TW201229479A - Pressure sensor and method of assembling same - Google Patents

Pressure sensor and method of assembling same Download PDF

Info

Publication number
TW201229479A
TW201229479A TW100138147A TW100138147A TW201229479A TW 201229479 A TW201229479 A TW 201229479A TW 100138147 A TW100138147 A TW 100138147A TW 100138147 A TW100138147 A TW 100138147A TW 201229479 A TW201229479 A TW 201229479A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
lead frame
die
lead
pressure sensing
pressure
Prior art date
Application number
TW100138147A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI540315B (zh
Inventor
Wai Yew Lo
Lan Chu Tan
Original Assignee
Freescale Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Freescale Semiconductor Inc filed Critical Freescale Semiconductor Inc
Publication of TW201229479A publication Critical patent/TW201229479A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI540315B publication Critical patent/TWI540315B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0069—Electrical connection means from the sensor to its support
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

201229479 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於半導體封裝，且 尺付疋而言係關 於一種組裝壓力感測器封裝之方法。 【先前技術】 壓力感測器用於諸如工業、汽車及醫學應用等多種應用 中。此等感測器通常在-端處包含在—所關注環境下與一 介質（諸如，-流體）接觸之一隔膜。在操作期間，由於該 介質之壓力而使該隔膜位移。 3亥隔膜機械地輕合至一麼力咸，、目彳哭_ μ 一 〇 煃力感測器兀件，該壓力感測器 疋件基於諸如該壓力感測器元件之_、位移或變形之一 實體參數而量測在該環境下該介質之塵力，其中該介質壓 力係自該隔膜直接或透過一機楣 器元件。 “械耗合而傳送至該壓力感測 :例而言，厂堅力感測器元件可包含用以提供指示所感測 信號之屡電或心且晶體。一種封裝麼力感測器 式包含引線封裝，其中藉助用以覆蓋塵力感測器 妹二 刀汉劂态兀件、隔膜及引線。 然而，此等封裝技術所面臨 問續係由於壓力感測器元 件係面向上直接安置於一 之一風險。此外，用以伴因此存在隔膜損壞 ,,^ . 保力感測器元件之金屬罩給該 封裝增加了額外成本， 制 β亥封袈亦受該罩之厚度之限 因 I59217.doc 201229479 件且減小對感測器元件及隔膜之損壞之風險將係有利的。 【發明内容】 在一項實施例中，本發明提供一種封裝一壓力感測器晶 粒之方法。該方法包含提供具有複數個引線指形件之一引 線框架並將該壓力感測器晶粒附著至該引線框架之該等引 線指形件。將該晶粒之接合墊電耦合至該等引線指形件， 且在該晶粒與該等引線指形件之間形成一空隙。經由該引 線框架之一底側將一凝膠材料施配至該空隙中以使得該凝 膠材料實質上填充該空隙。接著，使該凝膠材料固化且用 一模製化合物來囊封該晶粒及該引線框架。 在另一實施例中，本發明係一種包含一引線框架及電耦 合至該引線框架之一晶粒之壓力感測器封裝，其中一空隙 係位於該引線框架與該晶粒之間。—内部填充材料係安置 於該引線框架與該晶粒之間的該空隙内。一囊封材料環繞 該晶粒及該引線框架。最後之封裝不包含f用器件通常所 需要之一金屬罩。 【實施方式】 本發明係以實例方式圖解說明且不受附圖限制，在附圖 中相似兀件符號指示類似元件。各圖中之元件係出於簡單 及清晰之目的而圖解說明且未必按照比例繪製。舉例而 言，出於清晰之目的，可放大層及區域之厚度。 本文中揭示本發明之詳細說明性實施例。然而，本文中 所揭示之特定結構性及功能性細節僅係代表性的，係出於 闡述本發明之實例性實施例之目#。本發明可以諸多替代 159217.doc 201229479 形式來體現且不應解釋為僅限於本文中所陳述之實施例。 諸如第一」及「第二」等術語係用來任意地區分此等術 語所闡述之元件。