TW201221270A - Absorbing method and apparatus for rear side laser process - Google Patents

Description

201221270 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與雷射背面加工有關，特別是關於—種雷射 背面加工吸附方法及其裝置。 【先前技術】 由於雷射背面加工能避免碎屑（Debris)的殘留，而未來 雷射加工將朝向大量生產、高解_度與大尺寸的需求，為 了朝向小線寬的尺寸邁進，亦即雷射光斑要聚焦的更小， 然而在t焦光斑越小的情況下’加工景深也會變得更小， 因此在進行捲軸式雷射製程時(Roll to Roll process，R2R)， 需搭配吸附平台使薄膜材料平面度要求落在加工景深 (DOF)之間，以避免材料沒有被雷射蝕刻乾淨或甚至雷射沒 有進行加工的問題。 然而在一般進行雷射背面加工時，尤其是針對軟性材 質基板的加工，會導致料捲彎曲或下垂，造成加工時的複 雜度與困難度’亦影響精確度，造成工時過長或是良率降 低。 基於上述問題’發明人提出了一種雷射背面加工吸附 方法及其裝置’以克服現有技術的缺陷。 【發明内容】 本發明目的在於提供一種以庫倫靜電力進行吸附並對 設置在軟性基板背面的導電薄膜進行加工，避免軟性基板 的幫曲或下垂以及加工時影響其他未加工及以加工完成的 201221270 =或進而提供加供良率的雷射背面加工吸附方法及其裝 置為包達含t目導tir係提供—種雷㈣面加工吸附裝 導甩平σ，為透明導電材質；一軟性某扼’ =也或間隔地設置在該導電平台下方；一導電薄ς，沉 連接板之一下表面；一電源，其兩端分別地電性 平台之間產生庫倫靜電力缚膜及該導電 電平么上|二：？ 雷射光源，設置在該導 電平:源產生一雷射光，依序地穿經該導 電千口、錄性基板而賴導電薄膜進行加工。 其中’該導電平台是由一玻璃基板及 成，該透明導電層設置在 層所構 隹及破璃基板的一上表面，該玻璃 二帝一 '"面鄰近該軟性基板，該電源的其中-端連接 5亥導電平台的該透明導電層。 為達上述目的’本發明另提供一種雷射背面加 置’包含：―導電平台’為透明導電材質，該導電平^ 由-玻璃基板及-透明導電層所構成，該透明導電層 基板的一上表面’該玻璃基板的一下表面“該 軟性基板’該透明導電層以飯刻或雷射加工成具有一正極 及-負極的-正貞電極結構；—軟性基板 較置在該導電平台下方；—導電薄膜，沉積在 板之-下表面；-電源’電性連接該透明導電層的 電極結構，並在該導電薄膜及該導電平台之間產生庫产靜 電力；以及-雷射光源’設置在該導電平台上方，該;射 光源產生一雷射光，依序地穿經該導電平台、該軟性^板 201221270 而對該導電薄膜進行加工。 :甘述目的’本發明更提供一種雷射背面加工吸附方 ㈣二驟包含：將—導電平台接觸地或間隔地設置在— 二；二一:方，該軟性基板的一下表面沉積有一導電薄 ' ::源的兩端分別地電性連接該導電平台盥該導電 =者=該電源電性連接該導電平台;該電源施: 轉電平台與該導電薄膜之間產生-庫倫靜 吸附錄性基板及該導電薄膜：將—雷射光源設 =°空 的上方’並激射出—雷射光，該雷射光依 工 、’查》亥導包平台、該軟性基板而對該導電薄膜進行加 $㈣該雷射光依序地穿經該導電平台、該軟性基板而 地進加之後’更包括將該電源之電壓極 歧電源停止供應電壓，令該導電平台與該導電薄 膜^_庫倫靜電力反向或者是無庫倫靜電力產生，而使 S玄導電薄膜脫離該導電平台。 【實施方式】 雖然本發明使用了幾個較佳實施例進行解釋，但是下 列圖式及具體實施方式健是本發明的較佳實_ ;應說 明的是’下面所揭示的具體實施方式僅僅是本發明的例 子，亚不表示本發明限於下列圖式及具體實施方式。 請同時參相1Α· 1B，其巾，圖1A表示本發明雷 :#面加工吸附裝置一第一貫施例未施力口電壓時的結構示 思圖’圖1B表不本發明雷射背面加卫吸附褒置該第一實施 201221270 例已施加電壓時的結構示意圖。 本實施例的雷射背面加工吸附裝置丨主要包含一導電 平台2、一軟性基板3、一導電薄膜4、—電源5及一雷射 光源6。

導電平台2為透明導電材質’由一玻璃基板21及一透 明導電層22所構成，透明導電層22可為氧化銦錫（ΪΤ〇)、 氧化紹辞（ZnAlO)、氧化辞（Ζη〇)、透明導電氧化物（tc〇) 等透明導電材料，但並不以此為限，其係設置在玻璃基板 21的一上表面’軟性基板3在玻璃基板21的下方，導電 薄膜4在軟性基板3的下表面，電源5的其中一端連接導 電平台2的透明導電層22，另一端與導電薄膜4相連接。 軟性基板3可為如聚脂(Polyester，PET)之透明樹脂材 質所製’但並不以此為限，其係設置在導電平台2下方， 導電薄膜4可為銀、銅、金、氧化銦錫（IT0)、氧化鋁辞 (ZnA10)、氧化鋅(ZnO)、透明導電氧化物（TC0)其中之一導 電材質所製’但並不以此為限’導電薄膜4是沉積在軟性 基板3之一下表面，電源5其兩端分別地電性連接導電薄 膜4及導電平台2的透明導電層22,並在導電薄獏*及導 電平台2之間產生庫倫靜電力，以使導電平台2吸附軟性 基板3 ’且由於庫侖靜電力的吸附是全面的，可避免軟性 基板3於加工時產生彎曲或下垂。 而雷射光源6設置在導電平台2上方，雷射先源6產生 一雷射光7,雷射光7的透光率大於軟性基板3與導電薄 膜4的透光率，而可依序地穿經導電平台2、軟性基板3 而聚焦至導電薄膜4以進行加工，經過導電平台2與軟性 201221270 基板3的雷射光7為離焦狀態的光斑，亦即雷射光7對軟 性基板3背面（下表面）的導電薄膜4進行加工，使加工時 產生的碎屑（Debris)直接向下掉落，避免影響到其他未加工 或是已加工完成的區域。 請同時參考圖2A及圖2B，其中，圖2A表示本發明雷 射背面加工吸附裝置一第二實施例未施加電壓時的結構示 意圖，圖2B表示本發明雷射背面加工吸附裝置該第二實施 例已施加電壓時的結構示意圖。 本實施例的雷射背面加工吸附裝置1主要包含一導電 平台2、一軟性基板3、一薄膜4、一電源5及一雷射光源 6 〇 導電平台2為透明導電材質，由一玻璃基板21及一透 明導電層22所構成，透明導電層22可為氧化銦錫（ITO)、 氧化鋁鋅（ΖηΑΙΟ)、氧化鋅（ZnO)、透明導電氧化物（TCO) 等透明導電材料，但並不以此為限，其係設置在玻璃基板 21的一上表面，軟性基板3在玻璃基板21的下方，透明 導電層22以蝕刻或雷射加工成具有一正極221及一負極 222的一正負電極結構220。 軟性基板3可為如聚脂(Polyester，PET)之透明樹脂材 質所製，但並不以此為限，其係設置在導電平台2下方， 薄膜4可為銀、銅、金、氧化銦錫、高分子聚合物其中之 一導電或非導電材質所製，但並不以此為限，薄膜4是沉 積在軟性基板3之一下表面，電源5其兩端分別地電性連 接透明導電層22之正負電極結構220的正極221與負極 222，並在薄膜4及導電平台2之間產生庫倫靜電力，以使 201221270 導電平台2吸附軟性基板3，且由於庫侖靜電力的吸附是 全面的，可避免軟性基板3於加工時產生彎曲或下垂，且 本實施例所產生之吸附力為側向力，較前一實施例所產生 的吸附力小。 而雷射光源6設置在導電平台2上方，雷射光源6產生 一雷射光7,雷射光7的透光率大於軟性基板3與導電薄 膜4的透光率，而可依序地穿經導電平台2、軟性基板3 而至導電薄膜4以進行加工，經過導電平台2與軟性基板 • 3的雷射光7為離焦狀態的光斑，亦即雷射光7對軟性基 板3背面(下表面)的導電薄膜4進行加工，使加工時產： 的碎屬（Debris)直接向下掉落，避免影響到其他未加工或是 已加工完成的區域。 請參考圖3’表示本發明雷射背面加工吸附方法的流程 第-雷射方法的結構，請參考前述 Γ:? 所示)及第二實施例(如圖2所示)的結 ，^明的雷射背面加工吸附方法，其步驟包含： 乂驟si ·將導電平台2接觸地或間隔地設置在軟性基 軟性基板3的下表_積有導電 卜驟S2 .將電源5的兩端分別地電性連接導電平二2 薄膜4(如圖1所示之結構，步驟‘， 或者疋將電源5電性連接導電平台 極結構220的正極221與負極222 、 示之結構，步驟叫· 22’如圖2所 201221270 V驟S3 .―電源5施加一電壓後，在導電平台2與導電 4膜4之間一庫倫靜電力，以吸附軟性基板3 及導電薄膜4 ; 步驟S4 :將雷射光源6設置在導電平台2的上方，並 ，射出雷射光7,雷射光7依序地穿經導電平 台2、軟性基板3而聚焦至導電薄膜4以進行 加工。 ㈣道Φ f射光7的波長小於__咖，且 台，軟性基板3的雷射光7為離焦狀態的光 在加工元成後，更具有步驟5 性反向或電源5停止供庫雷壓ρ道步笔原之電堡極 4之間的庫倫靜電力電平台2與導電薄膜 電薄膜4脫離4=或==電力產生’而使導 板3輸送到下-加工^/方便將導電薄膜4及軟性基 電平=圖4B，其f，圖4A表示本發明導 ，穿透率的曲線圖，圖4B表示本發明 電溥膜光波長相對應穿透率的曲線圖。 2的穿t t可看出’ #光波長到達約355nm時，導電平台

3、率已大於7〇%，而由圖仙J ==;?3與導電薄膜4的穿透率二 性基板3之之雷料7對設置在軟 二反之月面（下表面）的導電薄膜4進行雷射加工。 亡述結構及方法’將電源5物施加在導電平二 =電薄膜4,或者是導電平台2 在導電:】 負電極結構η。的正極221與負極222，使導電== 10 201221270 導電薄膜4之間以產生庫倫靜電力，對軟性基板3與導電 薄膜4進行吸附，且由於庫侖靜電力的吸附是全面的，可 避免軟性基板3於加工時產生彎曲或下垂；再者，由於導 電薄膜4設置在軟性基板3之背面（下表面），且雷射光源6 的雷射光7是經由導電平台2及軟性基板3而至導電薄膜 4，使對導電薄膜4加工時所產生的碎屑（Debris)向下掉落， 而不致於影響到其他未加工或是已加工完成的區域，進而 提高加工良率。 雖然本發明以相關的較佳實施例進行解釋，但是這並 不構成對本發明的限制。應說明的是，本領域的技術人員 根據本發明的思想能夠構造出很多其他類似實施例，這些 均在本發明的保護範圍之中。 201221270 【圖式簡單說明】 圖1A表不本發明雷射背面加工吸附裝置一第一實施例未 施加電壓時的結構示意圖。 圖1B表不本發明雷射背面加工吸附裝置該第一實施例已 施加電壓時的結構示意圖。 囷 表示本發明雷射背面加工吸附裝置一第二實施例未 施加電壓時的結構示意圖。 圖2B表示本發明雷射背面加工吸附裝置該第二實施例已 施加電壓時的結構示意圖。 圖3表不本發明雷射背面加工吸附方法的流程圖。 圖4A表示本發明導電平台中光波長相對應穿透率的曲線 圖。 圖4B表#本發明軟性基板與導電薄膜光波長相對應穿透 率的曲線圖。 【主要元件符號說明】.. 1 雷射背面加工吸附裝置 2 導電平台 21 玻璃基板 22 透明導電層 220 正負電極結構 221 正極 222 負極 3 軟性基板 4 導電薄膜 12 201221270 5 電源 6 雷射光源 7 雷射光 步驟S1〜S5依據本發明的雷射背面加工方法 13

Claims (1)

1. 201221270 七、申請專利範圍： 1、 一種雷射背面加工吸附裝置，包含： 一導電平台’為透明導電材質； —軟性基板’設置在該導電平台下方； —導電薄膜，沉積在該軟性基板之一下表面；以及 、/電源，其兩端分別地電性連接該導電薄膜及該導 電平台，並在該導電薄膜及該導電平台之間產生庫倫靜 電力。 2、 如申請專利範圍第1項所述的雷射背面加吸附裝置， 更包括一雷射光源，設置在該導電平台上方，該雷射光 源產生一雷射光，依序地穿經該導電平台、該軟性X板 而對該導電薄膜進行加工。 士申明專利範圍第1項所述的雷射背面加工吸附裝置， /、中亥導電平台疋由一玻璃基板及一透明導電層所構 成’該透明導電層係為氧化銦錫、氧化贿、氧化結或 透明導電氧化物所製成，設置在該玻璃基板的一上表 面’该軟性基板在該玻读基板下方，該電源的其中一端 連接該導電平台的該透料電層，另—端與該導電薄膜 相連接。 4、如申請專利範圍第i項所述的雷射背面加卫吸附裝置， 其中，該導電薄膜係由銀、銅、金、氧化銦錫其中之一 導電材質所製。 士申β專利Ιϋ圍第3項所述的雷射背面加卫吸附裝置， 其中，該軟性基板為透明樹脂材質所製，至少包括聚酉旨 (Polyester，PET)材質。 14 201221270 6 如申請專利範圍第1項所述的雷射背面加工吸附裝置， 其中’ δ亥雷射光的波長小於1 〇〇〇〇〇nm。 7 如申請專利範圍第1項所述的雷射背面加工吸附裝置， 其中，該雷射光的透光率大於該軟性基板與該導電薄膜 的透光率。 8、_ 一種雷射背面加工吸附裝置，包含： 一導電平台，為透明導電材質，該導電平台是由一 玻璃基板及一透明導電層所構成，該透明導電層係由氧 =銦錫、氧化料、氧偏g或透明導電氧化物所製成， 設置在該玻璃基板的一上表面，該透明導電層以蝕刻或 雷射加工成一正負電極結構； 一軟性基板，設置在該導電平台下方； 一薄膜，沉積在該軟性基板之一下表面；以及 一電源，電性連接該正負電極結構，並在該導電薄 膜及該導電平台之間產生庫倫靜電力。 9、如申請專利範圍第8項所述的雷射背面加工吸附裝置， 更包括一雷射光源，設置在該導電平台上方，該雷射光 源產生-f射光’依序地穿經料電平台、該軟性基板 而對該導電薄膜進行加工。· 心如申請專利範圍第8項所述的雷射背面加p及附裝置， f中’该薄膜係由銀、銅、金、氧化銦錫、氧化鋁鋅、 氧化鋅或透明導電氧化物、高分子聚合物其中之 或非導電材料所製。 1如申晴專利範圍第8項所述的雷射背面加卫吸附裝置， 其中’該軟性基板為透明樹脂材質所製，至少包括聚醋 15 201221270 (Polyester，PET)材質。 12、 如申請專利範圍第8項 里中，j + + 述的雷射背面加工吸附裝置， ，、中，该雷射先的波長小於1〇〇〇〇〇nm。 13、 如申:專利範圍“項所述的雷射背面加 ί膜射光的透光率大於該軟性基板與該導Ϊ 14、 -種雷射背面加工吸附方法，其步驟包含： 將導電平台設置在—軟性基 下表面沉積有一導電薄膜；社方編基板的— 薄膜將：Γ!的兩端分別地電性連接該導電平台與該導電 '、或者是將該電源電性連接該導電平台；以及 =_加—電顯，在料電平台與科電薄膜 力’以吸附該軟性基板及該導電薄膜。 :如申請專利範圍第14項所述的雷射背面加工吸附方 ^更包括將-雷射光源設置在該導電平台的上方 2出1射S，該雷射級序地穿賴導電平台、該 幸人性基板而對該導電薄膜進行加工。 °Λ 16、法如申：專利範圍* 14項所述的雷射背面加工吸附方 ς中1虽5亥電源的兩端分別地電性連接該導電平台 雷電薄膜’該導電平台是由一玻璃基板及一透明導 構成，該透明導電層係由氧化銦錫、氧化紹鋅、 或透明導電氧化物所製成，設置在該玻璃基板的 —Φ 5亥軟性基板在該玻項基板的下S，該電源的 導二==導電平台的該透明導電層，另一端與該 201221270 17、如申請專利範圍第μ ，由其中，當該電源電性連接該面::吸附方 疋由-破璃基板及-透明導電 ’料電平台 設置在該玻璃基板的—上 '斤構成，該透明導電層 鄰近該軟性基板，該透明導居5亥破場基板的—下表面 正負電極結構，該電源電 電極結構。 ^連接錢明導電層的該正負 18、如申請專利範圍第14項 法，f cb »$ 、之的詒射背面加工吸附方 法其中’该導電薄膜係由銀、寸： 製。手氧化鋅戍透明導電氧化物其中之一導電材質所 範圍第14項所述的雷射背面加工吸附方 八°亥权性基板為透明樹脂材質所製，至少包括 聚酯（Polyester，PET)材質。 2〇、如申請專利範圍第14項所述的雷射背面加工吸附方 忐，其中，該雷射光的波長小於1〇〇〇〇〇nm。 、、如中請專利範圍第14項所述的雷射背面加卫吸附方 法其中，忒雷射光的透光率大於該軟性基板虚該導電 薄獏的透光率。 八 22 、、如申請專利範圍® Η項所述的雷射背面加工吸附方 法，其中，該雷射光依序地穿經該導電平台、該軟性基 板而至邊導電薄膜以進行加工之後，更包括將該電源之 電壓極性反向或該電源停止供應電壓，令該導電平台與 忒導電薄膜之間的庫倫靜電力反向或無庫倫靜電力產 生’而使該導電薄膜脫離該導電平台。 17