TW201226636A - Method of electroplating silver strike over nickel - Google Patents

Description

201226636 六、發明說明： • 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種由不含氰化物之銀電鍍溶液在鎳上 電鏡銀底鑛（silverstrike)之方法。更明確地說，本發明 係有關一種由不含氰化物之銀電鍍溶液在鎳上電鍍銀底鍍 之方去，其中電鍍在銀底鍍上的額外銀金屬層在鎳上形成 鏡面光亮沉積物。 【先前技術】 银電錢在傳統上已使用於農飾及餐具。由於其優異的 電连特性’銀電鑛在電子產業已具有廣泛應用，如開關、 連接器及光伏裝置之電流轨道（current tack)。 人許多^知的銀電鍍溶液非常毒，因為其含有氰化物化 。,許多情形下，電鍍溶液之銀離子的來源係來自水 可溶之氰化銀鹽。已嘗試自銀電鑛溶液減少或消除氰化物 δ物，同時保持銀電链溶液所欲之電鍍性能以及銀對基 板之黏者性，並達成光亮銀沉積物。例如，已試過硝酸銀— 硫脲溶液及碘化銀-有機酸溶液，但沒有達成輕易地使用銀 電鍍溶液之產業要求。又，已試過其他銀電鍍溶液，如含 有添加至硫氰酸銀溶液和胺苯績酸衍生物之三乙醇胺、以 及添加至銀之無機和有機酸鹽之峨化舒之銀溶液。然而， 該些銀電鍍溶液無法做到滿足使用銀電鍍溶液之產業。 對使用銀電鍍溶液之產業的工作者而言，不含/氛化物 之銀電鍍溶液較不毒而且更環保，因為來自此電鑛溶液的 廢水不會以氰化物污染環境。然而，一般而言，該種不含 95355 3 201226636 氰化物之銀電鑛溶液不是非常安定。此等溶液通常在電鍵 期間分解，且溶液中之銀離子經常在沉積在基板上之前還 原，因此縮短溶液的壽命。在最大化可應用之電流密度以 及銀沉積物之物理性質上，亦有改良空間。 為了裝飾目的及電子應用’鎳下方塗層（undercoat) 係用來作為銅基板與銀頂層間之擴散阻障。不論電鍵溶液 是否不含氰化物，將銀直接電鍍至鎳上會得到通常無法良 好地黏附於鎳之銀層。在試圖解決此問題之嘗試方法上， 此產業係將銀底鍵層錢覆至鎳上。加上此銀底鐘層以改良 後續銀層與鎳下方塗層間之黏著性。銀底鑛層實質上比後 續之銀沉積私更薄。 US5’601,696揭露不含氰化物之銀電鍍溶液及電鍍銀 之方法。此銀電鑛溶液包含作為銀來源的硝酸銀和氧化 銀、以及作為錯合劑的乙内醯脲化合物。導電性鹽類包含 氯化鉀及曱酸鉀兩者。此專利所揭露之銀沉積物為 3.5ym、5/zm及50/zni厚。此專利聲稱其在銀與銅基板間 達成良好的黏著性；，然而，|自該含有氯化物或甲酸鹽之 銀浴之銀沉積物僅為半-光亮（semi-bright)。 雖然存在可提供半'光亮銀沉積物的不含氰化物之銀 底鍵電鍍溶液，依然需要—種使用不含氰化物之銀電鐘溶 液之方法，其可在_鎳合金上提絲面光亮銀沉積物， 並在後續銀金屬沉積物與錦或鎳合金間提供良好 【發明内容】 本發明之方法包含·· a)提供包括一種或多種銀離子來 95355

S 201226636 源、一種或多種醯亞胺或醯亞胺衍生物、及一種或多種鹼 金屬硝酸鹽之溶液，該溶液不含氰化物；b)使包括鎳之基 板與該溶液接觸；以及C)將銀底鍍層電鍍至基板之鎳或鎳 合金上。在初始之銀底鍍層沉積至鎳或鎳合金上後，將一 層或多層額外之銀層沉積至銀底鍍層上以在含鎳之基板上 形成鏡面光亮銀沉積頂層。 溶液中之硝酸鹽提供來作為及維持基板之鎳或鎳合金 上之鏡面光亮銀沉積頂層。初始之銀底鑛層提供沉積在含 錄之基板上之額外銀層之良好黏著性。再者，由於此銀電 鍍溶液不含氰化物’其诮除許多習知銀電鍍溶液之毒性危 險且保。此方法及銀電錢溶液係使用於在裝飾應用，電 子應用以及光伏應用中之含鎳之基板上沉積鏡面光亮銀 層。 【實施方式】 貫穿本說明書所使用之用語“鍍覆，，及“電鐘，，，係 可交換使用。不定冠詞“一（“a”和“an”），，係意欲包 含單數及複數兩者。“矽化物”一詞係指矽與另一元素（通 常為金屬）之二元化合物。 下列縮寫具有下列意義，除非文中另有清楚地說明： c=攝氏溫度；g=克；mL=毫升；L=公升；A=安培；dm=分米； 微米；nm=奈米；UV=紫外線；IR=紅外線；astm=美國 標準測試方法（American Standard Testing Method)。所 有的百分比及比率皆以重量計’除非另有說明。所有的範 圍皆包含上下限值且可以任何次序組合，除非在邏輯上該 95355

SS 5 201226636 些數值範圍受限於加總至多為100%° 此等方法包含使用含一種或多種銀離子來源之銀底鍍 電鍍水溶液。銀離子來源包含，但不限於，氧化銀，端酸 銀，硫代硫酸鈉銀，葡萄糖酸銀；銀-氨基酸錯合物如銀-半胱氨酸錯合物；烷基磺酸銀，如曱烧確酸銀；和銀乙内 醯脲化合物及銀丁二醯亞胺錯合物。銀離子來源較佳選自 氧化銀及一種或多種銀乙内醯脲錯合物。銀底鍍電鍍溶液 係不含任何含氰化物之銀化合物。底鍵溶液中之銀離子來 源的含量為〇. lg/L至5g/L ’或如〇.仏几至2g/L。 銀底鏡水溶液中之鹼金屬硝酸鹽的含量為至 30g/L·，或如15g/L·至30g/L·，以達成鏡面光亮銀頂層。鹼 金屬硝酸鹽包含硝酸鈉及硝酸鉀。 一種或多種醯亞胺或醯亞胺衍生物以40g/L至 120g/L，或如 50g/L 至 100g/L，或如 6〇g/L 至 8〇g/L 之量 包含在銀底鍍溶液中。該等醯亞胺包含’但不限於’丁一 醯亞胺’ 2, 2-二曱基丁二醯亞胺，2-甲基_2_乙基丁二酿亞 胺，2-曱基丁二醢亞胺’ 2-乙基丁二醯亞胺’ I1，2,2四 甲基丁二醯亞胺，1，1，2-三曱基丁二醯亞胺’ 2_丁基丁二 醯亞胺，馬來醯亞胺，1-曱基-2-乙基馬來醯亞胺’ 2-丁基 馬來醯亞胺，1-曱基-2-乙基馬來醯亞胺，駄醯亞胺’酞醯 亞胺衍生物，如N-曱基酞醯亞胺及N-乙基酞醯亞胺，醯亞 胺衍生物，如乙内醯脲，1-甲基乙内醯脲，1,3-二甲基乙 内醯脲，5, 5-二甲基乙内醯脲，1-甲醇-5, 5-二甲基乙内醯 脲及5, 5-二苯基乙内醯脲。 201226636 磺胺酸及其鹽類；烷磺酸及其鹽類，如曱燒續酸，乙 烷磺酸及丙烷磺酸可包含在銀底鍍電鍍溶液中。；^胺酸及 其鹽類和烷磺酸及其鹽類可以5g/L至100g/L、或如1〇g/L 至60g/L之量包含在銀底鍍溶液中。該些酸及其鹽類通常 可麟自各式各樣的來源，如Aldrich Chemical Company, Milwaukee, Wisconsin。 銀底鍍電鍍溶液可含有一種或多種緩衝劑。緩衝劑包 含’但不限於，硼酸鹽緩衝劑（如硼砂）、磷酸鹽緩衝劑、 擰檬酸鹽緩衝劑、碳酸鹽緩衝劑、及磺胺酸鹽緩衝劑。缓 衝劑的用量係足以使電鍍溶液的pH維持在8至14，較佳 為9至12之用量。 視需要，銀底鍍溶液中包含一種或多種界面活性劑。 可使用各式各樣的習知界面活性劑。可使用任·一種陰離子 性、陽離子性、兩性及非離子性之習知界面活性劑，只要 其不會干擾銀電鍍的性能即可。可以銀電鍍溶液之熟悉該 項技藝者已知之習知用量包含界面活性劑。 視需要，銀底鍍電鍍溶液包含一種或多種額外成分。 該些額外成分包含，但不限於，顆粒細化劑、防鏽劑、整 平劑、及展延性強化劑。可以熟悉該項技藝者已知之習知 用量使用該些額外成分。 可藉由使用習知電鍍喷灑裝置將銀溶液喷灑至基板之 鎳或錦合金表面上、或者藉由將整個基板浸潰至銀底鍍溶 液中’而電鍍銀底鍍至含鎳之基板。可使用習知電鍍裝置。 電鍍可在室溫至70〇C或如25°C至50t之溫度進行。含鎳 7 95355

SS 201226636 之基板通常係作為陰極，且可使用銀電鍍之任何適合的習 知陽極。陽極可為可溶之電極，如可使用可溶之銀電極或 不可溶之陽極’如氧化銥或氧化鉛不可溶陽極。電極係連 接至提供電流來源之習知整流器。電流密度範圍係〇. 1 A/dm至2 A/dm2或如0 · 2 A/dm2至1 A/dm2。該種低電流密 度與0· 1 g/L至5 g/L之低銀含量的組合，在通常為5秒 至20秒的鑛覆時間内提供底鑛膜。銀底鑛電鍵至鎳或鎳合 金上，使得銀底鍍層與鎳或鎳合金表面直接相鄰。銀底鍍 以範圍0. 01//m至0.2em、或如〇.02/am至〇Jem之厚 度’電鍍至鎳或鎳合金上。 然後將額外銀層沉積至銀底鍍層上使得其與銀底鍍層 相鄰’以在職板上建立銀輯要n雜額外銀層 的厚度範圍可為1_至5Q/Zm，且為鏡面光亮。可使用習 知銀電翁將額外銀層雜至銀錢上。雖然可由包含氰 化物之銀電鑛溶液電賴外銀層，但較佳避免使用該種電 錢溶液，因為其毒性本質及對環境的危害。魏至銀底鍵 上之銀層與下方鎳具有良好黏著性且為鏡面光亮。 在希望鏡面光亮銀層之任何場合，皆可使用此方法提 鏡面光〜銀况積物。通常係將錄層或鎳合金層塗覆在銅 口金上如開關、電氣連接器或珠寶。錄或錄合金層亦可 塗覆在聚合物材料上。 電鍍銀絲之方法亦可使料製造太陽能電池之光伏 產業’如電流轨道之形成。在電流軌道之形成中，半導體 晶圓係經掺雜以形成p/n接面1晶圓通常係在晶圓之p+ 95355 g 201226636 掺雜射極層側上塗覆有SisN4抗反射層。然後使用一種或多 種已知之習知蝕刻方法，經由曝露晶圓之p+掺雜射極層之 抗反射層圖案化電流軌道。可在發光層之電流執道上沉積 鎳晶種層。可藉由技藝中已知之任何習知鎳沉積法沉積鎳 晶種層（seed layer)。鎳晶種層通常係藉由光辅助孓鎳沉 積法予以沉積。若鎳的來源為無電式錄組成物，則在不需 施加外部電流下進行電鍍。若鎳的來源係來自電解式錦組 成物’則對半導體晶圓基板施加後侧電位（整流器）。電流 密度範圍可為〇. 1 A/dm2至2 A/dm2。光源包含，但不限於， 可見光、IR、UV及X-光。 藉由以光能量照射半導體晶圓的前面，電錢發生在射 極層上。入射之光能量在半導體中產生電流。通常沉積2〇咖 至300nm厚度之鎳層。 在鎳晶種層沉積後，立刻沉積銀底鍍相鄰於鎳。通常， 在鎳鍍覆後以短於一分鐘，更常見為，在鎳沉積後短於3〇 秒，最常見為1至3〇秒，沉積銀。若銀未在錄沉積後之短 時間内鍍覆在鎳上，則鎳變得鈍化而必須在銀鍍覆之前予 以活化。鈍化為描述金屬層對鍍覆具抗性的一般用語。當 在鈍化金屬上發生鍍覆時，鈍化金屬與沉積於其上之金; 間的黏著性不良而且不可靠。沉積之金屬通常可輕易地自 鈍化金屬_。因此，高度希望在鎳鍍覆後—分鐘或更短 時間内在鎳上沉積銀，否則可能需要活化步驟 銀間之可靠黏著性。 风辣，、 銀底鍍可藉由光引發電鍍⑽)或習知銀電鍍予以沉 95355

SS 9 201226636 積。通常，圖案化之半導體晶圓浸沒在含於鍍覆槽（piating cell)中之銀組成物中。半導體晶圓之後側連接至外部電流 的來源（整流器）。放置在銀鍍覆組成物中之銀陽極連接炱 整流器，使得在元件之間形成完全的電路。電流密度為〇. 1 A/dm2 至 2 A/dm2 或如 〇·2 A/dm2 至 1 A/dm2 6 光源經設置以利用光能量照射半導體晶圓。光源町 為，例如’提供對半導體晶圓為光伏敏感 (photovoltaically sensitive)之波長範圍内的能量之螢 光燈或LED燈。可使用各式各樣之其他光源如，但不限於， 白熾燈如75瓦及250瓦燈、汞燈、函素燈及丨5〇瓦IR燈。 在銀金屬於相鄰於鎳沉積後，將半導體燒結以形成矽 化鎳。在銀沉積至鎳表面上時進行燒結以改良銀與鎳間之 黏著性。在銀鍍覆於鎳上時之燒結擴大燒結窗（wind〇w)。 易s之，燒結可在既定峰值溫度較習知製程延長以提供鎳 與矽間之改良黏結，而不必擔心損傷晶圓。在使半導體於 既疋μ度在烘箱中保持太長時間之習知製程中，可能造成 2太過深度擴散至晶圓中而穿過射極層因而造成晶圓分 ’:鎳與矽間之改良黏結降低矽化鎳與銀間之黏著失敗的 可能性二再者，銀不會因燒結溫度而併入矽化物中，因此 銀保4鎳以避免在燒結期間氧化的情況下形成石夕化錄。 可使用提供38Gt：或更高或者至55Qt之晶圓峰值溫 ，的火爐。不使用超過65(rc之峰值溫度，因為在該種高 溫下石夕化錦與二魏_會形成。不希望形成二石夕化錦， 因為其具有降.低半導體晶圓中之電流流動之高接觸電阻。 95355

S 10 201226636 峰值溫度㈣間範圍通常為2秒至2Q秒。適合之火爐的實 例為燈型之火爐（IR)。 由於銀層保護鎳以免於在燒結期間氧化，故可在如與 惰性氣體氛圍或真空相反之含氧環境進行燒結。因此，省 去hit或真空環境中燒結所需之步驟和設備以及該種程序 所需之昂責裝置。又，特定惰性氣體的省去進一步降低燒 結製程的成本及複雜度。通常，進行燒結3分鐘至1〇分鐘。 半導體通過火爐時的線速度可視所使用之火爐而變。可進 行小實驗（minor experimentation)以決定適當的線速 度。線速度通常為330 cm/分鐘至430 cm/分鐘。 此方法提供對沉積在含鎳基板上之額外銀層具有良好 黏著性之銀底錢層。此外，鑛覆在銀底鍵上之後續的銀層 具有鏡面光亮加工。因為此銀電鍍溶液不含氰化物，故其 消除許多習知銀電鍍溶液的毒性危險且環保。此等方法及 銀電鍍溶液可使用於在裝飾應用、電子應用以及光伏應用 t之含鎳基板上沉積鏡面光亮銀層。其亦可使用於在光伏 裝置之電流執道形成中形成矽化鎳。 包含下述實施例以說明本發明，但不意欲侷限本發明 的範圍。 實施例1 製備如下表所示之銀底鍍水溶液。 11 95355 201226636 表1 成分 用量 銀離子，5, 5-二甲基乙内醯脲銀 1 g/L 5, 5-二甲基乙内醯脲 TO g/L 續胺酸 35 g/L 氫氧化鉀 30 g/L pH 9. 5 以銀底鑛溶液電鑛六個預鍍鎳之銅測試板50x50mm。 將各測試板放置在含上表1之銀底鍍之分開的電鍍溶液 中。此等測試板作為陰極且使用白金鈦網電極作為陽極。 將陰極，銀底鍍溶液及陽極結合，電氣連通提供電流來源 之習知整流器。於0. 5 A/dm2之電流密度進行電鍍20秒。 在各測試板上沉積0. 1 y m厚度之銀底鍍層。 在銀底鍍相鄰於鎳電鍍後，於室溫以去離子水沖洗鍍 覆銀之測試板。然後由含下表2中之成分之銀電鍍溶液， 於測試板電鍍額外5 μ m銀層。於5 A/dm2下進行電鍍。 12 95355 201226636

表2 成分 用量 銀離子，5, 5-二曱基乙内醯脲銀 40 g/L 5, 5-二甲基乙内醯脲 70 g/L 磺胺酸 35 g/L 氩氧化鉀 30 g/L 顆粒細化劑 1 g/L pH 9. 5 溫度 60°C 於室溫以去離子水沖洗電鍍銀之測試板再風乾。然後 測試各電鍍銀之板之銀層對鎳表面的黏著性。使用ASTM B571，劃線-格框及膠帶試驗（ASTMB571，Scribe-Grid and Tape Test)進行黏著性測試。將膠帶貼附至各測試板之銀 層再自測試板撕下。沒有任何膠帶測試樣品顯示在膠帶上 有任何可觀察到之銀沉積物；然而，在所有測試板上之銀 表面具有暗淡成乳白色之外觀。 實施例2 製備如下表所示之銀底鍵水溶液。 13 95355 201226636 表3 ---— 成分 用量 銀離_子，5,5_二甲基乙内醯脲鉬 1 g/L 5, 5-—甲基乙内醯脲 70 g/L 磺胺酸 - 35 g/L 氣氧化钾 30 g/L 20 g/L pH ^- 9. 5 μ跟厄鍍洛狹電鍍六個預鍍鎳之銅測試板5〇x5〇mm。 由各測試板放置在含上表3之銀底鑛之分開的電鍛溶液 。此等職板作為陰極且使用白金鈦網電極作為陽極。 底鍵溶液及陽極結合，電氣連通提供電流來源 器。於0.5A/dm2之電流密度進行電錢2〇秒。 在各測趣上沉積0.1_厚度之銀歧層。 在銀底組目鄰於鎳魏後m叫料水沖洗辦 覆銀之測試板。然後由如實施例i中之表 ^ 溶液，於測試板電鍍額外5/zm銀層。 電錦 於室溫以去離子水沖洗電鑛銀之測試板再風乾。 測試各電祕之板之銀層對絲㈣黏著性。使用 b57i ’劃線-格框及膠帶試驗進㈣著性，。將膠帶貼附 ^各測試板之銀層再自測試減下。沒_何膠帶測試樣 叩顯示在膠帶上有任何可觀察到之銀沉積物。 著性結果外’銀沉積物的表面亦具有鏡面光“觀广此』 95355 201226636 上述實施例1中之銀沉積物更為改良。 實施例3 製備如下表所示之銀底鐘水溶液。 表4 成分 用量 銀離子，丁二醯亞胺銀 1 g/L 丁二醯亞胺 70 g/L 甲燒石黃酸 2 g/L 氫氧化鉀 調整pH至9. 5 溫度 25t 以銀底鍍溶液電鍍六個預鍍鎳之銅測試板50x50丽。 將各測試板放置在含上表4之銀底鍍之分開的電鍍溶液 中。此等測試板作為陰極且使用白金鈦網電極作為陽極。 將陰極，銀底鍍溶液及陽極結合，電氣連通提供電流來源 之習知整流器。於0. 5 A/dm2之電流密度進行電鍍20秒。 在各鎳測試板上沉積0. lym厚度之銀底鍍層。 在銀底鍍相鄰於鎳電鍍後，於室溫以去離子水沖洗鍍 覆銀之測試板。然後由含丁二醯亞胺銀之銀之銀電鍍溶液 於測試板電鍍額外5# m銀層。使用來電鍍額外銀層之銀電 鍍溶液包含下表5中之成分。 15 95355 201226636

表5 成分 用量 銀離子，丁二醢亞胺銀 40 g/L 丁二醯亞胺 70 g/L 甲烷磺酸 2 g/L 顆粒細化劑 1 g/L 氳氧化鉀 調整pH至9. 5 溫度 30°C 於室溫以去離子水沖洗電鍍銀之測試板再風乾。然後 測試各電鍍銀之板之銀層對鎳表面的黏著性。使用ASTM B571，劃線-格框及膠帶試驗進行黏著性測試。將膠帶貼附 至各測試板之銀層再自測試板撕下。沒有任何膠帶測試樣 品顯示在膠帶上有任何可觀察到之銀沉積物；然而，在所 有測試板上之銀表面具有暗淡成乳白色之外觀。 實施例4 製備如下表所示之銀底鍵水溶液。

16 95355 S 201226636 成分 ------- 用量 銀離子，丁二醯亞胺銀 1 g/L 丁二醯亞胺 • -- 70 g/L 曱烷磺酸 2 g/L 氫氧化鉀 30 g/L 硝酸鉀 — . 20 g/L pH ---- 9. 5 以銀底鐘溶液電鑛六個預鍵鎳之銅測試板50x50mm。 將各測4板放置在含上表6之銀底錢之分開的電錢溶液 中。此等部份作為陰極且使用白金鈦網電極作為陽極。將 陰極，銀底麟液及陽極結合，電氣連通提供電流來源之 習知整流器。於〇. 5 Α/“之電流密度進行電鍍20秒。在 各錄測試板上沉積〇.—厚度之銀底鑛層。 在 在銀底鍍_於鎳電職’於室溫以 =之測試板。然後由如實施例3中之表5所示之= 洛夜於測試板電_外5/zm銀層。 、又 測試:iC洗電鍍銀之測試板再風乾。然後 至各測驗進行黏著性測試。將膠帶㈣ 品顯示在4::測試板撕下。沒有任何膠帶侧 著性結果何可觀察到之銀沉積物。除了良好泰 銀/儿積物的表面亦具有鏡面光亮外觀。此tt 95355 .17 201226636 上述實施例1及3中之銀沉積物更為改良。 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無0

18 95355 S

Claims (1)

1. 201226636 ； 七、申請專利範圍： 1· 一種方法，包括： a) 提供包括一種或多種銀離子來源、一種或多種醢 亞胺或醯亞胺衍生物、及一種或多種驗金屬；e肖酸鹽之溶 液，該溶液不含氰化物； b) 使包括鎳之基板與該溶液接觸；以及 c) 將銀底鍍層電鍍至該鎳或鎳合金上。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包括將第二 銀層電鍍至該銀底鍍層上之步驟。 3·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該銀底鐘層為 〇· 01 /z m 至 0. 2 // m 厚。 4.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二銀層為 1 Ann 至 50 /z m 厚。 5_如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該銀底鍍層係 於0. 1 A/dm2至2 A/dm2之電流密度下電鍍。 6·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該鹼金屬硝酸 鹽為硝酸鉀及硝酸鈉。 7.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該醯亞胺係選 自丁二醯亞胺、2, 2-二甲基丁二醯亞胺、2-甲基-2-乙 基丁二醯亞胺、2-甲基丁二醯亞胺、2-乙基丁二醯亞 胺、1，1，2, 2-四曱基丁二醯亞胺、1，1，2-三甲基丁二醯 亞胺、2-丁基丁二醯亞胺、馬來醯亞胺、1-甲基-2-乙 基馬來醯亞胺、2-丁基馬來醯亞胺、1-曱基-2-乙基馬 來醯亞胺、酞醯亞胺、及酞醯亞胺衍生物。 1 95355 201226636 8.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該醯亞胺衍生 物係選自乙内醯脲、1-曱基乙内醯脲、1，3-二曱基乙内 醯脲、5, 5-二曱基乙内醯脲、1-甲醇-5, 5-二甲基乙内 醯脲、及5, 5-二苯基乙内醯脲。 95355 201226636 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：本案無圖式。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：無。 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 本案無化學式。 95355