TW201218433A - Light-emitting module and alternate current light-emitting device - Google Patents

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201218433 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於發光裝置（light_emitting devices)，且特 別是關於使用不實體接觸螢光材料之發光二極體之發光模 組及其應用之交流發光裝置。 【先前技術】 目剷市面上用於發出白光之發光模組中的發光二極 體（light emitting diode，LED)具有如體積小之優點，因而 可用於陣列封裝之照明使用。 一般所謂的「白光」通常係指一種多顏色的混合光， 以人眼所見之自色光至少包括二種以上波長<色光所形 成，例如：藍色光加黃色光可得到二互補色波長 (complementary wavelength)之白光或由藍色光、綠色光、 紅色光混合後可得到三波長之白光。 以下為目前已知之用於發出白光之兩種發光模組，包 括： (一） 、以藍光發光二極體晶片激發黃色螢光粉產生白 光之發光模組。在藍光發光二極體晶片的外圍填充混有黃 光螢光粉的透明光學膠’利職光發光二極體晶片所發出 的光線激發黃料紐產生黃光，㈣有部份適#比例的 藍光穿透出來，此部份藍光配合上螢光粉所發出之黃光， 即形成藍黃混合之二互補色波長的白光；以及 (二） ·以紫外光發光二極體激發均勻混有一定比例之 201218433 藍色螢光粉、綠色螢光粉、紅色榮光粉以產生白光之發光 模組。在紫外光發光二極體晶片的外圍填充有均勻混有一 定比例之藍色螢光粉、綠色螢光粉、紅色螢光粉之透明光 學膠，利用紫外光發光二極體晶片所發出的紫外光激發上 述顏色之多種螢光粉以產生白光。此一結構類似日光燈原 理，激發後可得到三波長之白光。 然而，於上述之可發出白光之發光模組中，由於混入 有特定顏色螢光粉之透明光學膠係直接接觸了發光二極體 Φ 晶片，故於發光模組操作時將受到發光二極體晶片所產生 熱之影響，如此將會劣化混有螢光粉之透明光學膠。再者， 螢光粉也有轉換效率問題，也會產生熱，進而影響到晶粒 本身之效率與壽命。另外，由於發光二極體晶片一般係設 置於面積較小之導線支架（lead frame)之上且為上述透明光 學膠所包覆，因而導線支架對於逸散發光二極體晶片所產 生之熱能效果有限。如此，隨著發光模組操作時間的增長， 於其内之熱能的累積恐會造成其内發光二極體晶片發光波 • 長的飄移與透明光學膠的劣化，進而影響發光模組的白光 出射表現。 【發明内容】 有鑑於此，為了改善上述改善習知問題，本發明提供 了一種發光模組及其應用之交流電發光裝置。 依據一實施例，本發明提供了一種發光模組，包括： 一散熱基板；複數個絕緣層，設置於該散熱基板之上； 201218433 複數個光反射層，分別設置於該些絕緣層之一之上，其中 該光反射層具有數個光反射斜面；複數個導電層，分別設 置於該些光反射層之一之上；一連接層，設置於該散熱基 板之上，其中該連接層具有大於2之導熱係數；一發光二 極體晶片，設置於該連接層之上；複數個銲線，連結該發 光二極體晶片與該些導電層；一透明外罩，設置於發光二 極體晶片之上；以及一螢光層，設置於該透明外罩之面對 於該散熱基板之一表面上，其中該螢光層未實體接觸該發 光二極體晶片。 依據又一實施例，本發明提供了 一種發光模組，包括： 一散熱基板；複數個連接層，設置於該散熱基板之不 同部上，其中該連接層具有大於2之導熱係數；複數個絕 緣層、複數個光反射層與複數個導電層，均設置於該散熱 基板之不同部上且與該些連接層交錯，其中該些光反射層 具有數個反光斜面；複數個發光二極體晶片，分別設置於 該些連接層之一之上；複數個銲線，串聯地電性連結該些 發光二極體晶片與該些導電層；一透明外罩，設置於發光 二極體晶片之上；以及一螢光層，設置於該透明外罩面對 該發光二極體晶片之一表面上，其中該螢光層未實體接觸 該些發光二極體晶片。 