TW201229010A

TW201229010A - Electroactive materials

Info

Publication number: TW201229010A
Application number: TW100145524A
Authority: TW
Inventors: Wei-Ying Gao; Norman Herron; Mark A Guidry
Original assignee: Du Pont
Priority date: 2010-12-13
Filing date: 2011-12-09
Publication date: 2012-07-16
Also published as: JP6110307B2; US20130240865A1; WO2012082743A1; US9276217B2; EP2652084A1; EP2652084B1; JP2014511340A; KR101545418B1; KR20140045304A

Description

201229010 六、發明說明：【相關申請案資料】本專利申請案依據35 U.S.C. § 119(e)主張於2010 年12月13日申請之臨時專利申請案第61/422,267號之 5 優先權，其以引用方式完整併入本說明書中。【發明所屬之技術領域】本發明大致上係關於電活性材料及其合成法。 10 15 20 【朱前技術】發光之有機電子裝置’例如構成顯示器之發光二極體，存在於許多不同類型之電子設備中。在所有此類裝置中，一有機活性層係夾置於兩電接觸層之間。該等電接觸層中之至少一者為可透光的，以致於光可通過該電接觸層。一旦施加電力通過該兩電接觸層，該有機活性層即會發射光線，穿過該具光穿透性的電接觸層。眾所皆知，有機電致發光化合物用以做為發光二極 f中的活性組分。已知簡單的有機分子，如f "塞二味何生物及香豆素衍生物可顯示電致發光。在一些情況 ^這些小分子材料係作為_主體材料中的摻雜劑/ 改進製程及/或電子性質。 ’特別是發藍對於新穎之電活性材肖仍持續有需求光的發光化合物。 25 【發明内容】本發明提供-種具式I之電活性材料 201229010 式I 其中：及A**3為相同或不同且為芳基團；母-欠出現時為相同或不同且為D、烷基或芳基； “系0至4的整數； $ 1、匕合物具有一深於~2·3 eV的LUM0能階及一至少2.9 eV的能帶間隙。 j明還提供—種有機電子裝置，包括—第一電接二一二電接點及一介於其間的光活性層，該光活性 a C括上述之電活性材料。 15 (R1)a

Ar2 / N \r3 (R1)a 月）述般性描述及以下詳細描述僅為例示性及說明性的’且不限制如隨附Φ請專利範圍所定義之本發明。【實施方式】上述所描述的各種態樣與實施例僅為例示性且非限制性。在閱讀本說明書後，熟習此項技術者瞭解在不偏離本發明之範疇下，亦可能有其他態樣與實施例。 201229010 根據下述之詳細說明與申請專利範圍，易使該等實施例中之一個或多個實施例的其他特徵及益處更加彰顯。本實施方式先提出術語的定義和闡明，接著是電活性材料、合成法、裝置，而最終為實例。 5 1. 術語的定義和闡明在提出下述實施例之細節前，先定義或闡明一些術語。術語「烷氧基」係意指一具有式OR的基團，其經 ίο 由氧附接，其中R係烷基。術語「烷基」係意指一衍生自脂肪族烴的基團且包括一直鏈、一支鏈或一環狀基團。在某些實施例中，烧基具有1至20個碳原子。術語「芳族化合物」意指一有機化合物，其包含至 15 少一個具有非定域pi(7〇電子之不飽和環狀基。術語「芳基」係意指一衍生自一具有一個附接點之芳族烴的基團。該術語包括具有一單環的基團，與具有藉由一單鍵或稠合在一起而結合之多環的基團。該術語係意指包括雜芳基。術語「伸芳基」係意指一衍生自具 20 有兩個附接點之芳族烴的基團。在某些實施例中，一芳基基團具有3-60個碳原子。術語「芳氧基」係意指一具有式〇Ar的基團，其經由氧附接，其中Ar係芳基。術語「聯萘基」係意指一基團其具有兩個以單鍵連 25 結之蔡单元。在某些實施例中，該聯奈基係1，1 -聯奈基，其附接在3-、4-或5-位置上；在某些實施例中係 201229010 1，2-聯奈基’其附接在1-蔡基部分的3-、4-或5-位置上’ • 或在2-萘基部分的4-或5-位置上；且在某些實施例中 “ 係2,2-聯萘基，其附接在4-或5-位置上。 ' 術語「聯苯」係意指一基團具有兩個以單鍵連結之 5 苯基單元。該基團可附接在2-、3-或4-位置。術語「D卡嗤基」係指取代基

10 其中R係D、烷基或芳基，而星號[*]代表附接的點。當術語「電荷傳輸」指一層、材料、構件或結構時，術語「電荷傳輸」係為了表示該層、材料、構件或結構有助於電荷以相對效率及小電荷損失穿過該層、材料、構件或結構的厚度來遷移。電洞傳輸材料有助於傳輸正 15 電荷；電子傳輸材料有助於傳輸負電荷。雖然發光材料亦可以具有某些電荷傳輸特性，但是術語「電荷傳輸層、材料、構件或結構」沒有意欲包括其主要功能為發光之層、材料、構件或結構。術語「氘化」係意指至少一個Η已被D所取代。 20 術語「氘化類似物」係指其中一或多個可用氫已被氘取代之化合物或基團的結構類似物。在一氘化化合物或氘 201229010 ^類似物中，所存在的氖比天然豐度含量多出至少ι〇〇内的、，摻雜劑」係意指位於包含一主體材料之一層發射與不存有此種材料之層的電子特性或“ 伐收或濾波之波長相比，該材料改變該声 2輻射發射、接收或濾波的目標波長。s 活性虽術語「電活性」係指一層或材料時，該術語「電意指電性上有助於該裝置之操作的一層 =性材料之實例包括但稀於可傳導、注人傳卞 C’其中該電荷可為一電子或電洞，或可於射時展現電子電洞對濃度改變或發射_射之松 π。非活性材料之實例包括但不侷限於平坦化緣材料及環境隔絕材料。 …絶 15 當術語「供電子」係指一取代基時，其意指〜捣芳香環電子密度的基團。曰力σ 當術語「拉電子」係指一取代基時，其意指〜芳香環電子密度的基團。. ，少字首「雜」表示一或多個碳原子經不同原子置在某些實施例中，不同原子係Ν、〇或s。、。術語「主體材料」係意指一種材料，其通常以〜的形式存在，且可添加一摻雜劑於其中。該主體材料^ 具有或不具有電子特性或發射、接收或濾波輻射的萨術語「發光材料」及「發射體」係意指一種以施如電壓而活化時會發光（例如在一發光二極體或發光電化學電池中）的材料。術語「藍光發光材料」係意指〜種 25 201229010 材料’其能發出在約400至500 nm的波長範圍内具有 . 一放射最大值的輻射。在某些實施例中，藍光具有χ二 . 0·1-0·2及y = 0.01-0.3的色座標，其係根據C.I.E.色度標度（Commision Internationale de L'Eclairage，1931)。 5 術語「層」可與「膜」交換使用，其指一覆蓋一所欲區域之塗層。該術語不受尺寸限制。該區域可與—整個裝置樣大或與一特定功能區域（例如，實際視覺顯示）一樣小，或者與一單次像素一樣小。可藉由任何習知沈積技術，包括氣相沈積、液相沈積(連續及不連續 10 技術)及熱傳遞，形成層及膜。連續式沉積技術包括但不限於旋轉塗佈、凹版塗佈、淋幕式塗佈、浸塗、狹縫式塗佈、喷塗及連續式噴嘴塗佈或印刷。不連續的沈積技術包括但不限於喷墨印刷、凹版印刷及網版印刷。術語「有機電子裝置」或有時候僅為「電子裝置」 U 係意指一包括一或多個有機半導體層或半導體材料^ 裝置。術语「光活性」係指一種施加電壓而活化時可發光 (例如在-發光二極體或化學電池中）或於有或無施加偏壓的情況下可反應H射能並產生信號（例如在一光偵 20 測器或一光伏電池中）的材料或層。術石夕氧燒」係指基團H〇_，其中r係Η、d、 C1-20燒基、氟絲或芳基。在某些實施例中，在一 r 烧基中之一個或以上之碳係經石夕所置換。術語「矽烷基」指基團，其中尺係h、d、

