TW201213984A - Strengthened structural module and method of fabrication - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 55
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 24
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 55
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 52
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 claims 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 claims 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
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- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
- C03C27/10—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/133311—Environmental protection, e.g. against dust or humidity
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- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/503—Arrangements improving the resistance to shock
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Description
201213984 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於薄膜沉積技術及顯示器技術,本發明尤關於一 種包含一玻璃基板之模件,該模件業經藉一塗層強化,及製造此 一模件之方法。 【先前技術】 許多使用於顯示器之結構模件,尤其在平面顯示器或觸控式 面板,採用一或更多薄片玻璃以供各種不同用途。玻璃薄片,例 如,可保護形成影像之晝素矩陣,或其可對其他功能層提供機械 支持。同時玻璃,作為一種材料,可提供例如對可見光低吸收之 優異光學特性,此特性為高品質顯示器及此類顯示器之觸控式面 板的必須要件。 當一玻璃層存在於觀視者與顯示器形成影像層之間時,該玻 璃層必須在光學上儘可能的均勻,使影像品質不致受外罩玻璃之 傷害。為減小一玻璃層之光學瑕疵,通常僅以一結構及光學上均 質之玻璃片作為該玻璃之一層而不將分離之玻璃片黏合一起形 成該玻璃層。因此此類均質玻璃片之尺寸當然相當於面板之尺 寸,而該薄片之尺寸可自直徑數吋至甚至100吋以上範圍改變。 為改進影像品質及減低面板之重量,安置於顯示器影像形成 層前方之一玻璃薄片通常極薄。結果適合用於顯示器面板之玻璃 薄片可能較為脆弱,且所具之破裂臨界點較低,因此為了高品質 低重量之顯示器,製造含有一玻璃薄片之結構模件乃屬重要,如 此玻璃薄片對於環境干擾之破裂臨界點,或有關強度之其他參數 在模件中可獲增強。 201213984 習知技藝有揭示顯示器之多種不同結構模件,其備有玻續基 板(一般為薄片玻璃)。此類模件之有些係企圖藉特殊設計等改 進結構之機械強度及其他機械特性,例如美國專利申請公告 US2001/0050372案揭示一種可撓曲基板,該基板包含具有—層 合成樹酯材料於其表面之一玻璃薄片。 隨著顯示器尺寸之不斷增加,當今,對於顯示器用結構模件 包含具有較高堅固性及機械強度之玻璃基板,更有一強烈需求。 【發明内容】 本發明之一目的在於藉提供具有一玻璃基板之新類形強化 結構模件,以解決前述習用技藝之技術問題。 依本發明之結構及製法,乃以請求專利範圍所陳述者為其特 徵。 