依據另一實施例，本發明提供了一種發光模組一種發 光模組，包括： 一散熱基板；複數個連接層，設置於該散熱基板之 不同部上，其中該連接層具有大於2之導熱係數；複數個 發光二極體晶片，分別設置於該些連接層之一之上；複數 201218433 個銲線，串聯地連結該些發光二極體晶片；一透明外罩， 設置於發光二極體晶片之上；以及一螢光層，設置於該透 明外罩面對該發光二極體晶片之一表面上，其中該螢光層 未實體接觸該些發光二極體晶片。 依據另一實施例，本發明提供了 一種交流發光裝置， 包括： 如前述之發光模組；以及一橋式整流器，耦接於該發 光模組，其中於操作時，該橋式整流器係耦接於限流電阻 φ 與一交流電源。 為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂， 下文特舉一較佳實施例，並配合所附的圖式，作詳細說明 如下： 【實施方式】 請參照第1圖，顯示了依據本發明一實施例之發光模 • 組100,主要包括了一散熱基板10、一發光二極體晶片60、 一透明外罩80、位於透明外罩80之一表面上之一螢光層 90等主要構件。 ’ 如第1圖所示，於本實施例中散熱基板10係繪示為一 平整基板，具有相對且平整之兩個表面A與B，而發光二 極體晶片60係設置於散熱基板之表面B之上。在此，於散 熱基板10與發光二極體晶片60之間設置有一連接層30， 透過連接層30的設置，可透過共晶或黏結等方式於將發光 201218433 二極體晶片60穩固地設置於散熱基板3 0的表面g之上。 此外，於散熱基板30之上更設置有數個絕緣層12，而於 此些絕緣層12之上則分別設置有一導電層u，以作為導 線或導電接墊之用。於絕緣層12與導電層之間則設置 於有光反射層13，光反射層13包括金屬、金屬人金、金 屬氧化物、塑膠等表面具反光特性之材料。且光反射層13 具有一梯型剖面’以及未為導電層14覆蓋而露出之數個光 反射斜面13a，藉以反射發光二極體晶片60所發出之光線。 於一實施例中，發光二極體晶片60包括了一蟲晶基板 40，磊晶基板40係由如藍寶石（sapphire，Al2〇3)之絕緣材 料、矽基板或碳化矽（SiC)基板所形成，其亦可採用具有接 近於形成於其上的發光元件（可包括III族與Iv族元素，< 為習知之III-V族化合物半導體材料)材料特性之材料。此 外’於蠢晶基板40之一部上形成有一發光二極體元件5〇， 其包括了依序堆疊於蠢晶基板40上之數個膜層44、46與 48 ’其中膜層44為摻雜有第一導電性之第—摻質之一 m 族-氮膜層（group Ill-Nitride layer) ’而膜層46則為一多重 量子井（multiple quantum well，MQW)層，而膜層 48 則為 摻雜有相反於第一導電性之第二導電性之第二摻質之一第 二 III 族-氮膜層（group Ill-Nitride layer)46。此外，於第二 III私-氣膜層46之上以及於III知-氮膜層（gr〇up ni-Nitride layer) 44之一部上則分別設置有一透明電極層a。於此些 透明電極層52之上則分別設置有一導電接觸物54，以作 為電性連結發光二極體晶片60與其他構件之接點之用。另 外’發光二極體晶片60内更包括一透明保護層56，其大 201218433 體覆蓋了導電接觸物54、透明電極層52、發光二極體元件 50等構件而僅部份露出了此些導電層54之一部。藉由透 明保護層56的使用，可免於發光二極體晶片60内之上述 構件於操作時接觸到周遭空氣而產生氧化情形，且透明保 護層56的表面可為一平滑表面或為經粗化處理之一粗糙 表面。 於一實施例中，發光二極體元件50包括一 η-氮化鎵層 (摻雜有η型摻質之氮化鎵)44、一多重量子井（MQW)層 φ 46、一 ρ-氮化鎵層（摻雜有ρ型摻質之氮化鎵)48。多重量 子井46可由如InGaN所形成，且其可扮演用於發射光線 之一主動層。上述膜層44、46、48係採用習知技術而形成， 故在此不再描述其製作。 