25 C1_2G絲、紐基或芳基。在某些實施射，在一 R 烷基中之一個或以上之碳係經矽所置換。 201229010 所有基團可為未經取代或經取代。在某些實施例中，該取代基係選自於由齒化物、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、石夕基、碎氧烧及氰基所組成之群組。該等能階乃繪示於圖1A-1C中。術語「HOMO」係指最高佔用分子執域。如圖1A所述，相對於真空能階

(vacuum level)來測量HOMO能階。照慣例，該HOMO 係給定為一負值，亦即，將真空能階設定為零及束縛電子能階係深於此值。術語「LUMO」係指最低未佔用分子執域。如圖1A所述，相對於真空能階來測量LUM〇 10 15 20 25 月b階（以eV為皁位）。照慣例’該lum〇係給定為一負值，亦即，將真空能階設定為零及束缚電子能階係深於此值。「淺於」係指能階接近於真空能階。上述係描述於圖1B中，其中HOMOB係淺於H0M0A。「深於」係指能階遠離真空能階。上述係描述於圖1B中，其中 LUMO B係深於LUM0 A。術語「能帶間隙」係指二材料的HOMO及LUM0能階之間在能量上的差異，如圖 1C所示。該能帶間隙係以一 eV正數作記錄。、如本文中所用者，術語「包含」、「包括」、「具或其任何其它㈣均旨在涵蓋非難性的包I舉例^ 言，包括一系列要素的製程、方法、製品或裴置不一僅限於該些要素，而是可包括未明確列出或該製程法、製品或裝置所固有的其他要素。此外的明確說明，「或」是指包含_ 4，/非有相反性的「卞m 丄的或」而不是指排他 =或」。例如，可由下列之任一者滿足條件八或^. 成立(或存在)且B不成立(或不存在）、A不成立(或不 201229010 存在）且B成立（或存在）以及A和B兩者皆成立（或存在）。又，使用「一」或「一個」來描述本文所述的元件和組分。此舉僅僅是為了方便，以及對本發明的範圍提供一般性的意義。這種描述應被理解為包括一個或至少個，並且5玄单數也同時包括複數，除非很明顯地另指他意。 10 15 20 對應於元素週期表中各欄的族編號使用見於CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition (2000-2001)中的「新符號」慣例e 除非另加說明，否則在本文採用的所有技術以及科學名詞的含意’皆與熟習此項技術者所普遍認知者相同。儘管類似或同等於本文所述内容之方法或材料可用於本發明之實施例的實施或測試，但合適的方法與材料仍如下所述。除非引用特定段落，否則本文提及的所有出版物、專利申請案、專利以及其他參考文獻均以引用全文方式，併入本說明書》在發生矛盾的情況下，以本說明書為準，包括定義在内《此外，該等材料、方法及實例僅係說明性質，而沒有意欲做限制拘束。在本文未描述之範圍内，許多關於特定材料、加工行為(processing act)及電路的細節係習知的，且可在有機發光二極體顯示器、光偵測器、光伏打及半導性構件技術領域的教科書及其他來源中找到。 2. 電活性材料

本文所述之新穎電活性材料具式I 25 · 201229010 式I 其中：

Ar1、Ar2及Ar3為相同或不同且為芳基團； R1在每次出現時為相同或不同且為D、烷基或芳基； a係0至4的整數； 10 且其中該化合物具有一深於—2.3 eV的LUMO能階及一至少2.9 eV的能帶間隙。在某些實施例中，該等具式I或式π之化合物係可用作電子捕捉材料。已將電子捕捉材料添加至標準藍光發光系統以試圖減少藍色次像素堆疊中的電子流。這些材料具有處於深處且能限制負電荷且延遲電子流通過 15 (R1)a Ar1

Ar2 / N \r3 該堆疊的LUMQ位置。皱得其電荷平师到校準狀態並大大地改善該裝置的壽命。然而，前述這類材料（例如C60)全都因藍光激子㈣烈淬料致量子效率下降而令人無法接受。—理想的材料需具有與-寬能隙（激子此里致使挪料不會淬熄藍光光匹配的深⑶體 (強電子陷阱）。 20 201229010 在某些實施例中，該等具式i或式I〗之化合物具有一深於-2.4 eV的LUMO能階；在某些實施例中，深於-2.5 eV。在某些實施例中，該等具式ί或式π之化合物具有一至少3.0 eV的能帶間隙；在某些實施例中，至少3.1 eV。在某些實施例中，該等具式I或式II之化合物係可用作發光材料。在某些實施例中’該等化合物為藍光發光材料。其可單獨使用或將其用作主體材料中的換雜劑。在某些實施例中’該具式I之化合物係經氘化。在某些實施例中’該化合物係至少10〇/〇氘化。「％氣化」或「％氘化作用」係指氘核對於氳加氘核總數的比例，以百分比表示。鼠可在相同或不同的基團上。在某此實施例中，該化合物係至少20%氘化；在某些實施例中，該化合物係至少30%氘化；在某些實施例中，該化合物係至少40%氘化；在某些實施例中，該化合物係至少 50%氘化；在某些實施例中，該化合物係至少6〇0/〇氘化；在某些實施例中，該化合物係至少70%氘化；在某些實施例中，該化合物係至少80%氘化；在某些實施例中’該化合物係至少90%氖化；在某些實施例中，該化合物係100%氘化。在某些實施例中，Ar1為苯基、聯苯基、萘基、聯萘基、苯基萘基、萘基苯基、其經取代之衍生物或其經氘化之類似物。在某些實施例中，該取代衍生物具有一取代基’其係選自於由D、烷基、芳基、其經氘化之類似物及其組合所組成之群組。Ar1並非以一胺基團取代。 201229010 在某些實施例中’ Ar2及Ar3為苯基、聯苯基、萘基、聯奈基、本基奈基、蔡基苯基、味嗤基苯基、二芳基胺基苯基、其經取代之衍生物或其經沉化之類似物，其中至少有一取代基為拉電子基團（“EWG”）。在某些實施例中，該EWG為氟基、氰基、硝基、_s〇2R (其中R 為烷基或全氟烷基）或其經氘化之類似物。

在某些實施例中，該式I化合物可進一步以式II 描述 (R1)a

其中：

Ar1為芳基團； R1在每次出現時為相同或不同且為D、烷基或芳基； R2為一拉電子基團； R3為Η、D、咔唑基、二芳基胺基、一拉電子基團或其經氘化之類似物 R4在每次出現時為相同或不同且為D、烷基、烷氧基、矽基、矽氧烷、一拉電子基團或其經氘化之類似物；

S 14 201229010 R5在每次出現時為相同或不同且為D、烷基、烷氧基、矽基、矽氧烷、一拉電子基團或其經氘化之類似物； a係0至4的整數； 5 b係0至4的整數； c係1至5的整數； d係0至4的整數，致使c + d £ 5 ;及 e係0至4的整數。該式II化合物具有一深於-2.3 eV的LUMO能階及 ίο 一至少2.9 eV的能帶間隙。在某些式II實施例中，Ar1為苯基、聯苯基、萘基、聯萘基、苯基萘基、萘基苯基、其經取代之衍生物或其經氘化之類似物。在某些實施例中，該取代衍生物具有一取代基，其係選自於由D、烷基、芳基、其經氘化之 15 類似物及其組合所組成之群組。Ar1並非以一胺基取代。在某些式II實施例中，R1 = D且a及b兩者均大於 0。在某些實施例中，R1 = D且a = b = 4。在某些實施例中，a = b = 0。在某些式II實施例中，R2為氰基、硝基或-S02R， 20 其中R為烧基。在某些式II實施例中，R3為咔唑基、二苯基胺基或其經氘化之類似物。在某些式II實施例中，d>0且R4為一 EWG。在某些實施例中，R4係氰基、硝基或-S02R，其中R為烷 25 基。在某些實施例中，d = 0。在某些式II實施例中，e = 0。 201229010 在某些式II實施例中，d = 1且R2 = r4 = cn。 1在某些式II實施例中，可以有下述的任何組合：⑴ Ar為苯基、聯苯基、萘基、聯萘基、苯基萘基、萘基苯严、其經取代之衍生物或其經気化之類似物，ϋ 5 Ar1不具一胺基取代基；（ii)Rl = Daa及b兩者均^於 \ (叫R2為氰基、硝基或-SO#，其中R為烷基；（iv) R為咔唑基、二苯基胺基或其經氘化之類似物；（v)d> 0且R4為一 EWG ;及(vi) e = 0。在某些實施例中，r4 為氰基、硝基或-S02R，其中R為烷基。 10 在某些式Η實施例中’ d = 0且可以有下述的任何組合：（i)Ar1為苯基、聯苯基、萘基、聯萘基、苯基萘基、奈基苯基、其經取代之衍生物或其經氘化之類似物’其中Ar1不具一胺基取代基；（ii) Ri = d且a及b 兩者均大於0 ; (iii) R2為氰基、硝基或一S〇2R，其中R 15 為烷基；（iv)R3為咔唑基、二苯基胺基或其經氘化之類似物；（v) d > 0 且 R4 為一 EWG ;及(vi) e = 0。具式I或式II之電活性材料實例包括但不限於，下文所示之化合物B1至B11。計算所列之LUMO及能帶間隙值。在Gaussian 03套裝程式内以密度泛函理論 2〇 (DFT)方法執行所有的計算。（Gaussian 03, revision D.01;

