TW201218435A - Light emitting diode (LED) package and method of fabrication - Google Patents

Light emitting diode (LED) package and method of fabrication Download PDF

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Chung-Che Dan
Yuan-Hsiao Chang
Hung-Jen Kao
Chen-Fu Chu
Hao-Chun Cheng
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Description

201218435 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭露内容大體上係關於光電元件，更具體而言為發光二極 體(LED，light emitting diode)封裝’以及製造發光二極體(乙£〇)封穿 的方法。 、 【先前技術】
發光二極體(LED)封裝可包括基板、安置在基板上的發光二極 體(LED)晶粒，以及封住晶粒的圓罩或透鏡。圓罩可由透明^材料 如聚合物樹脂)構成，其形成通常是使用射出成型製程或壓縮成型 製程。可在由多個基板構成的晶圓上執行這些壓模製程 process)，其中各個基板上至少安置有—個發光二極體 S 粒;在壓模製程之後，可將晶圓分成單顆的個別發光二極體(Lg 麵製程力-錄K其難叫止聚合物魅在上 要的區域巾形成。舉例來說，聚合物樹脂會覆蓋晶圓上 而 的區域，、以及在個別基板上透明圓罩外侧的區域。 ^ : 具没計或模具溢料造成。不f要的聚合物樹脂會 、 ΓΓΓϊΐ程造成㈣將，並會造細奸基板絲2 要針對圓罩尺寸與放射圖案而有—個特定cm;:， 需要許多模具。 /、使侍知生產線 本揭露内容係關注發光二極體(LED)封裝 ’解決和具有由壓模製程所製造圓仏= 【發明内容】 -種發光二極體(LED)封純含：—基板 f光二極擊D)晶粒；該基板上的—框架；接合 201218435 體(LED)晶粒與絲板m以及—透關罩，其係配置作為 封住該發光二極體(LED)晶粒的一透鏡。該框架最好由透明材料 成，且以期望的高度與周邊形狀形成在該基板上，該框架係配置 成定^、支撐與形塑該透明圓罩.。舉例來說，該框架的周邊形狀 可為環形、多邊形、橢圓形、花生形、或印形，其圍住該發光二 極體(LED)晶粒。除此之外’無論是單個發光二極體(LED)“i 多個發光二極體(led)晶粒，皆可由該框架圍住並由該透明圓 住。另外，該發光二極體_)晶粒亦可包括一波長轉; 另-替代方案’具有不狀寸與發光·的乡悔光二極 晶粒可由該框架圍住並由該透明圓罩封住。 種製造發光二極體(LED)封裝的方法，包括下列步驟：設置 一基板;在該基板上形成一框架；靠近該框架將一發光二極體 結至該基板上；打線接合—導線隸發光二極體(led)晶粒 /、該基板；以及施加-透明密封材料至該框架上，用以形 邊發光^極體(LED)晶粒的一透明圓罩和透鏡。該基板可包含在一 圓上’以致可執行―0日日®級製造製程^在該施加步驟期間， ^框架提供-屏障，用嫌繼密封材料並形成刻I的外 丄形狀。此容許以點膠製程(dispensi ==罩可包括以下步驟:丄光· j上形成-波長轉換層。作為另—替代方案，該方法可包括以 ΙίΞ該ϊΐ多個發光二_(LED)晶粒至該基板上，並在該晶粒 【實施方式】 安置i2Afj^發光二極體(LED賊1G包括：基板U ; =置^板2上的發光二極體(LED)晶粒14;基板12上的 ，接5至卷光二極體(LED)晶粒14與基板12的導線 透明其係配置作細住發光二極雖ED)晶粒 呈土板2(圖1A與1B)係作為一安置基板，並亦裝借電' J )、電極(未呈現)與電路(未呈現），用以電氣連接發光二極體 201218435 =D)封裝10和外界。基板12可為如所示的扁平形狀 ’或是為凸 于、此之外，基板12可包括反射層（未呈現)以提高光萃 。土板、可由石夕、或其他半導體材料(如GaAs、SiC、GaP、GaN =Ai^)構成。或者’基板12可由以下所列構成.喊材料、藍寶 璃印刷電路板(PCB)材料、金屬芯印刷電路板(MCpCB， _ punted circuit board)、FR-4 印刷電路板(PCB)、金屬基複 ，物、金料_、機導線架 '絲板、或本技術領域所用的 3封裝基板。另外，基板12可由單層金屬或金屬合金層構成， 或疋由如下所列的多層構成：Si、AIN、SiC、AlSiC、鑽石、MMC、 石墨、A1、Cu、Νι、Fe、Mo、CuW、CuMo、氧化銅、藍寶石、 玻璃：陶兗、金屬、或金屬合金。在任何情況中，基板12的操作 溫度範圍最好介於約6〇°C至35CPC。 基板12(圖1A與1B)可為任何多邊形的形狀(如正方形、矩形) 與任何適合的尺寸。舉絲說，基板12可為晶粒尺寸，以致發光 二極體(LED)封裝1〇具有和；級封裝(csp，ehip _ paekage)相 似的晶片級尺寸。