因此，此等術語未必意欲指示此等元件 之時間優先順序或其他優先順序。亦應注意，在某些替代 實施方案中，所提及之功能/動作可不按各圖甲所提及之 次序發生。舉例而言，端視所涉及之功能性/動作，相繼 展示之兩個圖可事實上實質上同時執行或有時可按相反次 序執行。 現在參考圖1A，其中展示一壓力感測器封裝1〇之一剖面 圖麼力感/則器封裝10包含具有一居中定位之空隙14及引 線指形件18之一引線框架12。一壓力感測晶粒16電耦合至 引線框架12以使得晶粒16定位於空隙14上方。在本發明之 此例示性實施例中，壓力感測晶粒16係一壓阻傳感器 (PRT) ^引線框架12、壓力感測晶粒16及弓丨線指形件以通 常係壓力感測器之眾所周知的組件，且因此對其之詳細闡 述對於本發明之一全面理解而言係不必要的。 在本發明之此例示性實施例中，壓力感測晶粒16經由附 著至壓力感測晶粒16之一底側22之複數個導電凸塊2〇而附 著並電耦合至引線框架12。導電凸塊2〇可包含金螺柱凸 塊、銅柱凸塊、焊料凸塊或其組合，如熟習此項技術者應 理解。將壓力感測晶粒16電連接至引線框架丨2之另一方式 係藉助線（未展示p使用一眾所周知之線接合製程及已知 線接合設備來將該等線接合至壓力感測晶粒16之一作用表 面上之墊及引線框架12之引線指形件18中之對應引線指形 I59217.doc 201229479 件。 壓力感測器封裝10包含安置於引線指形件18與壓力感測 aa粒6之間的空隙1 4内之諸如一基於石夕之凝膠之一内部填 充材料24。—囊封材料26環繞壓力感測晶粒1 6及引線框架 囊封材料2 6覆蓋廢力感測晶粒1 6及引線指形件之頂表 面及側表面。如此項技術中已知，囊封材料％可包含一環 氧樹脂模製化合物。 圖1A之壓力感測器封裝1〇之實例性組態可用於一扁平無 引線封裝中。封裝i0可經修整以使得引線框架之側邊緣係 曝露的且與該封裝之側齊平。此項技術者將理 解，圖式並未按照比例，而係對用以清楚地繪示本發明之 新穎態樣之圖解說明。 現在參考圖1B’其中展示一雙邊扁平無引線（DFN)感測 器封裝30之一仰視剖面圖。圖⑺展示環繞晶粒16(用虛線 展示晶粒16之輪廓）之囊封材料26、填充晶粒“下方之空 隙14之内部填充材料（例如，凝膠）及經曝露以提供與晶粒 16之外部電連通之引線指形件32。引線指形件32之一表面 係曝露的，且焊料球（未展示）可附著至該等引線指形件之 該經曝露表面。 如熟習此項技術者將瞭解，壓力感測晶粒16在一側上由 囊封材料26保護且在另一側（作用側）上藉助凝膠材料以來 保護。凝膠材料24保護晶粒16之隔膜不因環境影響而受到 損壞。在某些實施例中，可毗鄰於壓力感測晶粒Η之至少 兩侧女置散熱墊以促進自壓力感測器封裝3 〇之散熱。 159217.doc 201229479 現在參考圖2A，其中展示一堆疊式晶粒壓力感測器封裝 40之一剖面圖。與圖1A之實施例一樣，壓力感測器封裝 包含經由導電凸塊2 0而電耦合至引線框架丨2之引線指形件 18之壓力感測晶粒16。壓力感測器封裝40亦包含安置於壓 力感測晶粒1 6之一頂表面44上且藉助線46電耦合至引線框 架12之引線指形件18之一第二晶粒42。在此例示性實施例 中’壓力感測晶粒16係一壓阻傳感器（PRT)且第二晶粒42 係一特殊應用積體電路（ASIC)。使用眾所周知之線接合製 程及已知線接合設備用接合線46來將ASIC 42麵合至引線 指形件1 8。如熟習此項技術者已知，亦可用一晶粒附著黏 合劑或一膠帶來將ASIC 42附著至PRT晶粒16之頂表面或 非作用表面。 在所圖解說明之實施例中，凝膠材料24填充或實質上填 充引線框架12内及晶粒16下方之空隙14。藉助囊封材料 26(例如’模製化合物）來囊封壓力感測晶粒16、引線框架 12、ASIC 42及接合線46 »應注意，雖然所圖解說明之堆 疊式晶粒壓力感測器封裝40包含兩個堆疊式晶粒16及42， 但類似封裝可用於並排放置於引線框架12上之兩個晶粒。 並且，如同圖1A中所示之封裝1 〇 ,封裝4 〇之側可經修整以 使得引線指形件18之侧與封裝40之側齊平且係曝露的。曝 露引線指形件18之該等側亦可在藉由將鋸割道（saw street) 界定為接近於引線指形件18之外邊緣之單粒化期間完成β 現在參考圖2Β ’其中展示具有圖2Α中所示之堆疊式晶 粒組態之一個四邊扁平無引線（qFN)感測器封裝5〇之一仰 159217.doc 201229479 視剖面圖《圖中使用虛線展示第一晶粒16及第二晶粒 42(底部及頂部或者PRT晶粒及ASIC)之輪廓。自封裝50之 底部可看見空隙14内之凝膠材料24。如所圖解說明，凝膠 材料24實質上填充位於引線框架12之内側之空隙14。此視 圖中亦展示引線指形件18之底表面52。在此實施例（QFN) 中’引線指形件1 8係位於PRT晶粒16及ASIC 42之所有四 個側上。在一項實施例中，ASIC 42於引線框架12之兩個 相對側上耦合至引線指形件18aPRT晶粒16於引線框架12 之另兩個相對側上耦合至引線指形件丨8。然而，此並非係 一要求，如熟習此項技術者將理解’線或凸塊至引線指形 件1 8中之各個引線指形件之耦合皆係可能的。囊封材料％ 提供封裝50之完成之輪廓。囊封材料26覆蓋ρΚτ晶粒丨6、 ASIC 42、線46及引線指形件18之若干部分，如圖所示。 有利地，QFN感測器封裝5〇中所採用之封裝可延伸至具有 並排放置之多個晶粒之封裝。亦應注意，封裝5 〇既不包含 又不需要如習用感測器器件中所使用之金屬罩之一金屬 罩。 