Gaussian, Inc., Wallingford, CT, 2004)。在 BP86/6-31G+IrMWB60等級下先最佳化該等分子結構，然後在同等級的計算下將其用於隨後分析振動頻率的計算上以確保這些結構確實為平衡結構。對於激發態 25 的計算，先前的經驗已顯示在B3LYP/6-31G+IrMWB60 等级下隨時間變化的DFT (TDDFT)於計算首七個單重 201229010 態及三重態的能量轉移上是令人滿意的。為獲得此等分子的 HOMO 及 LUMO 值，使用 B3LYP/6-31+G(d)+IrMWB60 等級。

5 化合物 Bl: LUMO = -2.45 eV ;能帶間隙=3.13 eV

NC

化合物 B2: LUMO = -2.52 eV ;能帶間隙=3.12 eV

17 201229010

化合物 B3: LUMO = _2.64eV ;能帶間隙=3.11 eV

NC

化合物B4

18 s 201229010 化合物B5

NC

5 化合物B6

19 201229010 化合物B7

化合物B8

20 3 201229010 化合物B9

5 化合物 BIO: LUMO =-2.54 eV ;能帶間隙=2.99 eV

21 201229010 化合物611:1^河0 = _2.68 6乂；能帶間隙=3.18 6¥

3.合成法本文所述之電活性材料通常係根據下述作法製備：

ίο 當R3 = R5時，第一步涉及利用Friedel Crafts化學理論以適合的醇（例如t-丁醇、1-金剛醇或1-甲基環己醇）烧化蒽。該反應可在一溶劑中完成（例如純的三氣醋酸），通常伴隨加熱，接著進行分離及層析純化。對某些化合物而言，該經取代的蒽係市場上可購得的，例 15 如2-t-丁基蒽。接著可將該經取代的蒽單溴化，例如使用溶於CC14 中的N-溴丁二醯胺。.

22 201229010 ^後在—使用ίΜ催化劑的Suzuki類型反應中使兮溴化產$與適合的芳基硼酸反應。 °" 接著在CC〗4中用Br2使該產物再一次溴化。然後用一 pd催化劑使該溴化產物與適合的胺反應°亥胺3本身也可藉由經Pd催化之胺化作用製備。一，R R 院氧基團的情況下，該經取代之蒽中間體可藉由2,6_二經基蒽醒的ϋ化，接著以氫化物還原法製備。、 4.裝置性;^斜Μ 2具有—層或多層包括本文中所述之電活鉍、壯機電子裝置包括但不限於（1)將電能轉換為輻射的裝置（你Un_欲、卜^ 科佚馬 15 20 發光一極體、發光二極體顯示器、二二/明^具或二極體雷射）、（2)通過電子學方光杵m裝置(例如光偵測器、光導電池、光阻器、器)、(3)將輕射轉換為雷上vr _似物感測太陽能電池置（例如—光伏震置或體声之雷早_Μ ^ 或夕個包含一或多個有機半導曰圖2 的裝置（例如-電晶體或二極體）。一電接觸i機之—例示。裝置刚具有-第接陽極。鄰i該電tr介於其間。電洞注人層120鄰電洞傳輸層包括電洞傳=為;電洞二專輸層13〇,該傳輸層⑼，其包含接該陰極者可為電子置可使用-個二ΐ傳輪材料。作為—種選擇，裝或以上鄰接該陽极11G之額外的電洞注入 23 25 201229010 T洞傳輸層（未顯示)’與/或-個或以上緊鄰該陰極 60之額外的電子注入或電子傳輸層（未顯示）。層120至層丨50個別地及統稱為活性層。一在某些實施例中，將該光活性層像素如圖3所 5 示在裝置200中，將層劃分成在該層上方重複的 =或次像素單元⑷、142及143。每一像素或次像素二兀代表一種不同的顏色。在某些實施例中，該次像素單元係用於紅色、綠色及藍色。雖然在圖中顯示三個次像素單元，但可使用兩個或三個以上。 10 在一實施例中，不同的層具有下列厚度範圍：陽極 110 ’ 500至5〇〇〇 A ’在一實施例中1〇〇〇至2〇〇〇 A ;電洞注入層120,50至2000 A，在一實施例中200至1000 入；電洞傳輸層120，50至2000人，在一實施例中200 至1〇〇〇 A ;光活性層130，10至2000 A，在一實施例 15 中100至1000 A ;層140，50至2000 A，在一實施例中 100 至 1000 A ;陰極 150，200 至 10000 A，在一實施例中300至5000 A。於裝置中，電子-電洞再結合區的位置及裝置的發光光譜可受到各層相對厚度之影響。層厚度的期望比率將會取決於所用之材料的確切性 20 質。在某些實施例中，該具式I或式II之化合物可作為光活性層140中發射藍光的發光材料。在一主體材料中’可單獨使用它們或將其用作一摻雜劑。在某些實施例中，該具式I或式II之化合物可作為 25 光活性層140中的電子捕捉材料。

S 24 201229010 a. 光活性層作為S某些實施例中’該光活性層包括一主體材料及一施例二雜劑之具式1或式11之光活性化合物。在某些實光活彳可存在一第二主體材料◊在某些實施例中，該戋生層主要是由一主體材料及一作為摻雜劑之具式I 11之電活性化合物所組成。在某些實施例中，該光主要是由—第—主體材料、—第二主體材料及一摻雜之具式1或式Π之電活性化合物所組成。該 =雜，對總主體材料的重量比係在5:95至7():3()的範圍 ’在某些實施例中，係90:10至80:20。物^些實施例中’該光活性層包括一藍光發光化合 ^體材料及-作為電子捕捉材料之具式ι或式π 化合物。在某些實施财，該総性層主要是 15 料之光化合物、一主體材料及-作為電子捕捉材不地Γ ί 式11之化合物所組成。該式1或式11之電捕捉材料以該層總重量計可存在MGWt%4某些實施例中，為2-5 wt0/〇。、一入此在某些實補+ ’該域n缩合之環狀芳族化合物。在某些實施例中，該主體為一蒽衍生化合物。在某些實施例中，該化合物具有式：

An - L- An 其中：

An為一蒽部分(moiety); 25 25 201229010 L為一二價連接基團。在此式之某些實施例中，L 為一單鍵、-0---S---N(R)-或一芳族基團。在某些實施例中，An為一單-或二苯基蒽基部分。在某些實施例中，該主體具有式：

A - An - A 其中： ίο An 為一蒽部分(moiety); A為芳族基團。在某些實施例中，該主體係一二芳基蒽。在某些實施例中，該化合物為對稱，而在某些實施例中，該化合物為非對稱。 15 在某些實施例中，該主體具有式：

其中： 20 A1及A2在每次出現時為相同或不同且係選自於由 Η、一芳族基團及一烯基團所組成之群組，或者A可代表一個或多個稠合芳族環；

S 26 201229010 p與q為相同或不同且為一由1-3之整數。在某些實施例中，該蒽衍生物為非對稱。在某些實施例中’ p =2且q =卜在某些實施例中A1與a2中之至乂、者為一萘基基團。在某些實施例中，該主體係選自於由