或者，基板12可為晶圓尺寸，以設置具有數個 务光一極體(LED)晶粒14的晶圓級系統。另外，基板12可具有期 望的厚度’以35 μπι至3000 μπι為代表。除此之外，基板12包括 和^體(未王現)電氣連通的基板接點22，以及在基板12上的終端 接點(未呈現）’用以配置成電氣連接至母板、電路板或其他用來安 置與電氣連接LED系統中的發光二極體(led)封裝1〇之支撐基板 (未呈現）。 發光二極體(LED)晶粒14(圖1A與1B)可由使用熟知製程所製 造的習知LED構成。發光二極體(LED)晶粒14的峰值波長最好介 於約250 nm至2000 nm。可向位在愛達荷州波夕市(B〇ise)與中華 民國台灣苗栗縣的旭明光電(SEMILEDS, INC)洽詢適用的^光二 極體(LED)Bb粒商。口。發光一極體(LED)晶粒14包括晶粒接點24， 且可打線接合導線18至晶粒接點24與基板12上的基板接點22。 除此之外’可使用黏晶黏合層（未呈現)或其他合適的黏結系統(如 知料)來將發光一極體(LED)晶粒14電氣黏結至基板12上的電極 201218435 (未呈現）。 上的與^)最料細合適沉觀程沉積在基板12 氧樹月匕、。適&框架16的材料包括聚合物材料，例如環 :真料？以降低熱膨以二==: =======框㈣柯㈣酸、 Γ：：Τ， 士由金==== …主成框架16(圖1Α與1Β)的製程包括^轉塗佈、微影、 ^貝= ^atmg)、使用材料點㈣統之轉(dispensing)、印 -二2霧：化學氣相沉積(CVD)、熱蒸鍵、電子束基i轉 可们6可由單層材料或多層材料構成。並且，框 極體(LBD)晶粒14。適人_ 16 狀取好要圍住發光二 麵形、花生形、4 形矩形）。轉16的寬度、長度與紐可如“二:，m μιη至3000 μιη為代表。框架16在基板 '”、 需來作，謂丨μιη至期_為餘、度妨度亦可如所 透明圓罩20(圖1Α與1Β)係作為封住 ;氧樹菸 的沉積製程如__、.a膠、麵轉 ί===罩2。，尤其二= 201218435 表1 LED晶片尺寸(L) 最小為0.15 mm 透鏡直徑(D) 最小為(L) X 1.5 透鏡深度(H) 最大為(D) X 1.0 其他 可採底切形狀 參照圖2，一替代性實施例之發光二極體(LED)封裝ι〇Α包 括：基板12A ;安置在基板12A上的數個發光二極體(LED)晶粒 14A ;基板12A上的框架16A ;以及透明圓罩20A，其係配置作 為封住發光二極體(LED)晶粒14A的透鏡。為求簡化，並未呈現連 接發光·一極體(LED)晶粒14A和基板12A的導線。 參照圖3，一替代性實施例之發光二極體(LED)封裝1〇B包 括：基板12B ;安置在基板12B上且具有不同放射特性(例如峰值 放射)的數個發光二極體(LED)晶粒14B ;基板12B上的框架16B ; 以及透明圓罩20B，其係配置作為封住發光二極體(LED)晶粒14B 的透鏡。為求簡化’並未呈現連接發光二極體(LED)晶粒14B和基 板12B的導線。除此之外’發光二極體(LED)晶粒14B係圖示成 具有紅、綠與藍光放射特性。然而，亦可作其他安排。除此之外， 發光二極體(LED)晶粒14B可具有相同或不同的操作電流，且可個 別控巧。另外，可並聯或串聯發光二極體(LED)晶粒14B。 參照圖4，一替代性實施例之發光二極體(LED)封裝1〇(：包 括：基板12C ;安置在基板12C上且具有波長轉換層26(：的發光 二極體(LED)晶粒HC ;基板12C上的框架16C ;以及透明圓罩 ’其係配置作為封住發光二極體(LED)晶粒14C的透鏡。為求 簡化’並未呈現連接發光二極體(LED)晶粒14C和基板12C的導 線。波長轉換層26C T由樹脂為基質的螢光材料構成，用以轉換 或調整發光二極體(LED)晶粒14C的發光波長。 .麥知、圖5，一替代性實施例之發光二極體(LED)封裝l〇D包 ΐ 安置在12D上且至少其中一個具有波長轉換 層26D的數個發光二極體(LED)晶粒14D ;基板12D上的框架 201218435 16D ;以及透明圓罩20D，其係配置作為封住發光二極體(LED)晶 粒14D的透鏡。為求簡化，並未呈現連接發光二極體(led)晶粒 14D和基板12D的導線。波長轉換層26D可由填光體為其曾的好 料構成’用以轉換或調整發光二極體(LED)晶粒14D的發^波長。 參照圖6，-替代性實補之晶圓尺相發光二 裝10W包括：晶圓尺'寸的基板12W ;安置在基板12w上的數個 發光二極體(LED)晶粒14W ;基板12W上的複數個框架;配 置作為封住發光一極體(LED)晶粒14W的透鏡之數個透明圓罩 2〇γ。aB圓尺寸的基板12W可由晶圓構成，例如15〇 mm直徑的 晶圓、200 mm直徑的晶圓或300 mm直徑的晶圓。晶圓尺寸的基 板12W亦可由具有期望尺寸與周邊形狀的晶圓或面板之部分構 成。除此之外，發光二極雔(LED)晶粒14W可具有相同或不同的 放射特性。除此之外，一個以上的發光二極體①ED)晶粒14w可 具有波長轉換層。 參照圖7A-7E，其圖示發光二極體(LED)封裝1〇製造方法的 J驟。