儘&壓力感測器封裝〗〇、3〇、4〇及5〇之個別元件本身包 括眾所周知之元件，但據信’使用此等元件形成之結構及 組裝封裝丨0、30、40及5〇之方法係新穎的。典型感測器組 裝製程可贅加且需要諸如—金屬罩等額外組件來保護如壓 力感測晶粒及引線等個別元件U，發明人已發明不包 3亦不需要一金屬罩之一新穎結構；將參考圖3A至圖3工來 闡述形成Μ力感測器封裝1Q之方法。$習此項技術者應能 159217.doc 201229479 夠容易地添加形成堆疊 裝所必需之步驟。 式晶粒封裝40或具有並排 晶粒之封 :在，考圖3A’其中展示將複數個壓力感測晶粒 ，合至複數個對應引線框架之一步驟之一圖解說明。 在圖3A至圖3H中，脾贫梦 、^荨弓丨線框架提供為一引線框架條 5 ?在此等圖式中’以使得圖解說明將該等引線框 架提供為-條帶或陣列之一方式表示該等引線框架及其引 線指形件18。現在，再次參考圖3α，提供—引線框架條帶 或陣肋且該等引線框架中之每一者包含配置為兩個相對 歹J (DFN)或兩對相對列（QFN)之複數個引線指形件u。將 膠帶60附著至引線框架12之一側以促進多個封裝之同時 組裝。引線指形件18環繞具有一矩形形狀之一中心區，其 中忒等引線私形件係沿該矩形之四個側中之兩者或四者配 置。使用市售取放設備來將壓力感測晶粒_ $至引線框 架12中之各別引線框架。在一線接合封裝之情形下，可用 膠帶或晶粒附著黏合劑來將晶粒丨6附著至引線框架，或 者右採用一覆晶封裝，則可用覆晶凸塊來將晶粒16直接耦 合至引線框架。在所示實施例中，用複數個導電凸塊2〇來 將曰曰粒16電麵合至引線框架丨2之引線指形件丨8中之各別引 線指形件。將導電凸塊20放置於位於壓力感測晶粒16之主 表面22中之一者上之接合墊上。導電凸塊2〇可包含金螺柱 凸塊 '銅柱凸塊、焊料凸塊或其組合，可使用諸如蒸發、 電鑛、印刷、喷射、螺柱凸起及直接放置等已知技術來將 導電凸塊20形成於或放置於壓力感測晶粒丨6上。 159217.doc -9· 201229479 將每一壓力感測晶粒16翻轉且將該等導電凸塊與引線指 形件18之接觸區（未具體展示）對準，如熟習此項技術者所 理解。 圖3B係對使用於將壓力感測晶粒16電耦合至引線框架12 之引線指形件18之導電凸塊20回流之一步驟之一圖解說 明。可在一熔爐中於適當溫度下使導電凸塊20回流以形成 用於建立壓力感測晶粒16與引線框架12之引線指形件18之 間的一接合之球形凸塊。 圖3C展示將引線框架12及壓力感測晶粒16倒置以為將參 考圖3D闡述之一凝膠施配步驟做準備之步驟。在此例示性 實施例中’將引線框架12及附著至其之壓力感測晶粒16倒 置且將覆蓋材料或膠帶60自引線框架12之表面62拆除。在 一項實施例中，可毗鄰於壓力感測晶粒丨6安置諸如一載體 (未展示）之一支撐結構以防止晶粒16在正組裝封裝時受到 損壞。 圖3D圖解說明其中透過引線指形件1 8之間的引線框架12 之底側表面62施配凝膠材料24以填充位於壓力感測晶粒16 與引線指形件1 8之間的空隙14之一凝膠施配步驟。可使用 諸如—標準注射器及針裝置之一已知凝膠施配器件64來施 配凝膠材料24。凝膠材料24經由毛細管效應而流入至空隙 14中以實質上填充位於壓力感測晶粒16中之各別壓力感測 晶粒與引線框架12中之各別引線框架之間的空隙14。隨 後’使用一習用箱式爐方法來使凝膠材料24固化，如圖3Ε 中所示。 159217.doc 201229479 圖3F展示在用一模製化合物囊封壓力感測晶粒16及弓，線 框架12之前料如1合膠帶之另—覆蓋㈣_蓋引線 框架!2之表面60。提供覆蓋材料“以防止在模製期_ 成施加之！力將凝膠材料24自空隙14逐出。除其他已知模 製技術之外，可藉由轉移模製、注射模製來執行該模製。、 囊封材料26可係-填充有二氧化石夕之樹脂、一陶兗、—無 鹵素材料或其他保護性囊封劑層β ’ 隨後，自引線框架12移除覆蓋材料66(亦即，除去膠 帶广如圖3Η中所示。圖31展示藉由一單粒化製程而將個 別感測器封裝職此分離。單粒化製程係眾所周知的且可 包含用-鑛或-雷射進行切割。可經由研磨或其他方法移 除過量模製化合物2 6以便曝露料指形件丨8之外表面。 如上文所闡述’本發明允許封裝—壓力感測晶粒以保護 »亥日曰粒不因環境影響而受到任何損壞且不需要金屬罩來覆 蓋該晶粒。將該壓力感測晶粒附著至一引線框架且經由該 引線框架之一底側而將一凝膠材料施配至該晶粒與該引線 框架之間的一空隙中。隨後，使該凝膠材料固化且隨後用 模製材料來囊封該晶粒及該引線框架。因此，本發明提 供一種封裝一壓力感測晶粒（其實質上係薄的）之方法且不 ft要一金屬罩來覆蓋該晶粒，藉此減小用於此等封裝之製 造成本。使用上文所闡述之製程封裝之壓力感測晶粒因其 面向下而受到保護。該凝膠材料進一步保護該壓力感測晶 粒之隔膜不受損壞。 現在為止，應瞭解已提供一種經改良壓力感測器封裝及 159217.doc 201229479 -種形成該經改良半導體封裝 全面理解不需由於對本發明之— 鮮不需要知曉電路細節，因 節。本文中關於特定营 不。荨電路細 問題之解二=所閣述之任何益處、優點或對 w之解决方案皆非意欲被解釋為任何或 圍之一_、必需或基本特徵或元素/ 明專利範 【圖式簡單說明】 圖1Α係對根據本發明一 少貝實施例之一壓力感測器封裳 之一剖面側視圖的一圖解說明； 衣 圖1Β係對根據本發明之一 g + 項貫施例之一雙邊扁平盔引綠 (DFN)感測器封裝之一仰視 Ή7祝。】