依本發明之強化結構模件包含一實質平面玻璃基板、一實質 平面第二基板及至少一隔離元件於該玻璃基板與第二基板之 間’並與該玻璃基板之平面及第二基板之平面相接觸,該至少— 隔離元件使該玻璃基板與第二基板自二片基板邊緣起保持相互 隔離,而在該二片基板間限定成一間隔於模件内部,該模件包含 有一塗層包覆於模件外周,該塗層經保形塗敷於玻璃基板、第二 基板及該至少一隔離元件朝向模件外側之表面,俾增加模件之強 度。 依本發明製造一強化結構模件之方法,該模件包括一實質平 面玻璃基板、一實質平面第二基板及至少一隔離元件,該方法包 含將該至少一隔離元件安置於該玻璃基板與第二基板之間,並與 該玻璃基板之平面及第二基板之平面相接觸,該至少一隔離元件 201213984 使該玻璃基板與第二基板自二片基板邊緣起保持相互隔離,而在 該二片基板間限定成一空間於模件内部,本方法包含形成一塗層 包覆於模件外周,而保形於玻璃基板、第二基板及該至少一隔離 元件朝向模件外側之表面,俾增加模件之強度。 於本說明書中,除非另有不同陳述,、'順形(conforma丨)"一 詞或有關塗層之文句中任何類似之詞彙,應予認知為一塗層在其 塗層每一點之厚度乃實質上相同,且其表面輪廓則順著其下基板 之表面特徵。 於本說明書中,除非另有不同陳述,、平面(planar)" 一詞或 有關基板之文句中任何類似之詞彙,應予認知為一平板狀基板, 其二側面尺寸遠大於該基板之厚度,因此一平面基板可為如一微 微彎曲之板片。 令人驚異之觀察到’藉形成一保形塗層於模件外周以包覆模 件,模件之強度即大為增加,該增加之強度,可對模件之玻璃基 板及整體模件二者,藉測量彎曲強度及韋伯模數 modulus)予以觀測出’施用之保形塗層亦改進了結構模件之密 封度’因此氣體渗人模件内部二基板間之空間乃大為減少。 依本發明之-實施例,二基板間之空間係—封閉空間,告於 二基板間之空間被封閉,該空間内之功能性塗:或 其他敏感性組件可有效舰於周遭環境,此有助於如 二 步製程及魬裝以供其最終用途。 、千之進 依本發明之一實施例,s亥塗層係一連續性薄 另-實施例,該塗層具有-低於5。奈求之厚度4膜有依:發明之 之發現,即縱為一極薄之連續性薄膜形式之保形塗層 201213984 致顯著之模件強化,薄膜亦具有超越較厚塗層之經濟效益,如在 較少耗材及較短之製造時間之形態上。 依本發明之再一實施例,其第二基板為玻璃,當第二基板亦 採用玻璃時,其模件可製成在可見光下實質上透明,此種結構之 模件可使用於液晶顯示器,該透明模件亦可完全置於顯示器中之 像素矩陣前面,此可帶來模件之多功能性,且使其可應用於如顯 示器之觸感介面(觸感面板)。 依本發明之又一實施例,該方法係用於製造顯示裝置之模 件;依本發明之另一實施例,本發明之模件為於平板顯示器之一 種模件;依本發明之再一實施例,在二基板間之空間包含適用於 液晶顯示器之液晶。本發明之結構模件可輕易適應不同功能層及 一平板顯示器操作所需之其他材質,該模件尤適合於平板式液晶 顯示器,其液晶可埋置且有效密封於模件内之空間者。 依本發明之另一實施例,該至少一隔離元件可封閉空間,以 防止氣體自模件外部流入模件内部;依本發明之再另一實施例, 該隔離元件之材質係選自含有環氧樹脂、合成橡膠及玻璃粉成分 之群者,於本發明之一些實施例中,該環氧樹脂可為熱凝樹脂或 光凝樹脂。 依本發明之一實施例,該實質平面玻璃基板之厚度平均小於 1.5毫米,當平均厚度小於1.5毫米之玻璃薄片應用於結構模件 之玻璃基板時,由於模件周圍之保形塗層,模件可測強度之相對 增加乃特別高。 依本發明之一實施例,其形成之一塗層包含沉積一連續薄膜 保形塗敷於於模件朝外之表面;依本發明之另一實施例形成塗 201213984 層,包含導入一第一初級粒子於一反應空間中,因此至少該初級 粒子之一部分可吸附於朝向模件外周之表面,隨後即淨化該反應 空間;並導入一第二初級粒子於該反應空間中,因此至少該初級 粒子之一部分可與第一初級粒子之吸附部分相互反應,且隨後淨 化該反應空間。依本發明之再一實施例形成之一塗層,包含形成 一原子層沉積(ALD)型之製程,藉沉積一連續薄膜於表面形成 保形塗層以環繞結構模件之外周面,模件之強化效果乃進一步突 顯。當塗層為一連續薄膜以原子層沉積(ALD)製程沉積於模件 時,其薄膜主要經由實質上自限表面反應而增長,其保形性特別 高及強化效果尤為突顯。優異之塗層保形性及模件強化,亦可以 任何其他製程而獲得,該製程係基於交替導入初級粒子於反應空 間,以致至少該導入之初級粒子之一部分可吸附於模件外周表面 者。 以上所述本發明之實施例可能使用於任何相互組合,數個實 施例更可組合在一起而形成本發明之進階實施例。與本發明相關 之一種結構或一種方法,可包含至少一種上述本發明之實施例。 