10 H2

15 其經氘化之衍生物及其組合所組成之群組。其他藍光發光材料的實例包括但不限於二芳基蒽、一胺基【#快】、二胺基祐及聚苐聚合物。已於例如美國專利案第6,875,524號和已公開之美國專利申請案2〇〇7_〇292713及2〇〇7_〇〇63638中揭示藍色發光特科 27 201229010 b· 其它裝置層在該裝置中之其它層可以由用於這樣的層之任何已知材料所製成。 5 該陽極110係一對注入正電荷載子特別有效之電極。它可以由例如含金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物之材料所製成’或者它可以是一導電聚合物及其混合物。合適之金屬包括第11族金屬、第4、5及6族中之金屬’及第8至1〇族過渡金屬。若 ίο 需該陽極具光穿透性，則通常使用第12族、第13族及第14族金屬的混合金屬氧化物，如銦錫氧化物。該陽極也可包括一有機材料，例如描述在“F丨exible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer,” Nature vol_ 357, pp 477 479 (11 june 1992)中 15 的聚苯胺。該陽極及陰極中之至少一者應該是至少部分透明，以允許觀察到所產生之光。該電洞注入層120包括電洞注入材料，且可在一有機電子裝置内具有一或多個功能，其包括但不限於，使其下之層平坦化、電荷傳輸及/或電荷注入特性、清除 20 像是氧或金屬離子之雜質，以及其他有助於增進該有機電子裝置性能的功能。該電洞注入層可用聚合性材料，如聚苯胺（PANI)或聚伸乙二氧噻吩(pED〇T)加以形成，該等聚合性材料經常摻雜以質子酸。該等質子酸可以是如聚苯乙稀磺酸(P〇ly(styrenesulf〇nic acid))、聚(2_ 25 •丙烯醯胺 -2- 甲基 -1- 丙磺

S 28 201229010 酸)(poly(2-acrylamido-2-methyl-l-propanesulfonic acid)) 及類似者。該電洞注入層可包括電荷傳輸化合物及類似者，如銅酜青（copper phthalocyanine)與四硫富瓦烯-四氰蓖對 5 醌二甲烷系 (tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane ， TTF-TCNQ)。在某些實施例中，該電洞注入層包括至少一個導電聚合物及至少一個氟化酸聚合物。 10 在某些實施例中，該電洞注入層係由一摻雜有可形成膠體之聚合酸之導電聚合物的水性分散液製得。已於例如在已公開之美國專利申請案第2004/0102577號、第 2004/0127637 號、第 2005/0205860 號和已公開之 PCT 申請案WO 2009/018009中描述此種材料。 is 舉例而言，用於層130之電洞傳輸材料的實例已概述於Kirk Othmer化工百科全書（Kirk Othmer Encyclopedia of Chemical Technology)，第 4 版，第 18 卷，第837至860頁，1996，Y. Wang。電洞傳輸分子與聚合物兩者皆可使用。一般使用的電洞傳輸分子為： 2〇凡：^'-二苯基-凡]^-雙(3-甲基苯基)-[1,1’_聯苯]-4,4’-二胺 (N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-[l, 1 '-biphenyl] -4,4i-diamine, TPD)、1，1-雙[(二-4-甲苯基胺基)苯基]環己燒(1,1 -bis[(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane, TAPC)、Ν,Ν·-雙（4-甲基苯基）-N，N'-雙（4-乙基苯 25 基）-[ΐ，Γ-(3,3·-二甲基）聯苯]-4,4’-二胺 (N,N'-bis(4-methylphenyl)-N,N'-bis(4-ethylphenyl)-[ 1,1 29 201229010 (3,3’-dimethyl)biphenyl]-4,4’-diamine, ETPD)、肆(3-甲基苯基）-Ν，Ν，Ν^-2,5- 伸苯二胺 (tetrakis-(3-methylphenyl)-N,N,N',N'-2,5-phenylenediami ne， PDA) 、 a-苯-4-Ν,Ν-二苯胺苯乙烯 5 (a_phenyl-4-N，N-diphenylaminostyrene, TPS)、對（二乙胺) 苯甲駿二苯腙（p-(diethylamino)benzaldehyde diphenylhydrazone, DEH)、三苯胺（triphenylamine, ΤΡΑ)、雙[4-(N，N-二乙胺）-2-甲基苯](4-甲基苯）曱烷 (bis[4-(N,N-diethylamino)-2-methylphenyl](4-methylphe ίο nyl)methane，MPMP)、1-苯基-3-[對（二乙胺）苯乙稀]-5-[.對（二乙胺基）苯基]η比α坐琳 (l-phenyl-3-[p-(diethylamino)styryl]-5-[p-(diethylamino) phenyl] pyrazoline，PPR or DEASP)、1，2-反雙(9H-°卡嗤 -9-基）環丁烧（l，2-trans-bis(9H-carbazol-9-yl)cyclobutane, 15 DCZB)、Ν，Ν，Ν·,Ν·_肆(4-曱基苯基HU'-聯苯)-4,4’-二胺 (N,N,N',N'-tetrakis(4-methylphenyl)-( 1,1 '-biphenyl)-4,4'-diamine，TTB)、N，N’-雙(萘-1-基)-N，N’-雙-(苯基)聯苯胺 (N，N’-bis(naphthalen-l-yl)-N，N’-bis-(phenyl)benzidine, α-ΝΡΒ)以及紫質（porphyrinic)化合物如銅醜青。在某些 2〇實施例中，該電洞傳輸層包括一電洞傳輸聚合物。在某些實施例中’該電洞傳輸聚合物係一二苯乙烯基芳基 (distyrylaryl)化合物。在某些實施例中，該芳基團具有兩個或多個稠合芳族環。在某些實施例中，該芳基基團係一多并苯(acene)。本文所用的術語「多并苯」係指一 25 烴母體成分’其含有二個或多個以直鏈線性排列的鄰_ 稠合本％。其他普遍使用的電洞傳輸聚合物係聚乙稀Π卡 30 201229010 唑、（苯基甲基)_聚矽烷及聚苯胺。藉由將上述那些的電洞傳輸分子摻雜至像聚苯乙烯及聚碳酸酯之聚合物中，亦可能獲得電洞傳輸聚合物。在一些情況中，使用三芳胺聚合物’尤其係三芳胺-笫共聚合物。在某些情 5 況中，該等聚合物及共聚物係可交聯的。在某些實施例中，該電洞傳輸層進一步包括一 p型摻雜劑。在某些實施例中，該電洞傳輸層係掺雜有一 p 型摻雜劑。p型掺雜劑的實例包括但不限於四氟四氰蓖對酉昆一曱院（tetrafluorotetracyanoquinodimethane， 10 F4_TCNQ)及花-3,4,9,1〇·四羧-3,4,9,10-二酐 (perylene-3,4,9, l〇-tetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydride ，PTCDA)。用於該電子傳輸層15〇之電子傳輸材料的實例包括但不限於金屬钳合類咢辛化合物（包括金屬啥琳衍生 15 物’例如，三(8-羥基喹啉)鋁(A1Q)、二(2-甲基-8-喹啉)(p- 苯基苯酚)鋁(BAlq)、四次-(8-羥基喹啉)铪(HfQ)及四次 -(8-羥基喹啉)鍅(ZrQ));及咢唑化合物(例如，2_(4_聯苯基）-5-(4-t-丁基苯基）-l，3,4-噁二唑（PBD)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-1-丁基苯基)-1，2,4-三咢哇(TAZ)及 1,3,5_ 20 三（苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI));喹【口 +咢】啉衍生物(例如’ 2,3-二(4-氣苯基)喧【口 +咢】淋；α非琳，如4,7-二苯基-1，10-啡淋(DPA)及2,9-二曱基-4,7-二苯基-l，i〇_啡啉(DDPA));以及它們的混合物。在某些實施例中，該電子傳輸層進一步包括一 η型摻雜劑。η型摻雜劑材料 25 為已知技術。該η型摻雜劑包括但不限於第1與2族之金屬；第1與2族之金屬鹽，例如LiF、CsF與Cs2C03 ; 201229010 第1與2紅金屬有機化合物，例如喹琳鐘；及打型分子摻雜劑，例如無色染料、金屬錯合物（例如w^h㈣，其:hPP = 1，3,4,6,7,8-六氫_2仏喊啶並_[1，2姊11密啶及二茂鈷）、四硫稠四苯、雙（乙烯二硫代）四硫富瓦烯、雜 5 環自由基或雙自由基及雜環自由基或雙自由基之二聚體、寡聚物、聚合物、二螺環化合物及多環。該陰極160係-對於注入電子或負電荷載子特別有效的電極。職極可从任何具有比該陽極低之功函數的金屬或非金屬。用於陰極的材料可選自第丨族的驗 10 金屬（例如Li、Cs)、第2族(驗土)金屬、第U族金屬（包括稀土元素及鑭族元素)及婀系。可使用像鋁、銦、鈣、鋇、釤及鎂以及其組合之材料。 3鹼金屬的無機化合物（例如Lip、CsF、Cs20及