面圖的一圖解說明； 圖係對根據本發明之一項實施例之一堆疊式晶粒壓力 感測器封裝之一剖面側才見圖的一圖解說明，· 圖2Β係對具有圖2Α之堆疊式晶粒組態之—個四邊扁平 無引線（QFN)感測器封裝之—剖面仰視圖的—圖解說明； 圖3Α圖解說明將一壓力感測晶粒電耦合至一引線框架之 一步驟； 圖3Β圖解說明使用於將圖3Α之壓力感測晶粒電耦合至 引線框架之導電凸塊回流之—步驟； 圖3C圖解說明將圖3Β之引線框架及壓力感測晶粒倒置 以為一凝膠施配步驟做準備之一步驟； 圖3D圖解說明透過引線框架之一底側表面施配一凝膠材 料以填充壓力感測晶粒與引線框架之間的一空隙之一步 圖3Ε圖解說明使圖3D中之施配於空隙中之凝膠材料固 159217.doc -12- 201229479 化之一步驟； 圖3F圖解說明在用一模製化合物囊封壓力感測晶粒及引 線框架之前用一覆蓋材料覆蓋引線框架之一表面； 圖3G圖解說明囊封壓力感測晶粒及引線框架之一步驟； 圖3H圖解說明自來自圖3G之經囊封封裝的引線框架之 表面移除覆蓋材料之一步驟；及 圖31圖解說明藉由一單粒化製程而將圖3H之個別感測器 封裝彼此分離之一步驟。 【主要元件符號說明】 1〇 壓力感測器封裝 12 引線框架 14 空隙 16 壓力感測晶粒 18 引線指形件 20 導電凸塊 22 底側/主表面 24 内部填充材料/凝膠材料 26 囊封材料/模製化合物 3〇 雙邊扁平無引線（DFN)感測器封裝 32 引線指形件 40 堆疊式壓力感測器封襄 42 第二晶粒/特殊應用積體電路（ASIC) 44 頂表面 46 接合線 159217.doc ,, 201229479 50 四邊扁平無引線（QFN)感測器封裝 52 底表面 60 膠帶/表面 62 底侧表面 64 凝膠施配器件 66 覆蓋材料 159217.doc -14-

Claims (1)

  1. 201229479 七、申請專利範圍： 1. 一種壓力感測器封裝，其包括. -引線框架，其具有—居中定位之空隙； 壓力感測日曰粒’其電耦合至該引線框架，其中該空 隙係位於該引線框架與該壓力感測晶粒之間； -内部填充材料’其安置於該引線框架與該壓力感測 晶粒之間的該空隙内；及 囊封材料’其至少冑分地環繞該壓力感測晶粒及該 引線框架。 2.如請求項丨之壓力感測器封裝，其中： 該囊封材料包括一環氧樹脂模製化合物； "亥壓力感測器封裝包括—扁平無引線型封裝；且 該内部填充材料包括一基於矽之凝膠。 3·如請求項丨之壓力感測器封裝，其中該壓力感測晶粒包 括一壓阻傳感器（PRT)晶粒。 。月求項3之壓力感測器封裝_，其進一步包括安置於該 PRT晶粒之一頂表面上且電耦合至該引線框架之一第二 晶粒。 5，如請求項4之壓力感測器封裝，其中該第二晶粒經由接 合線而耦合至該引線框架。 6.如明求項1之壓力感測器封裝，其t該壓力感測晶粒藉 助複數個導電凸塊而耦合至該引線框架。 7 _如6青求項1之壓力感測器封裝，其中該引線框架包含提 供該弓丨線框架與該晶粒之間的電連接之複數個各別弓丨線 159217.doc 201229479 札形件，且該等引線指形件中之各別引線指形件係毗鄰 於該壓力感測晶粒之至少兩個相對側而安置。 8. 9. 10. 长項7之壓力感測器封裝其中該複數個各別引線 指形件係毗鄰於該壓力感測晶粒之四個側中之每一者而 安置。 一種壓力感測器封裝，其包括： 引線框架，其具有複數個引線指形件； -屢阻傳感器（PRT)晶粒，其電輕合至該引線框架之 該等引線指形件之一第一 έ 盆 卞< 弟組，其中一空隙係位於該引線 框架與該至少一個晶粒之間； —特殊應用積體電路晶粒，❹合㈣引線框架之該 複數個引線指形件之一第二組； —凝膠材料’其安置於該引線框架與該PRT晶粒之間 的該空隙内；及 囊封材料’其貫質上環繞該至少一個晶粒及該引線 框架。 ’ 一種組裝一壓力感測器封裝之方法，其包括： 提供具有安置成至少兩個相對列之複數個引線指形件 之一引線框架； 將一壓力感測晶粒附著至該引線框架之一第一表面， 其中在該晶粒與該引線框架之該等引線指形件列之間形 成一空隙； 在將該壓力感測晶粒附著至該引線框架之前，用一第 覆蓋物覆蓋與s亥壓力感測晶粒相對的該引線框架之— 159217.doc 201229479 第一表面； 將該壓力感測晶粒之接合墊電耦合至該引線框架之該 複數個引線指形件中之各別引線指形件； 移除該第一覆蓋物； 將該引線框架及該壓力感測晶粒倒置； 將一凝膠材料施配至該空隙中以使得該凝膠材料實質 上填充該空隙且覆蓋該壓力感測晶粒之一作用表面； 使該凝膠材料固化； 用一膠帶覆蓋與該引線框架第一表面相對的該引線框 架之一第二表面； 用一模製化合物囊封該壓力感測晶粒及該引線框架， 其中該模製化合物覆蓋該壓力感測晶粒、該壓力感測晶 粒與該引線框架之間的電連接及該引線框架，惟該引線 框架之該等引線指形件之一第二表面除外，該第二表面 經曝露以允許至該壓力感測晶粒之外部電連接； 移除該膠帶，其中在移除該膠帶之後曝露該引線框架 之§亥第二表面之至少一部分。 159217.doc
TW100138147A 2010-12-06 2011-10-20 壓力感測器及其組裝方法 TWI540315B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/960,571 US8378435B2 (en) 2010-12-06 2010-12-06 Pressure sensor and method of assembling same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201229479A true TW201229479A (en) 2012-07-16
