TW201216490A - Substrate for solar cell and method for fabricating the same - Google Patents

Substrate for solar cell and method for fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
TW201216490A
TW201216490A TW100127021A TW100127021A TW201216490A TW 201216490 A TW201216490 A TW 201216490A TW 100127021 A TW100127021 A TW 100127021A TW 100127021 A TW100127021 A TW 100127021A TW 201216490 A TW201216490 A TW 201216490A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
solar cell
film
mold
convex structure
Prior art date
Application number
TW100127021A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Okamoto
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Rayon Co filed Critical Mitsubishi Rayon Co
Publication of TW201216490A publication Critical patent/TW201216490A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H01L31/03762Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

201216490 .....rii 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明概言之是有關於一種太陽電池用基板及其製造 方法’詳細而言,本發明是有關於一種太陽電池基板及其 製造方法,其具有微細凹凸構造,且具有可撓性及構造控 制性,並能夠以低成本製造。 【先前技術】 近年來,作為環境負荷低的發電系統,使用太陽電池 的太陽光發電受到矚目。目前,作為太陽電池,通常為使 用玻璃製的基板的太陽電池面板。 但疋,玻璃容易破碎而較危險。另外,玻璃本身較重, 因此例如當將使用玻璃製的基板的太陽電池面板安裝於屋 頂上時,必需強化屋頂。進而,玻璃製的基板難以降低成 本0 因此,最近,將太陽電池面板的玻璃基板替換成包含 臈狀基材的基板的舉動較活躍。 —膜狀基材的基板不易破碎而較安全,可藉由大幅度的 而實現輕量化。另外,可藉由大面積化及利用連續 捲繞的加工而降低成本。 進而’使用膜狀基材的基板的太陽電 因此亦可絲於曲面。 们雜 通常,於太陽電池中,將包含氧 2等金屬氧化物等的透明電極,選自非晶ΓΪ二化 金屬乳化物等的光電轉換層,以及選自金、銀;,、 201216490 , 鋁、鈦等的背面反射電極以該順序(稱為覆板(superstrate) 型)或相反順序(稱為基板(substrate)型)形成於基板 上。 而且’將非晶矽用於光電轉換層的太陽電池因可實現 薄型化或低成本化而特別受到矚目。使用非晶矽的太陽電 池的製造製程通常為乾式製程。於該乾式製程中,藉由濺 鑛法使透明電極於基板上成膜來製作帶有透明電極的基板 後,藉由CVD法(化學氣相沈積法,Chemicd Vap〇r Deposition)使非晶石夕的光電轉換層成膜’進而藉由濺鍵法 使背面反射電極成膜。 此處’於太陽電池中’光電轉換層與透明電極的界面 的形狀與光電轉換效率產生關聯。即,若光電轉換層與透 明電極的界面的形狀為易於使光散射的形狀,則可藉由光 電轉換層有效率地對所接收的光進行光電轉換。因此,較 理想的疋光電轉換層與透明電極的界面具有適度的表面粗 糙度。根據此種構造,光自透明電極射入至光電轉換層時 產生散射,光電轉換層内的光路長度變長,光電轉換層中 的光電轉換效率變高。 作為將光電轉換層與透明電極的界面設定為易於使光 散射的構造的方法’提出有如下的方法:於表面具有微細 凹凸構造的玻璃製的板狀支撐體上配置活性能量線硬化性 樹脂組成物’進而於活性能量線硬化性樹脂組成物上積層 膜狀基材,透過膜狀基材或板狀支撐體對活性能量線硬化 性樹脂組成物照射活性能量線來使活性能量線硬化性樹脂 4
201216490 *— 4MW \, «J 組成物硬化,從而形成紋理(texture)層,繼而,將板狀 支撑體自紋理層剝離,藉此使透明電極自膜狀基材及紋理 層的上方成膜(例如,專利文獻丨)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利特開2〇〇8·177549號公報 【發明内容】 [發明所欲解決的課題] ,、但是,上述專利文獻1中所揭示的太陽電池用基板於 形成微細凹凸構造時,使用板狀支撐體 ,因此無法對應於 利用連續捲繞的加1 ’以低成本製造較困難。 一 t發明是於此種狀況下完成的發明,其目的在於提供 一種能夠以低成本製造具有可撓性的太陽f池的太陽電池 用基板及其製造方法。 [解決課題的技術手段] 根據本發明,提供-種太陽電細絲,其是表面具 微細I凸構造㈣狀的太陽電池用基板,其特徵在於: 由合成樹脂形成,且上述微細凹凸構造的粗糙度曲線 的局,山頂平均間隔s為0.3 μιη〜3 μιη。 