Li2〇)或含Li之有機金屬化合物也可沉積於該有機層 15 W及陰極層⑽之間以降低操作電壓。可將圖未示之 s玄層視為一電子注入層。 20 已知在有機電子裝置中可具有其它層。例如，在該陽極11G和電洞注人層12()之間可具有—層（未顯示），以控制所注人之正電荷的量，及/或提供該等層之帶隙匹配(band-gap matting)，或者用作一保護層。可使用本技術領域中已熟知之層，例如，銅酞青、氮氧化矽、氟碳化物、矽烷或例如Pt之超薄金屬層。或者，可對陽極層no、活性層120、130、140、15〇或陰極層16〔之一些或全部進行表面處理，以增加電荷載子傳輸效率。較佳為藉由平衡發射層中的正電荷及負電荷來決定 32 25 201229010 每一化合物層之材料的選擇，以提供一具有高電致發光 • 效率之裝置。 ‘應理解各功能性層可由多於一層所構成。 5 C. 裝置製造 ^裝置之層可利用任何沉積技術形成，或利用不同技術的組合形成，包括氣相沉積、液相沉積及熱傳。在某些實施例中，係藉由液相沉積電洞注入層、電洞傳輸層及光活性層以及氣相沉積陽極、電子傳輸層、 10 電子/主入層及陰極來製備該裝置。可由任何能溶解或分散及能形成一薄膜的液態介，沉積該電洞注人層。在—實施例中，該液態介質主要 =由一個或多個有機溶劑所組成。在一實施例中，該液態介質主要是由水或水及—有機溶騎組成。該電洞注 15 人材料可以〇.5至10重量百分比的數量存在該液態介質中。可藉由任何連續或不連續的液相沉積技術施用該電洞注入層。在一實施例中，藉由旋轉塗佈法施用該電洞注入層。在一實施例中，藉由喷墨印刷法施用該電洞注入層。在一實施例中，藉由連續式喷嘴印刷法施用該 20 電洞注人層。在-實施例中，藉由狹縫式塗佈施用該電 2入層。在液相沉積之後，在室溫下或以加熱方式於空氣、一惰性氣氛或真空中將該液態介質移除。可由任何忐溶解或分散及能形成一薄膜的液態介，沉積該電洞傳輪層。在一實施例中，該液態介質主要 25 是由一個或多個有機溶劑所組成。在-實施例中，該液態介質主要是由水或水及—有機溶_組成。在一實施 33 201229010 丨為一芳族溶劑。在-實施例中，該有二氣苯、甲笨有料可以0.2至2重量= C。_傳輪材 Γ或不連續的液相沉積技誠用該電洞衿;J"'在一趣^例中，藉由旋轉塗佈法施用該電洞傳 :在藉由喷墨印刷法施用該電洞傳輸傳輸層。=列藉中由=喷嘴印刷法施用該電洞 ?輸=在，沉積之後，在室溫下或以加熱方式於空乱 Π生祕或真空中將該液態介質移除。皙”Γ何月b ’合解或分散及能形成-薄膜的液態介絲活性層。在—實施财，該液態介質主要是 15 20 機溶劑所組成。在一實施例中，該液態 ^質主要疋由水或水及—有機溶劑所組成。在一實施例 2該有麟劑為-芳族_。在—實施例中，該有機冷刎係選自玑仿、二氣甲烷、甲苯、苯甲醚、2_ 丁酮、 3舶、乙酸丁醋、和同、二甲苯、均三〒苯、氯苯、四氫咬喃及二乙細、三氟甲苯及其混合物。該光活性 ^料可以0.2 i 2重量百分比的濃度存在該液態介質。可依據㈣介質使用其他重量百分比的光活性材料。可藉餘何連續或不連續的液相沉積技術施用該光 /舌11層。在-實齡】巾，藉減轉塗佈法施用該光活性層°在―實_+，藉由11墨印刷法細該光活性層。在一實施例中’藉由連續式喷嘴印刷法施用該光活性層。在一實施例中，藉由狹縫式塗佈法施用該光活性

S 34 25 2〇1229〇i〇 •. I#在，相沉積之後，在室溫下或以加熱方式於空氣、 . Θ氛或真空中將該液態介質移除。可藉由任何氣相沉積法沉積該電子傳輸層。在〆實 5 例了，於真空狀態下藉由熱蒸發法將其沉積。可藉由任何氣相沉積法沉積該電子注入層。在〆實 1中—於真空狀態下藉由熱蒸發法將其沉積。可藉由任何氣相沉積法沉積該陰極。在一實施例中’於真空狀態下藉由熱蒸發法將其沉積。 10 實例 ^此處所描述的概念將以下列實例進一步說明之，該專只例不限制申請專利範圍中所描述本發明之範脅。實例1 15 本實例說明化合物B1的製備。 (la) 9-漠-ΐ〇_(4·(1_萘基)苯基蒽的製備該中間體可根據下述作法製造：

35 201229010

Br2 / CH2CI2

在一個充滿氮氣的手套箱中，將萘-1-基-1-硼酸 (naphthalen-l-yl-l-boronic acid) (14.2 g » 82.6 mmol) ' 5 1->臭基-2-蛾苯（l-bromo,2-iodobenzene) (25.8 g，91 ·2 mmol)、四（三苯基稱）|巴（0) (tetrakis(triphenylphospine) palladium(O)) (1.2 g，1.4 mmol)、碳酸鈉(25.4 g，240 mmol)和甲苯（120 mL)加入配備有攪拌子的500 mL圓底燒瓶中。將該反應混合液從該乾燥箱中移出後，以氮 1Q 氣吹掃該反應混合液，再用注射器加入120 mL的除氣水。接著’將冷凝器附設至該反應燒瓶，回流該反應物 15小時。使用TLC監控該反應。將反應混合液冷卻至室溫。分離該有機層並以DCM萃取該水層。組合該等有機物組分，且在減壓下移除溶劑以得到一黃油。藉由 15 使用矽膠的管柱層析法執行純化，產出13.6 g (58%)的清澈油。將 4-溴苯-1-萘(4-bromophenyl-l-naphthalene) (28.4 g » 10.0 mmol) 一（戊醜)二删(bis(pinacolate) diboron) (40.8 g，16.0 mmol)、Pd(dppf)2Cl2 (1.64 g，2·0 mmol)、 2〇乙酸卸（Potassium acetate) (19.7 g，200 mmol)和 DMSO(350 mL)加入配備有磁攪拌子和回流冷凝器的j 公升燒瓶中’ δ亥回流冷凝器連接至一氮導管（nitrogen line)及一油槽(oil bath)。以氮氣鼓泡該混合物15分鐘，然後加入 P<l(dppf)2Cl2(1.64 g ’ 0.002 mol)。在此過程期 36 201229010 間’該混合物逐漸地轉變成暗棕色。在氮氣下，於120 。(：（油浴）攪拌該反應物18小時。於冷卻該混合液後，將該混合液倒入冰水中，並以氣仿萃取(3χ)。以水(3χ) 及飽和鹽水(lx)沖洗該有機層並以MgS〇4乾燥之。在 5 過濾與移除溶劑後，該殘留物以矽膠管柱層析純化。組合3亥含有組分之產物，且使用旋轉蒸發（r〇tary evaporation)移除溶劑。由己烷/氣仿使所得之白色固體結晶並在一真空烘箱中於4〇t乾燥以獲得如白色結晶薄片之產物（15.0 g ’產率45%)。1H及13C-NMR光譜 10 與所預期的結構一致。