【實施方式】 以下配合附圖更詳細說明本發明,附圖中: 圖1:係依本發明一實施例如圖2a之模件之製法一流程圖。 圖2a :係依本發明一實施例之模件之概略斷面圖。 圖2b:係依圖2a之模件依平板結構平面垂直方向之概略斷 面圖。 圖3a :係依本發明一實施例之另一模件之概略斷面圖。 圖3b :係依本發明一實施例之又一模件之概略斷面圖。及 201213984 圖3c··係係依本發明-實施例之再一模件之概略斷面圖。 為簡明起見’於以下所舉實施例中凡重複之組件其符號將予 以維持相同。 以下說明揭露數個本發明L卜朗之料足使孰知此 項技藝者可依據揭露内容運用本發明,實施例所有步驟或组件並 非俱有詳細討論,因依本說明書,許多步驟或組件對於熟知此項 技藝者乃顯而易見者。 圖i之方法啟動以步驟s卜其内二麵薄片卜3乃藉由置 於該二玻璃薄片卜3間之-隔離元件5而黏合—起,該隔離元 件5分隔二玻璃薄片卜3,使該二玻璃薄片卜3間形成一封閉 空間7’此產生之結構其後將歸類為初始模件,類似圖h及圖 2b之概略®料之結構模件2,縣有㈣塗層9_該初始模 件,於圖1之方法中’該保形塗層9係沉積圍⑽初始模件,即 以-連續薄膜圍覆朝向模件外周之表面,包括模件之頂部、底部 及周圍。 保形塗層9之沉積製程始於將初始模件帶人—反應空間(步 驟S2)’在初始模件與反應空間達到—狀之沉積溫度,且其他 條件適於沉_,_表面之转«料同減粒子乃啟動, 俾以-原子層沉積型沉積法沉積—保形且連續之薄膜於 模件周圍。 原子層沉積(ALD)或原子層沉積型之方法,係—種方法, 可沉積均-且保形之薄層如薄膜,於不同形狀,甚至於複雜之 3D (二度空間)結構之基板上者,於原子層沉積型之方法,其 沉積係藉交㈣複、實質自限之表面反應在-初級粒子與將被塗 201213984 =之表面:生長,因此在一原子層沉積型製程中之生長機構,通 常不像許多其他方法對於如反應空間内之流動力那麼敏感。 在一原子層沉積型製程中,二種或更多不同之化學物質(初 級粒子)’依-連續、交替之形態被導至一反應空間,且該初級 粒子可在反應空間内吸附於例如基板之表面,該初級粒子之連 續交替導入通常稱為(初級粒子之)脈衝,於各脈衝之間有一 淨化期’其間不會與製程中所用初級粒子反應之—氣流被導入反 應空間’因而此氣體,通常稱為載運氣體,對於製程中所用初級 粒子乃屬惰'|±,而可將例如因先前初級粒子闕產生之剩餘初級 粒子及副產物,自反應空間清除’此種淨化亦可安排以其他手 段,原子層沉積型製法之實質特性,係連續曝露沉積表 面於初級 粒子,及對初級粒子之生長反應實質上在沉積之表面。 薄膜可藉原子層沉積型製程生長,藉重複數次脈衝序列包含 刚述包括初%粒子化學物質及淨化期之脈衝,此序列,即所謂、原 子層沉積週期為重複多少次數,乃取決於薄膜或塗層預定厚 度。 昔用技藝揭露—廣泛之材質可予以合成,並可依原子層沉積 型製程’藉交替曝露基板表面於不同初級粒子,而沉積於基板 上’同時也有適於執行一原子層沉積型製程之許多不同裝置業經 揭露於昔知技藝中,例如美國專利第6174377號案即描述有原子 層沉積用之機具,關於原子層沉積基礎之良好探討有一本書: Atomic Layer Epitaxy(原子層之外延生長),T.Suntola et al·所著, Blackie and Son LTD.,Glasgow,1990 〇 一種製造機具之結構適於執行下述實施例之方法者,依本文 201213984 所揭露,對於熟知技藝人士乃屬顯而易見,此類機具可為例如一 適於操作製程用化學物質之傳統原子層沉積機具,如美國專利第 4389973號及美國專利第4413022號所揭露之原子層沉積用機具 (亦即反應器),已包含於於本文供作參考,有關操作此類機具 之許多步驟,諸如傳送一基板進入反應空間、將反應空間抽降至 一低壓、或若製程完成於大氣壓力之調整機具中氣流、加熱基板 及反應空間等等,對於熟知技藝人士皆極為淺顯。 原子層沉積型製程中之初級粒子,乃適於依其氣體形態導入 反應空間,由初級粒子首次蒸發於其相關原始容器即可瞭解,其 可否加熱則取決於初級粒子化學物質自身之特性,該被蒸發之初 級粒子可被運入反應空間,藉例如經由反應器機具管路注入,該 反應器機具包含有氣流道供傳送蒸發之初級粒子進入反應空間 者,控制蒸汽之注入反應空間,當知可藉裝設於氣流道之閥門或 其他流量控制器,適用於原子層沉積型製程之一系統中之此類閥 門,通常稱為脈衝閥,其他將基板帶入反應空間與一化學物質接 觸之機構亦可想而知;一替代方式為將基板表面(而非蒸發之化 學物質)移入反應空間,致使該基板移動穿過一充滿汽化化學物 質之區域。 適用於原子層沉積型之典型反應器,包含有一系統供導引載 運氣體諸如氮或氬進入反應空間,因此該反應空間可於導入其次 化學物質之前,將剩餘化學物質及反應之副產物清除,此特徵連 同控制蒸發之初級粒子注入量,使將基板表面交替曝露於初級粒 子,而不致產生嚴重之不同初級粒子相混於反應空間或於反應器 其他部分中,實際上載運氣體之氣流通常為連續通過反應空間貫 10 201213984 穿整個沉積過程,而僅有不同之初級粒子偕同載運氣體交替導入 至反應空間,顯然,由於剩餘化學物質或反應之副產物已完全清 除,反應空間之淨化並非必要,然而此類殘渣或其他物質可能經 常存在。 初始模件經備妥且被帶入反應空間後(上所論及之步驟si 及S2),於本發明圖1所示實施例中,原子層沉積型之薄膜生長 起始於步驟S3,亦即該初始模件朝模件外侧之表面乃曝露於第 一初級粒子例如水,表面對第一初級粒子之曝露,在以下討論之 適當條件下,將導致一部分導入之初級粒子吸附於曝露之表面; 在反應空間淨化後,該表面即曝露於第二初級粒子(步驟S4), 其於本案可為例如三甲基鋁(TMA);其後反應空間自然再予淨 化,一些此類第二初級粒子輪流被吸附於步驟S3產生之表面。 步驟S4跟隨著步驟S3,沉積於初始模件曝露表面,即朝外 之表面,導致實質上保形之構成物,依圖1之實施例,各沉積表 面於步驟S3及S4中曝露於一初級粒子,由於對應於初級粒子 與表面之吸附反應,導致額外沉積之構成物於沉積表面,因此, 最後之步驟S3及S4,當重複足夠次數時,將產生一連續而保形 之塗層9圍覆於初始模件,步驟S3及S4究竟應繁密重複多少 次,乃取決於製程之化學物質(取決於初級粒子),且縱為一單 一原子層沉積週期亦足以形成一連續而保形之薄膜9於該初始 模件周圍。 在初始模件上之保形塗層9厚度,可藉依序重複步驟S3及 S4而增加,如同圖1之流程圖所示,保形塗層9厚度可增加至 達到一預定厚度為止,其後該交替曝露即停止且製程終止,最終 201213984 圆1之方法產生如圖2a及圖2b所示依本發明一實施例之強化結 構模件^ 由於沉積製程形成一保形而連續之薄膜於初始模件表面 上,此保形塗層9提供了重要之模件2強化如上所述,該保形塗 層9同時具有優異之均—厚度及均勻成分圍覆於模件2表面,藉 原=層沉積製程生長之薄膜之—額外優點為,薄膜之良好保形性 及尚雄度提咼了模件内封閉空間之密封度。 強化結構模件2可應用於許多方面,如其可結合許多不同功 能之組件’使其適應例如不同型式之平面顯示器及/或觸控榮幕 之觸感面板,圖3a.3e所示之概略圖顯示本發明強化結構模件2 之不同實施例’該實施例結合不同之功能元件於強化結構模件2 之空間中。 圖3a之強化結構模件2包括有透明電極u於玻璃基板1及 第-基板3上,各置於朝向模件2内部(封閉空間7)之表面, 於此實施例+該實質平板之玻璃基板丨略呈曲面,此種結構模件 2可應用於例如其第二基板3亦為透明之電阻式觸控面板,於本 發月-其他實施例中,該第二基板3可為不透明,例如金屬薄 圆之強化、..σ構模件2結合隔離元件13於封閉空間7中, = 基板與第二基板相互間維持一特定距離以針對可能 匕有益於例如應用於封閉空間7内容納如液晶等敏 ^於且二 ’ ®3b之結構模件2 75適用於例如液晶顯示 :聚合片基板3通常為—玻璃板或—其它透明材質 12 201213984 圖3c之強化結構模件2包括有透明電極11於玻璃基板1及 第二基板3上,於朝向模件2内部(封閉空間7)之表面,該圖 3c之模件,復包含額外之保形塗層15、17於朝向模件外周表面 所沉積之保形塗層9上,額外之保形塗層可用以如增進封閉空間 7對外圍環境之密閉性。 .保形塗層9可藉能形成保形薄膜於初始模件上之任何方法 予以沉積,除可產生保形薄膜至奈米等級之原子層沉積法外,其 他塗佈方法諸如藏射塗膜法(Sputtering )、化學蒸敷法(CVD )、 溶膠凝膠法、浸鍍法、脈衝鐳射沉積法(PLD )或連續離子層吸 附反應法(SILAR)皆可使用。 藉適當選擇沉積方法、初級粒子及用以形成保形塗層製程參 數,圍覆於模件之塗層之保形性及均一性可進一步增進,以下實 例詳細說明保形塗層如何能適當生長於初始模件上。 實例: 保形塗層係形成於初始模件表面,初始模件乃以各具300 微米厚度之二玻璃薄片,並藉一封閉隔離元件自邊緣予以隔離而 構成,該薄片係藉由該二薄片間之隔離元件而黏合在一起,基板 則概略如圖2所示結構而無保形塗層9圍覆於模件周圍,此基板 首先插入一 P400原子層沉積批量生產機具(可得自芬蘭Beneq ΟΥ)’該基板即被安置於反應空間内使模件整體外周面實際曝露 於反應環境,而僅有少數極小固定點支撐各模件。 於製備供裝載初始模件進入原子層沉積機具後,原子層沉積 機具之反應空間即被抽降至負壓,且一載運氣體之連續氣流乃設 成達到約1毫巴(1 hpa)之處理壓力,而基板則隨後被加熱至 13 201213984 處理溫度,該溫度乃藉一電腦控制6小時之加熱期,而於反應空 間内穩定於185°C之處理溫度,於此實例上述載運氣體及承擔 淨化反應空間者為氮氣(N2 ),於此實例中,該處理溫度足以產 生熱激發原子層沉積型生長,並未採用等離子體激活法。 在處理溫度達到且穩定之後,即依圖1步驟S3將第一初級 粒子導至反應空間,俾使初始模件表面曝露於第一初級粒子,在 使載運氣體清除反應空間之剩餘第一初級粒子及反應副產物 後,產生之基板表面於步驟S4仍同樣曝露於第二初級粒子,此 後,反應空間即被再度淨化,此淨化序列之組成係由步驟S3及 步驟S4執行一次,且其後重複199次,此後製程結束而模件即 自原子層沉積機具之反應空間被排出。 基板表面之曝露於一特定初級粒子,係藉開啟P400原子層 沉積機具之脈衝閥而執行,該閥可控制初級粒子化學物質之氣流 進入反應空間;淨化反應空間則藉關閉控制初級粒子氣流進入反 應空間之脈衝閥而執行,因此僅讓載運氣體之連續氣流流經反應 空間,脈衝序列於此實例詳細如下:0.6秒曝露於水;1.5秒淨化; 0.4秒曝露於三甲基鋁;1.5秒淨化,一曝露時間及一淨化時間於 此序列,意謂一段時間供一特定初級粒子用之一特定脈衝閥保持 啟開,而一段時間供初級粒子用之所有脈衝閥則相對保持關閉。 200次之 '原子層沉積機週期(ALD cycles)〃產生了一厚 度接近20奈米(nm)之氧化鋁保形薄膜,該薄膜經測定為極其 保形且均勻遍及廣大表面區域,在塗敷過程後,該強化結構模件 顯示,相較於用其他方法之同一未塗佈初始模件,可觀測到其於 寶曲破壞強度有一35%之增加,而於韋伯模數(\\^丨1?1111111〇£1111115) 14 201213984 則有一戲劇化之70°/。增加。 如以上實例所詳述之類似測試,亦配合其他沉積溫度及其他 薄膜厚度予以執行,於諸此測試中,塗層厚度在15奈米至50 奈米之間各有不同,而沉積溫度則於100°C至200°C之間有所 不同,所有產生之塗層模件顯示,在彎曲破壞強度及韋伯模數方 面有重大之強化。 於上述實例中,第一初級粒子係水,而第二初級粒子為三甲 基鋁〈A12(CH3)6〉,然而其他初級粒子亦可使用,本發明並不限 於使用前述初級粒子或特定之原子層沉積法,且本發明之優點, 按照本說明書,同時配合其他初級粒子,及其他能產製保形塗層 圍覆於一基板周圍之塗敷法,即可為熟知技藝之人士所獲得。 由於為熟知此項技藝人士所顯而易見,本發明並不限於上述 實例,而其實施例自可於請求專利範圍内隨意改變。 【圖式簡單說明】 圖1:係依本發明一實施例如圖2a之模件之製法之流程圖; 圖2a :係依本發明一實施例之模件之概略斷面圖; 圖2 b .係依圖2 a之模件依平板結構平面垂直方向之概略斷 面圖; 圖3a :係依本發明一實施例之另一模件之概略斷面圖; 圖3b :係依本發明一實施例之又一模件之概略斷面圖;及 圖3c :係係依本發明一實施例之再一模件之概略斷面圖。 【主要元件符號說明】 1 玻璃基板 2 結構模件 15 201213984 3 第二基板 5 隔離元件 7 封閉空間 9 保形塗層 11 透明電極 13 隔離元件 15 額外保形塗層 17 額外保形塗層 16
Claims (1)
- 201213984 七、申請專利範圍: 1. 一種強化結構模件,包含一實質平面之玻璃基板、一實質 平面之第二基板及至少一隔離元件於該玻璃基板與第二基板之 間,並與該玻璃基板表面與第二基板表面相接觸;該隔離元件使 玻璃基板與第二基板自該二基板之邊緣起保持相互隔離,並界定 成一空間於模件内部之該二基板間,其特徵在於:該模件包含一 塗層圍覆於模件外周,該塗層係可保形地配設於該玻璃基板、第 二基板及該至少一隔離元件朝向模件外周之表面,俾增加該模件 之強度。 2. 依申請專利範圍1之強化結構模件,其特徵在於該二基板 間之空間係一封閉空間。 3. 依申請專利範圍1至2中任何一項之強化結構模件,其特 徵在於該塗層係一連續薄膜。 4. 依申請專利範圍1至3中任何一項之強化結構模件,其特 徵在於該第二基板係玻璃。 5. 依申請專利範圍1至4中任何一項之強化結構模件,其特 徵在於該模件係平面顯示器中之模件。 6.依申請專利範圍1至5中任何一項之強化結構模件,其特 徵在於該二基板間之空間包含適用於一液晶顯示器之液晶。 17 201213984 7. 依申請專利範圍1至6中任何一項之強化結構模件,其特 徵在於該至少一隔離元件可密封該空間,俾防止模件外之氣流進 入模件内部。 8. 依申請專利範圍1至7中任何一項之強化結構模件,其特 徵在於該隔離元件之材質係選自具有環氧樹脂、合成橡膠及玻璃 粉成分之群。 9. 依申請專利範圍1至8中任何一項之強化結構模件,其特 徵在於該實質平面之玻璃基板係平均厚度小於1.5毫米。 10. 依申請專利範圍1至9中任何一項之強化結構模件,其 特徵在於該塗層具有50奈米以下厚度。 11. 一種製造一強化結構模件之方法,包含一實質平面之玻 璃基板、一實質平面之第二基板及至少一隔離元件於該玻璃基板 與第二基板之間,並與該玻璃基板表面與第二基板表面相接觸; 該隔離元件使玻璃基板與第二基板自該二基板之邊緣起保持相 互隔離,並限定成一空間於模件内部之該二基板間,其特徵在於 該方法包含: 形成一塗層圍覆於模件外周,而可保形於該玻璃基板、 第二基板及該至少一隔離元件朝向模件外周之表面,以增加該模 件之強度。 18 201213984 12. 依申請專利範圍11之方法,其特徵在於該二基板間之空 間係一封閉空間。 13. 依申請專利範圍11至12中任何一項之方法,其特徵在 於該塗層係一連續薄膜。 , 14. 依申請專利範圍11至13中任何一項之方法,其特徵在 於該形成一塗層包含沉積一連續薄膜保形於朝向模件外周之表 面。 15. 依申請專利範圍11至14中任何一項之方法,其特徵在 於該形成塗層包含: 導入一第一初級粒子於一反應空間,以致至少該第一初 級粒子之一部分吸附於朝向模件外周之表面,且隨後淨化該反應 空間;及 導入一第二初級粒子於該反應空間,以致至少該第一初 級粒子之一部分可與第一初級粒子吸附部分一起反應,且隨後淨 化該反應空間。 16. 依申請專利範圍11至15中任何一項之方法,其特徵在 於該形成一塗層包含以原子層沉積(ALD)型製程形成塗層。 17. 依申請專利範圍11至16中任何一項之方法,其特徵在 19 201213984 於該第一基板(3 )係玻璃。 18. 依申請專利範圍丨丨至π中任何一項之方法,其特徵在 於該模件係平面顯示器中之模件。 19. 依申請專利範圍u至18令任何一項之方法,其特徵在 於該二基板間之空間包含適用於一液晶顯示器之液晶。 20. 依申請專利範圍11至19中任何一項之方法,其特徵在 於該至少一隔離元件可密封該空間,俾防止模件外之氣流進入模 件内部。 21. 依申請專利範圍η至2〇中任何一項之方法,其特徵在 於該隔離元件之材質係選自具有環氧樹脂、合成橡膠及玻璃粉成 分之群。 22. 依申請專利範圍u至η中任何一項之方法,其特徵在 於該實質平面之玻璃基板係平均厚度小於15毫米。 23. 依申請專利範圍11至22中任何一項之方法,其特徵在 於該塗層具有50奈米以下厚度。 24. 依申請專利範圍丨丨之方法,其特徵在於該方法係用以製 造供顯示器裝置用之模件。 20 201213984 25.依申請專利範圍1之模件使用於一顯示器裝置。 八、圖式: 21
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FI20105096A FI122616B (fi) | 2010-02-02 | 2010-02-02 | Vahvistettu rakennemoduuli ja sen valmistusmenetelmä |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201213984A true TW201213984A (en) | 2012-04-01 |
Family
ID=41727645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100102412A TW201213984A (en) | 2010-02-02 | 2011-01-24 | Strengthened structural module and method of fabrication |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8780314B2 (zh) |
EP (1) | EP2531885A4 (zh) |