藉由使用此種太陽電池用基板,能夠以低成本製造具 有可撓性的太陽電池。 根據本發明的其他較佳的形態,上述微細凹凸構造的 粗輪度曲線的均方根傾斜RAq為14度〜30度。 根據本發明的其他較佳的形態,上述微細凹凸構造的 201216490,if 切斷程度50%時的粗糖度曲線的負荷長度率耐(5〇%) 為 〇·2〜0.5。 根據本發明的其他較佳的形態,上述微細凹凸構造是 具有銳角的不定形的微細凹凸構造。 上述太陽電池是基㈣構造的薄财太陽電池。 根據本發明的其他形態,提供一種太陽電池基板的製 4方法,其特徵在於包括如下步驟: 在模具與膜狀透明基材之間夾持未硬化的活性能量線 硬化性樹敝成物,上賴具顧由倾處理而於表面形 成有粗度曲線的局部山頂平均間隔s為〇 3哗〜3哗的 微細凹凸構造; 經由上述膜狀透明基材對上述活性能量線硬化性樹脂 組成物照脑性能量線,使上述活⑽量線硬化性組成物 硬化’而於上述難透紐糾上職與上述模具的表面 的該微細凹凸構造互補的微細構造;以及 自上述模具剝離上述膜狀透光性基材。 根據本發明的其他較佳的形態,上述模具為輥模。 、根據本發明的其他形態,提供一種太陽電池基板的製 4方法’其特徵在於包括如下步驟: a對膜狀基材實施喷射處理,藉此形成粗輪度曲線的局 山頂平均間隔S為〇.3 gm〜3 的微細凹凸構造。 根據本發明的其他較佳的形態,用於上述喷射處理的 嘴射粒子為多角形狀。 根據本發明的其他較佳的形態,上述噴射粒子的粒度 6 201216490r 刀布中的累積向度50%處的粒輕為5 μιη〜35 μηι。 根據本發明的其他較佳的形態,上述噴射粒子的粒度 分布中的最大粒徑為80 μπι以下。 [發明的效果] 根據本發明,提供一種能夠以低成本製造具有可撓性 的太陽電池的太陽電池用基板及其製造方法。 【實施方式】 其次,參照圖式對本發明的第1實施形態的太陽電池 用基板進行說明。圖1是表示本發明的第丨太陽電池用基 板1的構成的示意性的部分剖面圖。 本實施形態的太陽電池用基板1是適合於基板型構造 的薄膜矽太陽電池的太陽電池用基板。再者,當將本實施 开々態的太陽電池用基板1用於覆板型構造的薄膜石夕太陽電 池時’由於光透過該太陽電池用基板1而射入至光電轉換 層’因此較佳為於太陽電池用基板1的兩面設置後述的微 細凹凸形狀。 如圖1所示,太陽電池用基板1具備膜狀透光性基材 2、及積層於該膜狀透光性基材2上且具有微細凹凸構造的 紋理層4。於圖1中,展示有覆蓋紋理層4的包含金屬層 的背面反射電極膜6。於本實施形態中,如後述般,紋理 層的微細凹凸構造是藉由轉印利用喷射處理而形成於模具 表面的微細凹凸構造所形成者。 當使用本實施形態的太陽電池用基板1形成基板型的 薄膜太陽電池時,只要於背面反射電極膜6上形成光電轉 201216490. 換層,進而於光電轉換層上形成透明電極膜即可。本實施 形態的太陽電池用基板!形成有表面具有微細凹凸構造的 紋理層4。因此,若於故理層4上形成背面反射電極膜6、 光電轉換層、透明電極膜,則上述各構成要素形成為追隨 紋理層4的微細凹凸構造的形狀。 —當,用本實施形態的太陽電池用基板1形成覆板型的 薄膜太陽電池時’只要於紋理層4上形成透明電極膜,然 後依次積層光電轉換層、背面反射電極膜即可。當形成覆 板型的薄膜太陽電池時,由於太陽光自太陽電池用基板】 射入,因此為了抑制太陽光射入至基板(太陽電池用基板 1)時的反射,較佳為在與設置紋理層4的面相反側的面上 設置微細凹凸構造等抗反射機構。 再者,當用於覆板型的薄膜太陽電池時,由於太陽電 池用基板1直接曝露於太陽光下,因此於製造太陽電池用 基板1時,會產生必需於太陽電池用基板丨中使用具有耐 候性的樹脂組成物等各種制約。因此,本實施形態的太陽 電池用基板1較佳為用於基板型的薄膜太陽電池。 構成本實施形態的太陽電池用基板1的膜狀透光性基 材2是耐熱性、紫外線透過性優異的合成樹脂的膜狀基 材。藉由使用耐熱性優異的膜狀透光性基材,於使作為電 極材料的金屬或金屬氧化物成膜時能夠以高溫進行成膜。 另外,藉由使用紫外線透過性優異的膜狀基材,如後述般, 可形成使用活性能量線硬化性組成物的紋理層4。 作為本實施形態的太陽電池用基板1中所使用的膜狀 8 201216490 *·/ 〆知“ v/ylt 透光性基材2的材料,例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯 (Polyethylene Terephthalate,PET)及聚萘二曱酸乙二酯 (Polyethylene Naphthalate,PEN )等聚酯系樹脂,聚曱基 丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)等丙稀酸 系樹脂,二乙酸纖維素及三乙酸纖維素等纖維素系樹脂, 聚苯乙烯(Polystyrene,PS〇及丙烯腈-苯乙烯共聚物 (Acrylonitrile Styrene,AS )等苯乙烯系樹脂,聚乙烯 (Polyethylene ’ PE)、聚丙烯(Polypr〇pylene,pp)、環狀 或具有降冰片烯結構的聚烯烴及乙烯-丙稀共聚物 (Ethylene-Propylene ’ EP)等烯烴系樹脂,尼龍及芳香族 聚醯胺(Polyamide ’ PA)等聚醯胺系樹脂,聚碳酸酯 (Polycarbonate,PC)系樹脂,氣乙婦系樹月旨(ρ〇—_ Chloride,PVC),聚甲基丙烯酿亞胺(, PMI)系樹脂等。 該些之中,就财熱性的觀點而言,較佳為聚蔡二甲酸 乙二酯、聚烯烴、聚曱基丙烯酸甲酯。 一=狀透絲基材2的厚度㈣錢作紐等的觀點而 吕’較佳為10 μιη〜300 μιη,更伟兔 μ更佳馮20帅〜200μιη,特 佳為 30 μιη〜100 μιη。 」了提験包含雜能姐硬化性纟喊物的紋理層4 的岔接性,較佳為對聽透紐基材2 層處理等密接性提昇處理。 ^施i曰黏盒 另外,膜狀透光性基材2的熱變形溫& 以上,特佳為航以上,更佳為細W。若 9 201216490f 度過低,則於後續步驟中,當以高溫使金屬氧化物成膜時, ,在,板產生彎曲、金屬氧化物上形成裂痕、薄片電阻顯 著上昇的情況。再者,熱變形溫度的上限通常為5〇〇£>c。 就光電轉換效率的觀點而言,本實施形態的具有微细 凹凸構造的紋理層4的厚度較佳為0.1 μΐη〜刚叫,特佳 為 0.2 μπι〜50 μιη,更佳為 〇 3 μπι〜3〇 μιη。 若紋理層4的厚度過薄,則存在紋理層4的凹凸構造 未充分地轉印至光電轉換層與透明電極的邊界,而難以提 尋光電轉換效率的可能性,若過厚,則存在於使太陽電池 用基板曾曲時紋理層4產生破損、光電轉換效率惡化的可 能性。 另外,本實施形態的太陽電池用基板1的微細凹凸構 造的粗糙度曲線的局部山頂平均間隔s (JISB〇6〇1 (94)) 較佳為0.3 μιη〜3 μιη’特佳為〇 6 μιη〜2 5 μηι,更佳為1降 〜2 μιη 〇 於S為上述範圍外的情況下,在使用該太陽電池用基 板1的太陽電池的光電轉換層與透明電極的邊界未充分地 產生光散射,而無法提昇光電轉換效率。 另外’本實施形態的太陽電池用基板1的微細凹凸構 造的粗糙度曲線的均方根傾斜RAq (JIS Β〇6〇1 (〇1))較 佳為14度〜30度,更佳為15度〜30度,進而更佳為16 度〜30度。 若RAq過小’則無法充分地產生光散射,而無法提昇 光電轉換效率。相反地,若RAq過大,則於使光電轉換層 201216490t 成膜時產生晶界,而無法提昇光電轉換效率。 進而,於本實施形態的太陽電池用基板1的微細凹凸 構造中,切斷程度50%時的粗糙度曲線的負荷長度率Rmr (50%) (JIS B0601 (01))較佳為 0.2〜0.5,特佳為 0.25 〜0.45,更佳為〇.3〜0.4 〇 Rmr (50%)過小或過大均無法 使光散射效果充分地顯現。 本實施形態的太陽電池用基板1於膜狀透光性基材2 上的具有微細凹凸構造的紋理層4上,形成包含金屬的背 面反射電極膜6。 背面反射電極膜6中所使用的金屬較佳為具有於可見 區域至紅外區域中的高反射率與高導電性的金屬,較佳為 由選自Ag、Au、A卜Cu及Pt中的一種金屬,或者包含該 些金屬的合金形成。作為形成背面反射電極膜6的方法了 可使用乾式製程。 再者,為了進-步提昇反射率,較理想的是藉 製程於背面反射電極膜6上形成透明電極膜。 忒 當將太陽電池用基板i用於覆板型的太陽電池時 膜狀透光性基材2上的具有微細凹凸構造的紋理層、 形成包含金屬氧化物的透明電極膜。 透明電極膜情使用的金屬氧 氧化錫、氧化銦、氧化鈦等單 舉.礼化鋅、 氧化銦鋅、氧化銦鈦、氧化錫 =銦锡、 添加有_,添加有欽二:加化 201216490 -----Γ 銦 加有氟的氧化錫等摻雜型金屬氧化物等。 的氡t之巾’就低電轉峨點而言,較料添加有鎵 ,、添加有鋁的氧化鋅、或添加有硼的氧化鋅。 其次,對本實施形態的太陽電池用基板i的製 進行說明。 <乃古 首先’對本實施形態的製造方法中所使用的觀模進行 °兄。輥模是圓筒狀的輥模。輥模是藉由對外周部包含鉻、 =不鏞鋼(SUS)、銅、紹、黃銅、鋼等金屬的輕狀的金 屬構件進行加工來製造。 圖2是用於說明輥模的製造方法的示意性的立體圖。 輥模是藉由對至少外周部包含鉻、鎳、不鐘鋼(sus)、 ^、紹、黃銅、解金屬的輥狀的金屬構件進行加工來製 具體而S ’如圖2所示,以使紐的金屬構件1〇的旋 轉轴(旋射心、)成為水平的方式支撑該金屬構件1〇,然 後於其上方,以可與輥狀金屬構件1()的旋轉軸平行地往返 移動的方式配置喷射裝置的噴嘴(噴射喷嘴)12。喷射喷 嘴12是面向輥狀金屬構件1〇的旋轉軸a而配置。 於使輥狀金屬構件10以旋轉軸為中心連續地旋轉的 ^態下,-面使喷射喷嘴12沿著輕狀金屬構件1()的旋轉 轴A緩慢地移動’ -面自喷射嗔嘴12城狀金屬構件1〇 的外周面吹附喷射粒子14。 使喷射喷嘴5自輥狀金屬構件1〇的轴方向一端移動至 另一端為止,藉此對輥狀金屬構件1〇的整個外周面實施喷 12 201216490 . 射處理, 具14。 從而獲得外周面上形成有微細凹凸構造的輥狀模 該微細凹凸構造具有與太陽電池用基板1的紋理層4 的微細凹凸構造互補的尺寸形狀。 一該喷射處理中所使用的喷射粒子是粒度分布中的累積 南度50%處的粒徑為5 μβ1〜35哗,較佳為7哗〜%帅' 更佳為10 μιη〜15 μιη的研磨材微粒子。 若研磨材微粒子的粒徑過小,則喷射的能量弱,金屬 構件的表面的加工較困難,無法獲得用於顯現均勻且 的光散射的微細凹凸構造。 的門=若,材微粒子的粒徑過大,則所形成的凹凸 的間距嫒大,而無法顯現光散射。 、,"根據相_理由’研磨材微粒子的粒度分布中的最大 =徑=0 μιη以下,較佳為6〇帅以下更佳為仙卿以 下。=對相_㈣研磨材·子彼此加以 =球形更可形成凹凸的間距更短、深度更深的微細凹凸 根據上述的理由,由於無法 小至低於規定值’因此為了減小 == 使用非球形的研磨材微粒子。 冉W间距孕乂佳為 根據相同的理由,更佳為 有稜角的雜等的具有銳肖的 ,子〇面形狀等 +的姑晳不形的粒子。研磨材微粒 ==特別限心’較佳為使用例如…ic' 201216490 -----pif 其次,對使用輥狀模具14製造太陽電池用基板1的方 法進行說明。圖3是示意性地表示使用報狀模具14製造太 陽電池用基板1的基板製造裝置2〇的圖式。 如圖3所示’基板製造裝置20是以如下方式構成:一 面將長條狀的膜狀透光性基材2捲繞於朝箭頭b方向旋轉 驅動的輥狀模具14的外周面,一面朝箭頭c方向搬送該 膜狀透光性基材2。如上所述,於輥狀模具14的外周面, 藉由喷射處理而形成有微細凹凸構造。 