於一實施例中，而上述膜層44、46、48之形成方法包 括蟲晶成長。此外，透明電極層52可由銦錫氧化物（indium tin oxide，ITO)、氧化鋅(ZnO)或其他透明導電材料所形成。 如第1圖所示，發光二極體晶片60上之導電接觸物54 • 則分別藉由一銲線32與位於散熱基板10上之數個導電層 14之一形成電性連結。而透明外罩80則設置於發光二極 體晶片60之上以大體覆蓋散熱基板10之表面B與包覆形 成於其上之構件，進而於透明外罩80與散熱基板10之間 定義出一密封空間70。在此，透明外罩80具有相對之兩 個表面C與D，其中C為相對於發光二極體晶片60與散 熱基板10之一表面，而於透明外罩80之表面C上則形成 有一榮光層90。 基於發出白光目的，發光模組100内所應用之發光二 201218433 極體晶片60為可發出波長為綠光到紫外光間之發光二極 體晶片。而相應於發光二極體晶片60所發出之藍光，榮光 層90可包括如換入有如鋪換雜紀铭石槽石（yag)蜜> 光 粉、錢銘石權石（TAG)榮光粉或銷捧雜正硬酸(b〇s)榮光 粉專育色榮光粉之丨衣氧樹脂或碎膠材料。或相對應於發光 二極體晶片60所發出之藍綠光，螢光層90可包括如換入 硫化物/或摻有銪之硫化鳃（SrS:Eu)螢光粉等。或者，相應 於發光·一極體晶片60所發出之紫外光，勞光層9〇可包括 如摻入有藍色螢光粉、黃色螢光粉與紅色螢光粉之環氧樹 脂或碎膠材料。 於一實施例中’散熱基板10可包括鋁(A1)、銅（Cu)、 鐵(Fe)、銀(Ag)、金(Au)之金屬、上述材料之合金、其他合 金材料、石墨粉末板、鑽石粉末板或其他高導熱性材料， 其可具有"於10~6000的導熱係數，而連接層％則可包括 銀膠（導熱係數約為4)、石墨膠（導熱係數約為8)、鑽石救 膠（導熱係數約為3G)、其他金屬粉末膠或金屬合金之導熱 材料，並具有大於2的導熱係數，且較佳地具有介於 10〜3000的導熱係數。透明保護層％可 二 (Si〇2)、氮切(Si3N4)、邦m㈣、環氧樹脂(Ερ__ 他透光材料之絕緣材料。而密封空間7(^則可填充有如氮 =2)、&氣_、氬氣(Ar)、乾燥空氣、不易氧化之氣瘤 ，真空。透明外罩80可包括玻璃、壓克力、石夕⑽—、 %氧樹脂(Ep0Xy)、塑膠或其他透明之材料。 於如第1圖所示之發光模組_中，鑑於發光二極靡 晶片60並未實體接觸螢光層8G，且上述構件之間為密柴 201218433 空間70内之填充氣體所相分隔，因此發光二極體晶片6〇 於操作時所產生之熱能並不會造成螢光層的劣化。再者， 由於發光二極體晶片60係透過具良好導熱特性之連接層 30而直接地設置於散熱基板10之上，因而可透過連接屏 3〇與散熱基板10所具備之良好導熱特性而有效地逸散發 光二極體晶片60於操作時所產生之熱能，進而降低於發光 模組100内的熱能累積情形，並因而可改善發光模組1〇〇 的白光出射表現與可靠度。 請參照第2圖，顯示了依據本發明另一實施例之發光 模組100’。在此’如第2圖所示之發光模組1〇〇,係大體相 似於如第1圖所示之發光模組100，而僅針對散熱基板1〇 進行改良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件將採 用相同標號表示。· 如第2圖所示’於本實施例中，散熱基板1〇僅具有平 整之一表面B’以用於設置發光二極體晶片60等主要構 件’於散熱基板10之表面A(參見第1圖）處則可經過如微 機械加工(micromachining)或蝕刻（etching)等方法之處理， 進而於散熱基板10内形成數個相分隔之鰭狀物（fin)1〇b， 而散熱基板10未經過上述方法處理之部分於第2圖内標示 為一平整部10a，而連結於此平整部i〇a之鰭狀物1〇b則與 平整部10a組成了本實施例中之散熱基板1〇。 於本實施例中’基於數個鰭狀物l〇a的設置，第2圖 内所示之散熱基板10可較如第丨圖所示之散熱基板10更 有效地逸散於操作時發光二極體晶片60所產生之熱能，進 而降低於發光模組100’内的熱能累積情形，並因而可改善 201218433 發光模組100’的白光出射表現與可靠度。 