KR (1) | KR20120115566A (zh) |
CN (1) | CN102770801B (zh) |
EA (1) | EA201290729A1 (zh) |
FI (1) | FI122616B (zh) |
TW (1) | TW201213984A (zh) |
WO (1) | WO2011095681A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102468307A (zh) * | 2010-11-15 | 2012-05-23 | 联建(中国)科技有限公司 | 基板模组、显示面板以及触控面板 |
JP6361327B2 (ja) | 2014-07-02 | 2018-07-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
US20160376705A1 (en) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | The Regents Of The University Of California | Method for optical coating of large scale substrates |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI57975C (fi) | 1979-02-28 | 1980-11-10 | Lohja Ab Oy | Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor |
US4389973A (en) | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
US6174377B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-01-16 | Genus, Inc. | Processing chamber for atomic layer deposition processes |
US6689626B2 (en) | 1998-07-20 | 2004-02-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Flexible substrate |
TW548239B (en) | 2000-10-23 | 2003-08-21 | Asm Microchemistry Oy | Process for producing aluminium oxide films at low temperatures |
US6926572B2 (en) * | 2002-01-25 | 2005-08-09 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Flat panel display device and method of forming passivation film in the flat panel display device |
US6887521B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
KR100641793B1 (ko) | 2002-12-26 | 2006-11-02 | 샤프 가부시키가이샤 | 표시패널 및 그 제조방법 |
US20110043742A1 (en) * | 2003-02-21 | 2011-02-24 | Cavanaugh Shanti A | Contamination prevention in liquid crystal cells |
KR20120061906A (ko) | 2003-05-16 | 2012-06-13 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 원자층 증착에 의해 제작된 플라스틱 기판용 배리어 필름 |
US20060284556A1 (en) * | 2003-11-12 | 2006-12-21 | Tremel James D | Electronic devices and a method for encapsulating electronic devices |
