15的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 基於所述透明樹脂的總量’所述第一聚矽氧烧可以以 小於約50 wt%被包括,並且基於所述透明樹脂的總量,所 述第二聚矽氧烷可以以大於約5〇 wt%被包括。 所述透明樹脂還可以包含碎氣化催化劑。 根據另一個實施方式,提供了藉由將上述用於封裝材 5 201231507 料的戶透明樹脂固化所製備的封裳材料。 所述封裝材料可在約450 nm波長處具有約80%至1 〇〇% 的透光率(light transmittance)(T)。 在約12〇。(:下加熱約500小時之後,所述封裝材料可以 具有小於約15%的透光率下降率(ΛΤ)。 在約180°c下加熱約150小時之後,所述封裝材料可以 具有小於約15%的透光率下降率(ΛΤ)。 所述封裝材料可以具有小於約1〇〇 kgf的黏性(黏度, tackiness) ° 根據又一個實施方式,提供了包含所述封裝材料的電 子元件。 所述電子元件可以包括發光二極體、有機發光元件、 光致發光7L件和太陽能電池。 财熱性和黏性可以被顯著改善。 【實施令式】 詳細說明 在下文中牌對本發明的示例性實施方式進行詳細描 述。然而’ ^實施方式僅是*例性的且㈣制本發明。 如本領域的W人貞應理解的,可以在料背離本發明的 精神或範圍的情況下,以各種不同的方式對所描述的實施 方式進行修改。 如本文中所使用的,當沒有另外提供定義時,術語“取 代的”是指W自由以下所構成之群组巾至少-種取代基 來取代化合物的氫:i素(F、Br、C1或I),基、垸氧基土、 201231507 硝基、氰基、胺基、疊氮基、脒基、肼基、亞肼基、羰基、 胺曱醯基、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、 磷酸基或其鹽、C1至C30烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔 基、C6至C30芳基、C7至C30芳烷基、C1至C30烷氧基、C1 至C20雜烷基、C3至C20雜芳烷基、C3至C30環烷基、C3至 C15環烯基、C6至C15環炔基、C3至C30雜環烷基、以及它 們的組合。 如本文中所使用的,當沒有另外提供定義時,詞頭“雜” 是指包含選自N、Ο、S和P的1至3個雜原子。 在下文中’對根據一個實施方式的用於封裝材料的透 明樹脂進行描述。 根據一個實施方式的用於封裝材料的透明樹脂包含第 一聚矽氧烷和第二聚矽氧烷,所述第一聚矽氧烷在其末端 包含與矽鍵結的氫(Si-H),所述第二聚矽氧烷在其末端包含 與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi)。 所述第一聚矽氧烷可以由以下化學式1表示。 [化學式1] (RlR2R3Si〇i/2)Ml(R4R5Si〇2/2)Dl(R6Si〇3/2)Tl(Si〇4/2)Ql 在化學式1中, 1至116各自獨立地為氫、取代或未取代的C1至C30烷 基 '取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6 至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取 代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30雜環烷基、 取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30 201231507 烧氧基、取代或未取代的(:1至€3〇羰基、羥基、或它們的 組合,
Rl至中的至少一個是氫, 〇<M1<1-〇<Di<1,〇<xi<1,〇<q1<1,
Ml +D1 +Τ1 +Q1 =卜
Ml、D1、T^Qi各自表示莫耳比。 所述苐二聚石夕氧坑可以由以下化學式2表示。 [化學式2] (R7R8R9SiOW2)M2(RlQRi|Si〇2/2)D2(R12Si03/2)T2(Si〇4/2)Q2 在化學式2中, R7至Ri2各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷基、 取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的C6至C30 芳基、取代或未取代的(:7至(:3〇芳烷基、取代或未取代的 C1至C30雜烷基、取代或未取代的(:2至(:3〇雜環烷基取代 或未取代的C2至C30稀基、取代或未取代的C2至¢30炔基、 取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的(^至^如 羰基、羥基、或它們的組合, 心至心2中的至少一個是取代或未取代的(:2至(:3〇烯 基, M2 + D2 + T2 + Q2 =卜 M2、D2、T2和Q2各自為莫耳比。 