可使用本質上_的步驟來製造替代性實施例之發光二桎 -(^ED)封裝i〇A-l〇D與10W。首先，如圖7A所示，可設置由數 板、12.構成的晶®28。晶® 28可由具有鮮餘與全厚度之 :體晶圓構成。或者，晶® 28可由薄半導體晶圓構成。 的代表性厚度可介於35叫至3000 μηι。晶圓28可包括 Υ化圖案(未呈現)，包括所需的基板接點22(圖1Β)、導體(未 船 '灭：、ί極(未呈現金屬化圖案係可使用熟知的製程來形成， 例如^餘(透過光罩沉積)或職製程(透過光罩侧）。 個框ί=m ’可執行轉形成步驟以在晶8128上形成數 括=在基板η上具撕位置、周 係、料旦的祀木6。適合形成框架16的方法包括旋轉塗 喷涂、、二fff·膜、使用材料點膠系統之點膝、印刷、喷射、 個^加目沉積(CVD)、熱蒸鑛與電子束蒸鑛。除此之外，各 粒，二同成圍住單個發光二極體(led)晶粒14、或多個晶 如问先前於替代性實施例職10A、10B、動所述。如先前 8 201218435 所述’適合框架16的周邊形狀包括環形 形、㈣、正方形、矩形與長方形。另卜，g16 止花生 述的材料構成，包括聚合物、環_旨卜、由=前所 英、阻劑或金屬。 κ /乳树知、玻璃、石 接著’如圖7Β所示，可執行晶粒安 板12上’並和晶圓28上的電極了未ίί (bumping)製程或銀環氧樹脂固化製程，用以接合i= 可由使用熟知製程所製造之習^ 體卿)晶粒14 荷州波夕市(B〇ise声中華民國_ 1 可向位在愛達 INC)洽，合的L)EDt^^r田___隱職 後所示，可執行打線接合步驟，用以打線接合導 L上的其X；feiT極體(LED)晶粒14上的晶粒接點24(圖1B)與基板 線接人^ H(圖1B)。可制習知的打線接合設備來執行打 換声Gh 4、H，在打雜合倾之誠之後，可沉積波長轉 = 或（圖5)在發光二極體_晶粒14上，用以形 裝10C(圖4)或10D (圖5)。可使用合適的製程
^、ίίίΪ換f叫圖4)或細(圖5)，例如精密點膠、精密沖 &精狯噴射、喷塗、點膠與網版印刷，並接著在60至350 °C 層：外’嶋換層26C(圖獅(圖5)可由 曰著，如圖7〇所不，可執行施加步驟以在發光二極體(LED) 14&上形成透明圓罩2〇。透明圓罩2〇可由透明材料構成，例 氧樹脂、環紐脂、聚酸亞胺、娜或玻璃。在透鏡形成 間，框架16係配置成定位、支撐與形塑透明圓罩20。可使 的沉積製程來形成透明圓罩20,例如網版印刷、精密點膠、 / 1：或噴射。在施加步驟之後，可使用合適的製程來固化透明圓 罩’例如加熱固化或UV固化。 接著，如圖7E所示’可執行單顆化步驟以把晶圓28分成數 201218435 個發光二極輝卿封们ο。在本技娜域巾亦鮮顆化製程為 切割(dicing)。單顆化步驟的執行可使用下列製程:例如雷射、J 切、水刀(water jetting)、钱刻或刻劃與折斷， 別的發光二極體(LED)封裝1〇。 曰刀「幵:nu 8，尸1針對圖職的方法之流程圖。流程A描 述基本方法。&程B描述在打線接合步驟之前，施力。波長轉換層 26C(圖4)或26D(iI 5)的方法。流程c描述在打線接合後， 施加波長轉換層26C(圖4)或26D(圖5)的方法。 因此，本揭露内容描述改良的發光二極體(LED)封裝及盆 方法。雖然上文已論雜個*範性實施態樣 ^ 與此後所引的中請專利範圍係欲解讀成包括所有在 其真貝精神與範疇中的修正、置換、新增與次組合。 【圖式簡單說明】 州ff性實施例係圖示於圖式的參照圖形中。此處所揭露的實 把例與圖形欲被視作說明用而非限制。 、 圖1A為發光二極體(LED)封裝之示意 與透明圓罩； 有[木 圖1B爲圖1A的發光二極體(LED)封裝之示意平面圖； 圖 ，2為發光二極體(LED)封裝的一替代性實施例之示音 其具有多個晶粒； 1 圖 ，3為發光二極體(LED)封裝的一替代性實施例之示意 /、具有不同發光特性的多個晶粒； 一 —圖#4為發光二極體阳13)封裝的—替代性實施例之示意樺剖 面圖’其具有波長轉換層的單個晶粒； 八 ，5為發光二極體(LED)封裝的—替代性實施例之示意 圖’，、具有乡個晶粒’其+包括具有波長轉換層的單個晶粒； j 6為晶圓尺寸的發光二極體(LED)封裝的一替代性實施 之不思平面圖，其具有多個框架、晶粒與透明圓罩； 10 201218435 圖7A-7E為示意橫剖面圖，圖示發光二極體封裝製造方法的 步驟； 圖8為流程圖，圖示該方法的不同流程。 【主要元件符號說明】 10、10A、10B、10C、10D、10W 發光二極體(LED)封裝 12、12A、12B、12C、12D、12W 基板 14、14A、14B、14C、14D、14W 晶粒 16、16A、16B、16C、16D、16W 框架 18導線 20、20A、20B、20C、20D、20W 透明圓罩 22基板接點 24晶粒接點 26C、26D波長轉換層 28晶圓 30溝槽 11

Claims (1)