TWI540315B TWI540315B (zh) 2016-07-01

Family

ID=46151945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100138147A TWI540315B (zh) 2010-12-06 2011-10-20 壓力感測器及其組裝方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8378435B2 (zh)
CN (1) CN102486425B (zh)
TW (1) TWI540315B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011112935B4 (de) * 2011-09-13 2015-02-12 Micronas Gmbh Kraftsensor
CN103054590A (zh) * 2012-12-26 2013-04-24 南昌大学 一种脚型和压力检测地垫装置
US9040335B2 (en) * 2013-09-17 2015-05-26 Freescale Semiconductor, Inc. Side vented pressure sensor device
US9214402B2 (en) 2014-01-10 2015-12-15 Freescale Semiconductor, Inc. Pressure sensor device with gel retainer
US9190339B2 (en) 2014-02-03 2015-11-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method of limiting capillary action of gel material during assembly of pressure sensor
US9297713B2 (en) 2014-03-19 2016-03-29 Freescale Semiconductor,Inc. Pressure sensor device with through silicon via
US9476788B2 (en) 2014-04-22 2016-10-25 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor with gel filled cavity
US9362479B2 (en) 2014-07-22 2016-06-07 Freescale Semiconductor, Inc. Package-in-package semiconductor sensor device
TWI594341B (zh) 2015-01-19 2017-08-01 神盾股份有限公司 指紋辨識裝置封裝及其製造方法
DE102015226642A1 (de) * 2015-12-23 2017-06-29 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Erfassung eines Drucks eines fluiden Mediums
CN107290096A (zh) * 2016-04-11 2017-10-24 飞思卡尔半导体公司 具有膜片的压力感测集成电路器件
CN107527874B (zh) 2016-06-20 2023-08-01 恩智浦美国有限公司 腔式压力传感器器件
US10190925B2 (en) * 2016-07-18 2019-01-29 Honeywell International Inc. Low cost overmolded leadframe force sensor with multiple mounting positions
US10359324B2 (en) * 2016-08-18 2019-07-23 General Electric Company Non-contact magnetostrictive sensors and methods of operation of such sensors
WO2018125185A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Intel Corporation Packaging for ultrasonic transducers
US10684184B2 (en) * 2017-04-20 2020-06-16 Honeywell International Inc. Pressure sensor assembly having a cavity filled with gel or fluid
US10163660B2 (en) 2017-05-08 2018-12-25 Tt Electronics Plc Sensor device with media channel between substrates