KR100700000B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
US20080259268A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-23 | Fujifilm Corporation | Process of producing substrate for liquid crystal display device |
US7990060B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-08-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
US20090079328A1 (en) | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Fedorovskaya Elena A | Thin film encapsulation containing zinc oxide |
FI120832B (fi) | 2007-12-03 | 2010-03-31 | Beneq Oy | Menetelmä ohuen lasin lujuuden kasvattamiseksi |
JP2010055918A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
WO2011112587A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | First Solar, Inc. | Deposition chamber cleaning system and method |
-
2010
- 2010-02-02 FI FI20105096A patent/FI122616B/fi not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-01-24 TW TW100102412A patent/TW201213984A/zh unknown
- 2011-01-31 KR KR1020127022924A patent/KR20120115566A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-01-31 WO PCT/FI2011/050073 patent/WO2011095681A1/en active Application Filing
- 2011-01-31 EA EA201290729A patent/EA201290729A1/ru unknown
- 2011-01-31 EP EP11739440.3A patent/EP2531885A4/en not_active Withdrawn
- 2011-01-31 US US13/576,590 patent/US8780314B2/en active Active
- 2011-01-31 CN CN201180007993.XA patent/CN102770801B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102770801B (zh) | 2015-11-25 |
FI20105096A (fi) | 2011-08-03 |
EP2531885A4 (en) | 2014-08-06 |
EP2531885A1 (en) | 2012-12-12 |
US8780314B2 (en) | 2014-07-15 |
CN102770801A (zh) | 2012-11-07 |
FI20105096A0 (fi) | 2010-02-02 |
US20120307193A1 (en) | 2012-12-06 |
FI122616B (fi) | 2012-04-30 |
KR20120115566A (ko) | 2012-10-18 |
EA201290729A1 (ru) | 2013-03-29 |
WO2011095681A1 (en) | 2011-08-11 |
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