沿著輥狀模具14的外周面,即具有微細凹凸構造的面 向該輥狀模具14供給膜狀的膜狀透光性基材2,且自樹脂 槽24經由喷嘴26向輥狀模具14與膜狀透光性基材2之間 連續地供給形成紋理層4的活性能量線硬化性組成物22。 作為活性能量線硬化樹脂,若為藉由紫外線、電子束 等活性能量線而硬化者,則並無特別限定。 例如可列舉:聚酯類,環氧系樹脂,聚酯(甲基)丙烯 H(曱基)丙_酸環氧醋、(甲基)丙烯酸胺基甲酸醋等(甲 基)丙烯酸酯系樹脂等。就光學特性等的觀點而言,特佳為 (甲基)丙烯酸S旨系樹脂。 作為此種硬化樹脂中所使用的活性能量線硬化性組成 物22,就操作性或硬化性等的觀點而言,較佳為多官能丙 烯酸酯及/或多官能甲基丙烯酸酯(以下,亦記載為多官能 (甲基)丙烯酸酯)、單官能的丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯 (以下,亦記載為單(甲基)丙烯酸酯)、及以利用活性能量 線的光聚合起始劑為主成分者。 14 201216490 . 作為具有代表性的多官能(甲基)丙稀酸醋可列舉·· 夕讀聚(甲基)丙婦酸醋、聚醋聚(?基)丙婦酸醋 基)丙稀酉夂%氧酯、聚(甲基)丙烯酸胺基甲酸醋等。 料兩伽地辦咖。另外,= ,可列舉··單 ?=)丙輪旨等。尤其,較佳為紋理層4包含G 官能丙稀酸S旨為主成分的合成樹脂。 3以夕 產生合起始劑,若為可藉由活性能量線的照射而 劑。由土者’則並無特別限制,可使用各種光聚合起始 -乙二苯基,、安息香甲峻、安息細、 苯甲醒基二笨基鱗、二=6-:甲基 等。 ,,一甲基本曱醯基二笨基膦 2 合物(含有^官能(甲f對於(曱基)_酸醋系化 基)丙稀嶋化—多官能(甲 的合計)100重量份,通常 土丙烯酸酯系化合物 例來―重量份〜心== 15 201216490 -----Γ1Ι 份〜3重量份。 若使用量過少,則存在聚合速度下降、聚合不充分地 進行的傾向,若過多’畴在所獲得的紋理層4的光線透 過率下降(黃變)的傾向,另外,存在機械強度下降的傾 向。 另外,亦可將熱聚合起始劑與光聚合起始劑併用。 作為熱聚合起始劑,可使用公知的化合物。 …例如y列舉:過氧化氫、第三丁基過氧化氮、二異丙 苯,氧化氫、1,1,3,3_四甲基丁基過氧化氫等過氧化氫,二 第,丁基過氧化物、過氧化二異丙苯等二絲過氧化物, ,氧苯甲St第三丁酯、過氧化(2_乙基己@_三丁醋等過 氧酉曰,過氧化本甲酿等二醯基過氧化物,過氧化碳酸二異 丙酯等過氧化碳酸酯,過氧縮酮,酮過氧化物等過氧化物。 於輥狀模具14的活性能量線硬化性組成物22的供給 位置附近,配置有夾輥28。夾輥28藉由壓力機構3〇而動 作,並將膜狀透光性基材2與活性能量線硬化性組成物22 按壓在輥狀模具14的外周面。 藉由夹輥28的按壓’所供給的活性能量線硬化性組成 物22在膜狀透光性基材2與輥狀模具14的外周面之間以 均勻的厚度擴展。作為夾輥28,使用金屬製輥、橡膠製輥 等。 另外,為了使活性能量線硬化性組成物22的厚度變得 均勻,較佳為以高精度對夾輥28的真圓度、表面粗糙度等 進行加工而成者,於橡膠製輥的情況下,較佳為橡膠硬度 16 201216490 一一 於 V卜太丄 為60度以上的高硬度的輥。 作為壓力機構30,可使用液壓缸、氣壓缸、各種螺旋 機構專,就機構的簡便性等的觀點而言,較佳為氣壓缸。 空氣壓是藉由壓力調整閥等來控制。 為了使所獲得的紋理層4的厚度固定,較佳為將供給 至親狀模具14與膜狀透光性基材2之間的活性能量線硬化 性組成物22保持成固定的黏度。一般而言,黏度範圍較佳 為設定成20 mPa.S〜3000 mPa.S的範圍的黏度,更佳為 lOOmPa.S〜lOOOmPa.S 的範圍。 藉由將活性能量線硬化性組成物22的黏度設定為2〇 mPa.S以上,無需為了使紋理層4的厚度固定而將夾持壓 設定得極低、或者使成形速度變得極快。 若使夾持壓變得極低,則壓力機構的穩定動作無法進 行,透光性薄膜的厚度變得不固定。另外,若使成形速度 變得極快,則活性能量線的照射量不足,活性能量線硬^ 性組成物22的硬化變得不充分。 另方面’藉由將活性能量線硬化性組成物22的黏度 設定為3000 mPa.S以下,可使硬化性組成物充分地遍布至 輥狀模具14的形㈣印面構造的細部&止,且不存在凹凸 構造,精確的轉印變得困難、或者容易因氣泡的混入而產 生缺陷、或者因成形速度的極端的下降而帶來生產性的吳 化的情況。 〜 ,此’為了使活性能量線硬化性組成物22的黏度保持 為固疋,較佳為以可進行活性能量線硬化性組成物22的溫 17 201216490 . _____^11 度控制的方式’事先於樹脂槽24的外部或内部設置護套加 熱器、溫水套等熱源設備。 於夾輥28的搬送方向下游側,設置有活性能量線照射 裝置32。本實施形態中,活性能量線照射裝置32是以如 下方式配置:介隔膜狀透光性基材2,而自輥狀模具14的 外周面的徑向外側位置經由膜狀透光性基材2對配置在膜 狀透光性基材2與輥狀模具14之間的活性能量線硬化性組 成物22進行照射。 作為活性能量線照射裝置32,可使用化學反應用化學 燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬南化物燈、可見光鹵 素燈等。活性能量線較適合的是以例如2〇〇 ηιη〜600 nm, 較佳為320 nm〜390 nm的波長的波長範圍内的累計能量 達到例如 0.1 J/cm2〜1〇 J/cm2,較佳為 〇 $ J/cm2〜8 J/cm2 的方式進行照射。另外,作為活性能量線的照射環境,可 列舉空氣或氮氣、氬氣等惰性氣體。 根據此種構成,將活性能量線硬化性組成物22供給至 輥狀模具14的外周面與膜狀的膜狀透光性基材2之間後, 於活性能量線硬化性組成物22被夾在輥狀模具14與膜狀 透光性基材2之間的狀態下,自活性能量線照射裝置12 透過膜狀透光性基材2照射活性能量線,而使活性能量線 硬化性組成物22聚合硬化,然後進行形成於輥狀模具14 的外周面的微細凹凸構造的轉印。 繼而,使包含膜狀透光性基材2與由活性能量線硬化 樹脂(活性能量線硬化性組成物22)所形成的紋理層4的 18 201216490