所述透明樹脂的交聯鍵結和固化程度可以藉由包含第 一聚矽氧烷和第二聚矽氧烷兩者來控制,所述第一聚矽氧 201231507 烷在其末端包含與矽鍵結的氫(si_H),所述第二聚矽氧烷在 其末端包含與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi)。 所述透明樹脂具有約1至1.2的與矽鍵結的氫(Si-H)和 與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi)的比率(Si-H/Si-Vi)。在所述範 圍内,所述與矽鍵結的氫(Si-H)和所述與矽鍵結的烯基基團 (Si-Vi)以約1.05至1.15,例如約1·1〇的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 通過以所述範圍内的比率(Si-H/Si-Vi)存在所述與石夕鍵 結的氫(Si-H)和所述與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi),可以提高 固化的透明樹脂的耐熱性和黏性以及保持其透光率。 例如’包含在所述範圍内的所述與矽鍵結的氫(Si_H) 和所述與矽鍵結的烯基基團(Si-Vi)的比率(Si-H/Si-Vi)的透 明樹脂在固化後相對於約450 nm的波長可以具有約8〇%至 約100%的透光率,並且即使當在高溫下長時間暴露時,也 可以具有小於約15%的透光率下降率(ΛΤ)。換句話說,所 述透明樹脂確保了耐熱性,因此即使當在高溫下長時間暴 露時,其也可以防止因變黃而造成的透光率的顯著劣化。 另外’以限定範圍之比率(Si_H/Si_vi)包含與石夕鍵結之 氫(Si-H)和與石夕鍵結之稀基基團⑶,的透明樹脂,在固化 後可以具有小於約1〇〇 kgf的黏性。所述黏性是指在固化的 透明樹脂表面上的黏附程度。當黏性強時,由於在製備通 過將透明樹脂固化而提供的封裝材料期間,相鄰的封裝材 料相互黏著,所以可能造成加工困難。 根據一個實施方式,在包乜 匕括在末端包含與矽鍵結的烯 基基團(Si-Vi)的第二聚矽氧烷 况和在末端包含與矽鍵結的氫 201231507 (Si-H)的第—聚矽氧烷的透明樹脂中,證實了藉由將與矽鍵 結的氫(Si-H)和與矽鍵結的烯基基團(Si_Vi)的比率 (Si-H/Si-Vi)控制在所述範圍内,顯著提高了耐熱性和黏性。 所述第一聚矽氧烷可以具有約1〇〇 g/m〇1至約1〇 〇〇〇 g/m〇1,具體地約l〇〇g/mol至約3,000 g/mol的重均分子量。 基於透明樹脂的總量,所述第一聚矽氧烷可以以小於 約50 Wt%,例如以約1 wt%至35 wt%被包括。 所述第—聚矽氧烷具有約1,〇〇〇 g/mol至約ι〇〇,〇〇〇 g/m〇1,具體地約込000 g/m〇l至約20,000 g/mol的重均分子 量。 基於透明樹脂的總量,所述第二聚石夕氧院可以以大於 約50 wt% ’例如以約65至約99 被包括。 錢^第-㈣氧燒和所述第二聚錢燒分別在所述 重句子里和所述量的範圍内的情況下,可以控制樹脂的 反應性。 所述透明樹脂還可以包含石夕氫化催化劑。所述石夕氫化 催化劑可以促進第-_氧㈣與㈣結的氫(Μ)部分 和第一聚石夕氧燒的與石夕鍵結的烯基基團(Si-Vi)部分之間的 矽氫化反應,並且装可、 、J从包括例如鉑、铑、鈀、釕、銥、 或它們的組合。 基於透明樹脂的總量,所述石夕氫化催化劑可以以約〇1 ppm至約1〇00 ppm的量被包括。 W 還可以包含催化劑抑制劑。基於樹脂的總 量所述催化劑抑制劑可以以約議丄祕至約1 ·祕的量 10 201231507 被包括。 除了上述成分之外,所述封 進劑(增《_,並輯絲合18可料含黏合促 氧基丙基三甲氧她c例如縮水甘油 氧基丙基三乙軋基矽烷等。 * 將所述透明樹脂固化以用你 用作電子元件的封裝材料。。 例如,所述固化可以通過以下掩〜 卜進仃:以約0.01 mm至3 mm 的厚度將樹脂塗布在基板上,妙& …、、後’在約l〇〇°C至3〇〇°c的 溫度下對所塗布的樹脂進行熱處理持續約丨至叫時。所述 電子元件可以包㈣㈣光:極體、有機發光元件、光致 發光元件和太陽能電池,但不限於此。 利用所述透明樹脂製備的封裝材料當在高溫下長時間 暴露時可以防止變黃現象或劣化,且具有高透光率,從而 碟保了耐熱性並由於低純而提高了加工性。 下列實施例更詳細地說明了本發明。然而,它們是本 發明的示例性實施方式而不是限制性的。 第一聚矽氧烷的合成 以5.5的重量比將水和甲苯混合以製備混合溶劑。