請參照第3圖’顯示了依據本發明又一實施例之發光 模組200。在此，如第3圖所示之發光模組2〇〇係大體相 似於如第1圖所示之發光模組100，而僅針對散熱基板 上的發光二極體晶片與導電層的設置進行改良。基於簡化 之目的’於本實施例中相同構件將採用相同標號表示。 如第3圖所示，於本實施例中，於散熱基板1 〇之表面 B之上交錯地設置數個發光二極體晶片60A、60B與60C 以及數個導電層14。同樣地，於此些導電層14與散熱基 0 板1 〇間則依序設置有一絕緣層12與一光反射層13，而此 些發光二極體晶片60A、60B與60C仍透過具良好導熱特 性之一連接層30而直接地設於散熱基板10之上。如第3 圖所示，鑑於此些發光二極體晶片60A、60B與60C與此 些導電層14間之交錯設置情形，因此發光二極體晶片 60A、60B與60C可分透過銲線32而串聯地電性連結於此 些導電層14之一，進而形成經電性地串聯之發光二極體晶 片之陣列物。於本實施例中，透明外罩80與螢光層90的 鲁 設置情形則大體相同於如第1圖所示情形，於第3圖中則 僅部份繪示了透明外罩80與螢光層90，但並非以上述實 施情形而限定本發明，於透明外罩與散熱基板1〇間仍 定義有一密封空間70’其内可填充有如氮氣(n2)'氦氣 (He)、氬氣(Ar)或乾燥空氣之一氣體。 於本實施例中’白光發光模組200内之數個發光二極 體晶片60A、60B與60C亦而可分別透過其下方之連接層 3〇與散熱基板10所具備之良好導熱特性而有效地逸散發 12 201218433 光二極體晶片60A、60B與60C於操作時所產生之熱能， 進而降低於白光發光模組200内的熱能累積情形，並因而 可改善白光發光模組200的白光出射表現與可靠度。 請參照第4圖’顯示了依據本發明另一實施例之白光 發光模組200’。在此，如第4圖所示之發光模組2〇〇,係大 體相似於如第3圖所示之發光模組200，而僅針對散熱美 板10進行改良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件 將採用相同標號表示。 • 如第4圖所示，於本實施例中，散熱基板1〇僅具有平 整之一表面B’以用於設置發光二極僅具有平整之一表面 B，以用於設置發光二極體晶片6〇A、6〇B與6〇c等主要構 件，於散熱基板10之表面A(參見第3圖）處則可經過如微 機械加工（micromachining)或触刻（etching)等方法之處理’ 進而於散熱基板10内形成數個相分隔之鰭狀物（fin)10b， 而散熱基板10未經過上述方法處理之部分於第4圖内標示 為一平整部l〇a’而連結於此平整部l〇a之鰭狀物1〇b則與 •平整部1〇&組成了本實施例中之散熱基板10。 於本實施例中’基於數個鰭狀物10a的設置，第4圖 内所示之散熱基板10可較如第3圖所示之散熱基板1〇更 有效地逸散於操作時發光二極體晶片6〇A、6〇b與60C所 產生之熱能’進而降低於發光模組2〇〇，内的熱能累積情 形’亚因而可改善發光模組200,的白光出射表現與可靠度。 清參照第5圖，顯示了依據本發明另一實施例之發光 模組300 °在此，如第5圖所示之發光模組300係大體相 似於如第3圖所示之發光模組200，而僅針對於散熱基板 201218433 ίο上的導電層、絕緣層以及光反射層等膜層的設置進行改 良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件將採用相同 標號表示。 如第5圖所示，於本實施例中，於散熱基板10之表面 B之上僅設置有數個發光二極體晶片60A、60B與60C而 不在設置有如導電層14、光反射層13與絕緣層等其他膜 層。而此些發光二極體晶片60A、60B與60C之間仍透過 具良好導熱特性之一連接層30而直接地設於散熱基板10 之上。