具有微細凹凸構造的太陽電池用基板丨自輥狀模具14脫 模,藉此可獲得具備包含有稜角的形狀等的具有銳角的微 細凹凸構造的蚊理層4的太陽電池用基板1。將自親狀模 具14脫模的太陽電池用基板1朝下游方向搬送。 於以上述方式所形成的太陽電池用基板1上,形成背 面反射電極膜6或透明電極。 背面反射電極膜6通常是將包含Ag等的反射電極膜 與透明電極膜積層而構成。作為於太陽電池用基板丨上形 成反射電極膜及透明電極膜的方法,只要使用先前公知的 乾式製転即可。反射電極膜及透明電極膜各自的膜厚較佳 為設定成5 nm以上、5000 nm以下的範圍。若反射電極膜 的厚度低於5 nm’則難以形成追隨太陽電池用基板丨的微 細凹凸形狀的厚度均勻的反射電極膜。另外,若厚度超過 5000 nm,難以形成追隨太陽電池用基板1的微細凹凸形 狀的反射電極膜。 再者,作為此處所述的乾式製程,可列舉濺鍍法、cVD 法、?备鍍法等。就與紋理層2的密接性的觀點而言,較佳 為於金屬或金屬氧化物的形成中使用濺鍍法。另外,更佳 為低溫贿等以低溫將電贿形成於太陽電池用基板! 上。 &根據此種具有微細凹凸構造的太陽電池用基板1的製 這方法,可使用輥狀模具14連續地形成具有微細凹凸構造 的太陽電池用基板i,進而因模具構件的财久性高,故製 品良率及生產性得到提昇,可降低製造成本。 19 201216490 另外’於該方法_,因藉由喷射處理來形成輥狀模具 14的形狀轉印面’故可於太陽電池用基板1上低成本且準 確地連續形成用於使光散射顯現的最佳的微細凹凸構造。 其次’對本實施形態的第2實施形態的太陽電池用基 板40進行說明。 圖4是示意性地表示本發明的第2實施形態的太陽電 池用基板40的構成的部分剖面圖。如圖4所示,太陽電池 用基板40具有表面形成有微細凹凸構造的膜狀基材42、 及包含金屬或金屬氧化物的電極層44。 於本實施形態中,膜狀基材42無需具有紫外線透過 性,因此除可於第1實施形態中使用的基材以外,亦可使 用聚醯亞胺等。聚輕胺因耐熱性亦優異,故制適合。 +於本實施形態的太陽電池用基板4 〇中,微細凹凸構造 疋藉由對膜狀基材42實施喷射處理而形成。 第2實施形態的太陽電制基板4㈣表面的微細凹办 構造的尺寸形狀與第丨實施形態的太陽電池祕板i的咬 理層4的微細凹凸構造的尺寸形狀大致相同。 其次,對在難基材42上形錢細凹凸構造的步驟進 行說明。 首先’利用雙面膠等將未加卫的難基材&固定於金 屬板的表面。作為此時所使用的金屬板,例如级、 鎳、不脑(SUS)、銅、紹、黃銅、鋼等的板。· 繼而,將噴射裝置的噴嘴(嘴射噴嘴)配 於膜狀基材42的表面平行地往返移動。噴时嘴相對於模 20 201216490 狀基材44的表面垂直地配向β 繼而,一 田使0f射喷嘴相對於膜狀基材42進行移動, -面向膜狀基材42絲面吹时雜子,從而於膜狀基材 42的表面形成微細凹凸構造。 喷射粒子與第1實施形態中所使用的嘴射粒子相同。 於以上述方柄製造的太陽電池縣板40的表面,藉 由與第1實施形H彳目_方法形成包含金屬或金屬氧化物 的電極層46。 再者’於本說明書中,「(甲基)丙烯酸醋」是丙烯酸酉旨 與甲基丙烯酸酯的總稱,「(甲基)丙烯酸」是丙烯酸與曱基 丙烯酸的總稱。 本發明並不限定於上述實施形態,可於專利申請的範 圍中所記載的事項的範圍内進行各種變更或變形。 [實例] 以下,對本發明的實例進行說明。 使如下的軺激金屬構件以i分鐘*次的旋轉速度繞著 ㈣軸連續地旋轉’該輕狀金屬構件是於直徑為·賴、 長度為580 mm的輕狀鐵構件的外周面實施厚度為3〇〇叫 :鑛鋼’進而為防止鋼的氧化而實施了厚度為0.5阿的鑛 鎳的輥狀金屬構件。 -面使輥狀金屬構件_,—面如圖2所示般,使喷 士粒子自喷㈣嘴噴出來實施喷射處理。於該喷射處理 中,在與輥狀金屬構件的表面相距遍賴的位置上配置 1出口徑為7,的嘴射喷嘴,—面使喷射噴嘴以〇.2 21 201216490 -----Μ-' mm/秒的速度她狀金屬構件的 輥狀金屬構件的旋轉中^移動’ 一面向 虚㈣》m 附叔度刀布中的累積高度50% 處的粒從為13卿〜15卿最大粒徑為38帅以下的多角 形狀氧化錄子(昭和電工公司f 下的夕角 A#800)。 製化’商品名 Morundmn 將喷射粒子的噴出壓設定為Q5 _。自喷射喷嘴$ 的喷雜子具有固定的寬度,並糊達輥狀金屬構 件的表面,到達表面時的喷射粒子的寬度約為54顏。藉 此,獲得外周面具有微細凹凸構造的輥狀模具。 繼而’如圖3所示,將輥狀模具與橡膠夾報平行地鄰 接配置,然後沿著輥狀模具將包含厚度為1〇〇 的pEN 膜(帝人杜邦薄膜(Teijin DuPont Films)公司製造,商品 名Te〇nexQ65FA)的透光性基材供給至兩者之間。 藉由連接於橡膠夾輥的氣壓缸而在橡膠夾輥與輥狀模 具之間夾持透光性基材。利用分光光度計(日立先端科技 (Hitachi High-Technologies )製造,商品名曰立分光光度 計U-4100)對此處所使用的PEN膜的分光透過率進行測 定,結果波長400 nm的光的透過率為80.0%。 另一方面,藉由使溫度變成25°C來將以下的紫外線硬 化性組成物8的黏度調整成300 mPa_S,該紫外線硬化性 組成物包含丙烯酸苯氧基乙酯(大阪有機化學工業公司製 造,商品名Viscoat#192): 50重量份、雙酚A-二環氧丙烯 酸酉旨(共榮社油脂化學工業公司製造,商品名Epoxy Ester 3000A) : 50重量份、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化 22 201216490 鱗(BASF公司製造,商品名吻㈣⑽):2重量份。 