US10285275B2 (en) 2017-05-25 2019-05-07 Tt Electronics Plc Sensor device having printed circuit board substrate with built-in media channel

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5524423A (en) 1978-08-10 1980-02-21 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor pressure sensor
JPH0797649B2 (ja) * 1990-03-07 1995-10-18 三菱電機株式会社 半導体圧力センサ装置およびその製造方法
JP3149678B2 (ja) * 1994-04-27 2001-03-26 富士電機株式会社 半導体圧力センサ
JPH0875580A (ja) 1994-09-06 1996-03-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
EP0702221A3 (en) 1994-09-14 1997-05-21 Delco Electronics Corp Sensor integrated on a chip
US5831170A (en) 1996-04-04 1998-11-03 Ssi Technologies, Inc. Pressure sensor package and method of making the same
EP0800070B1 (en) 1996-04-04 2001-08-22 Ssi Technologies, Inc. Pressure sensor package and method of making the same
US5874679A (en) 1996-04-04 1999-02-23 Ssi Technologies, Inc. Pressure sensor package and method of making the same
US5692637A (en) 1996-05-10 1997-12-02 Delco Electronics Corporation Vent cap for electronic package
CN1223720A (zh) * 1996-06-28 1999-07-21 西门子公司 在印刷电路板插接表面上装配用的压力传感器装置
JPH10104101A (ja) * 1996-10-02 1998-04-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
JPH10335374A (ja) 1997-06-04 1998-12-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置モジュール
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
US6401545B1 (en) 2000-01-25 2002-06-11 Motorola, Inc. Micro electro-mechanical system sensor with selective encapsulation and method therefor
US20040016995A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 Kuo Shun Meen MEMS control chip integration
US6822326B2 (en) * 2002-09-25 2004-11-23 Ziptronix Wafer bonding hermetic encapsulation
US6900531B2 (en) 2002-10-25 2005-05-31 Freescale Semiconductor, Inc. Image sensor device
US7014888B2 (en) 2002-12-23 2006-03-21 Freescale Semiconductor, Inc. Method and structure for fabricating sensors with a sacrificial gel dome
US20050236644A1 (en) 2004-04-27 2005-10-27 Greg Getten Sensor packages and methods of making the same
TWI285415B (en) 2005-08-01 2007-08-11 Advanced Semiconductor Eng Package structure having recession portion on the surface thereof and method of making the same
WO2007083748A1 (ja) 2006-01-19 2007-07-26 Fujikura Ltd. 圧力センサパッケージ及び電子部品