將硼酸酯加入溶於甲苯中的9-溴蒽。將Na2C03、 H2〇 (120 mL)及一四級銨化合物加入該溶液中。以氮氣鼓泡該混合物並添加Pd(PPh3)4。在一氮氣氣氛下回流該混合物12小時。冷卻後分離反應混合物，以水沖洗 15 該有機層並使其分離、乾燥及濃縮，然後倒入MeOH 中。過濾該固體以獲得一黃色粗產物，將其再溶解於 CHCI3、經MgS04乾燥並過遽之〇僅使用以己燒作為沖提液的石夕膠純化該滤液，以獲得白色產物。將溶於CH2C12中的漠緩緩加入一經冰浴冷卻之 2〇 9-(4-萘-1-基)苯基蒽的CH2C12溶液中。該反應立即發生且顏色轉變成淺黃色。添加一 Na2S203溶液並授拌 15分鐘。分離該有機相，用Na2S203及水沖洗。分離、乾燥、蒸發該有機相並倒入甲醇及進行過濾以獲得9-溴-10-(4-(1-萘基)苯基)-蒽。 (lb) 3-(9-咔唑基)-溴苯的製備 37 25 201229010 將 0.4 g Pd2DBA3 ( DBA =二亞节基丙酮）、〇 4 g DPPF(DPPF= 1，Γ-雙(二苯基膦）二茂鐵及4·3 g叔丁醇納混合在一起並在一手套箱中將其溶於200 mL二甲苯中。攪拌15分鐘，然後添加25 g 3-蛾-漠苯。授拌15 5 分鐘，然後添加5g咔唑並使該混合物回流。在手套箱中使用一空氣冷凝器回流過夜。該溶液原本呈暗紫色/ 褐色的，但在達到〜80C時其為暗紅褐色且混濁的。在加熱接近於回流過夜後，該溶液為暗褐色且澄清的。在手套箱外以旋轉蒸發器蒸發該溶液，然後將其溶於 ίο . DCM中並通過一使用DCM的矽土及鹼性礬土床（堆疊在soxhlet中）萃取(soxhlet)之。收集暗橙色溶液並蒸乾。留下一暗橙色油。以甲醇沖洗，然後溶於乙醚並以曱醇再沉澱之-該產物微溶於曱醇。

Br

取橙褐色油並在乙趟中蒸至低容積，然後添加少量的丙，醇以沉澱-產率為〜32g的灰白色固體。藉由過濾、收集並以少量的丙酉同沖洗，然後真空乾燥。藉由 20 卜H nmr光譜確認其結構。、曰 (lc) 3-(9-咔唑基)_苯胺的製備

S 38 201229010 在手套箱中㈨2)攪拌8.5 g來自上述步驟（lb)的 9-(3->臭笨基)-°卡唾、〇 12 g pd2DBA3、〇 u g 二環己基膦基聯苯及50 mL二【口 +咢】烷。添加9 2 g LiN[Si(Me)3]2及另外1〇 mL的二【口+咢】烷並使該反 5 應回流過夜。冷卻該反應並從手套箱移出，然後將水緩缓加入。用碳酸鹽使該水層的pH達9，然後用DCM萃取該混合物。分離該DCM層並以硫酸鎂乾燥之，然後以乙酸乙酯：己烷(1:1)沖提的矽土層析之。該產物沖提液為一淺棕色溶液，蒸發該溶液並加入甲醇產生一產率 10 〜90%的淺棕色結晶固體。1-Hnmr顯示其為所需之苯胺產物。 (ld)3-(9-咔唑基)-苯基，9_蒽胺的製備

在手套箱中取1.3 g來自上述步驟(lc)的咔唑(0.005 M)並添加2.3 g來自上述步驟(a)的蒽（0.005 M)。添加 0.05 g Pd2DBA3 (0.05 mM)、0.022 g P(t-Bu)3 (0.11 mM) 39 201229010 及0.55 g t-BuONa並使其全部溶於25 mL甲苯中。在催化劑材料添加後，有溫和的放熱現象。在手套箱中，於罩蓋内在氮氣下於80C加熱2小時成一暗棕色溶液（濃稠的）。冷卻並藉由以DCM沖提的鹼性礬土進行層析，然後收集帶有亮紫色/藍色PL的暗黃色溶液。蒸發至— 非常黑的油性固體。用甲醇沖洗，以獲得一細緻的粉狀黃色固體。用曱醇潤洗經回收之固體，以獲得〜18g黃色固體。藉由1-H nmr光譜確認其結構。

Ge)化合物則的製備

在手套箱中取0.64 g的咔唑蒽（0.001 M)(來自上述步驟（Id))並添加〇.36 g溴苯曱腈(0·002 Μ)。添加〇 j g

Pd2DBA3 (0·1 mM)、0.045 g P〇Bu)3 (0.22 mM)及 0.25 gt-BuONa並使其全部溶於2511]£曱苯中。在催化劑材料添加後，有溫和的放熱現象。在手套箱中，於罩蓋内在氮氣下於80C加熱2小時成一暗棕色溶液，然後在氮 40 201229010 氣下維持在80C過夜。冷卻並藉由以DCM/甲醇沖提的 B-礬土進行層析（若沒有甲醇共沖提液，材料會嚴重阻塞）’然後收集帶有亮紫色/藍色PL的黃色溶液。蒸發至一非常黑的油性固體。用甲醇沖洗，以獲得一粉狀棕 5 黃色固體。用甲醇潤洗經回收之固體，以獲得〜〇.3g黃色固體，然後以氯仿沖提的矽土層析之，以獲得一帶有藍色PL的亮黃色帶體。收集並蒸發，然後添加甲醇以提供0.25g淡黃色固體。藉由光譜確認其結構。 1〇實例2 本實例說明化合物B2的製備。 (2a) 3,6-二苯基味唾的製備在手套箱中，將25 g 3,6-二溴咔唑及20 5 g苯基硼 15 酸於150mL水及300 mL:【口 +等】烷中混合。劇烈攪拌並添加45 g碳酸鈉。最後添加3 g pd2DBA;3及i 5 g三叔丁基膦。攪拌並回流過夜，然後冷卻並從手套箱移開。加水使白色固體沉澱，然後過濾並收集。溶於二氣甲烷並以DCM:己烷(1:2)沖提的矽土層析，且沖提產物為一無色溶液，蒸發該溶液並以己烷沖洗，以獲得所需產物為一產率~80°/〇的絨毛狀白色固體。 (2b) 3-(3,6-二苯基-9-咔唑基)_溴苯的製備在一手套箱中將 0.4 g Pd2DBA3、0.4 g DPPF 及 4.3 25 g叔丁醇鈉混合在一起並使其溶於200 mL二曱苯中。攪拌15分鐘，然後添加25 g 3-碘·溴苯。攪拌15分鐘， 41 201229010 然後添加10 g σ卡11坐並使該混合物回流。使用一空氣冷凝器回流過夜(ο/η.)。溶液起初呈暗紫色/褐色，但在達到〜80C時其為暗紅褐色且混濁的。在加熱接近於回流過夜後，該溶液為暗褐色且澄清的。在手套箱外以旋轉蒸發器蒸發該溶液，然後將其溶於DCM中並通過一使用DCM的矽土及鹼性礬土床（堆疊在soxhlet中）萃取 (soxhlet)之。收集暗橙色溶液並蒸乾。留下一暗橙色油。以甲醇沖洗，然後溶於乙醚並以曱醇再沉澱之。

10

取橙褐色油並在乙醚中蒸至低容積，然後添加少量 15 的丙酮/曱醇以沉澱出一產率為〜6.4g的灰白色固體。藉由過濾收集並以少量的丙酮沖洗，然後真空乾燥。藉由 1-Hnmr光譜確認其結構。 (2c) 4-氰基苯基，3-(3,6-二苯基-9-咔唑基)苯基苯胺的製 20 備 42 5 201229010 在充滿氮氣的手套箱中將9.0 g來自上述步驟(2b) 的咔唑及2.23 g 4-胺基苯甲腈於6〇 mL甲苯中混合。添加0.4 g Pd2DBA3及0.18 g三叔丁基膦，隨後快速加入 1.81 g t-BuONa。將該混合物於短時間内加熱至回流，然後在手套箱中保持在80°C劇烈擾拌過夜。冷卻後，使用一梯度為DCM :己烷(1:4至4:1)的矽土層析該反應以沖提該產物，產物於濃縮並添加己烷後沉澱出產率〜80%(〜6.5 g)的所欲產物，並以nmr光譜確認其結構。 (2d)化合物B2的製備在手套箱中取0.45 g單溴蒽（來自上述實例1的步驟（la)) (0.5 mM)並添加 0.52 g (〇.5 mM)二級胺（來自 Pt2.3)及 0.1 gt-BuONa(l mM)與 l〇mL 甲苯。添加溶於甲苯中的 0.1 g Pd2DBA3 (0.1 ιηΜ)及 0.05 g P(t-Bu)3 (0_2 mM)。在手套箱中於氮氛混合，以加熱1小時。溶液原本呈暗紫色’但在達到〜8〇c時其為暗紅褐色的。在手套箱中於80C加熱攪拌過夜。冷卻並藉由從手套箱移開反應，並通過一以曱苯沖提的酸性礬土塞過滤。產物係淡黃/撥色且高度溶解為一綠藍色PL帶體。用甲苯沖提液在矽土 /矽酸鎂载體（florisil)上作再層析。首先沖提出一帶有少許PL的撥色帶體，接著是帶有亮藍色PL的黃色帶體。將此第二部份蒸發至低容積並添加曱醇使沉澱出一帶有藍色pL的黃色固體，產率〜0.45 g。藉由過濾收集該材料並以庚烷沖洗，然後真空 43 25 201229010 乾燥。該材料可溶於甲苯。藉由l-H nmr光譜確認其結構。 5

實例3 本實例說明化合物B3的製備。 10 (3&)3,5-二氰基苯基，3_(3,6-二苯基-9-咔唑基)苯基苯胺的製備在充滿氮氣的手套箱中將9.0 g來自上述實例2之步驟(2b)的咔唑及2.7 g 5-胺基間苯二甲腈於50 mL曱

S 44 201229010 苯中混合。添加0.2 g Pd2DBA3及〇〇9 g三叔丁基麟，隨後快速加入1.81 gt-BuONa。將該混合物於短時間内 ^熱至回流，然後在手套箱中保持在8〇ΐ劇烈攪拌過夜。冷卻後，使用一梯度為DCM :己烧(1:4至4:1)的石夕土層析該反應以沖提該產物’產物赠縮並添加己燒後沉殿出產率〜50%(〜4g)的所欲產物，並以w光譜確認其結構。 (3b)化合物B3的製傷在手套箱中取U g單溴S (來自上述實例1之步驟（la)) (1.5 mM)並添加2 〇3 g (〜1.8 mM)二級胺（來自 15 上述步驟(3a))及〇.3 g t_Bu〇Na (3碰)與1〇说甲苯。添加溶於f苯巾的〇 3 g Pd2DBA3 (Q 3福)及〇 P(t-Bu)3 (0.6mM)。在手套箱中於氮氛混合，以8〇c加熱1小時。浴液原本呈暗紫色，但在達到〜8〇c時盆為暗Ϊ褐色的。在氮氣下保持於8〇c劇烈攪拌過夜。i卻 ^藉由枚手套箱移開反應，並通過-以甲苯沖提的驗性土塞過;慮。產物係淡黃/撥色且高度溶解為—綠藍色 L帶㈣f苯沖提録⑪场賴制(㈣邱上作 θ 中提出-帶有少許PL的橙色帶體，接著的黃色帶體，將第二部份蒸發至低容使沉殿出—帶有藍色PL的黃色固體，產兮以妨5§〜在真空乾燥之前過®、收集並以庚烧沖洗。二1合於甲苯。藉*1-H nmr光譜確認其結構。以吝Φ 9、、層析系統進—步純化該材料並使之再結晶以 50 mg。由？苯/乙醇然後甲苯/庚燒’再一次再結 45 25 201229010 晶成一在曱苯溶液中帶有亮藍色PL的淡檸檬黃色粉末。

C, 78.44; H, 4.17; Br, 17.39 C. 85.05; Η, 4.51； N, 10.44 5

C, 89.25: Η, (63; Ν, 6.12 實例4 本實例說明化合物Β4的製備。 10 3 46 201229010

該分子係用上述實例2相同的步驟製造，以2,6-二叔丁基-9-溴蒽替代9-溴蒽，並以3,6-二叔丁基咔唑替代 3,6-二苯基咔唑。藉由1-H nmr光譜確認其結構。裝置實例該等實例展示OLED裝置之製造及性能。 ίο (1)材料 HIJ-1係一摻雜一聚合物型氟化磺酸之導電聚合物。此種材料已於例如在已公開之美國專利申請案 US2004/0102577、2004/0127637、2005/0205860 和已公開之PCT申請案WO 2009/018009中描述。 15 HT-1係一含三芳基胺之共聚物。已於，例如在公開之 PCT申請案WO 2009/067419中已描述此種材料。 Host-Ι係一氘化芳基蒽，如已公開之PCT申請案WO 2010-099534中所述之化合物H1。

Dopant-1係一雙（二芳胺基）【#快】化合物，如已公 2〇開之PCT申請案WO 2010-135403中所述之化合物 E17。 ET-1係一啡啉衍生物。 47 201229010 該裝置在一玻璃基板上具有下列結構：陽極=銦錫氧化物(ITO)，50nm 電洞注入層=HIJ-1 (50nm) 電洞傳輪層=HT-1 (20nm) 光活性層於文後討論(4〇 nm); 電子傳輸層=ET-1 (10 nm) 電子注入層/陰極=CsF/Al (0.7/100 nm) (2)裝置製備藉由溶液加工處理及熱蒸鍍技術之結合製造 OLED裝置。使用來自薄膜裝置公司（Thin Film Device, Inc)之圖案化氧化銦錫(ITO)塗布玻璃基板。此等ITO基板係基於塗布有ITO之Corning 1737玻璃，其具有30 歐姆/平方的薄片電阻及8〇%的光透射率。在含水清潔劑溶液中超音波式地清潔該等圖案化之ITO基板，並以蒸傭水加以沖洗。隨後，在丙酮中超音波式地清潔該圖案化之ITO，以異丙醇加以沖洗之，然後在氮氣流中乾燥。就在要製造該裝置前，以紫外光臭氧(uvozone)處理該等已清潔之圖案化的IT〇基板1〇分鐘。於冷卻之後’隨即在該ΓΓΟ表面上旋轉塗布之水性分散液，然後再加熱以移除溶劑。於冷卻之後，接著以一電洞，輸材料之溶液旋轉塗布該等基板，然後再加熱以移除溶劑。於冷卻之後，將基板以溶於苯甲酸甲酯之光活，層材料之溶液旋轉塗佈，並加熱以移除溶劑。遮罩該等基板，並將其放入一真空室中。使用熱蒸鍍來沈積電

S 48 201229010 子傳輸層，接著沈積一 CsF層。接著在真空中更換遮罩，並藉由熱蒸鍍沈積一 A1層。使該真空室排氣，及使用一玻璃蓋、乾燥劑(dessicant)及UV可固化環氧化物封裝該等裝置。 5 (3)裝置定性藉由量測下列數據來描述OLED樣本之特徵，（1) 電流-電壓(I-V)曲線，（2)電致發光輻射強度對電壓，及 (3)電致發光光譜對電壓。以上所有三個測量皆於相同時 10 間執^亍’並由一電.腦控制。該裝置在某一特定電壓處的電流效率，為藉由把LED之電致發光輻射強度除以該裝置運轉所需之電流密度確認。其單位為cd/A。利用