  1. 201218435 七、申請專利範圍·· 1. 一種製造發光二極體(LED)封裝的方法，包含： 設置一基板； 在該基板上形成一框架； 靠近該框架將—發光二極體(LED)晶粒黏結至該基板上； 1線接合一導線至該發光二極體(LED)晶粒與該基板；以及 知加透明雄、封材料至該框架上，用以形成封住該發光二極 體(LED)晶粒的一透明圓罩和透鏡。 2. =申請專利範圍第1項之製造發光二極體(LED)封裝的方法，其 中5亥框架具有一周邊形狀，配置成圍住該發光二極體(LED)晶粒， 以及在施加步驟期間用以定位、支撐與形塑該透明圓罩。 3. t申請專利範圍第1項之製造發光二極體(LED)封裝的方法，其 ，該黏結步驟包含黏結數個發光二極體(LED)晶粒至該基板上，且 該框架係配置成圍住該發光二極體(LED)晶粒。 4. 如申請專利範圍第3項之製造發光二極體(LED)封裝的方法，其 中該發光二極體(LED)晶粒中至少一者具有和其餘該發光二極^ (LED)晶粒不同的放射特性。 5. 如申請專利範圍第1項之製造發光二極體(LED)封裝的方法，更 包含在該施加步驟之前，在該發光二極體(LED)晶粒上形成一 轉換層。 /仅 6. 如申請專利範圍第1項之製造發光二極體(LED)封裝的方法，复 中該框架形成步驟包含由下列組合中所選之一製程：旋轉塗佈了 微影、浸潰覆膜、使用一材料點膠系統之點膠、印刷、噴g、喷 塗、化學氣相沉積(CVD)、熱蒸鍍、電子束蒸鍍與黏合。 、 201218435 7.如申請專利範圍第1項之製造發光二極體(LED)封裝的 立 中該施加步驟包含由下顺合中所選之—製程：網 ，^ 點膠、沖壓、喷塗與噴射。 丨則、精益 8·如申料娜圍第1項之製造發^^二極體(LED)封裝的方法，其 中該基板係包含在-半導體晶κ或其—部分上，該半包 含數個基板▲，且更&含在舰加步歡後，單顆化該^從該 晶圓上分離該基板。 9·一種製造發光二極體(LED)封裝的方法，包含： 設置一基板； 在該基板上形成具有一周邊形狀的一框架； 至少—個發光二極體仰〇)晶粒至由該周邊形狀所圍住 的§亥基板上；以及 施加一透明密封材料在該框架上，用以形成封住該發光二極 月豆=ED)晶粒的—透明圓罩和透鏡，該框架係配置成圍住該發光二 極體(LED)^，並在施加步驟綱用以定位、支撐與形塑^ 圓罩。 ίο.，申請翻範圍第9項之製造發光二極體(LED)縣的方法， 二中該框架的周邊形狀係由下列組合中選出其— 橢圓形、花絲、㈣、正方形、矩雜長方形。夕邊开7 ^申凊專利範11 ^ 9項之製造發光二極體(LED)雖的方法，更 步驟之前，打線接合—導線至該發光二極體(LED) 項之製造發光二極體(LED)封裝的方法 12.如申請專利範圍第9 更包含固化該透明圓罩。 13 201218435 長轉換層 13.如申睛專利範圍第9項之製造發光二極體①ED)封裝的方法， ΐΪίΐ該施加步驟之前’在該發光二極體(LED)晶粒上形成^波 M·如，請專利範圍第9項之製造發光二極體(LED)封裝的方法， 其中该黏結步驟包含黏結數個發光二極體(LED)晶粒至該美 二極體(LED)晶粒中至少一者具有和其餘該發光:極 體(LED)晶粒不同的放射特性。 15.如申請專利範m第9項之製造發光二極體(led)封裝的方法， Ϊ中該框架包含由下顺合情選之—材料：環氧伽旨、聚妙氣 ，脂、聚醯亞胺、聚對二甲苯、苯環丁烯(BCB)、聚丙_ ♦曱基丙烯酸曱酯(pjy^y^)、玻璃、石英、阻劑或金屬。 16.如申凊專利範圍第9項之製造發光HI(LED)封裝的方法， i中f框架形成步驟包含由下列組合中所選之—製程：旋轉塗 微影、，潰覆膜、使用一材料點膠系統之點勝、印刷、喷射^ 嘴塗、化學氣相沉積(CVD)、熱蒸鐘、電子束蒸鑛與黏合。 !7.如申請專利範圍g 9項之製造發光二極體(led)封裝的方法， ^該基板係包含在—半導體晶贼其—部分上，該半導體 ^數個基板’且更包含在該施加步歡後，單顆倾晶圓以從 戎晶圓上分離該基板。 18.—種發光二極體(LED)封裝，包含： 一基板； 安置在該基板上的一發光二極體(LED)晶粒； 該基板上的—框架，其係配置成圍住該發光二極體(LED)晶 一導線，其係接合至該發光二極體(LED)晶粒與該基板；以及 14 201218435 透f 一罩，其係配置作為封住該發光二極體(LED)曰触 :明圓^架係配置成在該施加步驟期間用以定』、以=; 19.如申睛專利範圍第18項之二 發光二極體(LED)晶粒，JL.安置'在^^(LE )封策，更包含數個 住的該基板上。在由该框架圍住且由該透明圓罩封 _樣，射該發光 不同的放射^ 者具有和其餘該發光二極體(咖)晶粒 ， 化生开y、卵形、正方形、矩形與長方形。 2=.如-申請翻範圍第18奴發光二極體(led)聽，更包 鲞光一極體(LED)晶粒上的一波長轉換層。 乂 ϊίΓΐίΓίΓ第18項之發光二極體(LED)封裝，其中該框架 包t由下列組合中所選之—材料：環氧樹脂、聚魏樹脂、聚酿 ίϊ甲、苯環7，烯(職）、料獅胺(pc)'聚曱基丙 烯酉久甲S曰(PMMA)、玻璃、石英、阻劑或金屬。 利範圍㈣項之發光二極體(led)封裝，其中該透明 所選之一材料:聚獅s、環氧樹脂、 15 201218435 清專利範圍第18項之發光二極體(LED)封裝，其中該框架 μ 土板上的厚度或高度介於〇〇1 μιη至2〇〇〇μιη。 ^^如申凊專利_第18項之發光二極體(LED)封裝，其中該框架 在該基板_L的寬度或餘介於丨μιη至3_哗。 28.如申請專利範圍第is項之發光二極體(LED)封裝，其中該發光 一極體(LED)晶粒的峰值波長介於250 nm至2000 run。 八、圖式： 16