US7632698B2 (en) 2006-05-16 2009-12-15 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit encapsulation and method therefor
JP2008101917A (ja) 2006-10-17 2008-05-01 Alps Electric Co Ltd 圧力センサのパッケージ
WO2009143676A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Hong Kong Applied Science & Technology Research Institute Co., Ltd Multi-chip package
US7673519B1 (en) 2008-08-29 2010-03-09 Freescale Semiconductor, Inc. Pressure sensor featuring offset cancellation and method of making
US7886609B2 (en) 2009-05-06 2011-02-15 Freescale Semiconductor, Inc. Pressure sensor package

Also Published As

Publication number Publication date
TWI540315B (zh) 2016-07-01
US20120139063A1 (en) 2012-06-07
CN102486425B (zh) 2016-03-16
CN102486425A (zh) 2012-06-06
US8378435B2 (en) 2013-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI540315B (zh) 壓力感測器及其組裝方法
US8802474B1 (en) Pressure sensor and method of packaging same
US8836101B2 (en) Multi-chip semiconductor packages and assembly thereof
US6818980B1 (en) Stacked semiconductor package and method of manufacturing the same
US20120139067A1 (en) Pressure sensor and method of packaging same
WO2018113356A1 (zh) 芯片封装结构及其制造方法
US20040061202A1 (en) Leadframe for die stacking applications and related die stacking concepts
US20170110416A1 (en) Chip package having a protection piece compliantly attached on a chip sensing surface
US20080105941A1 (en) Sensor-type semiconductor package and fabrication
US20090256222A1 (en) Packaging method of image sensing device
US20090051019A1 (en) Multi-chip module package
US9362479B2 (en) Package-in-package semiconductor sensor device
US11302675B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10217698B2 (en) Die attachment for packaged semiconductor device
US7642638B2 (en) Inverted lead frame in substrate
EP3647755A1 (en) Sensor device with flip-chip die and interposer
CN107527874B (zh) 腔式压力传感器器件
US20110059579A1 (en) Method of forming tape ball grid array package
EP1627430B1 (en) An integrated circuit package employing a flexible substrate
TWI663692B (zh) Pressure sensor package structure
KR101686349B1 (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
KR100455698B1 (ko) 칩 싸이즈 패키지 및 그 제조 방법
KR101096441B1 (ko) 박형 패키지 및 이를 이용한 멀티 패키지
JP2008124160A (ja) 半導体装置、その製造方法、およびそれを搭載したカメラモジュール
KR100488489B1 (ko) 칩 싸이즈 패키지 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees