TW201213569A - Method for evaporation and evaporation apparatus - Google Patents

Description

201213569 JO / 1 ipif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種蒸艘方法及蒸鑛農置，特別是有 關於-種用以在玻璃基板上形成有機層的蒸鑛技術。 【先前技術】 眾所周知’近年來的影像顯示裝置的主流是以液晶顯 示器 aiqU1d Crystal Dlsplay，LCD ) ' 電聚顯示器（pia贿 Display Pand，PDP)、場發射顯示器（Fidd Emissi〇n

Display ’ FED)、有機電激發光（以下，亦簡稱為有機此） 顯示器等為代表的平板顯示器（以下，簡稱為FpD)。由 於》亥些FPD日趨大晝面化且正進行面向輕量化的改良，因 f乍為結果’對於上述FPD的_化的要求賊強烈。尤 二’對於有機EL顯示器，要求藉由指疊或捲繞而使搬運 .支得容易’並且不僅可在平面狀態下使用，亦可在變成曲 面的狀態下使用’因此構成該顯示器的有機a面板的薄 型化變得不可或缺。 另外’關於例如利用了有機EL面板的照明裝置，亦 正在研究針對曲面部分的應用，具體㈣ # 機EL面板安裝入建築物的屋頂、柱 == =體的表面而成的照明裝置。因此，就確保充^可挽性 ^點而言’此種照明裝置中所使用的有機EL面板亦正 推進大幅度的薄型化。 之 發光ΐί於:，面板是具有使包含樹脂等有機材料的 * μ ;成為電職f子的供給_陽極層與陰極層 201213569 /1 ipif 間的積層構造者’且其基板使用氣體的阻隔性比樹脂更優 異的玻璃（玻璃基板）的情況較多。因此，為了謀求上述 面板的薄型化，需要針對此種玻璃基板的大幅度的薄壁化。 然而’上述電極層或有機層均為μη!級或nm級而非 吊溥’因此作為用以在玻璃基板形成上述各層的方法，存 在以真空蒸鍍或濺鍍為代表的物理蒸鍍法（物理氣相沈積 (Physical Vapor Deposition，PVD))、或化學蒸鍍法（化 學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD))等成膜 處理方法被較佳地採用的傾向。此種成膜處理一般是伴隨 蒸鍍材料的加熱來進行於被蒸鍍體（玻璃基板）上的成膜 的處理，因此存在上述加熱時所產生的熱對玻璃基板進行 加熱的情況。例如，於真空蒸鍍的情況下，將成為熱源的 蒸鑛源與玻璃基板對向配置，然後開始蒸鏡材料的加熱， 藉此使輻射熱（亦稱為放射熱）自蒸鍍源向玻璃基板傳遞。 其原因在於：即便於真空中，輻射熱亦可傳遞。如此，除 經由與支樓玻璃基板的構件的接觸部分而散熱的一部分幸畐 射熱以外’自条鑛源向玻璃基板所供給的輕射熱的大部分 自玻璃基板的成膜側表面朝其背面傳遞，並藉由輕射而自 該背面散熱至真空中。因此，來自蒸鍍源的輻射熱會根據 自蒸鍍源所輻射的熱量與玻璃基板的熱容量的大小關係而 蓄積於玻璃基板中，結果，有可能引起玻璃基板的溫度上 昇的事態。 ％ 構成有機EL面板的發光層是由有機材料形成，因此 存在與金屬或玻璃等相比不耐熱且容易變質、劣化的傾

4 201213569 JO / lipif 向。因此，蒸鍍時的玻璃基板的表面溫度必需儘可能地抑 制成低溫（例如幾十。C左右），但如上所述，近年來，有機 EL面板用的玻璃基板存在薄壁化的傾向。因此，若伴隨玻 璃基板的薄壁化，其熱容量變小，則相應地，蒸錢時的玻 璃基板的表面溫度容易上昇，而引起以發光層為首的有機 層的溫度上昇。其結果，有可能引起發光層（有機層）的 變質、劣化。 以上問題並非全都限於有機EL面板’而是於藉由蒸 錢處理而在玻璃基板上形成規定的有機層的情況下、或者 對形成了有機層的玻璃基板實施蒸鍍處理的情況下同様亦 可能產生的問題。 作為防止玻璃基板的溫度上昇的方法，一般而言，可 考慮使蒸鍍源與玻璃基板的距離足夠遠（使蒸鍍源遠離玻 璃基板）的方法，但若自蒸鍍速度或材料的使用效率、設 置空間的限制等觀點來看’則絕不希望蒸鑛源與玻璃基板 的間隔過大。 1 夕，J «口 ^ 必寸π又馱丄肀，記載有如下的方法：在 =如包合聚魏系橡膠的散熱片密接於成為成膜基板的 inf基台之間的狀態下’在上述樹脂片的與散熱片密 ft為相反側的面上形絲«。另外，於下述專利文獻 載H薄卿成時的基板表面溫度，並根據所 度控制基板溫度的方法，具體而言，記S 谈電電源輸出功率、或者使基板通 4调整的輥料來謀求控赌板溫度的要點。或者，: 201213569 / 1 lpif 月& 下述專利文ϋ中所記載般，亦提出有利用具備冷卻功 的隔熱板覆蓋滅源的開σ部料的區域，從 鍍源向基板所傳遞的輻射熱的方法。 …目洛 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 專利文獻2 專利文獻3 日本專利特開2009-161829號公報 曰本專利特開平9-59775號公報 曰本專利特開2005-91345號公報 此處’為了使上述專利文獻1中所記載的散熱片可宋 接於成為基板賴脂片，散熱片、樹脂片均士 互密接的程度的適度的硬度（彈性)(參照該文、 0018段）。然而，由於玻璃的剛性與樹脂相比相 j將玻璃基板作為冷卻對象時，即便藉由薄壁 ，2撓性’亦_使散熱片與玻璃基板遍及 部分的整個區域無_地密接。如此，若無 : 玻璃基板無m純密接，職留在玻縣板與散熱的^ 隙中的空氣會使兩者間的接觸熱阻（因玻璃基板與散熱^ 的重合部分不完全地密接而產生賴阻）增大，立妹要、， 產生使利用散熱片的冷卻效果下降的問題。此種問^於上 ==中所記載的使玻璃基板通過可進行溫度調整 的輥間的情況下同様亦可能產生。 ’料如上料敎獻2帽記倾難濺鍍時 源輪出功率的方法’則雖然可防止玻璃基板的過 又、加…、，但若為了控制基板溫度而使輸出功率波動，則

6 201213569 JO/lipif ，以形成品質穩定的發光層（有制）或電極層。另外， 若為了避免過度的加熱而降低輸出功率，則 膜所需的時間，於生產性方面欠缺實用性。 長成 、同様地，若為上述專利文獻3中所記載的傳熱防止方 法，則雖然不會產生如上所述的問題，但結果，自蒸錢源 朝向玻璃基板醜射熱之巾，給玻璃基㈣溫度上昇來' 主要影響的部分與有助於在玻璃基板上的朗的部分相 同。因此’即便遮蔽了與成膜表面的周圍的相對應的區域， 亦不成為根本的解決對策。 【發明内容】 鑒於以上的情況，於本說明書中，將如下的課題作為 應解決的技術性課題：藉由不使生產性下降而有效地冷卻 玻璃，板來防止蒸鍍處理時的有機層的變質、劣化，藉此 形成南品質的有機層。 上述課題的解決是藉由本發明的蒸鍍方法來達成。 即該蒸鍍方法是於玻璃基板的一面之側形成一個或多個 層的方法，其特徵在於：—個或多個層包括有機層，並且 上述層巾的至少—種層是藉由驗處理*賴，於蒸鑛處 理時，使朗基板的另—面與用以冷卻触璃基板的冷卻 板的—面直接進行面接觸，且藉由該面接觸而使各自的接 合面成為以可剝離的程度密接的狀態。 再者，此處的「使玻璃基板的另一面與用以冷卻該玻 璃基板的冷卻㈣-面直触行面接觸」是指不使接著劑 或玻璃粉等介於玻璃基板與冷卻板之間，*使兩者直接重 201213569 ^δ/lipif B另外，所^「各自的接合面成為以可剝離的程度密接 的狀態是指如上述般進行面接觸的結果，以在玻璃基板 與冷卻板之間發揮規定的剝離強度的程度，於兩個板的接 合面間形成規定的密接狀態。另外，此處的「規定的剝離 強度」是指於此種蒸鍍處理中，通常不會因可作用於玻璃 基板或冷卻板的程度的力而剝離的等級的密接力。 另外，本發明中的蒸鍍處理包括物理蒸鍍法與化學蒸 鍍法，其中，物理蒸鍍法包括真空蒸鍍、濺鍍、離子鍍、 刀子束蒸鑛（分子束蟲晶（Molecular Beam Epitaxy，MBE)) 等。 根據上述方法，玻璃基板與冷卻板的密接面積，換言 之真實接觸面積大幅度地增加，因此可提高玻璃基板與冷 卻板之間的實質的導熱效率（亦稱為熱傳遞係數）。其原因 在於：若為玻璃基板，則與樹脂製片材等不同，即便謀求 了 /專i化，亦可措由對其成形方法加以鑽研、或者藉由對 成形後的研磨方法反覆進行鑽研等，而獲得所需的平坦度 或面粗，。因此，可將被傳遞至玻璃基板的來自蒸鍍源= 輻射熱向效地傳遞至冷卻板，而儘可能地防止蒸鍍處理中 的玻璃基板的溫度上昇。藉此’可防止蒸錢形成於玻璃基 板上的有機層的由高溫化所引起的變質、劣化，而確保有 機層的品質。或者，當於有機層上蒸鍍形成其他種類的層 時，可防止已开>成於玻璃基板上（或進而其他種類的層上） 的有機層的由高溫化所引起的變質、劣化，而確保有θ機層 的品質。另外，如上所述，若提高真實接觸面積並使冷卻 201213569 JCW “pif 板與玻璃基板進行面接觸，則玻璃基板對於冷卻板的密接 姿勢穩定1因此’可利用例如適當的夾具等將冷卻板保持 或固定於瘵鍍裝置本體上，藉此始終以固定的姿勢支撐成 為被蒸鍍體的玻璃基板。藉此，可藉由上述蒸鍍處理而穩 定地形成高精度的有機層等。另—方面，若如上述般為^ 接狀態，_由使玻璃基板的—部分自冷卻板上剝離（或 者藉由使冷卻板的一部分自玻璃基板上剝離），而可於其後 連續地使玻絲板自冷卻板上獅，目此於級處理結束 後可容易地分_者。此時，綱基板與冷卻板直接進行 面接觸，兩者間不存在接著解，因此自冷卻板所分離的 玻璃基板的另-面上亦傾絲著成分。因此，另外進行 用以去除不需要的物質的清洗處理等的步驟亦省略。 此處，作為本發明者等人反覆努力研究的結果，判明 為了如上述般進行面接觸的結果是以在玻璃基板與冷卻板 之間發揮規定__度_度，於兩個板 成規定的密接狀態，要求相互密接的面均極其平坦。^為 例’判明於使用玻璃板作為冷卻板的情況下，即於使玻 璃板彼此進行面接_情況下，為了獲得上職接狀態， 只要使用與冷卻板的接觸面的表面粗链度^為20譲以 下者作為玻絲板，並且使賤賴基㈣接觸面的表面 粗糙度Ra為2.0 mn以下者作為冷卻板即可。上述精度的 表面粗糙度可藉由於成騎礎的玻璃板的成形後實施規定 的研磨加玉而獲得，亦可藉由以例如下拉法，特別是溢流 下拉法使玻璃基板及冷卻板成料獲得。再者，本發明中 201213569 3S711pif 的表面粗糙度Ra是使用AFM(原子力顯微鏡），於掃描尺 寸ΙΟμηι、掃描速率iHz、抽樣線512的條件下進行測 並根據測定範圍1〇 pm周圍的測定值而算出者。 作為冷卻板，亦可使用由具有等同於或高於玻璃基板 的導熱率的材料所形成的冷卻板。由於對冷卻板所要求的 特性少於玻璃基板，因此亦可比較容易地進行利用組成變 更等的導熱率的調整。藉此，可進一步提高由冷卻板所產 生的冷卻效果。再者，此處的「等同於」只不過是確認並 不排除冷卻板的導熱率略低於玻璃基板的導熱率的情況的 程度的意思。針對以下所述的冷卻板的厚度的「等同於」 這一用語亦設定為相同的意思。 具體而言，作為冷卻板，較理想的是使用導熱率為〇 i W/m k以上、500 W/m k以下的冷卻板。其原因在於：在 考慮了對冷卻板本身所要求的散熱作用的情況下，至少需 要0.1 W/m k左右的導熱率。 另外，作為冷卻板，亦可使用具有等同於或高於玻璃 基板的厚度的冷卻板。不變的是冷卻板本身亦於内部蓄積 自玻璃基板所傳遞的熱，因此藉由增加厚度來使冷卻板本 身的熱容量增大，可確實地防止自玻璃基板所傳遞的熱朝 玻璃基板返回的情況。 具體而言’作為冷卻板，較理想的是使用厚度為1〇〇 μιη以上、1500 μιη以下的冷卻板。其原因在於：若冷卻板 過薄（若未滿1〇〇 μιη) ’則難以確保作為冷卻板所需的最 低限度的熱容量。另外，其原因在於：會產生給與玻璃基 201213569

I X 板的面接觸、或洛鍍後的與玻璃基板的分離作業帶來障礙 (作業性下降）的可能性。 冷卻板較理想的是玻璃板或金屬板。其原因在於：若 為包含該些材質的冷卻板，則可滿足上述熱傳遞率，另外， 亦可藉由研磨等加W容易地提昇成為接合面的區域的平 坦度（虽δ又疋為玻璃板時，容易地達成上述表面粗糖度）。 另外，藉由將冷卻板設定為與玻璃基板相同種類的材料， 亦可期待兩者的密接性進一步提昇的優點。 相對於具有以上構成的冷卻板，作為玻璃基板 ，例如 可使用厚度為10 μιη以上、700 μηι以下，較佳為300 μιη 以下的玻璃基板。另外，於此情況下，亦可使用導熱率為 0.1 W/m.k以上、1.5 w/m k以下的玻璃基板。此處，將玻 璃基板的厚度的最小值設定為10 μηι的原因在於：若進一 步進行薄板化，則無法避免由於強度不足或徺曲的顯在化 所引起的作業效率的下降。另一方面，若為7〇〇 μιη以下， 特別是300 μιη以下，則可使安裝有該玻璃基板的有機EL 面板、或者具備該有機EL面板的圖像顯示裝置或照明裝 置等表現出充分的可撓性。另外，將導熱率設定為〇.1 W/nvk的原因在於：若導熱率比w/in.k更低，則即便 以上述形態使冷卻效率優異的冷卻板進行面接觸，亦難以 將被傳遞至成為成膜側的一面的輻射熱通過玻璃基板内部 而傳遞至成為與冷卻板的密接側的另一面。 以上構成的蒸鍍方法可較佳地用於例如有機EL面板 中的有機層或電極層的蒸鍍處理。即，形成於玻璃基板的 11 £； 201213569 JO / 1 ipif -面之側的多個層可為包含均呈層狀的陽極與陰極 t述兩極之間的-個以上的有機層的積層體及二 此情況下，亦可為藉_朗顯玻⑼構^卜， 面板者。於此種紐處理巾，存在使贿射 有 f蒸鑛錢鍍等蒸鍍方法的傾向，因此當於例如 ;，玻璃基板的溫度容易上昇，而有可能容易地引起 ^於玻璃基板上的有機層的變f、劣化，但若為本發 避免此種問題而量產具備高品質的有機層 的有機EL面板。 、另外’上述課題的解決亦藉由本發明的蒸鑛裝置而達 成。即，該蒸鏡農置是用以針對於玻璃基板的一面之侧形 成-個或多個層、_1_ —個或多個層包括有機層者，藉由蒸 錢處理而形成上述層中的至少—種層的級裝置，其特徵 在於’其具制以於級處理時冷卻玻璃基板的冷卻板， ^玻璃基板的另_•面與冷卻板的_面直接進行面接觸， 且藉由δ亥面接觸而使各自的接合面成為以可剝離的程度密 接的狀態。 、由於上述蒸鍍裝置亦具有與本欄的開頭所述的蒸鍍方 去相同的技術性特徵’因此可獲得與由上述蒸鍍方法所產 生的作用效果相同的作用效果。 [發明的效果] 如上所述’根據本發明的蒸鍍方法及蒸鍍裝置，可不 使生產性下降而有效地冷卻玻璃基板來防止蒸鍍處理時的

12 201213569 易懂，下钟的、雜和優麟更明顯 明如下料佳貫施例，並配合所關式，作詳細說 【實施方式】 明。乂下根據®11〜圖3對本發明的-實施形態進行說 要_圖丨1=示本發明的一實施形態的有機el面板1的 面構造的剖面圖。如該圖所示，有機既面板 ^人積層體6與玻璃基板7的有機EL面板，上述積層體6 成為一對電極層的陽極層2及陰極層3、以及含有發 光層5的有機層4，上述玻璃基板7的一面乃上搭載有積 層體6。積層體6形成在陽極層2、陰極層3職持有機層 1的積層構造，且呈自接近玻璃基板7之側起依次積層^ 陽極層2、有機層4、陰極層3的構造。另外，於該圖^例 中，有機層4於中央具有發光層5，並且於其兩側具有電 洞傳輸層8與電子傳輸層9。於此情況下，積層體6呈自 接近玻璃基板7之側起依次積層有陽極層2、電洞傳輸層 8、發光層5、電子傳輸層9、陰極層3的構造。以下，對 各層的構成進行說明。 陽極層2是發揮將電洞注入至電洞傳輸層的作用的 層’例如可較佳地使用功函數顯示為4.5 eV以上的材料。 另外’通常將玻璃基板7之側作為發光面，因此可較佳地 使用可使光透過的（透過率高的）材料。此處，作為用於 13 201213569 陽極層2的材料，可列舉無機材 作為具體例，可列舉：氧❺…疋…械乳化物 ….T. 銦、氧化鋅、氧化銦錫合金 (In-=lnoxlde，ITO)、___(Indlumzmc mi氧倾（NESA)m'銅、銘等 金屬、合金或氧化物，以及該些的混合物。 ^者’陽極層2的厚度可考慮光的透過性與導電度而 適宜選擇，例如設定為5 nm以卜1Λ .1Λ 勹nm以上、1〇μηι以下的範圍，較 佳為1〇nm以上、1 _以下的範®，更佳為20 nm以上、 500 nm以下的範圍。 陰=3是發揮將電子注人至電子傳輸層的作用的 層’例如較佳地使用功函數小且朝向電子傳輸層的電子注 入較容易的㈣。亦可錄地使科電度高的材料 亦可使用可見光反射率高的材料。作為具體例，可列 鋰、鈉、鉀、铷、鉋、鈹、鎂、鈣、鋰、鋇、鋁、銳、釩·、 鋅、釔、銦、鈽、釤、銪、铽、镱、金、銀、鉑、銅、錳、 鈦 '鈷、鎳、鎢、錫等鹼金屬或鹼土金屬、 者含有至广種以上該些金屬的合金’或者石墨 間化合物等。作為合金的例子，例如可列舉：鎂.銀合金、 鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦_銀合金、鋰_鋁合金、鐘二 金、鐘·銦合金、詞-紹合金等。另外，作為陰極，亦可ς 用透明導電性電極，亦可使用例如上述的氧化銦、氧化 氧化錫、ΙΤΟ、ΙΖΟ等導電性金屬氧化物，或者導電性有 機物等。 再者，陰極層3的厚度可考慮導電度或耐久性而適宜

14 201213569 jo /1 ipii 選擇’例如設定為10 nm以上、1〇 μιη以下的範圍，較佳 為20 nm以上、1 μηι以下的範圍，更佳為5〇 nm以上、5〇〇 nm以下的範圍。 構成有機層4的發光層5是包含發光材料的層，通常， 將主要發出螢光或磷光的有機化合物用作發光材料。只要 是一般用作發光材料的材料，則可不論低分子化合物、高 分子化合物而使用任意的發光材料。具體而言，可列舉以 下的色素系材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料等。 再者，於由該些有機化合物所形成的發光層中，可進一步 包含摻雜劑材料。 作為色素系材料，例如可列舉：シ夕口夂^夕、、$ > 生物、四苯基丁二稀衍生物化合物、三苯基胺衍生物、 二鈴生物Lt琳衍生物、二苯乙縣苯衍生物、 J二:香族衍生物、，各衍生物、嗟吩環化合物、心 衣化e物、衍线、m生物、募聚嘆吩衍生物、 *7 Υ — 〇 ; ^生物H二聚物、对琳二 等。另外，作為金屬錯合物系材料，例如可 ^ 等具有來自三重激發態的發光的全 物’二(8-經基喧琳)銘錯合物，苯并 :曰^ 嗔销錯合物，苯并料鋅錯合物，偶^ 。卜淋鋅錯合物，銪錯合物等。進而，作為金物， 料的其他例，可列舉中心金屬具有a1e日J物系和 :其等稀土金屬，配位子具有"惡二:ί:， 本土 q本基本开料、料結構料金屬錯合物等。 15 5； 201213569 JO / l l pif ΐί私作為高分子系材料，例如可列舉：二苯乙烯芳香族 生物’聚對苯乙婦衍生物，聚嗔吩衍生 =衍生物，―衍生物，香豆= 生物將上4色素體或金屬錯合物轉光材料等高分子化 而成者，即該些的聚合物等。 2形成電洞傳輸層8的材料，只要是促進朝向發光 2的電洞移動的材料，則並無特別限制，可使用公知的 °例如’本發明中所使用的電洞傳輪材料並無特別限 定，只要是iff用作義傳輸賴的化合物，則可使用任 何化合物。例如可列舉：以雙(二(對甲苯基)胺基苯基)]^ 環己烧[I3]、TPD[11]、狀_二苯基·Ν·Ν雙(1萘基)_u,· 聯苯⑷’二胺⑽導够王苯基工胺類為首的芳香族胺 何生物’聚乙料销其衍生物，聚魏或其衍生物，側 鏈或主鏈具有芳香族胺的聚矽氧烷衍生物’吡唑啉衍生 物，芳基胺衍生物，芪衍生物，三苯基二胺衍生物，聚苯 胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚芳基胺或其衍生物， 聚。比咯或其衍生物，聚(對笨乙烯)或其衍生物，或者聚(2,5_ 噻吩乙烯)或其衍生物等。 ’ 作為構成電子傳輸層9的材料，可使用公知的材料， 例如可列舉：2·(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)_1，3,4_噁二 峻（Bu-PBD) [18]、〇XD-7[3]等。惡二嗤衍生物，三嗤衍生 物（[19]、[20]等）’蒽醌二曱烷或其衍生物，笨醌或其衍 生物，萘醌或其衍生物，蒽醌或其衍生物，四氰基蒽醌二 201213569 ίκ/npif 一苯基二氰基乙烯或其衍 經基喹啉或其衍生物的金 聚喹噁啉或其衍生物，聚 曱烧或其衍生物，苐酮衍生物， 生物’聯對苯醌衍生物，或者8 屬錯合物，聚啥琳或其衍生物， 第或其衍生物等。 構成有機層4的上述各層的形成方法並無特別限定。 只要上述各層中的至少-層由已述的物理蒸鑛法或化學蒸 鑛法形成’ 他層_成找任意，例如除上述各種基 鍍法以外，亦可採用利用浸潰、旋塗、棒塗法、輥塗法等 各種塗佈法的形成方法。此時’上述各層的厚度例如設定 為1 nm以上、1000 nm以下的範圍。 玻璃基板7可由例如矽酸鹽玻璃、二氧化矽玻璃、硼 石夕玻璃等公知的玻璃材料形成’或者亦可由無鹼玻璃形 成。此處，所謂無鹼玻璃，是指實質上不包含鹼成分（鹼 金屬氧化物）的玻璃，具體是指驗成分的含量為1〇〇〇ppm 以下’較佳為500 ppm以下’更佳為3〇〇 ppm以下的玻璃。 作為可使用的無驗玻璃的一例，可列舉日本電氣硝子 (Nippon Electric Glass )股份有限公司製造的r 〇A_1〇G」。 若玻璃基板7中含有驗成分，則於表面會產生鹼離子與氫 離子的取代，因此構造變得粗糙，有可能因經年劣化而變 得容易破損’但藉由設定為無鹼玻璃，可避免此種問題。 玻璃基板7的形成方法並無特別限制，如後述般，為 了在與冷卻板15之間達成所需的密接狀態，例如可採用用 以將其表面粗糙度Ra抑制成規定的值以下的成形方法、 加工方法。具體而言’為了將成為與冷卻板15的密接側的 17 201213569 38/llpif 玻璃基板7的面7b的表面雛度Ra設定為2〇譲以 下亦可對該玻璃基板7實施精密研磨等。另外，甚 藉由下拉法，制是溢流下拉法而顧彡者，㈣可 精雄、研磨等而獲得上述表面粗輪度。 以下，以藉由作為物理蒸鍍法的一種的真空蒸鍍，於 構成有機EL面板1的玻璃基板7的一面7a之侧形=陰極 層3的情況為例，對本發明的蒸鍍步驟進行說明。 圖2是用於說明本發明的—實施形態的有機EL面板1 的製造方法的概要的圖，其表示用以藉由真空蒸鍍於發光 層5上形成構成積層體6的陰極層3的蒸鍍裝置（真空蒸 鍍裝置）10的示意圖。如該圆所示，該蒸鍍裝置1〇是所 謂的電阻加熱式的真空蒸鍍裝置，其具備：真空腔俨12 . 配設於真空腔體12内的用以保持陰極層3形成前^有機 EL面板（以下，簡稱為素材η)的保持機構13 ;用以對 蒸鍍材料進行加熱，並將蒸鍍材料供給至成為被蒸鍍體的 素材11的規定表面的蒸鍍源14 ;以及用以冷卻素材u的 玻璃基板7的冷卻板15。 另外，雖然均省略圖示，但該蒸鍍震置10具備用以對 真空腔體I2内進行排氣來形成規定的真空度（例如，lxi〇_5 卜⑽-2 Pa左右的真空度）的真空泵（真空排氣機構）、 用以將規定的氣體導人至真空腔體内的氣體導人單元等。 保持機構13是用以於蒸鍍時保持有機亂面板】的素 材η者，此處，其具有保持部13a，該保持部l3a保持位 於素材U的-端綱玻縣板7，或者如後述般，保持藉 18 201213569 38711pif 由以規定的形態與該玻璃基板7進行面接觸而相互密接的 狀癌的冷卻板15。此處’保持部13a的形態並無特別限定， 例如可採用如圖示般藉由-對爪部來夾住冷卻板15的周 側面的夾盤機構、或者吸附冷卻板15的另一面（與玻璃基 板7為相反侧的面）的吸附機構等。雖然省略圖示，但二 對後述的謎面11a的-部分f施遮蔽，财可採用藉由 於板厚方向上紐職蔽部’㈣朗基板7與冷卻板15 一體地夾住的機構。另外，如圖所示，保持機構13亦可具 備以垂直地立設於玻璃基板7及冷卻板15的旋轉軸為中心 ，轉的機構’於此情況下，雖然省略圖示，但可使後述的 条鍍源14自旋轉軸的延長線上錯開來配置。於如上述般使 蒸鍍源14錯開來配置的情況下，亦可配置多個蒸鍍源14。 蒸鑛源14位於真空腔體12内的下方，且配置在與保 持機構13上所保持的素材η的蒸鍍面na (此處，如圖3 所示，構成有機層4的電子傳輸層9的與發光層5為相反 側的面）對向的位置上。該蒸鑛源！ 4具有藉由加熱而使蒸 鍍材料祭發的功能，其是以例如藉由未圖示的電阻加熱裝 置，而可使關_收容_或料驗材壯熱蒸發的 方式構成。當然，蒸鑛材料的加熱蒸發方法並不限定於上 述方法，可利用公知的各種加熱蒸發方法。於此情況下， 蒸鍍源14與素材11的蒸鍍面ua的距離D是考慮蒸鍍速 度、或者蒸鑛材料的使用效率等，而設定成適當的範圍（例 如100 mm以上、500 mm以内）。 冷卻板15是用以於蒸鍍時冷卻有機EL面板丨的素材 19 201213569 11者 般，在與由 = 持機構13保持。或者’如後述 ^ 藉此蛵由冷邠板15而保持玻璃基板7 .R 一。&以上述方式所保持的冷卻板15的一面15a 一二所不般’與位於素材u的最外側的玻璃基板7的另 ㈣久bA(與陽極層2為相反側的面）直接進行面接觸，藉 声姑的接合面成為以可剝離的程度密接的狀態。此 f5’、l吏玻璃基板7的另—心的整面與冷卻板15的一面 a仃面制’以成為如上述般密接的狀態。 1 ί 了在冷卻板15與玻璃基板7之間形成上述密接狀 較佳為將直接進行面接觸的玻璃基板7的另一面7b 二冷卻板15的15a的平坦度均提高至規定的位準為 例如’纽冷魏15設定為玻輔時，較佳為將玻璃 土:的另一面7b與冷卻板的一面以的表面粗縫度 均設定為2.G nm以下。具有此種表面粗糙度Ra的玻璃 土板7及冷卻板is可藉由對成為兩者的基翻玻璃板實施 f研磨等而獲得。或者，錢用藉由下拉法，特別是溢 μ下拉法而成形者作為成為基礎的玻璃板，則亦可不實施 精密研磨等而獲得上述表面粗糙度。 此處，若簡單地說明溢流下拉法的概要，則首先使玻 璃帶自剖面為楔型的成形體的下端部向下流動，然後一面 利用冷卻輥限制寬度方向的收縮一面將向下流動的玻璃帶 朝下方拉長，藉此使該玻璃帶成形為規定的厚度。其次， 將達到狀厚度的玻璃帶進而導人至配置於下方的缓冷爐 20 201213569 / Iipif 中來緩慢地冷卻玻璃帶，並消除玻璃帶的熱應變。然後， 將玻璃帶切斷而獲得規定尺寸的玻璃板。如此，溢流下拉 法是於成形時玻璃板的兩面不與成形構件接觸的成形法， 因此於成形過程中玻璃板的兩面不易產生傷痕，可不實施 研磨等後處理，而容易地獲得具有較高的表面品質（表面 粗糙度）的玻璃板。 如此，藉由使玻璃基板7與冷卻板15直接進行面接 觸’玻璃基板7與冷卻板15的密接面積，準確地說真實接 觸面積大幅度地增加。因此，可提高玻璃基板7與冷卻板 15之間的實質的導熱效率（亦稱為熱傳遞係數），並可使 被傳遞至玻璃基板7的來自蒸鍍源14的輻射熱高效地朝冷 郃板15散熱，而儘可能地防止蒸鍍處理中的玻璃基板7 的/皿度上昇。若可如上述般防止玻璃基板7的溫度上昇， 則可儘可能地避免輻射熱蓄積於玻璃基板7的一面7a之側 所形成的陽極層2及有機層4中的事態，因此可防止有機 2的由高溫化所引起的變質、劣化，而確保有機層4的 。°貝。另外’若如上述般提高真實接觸面積並使冷卻板15 與，璃基板7進行面賴，則綱基板7對於冷卻板15 的ί接ΐ勢敎。因此’藉由保持機構13而將冷卻板15 =疋，鍍裝置1G本體上，藉此可㈣於蒸鍍源14將成 為破，鍍體的_基板7保持在規定的位置及姿勢。藉 可利用上述蒸鍍處理穩定地形成高精度的有機層4、 ，電極層（陽極層2、陰極層3 )等。 面右如上述般為密接狀態，則藉由使玻璃基 21 201213569 ^δ/iipif 板7的一部分（周緣部）自冷卻板15上剝離（或者藉由使 冷卻板15的一部分自玻璃基板7上剝離），而可於其後連 續地使玻璃基板7自冷卻板15上剝離，因此於蒸錢處理结 束後可容易地分離兩者。另外，此時玻璃基板7與冷卻板 15直接進行面接觸’板7、板15兩者間不存在接著劑等， 因此自冷卻板15所分離的玻璃基板7的另一面7b上亦不 殘存黏著成分。因此，玻璃基板7、冷卻板15均可不另外 進行用以去除不需要的物質的清洗處理等，另外，亦可反 覆使用冷卻板15。 另外，如上所述，當將冷卻板15設定為玻璃板時，玻 璃基板7與冷卻板15之間的密接面積（真實接觸面積）存 在隨著相互密接的玻璃基板7的另一面7b的表面粗糖度

Ra、及冷卻板15的一面15a的表面粗糙度Ra均變小而進 一步增加的傾向。根據此種理由，較佳為將玻璃基板7的 面7b、冷卻板15的面i5a的表面粗糙度Ra均設定為1 〇mn 以下，更佳為設定為0.5 nm以下，進而更佳為設定為0.2 nm 以下。 此處’當考慮了對冷卻板15所要求的導熱率時，較佳 為冷卻板15具有等同於或高於玻璃基板7的導熱率。藉由 使用此種材料的冷卻板15，可進一步提高由冷卻板15所 產生的冷卻效果。具體而言，作為冷卻板15，較理想的是 使用導熱率為〇」w/m.k以上、5〇〇 W/m k以下的冷卻板。 其原因在於：當考慮了對冷卻板15本身所要求的散熱作用 時’至少需要〇.丨W/m.k左右的導熱率。 s 22 201213569 JO / I ipif 另外，當考慮了對冷卻板15所要求的厚度時，較佳為 冷卻板15具有與玻璃基板7的厚度相同或其以上的厚度 (圖3中’例示冷卻板15的厚度b大於玻璃基板7的厚 度ti的情況）。厚度k越大，冷卻板15本身的熱容量越增 大’因此可確實地防止自玻璃基板7所傳遞的熱朝破璃基 板7返回的事態。具體而言’作為冷卻板15，較理想的是 使用厚度t2為100 μιη以上、1500 μπι以下的冷卻板。其原 因在於：確保作為冷卻板15所需的最低限度的熱容量。 作為滿足（容易滿足）以上特性的冷卻板15的材料， 可列舉玻璃或金屬。若為包含該些材料的冷卻板15，則可 滿足上述熱傳遞率，另外，關於直接進行面接觸的玻璃基 板7,的面7b、冷卻板15的面i5a之中成為接合面的區域 的平坦度，亦可藉由研磨等加卫而容易地提昇（當設定為 玻璃板時’可容易地達成上述表面粗糖度）。 此處，當將冷卻板15設定為玻璃製時，與玻璃基板7 1，冷卹板15可由矽酸鹽玻璃、二氧化矽玻璃、硼矽 公知的玻师料形成’或者亦可由無鹼玻璃形成。 妬7 此^況下’較理想的是冷卻板15由具有與玻璃基 來成，目H組成的玻璃（與玻璃基板7相同種類的玻璃） 板15 7 &無驗麵形成時，最理想的是冷卻 彼此直接物面_，^7、冷卻板15 狀態下實料技㈣知可__度密接的 '、、、朗本貫施形態中，亦可有效地防止因 23 201213569 jo/npif 兩者的熱膨脹率差而導致玻璃基板7自冷卻板15部分地剝 離等情況。因此，可維持蒸鍍處理中的兩者的密接狀態， 並可穩定地獲得由冷卻板15所產生的玻璃基板7的較高的 冷卻效果。 相對於具有以上構成的冷卻板15，作為玻璃基板7 , 可使用例如厚度t!為1〇 μιη以上、700 μηι以下，較佳為 300 μιη以下的玻璃基板。另外，於此情況下，可使用導熱 率為0.1 W/m.k以上、1.5 W/m，k以下的玻璃基板。此處， 藉由將玻璃基板7的厚度q設定為10 μιη以上，可謀求薄 板化，並且可確保所需的最低限度的強度、操作性。另一 方面’若為700 μιη以下，特別是300 μιη以下，則可使安 裝有該玻璃基板7的有機EL面板1、或者具備該有機el 面板1的圖像顯示裝置或照明裝置等表現出充分的可撓 性。另外，藉由將玻璃基板7的導熱率至少設定為〇 j W/rrrk ’可將被傳遞至成為成膜側的一面7a的輻射熱通過 玻璃基板7内部而傳遞至成為與冷卻板15的密接側的另一 面7b，從而享受由冷卻板15所產生的冷卻效果。 再者，若要使由冷卻板15所產生的玻璃基板7的冷卻 效果最大限度地發揮，則較佳為玻璃基板7的另一面7b 的整個面成為與冷卻板15的一面15a的接合面。或者，若 重視蒸鍍處理後的自冷卻板15的分離性（作業效率），則 可使玻璃基板7與冷卻板15的接合面一致，或者使玻璃基 板7略大於冷卻板15等，並使玻璃基板7的周緣部自冷卻 板15露出。

24 201213569 ipif 料㈣的祕方法及蒸鍍I置的-實施料 進行了說明’但該蒸鍍方法及驗裝Μ料蚊於= 例示的形態，可於本發明的範圍内採用任意的形離。、之 例如，於上述實施形態中，例示了對^玻璃^板 =了有陽極層2及有機層4的狀態的素材丨丨^形成陰 :的情況’當然，於藉由蒸鍍而形成除此以外的ΐ 了 極層2或構成有機層4的各層（ :層8、電子傳輸層”。亦包含後述的電洞注入Π 子主入層）時，亦可應用本發明的方法及穿置 一 光异咖形態中，例示了形成使中央具有發 μ 有電洞傳輸層8與電子傳輸層9盘 6的=層4心陽極層2與陰極層3之_構造的積層體 立、並不特別限定於該構造。積層體6的構造任 Γΐ層順序可於作為有機a面板1成立的 成’亦可由發光層5與電洞 ==料以外的材料形成㈣光二^ ==包含二^ θ I顺輸層8、電子傳輸層9以外， 例如電敝人層、f子注人料其他層。於 =採用例如介於陽極層2與發光層5之 間、或介物極層2與電洞傳輸層8之間的形態。同様地， 25 201213569 JO / 1 ipif

電子注入層可採用例如介於陰極層3與發光層5之間、 介於陰極層3與電子傳輸層9之間的形態。 S 另外，於以上的說明巾，辦了蒸細彡成構成有機虹 面板1的有機層4或電極層（陽極層2、陰極層3)的情況， 當然，並不限定於此。只要是於玻璃基板的一面之側來 :個，多個層者，且該層包括有機層，並且至少—種層是 藉由蒸錢處理而形成，則蒸鑛對象或被蒸鑛對象任意:例 j亦可將本發明的療鍍方法或蒸鑛裝置應用於液晶顯示 器中的玻璃基板上的彩色濾光片的蒸鍍形成。 〜另外，關於上述以外的事項，只要不忽視本發明的技 術性意義，則當然亦可採用其他的具體形態。 [實例] / f下，對本發明者等人為了證明本發明的有用性而進 打的實驗加以贿。於本次的實驗中，針對使 玻璃基板的情況、及未使用冷卻板的情 況，測疋續時的玻璃基板的颜細表面溫度，並 發明的有用性進行評價。 具體而言，如下述的表1所示，於在玻璃基板的-面 形成相當於陽極層及有機層（發光層）的薄膜後，藉由真 空^來進行相當於陰極層的形成的成膜處理。另外，上 述蒸鍍處理中的玻璃基板的成膜側表面的溫度是藉由將熱 ，紙（Them。Label)(日油技研（股份）製造）貼附於 該表面來測定。對不同厚度的各玻璃基板進行該實驗，並 且亦對使本發明的冷卻板以規定的形態密接於各種厚度的 26 201213569 JO / 1 xpif 玻璃基板的情況進行該實驗。 此處，玻璃基板使用日本電氣硝子股份有限公司製的 無鹼玻璃「OA-10G」（導熱率：丨w/m.k)。不論厚度尺寸， 任何玻璃基板均使用形成為縱5〇 mmx橫5〇 mm的大小的 玻璃基板。各玻璃基板的成膜側表面的表面粗糙度Ra均 為 1.0 nm。 冷卻板使賴上述相__基板（QA_1GG)。將厚 度設定為0_7 mm。面的尺寸與上述玻璃基板相同（縱5〇 mmx橫50 mm)。冷卻板的與玻璃基板的密接面的表面粗 链度Ra為1.0 nm。 於上述玻璃基板的一面，使作為陽極層的氧化銦錫合 金（ΠΌ)以成為15Gnm賊厚的方式成膜形成。然後， =形成有上極相基板絲於電阻加赋的真空蒸鍵 攻置上’於&1〇-5 Pa的真空度下，使作為電洞注入層的 Μ又[Nf奈基)_N-笨基_胺基]聯苯（αΝρ〇)以在〇1 e c，4鑛速度下成為5 〇 nm的膜厚的方式成膜形成於 1%極層）上。進而’使於三(8•躲唾卵呂（鄉） Wt%的紅營烯而成的發光層以在G.l nm/sec的 H μ、又下成為4Gllm的财的方式成膜形成於該電洞注 μ二μ、i進而，使作為電子傳輸層的Alq3以於0.1 nm/sec =’ X、、度下成為3G nm的膜厚的方式成膜减於該發光 潛上。進而，伟T彳"P丨、，山从 於該電子騎層上。成輕5ηΠ1_^方式成膜形成 最後，與上述同様地，使用電阻加熱式的真空 27 201213569 JO f X ipif 蒸鍍裝置使作為陰極層的鋁以於05 nm/sec的蒸铲速产下 膜厚成為100 nm (僅玻璃基板的厚度為。7 m二‘情ς = 為300 nm)的方式成膜形成。此處，於上述有機層^成膜 中使用了二氧切製騎堝，於陰極層的麵中使用了說 化銘製的_。上述蒸㈣與玻璃基板的成_表面的距 離一律設定為250 mm。其他條件如下述表i所示。 [表1] …

將蒸鑛時的溫度測定結果，具體而言，將各玻璃基板 的蒸鍍時的測定溫度的最高值示於上述表1的最下欄。如 根據該表可知，於不使用冷卻板的情況下，不論玻璃基板 的厚度，始終顯示較高的測定溫度。另外，可看到隨著厚 度變小，測定溫度變大的傾向。相對於此，於如本發明般 使冷卻板以規定的形態與玻璃基板密接的情況下，即，於 使冷卻板與玻璃基板直接進行面接觸，並藉由該面接觸而 使各自的接合面成為以可剝離的程度密接的狀態的情況 下’不論玻璃基板的厚度，於蒸鍍過程中均未看到由輻射 熱所引起的溫度上昇。換言之，可確認由冷卻板所產生的

S 28 201213569 JO / 1 ipif 疋的冷卻效果。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限^本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 fe圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的一實施形態的有機EL面板 部剖面構造的剖面圖。 q生圖2是用於概念性地說明圖丨所示的有機EL面板的 製造步驟巾’ H由級而於錢層上形成陰極層的步 概略圖。 圖3是表示圖2所示的蒸鍍步驟時的使陰極層形成矿 的有機EL面板與冷卻板以規定的形態密接的狀態的剖^ 【主要元件符號說明】 2 4 6 有機EL面板 陽極層 陰極層 有機層 發光層 積層體 破螭基板 7a :—面（積層體側） 7b :另-•面（冷卻板侧） 29 201213569 JO / I ipif 8:電洞傳輸層 9:電子傳輸層 10 :蒸鍍裝置 11 :素材 11a :蒸鑛面 12 :真空腔體 13 :保持機構 13a :保持部 14 :蒸鍍源 15 .冷卻板 15a : —面（玻璃基板側） D :距離 t!:厚度（玻璃基板） t2 :厚度（冷卻板） 30

Claims (1)

1. 201213569 七、申請專利範圍： 1. 一種蒸鐘方法’其是於玻璃基板的一面之側形成一 個或多個層的方法，其特徵在於： 上述層包括有機層，並且上述層中的至少一種層是藉 由蒸鍍處理而形成， 於上述蒸鍍處理時，使上述玻璃基板的另一面與用以 冷卻上述玻璃基板的冷卻板的一面直接進行面接觸，且藉 由上述面接觸而使各自的接合面成為以可剝離的程度而密 接的狀態。 2. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鑛方法，其中上述 多個層是包含均呈層狀的陽極與陰極、及介於上述兩極之 間的一個以上的上述有機層的積層體，且藉由上述積層體 與上述玻璃基板而構成有機電激發光面板。 3·如申請專利範圍第1項或第2項所述之蒸鍍方法， 其中作為上述冷卻板，使用由具有等同於或高於上述玻璃 基板的導熱率的材料所形成的冷卻板。 4.如申請專利範圍第3項所述之蒸鍍方法，其中作為 上述冷卻板，使用導熱率為01 w/m.k以上、5〇〇 w/m上 以下的冷卻板。 5_如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之蒸 鐘方法，其中作為上述冷卻板，使用具有等同於或高於上 述玻璃基板的厚度的冷卻板。 6·如申請專利範圍第5項所述之蒸鑛方法，其中作為 上述冷卻板，使用厚度為則_以上、测哗以下的冷 31 201213569, 卻板。 7. 如申δ月專利範圍第ί項至第6項中任一項所述之蒸 鍍方法’其中上述冷卻板是玻璃板或金屬板。 8. 如申δ奢專利範圍第1項至第7項中任一項所述之蒸 鐘方法，其中作為上述玻璃基板，使用厚度為1〇 μπ1以上、 700 μηι以下且導熱率為〇.1 W/m.k以上、1.5 w/m.k以下 的玻璃基板。 9· 一種蒸鍍裝置，其是用以針對於玻璃基板的一面之 側幵>成一個或多個層、且上述層是包括有機層的層，藉由 蒸鍍處理而形成上述層中的至少一種層的蒸鍍裝置，其特 以於上述蒸鍍處理時冷卻上述玻 上述蒸鍍裝置具備用 璃基板的冷卻板， 且使上述玻璃基板的另—面與上述冷卻板的—面直接 行面接觸，且藉由上述面接觸而使各自 可剝離的程度而密接的狀態。 ^面成為以 32