將该紫外線硬化性組成物供給至藉由橡膠夾輥而與輥 狀模具失持該紫外線硬化性組成物的透光性基材的一方的 表面上。於—面使輥狀模具旋轉,一面將紫外線硬化性組 成物夾在輥狀模具與透光性基材之間的狀態下,自紫外線 照射裝置照射紫外線,使紫外線硬化性組成物聚合硬化來 轉印輥狀模具的形狀轉印面的微細凹凸構造。其後,自輕 狀模具脫模,獲得具有微細凹凸構造的太陽電池用基板。 使用原子力顯微鏡(基恩斯公司製造,商品名 Nan〇SCale Hybrid顯微鏡VN-8010)進行測定,結果太陽 電池用基板7的微細凹凸構造的粗糙度曲線的局部山頂平 均間隔S為U μηι,均方根傾斜RAq為172度,切斷程 度50%時的粗糖度曲線的負荷長度率恤(5〇% )為〇 ^。 再者,用於該些粗糙度參數的分析的截止波長為乃pm。 將具有微細凹凸構造的膜狀透光性基材裁剪成5⑽ 見方後,安裝於濺鮮置中,並將雜機⑽真空至1〇-4ρ& 為止。繼而,將Ar作為濺鍍氣體自氣體導入口導入,並 將壓力保持為1 Pa。 繼而’對Ag乾材施加直流電源,於具有微細凹凸構 造的膜狀透光性基材7上積層· nm的Ag廣。進而,使
用含有A1的Zn〇乾材’藉由相同的方法來積層40 nm的 含有A1的ZnO 於該基板上進而積層2 μιη的Si層、7〇 nm的IT〇層 而製成基板型薄财太陽電池,且藉由二維嚴格搞合波分 23 201216490 , 析(Rigorous Coupled Wave Analysis ’ RCWA)模擬來估計 假定利用EVA密封其兩面時的光電轉換效率。作為模擬軟 體’使用 DiffractMOD Ver.3.2 (R-Soft Design Group 公司 製造)。 如圖5所示’作為太陽電池用基板的形狀,假定稜鏡 高度為50%處具有節點的棱鏡形狀,其間距p使用局部山 頂平均間隔S的值。若以使節點間的棱鏡寬度D成為s與 切斷程度50%時的粗糙度曲線的負荷長度率Rmr (5〇%) 的積、且使均方根傾斜RAq與實測值相同的方式決定傾斜 角0丨與傾斜角θ2,則變成tar^^tanCRAqhv^RmiOO%) / ( 1 — Rmr ( 50% ))), tan02 = tan ( RAq ) χ/~ ( ( 1 — Rmr (50%)) /Rmr (5〇%))。 針對基板形狀以 Ag (200nm)、ZnO (40nm)、Si (2 μπι)、ITO (70nm)的順序進行積層,將各薄膜設定為自 稜鏡的邊朝垂直方向成長、且自頂點起成同心、圓狀地成 長。另外,使比ITO層更外侧的空間充滿EVA。 於此種體系中’分別使用上述的局部山頂平均間隔s 1.1 μπι、均方根傾斜RAq 17 2度、切斷程度鮮。時的粗链 度曲線的貞丨丨長度率驗⑼%)。43來進行二維 模擬並。十算垂直射入波長為的光時的 各波長下的吸收率。使該吸收率與藉由AM 1.5G光譜乘以 =t求出的「光子數光譜」、基板型薄膜石夕太陽電池中 Γίίΐ:的對於電子的轉換率相乘並進行積分’藉此可 估汁光電轉換效率。 24 201216490. 、"右與對傾斜角為0度的情況(無凹凸而平坦的情况) 進灯了相同的模擬者進行比較,則估計光電轉換效率變成 1.35 倍。 (實例2〜實例5) 除改變喷射粒子的種類及噴出壓以外以與實例1相 同的方法於輥模具外周面形成微細凹凸構造,使用紫外線 硬化性組成物製作太陽電池用基板’並進行測定及光電轉 換效率的估計。 將其結果示於表1。再者,實例2中的喷射粒子使用 多角形狀氧化鋁粒子(昭和電工公司製造,商品名 MorundmnA#12〇〇)。於實例3中,使用多角形狀氧化鋁粒 子(昭和電工公司製造,商品名Morundum A#1500 )。於 實例4、實例5、實例6中,使用多角形狀氧化鋁粒子(昭 和電工公司製造,商品名Morundum A#400 )。於實例7中, 使用球狀陶瓷粒子(Saint-Gobain公司製造,商品名Zirblast B-505)。 [表1] 粒子形狀 累積高度50%處 粒徑/pm 最大粒 徑/μηι 喷出壓/ MPa S/μιη RAq/度 Rmr (50%) 推定光封閉 效率 實例1 多角形狀 13.0-15.0 38以下 0.5 1.1 17.2 0.43 1.33 倍 實例2 多角形狀 8.7-10.3 27以下 0.5 1 16.1 0.33 1.35 倍 實例3 多角形狀 7.4-8.6 23以下 0.5 0.7 13.8 0.21 1.24 倍 實例4 多角形狀 28.0-32.0 75以下 0.5 1.9 17.9 0,44 1.31 倍 實例5 多角形狀 28.0-32.0 75以下 0.6 2.3 18.0 0.44 1.29 倍 實例 多角形狀 28.0-32.0 75以下 0.2 2 13.9 0.41 1.23.倍 實例7 球狀 18.8 31.5 0.8 1.7 10.2 0.55 1.20 倍 (實例8) 25 201216490“ 利用雙面膠於-邊為2〇0mm的正方形的厚度為3· 的SUS板上固定相同形狀的厚度為50 μιη的聚醯亞胺膜 (東麗.杜邦(DU PONT-TORAY )公司製造,商品名Kapt〇n Η型)’使翁粒子自翁喷嘴喷出至倾亞賴上來實施 嗔射處理。霞·處理巾,在與㈣亞賴的表面相距 220 mm的位置上配置噴出口徑為7mm(p的喷射喷嘴一 面掃描整個聚醯亞胺膜—面向聚醯亞胺膜吹附與實例i相 同的不疋形氧化紹粒子(昭和電工公司製造,商品名