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI464908B (zh) * 2012-08-30 2014-12-11 Formosa Epitaxy Inc Light emitting device
US9166116B2 (en) 2012-05-29 2015-10-20 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting device

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050259418A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Callegari Mark R Expanded bit map display for mounting on a building surface and a method of creating same
CN102097447A (zh) * 2010-11-16 2011-06-15 复旦大学 一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法
DE202011000856U1 (de) 2011-04-13 2011-08-10 Flextronics Automotive Gmbh & Co.Kg Anzeigevorrichtung für die Kühlschranktemperatur
DE102011079796B4 (de) 2011-07-26 2015-08-13 Flextronics Automotive Gmbh & Co.Kg Verfahren zur Ermittlung von PWM-Werten für LED-Module
JP2013149637A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
US9117991B1 (en) 2012-02-10 2015-08-25 Flextronics Ap, Llc Use of flexible circuits incorporating a heat spreading layer and the rigidizing specific areas within such a construction by creating stiffening structures within said circuits by either folding, bending, forming or combinations thereof
US9356214B2 (en) 2012-06-27 2016-05-31 Flextronics Ap, Llc. Cooling system for LED device
US9366394B2 (en) 2012-06-27 2016-06-14 Flextronics Ap, Llc Automotive LED headlight cooling system
CN103515511B (zh) 2012-06-29 2016-08-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其封装方法
US9041019B2 (en) * 2012-10-25 2015-05-26 Flextronics Ap, Llc Method of and device for manufacturing LED assembly using liquid molding technologies
JP6197288B2 (ja) * 2012-12-27 2017-09-20 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6098200B2 (ja) * 2013-02-05 2017-03-22 旭硝子株式会社 発光素子用基板および発光装置
US9748460B2 (en) 2013-02-28 2017-08-29 Flextronics Ap, Llc LED back end assembly and method of manufacturing
DE102013110320B3 (de) 2013-09-19 2014-09-25 AEMtec GmbH, Berlin Sensorvorrichtung zur Überwachung eines Schmierstoffzustands sowie Verfahren zur Fertigung der Sensorvorrichtung