Minolta CS-100 分析儀或 Photoresearch PR-705 分析儀確認色座標。 15

實例1及對照實例A 本實例說明一具式I之化合物作為一電洞捕捉劑的用途。在實例1中，該光活性層為Host-l:Dopant-l，其重 20 量比為丨3:1，且含1重量％作為電子捕捉劑的化合物 B2。在對照實例A中’該光活性層為Host l:Dopant-l，其重量比為13:1，不含電子捕捉劑。下表1表示其結果。 49 25 201229010 表1.裝置結果實例 CIE (x,y) 電壓 (V) C.E. (cd/A) 化合物A 0.136, 0.134 3.6 6.6 實例1 0.136, 0.134 3.7 6.4 E.q.e. 預測壽命期T50 」％) @1000 nits 6.1 10907 5.9 26309 所有資料@ 1000 nits’CE =電流效率；ciEx及CIEy 為X及y色座標’根據C.I.E.色度量度(c〇mmissi〇n 5 Internationale de L’Eclairage，1931)。估計之 T5〇為褒置在1000 nits下到達二分之-初始光度的時間（以小時計），以加速因子1.8計算。由表可發現，若存在具有式^之化合物作為電洞捕捉劑，則壽命可大幅提昇。· 10

實例2及對照實例B 本實例說明-具式Ϊ之化合物作為—發光材料的用途0 於貝例1中’光活性層為Host-Ι:化合物B2，重量 15 比為 13:1。於對照實例B中，光活性層為馳卜㈣卿·】，重量比為13:1。下表2表示其結果。結果實例 CIE (x，y) 電壓 C.E. (cd/A) e.q.e. (%) 預測壽命期T50 化合物B 0.135, 0.142 3.6 7.1 6.3 12211 實例2 0.138, 0.143 4.2 4.8 4.2 27138 3 50 201229010 所有資料@ 1000 nits ’ CE =電流效率；CIEx及ciEy 為x及y色座標’根據C.I.E.色度量度(Commission

Internationale de L'Eclairage, 1931)。估計之 T50 為裝置在1000 nits下到達二分之一初始光度的時間（以小時计）’以加速因子1.8計算。由表2可發現，若存在具有式丨之化合物作為發光材料’則壽命可大幅提昇。 10 15 20 應留意的是，並非上文一般性描述或實例中所述之動作都是必要的，特定動作之一部分可能並非必要的，並且除了所描述之動作外，可進一步執行一或多個其他動作。此外，所列動作之次序不必然是執行該等步驟之次序。在上述說明中，已描述關於特定實施例之概念。然本領域普通技術人員應理解在不脫離下列巾請專利 f圍所提出之本發日域_情況下，可騎各種修改和屬更因此’應將本說明書與圖式視為說明性而非限制 f之觀念’且意欲將所有這類修改涵括於本發明之範鳴文已#述關於特定實施例之效益、其他優點及問以;5 案。Ϊ而，不可將效益、優點、問題解決方案顯66#可可些效益、優點、問題解決方案或更為突二卞徵解㈤為疋任何或所有專射請範圍之關鍵、必需或必要特徵。 ^當理解為了清楚說明起見，本讀述之各實施例内谷中的某些特徵，亦可以組合之方式於單獨實施例中 25 201229010 提供。相反地’簡潔起久插拉矜，見本文於同—實施例中所述之 '、’、σ分別提供或提供於任何次组人中。此伽估值包括㈣範圍内料個及每個值。【圖式簡單說明】實施例說明於隨附圖式中，以增進對本文中所呈現之概念的理解。人主巩 ΓΗ0Μ0及LUM0能階的示意圖。㈣兩種不同材料之roM0及LUM0 能階的不意圖。圖1C包括一說明能帶間隙的示意圖。圖2包括一有機發光裝置的圖解。圖3包括一有機發光裝置的另一圖解。 15 熟習此項技術者應瞭解，圖式中之物件係為單及清楚之目的而說明，且不一定按比例繪製成簡在該等圖式中，某些物件的尺寸相對於其他物件，所放大，以有助於對實施例的暸解。 °也有

S 52 201229010 【主要元件符號說明】 110.. 陽極層 120.. 電洞注入層 5 130.. 電洞傳輸層 140.. 光活性層 141·. 次像素單元 142·· 次像素單元 143.. 次像素單元 10 150.. 電子傳輸層 160·· .陰極層 200...裝置 53

Claims

201229010 七、申請專利範圍： 1. 一種具式I之電活性化合物

其中： Ar^'Ar2及Ar3為相同或不同且為芳基團； R1在每次出現時為相同或不同且為D、烷基或芳基； a係0至4的整數； ίο 且其中該化合物具有一深於-2.3 eV的LUMO能階及一至少2.9 eV的能帶間隙。 2.如請求項1所述之化合物，具有式II (R1)a

S 54 201229010 其中： • Ar1為芳基團；， R1在每次出現時為相同或不同且為D、烷基或芳基； ' R2為一拉電子基團； 5 R3為Η、D、咔唑基、二芳基胺基、一拉電子基團或其經氘化之類似物； R1在每次出現時為相同或不同且為D、烷基、烷氧基、矽基、矽氧烷、一拉電子基團或其經氘化之類似物； ίο R2在每次出現時為相同或不同且為D、烷基、烷氧基、矽基、矽氧烷、一拉電子基團或其經氘化之類似物； a係0至4的整數； b係0至4的整數； 15 c係1至5的整數； d係0至4的整數，致使c + d S 5 ;及 e係0至4的整數。 3. 如請求項2所述之化合物，其中Ar1為苯基、聯苯基、萘 20 基、聯萘基、苯基萘基、萘基苯基、其經取代之衍生物或其經氘化之類似物。 55 25 1 如請求項2或3所述之化合物，其中R1=D且a及b兩者 2 均大於0。 201229010 5.如請求項2至4中任一項所述之化合物，其中R2為氰基、硝基或-S02R，其中R為烷基。 6. 如請求項2_5中任一項所述之化合物，其中R3為咔唑基、 5 二苯基胺基或其經氘化之類似物。 7. 如請求項2-6中任一項所述之化合物，其中d>0且R4為一拉電子基團。 ίο 8.如請求項7所述之化合物，其中R4係氰基、硝基或-S02R，其中R為烷基。 9.如請求項2-6中任一項所述之化合物，其中d = 0。 15 10.如請求項2-9中任一項所述之化合物，其中e = 0。 11. 如請求項2所述之化合物，其中d = 1且R2 = R4 = CN。 12. —種選自於化合物B1至B11之化合物。 20 13. —種有機電子裝置，其包括一第一電接點、一第二電接點及一介於其間的光活性層，該光活性層包括一具式I 之電活性化合物 S 56 201229010

其中： $ 八1*1、Ar2及Ar3為相同或不同且為芳基團； R1在每次出現時為相同或不同且為D、烷基或芳基; a係0至4的整數；且其中該化合物具有一深於一23 eV% LUM〇能階及一至少2.9 eV的能帶間隙。 .如叫求項13所述之裝置，其中該電活性材料具有式η

其中： Ar1為芳基團； R1在每次出現時為相同或不同且為〇、燒基或芳基; 57 201229010 R2為一拉電子基團； R3為Η、D、咔唑基、二芳基胺基、一拉電子基團或其經氘化之類似物； R4在每次出現時為相同或不同且為D、烷基、烷氧 5 基、矽基、矽氧烷、一拉電子基團或其經氘化之類似物； R5在每次出現時為相同或不同且為D、烷基、烷氧基、矽基、矽氧烷、一拉電子基團或其經氘化之類似物； ίο a係0至4的整數； b係0至4的整數； c係1至5的整數； d係0至4的整數，致使c + d $ 5 ;及 e係0至4的整數。 15 15. 如請求項13所述之裝置，其中該光活性層包括該式I之電活性化合物且進一步包括一主體材料。 16. 如請求項13所述之裝置，其中該光活性層主要係由該式 20 I之電活性化合物及一主體材料所組成。 17. 如請求項13所述之裝置，其中該光活性層包括一藍光發光化合物、一主體材料及一具式I之化合物。 25 18.如請求項13所述之裝置，其中該光活性層主要係由一藍光發光化合物、一主體材料及一具式I之化合物所組成。 58 S