將1 kg的混合溶於3親瓶中,並在將燒瓶保持在饥下的 同時’向其中滴加莫耳比為40:60的二苯基二氯石夕烧和四甲 基二錢燒。當完㈣加之後’在5GtT觀合物進行加 ,"、並回机以進行縮聚反應並持續3小時。將所得的反應物質 冷部至室溫,並將其十的水層除去,從而製備了其中聚合 物溶於Ψ料的紐。利用水來纽聚合物溶液以除去反 201231507 應副產物氣。然後’在減對中和的聚合物溶液進行蒸 餾以除去曱苯,從而製備液體聚矽氧烷。 —通過凝料透色譜來測量㈣氧糾重均分子量並將 折鼻成聚苯乙烯的分子量計確定為75〇咖。卜使用 H-NMR⑸-麵和元素分析儀識別出所述㈣氧烧具有化 學式Α的結構。此處,“Me”表示甲基基團,“ph”表示苯基 基團,“Si”表示矽,且“η”表示氫。 [化學式A] (Me2HSi〇i/2)2(Ph2Si〇2/2) 第一聚發氧烧的合成 將i kg通過以5:5的重量比混合水和甲笨而製備的混合 溶劑置於3頸燒瓶中’然、後使其在坑下靜置。隨後,以 27.55.18的莫耳比混合苯基三㈣烧、苯基甲基二氣石夕烧和 乙稀基二甲基氣㈣。在9Gt下對混合物進行加熱並回流 以進行縮聚反應並持續3小時。將所得的反應物質冷卻至室 溫,並將其中的水層除去,從而製備了其中聚合物溶於甲 笨中的溶液。利用水來清洗聚合物溶液以除去反應副產物 氣。隨後’在減壓下對中和的聚合物溶液進行蒸儲以除去 曱笨並獲得液體聚矽氧烷。 通過凝膠滲透色譜來測量獲得的聚矽氡貌的重均分子 量並確定為具有2,500 g/mol的折算成聚笨乙稀的分子量。 使用H-NMR、Si-NMR和元素分析儀測定出所述聚石夕氣^具 有由化學式B表·示的結構。此處,“Me”表示甲基基團,“托 表示苯基基團;“Vi”表示乙烯基基團,且“Si”表示石夕。 12 201231507 [化學式B] (Me2ViSiO,/2)〇.i3(PhSi〇3/2)〇.3(PhMeSi〇2/2)o.57 透明樹脂的製備 實施例1 、以及 將13.6 wt%的由化學式A表示的第一聚石夕氧境 86.4 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添加作 為石夕氫化催化劑的PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供^ ppm的Pt量。而且,向其中添加0.002 wt%的作為催化劑扣 制劑的Surfynol (由TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-稀基式團 鍵(Si-Vi)以約1.00的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱2小時並固化以提供固化的試樣。 實施例2 將14.2 wt%的由化學式A表示的第一聚碎氧烧、以及 85.8 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添加 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的丹量。而且, 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfyn〇1 (由 tci製造)。矽-氫鍵(Si_H)和矽_烯基基團鍵(si_以約丨〇5 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱2小時並固化以提供固化的試樣。 實施例3 將14.8 wt%的由化學式A表示的第—聚矽氧烷、以及 85.2 wt%的由化學式B表示的第二聚石夕氧烷混合,並添加 13 201231507 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的Pt量。而且, 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfynol (由 TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-烯基基團鍵(Si-Vi)以約1 · 10 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱2小時並固化以提供固化的試樣。 實施例4 將15.3 wt%的由化學式A表示的第一聚矽氧烷、以及 84.7 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添加 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的Pt量。而且, 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfynol (由 TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-烯基基團鍵(Si-Vi)以約1.15 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱並固化2小時以提供固化的試樣。 實施例5 將15.9 wt%的由化學式A表示的第一聚矽氧烷、以及 84.1 wt%的由化學式B表示的第二聚石夕氧院混合,並添加 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的Pt量。而且, 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfynol (由 TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-烯基基團鍵(Si-Vi)以約1.20 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱並固化2小時以提供固化的試樣。 14 201231507 比較例1 將11.2 wt%的由化學式A表示的第—聚石夕氧燒、、 88.8 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添^ PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2卩帅的朽量。而且 向其中添加0_002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfyn〇i (由 TC1製造)。矽-氫鍵(Si-H)和矽-浠基基團鍵(Si_Vi)以約〇 8 比率(Si-H/Si-Vi)存在。 並且在 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上 150°C下加熱並固化2小時以提供固化的試樣。 比較例2 將19.1 wt%的由化學式A表示的第一聚矽氧产、、 、以及 80.9 wt%的由化學式B表示的第二聚矽氧烷混合,並添力 PS-CS-2.0CS (由Unicore製造)以提供2 ppm的Pt量。而且 向其中添加0.002 wt%的作為催化劑抑制劑的Surfyn〇1 (由 tci製造矽-氫鍵(Si_H)和矽-稀基基團鍵(Si_Vi)以約15〇〇 的比率(Si-H/Si-Vi)存在。 以1 mm的厚度將混合溶液塗布在基板上,並且在 150°C下加熱並固化2小時以提供固化的試樣。 評價-1 對由實施例1至5以及比較例1和2獲得的各種固化的透 明樹脂的初始透光率和耐熱性進行測量。 初始透光率通過使用UV-分光光度計(Shimadzu, UV-3600),在450 nm的波長中測量所述固化的透明樹脂來 6 確定。 15 201231507 耐熱性通過將所述固化的透明樹脂在12 0 °C下加熱5 0 0 小時並根據相同方法測量透光率而確定。 參考表1對所述結果進行描述。 表1 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 初始透光率(%) 97.0 96.9 97.3 97.2 ,97.5 97.2 97.1 加熱後的透光率(%) 88.3 92.2 96.0 91.1 85.3 75.5 76.6 透光率下降率(%) 8.7 4.7 1.3 6.1 12.2 21.7 20.5 參考表1,可以證實,根據實施例1至5的透明樹脂在初 始透光率與在120°C下加熱5〇〇小時之後的透光率之間的透 光率差在約15%以内。 另外,在示例性實施方式中,根據實施例2、3和4的透 明樹脂具有約7%以下的優異的透光率下降率;且根據實施 例3的透明樹脂具有約1 3%的最優異的透光率下降率。 另一方面,在120。(:下加熱500小時之後,根據比較例1 和2的透明樹脂具有約2〇%以上的透光率下降率。 根據所述結果可以證實,根據實施例1至5的透明樹脂 改善了耐熱性。 評價-2 在更高的溫度條件下,再次對根據實施例1至5以及比 較例1和2的固化的透明樹脂的耐熱性進行測量。 根據與上述相同的程式對初始透光率進行測量。 在180。〇下將所述固化的透明樹脂加熱150小時之後, 通過根據相同方法測量透光率而確定了耐熱性。 * 16 201231507 參考表2對所述結果進行描述^ 表2 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 初始透光率(%) 97.0 96.9 97.3 97.2 97.5 97.2 97.1 加熱後的透光率(%) 85.6 91.0 95.4 90.2 83.9 73.5 74.1 透光率下降率(%) 11.4 5.9 1.9 7.0 13.6 23.7 23.0 參考表2可以證實,根據實施例1至5的透明樹脂在初始 透光率與在180X:下加熱150小時之後的透光率之間的透光 率差在約15%以内。另外,在示例性實施方式中,根據實 施例2、3和4的透明樹脂具有約7%以下的更優異的透光率 下降率’且根據實施例3的透明樹脂具有約1.9%的最優異的 透光率下降率。 另一方面,在180°C下加熱150小時之後’根據比較例1 的透明樹脂具有約23%的透光率下降率。 根據所述結果可以證實,根據實施例1至5的透明樹脂 改善了耐熱性。 評價-3 對根據實施例1至5以及比較例.1和2的固化的透明樹脂 的黏性進行測量。 黏性通過使用TopTac 2000A對所述固化的透明樹脂施 加恒定負荷(載荷)並對除去所述負荷期間的力進行測量而 確定。 細節如下:
''裝置:TopTac 2000A 17 201231507 -Zig試驗(TestZig): 1英寸半球,ss,壓縮載荷3〇〇 〇〇gf -試驗速度:目標位移10.00 mm 落下0.08 mm/秒、 保持300 gf,1〇秒 上升0.1 mm/秒 參考表3對所述結果進行描述。 表3 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 黏性(kgf) 93 33 21 25 86 180 120 參考表3,根據貫施例!至5的固化的透明樹脂具有約 1〇〇 kgf以下的黏性,這是令人滿意的。 另外,在示例性實施方式中,根據實施例2、3和4的透 明樹脂具有㈣低的純,且根據實蘭3的透明樹脂具有 約21 kgf的最低黏性。 另-方面,減比㈣丨和2的透明樹脂具有高黏性。 根據所述結果可以證實,根據實施例⑴的透明樹脂 顯著改善了黏性。 從這些結果可理解,通過將第一聚石夕氧燒和第二聚石夕 氧貌的石夕-氣鍵_)和石夕-烯基基團鍵(Si-Vi)的比率 ⑸在狀範_,_改善了賴性和黏性。 雖然已經結合目前被認為是實用的示例性實施方式描 二了本發明’但應當理解,本發明並不限於所披露的實施 =而且相反’用來涵蓋包括在所附申請專利範圍的 精砷和範圍内的备锺改進和等同安排。 18 201231507 I:圖式簡單說明3 (無) 【主要元件符號說明】 (無) 19

Claims (1)

  1. 201231507 七、申請專利範圍: 1. 聚矽氧烷的末端包含與 種用於封裝材料的透明樹脂,包含 第4石夕氧院,在所述第 矽鍵結的氫(Si-H),和 ^二料纽,在所述第二料氧制末端包含與 矽鍵、·°的烯基基團(Si-Vi), -所述與石夕鍵結的氫(Si_H)和所述與石夕鍵結的 稀基基團⑸’)以約i至約i2的比率⑸-職存在。 2. 士申β專圍第!項所述的用於封裝材料的透明樹 月曰’其中’所述第—聚碎氧燒由以下化學式【表示: [化學式1] (R,R2R3Si〇)/2)M1(R4R5si〇2/2)Dl(R6Si〇3/2)Ti(Si〇4/2)Q] 其中’在化學式1中, Ri至&各自獨立地為氫、取代或未取代的(:1至(:;30 烷基、取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代 的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取 代或未取代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至 C30雜環烷基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或 未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30羰 基 '羥基、或它們的組合, 1^至尺6中的至少一個包括氫’ 0<M1<1 >0<D1<1 »0<T1<1 >〇<Ql<l > 並且 Ml + D1 + ΤΙ + Q1 = 1 0 20 201231507 3 ·如申請專利範圍第1項所述的用於封裝材料的透明樹 脂,其中,所述第二聚矽氧烷由以下化學式2表示: [化學式2] (R7R8R9Si〇i/2)M2(Rl〇RllSi〇2/2)D2(Rl2Si〇3/2)T2(Si〇4/2)Q2 其中,在化學式2中, R7至Ri2各自獨立地為取代或未取代的C1至C30烷 基、取代或未取代的C3至C30環烷基、取代或未取代的 C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代 或未取代的C1至C30雜烷基、取代或未取代的C2至C30 雜環烷基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取 代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、 取代或未取代的C1至C30羰基、羥基、或它們的組合, R7至Ri2中的至少一個包括取代或未取代的C2至 C30烯基, 〇<M2<l>〇<D2<l>〇<T2<l,〇^Q2<l> 並且 M2 + D2 + T2 + Q2 = 1。 