US9395067B2 (en) 2013-10-07 2016-07-19 Flextronics Ap, Llc Method of and apparatus for enhanced thermal isolation of low-profile LED lighting fixtures
JP2015165536A (ja) * 2014-03-03 2015-09-17 ウシオ電機株式会社 発光装置および発光モジュール
US10006615B2 (en) 2014-05-30 2018-06-26 Oelo, LLC Lighting system and method of use
US10123603B1 (en) 2015-03-27 2018-11-13 Multek Technologies Limited Diffuse fiber optic lighting for luggage
KR102634692B1 (ko) 2016-02-12 2024-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
DE102016116298A1 (de) 2016-09-01 2018-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit Träger und optoelektronischem Bauelement
JP6769248B2 (ja) * 2016-11-09 2020-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102017113020B4 (de) * 2017-06-13 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Herstellung von Halbleiterbauelementen
TW201915818A (zh) * 2017-10-05 2019-04-16 香港商印芯科技股份有限公司 光學識別模組
US20190267525A1 (en) 2018-02-26 2019-08-29 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor Light Emitting Devices And Method Of Manufacturing The Same
JP6974724B2 (ja) 2018-03-08 2021-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR102613239B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-14 삼성전자주식회사 백색 led 모듈 및 조명 장치
CN110299353A (zh) * 2019-07-24 2019-10-01 江苏欧密格光电科技股份有限公司 一种多波段的微型led发射贴片器件
CN111064073A (zh) * 2019-12-26 2020-04-24 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种激光器及其制备方法及其应用
CN111769191B (zh) * 2020-07-31 2022-04-08 佛山紫熙慧众科技有限公司 一种紫外led芯片散热复合基板

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4752553A (en) * 1982-04-01 1988-06-21 M&T Chemicals Inc. High resolution solder mask photopolymers for screen coating over circuit traces
JPS61144890A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3659098B2 (ja) * 1999-11-30 2005-06-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6617400B2 (en) * 2001-08-23 2003-09-09 General Electric Company Composition of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride curing agent and boron catalyst
TWI249148B (en) * 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
TW200614548A (en) * 2004-07-09 2006-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