Morundum A#800)。 .再者,喷射喷嘴的掃描是以往返運動為基本,在往前 與返回中空開〇.6 mm之間隔進行掃描。繼*,相對於返 回的掃描線進而空開0.6 mm之間隔進行下一次掃描,返 回同様地空開0.6 mm之間隔進行掃描。藉由該重複操作 而對整個聚醯亞賴騎了掃描。藉此,獲得具有微細凹 凸構造的太陽電池用基材。 以與貫例1相同的方式進行測定,結果太陽電池用基 材的微細凹凸構造的粗縫度曲線的局部山頂平均間隔8為 1.5 μιη ’均方根傾斜R^q為14 5度,切斷程度5〇%時的粗 縫度曲線的負荷長度率Rmr (50%)為〇59。再者,用於 該些粗糙度參數的分析的截止波長為25 μιη。 —繼而,使用Ag靶材及含有A1的Ζη〇靶材,藉由與 貫例1相同的方法依次積層2〇〇nm的Ag層、4〇nm的含 有A1的ZnO層。利用與實例}相同的二維RCWA模擬來 估計光電轉換效率,結果為無凹凸的情況的123倍。 26 201216490 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的第1太陽電池用基板1的構成的 示意性的部分剖面圖。 圖2是用於說明製造圖1的太陽電池用基板1時所使 用的輥模的製造方法的示意性的立體圖。 圖3是示意性地表示使用圖2所示的輥狀模具製造圖 1的太陽電池用基板的基板製造裝置的圖式。 圖4是示意性地表示本發明的第2實施形態的太陽電 池用基板的構成的部分剖面圖。 圖5是二維RCWA模擬中所使用的本發明的第1實施 形態的太陽電池基板的模型圖。 【主要元件符號說明】 1 :太陽電池用基板 2:膜狀透光性基材 4 :紋理層 6:背面反射電極膜 :金屬構件 12:喷射喷嘴 14 :輥狀模具、噴射粒子 20 :基板製造裝置 22 :活性能量線硬化性組成物 24 :樹脂槽 26 =喷嘴 28 =夾輥 27 201216490,· 30 :壓力機構 32 :活性能量線照射裝置 40 :太陽電池用基板 42 :膜狀基材 44 :電極層 A :旋轉軸 B、C:箭頭 D:稜鏡寬度 P :間距 、θ2 :傾斜角 28

Claims (1)

  1. 201216490f 七、申請專利範圍· 1. 一種太陽電池用基板’其是表面具有微細凹凸構造 的膜狀的太陽電池用基板,其特徵在於: 由合成樹脂形成’且上述微細凹凸構造的粗链度曲線 的局部山頂平均間隔S為0.3 μιη〜3 μιη。 2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽電池用基板,其 中上述微細凹凸構造的粗糖度曲線的均方根傾斜RAq為 14度〜30度。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之太陽電池用 基板’其中上述微細凹凸構造的切斷程度5〇%時的粗糙度 曲線的負荷長度率Rmr (50%)為〇.2〜〇 5。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之太 陽電池用基板’其中上述微細凹凸構造是具有銳角的不定 形的微細凹凸構造。 5. 如申請專利範圍第〗項至第4項中任一項所述之太 陽電池用基板,其中上述太陽電池是基板型構造的薄膜石夕 太陽電池。 6. -種太陽電池基板的製造方法,其特徵在於包括如 下步驟: 在模具與膜狀透明基材之間夾持未硬化的活性能量線 硬化性樹脂組成物,上述模具為藉由噴射處理而於表面形 成有粗縫度曲線的局部山頂平均間隔8狀 微細凹凸構造; μ的 經由上述膜狀透明基材對上述活性能量線硬化性樹脂 29 201216490、 組成物照射活性能量線,使上述活性能量線硬化性組成物 硬化,而於上述膜狀透光性基材上形成與上述模具的表面 的該微細凹凸構造互補的微細構造;以及 自上述模具剝離上述膜狀透光性基材。 7. 如申請專利範圍第6項所述之太陽電池用基板的製 造方法’其中上述模具為輥模。 8. —種太陽電池基板的製造方法,其特徵在於包括如 下步驟: 對膜狀基材實施喷射處理,藉此形成粗糙度曲線的局 部山頂平均間隔S為0.3 μιη〜3 μιη的微細凹凸構造。 9. 如申請專利範圍第6項炱第8項中任一項所述之太 陽電池用基板的製造方法,其中用於上述噴射處理的喷射 粒子為多角形狀。 10. 如申請專利範圍第9頊所述之太陽電池用基板的 製造方法,其中上述喷射粒子的粒度分布中的累積高度 50%處的粒徑為5 μιη〜35 μιη。 11. 如申請專利範圍第8頊炱第10項中任一項所述之 太陽電池用基板的製造方法,其中上述喷射粒子的粒度分 布中的最大粒徑為80 μιη以下。 30
TW100127021A 2010-07-29 2011-07-29 Substrate for solar cell and method for fabricating the same TW201216490A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010170070 2010-07-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201216490A true TW201216490A (en) 2012-04-16

Family

ID=45530225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100127021A TW201216490A (en) 2010-07-29 2011-07-29 Substrate for solar cell and method for fabricating the same

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2012015026A1 (zh)
TW (1) TW201216490A (zh)
WO (1) WO2012015026A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6098424B2 (ja) * 2013-07-31 2017-03-22 王子ホールディングス株式会社 導電性シート、および、タッチパネル
JP7492888B2 (ja) 2020-09-10 2024-05-30 株式会社カネカ 太陽電池及び太陽電池製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2504378B2 (ja) * 1993-10-22 1996-06-05 株式会社日立製作所 太陽電池基板の製造方法
JP3431776B2 (ja) * 1995-11-13 2003-07-28 シャープ株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置
JPH11191632A (ja) * 1997-10-21 1999-07-13 Sharp Corp 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2008177549A (ja) * 2006-12-22 2008-07-31 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 太陽電池用透明電極基板
JP2009302109A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Citizen Holdings Co Ltd 太陽電池とその製造方法
JP2010027564A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Mitsubishi Rayon Co Ltd 面光源装置及びそれに用いる導光体

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012015026A1 (ja) 2013-09-12
WO2012015026A1 (ja) 2012-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5237123B2 (ja) プラスチック基材の塗装方法及び塗装されたプラスチック製品
US10096799B2 (en) Organic light emitting diode with surface modification layer
TW201029206A (en) Light recycling sheet, solar battery module, and light source module
TW201025647A (en) Photovoltaic module
TW201029205A (en) Light recycling sheet and solar battery module
TW201240179A (en) Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur
TW201232870A (en) Light extraction films for organic light emitting devices (OLEDs)
TW201236872A (en) Fine-structure laminate, method for preparing fine-structure laminate, and production method for fine-structure laminate
TW201232868A (en) An organic electro-luminescent device
US10014492B2 (en) Organic electroluminescent device
KR102648444B1 (ko) 플렉시블 발광 디바이스, 조명 장치 및 화상 표시 장치
JP2011051195A (ja) 複合フィルム
JP6603808B2 (ja) ガスバリアフィルムおよび太陽電池、ならびに、ガスバリアフィルムの製造方法
WO2009157447A1 (ja) 透明導電膜付き基板、薄膜光電変換装置および該基板の製造方法
CN106103084A (zh) 功能性层叠膜、功能性层叠膜的制造方法、及包含功能性层叠膜的有机电致发光装置
JP2010092899A (ja) 太陽電池モジュール
KR101726017B1 (ko) 태양 전지용 투명 도전성 기판, 그의 제조 방법 및 이를 이용한 태양 전지
TW201216490A (en) Substrate for solar cell and method for fabricating the same
JP6948369B2 (ja) モスアイ転写型及びモスアイ転写型の製造方法
JP2020177923A (ja) フレキシブル発光デバイス、照明装置および画像表示装置
JP6689584B2 (ja) 透明導電性積層体及び透明導電性積層体の製造方法
JP6467089B1 (ja) モスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法及びモスアイ構造の転写方法
JP6185867B2 (ja) 機能性積層材料、機能性積層材料の製造方法、および機能性積層材料を含む有機電界発光装置
JP2016060109A (ja) 機能性フィルムの製造方法
KR101719520B1 (ko) 탄화불소 박막을 포함하는 다층 배리어 필름 및 이의 제조방법