4. 根據申請專利範圍第1項所述的用於封裝材料的透明樹 脂,其中,所述與矽鍵結的氫(Si-H)和所述與石夕鍵結的 烯基基團(Si-Vi)以約1.05至約1 · 15的比率(Si-H/Si_vi)存 在。 5. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝材料的透明樹 脂,其中,基於所述透明樹脂的總量’所述第一聚矽氧 烷以小於約50 wt%被包括,並且基於所述透明樹脂的總 21 201231507 量,所述第二聚矽氧烷以大於約50 wt%被包括。 6. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝材料的透明樹 脂,更包含矽氫化催化劑。 7. —種封裝材料,其係藉由固化如申請專利範圍第1項所 述的用於封裝材料的透明樹脂而製備者。 8. 如申請專利範圍第7項所述的封裝材料,其中,該透光 率(T)在約80%至約100%的範圍内。 9. 如申請專利範圍第7項所述的封裝材料,其中,在約 120°C下加熱約500小時之後,透光率下降率(ΛΤ)小於 約 15%。 10. 如申請專利範圍第7項所述的封裝材料,其中,在約 180°C下加熱約150小時之後,透光率下降率(△”小於 約 15%。 11. 如申請專利範圍第7項所述的封裝材料,所述封裝材料 具有小於約100 kgf的黏性。 12. —種電子元件,其包括如申請專利範圍第7項所述的封 裝材料元件。 13. 如申請專利範圍第12項所述的電子元件,所述電子元件 包括發光二極體、有機發光元件、光致發光元件和太陽 能電池。 22 201231507 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第()圖。(無) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式. [化學式1] (R1 R2R3Si〇 i/2)m 丨(R4R5Si〇2/2)D1 (R6si〇3/2)TI (si〇4/2)Q,
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2014088370A1 (ko) 2012-12-07 2014-06-12 제일모직 주식회사 광학기기용 경화형 폴리실록산 조성물, 봉지재 및 광학기기
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KR101739824B1 (ko) * 2014-06-30 2017-05-25 제일모직 주식회사 경화형 폴리오르가노실록산 조성물, 봉지재, 및 광학기기
WO2016006773A1 (ko) * 2014-07-10 2016-01-14 삼성에스디아이 주식회사 경화형 폴리오르가노실록산 조성물, 봉지재, 및 광학기기
KR101641430B1 (ko) * 2014-10-31 2016-07-20 희성금속 주식회사 실록산 중합체 및 이를 포함하는 수지 조성물

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4530147B2 (ja) * 2004-08-25 2010-08-25 信越化学工業株式会社 一液型オルガノポリシロキサンゲル組成物
CN101389695B (zh) * 2006-02-24 2012-07-04 陶氏康宁公司 用硅氧烷包封的发光器件和用于制备该硅氧烷的可固化的硅氧烷组合物
RU2401846C2 (ru) * 2006-04-25 2010-10-20 Учреждение Российской академии наук Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН (ИСПМ РАН) Функциональные полиорганосилоксаны и композиция, способная к отверждению на их основе

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