DE602006018935D1 (de) * 2005-06-30 2011-01-27 Philips Intellectual Property Beleuchtungssystem mit einem gelbes und grünes licht emittierenden leuchtstoff
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US7547115B2 (en) * 2006-05-23 2009-06-16 Au Optronics Corporation Package structure for light emitting diode and applications of the same
KR100809263B1 (ko) * 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 직하 방식 백라이트 장치
JP2008045088A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用封止剤、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材及び光半導体装置
US7473940B2 (en) * 2006-11-27 2009-01-06 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact LED with a self-formed encapsulating dome
US20080144322A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Aizar Abdul Karim Norfidathul LED Light Source Having Flexible Reflectors
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
TWI378573B (en) * 2007-10-31 2012-12-01 Young Lighting Technology Corp Light emitting diode package
KR100891810B1 (ko) * 2007-11-06 2009-04-07 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
JP5367260B2 (ja) * 2007-12-28 2013-12-11 株式会社ジャパンディスプレイ 光源モジュール、照明装置、及び液晶表示装置
JP2009259868A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Sharp Corp 発光装置の色度調整方法および製造方法
US20100025699A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Lustrous International Technology Ltd. Light emitting diode chip package
US7973327B2 (en) * 2008-09-02 2011-07-05 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted LED

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9166116B2 (en) 2012-05-29 2015-10-20 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting device
US9741699B2 (en) 2012-05-29 2017-08-22 Epistar Corporation Light emitting device
US10247395B2 (en) 2012-05-29 2019-04-02 Epistar Corporation Light emitting device
US10670244B2 (en) 2012-05-29 2020-06-02 Epistar Corporation Light emitting device
US11255524B2 (en) 2012-05-29 2022-02-22 Epistar Corporation Light emitting device
US11808436B2 (en) 2012-05-29 2023-11-07 Epistar Corporation Light emitting apparatus
TWI464908B (zh) * 2012-08-30 2014-12-11 Formosa Epitaxy Inc Light emitting device

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