另外，此些發光二極體晶片60A、60B與60C可分 _ 透過銲線32而串聯地電性連結位於發光二極體晶片60A、 60B與60C上之連結於不同電性之透明電極層52之導電層 54(如第2圖所示），進而形成經電性地串聯之發光二極體 晶片之陣列物。於本實施例中，透明外罩80與螢光層90 的設置情形則大體相同於如第3圖所示情形，於透明外罩 80與散熱基板10間仍定義有一密封空間70，其内可填充 有如氮氣(N2)、氦氣(He)、氬氣(Ar)或乾燥空氣之一氣體。 請參照第6圖，顯示了依據本發明另一實施例之白光 籲 發光模組300’。在此，如第6圖所示之發光模組300’係大 體相似於如第5圖所示之發光模組300，而僅針對散熱基 板10進行改良。基於簡化之目的，於本實施例中相同構件 將採用相同標號表示。 如第6圖所示，於本實施例中，散熱基板10僅具有平 整之一表面B，以用於設置發光二極僅具有平整之一表面 B，以用於設置發光二極體晶片60A、60B與60C等主要構 件，於散熱基板]〇之表面A(參見第3圖）處則可經過如微 14 201218433 機械加工（micromachining)或蝕刻（etching)等方法之處理， 進而於散熱基板10内形成數個相分隔之鰭狀物（fin)10b， 而散熱基板10未經過上述方法處理之部分於第6圖内標示 為一平整部10a，而連結於此平整部i〇a之鰭狀物i〇b則與 平整部10a組成了本實施例中之散熱基板1〇。 於本實施例中，基於數個鰭狀物l〇a的設置，第6圖 内所示之散熱基板10可較如第5圖所示之散熱基板10更 有效地逸散於操作時發光二極體晶片60A、60B與60C所 φ 產生之熱能’進而降低於發光模組300,内的熱能累積情 形’並因而可改善發光模組3〇〇,的白光出射表現與可靠度。 於前述實施情形中，所使用之發光二極體晶片内的發 光二極體元件的實施情形並非限定於第1_2圖内所示情 形。於另一實施例中，所使用之發光二極體晶片60、60A、 60B與60C内可設置有複數個發光二極體元件（例如為位於 蟲晶基板上之複數個發光二極體元件50)，而其内之數個發 光二極體元件之間可藉由適當之半導體製程而形成其間的 _ 電性連結關係（未顯示），進而形成了包括複數個發光二極 體單元之單一晶片形態之發光二極體晶片60、60A、60B 或 60C。 請參照第7圖，顯示了依據本發明一實施例之交流發 光裝置5〇〇’其應用了如第3圖、第4圖、第5圖或第6 圖所示之發光模組。 鑑於如第3〜6圖所示之發光模組内數個電性串聯之數 個發光二極體晶片60A、60B與60C的應用，藉由增加發 光模組内經電阻串聯之發光二極體晶片的數量，本發明則 15 201218433 可提供了一種適用於照明應用之交流發光襄置。 如第7圖所示，交流發光裝置500主要包括了如第3_6 圖所示之一發光模組200/200’/300/300’ 、限電流電阻7〇〇 以及一橋式整流器400。如第7圖所示，橋式整流器 可耦接於而發光模組200/200’之一正端與一負端。於交流 發光裝置500操作時，橋式整流器400則係耦接於一交流 電源600,交流電源600例如為110V或220V之交流電源。 於橋式整流器400與發光模組200/200V300/300，之一正端 間則設置有限電流電阻700,藉以於操作時保護發光模組 200/200V300/300’ 。而交流發光裝置500之發光模組 200/200内發光一極體晶片的設置數量則視其内每一發光 二極體晶片之操作電壓以及所欲耦接之交流電源而定。 於一實施例中，當交流發光裝置500内白光發光模組 200/200’内之每一發光二極體晶片的操作電壓為約3 3V 時’以及交流發光裝置500所欲耦接之交流電源為U〇v 時，則可串聯地耦接30-40個之相同發光二極體晶片以形 成此發光模組200/200V300/300,。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内’當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 16 201218433 【圖式簡單說明】 第1圖顯示了依據本發明一實施例之發光模組； 第2圖顯示了依據本發明另一實施例之發光模組； 第3圖顯示了依據本發明又一實施例之發光模組； 第4圖顯示了依據本發明另一實施例之發光模組； 第5圖顯示了依據本發明又一實施例之發光模組； 第6圖顯示了依據本發明另一實施例之發光模組； 第7圖顯示了依據本發明一實施例之交流發光裝置， 其用了如第3圖、第4圖、第5圖或第6圖所示之發光模 組。 【主要元件符號說明】 10〜散熱基板； 10a〜平整部； 10b〜鰭狀物； 12〜絕緣層； 13〜光反射層； 13a〜光反射斜面； 14〜導電層； 30〜連接層； 3 2〜鲜線； 40〜蟲晶基板， 44〜摻雜有第一導電性之第一摻質之一 III族-氮膜層； 46〜多重量子井層； 48〜摻雜有第二導電性之第二摻質之一 III族-氮膜層； 17 201218433 5 0〜發光二極體元件， 52〜透明電極層； 54〜導電接觸物； 56〜透明保護層； 60、60a、60b、60c〜發光二極體晶片； 70〜密封空間； 80〜透明外罩； 90~營光層； 100、100’、200、200’、300、300’〜發光模組； 馨 600〜交流電源； 400〜橋式整流器； 500〜交流發光裝置； 700〜限電流電阻； A、B〜散熱基板之表面； C、D〜透明外罩之表面。 18

Claims (1)

  1. 201218433 七、申請專利範圍： 1. 一種發光模組，包括： 一散熱基板； 複數個絕緣層，設置於該散熱基板之上； 複數個光反射層，分別設置於該些絕緣層之一之上， 其中該光反射層具有數個光反射斜面； 複數個導電層，分別設置於該些光反射層之一之上； 一連接層，設置於該散熱基板之上，其中該連接層具 • 有大於2之導熱係數； 一發光二極體晶片，設置於該連接層之上； 複數個銲線，連結該發光二極體晶片與該些導電層； 一透明外罩，設置於發光二極體晶片之上；以及 一螢光層，設置於該透明外罩之面對於該散熱基板之 一表面上，其中該螢光層未實體接觸該發光二極體晶片。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該透 明外罩係連結於該散熱基板，於該透明外罩與該散熱基板 • 間定義有一密封空間。 3. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該發 光二極體晶片包括： 一蟲晶基板，設置於該連接層之上； 一發光二極體元件，設置於該磊晶基板之一部上； 一第一電極，設置於該發光二極體元件之一部上； 一第二電極，設置於該發光二極體元件之另一部上； 一導電接觸物，分別設置該第一電極與該第二電極之 19 201218433 上；以及 ▲ 一透明絕緣層，覆蓋該磊晶基板、該發光二極體元件、 該第-電極、該第二電極與該導電接觸物，部份露出該導 電接墊之一表面，其中該透明絕緣保護層具有一平滑表面 或* 粗链表面。 4. 如申請專利範圍第丨項所述之發光模組，其中該散 熱基板為一平整基板。 〃 5. 如申請專利範圍第丨項所述之發光模組，其中該散 熱基板包括：
    一平整部，具有相對之一第三表面與一第四表面，其 中該連接層與該導電層係設置於該第三表面之上；以及 複數個韓狀物，没置於該平整部之該第四表面上。 6·如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該散 熱基板包括銘、銅、鐵、銀、金、鎮、其合金或石墨於。 7. 如申請專利範圍第1項所述之發光模組，其中該連 接層包括銀膠、石墨膠、鑽石粉膠、碳粉膠或含金屬粉末 膠。
    8. 如申請專利範圍第2項所述之發光模組，其中該密 封空間内填入有氮氣、氦氣、氬氣、乾燥空氣或真空。 9. 一種發光模組，包括： 一散熱基板； 複數個連接層，設置於該散熱基板之不同部上，其中 該連接層具有大於2之導熱係數； 複數個絕緣層、複數個光反射層與複數個導電層，設 置於該散熱基板之不同部上且與該些連接層交錯，其中該 20 201218433 些光反射層具有數個反光斜面； 複數個發光二極體晶片，分別設置於該些連接層之一 之上； 複數個銲線，串聯地電性連結該些發光二極體晶片與 該些導電層； 透明外罩’設置於發光二極體晶片之上；以及 一螢光層，設置於該透明外罩面對該發光二極體晶片 之表面上，其中該螢光層未實體接觸該些發光二極體晶 • 片與該散熱基板。 10.如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中該透 明外罩係連結於該散熱基板，於該透明外罩與該散熱基板 間疋義有一密封空間。 U.如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中該些 發光二極體晶片分別包括： 一蠢晶基板，設置於該連接層之上； 發光二極體元件，設置於該絕緣基板之一部上； 一第一電極，設置於該發光二極體元件之一部上； 一第二電極，設置於該發光二極體元件之另一部上； -導電接觸物’分別設置該第一電極與該第二電極之 上；以及 卜透明絕緣層，覆蓋該磊晶基板、該發光二極體元件、 該第-電極、該第二電極與該導電接觸物，部份露出 電接墊之一表面。 Λ 12.如申請專利範圍第9項所述之發光模組，其中該散 熱基板為一平整基板。 21 201218433 9項所述之發光模組，其中該散 13.如申請專利範圍第 熱基板包括： ’具有相對之—第三表面與-第四表面，皇 以連接層與料電層係設置於該第三表面之上； 複數個鰭狀部，設置於該平整部之該第四表面上。 執美所述之發錢組，其中該散 … ㈣、銅、鐵、銀、金及其合金或石墨粉末板。 Κ如申請專觀圍第9項所述之發光模組，兑中
    :層包括銀膠、石墨膠、鑽石粉膠、碳粉膠或含金屬粉末 膠0 16. 如申請專利範圍第1G項所述之發光模組，兑中該 密封空間内填人有氮氣、氦氣、氬氣、乾燥空氣或真空。/ 17. —種發光模組，包括： 一散熱基板； 複數個連接層，設置於該散熱基板之不同部上，其中 該連接層具有大於2之導熱係數； 八
    複數個發光二極體晶片，分別設置於該些連接層之一 之上； 複數個銲線，串聯地連結該些發光二極體晶片； 一透明外罩，設置於發光二極體晶片之上；以及 一螢光層’設置於該透明外罩面對該發光二極體晶片 之一表面上，其中該螢光層未實體接觸該些發光二極體晶 片。 18.如申請專利範圍第17項所述之發光模組，其中該 透明外罩係連結於該散熱基板’於該透明外罩與該散熱基 22 201218433 板間定義有一密封空間。 19.如申請專利範圍第π項所述之發光模組，其中該 些發光二極體晶片分別包括： ^ ~ 一蠢晶基板，設置於該連接層之上； 發光二極體元件，設置於該遙晶基板之一部上； 一第一電極，設置於該發光二極體元件之一部上； 一第二電極，設置於該發光二極體元件之另一部上； 一導電接觸物，分別設置該第一電極與該第二電極之 φ 上；以及 一透明絕緣層，覆蓋該磊晶基板、該發光二極體元件、 該第一電極、該第二電極與該導電接觸物，部份露 電接墊之一表面。 20_如申請專利範圍第17項所述之發光模組，其 散熱基板為一平整基板。 ’、 21. 如申請專利範圍g 17項所述之發光模組， 散熱基板包括： / • j —平整部’具有相對之—第三表面與-第四表面，其 中該連接層與該導電層係設置於該第三表面之上丨以及/、 複數個鰭狀部，設置於該平整部之該第四表面上。 22. 如申請專利範圍g 17項所述之發光模組，其中該 散熱基板包括鋁、銅、鐵、銀、金及其合金。 μ 23. 如申請專利範圍第17項所述之發光模組， =層包括銀膠、石墨膠、鑽石粉膠、碳粉膠或含金屬： 从如申請專利範圍第18項所述之發光模組，其中該 23 201218433 密封空間内填入有氮氣、氦氣、氬氣、乾燥空氣或真空。 25.—種交流發光裝置，包括： 如申請專利範圍第11項或第17項所述之發光模組； 以及 一橋式整流器，耦接於該發光模組，其中於操作時， 該橋式整流器係耦接於限流電阻與一交流電源。
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